CN1763520A - 介质阻挡放电原子化/离子化方法及其装置 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims description 21
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 claims abstract description 24
- 238000000889 atomisation Methods 0.000 claims description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 22
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 claims description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 10
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 10
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 9
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000001307 helium Substances 0.000 claims description 7
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000002196 Pyroceram Substances 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052754 neon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N neon atom Chemical compound [Ne] GKAOGPIIYCISHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 abstract 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 abstract 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 7
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 7
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 5
- RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N arsenic atom Chemical compound [As] RQNWIZPPADIBDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 1
- FAWGZAFXDJGWBB-UHFFFAOYSA-N antimony(3+) Chemical compound [Sb+3] FAWGZAFXDJGWBB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000070 arsenic hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 125000003748 selenium group Chemical group *[Se]* 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002798 spectrophotometry method Methods 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
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- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
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Abstract
介质阻挡放电原子化/离子化方法及其装置涉及分析化学原子化/离子化方法技术领域,特别涉及介质阻挡放电用于氢化物的原子化/离子化技术。其特征在于,将氢化物通过载气进入介质阻挡放电通道来进行原子化/离子化,气体的流速为30毫升/分钟至1000毫升/分钟,采用高压高频电源进行放电,电压为220V~10000V,频率为50Hz~50MHz。本发明具有结构简单,体积小等优点,可用于原子吸收,原子发射,原子荧光以及质谱分析。
Description
技术领域:
本发明涉及分析化学原子化/离子化方法技术领域,特别涉及介质阻挡放电用于氢化物的原子化/离子化技术。
背景技术:
氢化物发生已被广泛的应用于蒸汽发生元素(砷,硒,锡,锑,汞)等的分析。氢化物发生方法实现了与基体的有效分离,解决了基体的干扰问题;提高了样品引入效率(100%),极大的提高了灵敏度。
原子化/离子化是氢化物发生利用中的一个关键问题。常见的氢化物原子化/离子化方法有:电热原子化,辉光放电(GD),电感耦合等离子体(ICP)。电热原子化是将氢化物通入加热至一定温度的原子化器(一般为石英管)。该种方式适合于原子吸收来进行检测,具有较高的灵敏度。但是必须加热到足够高的温度,需要一个高达几百瓦的加热组件来保证原子化器的温度,不易实现小型化。辉光放电也被应用于氢化物的原子化/离子化。该种方法装置简便,操作费用较低,而且避免了加热,实现了非加热方式的原子化。但是辉光放电需要一定的真空度,因此真空设备和除水装置是必需的。这就导致了仪器设计的复杂,也增加的操作的费用。辉光放电电极与样品直接接触,必须定时清洗以达到良好的重现性。电感耦合等离子体具有极高的灵敏度,但是同样仪器贵重,操作费用高,也不容易实现常规的分析。介质阻挡放电的结构特点是至少存在一层绝缘性的阻挡介质,小的电极之间的距离(放电通道)。当在放电电极上施加足够高的交流电压时,电极间的气体,即使在大气压下也会被击穿而形成所谓的介质阻挡放电。这种放电表现为很均匀,漫散和稳定,实际上是由大量细微的快脉冲放电通道构成的。该放电具有可在大气压下实现,体积小,低能耗(几瓦),低气体温度(约600k)的优点。目前未有将其用于原子化/离子化的报道。发展非加热方式、结构简单,耗能少,易于实现小型化的原子化器,能极大的推动氢化物发生的普及,有可能实现野外常规的分析。
发明内容:
本发明的目的在于,提供了一种氢化物介质阻挡放电原子化/离子化的方法及其装置,将大气压介质阻挡放电应用于氢化物的原子化/离子化,实现原子化装置的小型化,为分析仪器的小型化提供了广阔的前景。
本发明所提出的方法的特征在于:将氢化物通过载气进入介质阻挡放电通道来进行原子化/离子化,气体的流速为30毫升/分钟至1000毫升/分钟,采用高压高频电源进行放电,电压为220V~10000V,频率为50Hz~50MHz。
所述载气为氦气、氩气、氖气、氮气、氢气中的一种或几种的混和气体。
为本方法而设计的介质阻挡放电装置,其特征在于,是一个T型放电通道,该通道相对的两个口是氢化物气体出口,另一个口是氢化物气体入口,该通道有两侧相对的壁分别是两层绝缘介质层,在该两层绝缘介质层的外侧紧贴有与高压高频电源连接的电极板,该通道的另两侧壁分别是由绝缘材料构成的绝缘壁。
所述两层绝缘介质层之间的距离为1mm-5mm。,所述绝缘介质层的材料是普通玻璃、耐热玻璃、石英、陶瓷中的一种。所述绝缘介质层的厚度为0.5mm-4mm。所述另两侧由绝缘材料构成的绝缘壁是普通玻璃的绝缘壁。
有益效果,本发明结构简单,体积小(如只有一个载玻片大小,70mm*35mm),很容易实现仪器的小型化。而且由于是非加热方式的原子化/离子化,避免了加热引起的耗能大,难于小型化的问题。与辉光放电相比,该原子化/离子化方式在大气压下进行,无需真空设备和除水过程,使得原子化/离子化部分十分简单。该发明电极位于绝缘介质的外侧,有效的避免了与样品的接触,很好的保证了电极不被腐蚀和测量的重现性。本发明可用于原子吸收,原子发射,原子荧光以及质谱分析。
附图说明:
图1是介质阻挡放电原子化/离子化装置结构示意图;
图2是图1的横向剖视图;
图3是介质阻挡放电原子化不同浓度砷的测定图谱。
具体实施方式:
如图1和2所示,介质阻挡放电原子化/离子化装置含有两层绝缘介质层(1),两个平板电极(2)位于绝缘介质层外侧,连接高压高频电源。绝缘介质层(1)与绝缘材料外壁(3)连接构成如图所示的放电通道(5),而且在通道中部预留出气体入口(4)。两层平板电极(2)分别紧贴于绝缘介质(1)的外侧。平板电极分别与电源的两端相连。绝缘介质层(阻挡介质)可选择普通玻璃,耐热玻璃,石英,各种陶瓷等等,厚度为0.5mm-4mm。电极可选用铂,不锈钢,铜,铁等各种导电物质。放电通道高度(绝缘介质层之间的距离)为1mm-5mm。高压高频电源的电压为220-10000伏,频率50赫兹至50兆赫兹。氢化物发生载气即该发明中的放电气体可采用氦气,氩气,氖气,氮气,氢气,以及这几种气体的混和气体。气体流速为30至1000毫升每分钟。该方法可用于原子吸收,原子发射,原子荧光,质谱的分析。
介质阻挡放电装置要具有一定的放电通道高度,采取合适的电压和频率才能达到很好的放电,形成相对均匀的等离子体。绝缘介质是该原子化器的重要组成部分,它的厚度也是放电的重要参数,也对放电行为产生一定的影响,从而影响原子化效率。载气在这里有两大作用,一是充当放电气体,形成一个均匀稳定的等离子体;二是将氢化物携带入原子化器。因此气体的种类也影响着放电,而其流速决定了氢化物在原子化器中的停留时间,这个与原子化效率大大相关,因此也是十分重要的参数。
下面再举实际应用的几种实例对本发明予以进一步说明。
实施实例一
选取普通玻璃做绝缘介质(阻挡介质),厚度为1mm。绝缘材料也选取普通玻璃,将其粘接成如图所示结构。两绝缘介质之间距离为1mm,放电通道(5)即光通道为2mm*10mm的矩形通道。平板电极选取铂为材料,长度50mm,宽度10mm,紧贴于放电通道外测,用导线连接于高压高频电源上。电源采用3000V,20KHZ。砷化氢的载气采用氩气,流速为400ml/min.信号用原子吸收检测,对于砷元素有很高的灵敏度,信号随样品浓度成线性变化,如对三价砷线性范围为:20ppb-500ppb。图3给出了砷的流动注射-氢化物发生方法测定不同浓度砷的信号。
实施实例二
选取耐热玻璃做绝缘介质(阻挡介质),厚度为0.5mm。绝缘材料也选取普通玻璃,将其粘接成如图所示结构。两绝缘介质之间距离为2mm,放电通道(5)即光通道为2mm*15mm的矩形通道。平板电极选取铜为材料,长度50mm,宽度15mm,紧贴于放电通道外测,用导线连接于高压高频电源上。电源采用220V,50MHZ。氢化物的载气采用氦气,流速为200ml/min.信号用原子吸收检测,对于硒元素有很高的灵敏度,信号随样品浓度成线性变化,如对硒线性范围为:10ppb-1000ppb。
实施实例三
选取石英做绝缘介质(阻挡介质),厚度为1.2mm。绝缘材料也选取普通玻璃,将其粘接成如图所示结构。两绝缘介质之间距离为3mm,放电通道(5)即光通道为3mm*5mm的矩形通道。平板电极选取不锈钢为材料,长度50mm,宽度5mm,紧贴于放电通道外测,用导线连接于高压高频电源上。电源采用3600V,50HZ。氢化物的载气采用氦气,流速为1000ml/min.信号用原子吸收检测,对于锡元素有很高的灵敏度,信号随样品浓度成线性变化,如对锡线性范围为:20ppb-500ppb。
实施实例四
选取陶瓷片做绝缘介质(阻挡介质),厚度为4mm。绝缘材料也选取普通玻璃,将其粘接成如图所示结构。两绝缘介质之间距离为5mm,放电通道(5)即光通道为5mm*10mm的矩形通道。平板电极选取铜为材料,长度50mm,宽度10mm,紧贴于放电通道外测,用导线连接于高压高频电源上。电源采用10000V,30KHZ。氢化物的载气采用氦气与氢气的混气(96%氦,4%氢气),流速为30ml/min.信号用原子吸收检测,对于锑元素有很高的灵敏度,信号随样品浓度成线性变化,如对锑线性范围为:10ppb-1000ppb。
Claims (7)
1、介质阻挡放电原子化/离子化方法,其特征在于,将氢化物通过载气进入介质阻挡放电通道来进行原子化/离子化,气体的流速为30毫升/分钟~1000毫升/分钟,采用高压高频电源进行放电,电压为220V~10000V,频率为50Hz~50MHz。
2、如权利要求1所述的介质阻挡放电原子化/离子化方法,其特征在于,所述载气为氦气、氩气、氖气、氮气、氢气中的一种或几种的混和气体。
3、根据如权利要求1所述的方法而设计的介质阻挡放电装置,其特征在于,是一个T型放电通道,该通道相对的两个口是氢化物气体出口,另一个口是氢化物气体入口,该通道有两侧相对的壁分别是两层绝缘介质层,在该两层绝缘介质层的外侧紧贴有与高压高频电源连接的电极板,该通道的另两侧壁分别是由绝缘材料构成的绝缘壁。
4、如权利要求3所述的介质阻挡放电装置,其特征在于,所述两层绝缘介质层之间的距离为1mm-5mm。
5、如权利要求3所述的介质阻挡放电装置,其特征在于,所述绝缘介质层的材料是普通玻璃、耐热玻璃、石英、陶瓷中的一种。
6、如权利要求3或5所述的介质阻挡放电装置,其特征在于,所述绝缘介质层的厚度为0.5mm-4mm。
7、如权利要求3所述的介质阻挡放电装置,其特征在于,所述T型通道的另两侧由绝缘材料构成的绝缘壁是普通玻璃的绝缘壁。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2005100865182A CN100356164C (zh) | 2005-09-27 | 2005-09-27 | 介质阻挡放电原子化/离子化方法及其装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CNB2005100865182A CN100356164C (zh) | 2005-09-27 | 2005-09-27 | 介质阻挡放电原子化/离子化方法及其装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN1763520A true CN1763520A (zh) | 2006-04-26 |
CN100356164C CN100356164C (zh) | 2007-12-19 |
Family
ID=36747763
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CNB2005100865182A Active CN100356164C (zh) | 2005-09-27 | 2005-09-27 | 介质阻挡放电原子化/离子化方法及其装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN100356164C (zh) |
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CN102519938A (zh) * | 2011-12-13 | 2012-06-27 | 清华大学 | 一种基于介质阻挡放电的原子蒸气发生方法及装置 |
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CN102866224A (zh) * | 2012-09-17 | 2013-01-09 | 四川大学 | 一种基于碳原子发射光谱测定含碳化合物的气相色谱检测方法 |
CN103207172A (zh) * | 2013-03-06 | 2013-07-17 | 河海大学 | 一种微型原子化/离子化和检测的方法及其装置 |
CN103149195A (zh) * | 2013-03-06 | 2013-06-12 | 河海大学 | 一种介质阻挡放电的光谱检测方法及装置 |
CN103207172B (zh) * | 2013-03-06 | 2016-06-01 | 河海大学 | 一种微型原子化/离子化检测装置及其方法 |
CN104502330B (zh) * | 2014-12-12 | 2017-06-27 | 大连理工大学 | 一种用于检测液体样品的激光诱导击穿光谱检测装置 |
CN106033053A (zh) * | 2015-03-11 | 2016-10-19 | 北京普析通用仪器有限责任公司 | 石墨炉原子化器 |
CN106770144A (zh) * | 2017-03-06 | 2017-05-31 | 清华大学 | 一种基于氢等离子体的固体样品化学蒸气发生进样方法 |
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CN109831867A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-05-31 | 中国农业科学院农业质量标准与检测技术研究所 | 一种介质阻挡放电装置及其汞分析方法 |
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---|---|
CN100356164C (zh) | 2007-12-19 |
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