CN1751397B - 制造球形太阳能电池阵列的方法 - Google Patents
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Abstract
提供了制造光电太阳能电池的一种方法。提供了多个通常球形的半导体元件。每个半导体元件具有核心和形成p-n结的外表面。在每个半导体元件的外表面上沉淀抗反射涂层并且将每个半导体元件结合进穿孔铝箔阵列，从而提供对于p-n结的第一侧面的欧姆接触。从每个半导体元件的一部分去除抗反射涂层并且然后暴露核心，从而允许形成对于p-n结的第二侧面的欧姆接触。
Description
技术领域
本发明总的来说涉及用于球形太阳能电池的抗反射涂层，并且更具体地说，涉及在球形太阳能电池的基本上球形的半导体元件上沉淀抗反射涂层。
背景技术
在太阳能电池中使用抗反射涂层增加入射光的吸收并且从而增加太阳能电池的输出和效率。已经广泛地使用平面太阳能电池设计并且已知用于这些设计的抗反射涂层工艺。在现有技术工艺中，通过化学汽相淀积应用抗反射涂层。
最近的太阳能电池的发展已经导致太阳能电池阵列中的基本上球形的硅的使用，作为球形太阳能电池提到。将若干硅球的每一个嵌入铝箔使得仅暴露半球的表面接收入射光而铝箔用于将光反射至硅球。
铝箔表面有利于将光反射至硅球，在硅球上涂覆有抗反射涂层。这样，由该球接收的光包括从铝箔反射的光。但是，由于硅球的涂层的作用而在铝箔上沉淀的抗反射涂层减少反射至硅球的光。这导致硅球上的入射光的减少，其导致太阳能电池的输出和效率的降低。
在2002年7月25日发表的美国专利申请No.09/988,988(出版号No.US 2002/0096206 A1)中公开了一个特殊的球形太阳能电池阵列和制造太阳能电池阵列的方法。这个申请教导了多个基本上是球形的光电变换元件，每个元件被安装在用于将光反射至该元件的支架的多个凹口的每一个中。该元件包括覆盖有p型非晶SiC层的n型非晶硅，形成p-n结。在六角形阵列中六角形地成形该凹口，并且在六角 形凹口中的各个开口中安装该元件，使得p型非晶SiC层接触支架和经支架延伸的元件的局部。经支架延伸的元件的局部的机械研磨暴露n型非晶硅。但是，这个特殊的太阳能电池阵列存在缺点，即在其中不存在抗反射涂层以减少从元件反射的光。
美国专利No.6,355,873公开了包括被n型材料覆盖的p型材料的多个基本上是球形的光电变换元件的球形太阳能电池阵列。将元件压入金属丝网使得该金属丝网接触n型材料并且磨光每个元件以去除其部分并暴露p型材料。将嵌在金属丝网中的元件安装在凹痕铝箔片的凹面的凹痕中使得每个凹痕中的腿接触p型材料。再次，这个太阳能电池阵列不包括减少从元件反射的光的抗反射涂层。此外，必须将这个太阳能电池阵列制造得在每个腿之间接触并且避免每个元件的n型材料。
在1992年1月14日Parker等人发行的美国专利No.5,081,069中公开了将抗反射涂层应用于球形太阳能电池的一种现有技术的方法。通过经反应喷嘴将热钛异丙氧化物在大气压强下引入CVD反应室，在化学汽相淀积(CVD)反应室中将抗反射涂层应用于硅球。这个方法依靠金属醇盐的受控分解，以提供金属氧化物(二氧化钛)的均匀涂层为目标。但是这种方法存在许多缺点。例如，金属氧化物不是基本上均匀地沉淀在硅球的表面上的，导致在硅球顶端的相对厚的抗发射涂层的层和在硅球的下侧上的相对薄的抗反射涂层的层。而且，为实现所需折射指数的涂层的增浓作用被限制到低于577摄氏度的温度。更高的温度导致非所需的铝硅键处的铝的硅化物液相的形成，从而劣化已完成的单元。
从而需要提供制造光电太阳能电池的方法，其避免或减轻至少一些现有技术的缺点。
发明内容
在一方面中，提供了制造用于光电太阳能电池的光学集中器的方法。该方法包括提供多个通常球形半导体元件。每个半导体元件具有核心和形成p-n结的外表面。抗反射涂层沉淀在每个半导体元件的外表面上并且将每个半导体元件结合进穿孔铝箔阵列中从而提供到p-n结的第一侧面的欧姆接触。将该抗反射涂层从每个半导体元件的一部分去除并且暴露核心，从而允许造成对p-n结的第二侧面的欧姆接触。
在本发明的另一方面中，提供了制造用于光电太阳能电池的光学集中器的方法。该方法包括提供多个通常球形半导体元件。每个半导体元件包括在每个半导体元件中形成p-n结的p和n型半导体材料。抗反射涂层沉淀在每个半导体元件的外表面上。将每个半导体元件结合进穿孔铝箔阵列中使得每个半导体元件的一部分经穿孔铝箔阵列延伸并在铝箔和p和n型半导体材料中的一个之间提供欧姆接触。将抗反射涂层从半导体元件的一部分去除并且之后暴露其它p和n型材料。
在另一方面中，提供了制造用于光电太阳能电池的光学集中器的方法。该方法包括在穿孔铝箔中提供基本上球形凹陷的六角形阵列。具有形成p-n结的p和n型半导体材料的通常球形的半导体元件，和半导体元件的外表面上的抗反射涂层，被结合入穿孔铝箔，使得半导体元件的一部分经穿孔铝箔延伸并在铝箔和p和n型半导体材料中的一个之间提供欧姆接触。从半导体元件的一部分去除抗反射涂层并且暴露其它的p和n型材料。
有利地，在结合在铝箔中之前涂覆半导体元件。这样，抗反射涂层不在铝箔上沉淀。而且，实现了在每个半导体元件的表面上的抗反射涂层的基本上均匀的厚度。此外，抗反射涂层的厚度是可控的以提供各种所需厚度的涂层。这样，可以生产各种颜色的任何一个的半导体元件。
附图说明
将参考以下附图更好地理解本发明，并且在下面的叙述中：
图1示出根据本发明的实施例的一方面的用于连续移动半导体元件通过沉淀区的振动托盘的透视图；
图2示出根据本发明的实施例的光学集中器的周期六角形阵列中的半导体元件
图3示出图2的光学集中器的周期六角形阵列中的半导体元件的阵列的透视图；
图4A和4B示出图2的光学集中器的穿孔铝箔中安装的半导体元件；
图5A示出在p-n结的第二侧面的暴露之前，图4的穿孔铝箔中安装的半导体元件之一；和
图5B示出p-n结的第二侧面暴露了的图5A的半导体元件。
具体实施方式
现在将描述根据本发明的第一实施例的制造光电太阳能电池的方法。使用了多个通常球形的半导体元件。每个半导体元件具有核心和在掺杂硅层之下形成p-n结的掺杂硅层的外表面。在每个半导体元件的外表面上沉淀抗反射涂层并且将半导体元件结合进穿孔铝箔阵列，从而提供与p-n结的第一侧面的欧姆接触。然后从阵列中的每个半导体元件的一部分去除抗反射涂层并且然后暴露核心，从而允许制造与p-n结的第二侧面的欧姆接触。
现在将更充分地描述制造光电太阳能电池的方法。在此描述的半导体元件一般指球形半导体元件，尽管其他形状是可能的。将理解，每个半导体元件具有核心和在外表面之下形成p-n结的外表面。
在CVD反应器中的半导体元件的外表面上的二氧化钛的化学汽相淀积(CVD)以二氧化钛抗反射涂层涂覆半导体元件。在提高的温 度，半导体元件的表面附近，通过与氧气发应的钛异丙氧化物的源蒸气的分解导致二氧化钛(TiO2)的沉淀。在半导体元件上引进氧气源。将钛异丙氧化物引进至CVD反应器的喷嘴被加热至从大约100℃到大约175℃的范围中，优选地到大约250℃，以帮助钛异丙氧化物的沉淀。在沉淀期间连续地移动半导体元件通过沉淀区域以提供所需厚度的均匀的普通涂层。
参考图1，使用振动托盘10连续地移动半导体元件通过沉淀区域。将托盘震动器驱动器12附加至托盘并提供加热罩14用于预热半导体元件。通过半导体元件多次穿过振动托盘10来实现涂层的所需厚度和均匀性。大约600到大约900埃的大体均匀的涂层厚度是所需的，并且通过将半导体元件穿过振动托盘10大约三次来实现，以每次穿过沉淀从大约200埃到大约300埃的二氧化钛。大约600至800埃德二氧化钛涂层厚度通过1/4波长的深蓝涂层用于良好的抗反射性能。在减少抗反射效率的代价方面，通过改变抗反射涂层的厚度可以影响其它颜色，从而改变波长。附录A包括示出二氧化钛抗反射涂层的厚度和作为结果的颜色效果的表格。
现在参考图2和图3，其中各自示出光学集中器的周期六角形阵列中的半导体元件阵列的顶视图和透视图。将涂覆的半导体元件22结合进穿孔铝箔24制成的光学集中器的周期六角形阵列中。铝箔24具有大约0.075mm(0.003英寸)至大约0.125mm(0.005英寸)的厚度。光学集中器的六角形周期阵列是六角形的或铝箔24中的多个基本上球形凹陷的蜂巢结构。每个球形凹陷具有曲率R，例如，0.915mm(0.036英寸)的半径。铝箔24包括用于容纳球形半导体元件22的穿孔或孔径。这样，球形半导体元件22的间隔S取决于铝箔24中的孔径。
一般地，每个球形半导体元件22具有大约0.3mm至大约0.9mm范围内的，并且优选地在大约0.6mm(0.024英尺)至大约0.8mm(0.032 英尺)范围内的直径D。在单独的单元中的每个球形半导体元件22具有相似的标称直径。将球形半导体元件22安装在穿孔铝箔24的球形凹陷中，导致球形元件间隔S，如图所示。
图4A和图4B示出穿孔铝箔24中的球形半导体元件22的安装。将球形半导体元件22装载进铝箔24中的穿孔中。然后在低于用于铝硅化物形成的共熔温度下(低于约577℃)，并且优选地在大约540℃到大约555℃的范围中，以每10mm单位宽度大约2500lbs(1134Kg)至大约3500lbs(1588Kg)力的轧磨力结合元件22，从而在半导体元件22和铝箔24的结合线上分解抗反射涂层。这样，在铝箔24和半导体元件22之间形成铝-硅键以提供与p-n结的第一侧面的欧姆接触。
现在参考图5A，其示出在p-n结的第二侧面暴露之前，安装在穿孔铝箔24中的半导体元件22中的一个。然后通过化学腐蚀将抗反射涂层从每个半导体元件22的背面去除。通过以浓缩氢氟酸喷射每个半导体元件的背面将每个半导体元件22的背面暴露给浓缩氢氟酸以腐蚀掉TiO2。或者，将背面浸入氢氟酸或具有氢氟酸的浆料中并且将惰性载体应用于背面。然后，以氢氟酸和硝酸的混合物腐蚀每个半导体元件的背面以腐蚀掉半导体元件的掺杂硅层，如图5B中所示，并且从而允许制造对p-n结的第二侧面的欧姆接触。铝箔24在半导体元件22的背面的腐蚀期间用作腐蚀掩模。在另外的实施例中，以比如NaOH，KOH，NH4OH等的腐蚀性蚀刻剂腐蚀每个半导体元件的背面，以腐蚀掉掺杂硅层。
对于上述实施例的其它修正和变形是可能的。在一个变形中，除了半导体元件多次穿过振动托盘10，将多个沉淀喷嘴用于在单次穿过振动托盘10中实现涂层的所需的厚度和均匀性。
在上述实施例的另一变形中，将半导体元件装载进多孔渗水旋转鼓而不是穿过振动托盘10，用于连续的移动以提供一般的均匀的所需厚度的涂层。在这个实施例中，源蒸气、钛异丙氧化物、氧气源，和氮在鼓中被分解。一方面，多孔渗水旋转鼓用于成批处理。另一方面，多孔渗水旋转鼓轻微倾斜使得半导体元件由于重力逐渐穿过鼓。应意识到这个处理是连续的而不是成批处理。
在上述实施例的另一变形中，除了使用振动托盘10，半导体元件在流化床中连续地移动。源蒸气、钛异丙氧化物、氧气源，和氮运载气体流经该床以促使大部分半导体元件中的钛异丙氧化物的分解。另一方面，对于半导体元件的连续处理，而不是成批处理来修正流化床。
根据另一实施例，通过反应气体分解，已知的如等离子增强化学汽相淀积以氮化硅(Si3N4)抗反射涂层涂覆半导体元件。在这个实施例中，硅烷(SiH4)，或者氟代硅烷或氯代硅烷，与氮气或比如氨的含氮气体反应。将氢等离子用于催化分解。在涂覆期间半导体元件连续地移动，并且可以使用在第一实施例及上述变形中已经叙述了的相似技术连续地移动元件。如在上文中所述，通过改变抗反射涂层的厚度，从而改变波长可以实现不同的颜色。用于二氧化钛的与附录A中相似的颜色，可以实现为氮化硅抗反射涂层。为实现相同的颜色，通过将给定的用于二氧化钛的厚度乘以1.364来确定氮化硅的厚度。
然后以与上述相似的方法在铝箔中安装半导体元件。在这个实施例中，然而，除了通过以氢氟酸并同时以氢氟酸和硝酸的混合物腐蚀来从每个半导体元件的背面去除抗反射涂层，每个半导体元件的背面还受到机械的或化学-机械的抛光。这个处理导致抗反射涂层连同每个半导体元件的背面上的硅的掺杂层的去除。
在一个变形中，通过将元件封装成列连续地移动半导体元件并当将半导体元件填入顶部时从列的底部连续地移动半导体元件。在这个变形中，源蒸气、钛异丙氧化物、氧气源，和氮气在列中被分解。
根据另一实施例，喷涂半导体元件以形成二氧化钛抗反射涂层。使用喷射靶在半导体元件的表面上生成金属涂层并且该表面随后被氧化。或者，将二氧化钛直接沉淀在半导体元件的表面上。使用二氧化钛靶或氧化在表面上的钛靶完成这个步骤。如上所述的实施例中，在涂覆期间连续地移动半导体元件。然而，应该理解，在真空中进行喷射以产生抗反射涂层并且因此使用流化床在本实施例中是不适当的。然而可以使用其他连续运动技术。
在一个变形中，使用转盘连续移动半导体元件。将元件引入盘并旋转近乎360度。然后将元件清除进收集区域。
根据本发明的另一实施例，使用修正的溶胶一凝胶过程涂覆半导体元件。使用这种途径，将悬浮在溶剂载体中的水解金属醇盐的少量凝胶溶液添加至多个半导体元件。连续地搅动半导体元件以在多个半导体元件的表面上均匀地分散溶液并蒸发溶剂。存在多种适当的混合器，例如，包括振动碗修边机，回旋混合器，和球磨机。
在本发明的另一实施例中，表面处理铝箔24以改进铝箔24的反射率。如本领域的技术人员将理解的，400nm至1100nm范围的光是特别感兴趣的，因为这个范围包括太阳光谱的大部分。除了700nm至900nm范围中反射率的下降，铝反射率在这个范围中一般是十分好的。表面处理铝箔24以改进反射率。例如，在将涂覆的半导体元件22结合进铝箔24之前，通过比如机械抛光、刷光和磨光的已知方式，来机械地抛光铝箔24，以平滑铝箔24表面中的不规则并且从而改进反射率。将理解，显示铝的颜色的十分光滑的表面精整，增加吸收，且 因此是非所需的。这样，使用上光剂(以细粒度)进行机械抛光使得留下宏观上平滑的表面而微观上轻划伤以增加铝箔24的反射率。
其他表面处理也是可能的。这些包括，例如，热磷酸熔体腐蚀、brite浸渍、表面精整和通过阳极电镀密封、使用例如苛性苏打(NaOH)蚀刻剂的苛性腐蚀，和使用淡强酸的酸腐蚀。
在形成穿孔铝箔阵列24之前，并且从而，在将涂覆的半导体元件22结合进铝箔24之前，执行用于改进铝箔24的反射率的上述表面处理。
或者，在形成穿孔铝箔阵列24之后并且在将涂覆的半导体元件22结合进铝箔24之前，执行用于改进铝箔24的反射率的上述表面处理。
其它修正和变形是可能的。例如，许多特征的尺寸和形状可以改变。例如，可以使用二氧化硅(SiO2)的抗反射涂层。可以为二氧化硅抗反射涂层实现用于二氧化钛的与附录A中相似的颜色。为实现相同的颜色，通过将用于二氧化钛的给定厚度乘以1.82来确定二氧化硅涂层的厚度。其它修正和变形仍是可能的。相信所有这样的修正和变形在本发明的范围和领域中。
附录A
用于在日光荧光照明下垂直观察的二氧化钛胶片的颜色图表
| 胶片厚度(微米) | 颜色&推荐 |
| 0.028 0.041 | 深褐色 褐色 |
| 0.055 0.069 0.083 0.096 | 深紫色至红紫色 品蓝 淡蓝至金属蓝 金属色至很浅的黄绿色 |
| 0.110 0.124 0.138 0.151 | 浅金色或具有轻微黄橙色的浅黄的金属金色 橙色至瓜色 红紫色 |
| 0.165 0.171 0.179 0.190 0.193 0.201 0.206 0.215 | 蓝色至紫蓝色 蓝色 蓝色至蓝绿色 浅绿色 绿色至黄绿色 黄绿色 绿黄色 黄色 |
Claims (34)
1.一种制造光电太阳能电池的方法，所述光电太阳能电池包括多个基本上球形的半导体元件，每个所述的半导体元件具有核心和外表面，所述核心和外表面中的一个由p型半导体材料形成，所述核心和外表面中的另一个由n型半导体材料形成，由此形成p-n结，所述方法包括：
在每个半导体元件的外表面上沉淀抗反射涂层；
将经抗反射沉淀的每个半导体元件放入形成在铝箔衬底中的各个孔中，并且将每个半导体元件结合到所述铝箔衬底，从而导致每个半导体元件的p-n结的所述外表面与所述铝箔衬底的欧姆接触；和
对于每个半导体元件，从所述半导体元件的位于所述铝箔衬底之下的一部分去除所述抗反射涂层和所述外表面，从而暴露每个半导体元件的所述核心。
2.如权利要求1所述的方法，其中，所述沉淀抗反射涂层的步骤包括在每个半导体元件的外表面上沉淀金属氧化物。
3.如权利要求2所述的方法，其中，所述沉淀抗反射涂层的步骤包括在每个半导体元件的外表面上沉淀二氧化钛。
4.如权利要求2所述的方法，其中，所述在每个半导体元件的外表面上沉淀金属氧化物的步骤包括在化学汽相淀积反应器中分解钛异丙氧化物。
5.如权利要求2所述的方法，其中，在每个半导体元件的外表面上沉淀金属氧化物的步骤包括在每个半导体元件的外表面上的金属涂层的溅射淀积，且之后进行所述金属涂层的氧化。
6.如权利要求2所述的方法，其中，所述在每个半导体元件的外表面上沉淀金属氧化物的步骤包括在溶剂载体中悬浮水解金属醇盐来形成溶液，在连续移动半导体元件和蒸发所述溶剂载体期间将所述溶液涂敷到每个半导体元件的外表面。
7.如权利要求1所述的方法，其中，所述沉淀抗反射涂层的步骤包括在每个半导体元件的外表面上沉淀氮化硅。
8.如权利要求7所述的方法，其中，所述在每个半导体元件的外表面上沉淀氮化硅的步骤包括采用反应气体分解工艺来沉淀氮化硅。
9.如权利要求8所述的方法，其中，所述反应气体分解工艺包括用氨与硅烷、氯代硅烷、或氟代硅烷进行反应来沉淀氮化硅。
10.如权利要求1所述的方法，其中，所述结合的步骤包括将每个半导体元件压入所述铝箔衬底的同时加热，以将每个半导体元件结合到所述铝箔衬底，在每个半导体元件和所述铝箔衬底之间形成的结合线处分解所述抗反射涂层并且然后在所述铝箔衬底和每个所述半导体元件之间形成另一个结合。
11.如权利要求10所述的方法，其中，在温度低于形成硅化铝的共熔温度的温度下进行所述压入。
12.如权利要求10所述的方法，其中，在低于577℃的温度下进行所述压入。
13.如权利要求1所述的方法，其中，所述去除步骤包括将每个所述半导体元件置于氢氟酸中。
14.如权利要求13所述的方法，其中，所述将每个所述半导体元件置于氢氟酸中的步骤包括以氢氟酸喷射所述半导体元件、将所述半导体元件陷入氢氟酸，或将包含氢氟酸的浆料和惰性载体应用于所述半导体元件中。
15.如权利要求13所述的方法，其中，所述去除步骤包括在所述置于步骤之前的机械抛光和化学-机械抛光中的一个。
16.如权利要求1所述的方法，其中，所述在每个半导体元件的外表面上沉淀抗反射涂层的步骤包括以从大约600至大约900埃的厚度将基本上均匀的抗反射涂层沉淀到每个所述半导体元件上。
17.如权利要求1所述的方法，其中，所述在每个半导体元件的外表面上沉淀抗反射涂层的步骤还包括：将所述半导体元件封装成列并且将源气体填充进所述列，以从大约600至大约900埃的厚度将基本上均匀的抗反射涂层沉淀到每个所述半导体元件上。
18.一种制造光电太阳能电池的方法，所述光电太阳能电池包括多个基本上球形半导体元件，每个所述的半导体元件包括用于形成p-n结的p和n型半导体材料，所述方法包括：
在每个半导体元件的外表面上沉淀抗反射涂层；
将经抗反射沉淀的每个半导体元件结合到穿孔铝箔，使得每个半导体元件的一部分经所述的穿孔铝箔延伸并且在所述的铝箔和每个半导体元件的所述的p和n型半导体材料中的一个之间进行欧姆接触；和
在所述铝箔的一侧面和对于每个半导体元件，从每个半导体元件的一部分去除抗反射涂层以及与铝箔进行欧姆接触的半导体材料，从而暴露每个半导体元件的所述p和n型半导体材料中的另一个。
19.如权利要求18所述的方法，其中，所述沉淀步骤包括在每个半导体元件的外表面上沉淀金属氧化物。
20.如权利要求19所述的方法，其中，所述沉淀步骤包括在每个半导体元件的外表面上沉淀二氧化钛。
21.如权利要求19所述的方法，其中，所述沉淀步骤包括在每个半导体元件的外表面的金属涂层的溅射淀积，且之后进行所述金属涂层的氧化。
22.如权利要求19所述的方法，其中，所述沉淀步骤包括在溶剂载体中悬浮水解金属醇盐来形成溶液，在连续移动半导体元件和蒸发所述溶剂载体期间将所述溶液涂敷到每个半导体元件的外表面。
23.如权利要求18所述的方法，其中，所述沉淀步骤包括在每个半导体元件的外表面上沉淀氮化硅。
24.如权利要求23所述的方法，其中，所述在每个半导体元件的外表面上沉淀氮化硅包括使用反应气体分解工艺来涂敷每个半导体元件的外表面，其中所述反应气体分解工艺将硅烷、氯代硅烷、或氟代硅烷与氮基气体进行反应。
25.如权利要求24所述的方法，其中，所述氮基气体是氨。
26.如权利要求18所述的方法，其中，所述结合的步骤包括将每个所述半导体元件压入所述穿孔铝箔的同时加热，以将每个半导体元件结合到所述箔，在每个所述半导体元件和所述箔之间形成的结合线处分解所述抗反射涂层并且然后在所述箔和每个所述半导体元件之间形成铝硅结合。
27.如权利要求26所述的方法，其中，在温度低于形成硅化铝的共熔温度的温度下进行所述压入。
28.如权利要求18所述的方法，其中，所述去除步骤包括将每个所述半导体元件置于氢氟酸和硝酸的混合物中、将每个所述半导体元件置于苛性蚀刻剂中、机械抛光每个所述半导体元件、或化学-机械抛光每个所述半导体元件中。
29.如权利要求18所述的方法，其中，所述沉淀步骤包括以从大约600至大约900埃的厚度将基本上均匀的抗反射涂层沉淀到每个所述半导体元件上。
30.如权利要求24所述的方法，其中，在所述半导体元件上执行所述反应气体分解工艺，从而以从大约600至大约900埃的厚度将基本上均匀的抗反射涂层沉淀到每个所述半导体元件上。
31.一种制造光电太阳能电池的方法，所述光电太阳能电池包括：具有形成在其中的凹陷阵列的铝箔衬底和多个基本上球形的半导体元件，每个所述凹陷具有当从顶视图观察时六角形的周界，每个所述的半导体元件包括外材料和核心材料，所述外材料和核心材料中的一个由p型半导体材料形成，所述核心材料和外材料中的另一个由n型半导体材料形成由此形成p-n结；以及在每个半导体元件的外表面上的抗反射涂层，所述方法包括：
将经抗反射沉淀的每个半导体元件结合到所述铝箔衬底中的所述凹陷的相应一个中，使得所述每个半导体元件的一部分经所述铝箔衬底延伸并在所述铝箔衬底和每个半导体元件的所述外表面之间进行欧姆接触；以及
对于每个半导体元件，从每个半导体元件的一部分去除抗反射涂层以及外表面，从而在所述衬底的一侧面暴露每个半导体元件的所述核心材料。
32.如权利要求31所述的方法，其中，所述结合的步骤包括将每个所述半导体元件压入所述铝箔衬底的同时加热，以将每个半导体元件结合到所述铝箔衬底，在每个所述半导体元件和所述铝箔衬底之间形成的结合线处分解所述抗反射涂层并且然后在所述铝箔衬底和每个所述半导体元件之间形成另一个结合。
33.如权利要求32所述的方法，其中，在温度低于形成硅化铝的共熔温度的温度下进行所述压入。
34.如权利要求31所述的方法，其中，所述去除步骤包括将每个所述半导体元件置于氢氟酸和硝酸的混合物中、将每个所述半导体元件置于苛性蚀刻剂中、机械抛光每个所述半导体元件、或化学-机械抛光每个所述半导体元件中。
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Families Citing this family (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6897085B2 (en) * | 2003-01-21 | 2005-05-24 | Spheral Solar Power, Inc. | Method of fabricating an optical concentrator for a photovoltaic solar cell |
| JP2005317667A (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-10 | Clean Venture 21:Kk | 太陽電池用支持体およびその製造方法 |
| US7927933B2 (en) * | 2005-02-16 | 2011-04-19 | Imec | Method to enhance the initiation of film growth |
| ATE510306T1 (de) | 2005-02-18 | 2011-06-15 | Clean Venture 21 Corp | Matrixanordnung sphärischer solarzellen und ihr herstellungsverfahren |
| JP4963199B2 (ja) * | 2006-07-28 | 2012-06-27 | 株式会社クリーンベンチャー２１ | 光電変換装置の製造方法 |
| KR100821524B1 (ko) * | 2006-10-24 | 2008-04-14 | 한국과학기술연구원 | 염료 감응 태양전지용 산화물 전극의 제조방법 및 이를이용한 염료 감응 태양전지 |
| US8445774B2 (en) * | 2007-07-26 | 2013-05-21 | Guardian Industries Corp. | Method of making an antireflective silica coating, resulting product, and photovoltaic device comprising same |
| US8450594B2 (en) * | 2007-07-26 | 2013-05-28 | Guardian Industries Corp. | Method of making an antireflective silica coating, resulting product and photovoltaic device comprising same |
| US20100206370A1 (en) * | 2009-02-18 | 2010-08-19 | Qualcomm Incorporated | Photovoltaic Cell Efficiency Using Through Silicon Vias |
| US8617641B2 (en) * | 2009-11-12 | 2013-12-31 | Guardian Industries Corp. | Coated article comprising colloidal silica inclusive anti-reflective coating, and method of making the same |
| JP5692373B2 (ja) * | 2011-05-27 | 2015-04-01 | 株式会社島津製作所 | 成膜装置及び成膜方法 |
| KR101336075B1 (ko) * | 2012-02-10 | 2013-12-03 | 최대규 | 소재의 가공장치 |
| US9394604B2 (en) * | 2012-04-16 | 2016-07-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Apparatus and method for sputter-deposited coatings on fluidized particle beds |
| KR101325572B1 (ko) * | 2012-05-09 | 2013-11-05 | 이성규 | Ｐｃｂ를 이용한 태양전지 |
| JP6353636B2 (ja) * | 2013-06-21 | 2018-07-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 酸化チタン膜の除去方法および除去装置 |
| US9666733B2 (en) | 2013-09-04 | 2017-05-30 | Hyeon Woo AHN | Solar cell using printed circuit board |
| US9818903B2 (en) | 2014-04-30 | 2017-11-14 | Sunpower Corporation | Bonds for solar cell metallization |
| CN105140321B (zh) * | 2015-07-06 | 2017-02-01 | 南京汇金锦元光电材料有限公司 | 柔性cigs太阳能电池及其金属基底制备方法 |
| US10432137B2 (en) | 2017-09-25 | 2019-10-01 | Cameron Ernest Jabara | Solar energy collector and method of operation |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4957601A (en) * | 1984-09-04 | 1990-09-18 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming an array of apertures in an aluminum foil |
| CN1012311B (zh) * | 1986-02-15 | 1991-04-03 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 制造太阳能电池阵列的方法 |
| US5498576A (en) * | 1994-07-22 | 1996-03-12 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for affixing spheres to a foil matrix |
Family Cites Families (25)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US294723A (en) * | 1884-03-04 | New toek | ||
| US3025335A (en) * | 1960-02-29 | 1962-03-13 | Hoffman Electronics Corp | Flexible solar energy converter panel |
| US4361598A (en) * | 1979-08-10 | 1982-11-30 | Westinghouse Electric Corp. | Polymerized solutions for depositing optical oxide coatings |
| US4610077A (en) * | 1984-04-30 | 1986-09-09 | Hughes Aircraft Company | Process for fabricating a wraparound contact solar cell |
| US5698451A (en) * | 1988-06-10 | 1997-12-16 | Mobil Solar Energy Corporation | Method of fabricating contacts for solar cells |
| US4909856A (en) * | 1988-08-22 | 1990-03-20 | Hughes Aircraft Company | Composite coverglass for solar cell |
| US5081069A (en) * | 1989-12-26 | 1992-01-14 | Texas Instruments Incorporated | Method for depositing a Tio2 layer using a periodic and simultaneous tilting and rotating platform motion |
| US5360491A (en) * | 1993-04-07 | 1994-11-01 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | β-silicon carbide protective coating and method for fabricating same |
| US5482568A (en) * | 1994-06-28 | 1996-01-09 | Hockaday; Robert G. | Micro mirror photovoltaic cells |
| US5486494A (en) * | 1994-07-22 | 1996-01-23 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for affixing spheres to a conductive sheet |
| JPH08125210A (ja) * | 1994-10-24 | 1996-05-17 | Jiyousuke Nakada | 受光素子及び受光素子アレイ並びにそれらを用いた電解装置 |
| DE69637769D1 (de) * | 1996-10-09 | 2009-01-15 | Josuke Nakata | Halbleitervorrichtung |
| DE69725601T2 (de) * | 1997-08-27 | 2004-04-15 | Nakata, Josuke, Joyo | Sphärische halbleiteranordnung, verfahren zu seiner herstellung und sphärisches halbleiteranordnungmaterial |
| WO1999038215A1 (fr) * | 1998-01-23 | 1999-07-29 | Josuke Nakata | Module de batterie solaire pour dispositif d'electrolyse optique et dispositif d'electrolyse optique |
| JP3174549B2 (ja) | 1998-02-26 | 2001-06-11 | 株式会社日立製作所 | 太陽光発電装置及び太陽光発電モジュール並びに太陽光発電システムの設置方法 |
| US6156967A (en) * | 1998-06-04 | 2000-12-05 | Tecstar Power Systems, Inc. | Modular glass covered solar cell array |
| US6188012B1 (en) * | 1999-11-10 | 2001-02-13 | Tecstar Power Systems | Methods and systems for a solar cell concentrator |
| JP2001210843A (ja) * | 1999-11-17 | 2001-08-03 | Fuji Mach Mfg Co Ltd | 光発電パネルおよびその製造方法 |
| JP3992126B2 (ja) | 1999-12-16 | 2007-10-17 | 株式会社三井ハイテック | 太陽電池の製造方法 |
| JP3849907B2 (ja) * | 1999-12-24 | 2006-11-22 | 株式会社三井ハイテック | 太陽電池およびその製造方法 |
| US6355873B1 (en) * | 2000-06-21 | 2002-03-12 | Ball Semiconductor, Inc. | Spherical shaped solar cell fabrication and panel assembly |
| US6329296B1 (en) * | 2000-08-09 | 2001-12-11 | Sandia Corporation | Metal catalyst technique for texturing silicon solar cells |
| WO2002035613A1 (en) | 2000-10-20 | 2002-05-02 | Josuke Nakata | Light-emitting or light-detecting semiconductor module and method of manufacture thereof |
| US6706959B2 (en) | 2000-11-24 | 2004-03-16 | Clean Venture 21 Corporation | Photovoltaic apparatus and mass-producing apparatus for mass-producing spherical semiconductor particles |
| US6897085B2 (en) * | 2003-01-21 | 2005-05-24 | Spheral Solar Power, Inc. | Method of fabricating an optical concentrator for a photovoltaic solar cell |
-
2003
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-
2010
- 2010-04-01 AU AU2010201311A patent/AU2010201311B2/en not_active Ceased
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4957601A (en) * | 1984-09-04 | 1990-09-18 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming an array of apertures in an aluminum foil |
| CN1012311B (zh) * | 1986-02-15 | 1991-04-03 | 德克萨斯仪器股份有限公司 | 制造太阳能电池阵列的方法 |
| US5498576A (en) * | 1994-07-22 | 1996-03-12 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for affixing spheres to a foil matrix |
Also Published As
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