CN1707635A - 光学信息再生方法和光学信息再生装置 - Google Patents

Abstract

在具有为了进行信息的记录、再生而以点状照射的光的跟踪用的引导沟的基板(1)上设置有记录层(2)以及光穿透层(3)，从光穿透层(3)侧对记录层(2)照射点状光，在对应于引导沟内部(G)的记录层的第一部分(G′)以及对应于相互邻接的引导沟间平坦部(L)的记录层的第二部分(L′)的两方上进行记录。当将光的波长作为λ，并将波长λ下的光穿透层(3)的折射率作为nf时，第一部分(G′)相对于记录层(2)的光穿透层侧的面的第二部分(L′)的深度d满足λ/5.8nf≤d≤λ/5nf的关系。记录层(2)在记录后，比记录前其反射率加大。

Description

光学信息再生方法和光学信息再生装置

本申请是申请日为2003年4月8日、国家申请号为03807950.X、名称为“光学信息记录介质及使用该介质的光学信息记录再生方法和装置”的申请的分案申请。

技术领域

本发明涉及采用激光等光对信息进行记录、再生的光学信息记录介质，以及采用这种介质的光学信息记录再生方法和光学信息记录再生装置，尤其涉及对于在具有跟踪用引导沟的基板表面上设置的记录层，在对应于跟踪用引导沟内部的部分以及对应于邻接的引导沟之间的部分的两方上进行信息记录的光学信息记录介质以及采用这种介质的光学信息记录再生方法及装置。

背景技术

作为由激光照射进行信息的记录、再生而使用的光学信息记录介质，一般知道有MO(光磁盘)、或者CD-R、CD-RW、DVD-R、DVD-RAM、DVD-RW等。作为光学信息记录介质中的增加记录密度的手段，已知有如下的陆面/沟槽记录技术：在基板面上基本呈圆形互相平行地形成的跟踪用引导沟(沟槽)邻接的各沟之间的平坦部(陆面)以及该引导沟的内部的两方所对应的记录层部分上进行记录(特开昭57-50330号公报、特开平9-73665号公报、特开平9-198716号公报、特开平10-64120号公报等)。

而且，近年来，作为高密度化记录的方法，提出了以下的技术，即，将构成用于进行信息的记录、再生的装置的光头的物镜的NA提高到0.85左右。由于通过提高NA可以减小在对激光进行聚焦之际的光束直径，因而能够记录、再生微小的标记。当如此地提高NA之时，可以不象以往那样，从0.6-1.2mm厚的支承基板侧照射激光，而是在光学信息记录介质的形成有跟踪用引导沟的表面上形成厚度0.1mm左右的光穿透层，并从该光穿透层侧照射激光，从而进行信息的记录、再生。

而且，由激光光源的短波长化而提高记录密度的研究也在蓬勃展开。与在以往的DVD记录再生中使用的红色的半导体激光相比，通过使用波长405nm左右的蓝紫色半导体激光，可望实现三倍以上的高记录密度。

另一方面，为了改善光学信息记录介质的信号品质，先降低记录前的记录层的反射率，再提高记录后的记录层的反射率的所谓Low-to-high(L-H)的记录方式是有效的。这是由于：通过先降低记录前的记录层的反射率，可以提高调制度，因而与以往的DVD-RAM、DVD-RW中采用的记录后的记录层的反射率降低的High-to-1ow(H-L)的记录方式相比，可以提高C/N。

将这些技术组合起来，也就是对于高信号品质的L-H方式的光学信息记录介质，采用蓝紫色半导体激光等短波长光源以及高NA的光头来进行陆面/沟槽记录，就可以极大地增加记录密度。

但是，在进行陆面/沟槽记录之际的一个很大的课题，就是从邻接光道的信号泄漏，即所谓串扰。如果为了增加记录密度，减小跟踪用引导沟的间隙，则会增大从邻接光道上记录的信息的串扰成分，因此要在目的光道上的(自己光道)正确地再生信息是困难的。

发明内容

本发明的目的之一在于，提供一种即使在采用短波长光源、高NA光头的情况下，也可以进行抑制了从邻接光道的串扰的高密度的陆面/沟槽记录的信号品质高的L-H方式的光学信息记录介质。

而且，本发明的另一目的在于，提供一种采用这样的光学信息记录介质进行光学信息的记录、再生的方法以及装置。

根据本发明，为了实现上述目的：

提供一种光学信息记录介质，是通过以点状照射光而进行信息的记录、再生，并且在具有上述点状的光的跟踪用引导沟的基板上至少顺序设置有记录层以及光穿透层，从上述光穿透层侧对上述记录层侧以点状照射上述光，在对应于上述引导沟的内部的上述记录层的第一部分以及对应于相互邻接的上述引导沟间的平坦部的上述记录层的第二部分都进行记录的光学信息记录介质，其特征在于：

当将上述光的波长作为λ，并将该波长λ的上述光穿透层的折射率作为nf的情况下，上述第一部分相对于上述记录层的上述光穿透层的侧面的上述第二部分的深度d满足λ/5.8nf≤d≤λ/5nf的关系，并且上述记录层，通过记录以后，比进行记录之前的反射率变大。

在本发明的一方式中，上述深度d，与上述引导沟内部相对于上述引导沟间平坦部的深度实质上是相同的。在本发明的一方式中，在上述基板与上述记录层之间存在着电介体层。在本发明的一方式中，在上述基板与上述电介体层之间存在着反射膜。在本发明的一方式中，在上述记录层与上述光穿透层之间存在着电介体层。

而且，根据本发明，为了实现上述目的：

提供一种光学信息记录介质，是通过以点状照射光而进行信息的记录、再生，并且在具有上述点状的光的跟踪用引导沟的基板上至少设置有记录层，从上述基板侧对上述记录层侧以点状照射上述光，在对应于上述引导沟的内部的上述记录层的第一部分以及对应于相互邻接的上述引导沟间的平坦部的上述记录层的第二部分都进行记录的光学信息记录介质，其特征在于：

当将上述光的波长作为λ，并将该波长λ下的上述基板的折射率作为ns的情况下，上述二部分相对于上述记录层的上述基板侧面的上述第一部分的深度D满足λ/5.8ns≤D≤λ/5ns的关系，并且上述记录层，通过记录以后，比进行记录之前的反射率变大。

在本发明的一方式中，上述深度D，与上述引导沟内部相对于上述引导沟间平坦部的深度实质上是相同的。在本发明的一方式中，在上述记录层的与上述基板相反的一侧存在着反射膜。在本发明的一方式中，在上述基板与上述记录层之间存在着电介体层。

而且，根据本发明，为了实现上述目的：

提供一种光学信息记录介质，是通过以点状照射光而进行信息的记录、再生，并且在具有上述点状的光的跟踪用引导沟的基板上至少设置有记录层，在对应于上述引导沟的内部的上述记录层的第一部分以及对应于相互邻接的上述引导沟间的平坦部的上述记录层的第二部分都进行记录的光学信息记录介质，其特征在于：

将在没有形成上述引导沟和上述引导沟间平坦部的交互配置的非记录区域上照射光时的反射光量作为I₁，将以同一条件在对应于信息未记录状态的上述引导沟内部的部分以及对应于上述引导沟间平坦部的部分照射光时的反射光量分别作为I₂以及I₃，R＝0.5(I₂+I₃)/I₁的值为0.55～0.7，上述记录层，通过进行记录而比进行记录之前反射率变大。

在本发明的一方式中，也可以在上述基板与上述记录层之间存在着电介体层，在上述基板与上述电介体层之间存在着反射膜。

在本发明的一方式中，也可以在上述记录层的上述基板的相反侧上存在着电介体层，在上述电介体层的上述记录层的相反侧上存在着反射膜。

而且，根据本发明，为了实现上述目的：

提供一种光学信息记录再生方法，其特征在于：对于权利要求1～14的任一项所述的光学信息记录介质的上述记录层的第一部分以及第二部分的两方，采用数值孔径0.8～0.9的物镜将波长390～440nm的光照射成点状，从而进行信息的记录、再生。

而且，根据本发明，为了实现上述目的：

提供一种光学信息记录再生装置，其特征在于：具备对权利要求1～14的任一项所述的光学信息记录介质的上述记录层的第一部分以及第二部分的两方将光照射成点状的光头，该光头，具有：发射波长为390～440nm的光的半导体激光器、以及数值孔径为0.8～0.9的物镜。

通过改变沟槽深度，来改变陆面/沟槽记录中的串扰是以往就广为人知的技术。本发明者，在L-H记录方式中，发现了与H-L记录方式相比可以降低串扰的沟槽深度是不同的这一事实。图6表示了沟槽深度与串扰的关系。在图6中，横轴，将激光的波长作为λ，将向记录层入射激光的一侧存在的光穿透层或者基板的折射率作为n，表示了以λ/(a·n)来表示沟槽深度的情况下的a的值，而纵轴表示了串扰信号的振幅。这相当于a越小沟槽深度就越深。如图6所示，可以降低串扰的沟槽深度，与H-L方式相比，L-H方式的更深。但是，如果沟槽深度发展下去，基板的噪音就会显著增加，因此即使抑制了串扰，在目的光道(自己光道)上的信号品质也会很低，从而不能进行高密度记录。通过将沟槽深度选择为上述适当的范围，也就是将图6中的a的值设定为5～5.8的范围之内，就可以既确保对于高密度记录所必需的自己光道的信号品质，又可以抑制邻接光道的串扰，从而可以增加记录容量。

附图说明

图1是本发明的光学信息记录介质的部分放大剖面图。

图2是用于说明本发明的光学信息记录介质的信息记录再生方法以及装置的示意图。

图3是表示本发明的光学信息记录介质的跳动特性的一例的图。

图4是表示在记录后反射率降低的光学信息记录介质的跳动特性的一例的图。

图5是表示本发明的光学信息记录介质的跳动特性的一例的图。

图6是表示光学信息记录介质的沟槽深度与串扰的关系的图。

具体实施方式

以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。

图1是表示本发明的光学信息记录介质的一实施方式的部分放大剖面图。在厚度为1.2mm左右的圆板状的支承基板1的表面(上面)上，形成在基板中心的周围基本呈圆形延伸的跟踪用引导沟，在相邻的引导沟之间形成平坦部(陆面)L。特别将跟踪用引导沟的内部(底部)作为沟槽G。沟槽G相对于陆面L的深度(槽深)为D。陆面L的宽与沟槽G的宽，典型的是基本相同，最好其误差在10％以内。而且，沟槽G的排列间隙比如为0.5～1.2μm。

在基板1的上面上形成电介体层4，在该电介体层4的上面形成记录光学信息的记录层2，在该记录层2的上面形成电介体层5，在该电介体层5的上面形成折射率nf的光穿透层3。从光穿透层3侧照射激光LB，进行对记录层2的信息记录、再生。在基板1上，可以采用聚碳酸酯(PC)、铝(Al)等材料。光穿透层2的厚度为0.1mm左右，也可以由紫外线硬化树脂等来粘接PC薄膜，而且，也可以为由厚度为0.1mm左右的紫外线硬化树脂构成的层。当粘接PC薄膜时，由于PC薄膜的厚度比紫外线硬化树脂粘接层的厚度相比厚很多，因此，可以采用PC薄膜的折射率作为光穿透层3的折射率nf。

作为记录层2，可以使用由激光照射会使光学反射率、相位发生变化的材料，比如，GeSbTe等周知的相变化型的记录材料、周知的光折射材料等。记录层2具有对应于基板1的表面的陆面一沟槽的形状的凹凸形状，形成对应于基板沟槽G的部分(即第一部分)G’以及对应于基板陆面L的部分(即第二部分)L’。在记录层2的上面，沟槽对应部分G’相对于陆面对应部分L’的深度(沟槽深度)为d。典型地，记录层2的厚度在陆面对应部分L’和沟槽对应部分G’是一样的，而且同样地，电介体层4、5的各自的厚度在对应于陆面的部分和对应于沟槽的部分是一样的，因此，上述的沟槽深度d基本相等。这里，将照射激光的波长作为λ，为了使λ/5.8nf≤d≤λ/5nf的关系成立而选择沟槽深度d。记录层2的厚度，比如是10～30mm，优选10～20nm。电介体4、5，除了作为保护层的功能以外，如果适当地设定包含这些的层构成(包含电介体层4、5的厚度)，还有助实现L-H记录方式的记录介质的功能。

根据需要，也可以在基板1的上面，在与电介体层4之间设置作为反射膜的金属层。

信息的记录、再生，对于记录层2的沟槽对应部分G’以及陆面对应部分L’，以L-H记录方式进行。为了实现L-H记录方式，各层以及它们的膜厚以及其他的层构成，都可以根据周知的设计方法进行适当的设定。

图2是用于说明以上的光学信息记录介质的信息记录再生方法以及装置的实施方式的示意图。光学信息记录介质10，在通过其中心的上下方向的旋转中心的周围旋转。在记录介质10的上方，配置构成记录再生装置的光头20。在光头20中，从作为光源的半导体激光器21发出的激光，经过准直透镜22以及物镜23，以点状照射到记录介质10的记录层2的沟槽对应部分G’或者陆面对应部分L’。从记录介质10反射的光，经过物镜23以及分光器24到达光检测系统25。由该光检测系统25得到再生信号、跟踪信号等。从半导体激光器21照射的激光的波长λ，比如是390～680nm，最好是390～440nm。作为物镜23，数值孔径(NA)的大小比如是0.6～0.9，最好使用0.8～0.9。

另外，本发明，并不限定于从光穿透层3侧照射激光，也可以从基板1侧照射激光。在这种情况下，作为基板1也使用具有光穿透性的材料。由于上述的典型的电介体层4的厚度在对应于陆面L的部分与对应于沟槽G的部分是一样的，因此，在记录层2的下面，陆面对应部分L’相对于沟槽对应部分G’的深度(沟槽深度)基本上就是D。如果将照射激光的波长作为λ，将基板1的折射率作为ns，则为了使λ/5.8ns≤d≤λ/5ns的关系成立而选择沟槽深度D。而且，当形成反射层的情况下，在记录层2的上侧，通过电介体层5而进行配置。在这种情况下，信息的记录、再生，对记录层2的沟槽对应部分G’以及陆面对应部分L’的两方都以L-H记录方式进行。

接着，对本发明的其它实施方式进行说明。在上述实施方式中，特定了沟槽深度与光穿透层或者基板的折射率的关系，在本实施方式中，特定记录介质的多个规定部位的照射光的反射光量的关系。由此，也可以进行良好的跳动特性的记录再生。

具体地，在本实施方式中，具有与形成有记录介质10的图1所示的陆面一沟槽的交互配置构造的信息记录区域同等的层构成，但是该陆面一沟槽不是交互配置，而是在与光束点的直径相比在十分广的区域形成有同样的平坦部的非记录区域(比如相对于信息记录区域在直径方向位于内侧或者位于外侧的区域)的记录层上，将光点照射激光时的反射光量作为I₁，以同一条件，将在信息未记录状态的信息记录区域的记录层的沟槽对应部分以及陆面对应部分上，光点照射激光时的反射光量分别作为I₂以及I₃，可以判明R＝0.5(I₂+I₃)/I₁的值为0.55～0.7时可以实现良好的跳动特性，因而是有效的。R最好在0.6～0.7之间。

这里，作为信息记录区域的反射光量，采用从沟槽对应部分的反射光量与从陆面对应部分的反射光量的平均值。其理由主要是考虑到有沟槽和陆面有宽度不同的情况。当进行陆面/沟槽的记录时，如果沟槽和陆面的宽度一样，I₂以及I₃的值基本相等是典型的，但是由于制造误差等，如果沟槽和陆面的宽度不等，则也会有I₂与I₃的值不同的情况，并对这种情况进行应对。

根据本实施方式，通过取代沟槽深度与光穿透层、基板的折射率的关系，而规定测定简便的多个部位的反射光量之间的关系，可以发挥同样的作用效果。

以下，根据实施例对本发明做进一步说明。

实施例1

作为基板采用厚度1.1mm的盘状PC基板，由阴极溅镀工艺顺序地层叠Al反射膜100nm、ZnS-SiO₂电介体层40nm、GeSbTe记录层15nm、ZnS-SiO₂电介体层100nm，而得到记录介质(盘)。另外，作为PC基板，使用引导沟的间隙0.56μm、引导沟的深度35～55nm的基板。进而，由紫外线硬化树脂粘接厚度0.1mm的PC薄膜。PC薄膜的波长400nm下的折射率(nf)是1.6。

将上述的盘初始化以后(使结晶化)，以线速5.1m/s使之旋转，采用具备波长(λ)400nm的激光光源、NA＝0.85的物镜的光头，从基板的相反侧照射激光，以L-H记录方式，在0.116μm/bit的线密度条件进行陆面/沟槽记录，并测定跳动。盘的反射率，记录前(信息未记录状态)为6％，记录后(已经记录了信息的状态)为20％。

跳动的测定结果表示于图3。在图3中，表示了在邻接光道上没有记录数据的情况(标记为X.T无)的跳动、以及在邻接的光道上记录了数据的情况(标记X.T有)的跳动的情况。在邻接光道上没有记录、没有串扰的情况的自己光道上的跳动，沟槽深度越浅越好，如果深度大于50nm，就会使起因于基板的噪音增加，因此，会使自己光道的跳动显著变差。另一方面，在邻接光道上也进行记录的情况下，当沟槽深度比43nm浅时，由于串扰的影响而使挑动显著变差。通过将沟槽深度设定在43～50nm的范围，也就是λ/5.8nf以上、λ/5nf以下的范围，即使受到串扰，也可以得到良好的跳动特性。

比较例1

作为基板采用厚度1.1mm的盘状PC基板，由阴极溅镀工艺顺序地层叠Al反射膜100nm、ZnS-SiO₂电介体层15nm、GeSbTe记录层15nm、ZnS-SiO₂电介体层45nm，而得到记录介质(盘)。另外，作为PC基板，使用引导沟的间隙0.56μm、引导沟的深度35～55nm的基板。进而，由紫外线硬化树脂粘接厚度0.1mm的PC薄膜。PC薄膜的波长400nm下的折射率(nf)是1.6。

将上述的盘初始化以后(使结晶化)，以线速5.1m/s使之旋转，采用具备波长400nm的激光光源、NA＝0.85的物镜的光头，从基板的相反侧照射激光，以H-L记录方式，在0.116μm/bit的线密度条件下进行陆面/沟槽记录并测定跳动。盘的反射率，记录前为18％，记录后为2％。

跳动的测定结果表示于图4。在邻接光道上没有记录的自己光道上的跳动，沟槽深度越浅越好，如果深度大于50nm，就会显著地使自己光道的跳动变差。另一方面当在邻接光道上也进行了记录的情况下，当沟槽深度浅于37nm的情况下，由串扰的影响使跳动显著变差，而且当沟槽深度大于43nm时，由串扰的影响而导致的跳动的增加不可忽视。

通过将该比较例1与上述的实施例1进行比较(图3与图4的比较)可以看出，H-L记录方式与L-H记录方式所合适的沟槽深度是不同的，并且，L-H记录方式可以使跳动更加降低一些。

实施例2

作为基板采用厚度1.1mm的盘状PC基板，由阴极溅镀工艺顺序地层叠Al反射膜100nm、ZnS-SiO2电介体层45nm、GeSbTe记录层13nm、ZnS-SiO₂电介体层110nm，而得到记录介质(盘)。另外，作为PC基板，使用引导沟的间隙0.6μm、引导沟的深度38nm～60nm的基板。进而，由紫外线硬化树脂粘接厚度0.1mm的PC薄膜。PC薄膜的波长432nm下的折射率(nf)是1.6。

将上述的盘初始化以后(使结晶化)，以线速5.1m/s使之旋转，采用具备波长(λ)432nm的激光光源、NA＝0.85的物镜的光头，从基板的相反侧照射激光，以L-H记录方式，在0.125μm/bit的线密度条件下进行陆面/沟槽记录并测定跳动。盘的反射率，记录前为5％，记录后为21％。

跳动的测定结果表示于图5。在邻接光道上没有记录的自己光道上的跳动，沟槽深度越浅越好，如果深度大于54nm，就会使自己光道的跳动显著变差。而另一方面，当在邻接光道上也进行了记录的情况下，当沟槽深度浅于46nm的情况下，由串扰的影响而使跳动显著变差。通过将沟槽深度设定在46nm～54nm的范围，也就是λ/5.86nf以上、λ/5nf以下的范围，即使受到串扰，也可以得到良好的跳动特性。

实施例3

作为基板采用厚度1.1mm的PC基板，由阴极溅镀工艺顺序地层叠Al反射膜100nm、ZnS-SiO₂电介体层65mm、GeSbTe记录层13nm、ZnS-SiO₂电介体层150nm，而得到记录介质(盘)。另外，作为PC基板，使用引导沟的间隙1.0μm、引导沟的深度62nm～98nm的基板。进而，由紫外线硬化树脂粘接厚度0.1mm的PC薄膜。PC薄膜的波长660nm下的折射率(nf)是1.58。

将上述的盘初始化以后(使结晶化)，以线速5.1m/s使之旋转，采用具备波长(λ)660nm的激光光源、NA＝0.85的物镜的光头，从基板的相反侧照射激光，以L-H记录方式，在0.2lμm/bit的线密度条件下进行陆面/沟槽记录并测定跳动。盘的反射率，记录前为6％，记录后为25％。

与实施例1以及实施例2相同，对即使受到串扰跳动特性也良好的沟槽深度进行了调查，其结果，通过将沟槽深度在设定72～83nm的范围，也就是λ/5.8nf以上、λ/5nf以下的范围，即使受到串扰，也可以得到良好的跳动特性。

实施例4

作为基板采用厚度0.6mm的PC基板，由阴极溅镀工艺顺序地层叠ZnS-SiO₂电介体层100nm、GeSbTe记录层15nm、ZnS-SiO₂电介体层40nm，Al反射膜10nm而得到记录介质(盘)。在Al反射膜形成后，通过紫外线硬化树脂与没有成膜的空的0.6mm的PC基板粘合在一起后，进行评价。作为PC基板，使用引导沟的间隙0.7μm、引导沟的深度35nm～55nm的基板。PC薄膜的波长400nm下的折射率(nf)是1.6。

将上述的盘初始化以后(使结晶化)，以线速5.1m/s使之旋转，采用具备波长(λ)400nm的激光光源、NA＝0.65的物镜的光头，从基板侧照射激光，以L-H记录方式，在0.152μm/bit的线密度条件下进行陆面/沟槽记录并测定跳动。盘的反射率，记录前为6％，记录后为20％。

跳动测定的结果，与实施例1相同，通过将沟槽深度设定在43～50nm的范围内，也就是λ/5.8nf以上、λ/5nf以下的范围，即使受到串扰，也可以得到良好的跳动特性。

以下的表1中归纳了上述实施例1～4的结果。

表1

	实施例1	实施例2	实施例3	实施例4
					激光的波长λ(nm)	400	432	660	400
PC薄膜或PC基板的波长λ下的折射率nf或ns	1.6	1.6	1.58	1.6
					容许沟槽深度下限值dl(nm)	43	46	72	43
dl/(λ/nf)或dl(λ/ns)	1/5.8	1/5.86	1/5.8	1/5.8
					容许沟槽深度上限值d2(nm)	50	54	83	50
d2/(λ/nf)或d2(λ/ns)	1/5	1/5	1/5	1/5

从表1可以看出，在所有的波长中，通过将沟槽深度设定在λ/5.8nf(或λ/5.8ns)以上、λ/5nf(或λ/5ns)以下的范围内，即使受到串扰，也可以得到良好的跳动特性。

实施例5

对于在实施例4中使用的光盘，使用在实施例4中使用的光头，对上述I₁、I₂、I₃进行测定，并算出R＝0.5(I₂+I₃)/I₁的值，对其与跳动的关系进行了调查，得到了表2所示的结果。另外，跳动是在各盘的记录层的陆面对应部分以及沟槽对应部分的邻接的7处的全部位置进行记录，在其中央的陆面对应部分以及沟槽对应部分上进行测量而得到的平均值。

表2

R＝0.5(I2+I3)I1	0.5	0.55	0.6	0.7	0.75	0.8
							跳动(％)	12	9.6	9	9.3	11	14

如表2所示，在R为0.55到0.7的范围中都可以得到良好的特性，特别是在0.6～0.7的范围内，可以得到最好的特性。

而且，对实施例1～实施例3所使用的光盘，也同样地使用在各自实施例中使用的光头对I₁、I₂、I₃进行测定，并算出R＝0.5(I₂+I₃)/I₁的值，对其与跳动的关系进行了调查，确认了在良好的跳动特性的光盘中，R的值在0.55～0.7的范围内。

也就是，对于光头的物镜的NA以及激光波长或记录层厚度或光穿透层、基板的折射率取各种各样的值，在L-H记录方式的光学信息记录介质中，R在0.55～0.7的范围内可以取得良好的特性。

另外，在本实施例中，陆面的宽与沟槽的宽是一样的，但是对于陆面与沟槽的宽有10％的差异的情况进行同样的测定时，在R的合适范围也可以得到同样的结果。

比较例2

采用与实施例4同样的PC基板，制作H-L记录方式的光学信息记录介质，采用与实施例4相同的光头，对R与跳动的关系进行了调查。其结果，确认了：跳动良好的R的范围是0.7～0.8，并且与L-H记录方式相比合适的R的范围是不同的。而且，合适范围内的R的跳动的值与实施例5相比也要大。

所以，确认了L-H记录方式适于记录的高密度化。

如以上说明的那样，根据本发明，对于信号品质很高的L-H方式的光学信息记录介质，可以采用高NA光头，以高的记录密度，进行陆面/沟槽的记录。

Claims (10)

1.一种光学信息再生方法，其用于从具有基板和记录层的Low-to-high记录方式的陆面/沟槽记录用光学信息记录介质再生信息，其特征在于：

通过使用数值孔径0.65的物镜从上述基板侧向上述记录层照射波长390～440nm的光，来进行信息的再生，

并且，在设上述光的波长为λ、该波长下的上述基板的折射率为ns的情况下，上述记录层的沟槽对应部分相对于陆面对应部分的深度D满足λ/5.8ns≤D≤λ/5ns的关系。

2.一种光学信息再生装置，其从具有基板和记录层的Low-to-high记录方式的陆面/沟槽记录用光学信息记录介质再生信息，其特征在于：

至少具有出射波长390～440nm的光的光源、和数值孔径0.65的物镜，

通过从上述基板侧向上述记录层照射上述光，来进行信息的再生，

并且，在设上述光的波长为λ、该波长下的上述基板的折射率为ns的情况下，上述记录层的沟槽对应部分相对于陆面对应部分的深度D满足λ/5.8ns≤D≤λ/5ns的关系。

3.一种光学信息再生方法，其用于从具有基板和记录层的Low-to-high记录方式的陆面/沟槽记录用光学信息记录介质再生信息，其特征在于：

通过使用数值孔径0.65的物镜从上述基板侧向上述记录层照射波长390～440nm的光，来进行信息的再生，

并且，将在没有形成上述陆面部和上述沟槽部的交互配置的非记录区域上照射光时的反射光量设为I₁，将以同一条件在对应于信息未记录状态的上述沟槽部的部分以及对应于上述陆面部的部分照射光时的反射光量分别设为I₂以及I₃，R＝0.5(I₂+I₃)/I₁的值处于规定范围内。

4.如权利要求3所述的光学信息再生方法，其特征在于：上述R的值为0.5～0.75。

5.如权利要求4所述的光学信息再生方法，其特征在于：上述R的值为0.6～0.7。

6.一种光学信息再生装置，其从具有基板和记录层的Low-to-high记录方式的陆面/沟槽记录用光学信息记录介质再生信息，其特征在于：

至少具有出射波长390～440nm的光的光源、和数值孔径0.65的物镜，

通过从上述基板侧向上述记录层照射上述光，来进行信息的再生，

并且，将在没有形成上述陆面部和上述沟槽部的交互配置的非记录区域上照射光时的反射光量设为I₁，将以同一条件在对应于信息未记录状态的上述沟槽部的部分以及对应于上述陆面部的部分照射光时的反射光量分别设为I₂以及I₃，R＝0.5(I₂+I₃)/I₁的值处于规定范围内。

7.如权利要求6所述的光学信息再生装置，其特征在于：上述R的值为0.55～0.7。

8.如权利要求7所述的光学信息再生方法，其特征在于：上述R的值为0.6～0.7。

9.一种光学信息再生方法，其用于从具有基板和记录层的Low-to-high记录方式的陆面/沟槽记录用光学信息记录介质再生信息，其特征在于：

通过使用数值孔径0.65的物镜从上述基板侧向上述记录层照射波长390～440nm的光，来进行信息的再生，

并且，在设上述光的波长为λ、该波长下的上述基板的折射率为ns的情况下，上述记录层的沟槽对应部分相对于陆面对应部分的深度D满足λ/5.8ns≤D≤λ/5ns的关系，且上述沟槽部的宽度与上述陆面部的宽度的和处于0.5～1.2μm的范围内。

10.一种光学信息再生装置，其从具有基板和记录层的Low-to-high记录方式的陆面/沟槽记录用光学信息记录介质再生信息，其特征在于：

至少具有出射波长390～440nm的光的光源、和数值孔径0.65的物镜，

通过从上述基板侧向上述记录层照射上述光，来进行信息的再生，

并且，在设上述光的波长为λ、该波长下的上述基板的折射率为ns的情况下，上述记录层的沟槽对应部分相对于陆面对应部分的深度D满足λ/5.8ns≤D≤λ/5ns的关系，且上述沟槽部的宽度与上述陆面部的宽度的和处于0.5～1.2μm的范围内。

Images