CN1692412A - 光学记录介质及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种光学记录介质，包括：基板，在该基板上，将信息形成为具有预定轨道间距的凹坑行，这些凹坑行由凹面和凸面构成；至少一个第一金属反射层；和透明树脂层，形成在第一金属反射层之上，它们形成在基板上，其中所述信息是通过将光束照射到形成在第一金属反射层的树脂层一侧上的信号面上而得以再现的，其特征在于，设形成在信号面中的最短凹坑的深度为D(S)，形成在信号面中的最长凹坑的深度为D(L)，则满足下述关系式：1.0＜D(S)/D(L)≤1.3。

Description

光学记录介质及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种用于再现信息的圆盘形光盘。
背景技术
在传统的光学记录介质中，例如，ROM型光盘，在由聚碳酸酯或类似材料制成的透明基板上形成有压制凹坑，这些压制凹坑具有0.74μm的轨道间距和0.40μm的最短凹坑长度，并且在该基板上形成有由Al或类似材料制成的反射层，并且从与承载着反射层的表面相反的表面一侧将会聚光束照射到信息记录表面上，从而使得信息得以再现。
通过将光束照射到其上而在其上记录信息并且从其上再现信息的光记录介质已经得到了广泛的应用，并且对提高存储密度有着很高的期待。
近年来，能够再现大存储量图像数据、声音数据和数字数据的各种不同的光盘已经得到了发展，并且，例如，已经进行了很多的研发，以将12cm直径光盘的存储容量增加到23.3到30GB的高密度存储容量。
例如，在日本专利申请公开第54-136303号和日本专利申请公开第6-150392号中公开了这些研发成果。
发明内容
(本发明所要解决的技术问题)
在假定信息再现设备配备有具有波长λ＝405nm的再现光束和数值孔径NA＝0.85的物镜的光学系统的基础上，确定光盘的凹坑形状，以期在直径为12cm的光盘上记录不少于25GB的信息。例如，在(1，7)RLL调制的情况下，当最短凹坑长度的凹坑长度2T设定为0.149μm时，轨道间距为0.32μm。
当使用磁控管溅镀装置对具有这样的细小凹坑的基板进行金属反射层形成处理的时候，出现了下面的问题。在磁控管溅镀装置中，放置在真空室中的射线靶的表面受到氩离子的撞击，以产生细小的颗粒，并且这些颗粒粘附在该表面上，形成了一个薄层。通过氩离子的撞击过程逸出的颗粒迅速地发散出来，并且从各种不同的角度飞来的颗粒粘附在所述基板上。在这种情况下，随着基板上的凹坑形状变小，从射线靶上逸出的颗粒变得很难到达凹坑底部。随着凹坑形状变得更小，这种现象会变得更加明显。附图2表示光盘的截面图。如该图中所示，与最大凹坑205的底部上形成的薄层的厚度相比，要在具有形成在基板201上的金属反射层202的最短凹坑204底部形成的薄层的厚度变得相当薄。
如附图2所示，透明树脂层203粘接在这个金属反射层202上，以制造出光盘。当从这个树脂层203一侧发出光束206来再现凹坑信号时，凹坑深度依据凹坑的尺寸变化，造成了与使得再现信号最大的最佳凹坑深度的偏离，导致再现信号的恶化。
本发明是为了解决上述问题而做出的，并且其目的是给出一种新一代光盘，通过使用具有较高数值孔径的光学系统，该光盘适用于波长较短的用于再现的光束，并且与传统的DVD相比，能够以更高的密度记录数据。
(解决技术问题的方法)
为了解决上述技术问题，本发明的目的是通过下述手段实现的。
(1)一种光学记录介质，包括：基板，在该基板上，将信息形成为由具有预定轨道间距的凹面和凸面构成的凹坑行；至少一个第一金属反射层；和透明树脂层，形成在第一金属反射层上，它们形成在基板上，其中所述信息是通过将光束照射到形成在第一金属反射层的树脂层一侧上的信号面上而得以再现的，其特征在于，形成在信号面中的最短凹坑的深度与形成于其中的最长凹坑的深度不同。
(2)按照上述(1)所述的光学记录介质，其中至少所述第一金属反射层，和形成在所述第一金属反射层上的透明树脂层是形成在这样的所述基板上的：在所述基板中，将最短凹坑的深度和最长凹坑的深度制作得相等，其特征在于，设形成在信号面中的最短凹坑的深度为D(S)，形成在信号面中的最长凹坑的深度为D(L)，则满足下述关系式：1.0＜D(S)/D(L)≤1.3。
(3)一种光学记录介质，包括：
基板，在该基板上，将信息形成为具有预定轨道间距的凹坑行，这些凹坑行由凹面和凸面构成；
至少一个第一金属反射层和形成在第一金属反射层之上的透明树脂层，它们形成在基板上，
其中所述信息是通过将光束照射到形成在第一金属反射层的树脂层一侧上的信号面上而得以再现的，
其特征在于，将基板中的最短凹坑的深度制作得比基板中的最长凹坑的深度大，设在形成于第一金属反射层的树脂层一侧上的信号面中形成的最短凹坑的深度为D(S)，在信号面中形成的最长凹坑的深度为D(L)，则满足下述关系式：1/1.3≤D(S)/D(L)≤1.3。
(4)一种光学记录介质，包括：
基板，在该基板上，将信息形成为具有预定轨道间距的凹坑行，这些凹坑行由凹面和凸面构成；
至少一个第一金属反射层和形成在第一金属反射层之上的透明树脂层，它们形成在基板上，其中所述信息是通过将光束照射到形成在第一金属反射层的树脂层一侧上的信号面上而得以再现的，其特征在于，设在形成于第一金属反射层的树脂层一侧上的信号面中形成的最短凹坑的深度为D(S)，在信号面中形成的最长凹坑的深度为D(L)，并且设，当从信号面中的最短凹坑的锥面上深度为1/2×D(S)的位置上的点画出切线时，将该切线与其中没有形成凹坑的镜面部分交出的角度定义为α(S)，并且设，当从最长凹坑的锥面上的深度为1/2×D(L)的位置上的点画出切线时，将该切线与其中没有形成凹坑的镜面部分交出的角度定义为α(L)，则下述关系式得到满足：α(L)＜α(S)。
(5)特征在于，设最短凹坑在基板中的深度为d(S)，并且最长凹坑在基板中的深度为d(L)，则下述关系式得到满足：1.0≤d(L)/d(S)≤1.3。
(6)特征在于，设光束中的光源波长为λ，透明树脂层的折射系数为n，则形成在信号面上的最短凹坑的深度D(S)满足关系式：λ/(5×n)＜D(S)＜λ/(3×n)。
(7)特征在于，所述基板中的最短凹坑长度的深度d(S)做得要比形成在信号面中的最短凹坑的深度D(S)小，以致将深度D(S)设置为期望值。
(8)特征在于，基板中的最短凹坑长度的深度d(S)满足下述关系式：λ/(6×n)＜d(S)＜λ/(3×n)。
(9)特征在于，第一金属反射层是由主要含Ag的合金制成的，该合金中Ag的重量百分比设置为不小于97％。
(10)特征在于，第一金属反射层是由化合式AgxM1-x表示的合金制成的，其中M是从由Pd、Cu、Pt、Rh、Nd和Ni组成的组中选取的至少一种，而x表示不小于97％的重量百分比值。
(11)特征在于，第一金属反射层是由Ag或主要含Ag的合金材料制成的，其层厚度设定在从不小于10nm到不大于75nm的范围内。
(12)特征在于，第一金属反射层是由Al或主要含Al的金属材料制成的，其层厚度设定在从不小于7nm到不大于50nm的范围内。
(13)特征在于，所述轨道间距设定在从不小于0.24μm到不大于0.36μm的范围之内，并且最短凹坑长度设定在从不小于0.14μm到不大于0.21μm的范围之内。
(14)特征在于，该光学记录介质是由光学记录介质再现设备进行再现的，该光学记录介质再现设备配备有这样一个光学系统：其中来自光源的光束的波长λ设定在从不小于400nm到不大于410nm的范围之内，并且物镜的数值孔径NA设定在不小于0.84到不大于0.86的范围之内。
(15)特征在于，将基板制造成基板中的最短凹坑的深度d(S)满足由λ/(6×n)＜d(S)＜λ/(3×n)表示的范围并且将金属反射层形成得信号面中的最短凹坑的深度D(S)设定为期望值。
(16)一种光学记录介质的制造方法，其中将光束照射到信号面上，以致信息得以再现，包括：
通过形成凹坑行在基板上记录信息，所述信息行是由凹面和凸面构成的，这些信息行具有预定的轨道间距，其中基板中的最短凹坑的深度d(S)满足由λ/(6×n)＜d(S)＜λ/(3×n)表示的范围；
在所述基板上形成金属反射层作为信号面，使得最短凹坑的深度制作得与最长凹坑的深度不同；和
在金属反射层上形成透明树脂层。
(17)特征在于，金属反射层是通过离子束溅镀处理沉积和形成的，并且形成该层时的Ar压力设定在从不小于0.2Pa到不大于0.7Pa的范围内，其层形成时间设定为不超过1秒。
(18)特征在于，金属反射层是通过磁控管溅镀处理形成的，并且形成该层时的Ar压力设定在从不小于0.2Pa到不大于0.7Pa的范围内，其层形成时间设定为不超过3秒。
附图说明
附图1是本发明的光盘的结构性截面图。
附图2是光盘的截面图。
附图3是表示离子束溅镀处理的示意性结构图。
附图4是光盘的示意性截面图。
附图5是表示测得的D(S)/D(L)比值的曲线图。
附图6是在横坐标轴上标出层形成时间、而在纵坐标轴上标出α(S)/α(L)的曲线图。
附图7是在横坐标轴上标出D(S)/D(L)的比值、而在纵坐标轴上标出再现信号的抖动值的曲线图。
附图8是在横坐标轴上标出α(S)/α(L)的比值、而在纵坐标轴上标出再现信号的抖动值的曲线图。
附图9是表示形成根据凹坑的尺寸将凹坑深度制作得彼此不同的基板的主处理的示意图。
附图10是形成AlTi层之后的示意性截面图。
附图11是表示将层形成时间设置为3.5s而α(S)变得大于α(L)时的状态的示意性截面图。
附图12是表示多层光学记录介质的制造方法的一个实例的示意图。
附图13是表示用于将透明层粘接到信息记录表面上的处理的一个实例的示意图。
附图14是表示金属反射层的层厚度(其中层厚度值代表不承载记录凹坑的镜面部分的层厚度)与再现信号的抖动值的最小值之间的关系，此时采用AgPdCu作为金属反射层。
附图15是表示金属反射层的层厚度(其中层厚度值代表不承载记录凹坑的镜面部分的层厚度)与再现信号的抖动值的最小值之间的关系，此时采用Al作为金属反射层。
附图16是表示用于将对可光固化树脂具有很强剥离特性的石蜡基树脂粘接到压模基板上的方法的示意图。
具体实施方式
下面按照本发明的光学记录介质的实施方式将主要讨论使用ROM型光盘的情况；然而，并非局限于这种光盘及其形状，本发明可以应用于具有形成在信息记录层上的细小凹坑的各种不同的光学记录介质，比如磁光盘和相变盘。
为了形成高密度光盘，需要形成窄的轨道间距和缩小最短标记长度。然而，当将轨道间距制作得过窄时，RF信号特性中的串扰将会变得较大，无法维持足够的系统容限。当最短凹坑长度做得过小时，再现信号的分辨率降低，造成再现信号的抖动值减小。在使用具有波长λ＝405nm的再现光束和数值孔径NA＝0.85的物镜的信息再现设备进行连续的检验之后，我们发现，不会使串扰信号对实际使用的主信号造成影响的轨道间距宽度是不小于0.24μm。在对能够给出优质再现信号的分辨率进行了检验之后，我们发现，0.14μm的记录标记构成了凹坑最小限度。由于本发明的光盘的目的是给出一种在用于上述信息再现设备时，达到不小于23.3GB的记录容量的光盘，因此需要满足关系式(最短凹坑长度)×(轨道间距宽度)≤0.0512μm2。因此，假设记录容量为23.3GB并且假设最短记录标记是0.14μm，轨道间距宽度的上限设定为0.36μm。按照同样的方式，最短凹坑长度的上限设定为0.21μm，此时轨间距宽度变为最短值0.24μm。因此，下面的说明将会讨论光盘的制造方法，其中所述光盘使用轨道间距宽度处于从不小于0.24不大于0.36μm的范围之内，并且最短凹坑长度处于从不小于0.14μm到不大于0.21μm的范围之内。
为了在12cm光盘上记录25GB的信息，制备了这样一个基板：该基板的凹坑长度为0.149μm，同时最短凹坑长度为2T，轨道间距为0.32μm，并且凹坑深度为λ/(4×n)，这一凹坑深度使得RF信号的幅度最大。这里，n代表粘附在金属反射层上的透明树脂层的折射率。在本检验中，由于使用了n＝1.53的透明树脂层，因此采用了凹坑深度为λ/(4×n)＝66nm的基板。使用制造传统DVD-ROM盘所使用的层形成装置在这个基板上形成了主要含Ag的60nm的合金反射层，并且使用扫描近场光学显微镜对凹坑形状进行了观察。最长凹坑的深度为68nm，而最短凹坑的深度为100nm。当使用具有波长λ＝405nm的再现光束和数值孔径NA＝0.85的物镜的信息再现设备对这一光盘进行再现时，我们发现，由于最短凹坑的深度大大偏离了使得RF信号最大的深度，因此最短凹坑的信号分辨率降得非常低，以致造成再现信号质量发生了严重的恶化。
为了解决上述问题，按照本发明进行了对凹坑形状的观察和对盘生产条件的各种检验。在最长凹坑和最短凹坑的深度制作得彼此相等的基板上形成了金属反射层，并且对信号面中的最长凹坑的深度D(L)和最短凹坑的深度D(S)的比值与再现信号的抖动值之间的关系进行了考察，并且将其结果在附图7中示出。下面将详细介绍凹坑形状、盘制造方法等，并且当在最长凹坑与最短凹坑的深度制作得彼此相等的基板上进行层形成处理的情况下，通过将最长凹坑的深度D(L)与最短凹坑的深度D(S)的比值设置为D(S)/D(L)≤1.3，有可能给出能够获得优质再现信号的光盘。
为了制造这样的光盘，本实施方式提出了三种光盘制造方法，涉及：(1)使用离子束溅镀装置或磁控管溅镀装置控制层形成条件，(2)金属反射层的材料和层厚度的控制，和(3)根据基板的凹坑长度控制凹坑深度。
首先，下面的说明将会讨论使用离子束溅镀装置或磁控管溅镀装置的层形成处理与凹坑深度之间关系。
附图3是表示离子束溅镀处理的示意性结构图。这个离子束溅镀装置是由等离子体发生室301和真空容器302构成的，并且在这二者之间设置有栅格电极303。将反射层材料射线靶304和具有前述处于信息记录层中的细小凹坑的基板305安放在真空容器302中。在基板上进行的反射层形成操作是通过下述处理进行的。首先，在等离子体发生室中产生氩等离子体，并且对所产生的氩离子束306加速并且将其送到反射层材料射线靶304上。由这些离子对射线靶进行撞击，从而产生了射线靶反射层金属颗粒307，以在基板305上形成一个层。由于要在基板上形成层的金属颗粒沿着垂直于基板的方向飞行并靠近，颗粒很容易粘附到细小凹坑的底部上。
对于反射层材料，最好使用主要含Ag的合金，其中Ag的重量百分比设定为不小于97％，即，更加具体地讲，由化合式AgxM1-x表示的合金，并且在该式中，M是从由Pd、Cu、Pt、Rh、Nd和Ni组成的组中选取的至少一种，而x表示不小于97％的重量百分比值。也可以使用Al或主要含Al的金属材料。
下面，将对通过在使用磁控管溅镀装置进行溅镀时将Ar的压力设定为从不小于0.2Pa到不大于0.7Pa的范围来使得最短凹坑和最长凹坑之间的凹坑深度差变小的方案的由来加以解释说明。借助氩气从射线靶上逸出的反射层金属颗粒在到达基板之前，由腔室内的氩气造成了散射，从而使它们斜向地入射到基板上。氩气造成颗粒发生散射的概率取决于氩气的压力，并且随着氩气压力的增大，斜向入射到基板上的颗粒的数量也增大。斜向入射到基板上的颗粒受到凹坑锥面的阻挡，结果到达凹坑底部的颗粒数量减少了。从而，随着氩气压力变高，凹坑底部的层厚度，尤其是最短凹坑内的层厚度，会变薄，使得最短凹坑与最长凹坑之间的凹坑深度差变大。与此不同，按照本实施方式的盘制造方法，将氩气压力设定为不高于0.7Pa，从而显著减少斜向入射到基板上的颗粒；这样，将最短凹坑与最长凹坑之间的凹坑深度比减低为不高于1.3倍成为了可能。
通过将层形成时间设定为不高于3s，使得最短凹坑的锥面角度要比最长凹坑大。形成这种类型的凹坑形状，使得实现较佳的再现信号成为了可能，并且同时还能够缩短间歇时间。
本发明提出的光盘介质，具有这样的结构：厚度为大约0.1mm的透明树脂层形成在反射层上，光束透过透明树脂层送到反射层上，从而对所记录的信号进行再现。接下来，下面的说明将会讨论粘接透明树脂层的方法。附图13表示将透明层粘接到信息记录表面上这一处理的一个实例。如附图13(a)所示，将上面形成有金属反射层1302的厚度为1.1mm的基板1301、厚度为25μm的压敏粘接薄片1303和聚碳酸酯制成的厚度为75μm的透明树脂层1304插入到真空连接装置1305中。对于压敏粘接薄片和用于透明树脂层的材料而言，其厚度越薄，就越有益于实现高的NA；然而，采用具有这些程度的厚度的薄片是为了确保保护功能。也可以将压敏粘接薄片的厚度制作得更薄，只要能够保持足够的粘接力即可。下面，使用真空泵进行减压处理，直至真空连接装置内部的气压达到10-2Pa。在真空度稳定之后，将压敏粘接薄片1303和透明树脂层1304连接到金属反射层上。此后，使用辊轮1306对这些薄片进行加压粘接，如附图13(c)所示。
在连接薄片时，通过减小周围气压，能够大大减少存在于透明树脂层与金属反射层之间的灰尘和小气泡。最后，将其冲压成盘形，从而制备出了带有上面形成有透明树脂层的信号记录面的光盘(附图13(f))。
参照附图，下面的说明将讨论应用了本发明的具体实施方式。
(实施方式1)
附图1是展示本发明的光盘的结构截面图。代表数据信息的凹坑102形成在厚度为1.1mm的基板101的一个侧面上，该基板既可以是透明的，也可以不是透明的。金属反射层103形成在这个基板101上，并且在其上还形成了厚度为，例如，0.1mm的用作薄保护层104的透明层。
按照本实施方式，使用(1，7)RLL调制系统，并且制造出了具有0.32μm的轨道间距和0.149μm的最短凹坑长度的12cm光盘。这个光盘能够记录25GB信息。基板上的凹坑深度105可调整到65nm。
上述基板被安装在静态对置型磁控管溅镀装置的真空室内的基板支架上，并且使用真空泵将该真空室抽成真空。在完成抽真空之时，压力计示值为2×10-6Pa。将Ag98.1Pd0.9Cu1.0射线靶(下标代表重量百分比)安装到阴极上，并且送入氩气，直至达到0.3Pa；这样，开始溅镀处理。层形成时间为2.2s，并且持续施加电力直至镜面部分的层厚度达到60nm。
针对已经形成了金属反射层的盘，使用扫描近场光学显微镜(下文中称之为AFM)对凹坑形状进行观察。参照附图4中所示的光盘的示意性截面图，对观察结果进行讨论。最短凹坑长度的凹坑深度402(下文中称为D(S))为75nm，而最长凹坑长度的凹坑深度403(下文中称为D(L))为65nm。换句话说，D(S)/D(L)为1.15。这样，当使用磁控管溅镀装置进行层形成处理时，会出现最短凹坑和最长凹坑的深度彼此不同的现象。当从位于最短凹坑的锥面上的1/2×D(S)深度处的点画出切线404时，由切线404与其中没有形成凹坑的镜面部分所形成的角度405(下文中称之为α(S))为82°。按照同样的方式，当从位于最长凹坑的锥面上的1/2×D(L)深度处的点画出切线406时，由切线406与其中没有形成凹坑的镜面部分所形成的角度407(下文中称之为α(L))为78°。
由于这个比例D(S)/D(L)很大程度上取决于形成层时的氩气压力，因此在形成层时改变氩气压力的同时，对比例D(S)/D(L)进行了测量，附图5表示测量结果的曲线图。由于层形成速度响应于形成层时的氩气压力的变化而变化，因此在2.1s到2.6s的范围内对层形成时间进行了调整，直至使得要在镜面部分上形成的反射层的厚度恒定。
当氩气的压力增大时，从射线靶逸出的金属颗粒在与真空室内部的氩气碰撞时发生散射的可能性变高了，结果是入射到基板上的金属颗粒斜向地增多，以致使得比例D(S)/D(L)变大。
而且，α(S)和α(L)在很大程度上取决于层形成时间变化。附图6是这样一个曲线图，在横坐标轴上标出层形成时间，而在纵坐标轴上标出α(S)/α(L)。
当层形成时间加长时，α(S)倾向于变小。附图11是表示将层形成时间设置为3.5s而α(S)变得大于α(L)时的状态的示意性截面图。
接着，使用压敏粘接薄层在金属反射层上形成了透明树脂层。此时，将透明树脂层的厚度调整为100μm。
从光盘上再现信息的处理是这样进行的：通过将激光经物镜从透明树脂层一侧引向光盘，以致会聚到金属反射层上，从而检测反射光的光强度变化，作为凹坑的记录信息。
使用具有波长λ为405nm的再现光束和数值孔径NA为0.85的物镜的信息再现设备，对信号进行再现和评估处理。对于从仅用于再现的光盘上再现出的信号质量而言，很容易推断出，使得信号幅度最小的最短凹坑长度的标记形状和深度对信号质量造成了很大的影响。按照本实施方式，采取定量方式检验凹坑形状与再现信号质量之间的相关性。当考虑了制造大量盘时反射层中的偏差和信号再现设备中的生产偏差时，需要将代表再现信号好与坏的抖动值的最小值设定为6.5％或更小。因此，制备了具有各种不同凹坑深度的光盘，并且进行了找出下列每种参数，即，(1)金属反射层的层厚度，(2)D(S)/D(L)和(3)α(S)/α(L)，对凹坑形状和深度以及再现信号的抖动值造成什么程度的影响的检验。
在这种情况下，为了获得高反射率，对由AgPdCu和Al制成的每种金属反射层的层厚度进行了下述检验。附图14表示金属反射层的层厚度(其中层厚度值代表不承载记录凹坑的镜面部分的层厚度)与再现信号的抖动值的最小值之间的关系，此时采用AgPdCu作为金属反射层。附图15表示金属反射层的层厚度(其中层厚度值代表不承载记录凹坑的镜面部分的层厚度)与再现信号的抖动值的最小值之间的关系，此时采用Al作为金属反射层。制备了两种类型的基板，并且各个基板分别具有λ/3n(＝88nm)的凹坑深度和λ/5n(＝53nm)的凹坑深度，在附图14和15中，实线代表具有λ/3n深度的基板上的数据，虚线代表具有λ/5n深度的基板上的数据。
在金属反射层的厚度过薄的情况下，由于不能获得合格质量的反射光，因此再现信号的质量恶化，导致抖动值增大。附图14和15分别表示，当采用AgPdCu作为金属反射层材料的时候，需要10nm或更大的层厚度，和当采用Al作为金属反射层材料的时候，需要7nm或更大的层厚度。在金属反射层的厚度较厚的情况下，由于最短凹坑的深度变大，再现信号的质量降低。当凹坑深度接近λ/4n时，对于再现信号而言，得到了最高信号幅度。当在按照本发明所提出的方式形成了细小凹坑的光盘基板上进行层形成处理的情况下，随着将金属反射层的厚度制作得更厚，因此在各个细小凹坑的底部形成金属反射层变得更加困难，结果是深度变得更大。换句话说，在光盘具有基板上的凹坑深度为λ/5n的情况下，随着将金属反射层制作得更厚，最短凹坑长度的深度变得更大，以致接近于λ/4n，这使得再现信号幅度最大，从而在一定的层厚度(在AgPdCu合金的情况下为大约73nm)下，抖动值变得最小。不过，当将金属层厚度制作得更大，以致最短凹坑长度得深度变得大于λ/4n时，再现信号恶化。相反，当在具有λ/3n的凹坑深度的基板上形成反射层的情况下，随着将金属反射层制作得更厚，最短凹坑长度的深度逐渐偏离λ/4n。因此，抖动值的最小值不超过6.5％的金属反射层的层厚度范围变得比通过在具有λ/5n的凹坑深度的基板上形成层而制备的光盘的层厚度范围要窄。因此，将金属反射层的上限定义为在具有最深凹坑的基板上形成层的时候给出优质信号的层厚度。稍后将要介绍，由于最好将基板的凹坑深度设定为不超过λ/3n，因此附图14表示，当采用AgPdCu合金作为金属反射层时，最好将层厚度设定在从不小于10nm到不超过75nm的范围之内。按照同样的方式，附图15表示，当采用Al作为金属反射层时，最好将层厚度设定在从不小于7nm到不大于50nm的范围之内。
附图7是这样一个曲线图，在横坐标轴上标出D(S)/D(L)的比值，而在纵坐标轴上标出再现信号的抖动值。该曲线图表示，当D(S)/D(L)的比值超过1.30时，再现信号恶化。这估计是因为最短标记的凹坑深度变得更深，造成了再现信号幅度的减小。因此，为了获得期望的再现信号，最好将D(S)/D(L)的比值设定在从大于1.0到不大于1.3的范围之内。附图5表示，在形成层的时候，满足1.0＜D(S)/D(L)≤1.3的氩气压力处于从不小于0.2Pa到不大于0.7Pa的范围之内。因此，在反射层的层形成处理是使用磁控管溅镀装置进行的情况下，最好将形成层时的氩气压力设定在从不小于0.2Pa到不大于0.7Pa的范围之内。在用于这些测试的光盘中，α(S)＞α(L)这一关系总是得到满足的。
下面的说明将要讨论α(S)和α(L)的大小关系以及信号质量。附图8是这样一个曲线图，在横坐标轴上标出α(S)/α(L)的比值，而在纵坐标轴上标出再现信号的抖动值。如前所述，由于再现信号质量在很大程度上取决于最短凹坑长度的标记形状，可以将α(S)的角度对再现信号的质量造成很大的影响。随着α(S)的增大，最短凹坑长度的再现信号波形的增长变得更大，使得α(S)的抖动值变小。如附图8所示，当α(S)/α(L)变成小于1时，抖动值急剧恶化。因此，如图中所示，有可能再现出具有良好质量的优质信号。如附图6所示，在使用磁控管溅镀装置进行用于反射层的层形成处理的情况下，如果层形成时间在3s之内，α(S)＞α(L)的关系得到满足。从而，当将层形成时间设置在3s之内时，有可能制备出能够再现出具有很小抖动值的优质信号的光盘。
这里，在本实施例中，层形成处理是使用静态对置型直流磁控管溅镀装置进行的；然而，并非具体局限于这种装置，也可以使用任何其它层形成装置，例如，离子束溅镀装置或真空蒸镀机，只要这种层形成装置实现满足D(S)/D(L)≤1.3和α(S)＞α(L)的层形成条件。
在本实施例中，使用了AgPdCu合金；然而，除此之外，纯银或包含从Pd、Cu、Pt、Rh、Nd和Ni构成的组中选取的至少一种材料的Ag合金也可以用作所述金属材料，最佳的情况是，使用包含从Pt、Rh、Nd和Ni中选取的至少一种材料的Ag合金。
(实施方式2)
在本实施例中，制造出了轨道间距为0.26μm并且最短凹坑长度为0.149μm的12cm光盘基板，在该光盘上能够记录30GB的信息。该基板的制造方法与实施方式1相同。使用了凹坑深度65nm的基板。
使用离子束溅镀层形成装置在光盘基板上形成Al层，从而将镜面部分上的反射层厚度设定为40nm。按照本实施方式，使用了纯Al作为金属反射层；不过，可以将少量的诸如Ti、Cr和Co之类的材料加入到射线靶材料中，从而使得使用在抗腐蚀性能方面表现较佳的反射层成为可能。
对凹坑的形状进行了观察。在形成了Al层之后，最短凹坑长度的凹坑深度D(S)为72nm，并且α(S)为85°。最长凹坑长度的凹坑深度D(L)为69nm，并且α(L)为83°。
这样，使用离子束溅镀装置得到了D(S)/D(L)比值为1.04的光盘。
进行了与实施方式1相同的处理，使得透明树脂层粘接到金属反射层上。
使用具有波长λ为405nm的再现光束和数值孔径NA为0.85的物镜的信息再现设备，对信号进行再现和评估处理。对于从仅用于再现的光盘上再现出的信号质量而言，由具有最小信号幅度的最短凹坑长度得出的抖动值对信号质量造成了很大的影响。出于这个原因，按照本实施方式，对D(S)的大小和再现信号的质量进行了检验。制备了七种具有不同凹坑深度(30nm到90nm)的基板，并且使用离子束溅镀装置在各个基板上进行了层形成处理，以致在其镜面部分上沉积并形成了厚度为40nm的Al层。在形成该层时，将Ar压力设定为0.3Pa，同时将层形成时间设定为0.8s。使用离子束溅镀装置的层形成处理与使用磁控管溅镀装置的情况相比，易于造成较长的层形成周期。按照本发明，反射层是通过将Ar压力设定在从不小于0.2Pa到不大于0.7Pa的范围内来形成的，以致将层形成时间缩短到了不大于1s。
                    表1
 基板上的凹坑深度(nm)    D(S)(nm)    D(L)(nm)     抖动值(％)
      30     32     32     不能被测量
      40     41     41     7.2
      50     51     50     5.5
      60     64     62     5.4
      70     75     71     5.2
      80     87     83     5.4
      90     97     92     6.8
表1表示，在通过离子束溅镀装置在具有40nm厚度的镜面部分上形成了Al层之后，基板上的凹坑深度、D(S)和D(L)值以及信号抖动值。
一般来说，我们知道，当凹坑深度为λ/4×n时，再现信号具有最大再现信号幅度；不过，即使凹坑深度偏离了最大再现信号的深度，也可以通过优化凹坑宽度、凹坑形状等来展宽凹坑深度的容限。
在本次检验的基础上，我们发现，为了获得足够的再现容限，需要将D(S)设定在从不小于50nm到不大于80nm的范围之内，并且这一范围对应于从不小于λ/(5×n)到不大于λ/(3×n)的范围。
按照实施方式1所指出的，由于形成了金属反射层之后，最短凹坑长度和最长凹坑长度之间的比值D(S)/D(L)最好要设定在从不小于1.0到不大于1.3的范围之内，因此反射层形成之前的基板上的最短凹坑深度(下文中成为d(S))的最佳范围要设定在从不小于λ/(5×n)/1.3到λ/(3×n)/1.00的范围之内，就是说，设定在从不小于λ/(6.5×n)到λ/(3×n)的范围之内。
(第三实施方式)
在本实施例中，制造出了轨道间距为0.26μm并且最短凹坑长度为0.149μm的12cm光盘基板，在该光盘上能够记录30GB的信息。使用了这样一种基板，采用活性离子蚀刻(RIE)技术作为主处理将最短标记长度的凹坑深度制作得很小。参照附图9，下面的说明将会讨论用于形成将凹坑深度依据凹坑的大小而制作得不同的基板的主处理。
首先，将电子束用的抗蚀剂902施加到由SiO2制成的基础基板901上(附图9(a))。将该基板放置在光盘基础基板制造装置中，同时使该基板旋转，将依据信息数据信号调制的电子束送到该基础基板上，从而以螺旋形式在其上形成了细小凹坑(附图9(b))。对其进行显影处理，从而除掉了由电子束形成的暴露部分903；这样，使得基础基板的表面暴露了出来(附图9(c))。使用未冲洗掉的表面作为掩模，对其进行活性离子蚀刻处理(RIE)，从而在基础基板上形成了细小凹坑(附图9(d))。除掉用作掩模的未冲洗掉的表面上的抗蚀剂(附图9(e))。在基础基板表面上形成导体层。该导体层是用金属镀成的，以形成金属压模904，并且将其从基础基板上分离下来(附图9(f))。将该金属压模安放在注模机中，以便生产由聚碳酸酯树脂等制成的基板。
按照本处理所使用的RIE法，有这样的可能性，离子难于到达各个细小凹坑的底部。出于这个原因，随着凹坑的大小变大，蚀刻速度变高，以使凹坑深度更深。
按照本实施方式，将CHF3气体送入到离子蚀刻装置的腔室中，并且之后进行蚀刻。在这种情况下，将CHF3气体的压力设定为0.4Pa，RF功率设定为300W，并且蚀刻时间设定为6分钟。使用了进行这种蚀刻处理的金属压模，并且使用这种金属压模挤压成型的光盘基板的最短凹坑长度中的深度d(S)为52nm，而最长凹坑长度中的深度d(L)为60nm，从而将比值d(L)/d(S)设定为1.15。
虽然按照本实施方式使用了CHF3气体，但是也可以使用CF4气体或者CHF3与CF4的混合气体或者通过将诸如Ar之类的不易挥发气体与前述气体中的一种相混合而得到的混合气体，并且可以得到相同的效果。
使用磁控管溅镀装置在这个光盘基板上形成反射层。使用AlTi作为反射层材料，并且进行溅镀处理，直至使镜面部分的厚度达到50nm。在层形成时，将氩气压力设定为0.4Pa，并且将层形成时间设定为1s。在层形成之后，通过AFM对光盘进行分析。如实施方式1所示，由于磁控管溅镀处理易于使反射层难以到达小尺寸凹坑的底部，因此在层形成处理之后，最短凹坑长度的凹坑深度变得较大；这样，D(S)达到了62nm，并且D(L)达到了60nm。附图10表示AlTi层形成之后的盘的示意性截面图。
这样，此时在主处理中采用了RIE处理，并且使用磁控管溅镀装置在d(S)大于d(L)的基板上形成反射层；因此，使得D(S)与D(L)之间的差变小成为了可能。不过，在将RIE条件设置得很极端以致使得d(S)很小得情况下，最短凹坑的宽度和长度也变得很小，无法获得良好的信号。我们进行了试验，以便在改变基板的深度的同时，找出信号面中的凹坑深度与抖动值之间的相关性。结果在表2中给出。最好在下述比例范围内调整d(S)的深度：1/1.3≤d(L)/d(S)≤1.3。
   d(L)/d(S)   抖动值(％)
    1/1.5      8.0
    1/1.4      7.2
    1/1.3      6.4
    1/1.2      6.2
    1/1.1      6.0
    1      6.0
    1.1      6.3
    1.2      6.3
    1.3     6.4
    1.4     7.4
    1.5     7.9
通过根据凹坑长度改变基板的凹坑深度，使得层形成之后的凹坑深度差很小。
按照本实施方式，凹坑深度是使用RIE处理根据凹坑大小而改变的，并且已经提出了这种类型的不同主处理(例如，见专利文献1和2)。按照本发明，不管使用任何基板，只要其基板中的凹坑深度设置在1≤d(L)/d(S)≤1.3的比例范围之内，就可以预期得到相同的效果，并且并没有将所述主处理规定为局限于本实施方式中介绍的处理。
本发明可以应用于通过层叠多个记录层而形成以增大信息记录容量的多层光学记录介质。参照附图12，下面的说明将讨论这种多层光学记录介质的制造方法的一个实例。
在厚度为1.1mm的聚碳酸酯基板1201的带有细小凹坑的主表面上，例如，使用前述磁控管溅镀装置形成了厚度为45nm的第一金属反射层1202，例如Al层，并且在厚度为1.1mm的由聚碳酸酯制成的带有细小凹坑的压模基板1205上，形成了具有优异剥离特性的厚度为大约10μm的可光固化树脂(2)1204，并且对其进行固化。通过具有强粘接特性的可光固化树脂(1)1203将这些基板1201和压模基板1205彼此连接起来(附图12(a))。该连接处理是以下述方式进行的：将基板1201第一金属反射层表面朝上地安放到旋涂机中，并且将可光固化树脂(1)1203滴注到其上。然后，旋转该盘，使得该盘上的可光固化树脂的厚度变得均匀。将可光固化树脂(2)加到得到的盘上。按照另外一种可选方式，所述连接处理可以这样进行：将压模基板1205安放到旋涂机中，并且将可光固化树脂(1)1203涂覆到可光固化树脂(2)1204上。此时，对旋涂机的转速进行调整，直至将可光固化树脂(1)的厚度设置为15μm。此后，使用紫外线灯照射结果得到的盘，从而固化可光固化树脂(1)1203(附图12(b))。将压模基板1205与可光固化树脂(2)1204分开(附图12(c))，并且由，例如，厚度为24nm的Ag形成第二金属反射层1206(附图12(d))。此后，使用，例如，压敏粘接薄片将厚度为70μm的透镜树脂层1207粘接到其上。
通过将激光送到透明树脂层1207一侧，对所述双层光学记录介质进行信息读取处理。上述的例子讨论的是形成双层光学记录介质的情况；不过，在附图12(d)的处理之后，通过将凝固有可光固化树脂的基板与另一个基板连接起来，还可以形成具有两层或多层的多层光学记录介质。
对可光固化树脂而言具有很强剥离特性的烯烃基树脂可用于压模基板。参照附图16，对用于这种基板的粘接方法进行解释说明。在厚度为1.1mm的带有细小凹坑的聚碳酸酯基板1601的主表面上，例如，使用前述磁控管溅镀装置形成了厚度为45nm的第一金属反射层1602，例如Al层，并且制备一个厚度为1.1mm的由石蜡制成的带有细小凹坑的压模基板1604。通过具有强粘接特性的可光固化树脂1603将这些基板1601和压模基板1604彼此连接起来(附图16(a))。该连接处理是以下述方式进行的：将基板1601第一金属反射层1602表面朝上地安放到旋涂机中，并且将可光固化树脂1603滴注到其上。然后，旋转该盘，使得该盘上的可光固化树脂1603的厚度变得均匀。可以将压模基板1604叠置到它上面。按照另外一种可选方式，所述连接处理可以这样进行：将压模基板1604安放到旋涂机中，并且将可光固化树脂1603涂覆到其上，并且通过旋转该盘与基板1601连接起来。此时，对旋涂机的转速进行调整，直至将可光固化树脂1603的厚度设置为25μm。此后，使用紫外线灯照射得到的盘，从而固化可光固化树脂1603(附图16(b))。接着，将压模基板1204与可光固化树脂1603分开(附图16(c))，并且由，例如，厚度为24nm的Ag形成第二金属反射层1605(附图12(d))。此后，使用，例如，压敏粘接薄片将厚度为70μm的透镜树脂层1606粘接到其上。
在透明树脂层1606的连接处理之前，可以形成固化树脂层，并且通过在其上复制压模基板，可以形成多层结构。
按照上述实施方式，在透明层的连接处理中使用了压敏粘接薄片；不过，不使用压敏粘接薄片，也可以使用透明的并且具有粘接特性的媒介，比如可光固化树脂和干性光敏聚合物。可以仅使用压敏粘接薄片或可光固化树脂来形成透明树脂层，而不会再在其上连接透明树脂层。
(发明效果)
按照本发明的光学记录介质的第一方面，通过限定形成反射层时的层形成条件，使最短凹坑长度的深度和最长凹坑长度的深度之间的差异变小，从而可以使最短凹坑的锥面和镜面部分之间所得的角度变大。而且，使用具有不同凹坑深度的基板来形成反射层，可以使形成了反射层之后的凹坑深度更加均匀，从而使得给出能够再现出抖动值很小的波形的光盘成为可能。具有这些效果的本发明为光盘的更高密度做出了巨大的贡献。
(参考标号说明)
101：基板，102：凹坑，103：金属反射层，104：保护层，105：基板中的凹坑深度，201：基板，202：金属反射层，203：透明树脂层，204：最短凹坑，205：最长凹坑，206：光束，301：等离子体发生室，302：真空容器，303：栅格电极，304：反射层材料射线靶，305：基板，306：Ar等离子体离子束，307：金属颗粒，401：基板，402：最短凹坑长度的凹坑深度D(S)，403：最长凹坑长度的凹坑深度，404：1/2×D(S)位置上的切线，405：由切线404与镜面部分夹出的角度，406：1/2×D(L)位置上的切线，407：由切线406与镜面部分夹出的角度，408：金属反射层，901：盘基础基板，902：电子束用抗蚀剂，903：暴露部分，904：金属压模，101：基板，102：凹坑，103：金属反射层，104：保护层，1101：基板，1102：最短凹坑，1103：最长凹坑，1104：反射金属层，1105：1/2×D(S)位置上的切线，1106：1/2×D(L)位置上的切线，1201：基板，1202：第一金属反射层，1203：可光固化树脂(1)，1204：可光固化树脂(2)，1205：压模基板，1206：第二金属反射层，1207：透明树脂，1301：基板，1302：金属反射层，1303：压敏粘接薄片，1304：透明树脂层，1305：真空连接装置，1306：辊轮，1601：基板，1602：第一金属反射层，1603：可光固化树脂，1604：压模基板，1605：第二金属反射层，1606：透明树脂层。

Claims (17)

1.一种光学记录介质，包括：
基板，在该基板上，将信息形成为由具有预定轨道间距的凹面和凸面构成的凹坑行；
至少一个第一金属反射层；和
透明树脂层，形成在第一金属反射层上，它们形成在基板上，
其中所述信息是通过将光束照射到形成在第一金属反射层的树脂层一侧上的信号面上而得以再现的，
其特征在于，形成在信号面中的最短凹坑的深度与形成于其中的最长凹坑的深度不同。
2.按照权利要求1所述的光学记录介质，其中
至少所述第一金属反射层；和
形成在所述第一金属反射层上的透明树脂层是形成在这样的所述基板上的：在所述基板中，将最短凹坑的深度和最长凹坑的深度制作得相等，
其特征在于，设形成在信号面中的最短凹坑的深度为D(S)，形成在信号面中的最长凹坑的深度为D(L)，则满足下述关系式：
1.0＜D(S)/D(L)≤1.3。
3.按照权利要求1所述的光学记录介质，其中，对于将基板中的最短凹坑的深度制作得比基板中的最长凹坑的深度大的基板而言，设在形成于第一金属反射层的树脂层一侧上的信号面中形成的最短凹坑的深度为D(S)，在信号面中形成的最长凹坑的深度为D(L)，则满足下述关系式：1.0＜D(S)/D(L)≤1.3。
4.按照权利要求1所述的光学记录介质，其中，设在形成于第一金属反射层的树脂层一侧上的信号面中形成的最短凹坑的深度为D(S)，在信号面中形成的最长凹坑的深度为D(L)，并且设，当从信号面中的最短凹坑的锥面上深度为1/2×D(S)的位置上的点画出切线时，将该切线与其中没有形成凹坑的镜面部分交出的角度定义为α(S)，并且设，当从最长凹坑的锥面上的深度为1/2×D(L)的位置上的点画出切线时，将该切线与其中没有形成凹坑的镜面部分交出的角度定义为α(L)，则满足下述关系式：α(L)＜α(S)。
5.按照权利要求3或4所述的光学记录介质，其中，设最短凹坑在基板中的深度为d(S)，并且最长凹坑在基板中的深度为d(L)，则满足下述关系式：1.0＜d(L)/d(s)≤1.3。
6.按照权利要求1到5中的任何一项所述的光学记录介质，其中，设光束中的光源波长为λ，透明树脂层的折射系数为n，则形成在信号面上的最短凹坑的深度D(S)满足下述关系式：λ/(5×n)＜D(S)＜λ/(3×n)。
7.按照权利要求1到6中的任何一项所述的光学记录介质，其中所述基板中的最短凹坑长度的深度d(S)做得要比形成在信号面中的最短凹坑的深度D(S)小，以致将深度D(S)设置为期望值。
8.按照权利要求1到7中的任何一项所述的光学记录介质，其中基板中的最短凹坑长度的深度d(S)满足下述关系式：λ/(6×n)＜d(S)＜λ/(3×n)。
9.按照权利要求1到8中的任何一项所述的光学记录介质，其中第一金属反射层是由主要含Ag的合金制成的，该合金中Ag的重量百分比设置为不小于97％。
10.按照权利要求1到8中的任何一项所述的光学记录介质，其中第一金属反射层是由化合式AgxM1-x表示的合金制成的，其中M是从由Pd、Cu、Pt、Rh、Nd和Ni组成的组中选取的至少一种，而x表示不小于97％的重量百分比值。
11.按照权利要求1到8中的任何一项所述的光学记录介质，其中第一金属反射层是由Ag或主要含Ag的合金材料制成的，其层厚度设定在从不小于10nm到不大于75nm的范围内。
12.按照权利要求1到8中的任何一项所述的光学记录介质，其中第一金属反射层是由Al或主要含Al的金属材料制成的，其层厚度设定在从不小于7nm到不大于50nm的范围内。
13.按照权利要求1到12中的任何一项所述的光学记录介质，其中所述轨道间距设定在从不小于0.24μm到不大于0.36μm的范围之内，并且最短凹坑长度设定在从不小于0.14μm到不大于0.21μm的范围之内。
14.按照权利要求1到13中的任何一项所述的光学记录介质，该光学记录介质是由光学记录介质再现设备进行再现的，该光学记录介质再现设备配备有这样一个光学系统：其中来自光源的光束的波长λ设定在从不小于400nm到不大于410nm的范围之内，并且物镜的数值孔径NA设定在不小于0.84到不大于0.86的范围之内。
15.一种光学记录介质的制造方法，其中将光束照射到信号面上，以致信息得以再现，包括：
通过形成凹坑行在基板上记录信息，所述信息行是由凹面和凸面构成的，这些信息行具有预定的轨道间距，其中基板中的最短凹坑的深度d(S)满足由λ/(6×n)＜d(S)＜λ/(3×n)表示的范围；
在所述基板上形成金属反射层作为信号面，使得最短凹坑的深度制作得与最长凹坑的深度不同；和
在金属反射层上形成透明树脂层。
16.按照权利要求15所述的光学记录介质的制造方法，其中金属反射层是通过离子束溅镀处理沉积和形成的，其层形成时间设定为不超过1秒。
17.按照权利要求15所述的光学记录介质的制造方法，其中金属反射层是通过磁控管溅镀处理形成的，并且形成该层时的Ar压力设定在从不小于0.2Pa到不大于0.7Pa的范围内，其层形成时间设定为不超过3秒。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101567199B (zh) * 2008-04-21 2011-04-06 索尼株式会社 光盘制造方法、原盘制造方法和光盘

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007234092A (ja) 2006-02-28 2007-09-13 Victor Co Of Japan Ltd 光ディスク及び光ディスクの製造方法
JP2008165860A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Toshiba Corp 光ディスク、光ディスク再生装置および光ディスク再生方法
FR2944132A1 (fr) * 2009-04-01 2010-10-08 Commissariat Energie Atomique Structure de stockage optique d'informations et procede d'optimisation de realisation de cette structure.

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2668604B2 (ja) * 1991-07-05 1997-10-27 富士写真フイルム株式会社 光情報記録方法
JPH0554393A (ja) * 1991-08-27 1993-03-05 Hitachi Maxell Ltd 情報記録媒体およびその駆動装置
JP3268126B2 (ja) * 1994-07-06 2002-03-25 シャープ株式会社 光記録媒体
US5602824A (en) * 1994-08-12 1997-02-11 Nikon Corporation Optical disk capable of recording information on both land and groove tracks
JPH09320117A (ja) * 1996-05-28 1997-12-12 Pioneer Electron Corp 光ディスク
JPH10106040A (ja) * 1996-09-26 1998-04-24 Canon Inc 光学的情報記録媒体および光学的情報記録再生装置
JPH11250506A (ja) * 1998-03-03 1999-09-17 Yamaha Corp 光ディスクおよび光ディスク原盤の露光方法
JP2001266413A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Toshiba Corp 光ディスク、光ディスク再生装置、及び光ディスク再生方法
US7016295B2 (en) * 2000-04-26 2006-03-21 Optical Disc Corporation Hybrid discs displaying certain dimensional values
JP2002008269A (ja) * 2000-06-22 2002-01-11 Sony Corp 光学記録媒体およびその製造方法
JP2004127468A (ja) * 2002-10-07 2004-04-22 Toshiba Corp 光ディスクおよび光ディスク装置
US20040081069A1 (en) * 2002-10-17 2004-04-29 Hitachi Maxell, Ltd. Optical information-recording medium and method for producing the same
TWI251233B (en) * 2002-11-19 2006-03-11 Hitachi Maxell Optical information recording medium and method of manufacturing the same
JP4170132B2 (ja) * 2003-04-14 2008-10-22 松下電器産業株式会社 光記録媒体

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101567199B (zh) * 2008-04-21 2011-04-06 索尼株式会社 光盘制造方法、原盘制造方法和光盘

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