JPH1064120A - ランド・グルーブ記録用情報記録媒体 - Google Patents
ランド・グルーブ記録用情報記録媒体Info
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- JPH1064120A JPH1064120A JP8218682A JP21868296A JPH1064120A JP H1064120 A JPH1064120 A JP H1064120A JP 8218682 A JP8218682 A JP 8218682A JP 21868296 A JP21868296 A JP 21868296A JP H1064120 A JPH1064120 A JP H1064120A
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 層構成が変化しても、それに対応してクロス
トークを最小にし得るランド・グルーブ記録用の情報記
録媒体を提供する。 【解決手段】 ランド・グルーブを有する基板、及びこ
の基板上に形成され、結晶状態と非晶質状態との間の相
変化を生じ得る記録膜を具備し、前記記録膜の基板側に
おけるランドとグルーブとの段差が、下記式（１）で表
わされる範囲内であることを特徴とする。 λ／（６ｎ）≦ｄs ≦λ／（５ｎ） （１） （ここで、ｄs は、記録膜の基板側におけるランドとグ
ルーブとの段差、λは再生で用いる光ビームの波長であ
り、ｎは基板の屈折率である。）
トークを最小にし得るランド・グルーブ記録用の情報記
録媒体を提供する。 【解決手段】 ランド・グルーブを有する基板、及びこ
の基板上に形成され、結晶状態と非晶質状態との間の相
変化を生じ得る記録膜を具備し、前記記録膜の基板側に
おけるランドとグルーブとの段差が、下記式（１）で表
わされる範囲内であることを特徴とする。 λ／（６ｎ）≦ｄs ≦λ／（５ｎ） （１） （ここで、ｄs は、記録膜の基板側におけるランドとグ
ルーブとの段差、λは再生で用いる光ビームの波長であ
り、ｎは基板の屈折率である。）
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、情報記録媒体に係
り、特に、ランド・グルーブ記録用情報記録媒体に関す
る。
り、特に、ランド・グルーブ記録用情報記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】光ディスクのランドとグルーブとの両方
に情報を記録する、いわゆるランド・グルーブ記録は、
光ディスクの高密度化に有利であるが、この方法はクロ
ストークが大きいという問題を伴なう。このため、クロ
ストークを低減する方法として、基板のグルーブ深さを
所定の範囲内に設定することが提案されている（「ラン
ド・グルーブ記録による高密度相変化光ディスク」、大
野等、１９９３年第５回相変化記録研究会シンポジウム
講演予稿集ｐｐ．１１４〜１１９）。
に情報を記録する、いわゆるランド・グルーブ記録は、
光ディスクの高密度化に有利であるが、この方法はクロ
ストークが大きいという問題を伴なう。このため、クロ
ストークを低減する方法として、基板のグルーブ深さを
所定の範囲内に設定することが提案されている（「ラン
ド・グルーブ記録による高密度相変化光ディスク」、大
野等、１９９３年第５回相変化記録研究会シンポジウム
講演予稿集ｐｐ．１１４〜１１９）。
【０００３】この文献においては、再生に用いられる光
ビームの波長λのみを用いて、（λ／６）〜（λ／５）
の範囲内に基板のグルーブ深さを規定することによっ
て、クロストークを低減するものである。
ビームの波長λのみを用いて、（λ／６）〜（λ／５）
の範囲内に基板のグルーブ深さを規定することによっ
て、クロストークを低減するものである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】記録膜の層構成や材質
によっては、上述のように単に基板のグルーブ深さを規
定しても、ランドとグルーブとにおける再生信号レベル
に違いが生じたり、クロストークの発生を避けることが
できない。この問題は、記録膜と基板との間に形成され
る保護膜の膜厚が厚い際に、特に顕著となる。
によっては、上述のように単に基板のグルーブ深さを規
定しても、ランドとグルーブとにおける再生信号レベル
に違いが生じたり、クロストークの発生を避けることが
できない。この問題は、記録膜と基板との間に形成され
る保護膜の膜厚が厚い際に、特に顕著となる。
【０００５】このように、基板上に成膜される膜の厚さ
やその構成等を考慮してクロストークを低減したランド
・グルーブ記録用情報記録媒体は、未だ得られていない
のが現状である。そこで、本発明は、層構成が変化して
も、それに対応してクロストークを最小にし得るランド
・グルーブ記録用の情報記録媒体を提供することを目的
とする。
やその構成等を考慮してクロストークを低減したランド
・グルーブ記録用情報記録媒体は、未だ得られていない
のが現状である。そこで、本発明は、層構成が変化して
も、それに対応してクロストークを最小にし得るランド
・グルーブ記録用の情報記録媒体を提供することを目的
とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、ランド・グルーブを有する基板、および
この基板上に形成され、結晶状態と非晶質状態との間の
相変化を生じ得る記録膜を具備し、前記記録膜の基板側
におけるランドとグルーブとの段差が、下記式（１）で
表わされる範囲内であることを特徴とするランド・グル
ーブ記録用情報記録媒体を提供する。
に、本発明は、ランド・グルーブを有する基板、および
この基板上に形成され、結晶状態と非晶質状態との間の
相変化を生じ得る記録膜を具備し、前記記録膜の基板側
におけるランドとグルーブとの段差が、下記式（１）で
表わされる範囲内であることを特徴とするランド・グル
ーブ記録用情報記録媒体を提供する。
【０００７】 λ／（６ｎ）≦ｄs ≦λ／（５ｎ） （１） （ここで、ｄs は、記録膜の基板側におけるランドとグ
ルーブとの段差、λは再生で用いる光ビームの波長であ
り、ｎは基板の屈折率である。）
ルーブとの段差、λは再生で用いる光ビームの波長であ
り、ｎは基板の屈折率である。）
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例および比較
例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、その要旨
を越えない限り、以下に限定されるものではない。 （実施例１）本発明のランド・グルーブ記録用情報記録
媒体の一例を表す断面図を示す。
例を挙げて本発明をより具体的に説明するが、その要旨
を越えない限り、以下に限定されるものではない。 （実施例１）本発明のランド・グルーブ記録用情報記録
媒体の一例を表す断面図を示す。
【０００９】図１に示す記録媒体１６においては、段差
ｄk のランド・グルーブを有する基板１上に、保護膜
２、記録膜３、保護膜４および反射膜５がスパッタ法に
より順次成膜されており、さらに反射膜５上にはスピン
コート法によりオーバーコート膜６を形成されている。
なお、保護膜２の膜厚はｄf で表わされ、この保護膜２
と記録膜３との界面におけるランドとグルーブとの段差
はｄs で表わされる。
ｄk のランド・グルーブを有する基板１上に、保護膜
２、記録膜３、保護膜４および反射膜５がスパッタ法に
より順次成膜されており、さらに反射膜５上にはスピン
コート法によりオーバーコート膜６を形成されている。
なお、保護膜２の膜厚はｄf で表わされ、この保護膜２
と記録膜３との界面におけるランドとグルーブとの段差
はｄs で表わされる。
【００１０】保護膜２、３としては、例えば、ＺｎＳ、
ＳｉＯ2 、ＡｌＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、およびＳｉＮ等の透明
誘電体が通常用いられる。また、記録膜３としては、結
晶状態と、非晶質状態との間で相変化する材料が使わ
れ、例えば、ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ等が挙げられ
る。反射膜５としては、例えばＡｌ、Ａｕ、Ａｌ合金等
の金属膜が使用され、オーバーコート膜６としては、紫
外線硬化樹脂等が使用される。
ＳｉＯ2 、ＡｌＮ、Ａｌ2 Ｏ3 、およびＳｉＮ等の透明
誘電体が通常用いられる。また、記録膜３としては、結
晶状態と、非晶質状態との間で相変化する材料が使わ
れ、例えば、ＧｅＳｂＴｅ、ＩｎＳｂＴｅ等が挙げられ
る。反射膜５としては、例えばＡｌ、Ａｕ、Ａｌ合金等
の金属膜が使用され、オーバーコート膜６としては、紫
外線硬化樹脂等が使用される。
【００１１】本発明の情報記録媒体においては、保護膜
２と記録膜３との界面におけるランド・グルーブでの段
差ｄs を、λ／６ｎ〜λ／５ｎ（ｎは基板の屈折率）に
設定するものである。さらに、本発明の記録媒体におい
て、保護膜２の厚さｄf を、記録膜が非晶質状態の際の
反射率が極小となる膜厚に設定することが好ましい。こ
れによって、記録トラックの隣接トラックに記録マーク
（非晶質）があっても、隣接トラックの記録マークから
の反射率は小さく抑えられるので、クロストークが抑制
される。
２と記録膜３との界面におけるランド・グルーブでの段
差ｄs を、λ／６ｎ〜λ／５ｎ（ｎは基板の屈折率）に
設定するものである。さらに、本発明の記録媒体におい
て、保護膜２の厚さｄf を、記録膜が非晶質状態の際の
反射率が極小となる膜厚に設定することが好ましい。こ
れによって、記録トラックの隣接トラックに記録マーク
（非晶質）があっても、隣接トラックの記録マークから
の反射率は小さく抑えられるので、クロストークが抑制
される。
【００１２】ここで、大野等に記載されているように、
基板１のグルーブ深さｄk をλ／６〜λ／５に設定した
場合には、この基板上に形成される保護膜２の膜厚およ
びその成膜条件等によっては、保護膜上におけるグルー
ブの深さｄs は、必ずしも基板上での深さとは一致しな
い。
基板１のグルーブ深さｄk をλ／６〜λ／５に設定した
場合には、この基板上に形成される保護膜２の膜厚およ
びその成膜条件等によっては、保護膜上におけるグルー
ブの深さｄs は、必ずしも基板上での深さとは一致しな
い。
【００１３】本発明者らは、基板のグルーブ深さだけで
はなく、その上に形成される層構成もクロストークに影
響を及ぼすことに着目し、クロストーク抑制のため、ｄ
s をλ／６ｎ〜λ／５ｎ（ｎは基板の屈折率）に設定
し、さらに保護膜２の膜厚を記録膜３が非晶質のときの
反射率が極小近傍となるように設定した。
はなく、その上に形成される層構成もクロストークに影
響を及ぼすことに着目し、クロストーク抑制のため、ｄ
s をλ／６ｎ〜λ／５ｎ（ｎは基板の屈折率）に設定
し、さらに保護膜２の膜厚を記録膜３が非晶質のときの
反射率が極小近傍となるように設定した。
【００１４】図２には、保護膜２の膜厚ｄf を変化させ
た際の、本発明の記録媒体の反射率を示す。なおここで
は、保護膜２、４はＺｎＳ系材料で構成し、記録膜３お
よび反射膜５には、それぞれＧｅＳｂＴｅ系材料および
Ａｌ合金を用い、再生光の波長λを６８０ｎｍとした条
件で光学計算した。図２中、曲線ａおよびｂは、それぞ
れ結晶状態および非晶質状態のときの反射率変化を表わ
す。曲線ｂからｄf が１００ｎｍ近傍で非晶質状態の際
の反射率が極小となり、０に近い値となることがわか
る。したがって、保護膜２の膜厚を、記録膜が非晶質状
態の際の反射率が極小となる膜厚に設定することによっ
て、クロストークを低減することができる。ここでは、
保護膜にＺｎＳ系材料を用いた例を示したが、これに限
定されるものではなく、光学設計上は、保護膜の屈折率
が１．５〜２．５の範囲の誘電体材料を用いると本要件
を満足する。 （実施例２）図２において、媒体が結晶状態（曲線ａ）
の際に反射率が極小近傍となる膜厚では、非晶質状態
（曲線ｂ）の際の反射率も極小近傍となる。したがっ
て、保護膜２の膜厚を、記録膜が結晶状態の際に反射率
が極小近傍となる膜厚に設定した場合も、前述と同様に
クロストークを低減することができる。 （実施例３）図３には、保護膜２の膜厚ｄf をさらに厚
くした場合の反射率変化を示す。なお、図３中、曲線ｃ
およびｄは、それぞれ記録膜２が結晶状態および非晶質
状態の際の反射率変化を示す。
た際の、本発明の記録媒体の反射率を示す。なおここで
は、保護膜２、４はＺｎＳ系材料で構成し、記録膜３お
よび反射膜５には、それぞれＧｅＳｂＴｅ系材料および
Ａｌ合金を用い、再生光の波長λを６８０ｎｍとした条
件で光学計算した。図２中、曲線ａおよびｂは、それぞ
れ結晶状態および非晶質状態のときの反射率変化を表わ
す。曲線ｂからｄf が１００ｎｍ近傍で非晶質状態の際
の反射率が極小となり、０に近い値となることがわか
る。したがって、保護膜２の膜厚を、記録膜が非晶質状
態の際の反射率が極小となる膜厚に設定することによっ
て、クロストークを低減することができる。ここでは、
保護膜にＺｎＳ系材料を用いた例を示したが、これに限
定されるものではなく、光学設計上は、保護膜の屈折率
が１．５〜２．５の範囲の誘電体材料を用いると本要件
を満足する。 （実施例２）図２において、媒体が結晶状態（曲線ａ）
の際に反射率が極小近傍となる膜厚では、非晶質状態
（曲線ｂ）の際の反射率も極小近傍となる。したがっ
て、保護膜２の膜厚を、記録膜が結晶状態の際に反射率
が極小近傍となる膜厚に設定した場合も、前述と同様に
クロストークを低減することができる。 （実施例３）図３には、保護膜２の膜厚ｄf をさらに厚
くした場合の反射率変化を示す。なお、図３中、曲線ｃ
およびｄは、それぞれ記録膜２が結晶状態および非晶質
状態の際の反射率変化を示す。
【００１５】図３に示すように、保護膜の膜厚ｄf に対
して反射率は周期的に変化するので、反射率の極小値も
周期的に現れる。保護膜２の膜厚は、反射率が極小とな
る最小の膜厚のみならず、非晶質状態の反射率が２回目
以上に極小値近傍となる膜厚に設定することもでき、特
に、相変化記録膜３のオーバーライト繰り返しによる基
板への熱的ダメージを考慮すると、保護膜２は厚い方が
望ましい。ただし、過剰に厚くなると成膜に長時間を要
して生産性が低下してしまうので、実用的には第２周期
の膜厚とすることがより望ましい。 （実施例４）図３において、媒体が結晶状態（曲線ｃ）
の際に反射率が極小近傍となる膜厚では、非晶質状態
（曲線ｄ）の際の反射率も極小近傍となる。したがっ
て、保護膜２の膜厚を、記録膜が結晶状態の際に反射率
が極小近傍となる膜厚に設定した場合も、前述と同様に
クロストークを低減することができる。 （実施例５）本実施例においては、記録膜の位相変化に
着目した。すなわち、記録膜の位相が結晶状態と非晶質
状態とで変化すると、ランド・グルーブで再生信号の大
きさが変化するので、クロストークを抑制することが困
難となってしまう。このため、位相変化は極力避けるこ
とが好ましい。
して反射率は周期的に変化するので、反射率の極小値も
周期的に現れる。保護膜２の膜厚は、反射率が極小とな
る最小の膜厚のみならず、非晶質状態の反射率が２回目
以上に極小値近傍となる膜厚に設定することもでき、特
に、相変化記録膜３のオーバーライト繰り返しによる基
板への熱的ダメージを考慮すると、保護膜２は厚い方が
望ましい。ただし、過剰に厚くなると成膜に長時間を要
して生産性が低下してしまうので、実用的には第２周期
の膜厚とすることがより望ましい。 （実施例４）図３において、媒体が結晶状態（曲線ｃ）
の際に反射率が極小近傍となる膜厚では、非晶質状態
（曲線ｄ）の際の反射率も極小近傍となる。したがっ
て、保護膜２の膜厚を、記録膜が結晶状態の際に反射率
が極小近傍となる膜厚に設定した場合も、前述と同様に
クロストークを低減することができる。 （実施例５）本実施例においては、記録膜の位相変化に
着目した。すなわち、記録膜の位相が結晶状態と非晶質
状態とで変化すると、ランド・グルーブで再生信号の大
きさが変化するので、クロストークを抑制することが困
難となってしまう。このため、位相変化は極力避けるこ
とが好ましい。
【００１６】図４には、記録膜の膜厚と、反射率および
位相変化との関係を示す。なお、ここでは、図１に示し
たものと同様の層構成で記録媒体を形成して、記録膜３
の膜厚を変化させた。図４に示されるように、位相差が
０となる記録膜の膜厚では、非晶質状態の際の反射率が
極小近近傍となり、しかも、この膜厚においては、非晶
質状態と結晶状態との反射率変化量が大きい。したがっ
て、記録媒体の結晶・非晶質での位相差を０近傍とし、
保護膜２の膜厚を非晶質状態における反射率が極小とな
る膜厚とし、保護膜−記録膜界面におけるランド・グル
ーブの段差ｄsをλ／６ｎ〜λ／５ｎに設定することに
よってクロストークを抑制したランド・グルーブ記録用
媒体が得られる。
位相変化との関係を示す。なお、ここでは、図１に示し
たものと同様の層構成で記録媒体を形成して、記録膜３
の膜厚を変化させた。図４に示されるように、位相差が
０となる記録膜の膜厚では、非晶質状態の際の反射率が
極小近近傍となり、しかも、この膜厚においては、非晶
質状態と結晶状態との反射率変化量が大きい。したがっ
て、記録媒体の結晶・非晶質での位相差を０近傍とし、
保護膜２の膜厚を非晶質状態における反射率が極小とな
る膜厚とし、保護膜−記録膜界面におけるランド・グル
ーブの段差ｄsをλ／６ｎ〜λ／５ｎに設定することに
よってクロストークを抑制したランド・グルーブ記録用
媒体が得られる。
【００１７】このような条件を備え、図１に示す構成で
成膜した記録媒体のＣＮＲ、およびクロストークの評価
結果を、図５のグラフに示す。具体的には、記録膜の結
晶・非晶質での位相差が０近傍となるように、記録膜３
の膜厚を２０ｎｍとし、保護膜２の膜厚を非晶質の反射
率が極小近傍となる２７０ｎｍとし、保護膜４および反
射膜５の膜厚は、それぞれ２０ｎｍおよび５０ｎｍとし
た。
成膜した記録媒体のＣＮＲ、およびクロストークの評価
結果を、図５のグラフに示す。具体的には、記録膜の結
晶・非晶質での位相差が０近傍となるように、記録膜３
の膜厚を２０ｎｍとし、保護膜２の膜厚を非晶質の反射
率が極小近傍となる２７０ｎｍとし、保護膜４および反
射膜５の膜厚は、それぞれ２０ｎｍおよび５０ｎｍとし
た。
【００１８】なお、基板におけるランド・グルーブ幅は
いずれも０．７μｍとし、保護膜２と記録膜３との界面
におけるランド・グルーブ段差ｄs は、λ／６相当の７
３ｎｍとした。再生光の波長λは６８０ｎｍ、対物レン
ズＮＡは０．６を使用して、線速６ｍ／ｓ一定とし、８
／１６変調の３Ｔ最密マークを記録した際のランド・グ
ルーブのＣＮＲを測定した。また、ランド／グルーブ／
ランドまたはグルーブ／ランド／グルーブの隣接トラッ
クの両側のトラックに１１Ｔのマークを記録した際、中
央トラックにおけるクロストークを測定した。
いずれも０．７μｍとし、保護膜２と記録膜３との界面
におけるランド・グルーブ段差ｄs は、λ／６相当の７
３ｎｍとした。再生光の波長λは６８０ｎｍ、対物レン
ズＮＡは０．６を使用して、線速６ｍ／ｓ一定とし、８
／１６変調の３Ｔ最密マークを記録した際のランド・グ
ルーブのＣＮＲを測定した。また、ランド／グルーブ／
ランドまたはグルーブ／ランド／グルーブの隣接トラッ
クの両側のトラックに１１Ｔのマークを記録した際、中
央トラックにおけるクロストークを測定した。
【００１９】記録膜の結晶・非晶質での位相差を抑え、
非晶質の反射率が極小近傍となる保護膜２の膜厚とした
ことで、ランド・グルーブのＣＮＲレベルが揃い、しか
も、クロストークのレベルも揃って、−３０ｄＢ以下で
あることが図５のグラフに示されている。
非晶質の反射率が極小近傍となる保護膜２の膜厚とした
ことで、ランド・グルーブのＣＮＲレベルが揃い、しか
も、クロストークのレベルも揃って、−３０ｄＢ以下で
あることが図５のグラフに示されている。
【００２０】図６には、波長６８０ｎｍの際の上述の層
構成としたときの、保護膜−記録膜界面におけるランド
・グルーブの段差ｄs を変えたときのクロストークを示
す。なお、段差ｄs の寸法は、ディスクをトラックの半
径方向に切断して、ミクロトームにて切断断面の薄片を
作製し、透過型電子顕微鏡にて観察することによって測
定した。
構成としたときの、保護膜−記録膜界面におけるランド
・グルーブの段差ｄs を変えたときのクロストークを示
す。なお、段差ｄs の寸法は、ディスクをトラックの半
径方向に切断して、ミクロトームにて切断断面の薄片を
作製し、透過型電子顕微鏡にて観察することによって測
定した。
【００２１】この場合でも、保護膜−記録膜界面におけ
る段差ｄs がλ／６ｎ〜λ／５ｎの範囲内にあるとき
に、クロストークが−３０ｄＢ以下に抑えられた。 （実施例６）実施例１において説明したように基板１上
に保護膜２が成膜された後には、基板のグルーブ深さｄ
k は、必ずしも保護膜−記録膜界面におけるランド・グ
ルーブの段差ｄs に反映されない。例えば、保護膜を成
膜する際に極端に斜め方向からスパッタ成膜されると、
基板グルーブの凹凸がマスクとして作用して、グルーブ
で薄く、一方ランドでは厚く保護膜が成膜される。した
がってこの場合には、基板のグルーブ深さｄk よりも、
保護膜−記録膜界面におけるランド・グルーブの段差ｄ
s の方が大きな値となる。ｄk ＝ｄs とするためには、 θ＝ａｒｃｔａｎ（ｄk ／Ｔg ） Ｔｇ：グルー
ブ幅 を満足する入射角θ以上に設定することが必要である。
る段差ｄs がλ／６ｎ〜λ／５ｎの範囲内にあるとき
に、クロストークが−３０ｄＢ以下に抑えられた。 （実施例６）実施例１において説明したように基板１上
に保護膜２が成膜された後には、基板のグルーブ深さｄ
k は、必ずしも保護膜−記録膜界面におけるランド・グ
ルーブの段差ｄs に反映されない。例えば、保護膜を成
膜する際に極端に斜め方向からスパッタ成膜されると、
基板グルーブの凹凸がマスクとして作用して、グルーブ
で薄く、一方ランドでは厚く保護膜が成膜される。した
がってこの場合には、基板のグルーブ深さｄk よりも、
保護膜−記録膜界面におけるランド・グルーブの段差ｄ
s の方が大きな値となる。ｄk ＝ｄs とするためには、 θ＝ａｒｃｔａｎ（ｄk ／Ｔg ） Ｔｇ：グルー
ブ幅 を満足する入射角θ以上に設定することが必要である。
【００２２】以下、図７および８を参照して、スパッタ
材の入射角θについて説明する。図７は、基板の断面を
模式的に示した図であり、スパッタ材が斜め方向から入
射する場合には、ランドが壁となってθ＜ａｒｃｔａｎ
（ｄk ／Ｔg ）の条件でグルーブがマスクされた状態と
なる。したがって、グルーブで薄く、一方ランドでは厚
く保護膜が形成される。
材の入射角θについて説明する。図７は、基板の断面を
模式的に示した図であり、スパッタ材が斜め方向から入
射する場合には、ランドが壁となってθ＜ａｒｃｔａｎ
（ｄk ／Ｔg ）の条件でグルーブがマスクされた状態と
なる。したがって、グルーブで薄く、一方ランドでは厚
く保護膜が形成される。
【００２３】また、図８は、スパッタ装置の概要を表わ
したもので、保護膜のターゲット材８に対する基板の配
置を示す。ｄk ＝ｄs となるように保護膜を形成するた
めには、ターゲット材８と基板１との配置角度θs 、す
なわち、ターゲット材８から基板１にスパッタ材が向か
う方向と、基板１の主面とのなす角度が、 θs ＜ａｒｃｔａｎ（ｄk ／Ｔg ） であることが必要である。
したもので、保護膜のターゲット材８に対する基板の配
置を示す。ｄk ＝ｄs となるように保護膜を形成するた
めには、ターゲット材８と基板１との配置角度θs 、す
なわち、ターゲット材８から基板１にスパッタ材が向か
う方向と、基板１の主面とのなす角度が、 θs ＜ａｒｃｔａｎ（ｄk ／Ｔg ） であることが必要である。
【００２４】なお、図８に示すようにスパッタ装置にお
いては、真空容器１１内に、ターゲット材８、ターゲッ
トに印加するＲＦまたはＤＣ電源１３、ターゲットのシ
ールド材９、基板１を固定する基板ホルダー１０、およ
び基板を回転させるモーター１２（基板は接地されてい
る）が設けられており、真空容器１１内は排気装置１４
にて所定の真空度に排気される。基板上に保護膜を成膜
するに当たっては、Ａｒガスボンベ１５からスパッタガ
スを導入し、ターゲット基板間に所定の電圧を印加して
スパッタを行なう。
いては、真空容器１１内に、ターゲット材８、ターゲッ
トに印加するＲＦまたはＤＣ電源１３、ターゲットのシ
ールド材９、基板１を固定する基板ホルダー１０、およ
び基板を回転させるモーター１２（基板は接地されてい
る）が設けられており、真空容器１１内は排気装置１４
にて所定の真空度に排気される。基板上に保護膜を成膜
するに当たっては、Ａｒガスボンベ１５からスパッタガ
スを導入し、ターゲット基板間に所定の電圧を印加して
スパッタを行なう。
【００２５】上述のように所定の角度でターゲット材を
配置して、スパッタ材を基板に入射することにより、ラ
ンドおよびグルーブにおいてほぼ等しい膜厚の保護膜が
形成される。 （実施例７）図１に示されるように基板側から入射した
光ビームは、記録膜でフォーカスするので、記録膜の基
板側、すなわち記録膜の前面において、ランドおよびグ
ルーブの幅が等しいことが好ましい。
配置して、スパッタ材を基板に入射することにより、ラ
ンドおよびグルーブにおいてほぼ等しい膜厚の保護膜が
形成される。 （実施例７）図１に示されるように基板側から入射した
光ビームは、記録膜でフォーカスするので、記録膜の基
板側、すなわち記録膜の前面において、ランドおよびグ
ルーブの幅が等しいことが好ましい。
【００２６】なお、基板１上に保護膜２を成膜した場合
には、図９に示すように、保護膜の厚さが厚くなるにし
たがって、保護膜２表面におけるグルーブ幅が狭くな
り、一方ランド幅は広くなる。すなわち、基板のグルー
ブ幅をｌG 、ランド幅をｌL 、記録膜前面のグルーブ幅
をｆG 、ランド幅をｆL とすると、 ｆG ＜ｌG ，ｆL ＞ｌL となる。ランド・グルーブ記録においてはランドとグル
ーブの再生信号レベルを揃えることが好ましく、これを
達成するには、記録膜前面でｆG ＝ｆL とすることが必
要である。基板において予めｌG ＞ｌL と設定すれば、
保護膜を成膜した後には、そのランド幅およびグルーブ
幅をほぼ等しくすることができる。すなわち、基板のト
ラックピッチが一定の場合、ランド幅よりグルーブ幅を
広く形成し、保護膜成膜後の記録膜前面において、ラン
ド幅とグルーブ幅とが等しくなるようにすればよい。
には、図９に示すように、保護膜の厚さが厚くなるにし
たがって、保護膜２表面におけるグルーブ幅が狭くな
り、一方ランド幅は広くなる。すなわち、基板のグルー
ブ幅をｌG 、ランド幅をｌL 、記録膜前面のグルーブ幅
をｆG 、ランド幅をｆL とすると、 ｆG ＜ｌG ，ｆL ＞ｌL となる。ランド・グルーブ記録においてはランドとグル
ーブの再生信号レベルを揃えることが好ましく、これを
達成するには、記録膜前面でｆG ＝ｆL とすることが必
要である。基板において予めｌG ＞ｌL と設定すれば、
保護膜を成膜した後には、そのランド幅およびグルーブ
幅をほぼ等しくすることができる。すなわち、基板のト
ラックピッチが一定の場合、ランド幅よりグルーブ幅を
広く形成し、保護膜成膜後の記録膜前面において、ラン
ド幅とグルーブ幅とが等しくなるようにすればよい。
【００２７】なお、大野等では、保護膜の膜厚を考慮せ
ずに基板のランド幅およびグルーブ幅に着目して、ｌG
＝ｌL と設定しているので、保護膜を成膜後の記録膜前
面ではｆG ＜ｆL となる。このため、ランド・グルーブ
においてランドの信号レベルがグルーブより上がってし
まっている。 （実施例８）図１０には、上述のような条件のランドを
有する基板上に、実施例５と同様の層構成で成膜して形
成されたディスクの記録特性を、実施例５と同様の評価
系での評価した結果を示す。
ずに基板のランド幅およびグルーブ幅に着目して、ｌG
＝ｌL と設定しているので、保護膜を成膜後の記録膜前
面ではｆG ＜ｆL となる。このため、ランド・グルーブ
においてランドの信号レベルがグルーブより上がってし
まっている。 （実施例８）図１０には、上述のような条件のランドを
有する基板上に、実施例５と同様の層構成で成膜して形
成されたディスクの記録特性を、実施例５と同様の評価
系での評価した結果を示す。
【００２８】なお、基板のグルーブ幅は０．７４μｍ、
ランド幅は０．６６μｍであり、この基板上に保護膜２
を成膜した後の記録膜３の前面のグルーブ幅とランド幅
は、ほぼ等しく約０．７μｍであった。このディスクの
ＣＮＲは、図１０のグラフに示すようにランド、グルー
ブともほとんど同じであった。
ランド幅は０．６６μｍであり、この基板上に保護膜２
を成膜した後の記録膜３の前面のグルーブ幅とランド幅
は、ほぼ等しく約０．７μｍであった。このディスクの
ＣＮＲは、図１０のグラフに示すようにランド、グルー
ブともほとんど同じであった。
【００２９】図１１には、基板のグルーブ幅とランド幅
とを等しくする以外は、上述と同様にしてこの基板上に
成膜した記録媒体について同様の評価を行なった結果を
示す。すなわち、ｌG ＝ｌL としているので、保護膜を
成膜後の記録膜前面においてはｆG ＜ｆL となり、この
場合には、ランドのＣＮＲがグルーブよりも５ｄＢ程度
高くなっていることがわかる。 （実施例９）以上の実施例においては、ランド・グルー
ブの段差の深さやその幅に着目して本発明のランド・グ
ルーブ記録用情報記録媒体を説明したが、本発明はこれ
に限定されるものではない。以下に、本発明のランド・
グルーブ記録用情報記録媒体の他の例を説明する。
とを等しくする以外は、上述と同様にしてこの基板上に
成膜した記録媒体について同様の評価を行なった結果を
示す。すなわち、ｌG ＝ｌL としているので、保護膜を
成膜後の記録膜前面においてはｆG ＜ｆL となり、この
場合には、ランドのＣＮＲがグルーブよりも５ｄＢ程度
高くなっていることがわかる。 （実施例９）以上の実施例においては、ランド・グルー
ブの段差の深さやその幅に着目して本発明のランド・グ
ルーブ記録用情報記録媒体を説明したが、本発明はこれ
に限定されるものではない。以下に、本発明のランド・
グルーブ記録用情報記録媒体の他の例を説明する。
【００３０】図１２は、本発明の情報記録媒体を模式的
に示した平面図であり、例えば、ランド・グルーブの切
り替え部１７、切り替えのない部分１８にアドレスマー
クが形成されている。ここで、切り替えのない部分１８
および切り替え部１７の拡大図を、それぞれ図１３およ
び１４に示し、さらに、アドレスマーク部の拡大図を図
１５に示す。
に示した平面図であり、例えば、ランド・グルーブの切
り替え部１７、切り替えのない部分１８にアドレスマー
クが形成されている。ここで、切り替えのない部分１８
および切り替え部１７の拡大図を、それぞれ図１３およ
び１４に示し、さらに、アドレスマーク部の拡大図を図
１５に示す。
【００３１】図１５に示すように、アドレスマークにお
いては、単一周期でピット１９が形成されている。ピッ
トはグルーブに相当し、一方、ピット間はランドに相当
するので、保護膜と記録膜との界面において、このピッ
トの幅と間隔とを所定の関係に規定することによって上
述と同様の効果を得ることができる。
いては、単一周期でピット１９が形成されている。ピッ
トはグルーブに相当し、一方、ピット間はランドに相当
するので、保護膜と記録膜との界面において、このピッ
トの幅と間隔とを所定の関係に規定することによって上
述と同様の効果を得ることができる。
【００３２】図１６は、複数のピットの拡大図を示す図
である。保護膜と記録膜との界面において、トラック方
向でのピットの幅Ｇ1 と、この方向でのピットの間隔Ｌ
1 とをほぼ等しくすることによって、保護膜−記録膜界
面におけるランドおよびグルーブの幅をほぼ等しくした
場合と同様の効果が得られる。
である。保護膜と記録膜との界面において、トラック方
向でのピットの幅Ｇ1 と、この方向でのピットの間隔Ｌ
1 とをほぼ等しくすることによって、保護膜−記録膜界
面におけるランドおよびグルーブの幅をほぼ等しくした
場合と同様の効果が得られる。
【００３３】この場合、基板上では、トラック方向のピ
ットの幅Ｇ1 ´と、この方向でのピットの間隔Ｌ1 ´と
は、Ｇ1 ´＜Ｌ1 ´の関係を満たしている。なお、保護
膜と記録膜との界面おけるトラックに垂直な方向につい
ては、図１３および１４に示されるように、マークの幅
およびその間隔は、それぞれＧ2 およびＬ2 で表わさ
れ、マークの幅Ｇ2 の２倍を間隔Ｌ2 にほぼ等しくする
ことによって、上述と同様の効果が得られる。
ットの幅Ｇ1 ´と、この方向でのピットの間隔Ｌ1 ´と
は、Ｇ1 ´＜Ｌ1 ´の関係を満たしている。なお、保護
膜と記録膜との界面おけるトラックに垂直な方向につい
ては、図１３および１４に示されるように、マークの幅
およびその間隔は、それぞれＧ2 およびＬ2 で表わさ
れ、マークの幅Ｇ2 の２倍を間隔Ｌ2 にほぼ等しくする
ことによって、上述と同様の効果が得られる。
【００３４】この場合、基板上では、トラックに垂直な
方向のピットの幅Ｇ2 ´と、この方向でのピットの間隔
Ｌ2 ´とは、２Ｇ2 ´＜Ｌ2 ´の関係を満たしている。 （実施例１０）以上の例では、基板上に保護膜を設けた
構成の記録媒体を例に挙げて説明したが、本発明はそれ
に限定されるものではない。本発明のランド・グルーブ
記録用情報記録媒体においては、記録面前面のランド幅
やグルーブ幅、ランド・グルーブ段差、およびピットの
幅とその間隔が要件であるので、記録膜前面に、複数の
保護膜が積層されていてもかまわない。さらに、保護膜
が半透明膜と誘電体膜との積層構造、あるいは混合物に
より構成される場合に対しても適用できるものである。
方向のピットの幅Ｇ2 ´と、この方向でのピットの間隔
Ｌ2 ´とは、２Ｇ2 ´＜Ｌ2 ´の関係を満たしている。 （実施例１０）以上の例では、基板上に保護膜を設けた
構成の記録媒体を例に挙げて説明したが、本発明はそれ
に限定されるものではない。本発明のランド・グルーブ
記録用情報記録媒体においては、記録面前面のランド幅
やグルーブ幅、ランド・グルーブ段差、およびピットの
幅とその間隔が要件であるので、記録膜前面に、複数の
保護膜が積層されていてもかまわない。さらに、保護膜
が半透明膜と誘電体膜との積層構造、あるいは混合物に
より構成される場合に対しても適用できるものである。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ランドとグルーブとでの再生信号レベルを揃えることが
でき、ランドとグルーブで２値化が容易となり、ドライ
ブへの負荷が低減されたランド・グルーブ記録用情報記
録媒体が提供される。
ランドとグルーブとでの再生信号レベルを揃えることが
でき、ランドとグルーブで２値化が容易となり、ドライ
ブへの負荷が低減されたランド・グルーブ記録用情報記
録媒体が提供される。
【００３６】かかる記録媒体は、層構成が変化してもそ
れに対応してクロストークを低減することが可能である
ので、膜の層構成によってランドとグルーブとで再生信
号レベルに違いを生じたり、ランド・グルーブ記録でク
ロストークが発生するといった、従来の記録媒体の問題
を全て解決することができ、その工業的価値は絶大であ
る。
れに対応してクロストークを低減することが可能である
ので、膜の層構成によってランドとグルーブとで再生信
号レベルに違いを生じたり、ランド・グルーブ記録でク
ロストークが発生するといった、従来の記録媒体の問題
を全て解決することができ、その工業的価値は絶大であ
る。
【図１】本発明のランド・グルーブ記録用情報記録媒体
の一例を模式的に示す断面図。
の一例を模式的に示す断面図。
【図２】保護膜の膜厚と反射率との関係を示すグラフ
図。
図。
【図３】保護膜の膜厚と反射率との関係を示すグラフ
図。
図。
【図４】記録膜の膜厚と、反射率および位相変化との関
係を示すグラフ図。
係を示すグラフ図。
【図５】記録ピークパワーとＣＮＲとの関係を示すグラ
フ図。
フ図。
【図６】ランド・グルーブの段差と、クロストークとの
関係を示すグラフ図。
関係を示すグラフ図。
【図７】基板の断面を模式的に示す図。
【図８】基板上に保護膜を成膜するためのスパッタ装置
を示す模式図。
を示す模式図。
【図９】基板上に保護膜を成膜した後の状態を模式的に
示す断面図。
示す断面図。
【図１０】本発明の記録媒体の記録特性を示すグラフ
図。
図。
【図１１】比較例の記録媒体の記録特性を示すグラフ
図。
図。
【図１２】記録媒体を示す模式図。
【図１３】アドレスマーク領域を示す拡大図。
【図１４】ランド・グルーブ切り替え部におけるアドレ
スマーク領域を示す拡大図。
スマーク領域を示す拡大図。
【図１５】ピットを示す拡大図。
【図１６】トラック方向のピットの幅とその間隔とを説
明する図。
明する図。
【符号の説明】 １…基板 ２，４…保護膜 ３…記録膜 ５…反射膜 ６…オーバーコート膜 ７…光ビーム ８…ターゲット材 ９…シールド材 １０…基板ホルダー １１…真空容器 １２…モーター １３…ＲＦ電源 １４…排気装置 １５…Ａｒガスボンベ １６…記録媒体 １７…ランド・グルーブ切り替え部 １９…ピット。
Claims (24)
- 【請求項１】 ランド・グルーブを有する基板、および
この基板上に形成され、結晶状態と非晶質状態との間の
相変化を生じ得る記録膜を具備し、前記記録膜の前面に
おけるランドとグルーブとの段差が、下記式（１）で表
わされる範囲内であることを特徴とするランド・グルー
ブ記録用情報記録媒体。 λ／（６ｎ）≦ｄs ≦λ／（５ｎ） （１） （ここで、ｄs は、記録膜の前面におけるランドとグル
ーブとの段差、λは再生で用いる光ビームの波長であ
り、ｎは基板の屈折率である。） - 【請求項２】 前記基板と記録膜との間に保護膜を具備
し、この保護膜の膜厚は、前記記録膜が非晶質状態の際
の反射率が極小近傍となる膜厚である請求項１に記載の
ランド・グルーブ記録用情報記録媒体。 - 【請求項３】 前記保護膜は膜厚５０〜１５０ｎｍの使
用される光ビームの波長における屈折率が１．５〜２．
５の誘電体からなる膜であり、前記記録膜の前面に段差
７０〜９０ｎｍのランド・グルーブを有し、波長６００
〜７００ｎｍの光ビームで再生される請求項２に記載の
ランド・グルーブ記録用情報記録媒体。 - 【請求項４】 ランド・グルーブを有する基板、この基
板上に順次形成された保護膜、および結晶状態と非晶質
状態との間の相変化を生じ得る記録膜を具備し、前記記
録膜と保護膜との界面におけるランドとグルーブとの段
差が、下記式（１）で表わされる範囲内であることを特
徴とするランド・グルーブ記録用情報記録媒体。 λ／（６ｎ）≦ｄs ≦λ／（５ｎ） （１） （ここで、ｄs は、記録膜と保護膜との界面におけるラ
ンドとグルーブとの段差、λは再生で用いる光ビームの
波長であり、ｎは基板の屈折率である。） - 【請求項５】 前記保護膜の膜厚は、前記記録膜が結晶
状態の際の反射率が極小近傍となる膜厚である請求項４
に記載のランド・グルーブ記録用情報記録媒体。 - 【請求項６】 前記保護膜は膜厚１５〜１５０ｎｍの使
用される光ビームの波長における屈折率が１．５〜２．
５の誘電体からなる膜であり、前記記録膜と保護膜との
界面におけるランドとグルーブとの段差が７０ｎｍ〜９
０ｎｍであり、波長６００〜７００ｎｍの光ビームで再
生される請求項５に記載のランド・グルーブ記録用情報
記録媒体。 - 【請求項７】 ランド・グルーブを有する基板、この基
板上に順次形成された保護膜、および結晶状態と非晶質
状態との間の相変化を生じ得る記録膜を具備し、前記保
護膜の膜厚は１５０ｎｍ以上であり、前記記録膜と保護
膜との界面におけるランドとグルーブとの段差が、下記
式（１）で表わされる範囲内であることを特徴とするラ
ンド・グルーブ記録用情報記録媒体。 λ／（６ｎ）≦ｄs ≦λ／（５ｎ） （１） （ここで、ｄs は、記録膜と保護膜との界面におけるラ
ンドとグルーブとの段差、λは再生で用いる光ビームの
波長であり、ｎは基板の屈折率である。） - 【請求項８】 前記保護膜の膜厚は、この保護膜の膜厚
変化に伴った記録膜の反射率の周期的変化において、前
記記録膜が結晶状態または非晶質状態の際の反射率が極
小近傍となる第２周期の膜厚である請求項７に記載のラ
ンド・グルーブ記録用情報記録媒体。 - 【請求項９】 前記保護膜は膜厚２２０〜３２０ｎｍ近
傍の使用される光ビームの波長における屈折率が１．５
〜２．５の誘電体からなる膜であり、前記記録膜と保護
膜との界面におけるランドとグルーブとの段差が７０〜
９０ｎｍであり、波長６００〜７００ｎｍの光ビームで
再生される請求項８に記載のランド・グルーブ記録用情
報記録媒体。 - 【請求項１０】 ランド・グルーブを有する基板、およ
びこの基板上に形成され、結晶状態と非晶質状態との間
の相変化を生じ得る記録膜を具備し、前記記録膜の基板
側におけるランドとグルーブとの段差が下記式（１）で
表わされる範囲内であり、かつ、前記記録膜の結晶・非
晶質の位相変化が生じない層構成であることを特徴とす
るランド・グルーブ記録用情報記録媒体。 λ／（６ｎ）≦ｄs ≦λ／（５ｎ） （１） （ここで、ｄs は、記録膜の基板側におけるランドとグ
ルーブとの段差、λは再生で用いる光ビームの波長であ
り、ｎは基板の屈折率である。） - 【請求項１１】 前記基板と記録膜との間に保護膜を具
備し、この保護膜の膜厚は、前記記録膜が非晶質または
結晶状態の際の反射率が極小近傍となる膜厚である請求
項１０に記載のランド・グルーブ記録用情報記録媒体。 - 【請求項１２】 前記保護膜は膜厚５０〜１５０ｎｍま
たは２２０〜３２０ｎｍの使用される光ビームの波長で
の屈折率が１．５〜２．５の誘電体からなる膜であり、
前記記録膜の膜厚は１０〜３０ｎｍであって、この記録
膜と保護膜との界面におけるランドとグルーブとの段差
が７０〜９０ｎｍの間であり、波長６００〜７００ｎｍ
の光ビームで再生される請求項１１に記載のランド・グ
ルーブ記録用情報記録媒体。 - 【請求項１３】 ランド・グルーブを有する基板、この
基板上に順次形成された保護膜および記録膜を具備し、
前記保護膜の厚さは、ランドおよびグルーブにおいてほ
ぼ等しいことを特徴とするランド・グルーブ記録用情報
記録媒体。 - 【請求項１４】 ランド・グルーブを有する基板、この
基板上に順次形成された保護膜および記録膜を具備し、
前記基板のグルーブ深さと、保護膜−記録膜界面におけ
るランド・グルーブの段差とがほぼ等しいことを特徴と
するランド・グルーブ記録用情報記録媒体。 - 【請求項１５】 ランド・グルーブを有する基板、この
基板上に順次形成された保護膜および記録膜を具備し、
前記記録膜−保護膜界面におけるランド幅とグルーブ幅
とがほぼ等しいことを特徴とするランド・グルーブ記録
用情報記録媒体。 - 【請求項１６】 前記基板のグルーブ幅はランド幅より
広い請求項１５に記載のランド・グルーブ記録用情報記
録媒体。 - 【請求項１７】 前記基板のグルーブ幅は、ランド幅の
１．０５〜１．１５倍であり、前記保護膜−記録膜界面
におけるランド幅とグルーブ幅との比は０．８５〜１．
１５μｍであり、前記保護膜−記録膜界面におけるラン
ドとグルーブの段差の深さは７０〜９０ｎｍであり、波
長６００〜７００ｎｍの光ビームで再生されるランド・
グルーブ記録用情報記録媒体。 - 【請求項１８】 ランド・グルーブを有する基板、この
基板上に順次形成された保護膜および記録膜を具備し、
アドレスマーク中の単一周期で記録された部分における
トラック方向のピットの幅およびその間隔は、前記保護
膜と記録膜との界面では、ほぼ等しいことを特徴とする
ランド・グルーブ記録用情報記録媒体。 - 【請求項１９】 前記アドレスマーク中の単一周期で記
録された部分におけるトラック方向のピットの幅および
その間隔は、前記基板上では下記式（２）で表わされる
関係を満たす請求項１８に記載のランド・グルーブ記録
用情報記録媒体。 Ｇl ´＜Ｌl ´ （２） （ここで、Ｇl ´は、基板上のトラック方向のピットの
幅であり、Ｌl ´は基板上のトラック方向のピットの間
隔である。） - 【請求項２０】 ランド・グルーブを有する基板、この
基板上に順次形成された保護膜および記録膜を具備し、
前記保護膜と記録膜との界面において、トラックに直交
する方向でのアドレスマークの幅は、この方向で隣接し
たマークの間隔の約１／２であることを特徴とするラン
ド・グルーブ記録用情報記録媒体。 - 【請求項２１】 前記トラックに直交する方向でのアド
レスマークの幅およびその間隔は、前記基板上において
下記式（３）で表わされる関係を満たす請求項２０に記
載のランド・グルーブ記録用情報記録媒体。 ２Ｇ2 ´＜Ｌ2 ´ （３） （ここで、Ｇ2 ´は、基板上のトラックに直交した方向
でのアドレスマークの幅であり、Ｌ2 ´は基板上のトラ
ックに直交した方向でのマークの間隔である。） - 【請求項２２】 ランド・グルーブ切り替え部を有し、
前記アドレスマークは、このランド・グルーブ切り替え
部に形成されたマークである請求項１８ないし２１のい
ずれか１項に記載のランド・グルーブ記録用情報記録媒
体。 - 【請求項２３】 ランド・グルーブを有する基板上にス
パッタ法により保護膜を成膜する方法であって、下記式
（４）の関係で表わされる入射角でスパッタ材を入射す
ることを特徴とする成膜方法。 θ＞ａｒｃｔａｎ（ｄk ／Ｔg ） （４） （ここで、θは基板へのスパッタ材の入射角、ｄk は基
板のグルーブ深さ、Ｔgは基板のグルーブ幅である。） - 【請求項２４】 ランド・グルーブを有する基板上にス
パッタ法により保護膜を成膜する装置であって、下記式
（５）で表わされる関係を満たす角度をもってスパッタ
材が基板に入射するようにターゲット材が配置されてい
ることを特徴とする成膜装置。 θs ＞ａｒｃｔａｎ（ｄk ／Ｔg ） （５） （ここで、θs は、ターゲット材から基板にスパッタ材
が向かう方向と基板の主面とのなす配置角度、ｄk は基
板のグルーブ深さ、Ｔg は基板のグルーブ幅である。）
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8218682A JPH1064120A (ja) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | ランド・グルーブ記録用情報記録媒体 |
| EP97113904A EP0825590A3 (en) | 1996-08-20 | 1997-08-12 | Information recording medium adapted for use in land groove recording |
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