JP3433651B2 - 光磁気記録媒体及びその記録再生方法 - Google Patents
光磁気記録媒体及びその記録再生方法Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光磁気記録媒体に関
する。
する。
【０００２】
【従来の技術】光磁気記録媒体は大容量かつ低コストの
書換え可能な情報記録媒体であり、コンピューターの外
部記憶装置に使用される光磁気（ＭＯ）ディスク、音楽
の録音等に使用されるＭＤ（Mini Disk ）等として普及
している。近年、社会の情報量の増大に伴いさらなる大
容量化・高密度化が望まれているが、情報の記録密度を
向上するために検討されている各手法の中で、記録トラ
ックのトラックピッチを小さくしトラック密度を上げる
狭トラックピッチ化は最も有力な手段のひとつである。
書換え可能な情報記録媒体であり、コンピューターの外
部記憶装置に使用される光磁気（ＭＯ）ディスク、音楽
の録音等に使用されるＭＤ（Mini Disk ）等として普及
している。近年、社会の情報量の増大に伴いさらなる大
容量化・高密度化が望まれているが、情報の記録密度を
向上するために検討されている各手法の中で、記録トラ
ックのトラックピッチを小さくしトラック密度を上げる
狭トラックピッチ化は最も有力な手段のひとつである。
【０００３】ところで、光磁気記録媒体のトラックは通
常螺旋状、あるいは同心円状に刻まれた溝部に沿って形
成され、記録再生を行う光ピックアップはこの溝部から
の回折光によりサーボ信号を得てトラックにサーボを行
う。すなわち、光ピックアップは溝部あるいは溝間部の
いずれかの上を追従して走査し、溝に沿って記録再生が
行われる。従来の光磁気ディスクは、断面がＶ字型で深
さがλ／８（λは再生レーザー光波長）程度の溝部が螺
旋状に設けられ、溝部からの反射光によりサーボ信号を
得て、溝間部に信号の記録を行っていた。基板作成のた
めの原盤（スタンパー）を作成するにはガラス上にフォ
トレジストを塗布し、レーザー光で露光するのである
が、Ｖ字型の溝部を得るために、フォトレジストがその
厚みの中途まで感光するような光強度で露光を行ってい
た。
常螺旋状、あるいは同心円状に刻まれた溝部に沿って形
成され、記録再生を行う光ピックアップはこの溝部から
の回折光によりサーボ信号を得てトラックにサーボを行
う。すなわち、光ピックアップは溝部あるいは溝間部の
いずれかの上を追従して走査し、溝に沿って記録再生が
行われる。従来の光磁気ディスクは、断面がＶ字型で深
さがλ／８（λは再生レーザー光波長）程度の溝部が螺
旋状に設けられ、溝部からの反射光によりサーボ信号を
得て、溝間部に信号の記録を行っていた。基板作成のた
めの原盤（スタンパー）を作成するにはガラス上にフォ
トレジストを塗布し、レーザー光で露光するのである
が、Ｖ字型の溝部を得るために、フォトレジストがその
厚みの中途まで感光するような光強度で露光を行ってい
た。
【０００４】この場合、サーボ信号振幅は溝間部幅と溝
部幅の比が１：１に近いほど大きくなり、また溝深さが
深い（λ／４に近い）ほど大きくなる。上述した狭トラ
ックピッチ化は、より高い記録密度を達成するための有
力な手段であるが、単純にトラックピッチを狭くすると
記録を行う溝間部または溝部の幅が減少し、再生時の信
号強度が低下してしまう。このため、例えば溝間部を記
録トラックとする場合には、溝部幅をできるだけ狭く
し、広い溝間部幅を確保する必要がある。さらに、溝部
幅を狭くしても十分なサーボ信号が得られるよう、溝深
さを深くしλ／４に近づける必要がある。しかしなが
ら、Ｖ字型の狭くかつ深い溝部を形成することは技術的
に極めて困難であり、その結果サーボ信号の強度は低下
し、トラッキングが不安定な状態となってしまう。
部幅の比が１：１に近いほど大きくなり、また溝深さが
深い（λ／４に近い）ほど大きくなる。上述した狭トラ
ックピッチ化は、より高い記録密度を達成するための有
力な手段であるが、単純にトラックピッチを狭くすると
記録を行う溝間部または溝部の幅が減少し、再生時の信
号強度が低下してしまう。このため、例えば溝間部を記
録トラックとする場合には、溝部幅をできるだけ狭く
し、広い溝間部幅を確保する必要がある。さらに、溝部
幅を狭くしても十分なサーボ信号が得られるよう、溝深
さを深くしλ／４に近づける必要がある。しかしなが
ら、Ｖ字型の狭くかつ深い溝部を形成することは技術的
に極めて困難であり、その結果サーボ信号の強度は低下
し、トラッキングが不安定な状態となってしまう。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】これを解決するため、
溝部の断面形状を平坦な底面をもつ、すなわち矩形溝と
して形成することが提案されている。この場合は溝部と
溝間部の反射光が非常に効率良く干渉するため、前述の
Ｖ字型の溝部と比べて溝部幅が狭くとも良好なサーボ信
号を得ることが可能である。従って、Ｖ字型の溝部に比
べ狭トラックピッチを実現できる。
溝部の断面形状を平坦な底面をもつ、すなわち矩形溝と
して形成することが提案されている。この場合は溝部と
溝間部の反射光が非常に効率良く干渉するため、前述の
Ｖ字型の溝部と比べて溝部幅が狭くとも良好なサーボ信
号を得ることが可能である。従って、Ｖ字型の溝部に比
べ狭トラックピッチを実現できる。
【０００６】さらにＶ字型の溝部の場合は、先に述べた
様にフォトレジストの中途で感光を停止させて作成する
ので、溝部の内部にフォトレジストの粒による微細な凹
凸が生じ、これが再生信号にノイズを発生していた。溝
部を矩形溝とすることで、溝部の底部はほぼ完全に平坦
となり、再生信号のノイズが著しく低減される。一方光
磁気ディスクでは、従来より基板の複屈折や層構成に起
因する反射光の楕円化の問題が指摘されてきた。光磁気
ディスクに直線偏光を入射した場合、反射偏光には入射
方向成分（以下Ｐ波と呼ぶ）と、磁性膜の光磁気効果に
より発生する、入射光に対して垂直方向の成分（以下Ｓ
波と呼ぶ）とが現れる。ここで磁化方向によって変化す
るのは垂直方向成分である。情報は、両者が合成された
偏光面の傾き（カー回転角）によって検出される。
様にフォトレジストの中途で感光を停止させて作成する
ので、溝部の内部にフォトレジストの粒による微細な凹
凸が生じ、これが再生信号にノイズを発生していた。溝
部を矩形溝とすることで、溝部の底部はほぼ完全に平坦
となり、再生信号のノイズが著しく低減される。一方光
磁気ディスクでは、従来より基板の複屈折や層構成に起
因する反射光の楕円化の問題が指摘されてきた。光磁気
ディスクに直線偏光を入射した場合、反射偏光には入射
方向成分（以下Ｐ波と呼ぶ）と、磁性膜の光磁気効果に
より発生する、入射光に対して垂直方向の成分（以下Ｓ
波と呼ぶ）とが現れる。ここで磁化方向によって変化す
るのは垂直方向成分である。情報は、両者が合成された
偏光面の傾き（カー回転角）によって検出される。
【０００７】ところが、ここでＰ波とＳ波の位相にずれ
があると、反射光は楕円化してカー回転角が低下してし
まう。以下このＰ波とＳ波の位相のずれを「位相差」と
呼ぶ。この楕円化は磁性層自身あるいは干渉膜、反射膜
を含めた多重反射により、あるいは光磁気記録媒体の透
明基板に複屈折がある場合においても発生する。さらに
用いるドライブがＰ波とＳ波について位相差を発生する
場合があり、楕円化はさらに助長される。
があると、反射光は楕円化してカー回転角が低下してし
まう。以下このＰ波とＳ波の位相のずれを「位相差」と
呼ぶ。この楕円化は磁性層自身あるいは干渉膜、反射膜
を含めた多重反射により、あるいは光磁気記録媒体の透
明基板に複屈折がある場合においても発生する。さらに
用いるドライブがＰ波とＳ波について位相差を発生する
場合があり、楕円化はさらに助長される。
【０００８】こういった問題を防ぐため、従来のＶ字型
溝部を持つ光磁気記録媒体においては、基板の複屈折に
起因する位相差αと、該基板上の層構成に起因する位相
差βとを打ち消し合うように調整するか、もしくは両者
をできるだけ０度に近づける試みがなされていた。とこ
ろが、ここで我々は、先に述べた様に溝部と溝間部の双
方に平坦部がある場合において、反射光において、溝部
の有無に起因した、新たな楕円化が発生することを見出
した。この発生機構について、図を用いて説明する。
溝部を持つ光磁気記録媒体においては、基板の複屈折に
起因する位相差αと、該基板上の層構成に起因する位相
差βとを打ち消し合うように調整するか、もしくは両者
をできるだけ０度に近づける試みがなされていた。とこ
ろが、ここで我々は、先に述べた様に溝部と溝間部の双
方に平坦部がある場合において、反射光において、溝部
の有無に起因した、新たな楕円化が発生することを見出
した。この発生機構について、図を用いて説明する。
【０００９】図１は、矩形溝の溝部に記録を行う場合の
位相差γの発生機構の説明図であり、基板３上に溝部１
および溝間部２が形成され、再生レーザー光４が照射さ
れている。溝間部幅をＷL 、溝部幅をＷG 、溝深さを
ｄ、再生レーザー光の半径方向スポット径をｓとする。
こういった溝部形状においては、溝間部と溝部の両方か
らの反射光が同じ方向に向かう。溝部と溝間部とでは溝
深さｄに対し２ｄの光路長の違いがあるため、両者の反
射光の間で干渉が発生しＰ波に対して大きな位相のシフ
トが発生する。
位相差γの発生機構の説明図であり、基板３上に溝部１
および溝間部２が形成され、再生レーザー光４が照射さ
れている。溝間部幅をＷL 、溝部幅をＷG 、溝深さを
ｄ、再生レーザー光の半径方向スポット径をｓとする。
こういった溝部形状においては、溝間部と溝部の両方か
らの反射光が同じ方向に向かう。溝部と溝間部とでは溝
深さｄに対し２ｄの光路長の違いがあるため、両者の反
射光の間で干渉が発生しＰ波に対して大きな位相のシフ
トが発生する。
【００１０】ところが、磁性膜の光磁気効果により発生
するＳ波に含まれる記録信号成分については溝部ないし
溝間部のいずれか一方（記録を行う方）からしか発生し
ないので、こういった干渉は受けない。この結果、Ｐ波
とＳ波の間に、溝部に起因する大きな位相差が発生す
る。この位相差を以下γとする。この位相差γにより結
果信号強度は低下し、信号対雑音比（ＣＮＲ）特性が損
なわれる。すなわち矩形溝部をもつ光磁気記録媒体で
は、α＋βを０度に近づけるだけではＣＮＲ特性の低下
を防止することは困難となる。本発明は我々が独自に見
出した上述の問題点に鑑みて成されたものであり、その
目的はＣＮＲ特性の低下が軽減された、大容量の光磁気
記録媒体およびその記録再生方法を提供することにあ
る。
するＳ波に含まれる記録信号成分については溝部ないし
溝間部のいずれか一方（記録を行う方）からしか発生し
ないので、こういった干渉は受けない。この結果、Ｐ波
とＳ波の間に、溝部に起因する大きな位相差が発生す
る。この位相差を以下γとする。この位相差γにより結
果信号強度は低下し、信号対雑音比（ＣＮＲ）特性が損
なわれる。すなわち矩形溝部をもつ光磁気記録媒体で
は、α＋βを０度に近づけるだけではＣＮＲ特性の低下
を防止することは困難となる。本発明は我々が独自に見
出した上述の問題点に鑑みて成されたものであり、その
目的はＣＮＲ特性の低下が軽減された、大容量の光磁気
記録媒体およびその記録再生方法を提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、平坦な
底面をもつ溝および平坦な溝間部を設けた透明基板上に
記録層を設けてなり、溝部又は溝間部のいずれか一方に
のみ基板側からレーザー光を照射して記録又は再生を行
う光磁気記録媒体であって、再生光における回折光の基
板による位相差α及び透明基板上の層構成による位相差
βの合計α＋βを、溝部及び溝間部からの回折光の干渉
による位相差γに対して逆符号としたことを特徴とする
光磁気記録媒体に存する。
底面をもつ溝および平坦な溝間部を設けた透明基板上に
記録層を設けてなり、溝部又は溝間部のいずれか一方に
のみ基板側からレーザー光を照射して記録又は再生を行
う光磁気記録媒体であって、再生光における回折光の基
板による位相差α及び透明基板上の層構成による位相差
βの合計α＋βを、溝部及び溝間部からの回折光の干渉
による位相差γに対して逆符号としたことを特徴とする
光磁気記録媒体に存する。
【００１２】また、本発明のいま一つの要旨は、平坦な
底面を有する溝部及び平坦な溝間部を設けた透明基板上
に、記録層を含む１以上の層を設け、溝部又は溝間部の
いずれか一方にのみ記録を行い、溝部及び溝間部による
反射光の位相差に対し、層構成による反射光の位相差と
基板による反射光の位相差との和を逆符号とした光磁気
記録媒体に対して、記録を行う溝部または溝間部の平坦
部の幅をｗa 、再生レーザー光の半径方向スポット径を
ｓとしたときに、ｗa ≦ ｓなる関係を満たす再生レー
ザー光を照射することを特徴とする光磁気記録媒体の記
録再生方法に存する。
底面を有する溝部及び平坦な溝間部を設けた透明基板上
に、記録層を含む１以上の層を設け、溝部又は溝間部の
いずれか一方にのみ記録を行い、溝部及び溝間部による
反射光の位相差に対し、層構成による反射光の位相差と
基板による反射光の位相差との和を逆符号とした光磁気
記録媒体に対して、記録を行う溝部または溝間部の平坦
部の幅をｗa 、再生レーザー光の半径方向スポット径を
ｓとしたときに、ｗa ≦ ｓなる関係を満たす再生レー
ザー光を照射することを特徴とする光磁気記録媒体の記
録再生方法に存する。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の光磁気記録媒体は、今ま
でと異なり位相差α＋βを積極的に大きくし、かつその
符号を位相差γと逆にすることで、媒体全体としての位
相差を低減することを構成とする。媒体全体としての反
射光の位相差は｜α＋β＋γ｜≦２０（度）の範囲内で
あれば、ＣＮＲの低下も小さく、媒体特性上は大きな問
題は無い。
でと異なり位相差α＋βを積極的に大きくし、かつその
符号を位相差γと逆にすることで、媒体全体としての位
相差を低減することを構成とする。媒体全体としての反
射光の位相差は｜α＋β＋γ｜≦２０（度）の範囲内で
あれば、ＣＮＲの低下も小さく、媒体特性上は大きな問
題は無い。
【００１４】しかしながら、ドライブの光ピックアップ
にも位相差があるため、より好ましくは、｜α＋β＋γ
｜≦１０（度）の範囲であれば余裕を持ったドライブ設
計ができる。さらに好ましくは、｜α＋β＋γ｜≦ ５
（度）である。なお本発明による位相差は、測定光学系
の発生する位相差をバビネ−ソレイユ位相補償板等を用
いて変化させ、記録信号の再生強度（キャリアレベル）
の最大値を取る位相差を求めることにより求まる。すな
わち、光学系の位相差が＋１０度でキャリアレベル最大
である場合は、ディスク起因の位相差は−１０度である
と判断できる。ここで、図１を用いて、再生レーザー光
の半径方向スポット径ｓと溝形状について説明する。
にも位相差があるため、より好ましくは、｜α＋β＋γ
｜≦１０（度）の範囲であれば余裕を持ったドライブ設
計ができる。さらに好ましくは、｜α＋β＋γ｜≦ ５
（度）である。なお本発明による位相差は、測定光学系
の発生する位相差をバビネ−ソレイユ位相補償板等を用
いて変化させ、記録信号の再生強度（キャリアレベル）
の最大値を取る位相差を求めることにより求まる。すな
わち、光学系の位相差が＋１０度でキャリアレベル最大
である場合は、ディスク起因の位相差は−１０度である
と判断できる。ここで、図１を用いて、再生レーザー光
の半径方向スポット径ｓと溝形状について説明する。
【００１５】図１は、平坦な底面をもつ溝部、すなわち
矩形溝の溝部に記録を行う場合の説明図であり、基板３
上に溝部１および溝間部２が形成され、再生レーザー光
４が照射されている。溝間部幅をＷL 、溝部幅をＷG 、
溝深さをｄ、再生レーザー光の半径方向スポット径をｓ
とする。再生レーザー光は基板３の溝のない側から照射
されるので、光源側から見ると溝間部２が凹となり、反
対に溝部１が凸となる。
矩形溝の溝部に記録を行う場合の説明図であり、基板３
上に溝部１および溝間部２が形成され、再生レーザー光
４が照射されている。溝間部幅をＷL 、溝部幅をＷG 、
溝深さをｄ、再生レーザー光の半径方向スポット径をｓ
とする。再生レーザー光は基板３の溝のない側から照射
されるので、光源側から見ると溝間部２が凹となり、反
対に溝部１が凸となる。
【００１６】スポット径ｓが溝部幅ＷG より小さい場
合、溝間部からの回折光がないため位相差は発生しない
が、トラッキングが行いにくくなる。レーザー光が半径
方向にずれても、溝内にあれば回折光量はあまり変化し
ないためトラッキング信号が得にくい。従って、スポッ
ト径ｓは溝幅以上であるのが好ましい。スポット径ｓが
溝幅ＷG より大きい場合は位相差γが発生する。溝部に
記録を行う場合、位相差γは負の値となる。逆に、溝間
部記録の場合には正の値となる。従って、α＋βの符号
は溝記録の場合は正とし溝間記録の場合には負とするの
がよい。
合、溝間部からの回折光がないため位相差は発生しない
が、トラッキングが行いにくくなる。レーザー光が半径
方向にずれても、溝内にあれば回折光量はあまり変化し
ないためトラッキング信号が得にくい。従って、スポッ
ト径ｓは溝幅以上であるのが好ましい。スポット径ｓが
溝幅ＷG より大きい場合は位相差γが発生する。溝部に
記録を行う場合、位相差γは負の値となる。逆に、溝間
部記録の場合には正の値となる。従って、α＋βの符号
は溝記録の場合は正とし溝間記録の場合には負とするの
がよい。
【００１７】ここで、本発明における溝形状の測定方法
について説明する。測定は、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光（波
長６３０ｎｍ）を基板の溝の付いていない側から照射
し、透過光について基板の溝により回折した０次光強度
Ｉ0 、１次光強度Ｉ1 、２次光強度Ｉ2 および回折光の
角度を測定することにより行う。
について説明する。測定は、Ｈｅ−Ｎｅレーザー光（波
長６３０ｎｍ）を基板の溝の付いていない側から照射
し、透過光について基板の溝により回折した０次光強度
Ｉ0 、１次光強度Ｉ1 、２次光強度Ｉ2 および回折光の
角度を測定することにより行う。
【００１８】Ｐをトラックピッチ、ＷG を溝部幅、ｄを
溝深さ、ｎを基板の屈折率、λをレーザー波長、θを０
次光と１次光の間の角度とした場合、溝が矩形の時に
は、 Ｐ＝λ／ｓｉｎθ となる。また、 ε＝ｗ／Ｐ、δ＝２（ｎ−１）πｄ／λ とおくと、 Ｉ2 ／Ｉ1 ＝ｃｏｓ2 （πε） Ｉ1 ／Ｉ0 ＝｛２ｓｉｎ2 （πε）（１−ｃｏｓδ）｝ ／［π2 ｛１−２ε（１−ε）（１−ｃｏｓδ）｝］
溝深さ、ｎを基板の屈折率、λをレーザー波長、θを０
次光と１次光の間の角度とした場合、溝が矩形の時に
は、 Ｐ＝λ／ｓｉｎθ となる。また、 ε＝ｗ／Ｐ、δ＝２（ｎ−１）πｄ／λ とおくと、 Ｉ2 ／Ｉ1 ＝ｃｏｓ2 （πε） Ｉ1 ／Ｉ0 ＝｛２ｓｉｎ2 （πε）（１−ｃｏｓδ）｝ ／［π2 ｛１−２ε（１−ε）（１−ｃｏｓδ）｝］
【００１９】の関係が成り立つため溝幅、溝深さが計算
できる。実際の溝形状は完全な矩形ではないが、本発明
においては溝形状は上記の測定法により溝の幅および溝
深さを一義的に決定した値を用いている。従って、実際
の溝形状が完全な矩形からずれていてもよい。本発明に
おいては、溝部または溝間部のみに記録を行うが、以下
に述べる理由から溝部に記録するのが好ましい。
できる。実際の溝形状は完全な矩形ではないが、本発明
においては溝形状は上記の測定法により溝の幅および溝
深さを一義的に決定した値を用いている。従って、実際
の溝形状が完全な矩形からずれていてもよい。本発明に
おいては、溝部または溝間部のみに記録を行うが、以下
に述べる理由から溝部に記録するのが好ましい。
【００２０】先に述べたように、基板作成のための原盤
（スタンパー）を作成するにはガラス上にフォトレジス
トを塗布し、レーザー光で露光する。矩形溝を作製する
場合はフォトレジストの底まで感光、除去するためガラ
スの精密な平坦面がそのまま溝の平坦部となる。一方、
溝間部はフォトレジストの表面がそのまま転写されるた
め、フォトレジストの粒による微細な凹凸を有してお
り、これがノイズの原因となりやすい。従って、溝部に
記録を行う方が再生信号のノイズが低く抑えられやすく
好ましい。
（スタンパー）を作成するにはガラス上にフォトレジス
トを塗布し、レーザー光で露光する。矩形溝を作製する
場合はフォトレジストの底まで感光、除去するためガラ
スの精密な平坦面がそのまま溝の平坦部となる。一方、
溝間部はフォトレジストの表面がそのまま転写されるた
め、フォトレジストの粒による微細な凹凸を有してお
り、これがノイズの原因となりやすい。従って、溝部に
記録を行う方が再生信号のノイズが低く抑えられやすく
好ましい。
【００２１】ここで位相差α及びβのいずれにおいても
位相差調整が可能であるが、複屈折に起因する位相差α
はノイズの増加を招くのでαを０に近づけ、βを調整す
ることが望ましい。通常の光磁気媒体は基板上に保護
層、記録層、干渉層、反射層の４層構成からなる。一般
的に、保護層と干渉層は透明誘電体層からなり、記録層
は磁性体からなり、反射層は高反射率を持つ金属からな
る。保護層の膜厚をｄ１、記録層の膜厚をｄ２、干渉層
の膜厚をｄ３とすれば、溝記録の場合、再生光の空気中
の波長λに対し、 λ／６ ≧ｄ１≧λ／１２ λ／１８≧ｄ２≧λ／２７ λ／１２≧ｄ３≧λ／６０ という範囲であることが好ましい。さらに好ましくは λ／７ ≧ｄ１≧λ／１１ λ／１９≧ｄ２≧λ／２６ λ／１３≧ｄ３≧λ／５０ である。
位相差調整が可能であるが、複屈折に起因する位相差α
はノイズの増加を招くのでαを０に近づけ、βを調整す
ることが望ましい。通常の光磁気媒体は基板上に保護
層、記録層、干渉層、反射層の４層構成からなる。一般
的に、保護層と干渉層は透明誘電体層からなり、記録層
は磁性体からなり、反射層は高反射率を持つ金属からな
る。保護層の膜厚をｄ１、記録層の膜厚をｄ２、干渉層
の膜厚をｄ３とすれば、溝記録の場合、再生光の空気中
の波長λに対し、 λ／６ ≧ｄ１≧λ／１２ λ／１８≧ｄ２≧λ／２７ λ／１２≧ｄ３≧λ／６０ という範囲であることが好ましい。さらに好ましくは λ／７ ≧ｄ１≧λ／１１ λ／１９≧ｄ２≧λ／２６ λ／１３≧ｄ３≧λ／５０ である。
【００２２】保護層及び干渉層は透明誘電体であり、窒
化Ｓｉ、酸化Ｔａ、酸化Ｓｉ、窒化Ａｌ、ＺｎＳ等ある
いはその複合物よりなる。屈折率は１．８以上２．４以
下が好ましい。記録層は光磁気効果を示す磁性体よりな
り、好ましくは希土類と遷移金属の合金であり、さらに
好ましくはＴｂＦｅＣｏである。反射層は高反射率の金
属よりなり、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕあるいはこれらを
ベースに１０％以下程度Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ等を添加した
ものが用いられる。コスト及び耐腐食性の点でＡｌをベ
ースにするのが好ましい。
化Ｓｉ、酸化Ｔａ、酸化Ｓｉ、窒化Ａｌ、ＺｎＳ等ある
いはその複合物よりなる。屈折率は１．８以上２．４以
下が好ましい。記録層は光磁気効果を示す磁性体よりな
り、好ましくは希土類と遷移金属の合金であり、さらに
好ましくはＴｂＦｅＣｏである。反射層は高反射率の金
属よりなり、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕあるいはこれらを
ベースに１０％以下程度Ｔｉ、Ｃｒ、Ｔａ等を添加した
ものが用いられる。コスト及び耐腐食性の点でＡｌをベ
ースにするのが好ましい。
【００２３】
【実施例】以下に実施例をもって本発明をさらに詳細に
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実
施例に限定されるものではない。
説明するが、本発明はその要旨を越えない限り以下の実
施例に限定されるものではない。
【００２４】実施例１
基板として溝幅０．６μｍ、溝間幅０．３μｍ、トラッ
クピッチ０．９μｍ、溝深さ５５ｎｍの溝を形成したポ
リカーボネート基板を用意した。溝の半径方向の断面は
ほぼ矩形であった。この基板厚さは１．２ｍｍ、屈折率
は１．５８、垂直複屈折は４５１×１０-6、面内複屈折
は２３．４×１０-6、面内複屈折の主軸と入射光の偏光
面のなす角度は４度、基板による位相差αはほぼ＋１０
度であった。
クピッチ０．９μｍ、溝深さ５５ｎｍの溝を形成したポ
リカーボネート基板を用意した。溝の半径方向の断面は
ほぼ矩形であった。この基板厚さは１．２ｍｍ、屈折率
は１．５８、垂直複屈折は４５１×１０-6、面内複屈折
は２３．４×１０-6、面内複屈折の主軸と入射光の偏光
面のなす角度は４度、基板による位相差αはほぼ＋１０
度であった。
【００２５】この基板上に保護層、記録層、干渉層、反
射層をスパッタリングにより成膜し、光磁気記録媒体を
得た。すなわち基板側より順にＴａＯｘを８５ｎｍ、Ｔ
ｂＦｅＣｏを２８ｎｍ、ＳｉＮｘを３３ｎｍ、ＡｌＴａ
を１００ｎｍ厚で形成した。それぞれλ／８、λ／２
４、λ／２１、λ／７に相当する。これら層構成による
位相差βは＋２５度であった。
射層をスパッタリングにより成膜し、光磁気記録媒体を
得た。すなわち基板側より順にＴａＯｘを８５ｎｍ、Ｔ
ｂＦｅＣｏを２８ｎｍ、ＳｉＮｘを３３ｎｍ、ＡｌＴａ
を１００ｎｍ厚で形成した。それぞれλ／８、λ／２
４、λ／２１、λ／７に相当する。これら層構成による
位相差βは＋２５度であった。
【００２６】本媒体に対して、波長（λ）６８０ｎｍ、
半径方向のスポット径１．１５μｍのレーザー光で溝上
を走査したところ、溝と溝間からの反射光（０次回折
光）の干渉による位相差γは約−３５度であった。従っ
て、位相差α＋βは＋３５度であり、基板、層構成、回
折光の干渉による位相差の合計｜α＋β＋γ｜はほぼ０
度であった。本媒体の溝部に、マーク長０．５５μｍの
信号を記録再生したところ、ＣＮＲは４９．５ｄＢであ
った。
半径方向のスポット径１．１５μｍのレーザー光で溝上
を走査したところ、溝と溝間からの反射光（０次回折
光）の干渉による位相差γは約−３５度であった。従っ
て、位相差α＋βは＋３５度であり、基板、層構成、回
折光の干渉による位相差の合計｜α＋β＋γ｜はほぼ０
度であった。本媒体の溝部に、マーク長０．５５μｍの
信号を記録再生したところ、ＣＮＲは４９．５ｄＢであ
った。
【００２７】比較例１
実施例１と同じ基板を用意し、実施例１と同様の方法
で、ＴａＯｘを８５ｎｍ、ＴｂＦｅＣｏを２１ｎｍ、Ｓ
ｉＮｘを１５ｎｍ、ＡｌＴａを７５ｎｍ厚で形成した。
それぞれλ／８、λ／３２、λ／４５、λ／９に相当す
る。これら層構成による位相差は−５度であった。本媒
体に対して、波長６８０ｎｍ、半径方向のスポット径
１．１５μｍのレーザー光で溝上を走査したところ、溝
と溝間からの反射光（０次回折光）の干渉による位相差
は約−３５度であった。従って、位相差α＋βは＋５度
であり、基板、層構成、回折光の干渉による位相差の合
計｜α＋β＋γ｜は−３０度であった。本媒体の溝部
に、マーク長０．５５μｍの信号を記録再生したとこ
ろ、ＣＮＲは４７．２ｄＢであった。このように、実施
例１は比較例１に比べ、基板と層構成により干渉光の位
相差を補償することで、２ｄＢ以上のＣＮＲ特性改善効
果が得られた。
で、ＴａＯｘを８５ｎｍ、ＴｂＦｅＣｏを２１ｎｍ、Ｓ
ｉＮｘを１５ｎｍ、ＡｌＴａを７５ｎｍ厚で形成した。
それぞれλ／８、λ／３２、λ／４５、λ／９に相当す
る。これら層構成による位相差は−５度であった。本媒
体に対して、波長６８０ｎｍ、半径方向のスポット径
１．１５μｍのレーザー光で溝上を走査したところ、溝
と溝間からの反射光（０次回折光）の干渉による位相差
は約−３５度であった。従って、位相差α＋βは＋５度
であり、基板、層構成、回折光の干渉による位相差の合
計｜α＋β＋γ｜は−３０度であった。本媒体の溝部
に、マーク長０．５５μｍの信号を記録再生したとこ
ろ、ＣＮＲは４７．２ｄＢであった。このように、実施
例１は比較例１に比べ、基板と層構成により干渉光の位
相差を補償することで、２ｄＢ以上のＣＮＲ特性改善効
果が得られた。
【００２８】
【発明の効果】本発明のごとく位相差補償を行った光磁
気記録媒体およびその記録再生方法を用いることによ
り、良好なＣＮＲ特性を得ることができる。
気記録媒体およびその記録再生方法を用いることによ
り、良好なＣＮＲ特性を得ることができる。
【図１】 位相差γの発生機構の説明図
１ 溝部
２ 溝間部
３ 基板
４ 再生レーザー光スポット
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 程原 政信
岡山県倉敷市潮通３丁目10番地 三菱化
学株式会社水島事業所内
(56)参考文献 特開 平９−330527（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−124948（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
G11B 11/105
Claims (5)
- 【請求項１】 平坦な底面を有する溝部及び平坦な溝間
部を設けた透明基板上に記録層を設け、溝部又は溝間部
のいずれか一方にのみ基板側からレーザー光を照射して
記録又は再生を行う光磁気記録媒体であって、再生光に
おける反射光の基板による位相差α及び透明基板上の層
構成による位相差βの合計α＋βを、溝部及び溝間部か
らの反射光の干渉による位相差γに対して逆符号とし、
且つ｜α＋β＋γ｜≦２０度としたことを特徴とする光
磁気記録媒体。 - 【請求項２】 記録を行う溝部または溝間部の幅を
ｗa 、再生レーザー光の半径方向スポット径をｓとした
ときにｗa ≦ ｓであることを特徴とする請求項１記載
の光磁気記録媒体。 - 【請求項３】 溝部に記録を行うことを特徴とする請求
項１又は２に記載の光磁気記録媒体。 - 【請求項４】 透明基板上に保護層、記録層、干渉層、
反射層をこの順に設けてなり、保護層の膜厚をｄ１、記
録層の膜厚をｄ２、干渉層の膜厚をｄ３、再生光の波長
をλとしたときに、 λ／６ ≧ｄ１≧λ／１２ λ／１８≧ｄ２≧λ／２７ λ／１２≧ｄ３≧λ／６０ であることを特徴とする請求項３に記載の光磁気記録媒
体。 - 【請求項５】 平坦な底面を有する溝部及び平坦な溝間
部を設けた透明基板上に記録層を設け、溝部又は溝間部
のいずれか一方にのみ記録を行い、溝部及び溝間部から
の反射光の干渉による位相差に対し透明基板上の層構成
による反射光の位相差と基板による反射光の位相差の和
を逆符号とした光磁気記録媒体に対して、記録を行う溝
部または溝間部の平坦部の幅をｗa 、再生レーザー光の
半径方向スポット径をｓとしたときに、ｗa ≦ ｓなる
関係を満たす再生レーザー光を用いることを特徴とする
光磁気記録媒体の記録再生方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20119697A JP3433651B2 (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 光磁気記録媒体及びその記録再生方法 |
| DE69840941T DE69840941D1 (de) | 1997-07-28 | 1998-07-24 | Magnetooptisches Aufzeichnungsmedium und zugehöriges Aufzeichnungs- und Wiedergabeverfahren |
| EP98113900A EP0895235B1 (en) | 1997-07-28 | 1998-07-24 | Magneto-optical recording medium and writing and readout method therefor |
| US09/122,799 US5970027A (en) | 1997-07-28 | 1998-07-27 | Magneto-optical recording medium and writing and readout method therefor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20119697A JP3433651B2 (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 光磁気記録媒体及びその記録再生方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1145470A JPH1145470A (ja) | 1999-02-16 |
| JP3433651B2 true JP3433651B2 (ja) | 2003-08-04 |
Family
ID=16436947
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20119697A Expired - Fee Related JP3433651B2 (ja) | 1997-07-28 | 1997-07-28 | 光磁気記録媒体及びその記録再生方法 |
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| Country | Link |
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| EP (1) | EP0895235B1 (ja) |
| JP (1) | JP3433651B2 (ja) |
| DE (1) | DE69840941D1 (ja) |
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| CN1224525A (zh) * | 1997-04-24 | 1999-07-28 | 松下电器产业株式会社 | 光记录媒体及所用的基板 |
| US6144631A (en) * | 1998-04-30 | 2000-11-07 | Mitsubishi Chemical Corporation | Information recording medium, and readout method and readout apparatus therefor |
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| JP2000357343A (ja) * | 1999-06-11 | 2000-12-26 | Sony Corp | 光記録媒体及び光記録媒体製造用原盤 |
| JP2001273650A (ja) * | 2000-03-29 | 2001-10-05 | Optware:Kk | 光ピックアップ装置 |
| EP1154418B1 (en) * | 2000-04-27 | 2008-07-16 | Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. | Optical recording medium |
| US20040042379A1 (en) * | 2000-10-24 | 2004-03-04 | Schoeppel Wolfgang G | Optical storage medium |
| JP4876357B2 (ja) * | 2001-09-06 | 2012-02-15 | 大日本印刷株式会社 | 文字記号部を有する基板とその文字記号部の加工方法 |
| JP2004109417A (ja) * | 2002-09-18 | 2004-04-08 | Dainippon Printing Co Ltd | 光回折構造の製造方法、複製版材、及び媒体 |
| JP2006040445A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Toshiba Corp | 光ディスク及び情報再生装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04232630A (ja) * | 1990-12-28 | 1992-08-20 | Canon Inc | 光磁気記録媒体 |
| US5414652A (en) * | 1993-08-27 | 1995-05-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Magneto-optical memory element |
| JP2878574B2 (ja) * | 1993-12-01 | 1999-04-05 | シャープ株式会社 | 光ディスク及びその再生方法 |
| WO1995029483A1 (fr) * | 1994-04-23 | 1995-11-02 | Sony Corporation | Support d'enregistrement et tete d'enregistrement magneto-optiques |
| JP3429877B2 (ja) * | 1994-12-27 | 2003-07-28 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体およびその再生方法並びに記録方法 |
| US5784347A (en) * | 1995-02-13 | 1998-07-21 | Hitachi, Ltd. | Optical disk device having optical phase compensator |
| JPH08273228A (ja) * | 1995-03-29 | 1996-10-18 | Nikon Corp | 光磁気記録媒体の製造方法 |
| JP3445023B2 (ja) * | 1995-06-08 | 2003-09-08 | シャープ株式会社 | 光磁気記録媒体およびその再生方法並びに記録方法 |
| JP3645020B2 (ja) * | 1995-12-12 | 2005-05-11 | 富士通株式会社 | 光情報検出装置 |
-
1997
- 1997-07-28 JP JP20119697A patent/JP3433651B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-07-24 DE DE69840941T patent/DE69840941D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-07-24 EP EP98113900A patent/EP0895235B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-27 US US09/122,799 patent/US5970027A/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| DE69840941D1 (de) | 2009-08-13 |
| EP0895235B1 (en) | 2009-07-01 |
| US5970027A (en) | 1999-10-19 |
| EP0895235A3 (en) | 2000-06-07 |
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