CN1681109A

CN1681109A - 光学半导体元件封装的片和制造光学半导体器件的方法

Info

Publication number: CN1681109A
Application number: CNA2005100628929A
Authority: CN
Inventors: 原田宪章; 堀田佑治; 末广一郎; 贞赖直树
Original assignee: Nitto Denko Corp
Current assignee: Nitto Denko Corp
Priority date: 2004-04-05
Filing date: 2005-04-05
Publication date: 2005-10-12
Anticipated expiration: 2025-04-05
Also published as: CN100418212C; EP1585179A1; US20050220414A1; TW200539463A; KR100821436B1; TWI282627B; US7221007B2; JP2005294733A; KR20060045499A

Abstract

本发明提供一种用于光学半导体元件封装的片，其具有包含至少两层树脂层的多层结构，所述树脂层包括：(A)最外树脂层，其与一个或多个光学半导体元件接触；以及(B)树脂层，其布置在层A上并且其折射率低于层A的折射率。本发明也披露了使用该片制造光学半导体器件的方法。

Description

光学半导体元件封装的片和制造光学半导体器件的方法

技术领域

本发明涉及用于光学半导体元件封装的片和使用该片制造光学半导体器件的方法。

背景技术

大家已经知道包含用两层或多层树脂层封装的光学半导体元件的光学半导体器件。在该器件中，与光学半导体元件直接接触的第一封装树脂是通过浸渍(dipping)或灌封(potting)而形成的；并且以使树脂层的折射率从光学半导体元件侧向最外层逐层顺序降低的方式布置这些树脂层，以便具有改进的光取出(light takeout)效率(参见专利文献1)。

专利文献1：JP 10-65220 A

然而，通过浸渍或灌封进行的树脂封装具有以下缺陷：将液态树脂滴到给定量的单个光学半导体元件的操作均有麻烦。此外，用折射率不同的树脂层封装光学半导体元件需要两步或多步，因此是麻烦的。

发明内容

因此，本发明的一个目的是提供用于光学半导体元件封装的片，使用该片在制造光学半导体器件中能容易进行光学半导体元件的树脂封装，以及该片使得所获得的光学半导体器件能够保持高的光取出效率。

本发明的另一目的是提供使用该片制造光学半导体器件的方法。

本发明的其它目的和效果将从以下描述中变得显而易见。

本发明涉及：

[1]用于光学半导体元件封装的片，其具有包含两层或多层树脂层的多层结构，所述树脂层包括：

(A)最外树脂层(层A)，其与一个或多个光学半导体元件接触；以及

(B)树脂层(层B)，其布置在层A上并且其折射率低于层A的折射率；

[2]上述[1]中所述的片，进一步包括布置在层B上的一层或多层树脂层，

其中构成所述片的树脂层具有从层A向远离光学半导体元件的树脂层逐层降低的折射率；

[3]上述[1]或[2]中所述的片，其中所述层A的折射率为1.6或更高；

[4]上述[1]-[3]中任一项所述的片，其中层A包括聚碳化二亚胺；

[5]上述[4]中所述的片，其中层B包括环氧树脂；

[6]制造光学半导体器件的方法，其包括以下步骤：

(1)将上述(1)-(5)中任一项所述的片叠置在一个或多个光学半导体元件-布线电路板的安装面上，以使层A与光学半导体元件接触；以及

(2)加压模塑步骤(1)中叠置的片。

本发明所产生的效果是在制造光学半导体器件中能容易进行光学半导体元件的树脂封装。

附图说明

图1说明本发明用于光学半导体元件封装的片的一个实施方案。

图2说明本发明方法的步骤(1)的一个实施方案，其中用于光学半导体元件封装的片叠置在光学半导体元件之上。

图3说明本发明方法的步骤(2)的一个实施方案，其中用于光学半导体元件封装的片是使用冲压机(stamper)加压模塑的。

图4说明由本发明方法制造的光学半导体器件的一个实施方案。

附图中使用的附图标记分别如下所示：

1：层A，

2：层B，

3：用于光学半导体封装的片，

4：线路板，

5：光学半导体元件，

6：层压机，和

7：冲压机。

具体实施方式

本发明的用于光学半导体元件的片具有多层结构，其包括两层或多层树脂层，其一个主要特点在于：树脂层包括位于最外树脂层(层A)之上的树脂层(层B)，所述层A布置在待与一个或多个光学半导体元件接触的一侧上，所述层B的折射率低于层A的折射率。

用于光学半导体元件封装的片3的实例如图1所示。该片3包括层A1和叠置于其上的层B2。

对要使用本发明的片的光学半导体元件5没有特别限制，只要它们是光学半导体器件中常用的片就可以。该片的实例包括氮化镓(GaN；折射率＝2.5)、磷化镓(GaP；折射率＝2.9)和砷化镓(GaAs；折射率＝3.5)。其中，GaN是优选的，这是因为它能发出蓝光，并且与磷光体一起使用时，能从中制造白光LED。

对其上安装有光学半导体元件的布线电路板4也没有特别限制。布线电路板的实例包括在玻璃-环氧树脂基材上叠置铜线路而产生的刚性线路板，和在聚酰亚胺膜上叠置铜线路而产生的挠性线路板。

在布线电路板4上安装光学半导体元件3的方法的实例包括：面朝上接合法(face-up bonding method)和倒装式接合法(flip chip bonding method)，面朝上接合法适合于安装各自具有在其发光侧面上布置有电极的光学半导体元件，倒装式接合法适合于安装各自具有在与其发光侧面相对的面上布置有电极的光学半导体元件。

用于形成层A1的树脂的实例包括聚醚砜类、聚酰亚胺类、芳族聚酰胺类、聚碳化二亚胺类、环氧树脂类和三乙酰纤维素。通过以下述即将描述的方式热固化这样的树脂，就封装了光学半导体元件。从提高光学半导体元件的光取出效率的角度看，层A的折射率，即固化树脂的折射率优选为1.6或更高，更优选为1.6-2.1，特别优选为1.7-2.1。折射率可通过以下即将给出的制备实施例中所描述的方法来测量。可通过适当地选择构成层A的树脂的种类、树脂成分和成分比例等，将层A的折射率调节至所需的值。

作为适用于构成层A的树脂，聚碳化二亚胺类是优选的，这是因为能由其获得高折射率。更优选的是下述通式(1)的聚碳化二亚胺：

式中R表示二异氰酸酯残基，R¹表示单异氰酸酯残基，以及n为1-100的整数。

这些将使用的树脂可为商业可购买的树脂。至于聚碳化二亚胺类，它们可通过下述即将描述的方法来制备，即通过使一种或多种二异氰酸酯发生缩合反应，并用单异氰酸酯封端该聚合物的末端。在通式(1)中，R表示用作起始材料的二异氰酸酯的残基，以及R¹表示用作另一起始材料的单异氰酸酯的残基。

用作起始材料的二异氰酸酯和单异氰酸酯可为芳族的或脂族的。二异氰酸酯和单异氰酸酯各自可由一种或多种芳族异氰酸酯或一种或多种脂族异氰酸酯构成，或者可包括芳族异氰酸酯和脂族异氰酸酯的组合。从获得高折射率的角度看，优选使用芳族异氰酸酯。也就是说，优选二异氰酸酯和单异氰酸酯中至少一种包括芳族异氰酸酯或由一种或多种芳族异氰酸酯构成，或者优选二异氰酸酯和单异氰酸酯各自由一种或多种芳族异氰酸酯构成。更优选的是以下的情况，即二异氰酸酯包括脂族异氰酸酯和芳族异氰酸酯的组合，且单异氰酸酯由一种或多种芳族异氰酸酯构成。特别优选的是以下的情况，即二异氰酸酯和单异氰酸酯各自由一种或多种芳族异氰酸酯构成。

适用于本发明的二异氰酸酯的实例包括六亚甲基二异氰酸酯、十二亚甲基二异氰酸酯、2，2，4-三甲基六亚甲基二异氰酸酯、4，4′-二氯己基甲烷二异氰酸酯、苯二甲基二异氰酸酯、四甲基苯二甲基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、环己基二异氰酸酯、赖氨酸二异氰酸酯、甲基环己烷2，4′-二异氰酸酯、4，4′-二苯甲烷二异氰酸酯、4，4′-二苯醚二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、2，4-甲苯二异氰酸酯、萘二异氰酸酯、1-甲氧基苯基2，4-二异氰酸酯、3，3′-二甲氧基-4，4′-二苯甲烷二异氰酸酯、4，4′-二苯醚二异氰酸酯、3，3′-二甲基-4，4′-二苯醚二异氰酸酯、2，2-双[4-(4-异氰酸基苯氧基)苯基]-六氟丙烷和2，2-双[4-(4-异氰酸基苯氧基)苯基]-丙烷。

从获得高折射率的角度看，在这些二异氰酸酯中，优选使用选自甲苯二异氰酸酯、4，4′-二苯甲烷二异氰酸酯和萘二异氰酸酯中的至少一种。更优选为萘二异氰酸酯。

这些二异氰酸酯可单独使用或者以它们中的两种或多种的混合物形式使用。

用作起始材料的一种或多种二异氰酸酯优选包括一种或多种芳族二异氰酸酯，该芳族二异氰酸酯的量基于全部二异氰酸酯为10mol％或更高(上限为，100mol％)。这些二异氰酸酯理想地为上述优选实例所列举的。

适用于本发明的单异氰酸酯的实例包括异氰酸环己酯、异氰酸苯基酯、异氰酸对硝基苯基酯、异氰酸对甲苯基酯和异氰酸间甲苯基酯、异氰酸对甲酰基苯基酯、异氰酸对异丙基苯基酯和1-萘基异氰酸酯。

优选的单异氰酸酯是芳族单异氰酸酯，这是因为芳族单异氰酸酯互相之间不发生反应，并且能有效地用这些单异氰酸酯对聚碳化二亚胺进行末端封端。更优选使用1-萘基异氰酸酯。

这些单异氰酸酯可单独使用或者以它们中的两种或多种的混合物形式使用。

每使用100摩尔二异氰酸酯组分，用于末端封端的单异氰酸酯的量优选为1-10摩尔。当每100摩尔二异氰酸酯成分，使用的单异氰酸酯成分的量为1摩尔或更大时，获得的聚碳化二亚胺既不具有太高的分子量，也不经历交联反应。因此，例如聚碳化二亚胺溶液既不经历粘度增加，也不发生固化，储存稳定性也不降低。这种单异氰酸酯成分的量因此是优选的。另一方面，当每100摩尔二异氰酸酯成分，单异氰酸酯成分的用量为1 0摩尔或更小时，所得的聚碳化二亚胺溶液具有适当的粘度。因此，能令人满意地由该溶液中进行成膜，例如，通过涂布和干燥。这种单异氰酸酯成分用量因此是优选的。就与二异氰酸酯成分的量相比的单异氰酸酯的量而言，通过用上述范围内的量的单异氰酸酯末端封端而获得的聚碳化二亚胺溶液，在储存稳定性方面特别优异。

适用于本发明的聚碳化二亚胺可如下制备：在用于碳化二亚胺形成的催化剂的存在下，在预定溶剂中，通过缩合反应将作为起始材料的一种或多种二异氰酸酯转化为碳化二亚胺，以及用单异氰酸酯封端所得碳化二亚胺聚合物的末端。

二异氰酸酯缩合反应一般是在0-150℃，优选在10-120℃的温度下进行的。

在脂族二异氰酸酯和芳族二异氰酸酯结合用作起始材料的二异氰酸酯的情况下，在低温下反应二异氰酸酯是优选的。反应温度优选为0-50℃，更优选为10-40℃。优选在该范围内使用反应温度，这是因为脂族二异氰酸酯与芳族二异氰酸酯的缩合能充分地进行。

在要求反应混合物中存在过量芳族二异氰酸酯，以进一步与由脂族二异氰酸酯和芳族二异氰酸酯形成的聚碳化二亚胺反应的情况下，反应温度优选为40-150℃，更优选为50-120℃。只要反应温度在该范围内，可使用任何所需的溶剂，以使反应平稳地进行。因此该反应温度范围是优选的。

反应混合物中二异氰酸酯浓度优选为5-80重量％。只要二异氰酸酯浓度在该范围内，则可充分进行碳化二亚胺形成以及容易控制反应。因此，该二异氰酸酯浓度范围是优选的。

用单异氰酸酯末端封端可如下实现：在由一种或多种二异氰酸酯形成碳化二亚胺的初始、中间或最终阶段中或者在碳化二亚胺形成的整个期间，将单异氰酸酯添加至反应混合物中。单异氰酸酯优选为芳族单异氰酸酯。

作为用于碳化二亚胺形成的催化剂，可有利地使用任何已知的磷化合物催化剂。该催化剂的实例包括磷杂环戊烯氧化物(phospholene oxide)，例如1-苯基-2-磷杂环戊烯1-氧化物、3-甲基-2-磷杂环戊烯1-氧化物、1-乙基-2-磷杂环戊烯1-氧化物、3-甲基-1-苯基-2-磷杂环戊烯2-氧化物和这些的3-磷杂环戊烯异构体。

用于制备聚碳化二亚胺的溶剂(有机溶剂)是已知的溶剂。溶剂的实例包括：卤代烃，例如四氯乙烯、1，2-二氯乙烷和氯仿；酮溶剂，例如丙酮、甲基乙基酮、甲基异丁基酮和环己酮；环醚溶剂，例如四氢呋喃和二噁烷；以及芳烃溶剂，例如甲苯和二甲苯。这些溶剂可以单独使用或以其两种或更多种的混合物形式使用。这些溶剂还可用于溶解获得的聚碳化二亚胺。

反应终点可以用红外光谱分析(IR分析)根据由碳化二亚胺结构的特征吸收(N＝C＝N)(2,140cm-1)的出现和由异氰酸酯的特征吸收(2,280cm-1)的消失来确定。

形成碳化二亚胺的反应完成后，得到的聚碳化二亚胺通常为溶液形式。然而，可以将得到的溶液倾注到不良溶剂例如甲醇、乙醇、异丙醇或己烷中，以沉淀聚碳化二亚胺并除去未反应的单体和催化剂。

在制备已经以沉淀物形式回收的聚碳化二亚胺的溶液中，以预定方式洗涤并干燥沉淀物，然后将沉淀物再次溶解在有机溶剂中。通过进行该操作，聚碳化二亚胺溶液可以具有改进的储存稳定性。

在聚碳化二亚胺溶液包含副产物的情况下，例如，可以用适当的吸附剂通过吸附除去副产物来纯化溶液。吸附剂的实例包括氧化铝凝胶、硅胶、活性炭、沸石(zeolite)、活性氧化镁、活性矾土、漂白土、活性粘土和分子筛碳等。这些吸附剂可以单独使用或其两种或更多种结合使用。

通过如上所述方法，得到目标聚碳化二亚胺。这种聚碳化二亚胺是优选的，在该聚碳化二亚胺中主链结构由芳族和脂族二异氰酸酯构成，末端已经用芳族单异氰酸酯封端。更优选为其主链结构由一种或多种芳族二异氰酸酯构成，并且其末端已经用芳族单异氰酸酯封端的聚碳化二亚胺。

具体地，优选为以下的聚碳化二亚胺，其中通式(1)中R代表的10mol％或更多(上限，100mol％)的二异氰酸酯残基为一种或多种芳族二异氰酸酯的残基，并且通式(1)中R¹代表的单异氰酸酯残基为一种或多种芳族单异氰酸酯的残基。芳族二异氰酸酯残基优选为选自甲苯二异氰酸酯残基、4，4′-二苯甲烷二异氰酸酯残基和萘二异氰酸酯残基中的至少一种，以及更优选为萘二异氰酸酯残基。芳族单异氰酸酯残基优选为1-萘基异氰酸酯残基。

包括以上获得的聚碳化二亚胺的层A的折射率优选为1.6-2.1。

为了调节层A的折射率的目的，可将诸如二氧化钛或氧化锆的微细无机颗粒分散在树脂层中，以形成层A。

例如，以下述的方式获得构成层A的树脂层。将树脂溶解在如甲苯、环己酮或甲基乙基酮的有机溶剂中，以产生优选的20-50重量％的浓度，从而制备树脂溶液。通过如流延(casting)、旋涂或辊涂等技术，该溶液，在例如具有硅酮处理过的表面的脱膜片(release sheet)上或者层B上，形成具有适当厚度的膜。在能除去溶剂而不导致进行固化反应的温度下，干燥该膜，从而获得树脂层。不能无条件地决定干燥已形成膜的树脂溶液的温度，这是因为该温度随树脂和溶剂的种类而变化。然而，该温度优选为20-350℃，更优选为50-200℃，特别优选为70-200℃。当考虑光学半导体元件的进一步操作性(followability)时，通过加热干燥而获得的树脂层的厚度优选为2-50微米，更优选为5-30微米。如此获得的树脂层可用作层A，或者两层或多层这样的树脂层的叠层可用作层A。

用于形成层B2的树脂的实例包括上述关于层A所列举的那些树脂。通过以下面将描述的方式热固化这样的树脂，封装光学半导体元件。对层B的折射率，即固化树脂的折射率没有特别限制，只要它低于层A的折射率即可。然而，从提高光学半导体元件的光取出效率的角度看，层B的折射率优选为1.1至小于1.6，更优选为1.3至小于1.6。折射率可通过以下即将给出的制备实施例中所描述的方法来测量。可通过适当地选择构成层B的树脂的种类、树脂成分和成分比例等，将层B的折射率调节至所需的值。

从容易模塑和低成本的角度看，在这些用作层B的树脂中，优选环氧树脂。为了调节层B的折射率，可将诸如二氧化钛或氧化锆等微细无机颗粒分散在树脂层中。此外，为了改进层B的挠性，可掺入不阻止可见光透射的透明橡胶/弹性体。

例如，通过下述方式获得构成层B的树脂层。将商业产品树脂溶解在如甲苯、环己酮或甲基乙基酮的有机溶剂中，以产生优选的20-50重量％的浓度，从而制备树脂溶液。通过如流延、旋涂或辊涂等技术，该溶液，在例如具有硅酮处理过的表面的脱膜片上或者层A上，形成具有适当厚度的膜。在能除去溶剂而不导致进行固化反应的温度下，干燥该膜，从而获得树脂层。不能无条件地决定干燥已形成膜的树脂溶液的温度，这是因为该温度随树脂和溶剂的种类而变化。然而，该温度优选为20-180℃，更优选为50-150℃，特别优选为70-120℃。当考虑光学半导体元件的进一步操作性时，通过加热干燥而获得的树脂层的厚度优选为10-500微米，更优选为15-250微米。如此获得的树脂层可用作层B，或者两层或多层这样的树脂层的叠层可用作层B。

本发明用于光学半导体元件封装的片可如下制备，例如通过分别制备层A和层B，然后通过公知的技术(例如，使用热/挤压层压、真空层压或真空挤压)相互层压这些层。可选择地，也可以在预先形成的层A上直接形成层B，或者通过在预先形成的层B上直接形成层A而制备该片。此外，该片可任选具有叠置在层B上的一层或多层树脂层。在这种情况下，用作这些树脂层的树脂的实例包括与上述关于层A所列举的那些相同的树脂。优选以这些树脂层的折射率从层A向远离光学半导体元件的树脂层逐层顺序降低的方式布置这些树脂层。当考虑光取出效率和层叠置问题时，本发明用于光学半导体元件封装的片优选具有2-5层树脂层，更优选具有两层树脂层。当考虑光学半导体元件的高度和用冲压机模塑时，如此获得的片的厚度优选为约150-300微米。

从光取出效率和模塑容易性角度看，本发明中层A和层B的优选组合为以下的组合，即层A为聚碳化二亚胺，而层B为环氧树脂。

以下将介绍使用上述获得的本发明的光学半导体元件封装片，制备光学半导体器件的方法。

本发明用于制备光学半导体器件的方法的一个主要特征在于：该方法包括：

(1)将上述获得的用于光学半导体元件封装的片叠置在一个或多个光学半导体元件-布线电路板的安装面上；以及

(2)加压模塑步骤(1)中叠置的片。

用于将本发明的用于光学半导体元件封装的片叠置在布线电路板的安装有一个或多个光学半导体元件一侧上的步骤的方法的实例包括以下的方法：在该方法中，通过例如层压机6将本发明的片3(包括层A1和其上叠置的层B2的片)层压在其上安装有光学半导体元件5的布线电路板上，如图2所示。

在熔融本发明的片并通过热压接合法(thermal press bonding)使用层压机6等，将该片层压在布线电路板上(如图2所示)的情况下，优选将该该片加热至70-250℃，更优选加热至100-200℃，以及优选在0.1-10MPa的压力下挤压，更优选在0.5-5MPa的压力下挤压。当使用层压机时，其旋转速度优选为100-2000rpm，更优选为500-1000rpm。

上述步骤(1)之后是步骤(2)。本发明的步骤(2)也具有显著的特征。因为可同时加压模塑折射率不同的树脂层，所以可容易制备光学半导体器件，而不会损害光学半导体器件的光取出效率。

该片的加压模塑可通过冲压机等来进行。在本发明中，可使用的冲压机可为，例如通过激光加工(laser processing)将聚酰亚胺片或聚碳酸酯片形成预定的冲模(die)而获得的冲压机，或者通过用如镍等金属电镀如母模(master)(原始的)等冲模而形成的冲压机。

例如，可以图3所示的方式，使用冲压机来进行该片的加压模塑。对准冲压机7，以使能够在光学半导体元件5上方形成具有凹陷或突起的树脂层。将该组件插入热压板和另一热压板之间的空间中，并加热/挤压，从而可热固化步骤(1)中形成的片，并如图4所示模塑。

加热/挤压的条件的实例包括加热的温度优选为70-250℃，更优选为100-200℃，挤压的压力优选为0.1-10MPa，更优选为0.5-5MPa，以及加热/挤压的期间优选为5秒至3分钟，更优选为10秒至1分钟。

通过将光学半导体元件上的片模塑成具有凹陷或突起的形状，生成透镜，可实现光调节以及光取出效率的改进。

通过本发明的方法，可容易进行光学半导体元件的树脂封装，而不会损害光取出效率，在本发明的方法中，将具有折射率不同的两层或多层树脂的片叠置在布线电路板上，并用冲压机等加压模塑光学半导体元件上方的树脂层。

实施例

将参考下列实施例更详细地例举说明本发明，但是不应解释为本发明局限于这些实施例。

在下述实施例和比较例中，全部合成反应都是在氮气流中进行的。用FT/IR-230(由Nippon Bunko K.K.生产)进行IR分析。

制备实施例1

制备聚碳化二亚胺片

向500mL装有搅拌器、滴液漏斗、回流冷凝器和温度计的四颈烧瓶中注入29.89克(171.6mmol)甲苯二异氰酸酯(异构体混合物；T-80，由Mitsui-Takeda Chemical生产)、94.48克(377.52mmol)4，4′-二苯甲烷二异氰酸酯、64.92克(308.88mmol)萘二异氰酸酯和184.59克甲苯。将这些成分混合在一起。

向其中加入8.71克(51.48mmol)1-萘基异氰酸酯和0.82克(4.29mmol)3-甲基-1-苯基-2-磷杂环戊烯2-氧化物。将得到的混合物在搅拌下加热至100℃，并保持2小时。

用IR分析确定反应进程。具体地，跟踪由异氰酸酯(2，280cm^-1)导致的N＝C＝O拉伸振动的吸收量减小和由于碳化二亚胺(2，140cm^-1)导致的N＝C＝N拉伸振动的吸收量增加。用IR分析确定反应终点后，冷却反应混合物至室温。由此，获得聚碳化二亚胺溶液(该溶液使用在比较例2中)。在该聚碳化二亚胺中，100mol％的二异氰酸酯残基是芳族二异氰酸酯残基。该聚碳化二亚胺由上述通式(1)表示，其中n范围为15-77。

接着，将该聚碳化二亚胺溶液涂布至隔离物(厚度，50微米)(由Mitsubishi Polyester Film Corporation生产)上，该隔离物由用脱膜剂(氟化硅酮)处理的聚(对苯二甲酸乙二酯)膜构成。在130℃加热该涂层1分钟，然后在150℃加热1分钟。其后，除去隔离物以得到暂时固化的片状聚碳化二亚胺(厚度，20μm)。

在150℃的固化炉中，固化如此获得的片状聚碳化二亚胺。用多波长阿贝折射仪(DR-M4，由ATAGO Co.，Ltd.生产)在589nm波长和25℃温度下测量该固化树脂的折射率。发现该固化树脂的折射率为1.758。

制备实施例2

制备环氧树脂片

用研钵将环氧树脂(NT-300s，由Nitto Denko Corp.生产)的小块粉碎成粉末。接着，在搅拌下向200克甲基乙基酮(MEK)中逐渐添加200克环氧树脂粉末，并完全溶解在其中，制备固含量为50wt％的树脂溶液。将如此获得的树脂溶液涂布至隔离物(厚度，50微米)(由Mitsubishi Polyester，Corp.生产)上，该隔离物由用脱膜剂(氟化硅酮)处理的聚(对苯二甲酸乙二酯)膜构成。在100℃加热该涂层2分钟，然后在120℃加热2分钟。此后，除去隔离物以得到暂时固化的片状环氧树脂(厚度，50μm)。

在120℃的固化炉中，固化如此获得的片状环氧树脂。用多波长阿贝折射仪(DR-M4，由ATAGO Co.，Ltd.生产)在589nm波长和25℃温度下测量该固化树脂的折射率。发现该固化树脂的折射率为1.520。

实施例1

在100℃，使用热层压机(NLE-550ST，由Nitto Seiki Inc.生产)，将在制备实施例2中获得的暂时固化的片状环氧树脂的三个片层压在一起，以制备厚度为150微米的层B。在100℃，使用热层压机(NLE-550ST，由NittoSeiki Inc.生产)，将在制备实施例1中获得的暂时固化的片状聚碳化二亚胺作为层A层压在层B上。因此，制得厚度为170微米的本发明光学半导体元件封装片。

将该片层压在其上安装有GaN半导体元件的布线电路板上。使用真空层压机(V-130，由Nichigo-Morton Co.，Ltd.生产)进行层压，层压方式要求为层A与光学半导体元件接触的方式。

接着，在170℃和0.1MPa的气氛中，使用具有0.74毫米直径的凹陷和凹陷深度为0.17毫米的冲压机(由聚酰亚胺制成的)，以1.5MPa压力加压模塑该片30秒。如此，获得光学半导体器件。

比较例1

以与实施例1相同的方式制备光学半导体器件，不同之处在于：将在制备实施例2中获得的暂时固化的片状环氧树脂的四个片作为仅有的材料，来制备光学半导体元件封装片。

比较例2

使用旋涂机，将制备实施例1中获得的聚碳化二亚胺溶液涂布至其上安装有光学半导体元件的布线电路板上，由此形成层A。接着，将封装用的冲模布置在电路板上，将液态环氧树脂倾注至冲模中。覆盖这些冲模并在120℃固化环氧树脂12小时。由此制备光学半导体器件。

测试实施例

将电压施加到实施例1和比较例1-2中制备的光学半导体器件上，以测量各器件的发光量。在该发光量测量中，使用积分球(integrating sphere)，用MCPD-3000(由Otsuka Electronics Co.，Ltd.制造)测量全部发光量。结果如表1所示。

	发光量(μW/cm²/nm)
	发光量(μW/cm²/nm)	实施例1	1.00
比较例1	0.72	实施例1	1.00
比较例1	0.72	比较例2	0.97

上述结果表明：实施例1的光学半导体器件的发光量比比较例1中获得的光学半导体器件的发光量大。因而，可知实施例1的器件具有高的光取出效率。与实施例1相反，比较例2具有的缺陷是：由于必须布置单个光学半导体元件的封装冲模并且向其倾注树脂，所以制备步骤复杂。

本发明的光学半导体器件适合用作，例如个人计算机和移动电话的表面光源等。

尽管已经参考本发明的具体实施方式，详细描述了本发明，但是对本领域的技术人员显而易见的是，在不违背本发明的精神和范围的情况下，可对本发明进行各种改变和更改。

本申请以2004年4月5日提交的日本专利申请2004-111050为基础，在此引入其全部内容作为参考。

Claims

1.用于光学半导体元件封装的片，其具有包含至少两层树脂层的多层结构，所述树脂层包括：

(A)最外树脂层，其与一个或多个光学半导体元件接触；以及

(B)树脂层，其布置在层A上并且其折射率低于层A的折射率。

2.权利要求1中所述的片，进一步包括布置在层B上的一层或多层树脂层，

其中构成所述片的树脂层具有从层A向远离光学半导体元件的树脂层逐层降低的折射率。

3.权利要求1中所述的片，其中所述层A的折射率为1.6或更高。

4.权利要求1中所述的片，其中层A包括聚碳化二亚胺。

5.权利要求4中所述的片，其中层B包括环氧树脂。

6.制造光学半导体器件的方法，其包括以下步骤：

(1)将权利要求1中所述的片叠置在一个或多个光学半导体元件-布线电路板的安装面上，以使层A与光学半导体元件接触；以及

(2)加压模塑步骤(1)中叠置的片。