CN1662945A - 显示装置 - Google Patents

Abstract

配置对具有发光元件的各像素电路(32～34)供给信号电流IL_R(m)、IL_G(m)、IL_B(m)用的信号线(28～30)。信号线驱动电路通过利用根据对应的比特被导通、截止的开关电路(18～20，21～23，24～26)切换从与图像数据(R[2..0]，G[2..0]，B[2..0])的每一个比特对应地设置的比特加权电流源电路(9～11，12～14，15～17)输出的比特加权电流，在信号线上产生与图像数据对应的信号电流。由于各电流源电路具有根据从基准电流线(5～7)供给的比特加权电流的基准电流校正从自身输出的比特加权电流的电平的功能，故即使是构成各电流源电路的TFT的特性离散大的情况，也能抑制每条信号线的信号电流的离散，可抑制发光亮度的不匀。

Description

显示装置

技术领域

本发明涉及在各像素中具备发光亮度随有机EL(电致发光)元件等的电流而变化的发光元件的显示装置。

背景技术

近年来，将面向携带信息终端或电视接收机的有机EL等作为发光元件使用的显示装置的开发很活跃。在各像素中具备有机EL等的发光元件的自发光型显示装置具有良好的辨认性，此外，其动画显示特性也良好。

关于将有机EL作为发光元件使用的显示装置，已知有例如在特开平11-212493号公报中记载的显示装置。

图37是示出在该公报中记载了的现有的显示装置的结构的电路图，对于发光元件(m，n)来说，经薄膜晶体管TFT1～4连接了4条信号线(Sm，1～Sm，4)和4条扫描线(Dn，1～Dn，4)。此外，在信号线(Sm，1～Sm，4)上连接了恒流源(Im，1～Im，4)，通过将其电流比设定为1∶2∶4∶8，将发光元件的电流控制为16个值，得到16个灰度的发光亮度。

大家都知道将在玻璃基板上形成的薄膜晶体管(TFT)作为像素的开关元件使用的所谓的有源型显示装置。特别是在使用了发光亮度随有机EL等的电流而变化的发光元件的有源型显示装置中，由于根据已被改写的信号，到下一个改写时为止在发光元件中可使电流持续地流动，故与在像素中未使用开关元件的无源型相比具有用小的发光元件的驱动电流可得到高亮度的优点。

由于薄膜晶体管中的用低温工艺可制作的低温多晶硅TFT(低温p-Si TFT)与非晶硅TFT相比其电子迁移率高，故可在玻璃基板上与像素矩阵电路一体地形成驱动电路，正在广泛地作为液晶显示装置等来使用。

但是，一般来说利用激光退火来形成低温p-Si TFT，但基于难以在玻璃基板面内均匀地控制激光照射强度等的原因，与单晶硅相比，Vth(阈值电压)或μ(迁移率)等的特性离散较大。

在现有的显示装置中，由于在各列的每条信号线上连接了多个恒流源，故在显示面板内使用TFT在玻璃基板上与像素矩阵一体地构成恒流源的情况下，由于TFT特性的离散的缘故，在各列的恒流源的输出电流、即信号线驱动电流中产生离散，在发光亮度方面存在产生不匀这样的问题。

再者，由于必须在每个列中对多条信号线进行布线，故在像素间距窄的高分辨率的显示装置中存在布线变得困难的问题。

此外，一般利用数字图像数据来指示各像素中的灰度的亮度。因此，如果图像数据的比特数伴随显示色的增加等而增大，则存在传递图像数据的图像数据线上的电压变动在对发光元件供给电流的信号线中的信号线驱动电流的生成方面产生影响的可能性。

发明内容

本发明的目的在于得到即使是TFT特性的离散大的情况也能抑制列单位中的信号线驱动电流的离散、能抑制发光亮度的不匀的显示装置。

本发明的另一目的在于得到可削减每个列的信号线的条数、即使像素间距窄也能对应于高分辨率显示的显示装置。

本发明的又一目的在于通过抑制传递图像数据的图像数据线上的电压变动在对发光元件供给电流的信号线中的信号线驱动电流的生成方面产生的影响来谋求显示装置的显示品质的提高。

本发明的显示装置具备：像素矩阵电路，被构成为对各像素的发光元件供给电流；信号线，用来对像素矩阵电路供给与数字图像数据对应的信号电流；基准电流产生部件，与数字图像数据的各比特对应地输出比特加权后的基准电流；比特加权电流产生部件，与数字图像数据的各比特对应地被设置，输出与对应的基准电流对应的比特加权电流，而且具有通过写入对应的基准电流来校正输出的的比特加权电流的功能；以及切换部件，与比特加权电流产生部件对应地被设置，根据对应的比特的数据电平切换从对应的比特加权电流产生部件输出的比特加权电流，对由切换部件切换了的电流进行加法运算，作为信号电流输出给信号线。

在这样的显示装置中，由于构成为通过写入共同的基准电流来校正输出比特加权电流的比特加权电流产生部件在根据与该比特对应的数字图像的比特数据切换了从比特加权电流产生部件输出的比特加权电流后进行加法运算输出给信号线，故即使是TFT的特性的离散大的情况，也能抑制各列的信号线驱动电流的离散，可抑制发光亮度的不匀。

较为理想的是，比特加权电流产生部件包含：输出电流的第1场效应晶体管；在基准电流的写入时连接第1场效应晶体管的栅与漏间的第2场效应晶体管；以及连接到第1场效应晶体管的栅上的电容元件，在基准电流的写入时，通过第2场效应晶体管导通，在电容元件中保持与流过第1场效应晶体管的电流对应的栅电压，而且，在比特加权电流的输出时，第2场效应晶体管被切断，第1场效应晶体管输出与在电容元件中保持了的栅电压对应的电流。

在这样的显示装置中，由于构成为在基准电流的写入时利用第2场效应晶体管连接比特加权电流输出用的第1场效应晶体管的栅-漏间，在连接到栅上的电容元件中保持与流过第1场效应晶体管的电流对应的栅电压，在比特加权电流的输出时，切断第2场效应晶体管，第1场效应晶体管输出与在电容元件中保持了的栅电压对应的电流，故可在比特加权电流的输出时再现并输出在基准电流的写入时写入到第1场效应晶体管中的基准电流，即使是晶体管的特性的离散大的情况，也能抑制各列的信号线驱动电流的离散，可抑制发光亮度的不匀。

再者，较为理想的是，比特加权电流产生部件还包含与被输出比特加权电流的节点电连接的虚设负载，在不由对应的切换部件对信号线供给电流的情况下，对虚设负载供给电流。

在这样的显示装置中，由于在不由切换部件对信号线供给电流的情况下，对在比特加权电流产生部件的输出端上设置的虚设负载供给电流，故可抑制由连接到第1场效应晶体管的栅上的电容元件保持的电荷产生漏泄，可抑制因第1场效应晶体管的栅电位下降导致的信号线驱动电流的下降。

此外，更为理想的是，比特加权电流产生部件还包含在第1场效应晶体管的漏侧以级联的方式连接的第3场效应晶体管，对第3场效应晶体管的栅施加预定电压，以使第3场效应晶体管在饱和区动作。

在这样的显示装置中，由于具备在第1场效应晶体管的漏侧以级联的方式连接的第3场效应晶体管，对第3场效应晶体管的栅施加预定电压，以使该场效应晶体管在饱和区动作，故可利用第3场效应晶体管来屏蔽第1场效应晶体管的Vds(源、漏间电压)的变化，即使是信号线电压随对信号线供给的信号电流的变化而变化的情况，也能抑制由第1场效应晶体管驱动的信号线电流的变化。

或者，更为理想的是，比特加权电流产生部件还包含在第1场效应晶体管的漏侧以级联的方式连接的第4场效应晶体管，在比特加权电流的输出动作时，在不从对应的切换部件对信号线供给电流的情况下，第4场效应晶体管被切断。

在这样的显示装置中，由于具备在第1场效应晶体管的漏侧以级联的方式连接的第4场效应晶体管，在比特加权电流的输出动作时，在不从对应的切换部件对信号线供给电流的情况下，第4场效应晶体管被切断，故可切断由连接到第1场效应晶体管的栅上的电容元件保持的电荷产生漏泄的路径。因而，第1场效应晶体管的栅电位不会下降，即使在图像数据为“1”对信号线输出电流时，也能供给预定的电流。

特别是，更为理想的是，比特加权电流产生部件的比特加权电流的输出动作时，在不从切换部件对信号线输出电流的情况下或在基准电流写入动作时不对第1场效应晶体管写入基准电流的情况下，第4场效应晶体管被切断。

在这样的显示装置中，由于在比特加权电流产生部件的比特加权电流的输出动作时在不从切换部件对信号线输出电流的情况下或在基准电流写入动作时不对第1场效应晶体管写入基准电流的情况下，第4场效应晶体管被切断，进而，由于在不写入基准电流的情况下也可切断由连接到第1场效应晶体管的栅上的电容元件保持的电荷产生漏泄的路径，故第1场效应晶体管的栅电位不会下降，即使在图像数据为“1”对信号线输出电流时，也能供给预定的电流。

此外，更为理想的是，比特加权电流产生部件还包含连接到第4场效应晶体管的漏上以保持漏的电压的电容元件。

在这样的显示装置中，由于具备连接到第4场效应晶体管的漏上以保持该漏电压的电容元件，由于可防止第4场效应晶体管的漏电位比第1场效应晶体管的漏电位低，可防止由连接到第1场效应晶体管的栅上的电容元件保持的电荷的漏泄，故第1场效应晶体管的栅电位不会下降，即使在图像数据为“1”对信号线输出电流时，也能供给预定的电流。

或者，更为理想的是，比特加权电流产生部件还包含连接到第1场效应晶体管的漏上以保持漏的电压的电容元件。

在这样的显示装置中，由于具备连接到第1场效应晶体管的漏上以保持漏的电压的电容元件，由于可防止第1场效应晶体管的漏电位比栅电位低，可防止由连接到第1场效应晶体管的栅上的电容元件保持的电荷的漏泄，故第1场效应晶体管的栅电位不会下降，即使在图像数据为“1”对信号线输出电流时，也能供给预定的电流。

或者，较为理想的是，显示装置还具备：响应于锁存脉冲依次锁存被输入的1个显示行部分的数字图像数据的锁存部件；以及依次生成锁存脉冲的锁存脉冲生成部件，即使在用锁存部件锁存1帧部分的数字图像的数据锁存期间的消隐期间和用比特加权电流产生部件对信号线供给电流的期间的消隐期间中，锁存脉冲生成部件也动作，生成锁存脉冲，而且比特加权电流产生部件根据已被生成的锁存脉冲进行校正比特加权电流的对应的基准电流的写入。

在这样的显示装置中，由于在属于用锁存部件锁存1帧部分的数字图像的数据锁存期间的消隐期间和用上述比特加权电流产生部件对上述信号线供给电流的期间的消隐期间这两方的期间中，使锁存脉冲生成部件动作以生成锁存脉冲，同时根据锁存脉冲在比特加权电流产生部件中写入基准电流，故可分离各列的比特加权电流产生部件中的基准电流写入动作和电流输出动作，可容易地进行基准电流写入。此外，由于没有必要在比特加权电流产生部件中设置基准电流写入用的新的脉冲生成部件，故电路结构变得简单，可缩小电路尺寸。

再者，较为理想的是，在电源接通等的起动时，锁存脉冲生成部件动作，在比特加权电流产生部件根据已被生成的锁存脉冲写入了对应的基准电流后，利用锁存部件依次锁存数字图像数据，进行显示。

在这样的显示装置中，由于在电源接通等的起动时，使锁存脉冲生成部件动作，在根据锁存脉冲在比特加权电流产生部件中写入了基准电流后，利用锁存部件依次锁存数字图像数据，进行显示，故可大致全部的动作期间中进行对比特加权电流产生部件的基准电流写入校正，与只使用消隐期间的情况相比，可缩短对布线电容或保持用的电容元件充电、驱动用晶体管的栅电压成为预定值为止的时间，可平稳地转移到图像显示。

或者，较为理想的是，显示装置还具备：产生可变的基准电压的电压可变部件；以及将基准电压变换为电流的恒流源，基准电流产生部件包含根据从恒流源输出的电流生成基准电流的电流源电路。

在这样的显示装置中，由于产生基准电压，将基准电压变换为电流，据此来生成基准电流，故通过利用控制器调整基准电压，可调整RGB的基准电流之比和大小，可控制显示的白平衡调整或亮度调整。

再者，较为理想的是，电流源电路包含将从恒流源输出的电流变换为与图像数据的各比特对应的基准电流的电流镜电路，电流镜电路具有根据比特加权使尺寸比不同的多个场效应晶体管。

在这样的显示装置中，由于用由使尺寸比不同的多个场效应晶体管构成的电流镜电路将变换基准电压得到的原电流变换为比特加权后的多个基准电流，故可用简单的结构得到比特加权后的基准电流。

此外，较为理想的是，比特加权电流产生部件包含2个系统的比特加权电流源，显示装置还具备控制成在2个系统的比特加权电流源的每一个中基准电流的写入动作和比特加权电流的输出动作互补地交替地重复的控制部件。

在这样的显示装置中，由于比特加权电流产生部件包含2个系统的比特加权电流产生部件，控制成互补地交替地重复2个系统的比特加权电流产生部件的基准电流的写入动作和电流输出动作，故可对基准电流的写入动作分配充分的时间，可输出稳定的比特加权电流，可进一步抑制信号驱动电流的离散。

或者，较为理想的是，显示装置还具备产生将比特加权后的各基准电流值定为各阶梯台阶电流值的阶梯波电流的阶梯波电流源，基准电流产生部件包含写入阶梯波电流的对应的阶梯台阶中的电流、再现已被写入的电流并作为基准电流输出的电流源。

在这样的显示装置中，由于产生将比特加权后的各基准电流值定为各阶梯台阶电流值的阶梯波电流，写入该阶梯波电流的对应的台阶的电流、再现该写入电流并作为基准电流，故可从1个阶梯波电流得到准确的比特数部分的基准电流。

此外，较为理想的是，基准电流产生部件作为采用比特加权后的各电流值的阶梯波电流供给基准电流，比特加权电流产生部件在与数字图像数据的对应的比特对应的时刻写入阶梯波电流作为基准电流。

在这样的显示装置中，由于作为采用比特加权后的各电流值的阶梯波电流供给基准电流，在比特加权电流产生部件中在与各比特对应的时刻写入阶梯波基准电流，故可将必须将布线宽度取得较宽以便成为低阻抗的基准电流线的条数削减为各色1条作为电流供给线，此外，由于基准电流产生电路也可简化为各色1个输出，故可减小驱动电路的尺寸。

本发明的另一结构的显示装置，具备：像素矩阵电路，被构成为对各像素的发光元件供给电流；多条第1信号线，用来对像素矩阵电路供给与数字图像数据对应的信号电流；图像数据线，传递数字图像数据；以及信号线驱动部，在多条第1信号线上生成与数字图像数据对应的信号电流，信号线驱动部包含：多条第2信号线，分别与多条第1信号线相对应，与多条第1信号线独立地被设置；多个电流变换电路，分别与多条第2信号线对应地被设置，用来在对应的第2信号线生成与从图像数据线接受的图像信号对应的电流；以及多个电流传递电路，分别在多条第1和第2信号线之间被设置，多个电流传递电路的每一个在对应的信号线上生成再现与对应的第2信号线的通过电流对应的电流而得到的电流作为信号电流，避开与第1信号线交叉的区域来配置图像数据线。

较为理想的是，多个电流变换电路的每一个包含分别与构成数字图像数据的多个比特对应地被设置的多个电流变换单元，多个电流变换单元的每一个包含：第1锁存电路，在多个电流变换电路的每一个中被确定的第1预定时刻处，从图像数据线取入并保持多个比特中的对应比特的数据；第2锁存电路，在第1预定时刻之后在多个电流变换电路中共同地确定的第2预定时刻处，从第1锁存电路接受并保持在第1锁存电路中被保持的对应比特的数据；以及电流源电路，用来在对应的第2信号线上生成分别与多个比特对应地设定了的多个比特加权电流中的对应的1个，电流源电路根据在第2锁存电路中保持了的对应比特的数据执行或停止对应的比特加权电流的生成。

在这样的显示装置中，由于配置成对像素电路供给信号电流的第1信号线没有与图像数据线直接交叉，故第1信号线的电位不因图像数据的传递而受到影响，可对像素电路写入信号电流。此外，因为第1信号线不与图像数据线直接交叉，故减少了第1信号线的布线电容。其结果，由于可缩短信号线电位成为与对应于图像数据的信号电流电平对应的所希望的值为止的调整时间，故可高速地产生与图像数据对应的信号电流，可谋求边缘模糊的抑制等的显示品质的提高。

或者，较为理想的是，多个电流变换电路的每一个包含分别与构成数字图像数据的多个比特对应地被设置的多个电流变换单元，多个电流变换单元的每一个包含：锁存电路，在多个电流变换电路的每一个中被确定的第1预定时刻处，从图像数据线取入并保持多个比特中的对应比特的数据；以及电流源电路，用来在对应的第2信号线上生成分别与多个比特对应地设定了的多个比特加权电流中的对应的1个，电流源电路具有根据在锁存电路中保持了的对应比特的数据执行或停止对应的比特加权电流的生成、而且在到多个电流变换部中共同地确定的第2预定时刻为止的期间中强制地使比特加权电流的生成停止的复位电路，第2预定时刻在同一水平期间内被设定在第1预定时刻之后。

在这样的显示装置中，通过在电流源电路内设置复位电路，可执行从图像数据线锁存1行部分的数字图像数据的动作和并列地供给1行部分的信号线电流的动作。因而，由于可实现数字图像数据的线顺序化而不在2个阶梯中设置锁存电路，故可缩小信号线驱动电路部分的电路规模。特别是，由于必须在每条第1信号线上设置数字图像数据的比特数部分的该锁存电路，故电路规模的缩小效果很大。

此外，较为理想的是，显示装置还具备生成分别表示分别与多个比特对应地设定了的多个比特加权电流的基准电平的多个基准电流的基准电流产生电路，多个电流变换电路的每一个包含分别与构成数字图像数据的多个比特对应地被设置的多个电流源电路，多个电流源电路的每一个包含：比特加权电流源，可执行从基准电流产生电路接受对应的基准电流并在内部保持与对应的基准电流对应的电学状态的基准电流写入动作和根据在基准电流写入动作时保持了的电学状态生成比特加权电流源的电流输出动作；以及开关电路，在比特加权电流源的电流输出动作时，根据多个比特中的对应比特来切换从比特加权电流源至对应的第2信号线的比特加权电流的传递。

更为理想的是，比特加权电流源包含：第1场效应晶体管，具有分别与预定电压和第1节点连接的源和漏；第2场效应晶体管，被设置在供给基准电流的节点与第1节点之间，在基准电流写入动作时导通，另一方面，在电流输出动作时截止；第3场效应晶体管，在基准电流写入动作时连接在第1场效应晶体管的栅与漏间；以及电容元件，连接成保持第1场效应晶体管的栅与源间电压，开关电路包含被设置在对应的第2信号线与第1节点之间并在电流输出动作时根据对应比特导通或截止的第4场效应晶体管。

在这样的显示装置中，由于可根据基准电流来校正从多个电流源电路输出的比特加权电流，故即使是构成电流源电路的TFT的特性离散大的情况，也可抑制信号电流的离散，抑制发光亮度的不匀。

特别是，更为理想的是，比特加权电流源还包含：虚设负载；以及第5场效应晶体管，在电流输出动作时，在第4场效应晶体管截止了时互补地导通，用来形成包含虚设负载、第1节点和第1场效应晶体管的电流路径。

在这样的显示装置中，由于即使在不从比特加权电流源输出比特加权电流的情况下，也可利用虚设负载形成包含应输出电流的第1场效应晶体管的电流路径，故可防止在基准电流写入动作时保持了的第1场效应晶体管的栅电压变动，可高精度地输出比特加权电流。

此外，较为理想的是，多个电流传递电路的每一个具有第1和第2电流源电路，第1和第2电流源电路的每一个交替地执行在内部保持与对应的第2信号线的通过电流对应的电学状态的电流写入动作和对对应的第1信号线供给与在电流写入动作时保持了的电学状态对应的电流的电流输出动作的一方。

更为理想的是，第1和第2电流源电路的每一个包含：第1场效应晶体管，具有分别与预定电压和第1节点连接的源和漏以及连接到第2节点上的栅；第2场效应晶体管，连接在第1场效应晶体管的栅与漏间；以及电容元件，与第2节点连接，以便保持第1场效应晶体管的源、漏间电压，多个电流传递电路的每一个包含：输入开关电路，将对应的第2信号线与第1和第2电流源电路中的进行电流写入动作的一方的第1节点连接；以及输出开关电路，将对应的第1信号线与第1和第2电流源电路中的进行电流输出动作的另一方的第1节点连接。

在这样的显示装置中，通过利用以2个系统设置的电流源电路交替地执行从对应的第2信号线写入电流的电流写入动作和将在电流写入动作时写入的电流供给对应的第1信号线的电流输出动作，可高效地构成电流传递电路。

附图说明

图1是示出本发明的实施形态1的显示装置的结构框图。

图2是示出本发明的实施形态1的显示装置中的比特加权电流源的结构的电路图。

图3A和图3B是示出本发明的实施形态1的显示装置中的像素电路的结构例的电路图。

图4是示出本发明的实施形态1的显示装置的动作顺序的波形图。

图5是示出本发明的实施形态1的显示装置中的基准电流产生电路和基准电流产生用外部电路的结构的电路图。

图6是示出本发明的实施形态1的显示装置的起动时的动作顺序的波形图。

图7是示出本发明的实施形态2的显示装置的结构框图。

图8是示出本发明的实施形态2的显示装置中的比特加权电流源的结构的电路图。

图9是示出本发明的实施形态2的显示装置的动作顺序的波形图。

图10A和图10B是示出本发明的实施形态2的显示装置中的输出启动电路和取样控制电路的结构的电路图。

图11是示出本发明的实施形态3的显示装置中的基准电流产生电路和基准电流产生用外部电路的结构的电路图。

图12是示出本发明的实施形态3的显示装置中的基准电流产生电路的电流源的结构的电路图。

图13是示出本发明的实施形态3的显示装置的基准电流产生电路的电流源的动作顺序的波形图。

图14是示出本发明的实施形态4的显示装置的结构框图。

图15是示出本发明的实施形态4的显示装置中的输出启动电路的结构的电路图。

图16是示出本发明的实施形态4的显示装置的动作顺序的波形图。

图17是示出本发明的实施形态4的显示装置中的取样控制电路的结构的电路图。

图18是示出本发明的实施形态4的显示装置中的基准电流产生电路的结构的电路图。

图19是示出本发明的实施形态5的显示装置中的比特加权电流源的结构的电路图。

图20是示出本发明的实施形态5的显示装置中的比特加权电流源的另一结构的电路图。

图21是示出本发明的实施形态6的显示装置中的比特加权电流源的结构的电路图。

图22是示出本发明的实施形态7的显示装置中的比特加权电流源的结构的电路图。

图23是示出本发明的实施形态8的显示装置中的比特加权电流源的结构的电路图。

图24是示出本发明的实施形态9的显示装置中的比特加权电流源的结构的电路图。

图25是示出本发明的实施形态10的显示装置的结构的框图。

图26是详细地说明本发明的实施形态10的显示装置中的信号线驱动电路的结构的框图。

图27是示出本发明的实施形态10的显示装置中的比特加权电流源的结构的电路图。

图28是示出本发明的实施形态10的显示装置中的电流传递电路的结构的电路图。

图29是示出本发明的实施形态10的显示装置的动作顺序的波形图。

图30是示出本发明的实施形态10的显示装置中的比特加权电流源的另一结构例的电路图。

图31是示出本发明的实施形态10的显示装置中的基准电流产生电路和基准电流产生用外部电路的结构的电路图。

图32是示出图31中输出的电流源的结构的电路图。

图33是示出本发明的实施形态10的显示装置中的基准电流产生的动作顺序的波形图。

图34是详细地说明本发明的实施形态11的显示装置中的信号线驱动电路的结构框图。

图35是示出本发明的实施形态11的显示装置中的比特加权电流源的结构的电路图。

图36是示出本发明的实施形态10的显示装置的动作顺序的波形图。

图37是示出现有的显示装置中的对发光元件的电流供给结构的电路图。

具体实施方式

以下参照附图详细地说明本发明的实施形态的显示装置。

(实施形态1)

图1是示出实施形态1的显示装置的结构的框图。在此，说明例如利用R(红)G(绿)B(蓝)的各色3比特的图像数据进行512色的显示的情况。此外，图中示出RGB各1列部分(第m列)的结构，添加字m表示与例如从左起第m个RGB列(RGB列的组)相对应。

参照图1，作为实施形态1的显示装置的代表例示出的有机EL面板38具备移位寄存器电路1、数据锁存电路2、时序锁存电路3、信号线驱动电路4、基准电流产生电路8、像素矩阵电路31和扫描驱动电路37。

数据锁存电路2利用从移位寄存器电路1输出的移位脉冲锁存被输入的图像数据(R[2..0]，G[2..0]，B[2..0])。时序锁存电路3通过利用锁存脉冲LP锁存被数据锁存电路2锁存了的图像数据得到线顺序化了的图像数据。信号线驱动电路4驱动像素矩阵电路31的信号线。

信号线驱动电路4包含供给比特加权后的R用基准电流的R用基准电流线5、供给比特加权后的G用基准电流的G用基准电流线6和供给比特加权后的B用基准电流的B用基准电流线7。再有，由于示出各色3比特的情况，故对于与各色对应的基准电流线5～7的每一条，各准备3条电流线。基准电流产生电路8产生上述的R用、G用和B用基准电流，供给基准电流线5～7。

信号线驱动电路4还包含分别生成R用最高位～最低位比特加权电流的R用比特加权电流源电路9～11、分别生成G用最高位～最低位比特加权电流的G用比特加权电流源电路12～14和分别生成B用最高位～最低位比特加权电流的B用比特加权电流源电路15～17。信号线驱动电路4还包含分别与R用比特加权电流源电路9～11对应地设置的开关电路18～20、分别与G用比特加权电流源电路12～14对应地设置的开关电路21～23、分别与B用比特加权电流源电路15～17对应地设置的开关电路24～26和AND电路27。

开关电路18～20分别根据来自时序锁存电路3的输出图像数据DR[2](m)～DR[0](m)切换R用比特加权电流源电路9～11的输出电流。开关电路21～23分别根据来自时序锁存电路3的输出图像数据DG[2](m)～DG[0](m)切换G用比特加权电流源电路12～14的输出电流。开关电路24～26分别根据来自时序锁存电路3的输出图像数据DB[2](m)～DB[0](m)切换B用比特加权电流源电路15～17的输出电流。AND电路27根据取样启动信号SE和移位脉冲SPX(m)生成对比特加权电流源电路指示基准电流的取样(写入)的取样信号SMP(m)。

像素矩阵电路31包含：对像素矩阵电路31供给从信号线驱动电路4输出的各色的信号电流IL_R(m)，IL_G(m)，IL_B(m)用信号线28～30；R像素电路32；G像素电路33；B像素电路34；以及扫描1行部分的各像素用的第1和第2扫描线35、36。在像素的各行中设置了第1扫描线35和第2扫描线36。再有，假定构成有机EL面板38的上述各电路由在玻璃基板上形成的低温多晶硅TFT(低温p-Si TFT)构成。

其次，说明有机EL面板38的动作。

首先，移位寄存器电路1根据从外部控制器电路(未图示)输入的开始脉冲STX和移位时钟CLKX，依次输出移位脉冲SPX(0)、SPX(1)、...、SPX(m)、...。分别从外部控制器电路(未图示)对数据锁存电路2输入RGB图像数据(R[2..0]，G[2..0]，B[2..0])，利用上述的移位脉冲从左端的数据起依次进行锁存。

在图1中，由于代表性地示出了从左端起第m个RGB列的结构，故利用移位脉冲SPX(m)按预定的时序锁存第m个RGB组的RGB图像数据。然后，在利用数据锁存电路2锁存了1行部分的RGB图像数据后，利用共同的锁存脉冲LP在时序锁存电路3中锁存各数据锁存电路2的输出数据，成为线顺序化了的图像数据，输入到信号线驱动电路4中。在图1中，代表性地示出由时序锁存电路3进行了线顺序化的执行图像数据中与第m个RGB组对应的DR[2](m)、DR[1](m)、DR[0](m)、DG[2](m)、DG[1](m)、DG[0](m)和DB[2](m)、DB[1](m)、DB[0](m)。

在信号线驱动电路4中，经对于各R列共同地设置的R用基准电流线5对R用比特加权电流源电路9～11依次供给R用基准电流。同样，经对于各G列、B列共同地设置的G用基准电流线6和B用基准电流线7对G用比特加权电流源电路12～14和B用比特加权电流源电路15～17分别依次供给G用和B用基准电流。

在此，在图2中示出比特加权电流源电路9～11、12～14、15～17各自的结构。为了在图2中对于各色一般化地记载，省略了添加字RGB。

图2中示出的基准电流线40～42分别对最高位比特～最低位比特供给比特加权后的基准电流。即，基准电流线40～42相当于图1中的R用、G用和B用基准电流线5～7。比特加权电流源电路43～45分别与最高位比特～最低位比特相对应。即，比特加权电流源电路43～45分别相当于图1的比特加权电流源电路9～11、比特加权电流源电路12～14和比特加权电流源电路15～17。在图2中，只代表性地示出最高位比特的比特加权电流源电路43的结构，但各比特加权电流源电路的结构是同样的。各比特加权电流源电路包含n型TFT46～48、50、电容器(电容元件)49、虚设负载51和p型TFT52。

如图2中所示，在比特加权电流源电路43～45的n型TFT46的漏上分别连接了基准电流线40～42，在n型TFT46的源上连接了n型TFT47、48的漏和n型TFT50的源。在n型TFT47的源上连接了n型TFT48的栅和保持其栅电压用的电容器49的一端。电容器49的另一端接地。此外，n型TFT48的源接地。再者，n型TFT50的漏连接到p型TFT52的漏和n型TFT53的源上，在p型TFT52的源与电源VDD之间连接了虚设负载51。

对n型TFT46和47的栅输入了取样信号SMP(m)，在激活时，被控制成n型TFT46和47导通。因而，在取样信号SMP(m)的激活时，经n型TFT46从基准电流线40～42分别对比特加权电流源电路43～45供给对应的比特加权基准电流IREF[2]、IREF[1]、IREF[0]。这样，n型TFT46、47作为根据取样信号SMP(m)控制对比特加权电流源电路的基准电流的写入的开关来动作。

此外，对n型TFT50的栅输入输出启动信号OE，在激活时，被控制成n型TFT50导通。因而，在输出启动信号OE的激活时，形成n型TFT48的电流吸入路径。这样，n型TFT50以控制比特加权电流源电路的输出的方式来动作。

再者，在比特加权电流源电路43～45的输出端上分别连接n型TFT53～55的源。此外，n型TFT53～55的各漏相互间被连接，进而，其连接点连接到信号线上。而且，对应的比特D[2](m)、D[1](m)、D[0](m)输入到n型TFT53～55的各自的栅上。

比特加权电流源电路43～45交替地重复基准电流写入动作和比特加权电流输出动作。首先，在基准电流写入动作时，取样信号SMP(m)为激活电平(高电平)，例如在最高位比特的比特加权电流源电路43中，n型TFT46、47为导通状态，与从基准电流线40供给的最高位比特对应的比特加权基准电流4×Io(预定电流Io的4倍)经n型TFT46流过n型TFT48。此时，由于n型TFT47导通，故n型TFT48以二极管方式连接，由电容器49保持在n型TFT48中流过基准电流时的栅电压。在基准电流写入动作时，输出启动信号OE为非激活电平(低电平)，n型TFT50被切断。

同样，在第2比特的比特加权电流源电路44和最低位比特的比特加权电流源电路45中，也分别经基准电流线41、42写入分别与第2比特和最低位比特对应的比特加权基准电流2×Io(预定电流Io的2倍)和Io。

在比特加权电流输出动作中，输出启动信号OE为非激活电平(低电平)，n型TFT46、47被切断。另一方面，输出启动信号OE为激活电平(高电平)，n型TFT50导通。此时n型TFT48在漏-源间流过与在基准电流写入动作时由电容器49保持了的栅电压对应的电流。即，n型TFT48从漏吸入与在基准电流写入动作时被写入的基准电流大致相等的恒定电流4×Io1(电流Io1的4倍)。此时，如果来自上述的时序锁存电路32的对应的图像数据的比特D[2](m)为“1”，则n型TFT53导通，n型TFT48经n型TFT50、53从对应的信号线吸入比特加权电流4×Io1。

此外，在对应的图像数据的比特D[2](m)为“0”的情况下，n型TFT53被切断，不从对应的信号线吸入电流。此时，如果n型TFT48的吸入电流路径被切断，则n型TFT48的漏电位下降，在电容器49中保持了的电荷经n型TFT47、48漏泄。这意味着n型TFT48的栅电压逐渐地下降，吸入电流(漏-源间电流)下降。由此，从对应的信号线吸入的信号线驱动电流逐渐地下降，进而成为显示不匀的原因。

因此，在各比特加权电流源电路中设置p型TFT52和虚设负载51。p型TFT52的源经虚设负载51连接到电源VDD上。如果作成这样的结构，则即使图像数据的比特D[2](m)为“0”，由于n型TFT48的漏经n型TFT50、52和虚设负载51连接到电源VDD上，故电流也流过n型TFT48，吸入电流路径不会被切断。其结果，可防止n型TFT48的栅电位因电容器49中的电荷漏泄而逐渐地下降。

同样，在比特加权电流输出动作时，在第2比特的比特加权电流源电路44、最低位比特的比特加权电流源电路45中，在对应的图像数据的比特D[1](m)、D[0](m)为“1”的情况下，分别经n型TFT54、55，分别从信号线吸入比特加权电流2×Io1、Io1。

这样，在比特加权电流输出动作中，利用n型TFT48来再现在各RGB列中由共同的基准电流写入的基准电流。该n型TFT48称为驱动连接到后级的信号线的驱动用TFT。

此时，在比特加权电流源电路43～45的输出端上分别连接n型TFT53～55的一端(源)。n型TFT53～55的另一端(漏)共同地连接，其共同连接端连接到信号线上。即，n型TFT53～55根据图像数据的比特，通过切换并输出对应的各比特加权电流源电路的比特加权电流4×Io1、2×Io1、Io1进行加法运算，生成信号线驱动电流。

此时，总括地示出了各色的信号电流IL_R(m)，IL_G(m)，IL_B(m)的信号线驱动电流可如以下那样来表示。

IL(m)＝{2^(bn-1)×D[bn-1](m)+2^(bn-2)×D[bn-2](m)+...+2×D[1](m)+

D[0](m)}×Io1

再有，在上式中，bn表示图像数据的比特数。在本实施形态1中，由于例如叙述了3比特的情况，故bn＝3，可得到被变换为各色8等级的模拟信号的信号线驱动电流。

图2的n型TFT53～55分别相当于连接到图1中的R用比特加权电流源电路9～11的后级(输出端)上的开关电路18～20、连接到G用比特加权电流源电路12～14的后级(输出端)上的开关电路21～23以及连接到B用比特加权电流源电路15～17的后级(输出端)上的开关电路24～26。

其次，说明R、G、B像素电路32、33、34。关于将有机EL作为发光元件使用的显示装置的像素电路，例如已知有在“A 13.0-inchAM-OLED Display with Top Emitting Structure and AdaptiveCurrent Mode Programmed Pixel Circuit(TAC)，Tatsuya Sasaoka etal.，SID 01 DIGEST pp.384-386”中记载的内容，在本实施形态1中也可使用同样的像素电路。

图3A是示出像素电路32～34的结构例的电路图。参照图3A，像素电路32～34分别包含p型TFT60、61、n型TFT62、63、电容器64和有机EL发光元件(OLED)65。在经对应的信号线28～30的写入动作时，第2扫描线36为高电平时，第1扫描线35为高电平，经对应的信号线将信号线驱动电流吸入到信号线驱动电路4中。由电容器64保持与流过此时的p型TFT60的信号线驱动电流对应的栅电位。

然后，在有机EL发光元件的驱动动作时，如果第2扫描线36为低电平，接着第1扫描线35为低电平，则由于连接了p型TFT60、61的彼此的栅，故构成电流镜电路，与在电容器64中保持了的栅电位对应的电流流过p型TFT61的源-漏间。由于p型TFT61的漏连接到有机EL发光元件65的阳极上，故p型TFT61的源-漏间电流成为有机EL发光元件65的驱动电流。然后，有机EL发光元件65以与该驱动电流对应的发光强度发光。

由于用电容器64保持了p型TFT61的栅电压，故在下一个帧期间，在第1和第2扫描线35和36再次被扫描之前，在有机EL发光元件65中持续地流过相同的驱动电流，有机EL发光元件65按照该驱动电流而发光。

此外，通过只使第2扫描线36为高电平，可停止有机EL发光元件65的发光。之所以如此，是因为如果只使第2扫描线36为高电平，则由于通过在电容器64中保持了的电荷经n型TFT62和p型TFT60而漏泄，TFT61的栅电位上升，p型TFT61被切断，对有机EL发光元件65的驱动电流的供给被停止。

图3B是示出像素电路32～34的另一结构例的电路图。参照图3B，像素电路32～34分别包含p型TFT61、67、n型TFT62、63、电容器64和有机EL发光元件65。p型TFT67连接在p型TFT61的漏与有机EL发光元件65的阳极之间。n型TFT62和63串联地连接在p型TFT61的栅与对应的信号线28～30之间。n型TFT62和63的连接节点与p型TFT61和67的连接节点互相连接。

与图3A中示出的像素电路同样，n型TFT62和63的栅分别与第1和第2扫描线35和36连接，电容器64连接在p型TFT61的栅与电源VDD之间。此外，p型TFT67的栅与n型TFT63的栅同样地与第1扫描线35连接。

在经对应的信号线28～30的写入动作时，在第1和第2扫描线35、36这两者为高电平时，经对应的信号线将信号线驱动电流吸入到信号线驱动电路4中。信号线驱动电流通过因n型TFT62的导通而以二极管方式连接的p型TFT61，由电容器64保持此时的p型TFT61的栅电位。

然后，在有机EL发光元件的驱动动作时，第1扫描线35为低电平，与在电容器64中保持了的栅电位对应的电流流过p型TFT61的源-漏间。该电流成为有机EL发光元件65的驱动电流。

由于用电容器64保持了p型TFT61的栅电压，故与图3A中示出的像素电路同样，在下一个帧期间，在第1和第2扫描线35和36再次被扫描之前，在有机EL发光元件65中持续地流过相同的驱动电流，有机EL发光元件65按照该驱动电流而发光。

现在返回到图1，继续进行显示装置(有机EL面板38)整体的动作的说明。如上所述，信号线驱动电路4经信号线28～30从像素电路32～34吸入电流，作为对与扫描对象行的像素对应的图像数据进行了D/A变换(数字-模拟变换)的模拟电流。

再有，在本实施形态中，信号线驱动电流的方向相对于信号线驱动电路4为吸入方向，但本申请的发明的应用不限定于这样的情况。即，信号线驱动电路4的动作不限定电流方向，能以下述的方式来驱动信号线，即，经信号线对像素电路供给信号电流。

此外，对扫描驱动电路37输入开始脉冲STY和移位时钟CLKY。扫描驱动电路37根据开始脉冲STY和移位时钟CLKY产生移位脉冲，根据该移位脉冲生成驱动各行的第1扫描线35的驱动脉冲SC_A(0)、...、SC_A(N-1)和驱动各行的第2扫描线36的驱动脉冲SC_B(0)、...、SC_B(N-1)。依次扫描各行的像素电路。

其次，利用图4说明本实施形态1的驱动顺序。图4示出第j帧期间的后面部分～第(j+1)帧期间的前面部分的动作。此外，将像素矩阵的行数定为N，列数定为3×M(RGB各色各M列)。

首先，在第j帧期间中，从控制器对移位寄存器电路1在第0行(开头行)～第(N-1)行(最终行)的数据锁存期间的开头输入开始脉冲STX。此外，在各行的整个锁存期间中分别从控制器对移位寄存器电路1输入移位时钟CLKX，从移位寄存器电路1依次输出移位脉冲SPX(0)、SPX(1)、SPX(2)、…、SPX(M-1)。

另一方面，从控制器输入该列的RGB图像数据(R[2..0]，G[2..0]，B[2..0])，以便利用移位脉冲SPX(总括地表示了移位脉冲SPX(0)～SPX(M-1))锁存在数据锁存电路2中。然后，在各行的数据锁存期间中在锁存了全列×1行部分的图像数据之后，对时序锁存电路3输入锁存脉冲LP，从时序锁存电路3输出与各列对应的1行部分的线顺序化了的图像数据。

然后，在用信号线驱动电路4将线顺序化了的图像数据变换为模拟电流之后，经信号线供给像素电路作为信号线驱动电流。这样，由于成为所谓的线顺序驱动，故在数据锁存期间与扫描期间之间产生1个水平期间的偏移。在包含第0行(开头行)～第(N-1)行的扫描期间的期间中，将输出启动信号OE设定为高电平(激活电平)，使信号线驱动电路4的比特加权电流源电路进行比特加权电流输出动作。

另一方面，在扫描驱动电路37中，在第0行扫描期间附近输入开始脉冲STY，在整个扫描期间中输入移位时钟CLKY。然后，根据开始脉冲STY和移位时钟CLKY，在每个扫描期间中在扫描驱动电路37内部依次生成移位脉冲SPY(0)、SPY(1)、SPY(2)、...、SPY(N-1)。根据以这种方式生成的移位脉冲SPY(总括地表示了移位脉冲SPY(0)～SPY(M-1))依次生成与各行对应的第1和第2扫描线35、36的驱动脉冲SC_A(0)、SC_B(0)、...、SC_A(N-1)、SC_B(N-1)，分别以预定的时序扫描像素矩阵的各行的第1和第2扫描线35、36。这样，对各像素电路依次写入将由信号线驱动电路4对各列的信号线供给的图像数据变换为模拟电流的信号线驱动电流。如上所述，在有机EL发光元件65中流过基于在各像素电路中由信号线供给的电流的信号电流，使有机EL发光元件65发光。

在各帧的扫描期间之间设置了扫描消隐期间，如图4中所示，在第(N-1)行(最终行)的扫描结束了后，取样启动信号SE为激活电平(高电平)。响应于此，如图1中所示，利用AND电路27，取与各列对应的移位脉冲SPX与取样启动信号SE的AND(逻辑积)，对应的列的取样信号SMP成为激活电平(高电平)。由此，在信号线驱动电路4中从基准电流线5～7将基准电流写入到对应的列的比特加权电流源电路中。这样，取样信号SMP在每个RGB单位中依次成为激活电平，基准电流被写入。

在此，在扫描消隐期间的预定期间中，利用移位寄存器电路1产生移位脉冲SPX，同时通过使取样启动信号SE为激活状态，按每个RGB列的几次～几十次的预定次数对比特加权电流源电路供给基准电流，进行从比特加权电流源电路输出的比特加权电流的校正动作。这样，即使在扫描消隐期间中也使移位寄存器电路1动作，根据移位脉冲生成对比特加权电流源电路写入基准电流的取样信号。

再有，特别是在低位比特的基准电流是微小的情况下，基准电流在对布线电容或电容器49充电中被消耗，到预定值的基准电流流过n型TFT48为止很费时间。因此，在本实施形态中，按每个RGB列的几次～几十次的预定次数写入基准电流。如果在1次的取样中能在n型TFT48中写入任一比特的基准电流，则没有特别的必要进行多次取样。

此外，为了进行基准电流写入动作，按与扫描期间相同的时序使移位寄存器电路1动作，生成取样信号SMP，但在基准电流写入动作时，可在任意的时刻设定开始脉冲STX和移位时钟CLKX。例如，在低位比特的基准电流是微小的、打算确保移位脉冲SPX的产生期间比通常的扫描期间长的情况下，也可在基准电流写入动作时输入开始脉冲STX和移位时钟CLKX，以便加长移位脉冲SPX的产生期间。

其次，说明基准电流产生电路8。图5是示出基准电流产生电路8和基准电流产生用外部电路的结构的电路图，图5中的右侧的P示出了有机EL面板一侧，左侧的Q示出了外部电路一侧。

例如，如以下那样生成R用比特加权基准电流IREF[0]～IREF[2]。利用控制器控制在有机EL面板的外部设置的D/A变换电路(DAC)70，产生预定电压Vref(R)。将在D/A变换电路(DAC)70中产生的基准电压Vref(R)输入到差分放大器71的非反转输入端上。将差分放大器71的输出端输入到有机EL面板上，输入到n型TFT72的栅上。n型TFT72的源经在有机EL面板的外部设置的电流设定用电阻78接地。此外，n型TFT72的源也连接到差分放大器71的反转输入端上。利用这样的结构，利用差分放大器71、n型TFT72和电流设定用电阻78构成恒流源。

如果将电流设定用电阻78的电阻值定为Rext(R)，则n型TFT72的漏电流Id(R)用Id(R)＝Vref(R)/Rext(R)来表示。

n型TFT72的漏电流Id(R)成为比特加权基准电流IREF(R)[0]～IREF(R)[2]的原电流，利用由p型TFT74～77构成的电流镜电路73进行变换，分别作为4×Io(R)、2×Io(R)、Io(R)的大小的比特加权基准电流IREF(R)[0]～IREF(R)[2]而被输出。电流镜电路73的电流比的设定是通过例如使栅长L为恒定、设定p型TFT74～77的栅宽W来进行的。即，利用p型TFT74～77的晶体管尺寸(W/L)可设定电流比。

G用和B用比特加权基准电流IREF(G)[0]～IREF(G)[2]、IREF(B)[0]～IREF(B)[2]也同样，分别可利用电流镜电路73变换从由差分放大器81、91、n型TFT82、92和电流设定用电阻88、98构成的恒流源产生的原电流Id(G)、Id(B)来得到。

在此，在RGB应用中使用了同一结构的电流镜电路73，但由于考虑有机EL发光元件的电流-发光特性对每种颜色不同的情况，故希望对每种颜色调整构成电流镜电路73的p型TFT74～77的W比。此外，与在一般的半导体电路中进行的同样，适当地附加提高恒流性的TFT。

此外，用外部的电流设定用电阻78、88、98来设定基准电流的大小，但根据有机EL发光元件的特性，有时基准电流为几μA或小于等于该值的微小电流，可考虑来自有机EL面板的高阻抗布线变长而容易受到外来噪声的影响的情况。因此，外来降低该布线阻抗，希望将p型TFT74～77的栅宽W之比设定成原电流比基准电流大。

这样，由于通过利用控制器独立地调整D/A变换电路70、80、90的输出电压Vref(R)、Vref(G)、Vref(B)，可调整RGB的基准电流之比和大小，故可利用控制器控制显示的白平衡调整或亮度调整。

其次，说明有机EL面板38的电源接通等起动时的动作。

在根据图2说明了的比特加权电流源电路中，在电源接通等的起动时完全未对布线电容或电容器49充电，在起动时，通过从该状态起写入比特加权基准电流对布线电容和电容器49充电。因而，特别是在比特加权基准电流是微小的低位比特一侧的比特加权电流源电路中，驱动用n型TFT48的栅电压到达与所希望的比特加权基准电流对应的预定电平为止很费时间。

如果在这样的电源接通时的过渡性的时间内进行显示动作，则意味着在有机EL发光元件流过预定的电流到以预定的亮度显示图像为止很费时间，在极端的情况下，图像逐渐地缓慢地呈现。

因此，如图6中所示，如果接通对于有机EL面板38的电源，则在经过了电源达到稳定且基准电流产生电路8的输出电流达到稳定为止的预定的等待时间后，一度转移到比特加权电流源起动动作中。

在该比特加权电流源起动动作时，输入开始脉冲STX和移位时钟CLKX，使移位寄存器电路1动作，得到移位脉冲SPX(0)～SPX(M-1)。然后，激活取样启动信号SE，对各列的比特加权电流源依次供给比特加权基准电流，进行校正动作。以预定的次数重复进行该校正动作，直到驱动用TFT48的栅电压成为预定值。另一方面，在该期间中，不进行数据锁存动作和扫描动作，禁止图像显示。

这样，在比特加权电流源起动动作时，在大致全部的动作期间中可进行对比特加权电流源电路的基准电流写入的校正动作。因而，与只使用消隐期间的情况相比，可迅速地对布线电容或电容器49充电，可缩短驱动用的n型TFT48的栅电压成为预定值为止的时间。由此，可平稳地转移到图像显示。

再者，如图6中所示，通过与通常的显示动作时相比以低速使移位寄存器电路1动作，将对各比特加权电流源电路的取样时间(基准电流写入时间)设定得较长。这并不是在实际的取样时因TFT的导通时间等的影响的缘故而使用取样信号SMP的全部的激活期间来进行基准电流写入，而是加长1次的取样时间的做法能有效地进行基准电流的写入。

再有，在此构成为在比特加权电流源起动时间内对于各比特加权电流源电路进行几次电介质写入电流，但如果用1次就能充分地进行写入，使驱动用n型TFT48的栅电压成为预定值，则没有必要特别地重复几次。

如上所述，在本实施形态1中，构成为通过写入比特加权后的基准电流来校正比特加权电流源的输出电流，通过根据数字图像的比特数据切换从比特加权电流源输出的比特加权电流后进行加法运算输出给信号线。由此，即使是TFT特性离散大的情况，也能抑制各列(信号线)的信号线驱动电流的离散，可抑制发光亮度的不匀。

此外，由于可将信号线定为各列1条，故即使对于像素间距窄的高分辨率显示也能予以对应。

(实施形态2)

图7是示出本发明的实施形态2的显示装置的结构的框图。

在本实施形态2中，设置2个系统(系统A/系统B)的比特加权电流源，使基准电流写入动作和比特加权电流输出动作互补地动作。

参照图7，在实施形态2中，信号线驱动电路4包含分别由2个系统(系统A/系统B)的电流源构成的比特加权电流源电路100～108来代替图1中的比特加权电流源电路9～17。R用比特加权电流源电路100～102代替图1中的R用比特加权电流源电路9～11而被设置，G用比特加权电流源电路103～105代替图1中的G用比特加权电流源电路12～14而被设置，G用比特加权电流源电路106～108代替图1中的G用比特加权电流源电路15～17而被设置。

在实施形态2中，还设置输出启动控制电路109和取样控制电路110。启动控制电路109根据输出启动信号OE和动作模式识别信号A/B生成2个系统(系统A/系统B)各自的输出启动信号OE_A、OE_B。动作模式识别信号A/B是交替地选择系统A和系统B用信号。

取样控制电路110被设置在信号线驱动电路4中，根据动作模式识别信号A/B和移位脉冲SPX(m)生成2个系统(系统A/系统B)各自的取样信号SP_A(m)、SP_B(m)。再有，在图7中，对于与图1的结构为同一的部分附以同一符号，省略其详细的说明。

图8是示出实施形态2的比特加权电流源电路120～122的结构的电路图。再有，在图8中，比特加权电流源电路120相当于图7中示出的R、G、B用比特加权电流源电路中与最高位比特对应的比特加权电流源电路100、103、106。同样，比特加权电流源电路121相当于图7中示出的与第2比特对应的比特加权电流源电路101、104、107，比特加权电流源电路122相当于图7中与最低位比特对应的比特加权电流源电路102、105、108。

在图8中，也与图2同样地代表性地只示出比特加权电流源电路120的结构，但各比特加权电流源电路的结构是同样的。比特加权电流源电路120包含系统A的比特加权电流源123a、系统B的比特加权电流源123b、虚设负载51和p型TFT52。系统A的比特加权电流源123a具有n型TFT46a～48a、50a和电容器49a。系统B的比特加权电流源123b具有n型TFT46b～48b、50b和电容器49b。

在比特加权电流源电路120～122的每一个中，系统A的比特加权电流源123a中的n型TFT46a的漏和系统B的比特加权电流源123b中的n型TFT46b的漏共同地连接到分别对应的基准电流线40～42上。

对在对系统A的比特加权电流源123a的基准电流写入控制中使用的n型TFT46a、47a的栅供给取样信号SP_A(m)。对在对系统B的比特加权电流源123b的基准电流写入控制中使用的n型TFT46b、47b的栅供给取样信号SP_B(m)。

此外，对比特加权电流源123a中的输出控制中使用的n型TFT50a的栅供给输出启动信号OE_A，对比特加权电流源123b中的输出控制中使用的n型TFT50a的栅供给输出启动信号OE_B。n型TFT50a和50b的漏与n型TFT53的源经p型TFT52连接到虚设负载51上。由于比特加权电流源电路120～122的其它的结构与在实施形态1中已说明的43～45是同样的，故省略其详细的说明。

系统A的比特加权电流源123a和系统B的比特加权电流源123b交替地重复进行与实施形态1同样的基准电流写入动作和比特加权电流输出动作，但在一方的系统进行基准电流写入动作时，另一方的系统以进行电流输出动作的方式互补地动作。

在系统A的比特加权电流源123a的基准电流写入动作时，取样信号SP_A(m)为激活电平(高电平)，例如在最高位比特的比特加权电流源电路100、103、106中，与实施形态1同样，n型TFT46a和47a为导通状态，经n型TFT46a在n型TFT48a中流过从比特基准电流线40供给的最高位的比特加权基准电流4×Io。此外，由于n型TFT47a导通，故n型TFT48a以二极管方式连接，由电容器49保持上述基准电流流过n型TFT48a时的栅电压。此外，输出启动信号OE_A为非激活电平(低电平)，n型TFT50a被切断。

同样，在系统B的比特加权电流源123b的基准电流写入动作时，取样信号SP_B(m)为激活电平(高电平)，例如在最高位比特的比特加权电流源电路100、103、106中，与实施形态1同样，n型TFT46b和47b为导通状态，经n型TFT46b在n型TFT48b中流过从最高位比特基准电流线40供给的最高位的比特加权基准电流4×Io。此外，输出启动信号OE_B为非激活电平(低电平)，n型TFT50b被切断。

这样，将最高位比特的比特加权基准电流4×Io写入到系统A的比特加权电流源123a或系统B的比特加权电流源123b的某一方中。

此外，在系统A的比特加权电流源123a的比特加权电流输出动作时，取样信号SP_A(m)为非激活电平(低电平)，n型TFT46a和47a被切断。另一方面，输出启动信号OE_A为激活电平(高电平)，n型TFT50a导通。此时，与实施形态1同样，n型TFT48a在漏-源间流过与在基准电流写入动作时由电容器49a保持了的栅电压对应的电流。即，从漏吸入与在基准电流写入动作时被写入的基准电流大致相等的恒定电流4×Io1。此时，如果来自时序锁存电路32的对应的图像数据的比特D[2](m)为“1”，则n型TFT53导通，n型TFT48a经n型TFT50a和53从信号线吸入比特加权电流4×Io1。

同样，在系统B的比特加权电流源123b的比特加权电流输出动作时，取样信号SP_B(m)为非激活电平(低电平)，n型TFT46b、47b被切断。另一方面，输出启动信号OE_B为激活电平(高电平)，n型TFT50b导通。此时，n型TFT48b在漏-源间流过与在基准电流写入动作时由电容器49b保持了的栅电压对应的电流。即，从漏吸入与在基准电流写入动作时被写入的基准电流大致相等的恒定电流4×Io1。此时，如果来自时序锁存电路32的对应的图像数据的比特D[2](m)为“1”，则n型TFT53导通，n型TFT48b经n型TFT50b和53从信号线吸入比特加权电流4×Io1。

另一方面，在对应的图像数据的比特D[2](m)为“0”的情况下，n型TFT53被切断，即使在比特加权电流输出动作时也不从信号线吸入电流。此时，因与在实施形态1中已说明的同样的原因，在电容器49a和49b中保持了的电荷分别经n型TFT47a、47b和48a、48b漏泄。如已说明的那样，如果由于该现象的缘故n型TFT48a、48b的栅电压逐渐地下降，则吸入电流(漏-源间电流)下降。即，从信号线吸入的信号线驱动电流逐渐地下降，进而成为显示不匀的原因。

因此，与实施形态1同样，在各比特加权电流源电路120～122中设置虚设负载51和p型TFT52。p型TFT52的源经虚设负载51连接到电源VDD上。由此，即使图像数据的比特D[2](m)为“0”，由于n型TFT48a、48b的漏经n型TFT50a、50b连接到p型TFT52上，进而经p型TFT52和虚设负载51连接到电源VDD上。因此，电流流过n型TFT48a、48b，吸入电流路径不会被切断。其结果，可防止n型TFT48a、48b的栅电位因电容器49a、49b中的电荷漏泄而逐渐地下降。

同样，在比特加权电流输出动作时，在第2比特的比特加权电流源电路121、最低位比特的比特加权电流源电路122中，在对应的图像数据的比特D[1](m)、D[0](m)为“1”的情况下，分别经n型TFT54、55，分别从信号线吸入比特加权电流2×Io1、Io1。

这样，在比特加权电流输出动作中，利用系统A的比特加权电流源123a或系统B的比特加权电流源123b的某一方来再现在各RGB列中由共同的基准电流吸入动作写入的基准电流。该n型TFT48a、48b相当于驱动连接到后级的信号线的驱动用TFT。

此时，与实施形态1同样，在比特加权电流源电路120～122的输出端上分别连接n型TFT53～55的一端(源)。n型TFT53～55的另一端(漏)共同地连接，其共同连接端连接到信号线上。即，n型TFT53～55根据图像数据的比特，通过切换并输出来自对应的各比特加权电流源电路的比特加权电流4×Io1、2×Io1、Io1。通过以这种方式对比特加权电流进行加法运算，可得到被变换为各色8等级的模拟信号的信号线驱动电流。

图8中示出的n型TFT53～55相当于图7中的连接到R用比特加权电流源电路100～102的后级(输出端)上的开关电路18～20、连接到G用比特加权电流源电路103～105的后级(输出端)上的开关电路21～23以及连接到B用比特加权电流源电路106～108的后级(输出端)上的开关电路24～26。

R、G、B像素电路32、33、34是例如与图3A中已说明的同样的结构。即，在经信号线的写入动作时，在第2扫描线36为高电平时第1扫描线35为高电平，从信号线驱动电路4经信号线吸入信号线驱动电流。此时，由电容器64保持与流过p型TFT60(图3A)的信号线驱动电流对应的栅电位。

然后，在有机EL发光元件的驱动动作时，第2扫描线36为低电平，如果接着第1扫描线35为低电平，则p型TFT60、61构成电流镜电路，在p型TFT61的源-漏间流过与在电容器中保持了的栅电位对应的电流。由于p型TFT61的漏连接到有机EL发光元件65的阳极上，故p型TFT61的源-漏间电流成为有机EL发光元件65的驱动电流。

现在返回到图7，继续进行显示装置(有机EL面板)整体的动作的说明。如上所述，与实施形态1同样，信号线驱动电路4经信号线28～30从像素电路32～34吸入电流，作为对与扫描对象行的像素对应的图像数据进行了D/A变换(数字-模拟变换)的模拟电流。即，与实施形态1同样，信号线驱动电路4以经信号线对像素电路供给信号电流的方式驱动信号线。

此外，与上述实施形态1同样，对扫描驱动电路37输入开始脉冲STY和移位时钟CLKY。扫描驱动电路37根据开始脉冲STY和移位时钟CLKY产生移位脉冲，根据该移位脉冲生成驱动各行的第1和第2扫描线35、36的驱动脉冲SC_A(0)、SC_B(0)、...、SC_A(N-1)、SC_B(N-1)，依次扫描各行的像素电路。

其次，利用图9说明本实施形态2的驱动顺序。图9示出第j帧期间的后面部分～第(j+1)帧期间的前面部分的动作。此外，将像素矩阵的行数定为N，列数定为3×M(RGB各色各M列)。

首先，在第j帧期间中，与实施形态1同样，对时序锁存电路3输入锁存脉冲LP，输出与各列对应的1行部分的线顺序化了的图像数据。

然后，在用信号线驱动电路4将线顺序化了的图像数据变换为模拟电流之后，经信号线供给像素电路作为信号线驱动电流。这样，由于成为所谓的线顺序驱动，故在数据锁存期间与扫描期间之间产生1个水平期间的偏移。

动作模式识别信号A/B按属于数据锁存消隐期间和扫描消隐期间这两者的期间中的预定的时序在高电平与低电平之间来回反复。在此，假定在动作模式识别信号A/B为高电平时，将系统A的比特加权电流源设定为比特加权电流输出模式，将系统B的比特加权电流源设定为基准电流写入模式，在动作模式识别信号A/B为低电平时，将系统A的比特加权电流源设定为基准电流写入模式，将系统B的比特加权电流源设定为比特加权电流输出模式。

在此，说明输出启动控制电路109和取样控制电路110。例如，输出启动控制电路109，如图10A中所示，由倒相器电路131、132和NOR电路133、134构成。通过利用动作模式识别信号A/B及其反转信号来掩蔽输出启动信号OE，如图9中所示，得到与扫描期间对应地隔开1帧交替地成为激活状态的对系统A的比特加权电流源的输出启动信号OE_A和对系统B的比特加权电流源的输出启动信号OE_B。由此，利用n型TFT50a、50b切换来自系统A和系统B的比特加权电流源123a、123b的输出。

此外，取样控制电路110，例如如图10B中所示，由倒相器电路136、137和NOR电路138、139构成。通过利用动作模式识别信号A/B来掩蔽从移位寄存器电路1输出的移位脉冲SPX(m)，如图9中所示，可得到与扫描期间对应地隔开1帧交替地成为激活状态的对系统A的比特加权电流源的取样信号SP_A(0)、...、SP_A(M-1)和对系统B的比特加权电流源的取样信号SP_B(0)、...、SP_B(M-1)。利用这些取样信号来控制系统A和系统B的比特加权电流源123a、123b中的基准电流的取样(写入)。

另一方面，扫描驱动电路37与实施形态1同样地动作，在每个扫描期间中在扫描驱动电路37内部依次生成移位脉冲SPY(0)、SPY(1)、...、SPY(N-1)。根据已生成的移位脉冲SPY依次生成与各行对应的驱动脉冲SC_A(0)、SC_B(0)、...、SC_A(N-1)、SC_B(N-1)，分别以预定的时序扫描像素矩阵的各行的第1和第2扫描线35、36。这样，对各像素电路依次写入将由信号线驱动电路4对各列的信号线供给的图像数据变换为模拟电流的信号线驱动电流。在有机EL发光元件中流过基于在像素电路中由信号线供给的信号电流的电流，使有机EL发光元件发光。再有，由于基准电流产生电路8的结构和动作也与实施形态1是同样的，故不重复其详细的说明。

如上所述，在本实施形态2中，与实施形态1同样，由于构成为通过写入比特加权后的基准电流来校正比特加权电流源的输出电流，通过根据数字图像的比特数据切换从比特加权电流源输出的比特加权电流后进行加法运算输出给信号线，故即使是TFT的特性的离散大的情况，也能抑制各列的信号线驱动电流的离散，可抑制发光亮度的不匀。此外，由于可将信号线定为各列1条，故即使对于像素间距窄的高分辨率显示也能予以对应。

另外，在实施形态2中，由于构成为使用2个系统的比特加权电流源交替地重复基准电流写入动作和电流输出动作，故可对基准电流写入动作分配充分的时间，可输出稳定的比特加权电流，可进一步抑制信号线驱动电流的离散。

(实施形态3)

在上述的实施形态1、2的结构中，利用电流镜电路从原电流生成了基准电流。在实施形态3中，说明将原电流定为具有与比特数对应的阶梯数(台阶数)的阶梯波电流、通过用基准电流产生电路8对各台阶的电流进行取样分离后作为基准电流输出给基准电流线的结构。

图11是示出本发明的实施形态3的显示装置中的基准电流产生电路8和基准电流产生用外部电路的结构的电路图。

在实施形态3中，例如如下述那样来生成R用比特加权基准电流IREF(R)[2]～IREF(R)[0]。利用控制器控制在有机EL面板的外部设置的D/A变换电路(DAC)70，产生以各台阶为预定电压的阶梯波基准电压Vref(R)。将在D/A变换电路(DAC)70中产生的基准电压阶梯波Vref(R)输入到差分放大器71的非反转输入端上。将差分放大器71的输出端输入到有机EL面板上，输入到n型TFT72的栅上。n型TFT72的源经在有机EL面板的外部设置的电流设定用电阻78接地。此外，n型TFT72的源也连接到差分放大器71的反转输入端上。利用这样的结构，利用差分放大器71、n型TFT72和电流设定用电阻78构成恒流源。n型TFT72的漏电流Id(R)成为Id(R)＝Vref(R)/Rext(R)。

将上述恒流源的输出电流Id(R)输入到具有2个系统(系统A/系统B)的电流源151和152的电流源电路150中。

该2个系统(系统A/系统B)的电流源151和152如图12中所示那样来构成。由于电流源151和152具有同一结构，故在图12中对于信号名省略了添加字A和B使其一般化。

电流源151和152的每一个包含：p型TFT160～162和电容器163；p型TFT170～172和电容器173；以及p型TFT180～182和电容器183。p型TFT160～162和电容器163作为输出最低位比特的比特加权基准电流的电流源来动作。p型TFT170～172和电容器173作为输出第2比特的比特加权基准电流的电流源来动作。p型TFT180～182和电容器183作为输出最高位比特的比特加权基准电流的电流源来动作。

电流源151和152的的输入端IN连接到p型TFT161、171和181的各漏上，将选择信号SL[0]、SL[1]、SL[2]分别供给p型TFT160、161的各栅、p型TFT170、171的各栅和p型TFT180、181的各栅。

此外，在基准电流输出中使用的p型TFT162、172和182的漏分别与p型TFT161、171和181的源连接。p型TFT162、172和182的漏还分别与p型TFT160、170和180的漏连接。

在p型TFT162、172和182的栅上分别连接p型TFT160、170和180的源，进而连接保持用电容器163、173、183的一端。p型TFT162、172和182的源连接到电源VDD上。电容器163、173、183的另一端也连接到电源VDD上。

电流源151和152的每一个还包含p型TFT164、165、174、175、184、185和虚设负载166、176、186。p型TFT164、174、184是为了分别切断输出比特加权基准电流的电流源的输出而设置的。

在图13中示出实施形态3的基准电流产生的动作顺序。

系统A的电流源151和系统B的电流源152分别例如在每1帧中交替地重复原电流写入动作和电流输出动作。通过利用控制器控制D/A变换电路(DAC)70，如图13中所示，原电流Id(R)成为分别与比特加权电流Io、2×Io、4×Io对应的3阶梯的阶梯波电流，再者，输入给系统A和系统B的电流源151、152作为输入电流IN。

然后，与输入电流IN的各阶梯期间相对应，选择信号SL_A[0]、SL_A[1]和SL_A[2]依次成为激活状态(低电平)。

首先，如果选择信号SL_A[0]为激活状态，则图12的p型TFT160、161成为导通状态，p型TFT162以二极管方式连接，同时输入电流IN在p型TFT162的源-漏间流过。用电容器163保持此时的栅电压。接着，如果选择信号SL_A[1]为激活状态，则p型TFT170、171成为导通状态，p型TFT172以二极管方式连接，同时输入电流IN在p型TFT172的源-漏间流过。用电容器173保持此时的栅电压。接着，如果选择信号SL_A[1]为激活状态，则p型TFT180、181成为导通状态，p型TFT182以二极管方式连接，同时输入电流IN在p型TFT182的源-漏间流过。用电容器183保持此时的栅电压。

在下一帧中，选择信号SL_A[0]、SL_A[1]和SL_A[2]依次成为非激活状态(高电平)，p型TFT160、161、170、171、180、181分别被切断(非导通)。此外，输出启动信号EN_A成为激活状态(低电平)，p型TFT164、174、184导通。由此，在TFT162、172、182的源-漏间流过与用电容器163、173、183保持了的栅电压对应的电流，该电流OUT[0]～OUT[2]分别经p型TFT164、174、184输出给基准电流线5～7。电流OUT[0]～OUT[2]相当于各色中的基准电流IREF[0]～IREF[2]。在此，例如IREF[0]总括地示出基准电流IREF(R)[0]、IREF(G)[0]、IREF(B)[0]。

在此，在某个帧的原电流写入动作时，如果选择信号SL_A[0]、SL_A[1]和SL_A[2]为非激活状态，则虚设负载控制信号DM_A[0]、DM_A[1]和DM_A[2]分别对应地成为激活状态(低电平)，在p型TFT162、172、182的漏上分别经p型TFT165、175、185分别连接虚设负载166、176、186。由于虚设负载166、176、186的各自的另一端接地，故即使在对应的选择信号为非激活状态的期间中，通过经虚设负载在p型TFT162、172、182中流过电流以降低其漏电位，也能防止在电容器163、173、183中保持了的电荷的漏泄。由此，即使转移到基准电流输出动作，也可防止输出电流OUT[0]～OUT[2]下降，同时可缩短在下一个原电流写入动作时对电容器补充电荷的时间。

系统B的电流源152也同样地动作，在每个帧中重复原电流写入动作、基准电流输出动作。这样，用系统A的电流源151和系统B的电流源152的某一方供给各色的基准电流IREF[0]～IREF[2]。

如上所述，按照本实施形态3，产生将比特加权后的各基准电流值作为各阶梯台阶值的阶梯波电流。再者，由于写入阶梯波电流的对应的台阶的电流，再现已被写入的电流并定为基准电流，故可从1个阶梯波电流得到准确的与比特数对应的基准电流。

此外，通过利用控制器调整阶梯波基准电压的各台阶电压，可调整RGB的基准电流之比和大小，可控制显示的白平衡调整或亮度调整。

再者，通过对有机EL面板输入1个基准电压可生成与比特数对应的基准电流，故可削减面板的端子数。

再有，在图13中，构成为在每一帧中切换系统A的电流源151和系统B的电流源152的动作，但可任意地设定切换的周期。

此外，阶梯波电流的各台阶定为相等的期间，但由于可认为低位比特电流为微小电流，故可认为在对布线电容或保持用电容器进行充电时消耗了原电流，在驱动用TFT中流过预定的电流为止很费时间。在这样的情况下，通过对于低位比特的基准电流那样的情况加长其台阶的期间，也可使原电流的写入变得容易。

(实施形态4)

在实施形态1～3中，分别构成为利用各色与比特数对应的基准电流线供给各色与比特数对应的比特加权基准电流，但在本发明的实施形态4中，作为将各比特加权基准电流定为各台阶的阶梯波电流，利用各色1条基准电流线来供给。

图14是示出本发明的实施形态4的显示装置的结构的框图。在实施形态4的显示装置中设置输出启动控制电路200和取样控制电路201。此外，代替图1中示出的各色各多条(对应于图像数据比特数)基准电流线5～7来配置各色1条的基准电流线50～52。

再有，在图14中，对于与实施形态1～3为同一的结构，附以同一符号，省略其详细的说明。

对输出启动控制电路200输入动作模式识别信号A/B、输出启动信号OE、取样基准信号ST(2)、ST(1)、ST(0)。输出启动控制电路200例如如图15中所示那样来构成，包含倒相器电路211～215、NOR电路221、222和NAND电路231～236。

通过作成这样的结构，利用动作模式识别信号A/B掩蔽输出启动信号OE。其结果，生成在每一帧中交替地成为激活状态(高电平)的输出启动信号OE_A、OE_B，输出给比特加权电流源电路。

此外，用动作模式识别信号A/B来掩蔽取样基准信号ST(2)、ST(1)、ST(0)。其结果，输出启动控制电路200如图16中所示，生成在每一帧中交替地成为激活状态(低电平)的取样基准信号STA2、STA1、STA0和STB2、STB1、STB0。将这些取样基准信号在各RGB列中输出给信号线驱动电路4的取样控制电路201。

另一方面，各RGB列的取样控制电路201，例如如图17所示那样，由倒相器电路241和6个NOR电路251～256构成。对于取样控制电路201来说，用各列的移位脉冲SPX(m)掩蔽来自输出启动控制电路200的取样基准信号STA2、STA1、STA0和STB2、STB1、STB0，生成控制对系统A的电流源的基准电流写入的取样脉冲SA0(0)、SA1(0)、SA2(0)、...、SA0(M-1)、SA1(M-1)、SA2(M-1)和控制对系统B的电流源的基准电流写入的取样脉冲SB0(0)、SB1(0)、SB2(0)、...、SB0(M-1)、SB1(M-1)、SB2(M-1)。如图16所示那样，在各行的每个数据锁存期间中，按与基准电流IREF(R)、IREF(G)、IREF(B)的各台阶的电流对应的的时序隔开1帧将这些取样脉冲设定为激活状态(高电平)，将其输出给各列的对应的比特加权电流源。

这样，在各行的数据锁存期间中，基准电流IREF(R)、IREF(G)、IREF(B)成为以各比特加权基准电流为台阶的阶梯波(在此，由于是3比特，故是3台阶)，根据取样脉冲SA0(0)、SA1(0)、SA2(0)、...、SA0(M-1)、SA1(M-1)、SA2(M-1)或SB0(0)、SB1(0)、SB2(0)、...、SB0(M-1)、SB1(M-1)、SB2(M-1)，在每一帧中交替地对系统A/系统B写入该阶梯波电流。在各列中，从低位比特一侧的比特加权电流源起，按顺序进行比特加权基准电流的写入。

图18是示出本实施形态4的显示装置中的基准电流产生电路8的结构的电路图。实施形态4的基准电流产生电路的结构与图5中示出的上述实施形态1的基准电流产生电路的结构相同，但由于将基准电流IREF(R)、IREF(G)、IREF(B)作为阶梯波，利用各色各1条的基准电流线供给比特加权电流源电路，故在此作成了按照原电流与预定的电流比用电流镜电路300～302输出RGB各自的基准电流IREF(R)、IREF(G)、IREF(B)的结构。电流镜电路300～302的每一个包含以电流镜方式连接的p型TFT303、304。在图18中示出的基准电流产生电路中，对于与图5为同一的结构附以同一符号。

在实施形态4中，也与实施形态1同样，为了降低布线阻抗，希望将原电流设定得比基准电流大。此外，由于通过利用控制器独立地调整D/A变换电路70、80、90的输出电压Vref(R)、Vref(G)、Vref(B)，可调整RGB的基准电流之比和大小，故可利用控制器控制显示的白平衡调整或亮度调整。

如上所述，在本实施形态4中，与实施形态1同样，构成为通过写入比特加权后的基准电流来校正比特加权电流源的输出电流，通过根据数字图像的比特数据切换从比特加权电流源输出的比特加权电流后进行加法运算输出给信号线。由此，即使是TFT的特性的离散大的情况，也能抑制各列的信号线驱动电流的离散，可抑制发光亮度的不匀。此外，由于可将信号线定为各列1条，故即使对于像素间距窄的高分辨率显示也能予以对应。

另外，在实施形态4中，由于将基准电流作为阶梯波电流，构成为在各比特加权电流源电路中按与该比特对应的时序写入阶梯波基准电流，故可将必须将布线宽度取得较宽以便成为低阻抗的基准电流线的条数削减为各色1条作为电流供给线，此外，由于基准电流产生电路也可简化为各色1个输出，故可减小驱动电路的尺寸。

(实施形态5)

在本发明的实施形态中，说明在实施形态1～4中的比特加权电流电路中在比特加权电流驱动用的TFT的漏侧附加TFT以改善比特加权电流电流输出动作时的驱动用TFT的恒定电流性能的结构。

图19是示出本发明的实施形态5的显示装置中的比特加权电流源电路的结构的电路图。再有，对于与图2中示出的比特加权电流源电路的结构为同一的部分附以同一符号，省略其详细的说明。

在实施形态5的比特加权电流源电路43中，除了实施形态1中的比特加权电流源电路(图2)的结构外，还设置n型TFT320。n型TFT320在比特加权电流驱动用的TFT48的漏侧以级联方式连接，其漏与n型TFT46的源和n型TFT47的漏连接。

一般来说，已知低温p-Si TFT的饱和区中的Vds(漏-源间电压)-Id(漏电流)的特性与单晶硅相比，因Vds变动引起的Id变动较大。

另一方面，在例如在图3A中示出的像素电路中，在经信号线写入信号的情况下，由于TFT62的缘故，以二极管方式连接的p型TFT60的栅-源间电压随信号线驱动电流而变化。因此，实施形态1中的比特加权电流源电路中的驱动用TFT48的Vds随信号电流而变化。因此，即使使驱动用TFT48在饱和区中动作，也存在被输出的(吸入的)比特加权电流的大小依赖于Vds的大小而变化的可能性。

在实施形态5中，通过在驱动用TFT48的漏侧附加TFT320来屏蔽驱动用TFT48的漏电压的变化、即Vds的变化。此时，对TFT320供给TFT320在饱和区动作那样的偏置电压Vbias。

这样，可利用TFT320屏蔽驱动用TFT48的Vds的变化。即使是信号线电压随对信号线供给的信号线驱动电流的变化而变化的情况，也可抑制由驱动用TFT48驱动的信号线驱动电流的变化。

同样，在图20中示出在图8中示出的实施形态2中的比特加权电流源123a、123b的驱动用TFT48a和48b的漏侧分别附加屏蔽Vds的变化用的TFT320a和320b的结构。在图20中，对于与图8的结构为同一的部分附以同一符号，省略其详细的说明。

(实施形态6)

在上述各实施形态1～5中的比特加权电流源电路中，构成为图像数据的对应的比特即使是“0”、通过经虚设负载将驱动用TFT的漏连接的电源VDD上在驱动用TFT中流过电流来防止保持驱动用TFT的栅电位用的电容器中的电荷的漏泄。在以下的实施形态6、7中，说明为了得到同样的效果构成为在驱动用TFT的漏侧以级联方式连接TFT以切断电容器的电荷漏泄路径的比特加权电流源电路。

图21是示出本发明的实施形态6的显示装置中的比特加权电流源电路的结构的电路图。

参照图21，在本发明的实施形态6的比特加权电流源电路43中，除了实施形态1中的比特加权电流源电路(图2)的结构外，还设置n型TFT330、NAND门331、倒相器(NOT门)332和电容器333。n型TFT330的源连接的驱动用TFT48的漏上，n型TFT330的漏连接的n型TFT47的漏、n型TFT46的源和n型TFT50的源上。在图21中，对于与图2中示出的比特加权电流源电路的结构为同一的部分附以同一符号，省略其详细的说明。

其次说明其动作。在本发明的实施形态6的比特加权电流源电路中，在比特加权电流输出动作时，即使在图像数据的对应比特D[x](m)为“0”、而且输出启动信号OE为激活状态(高电平)、电流输出路径被切断的情况下，由于NAND门331的输出为低电平、n型TFT330为非导通，故可切断在电容器49中保持了的电荷经n型TFT47和驱动用TFT48漏泄的路径。

因此，驱动用TFT48的栅电压不会下降，即使在图像数据的对应比特D[x](m)为“1”、对信号线输出电流时，也能供给预定的电流。

再者，由于电容器333的一端连接在n型TFT330的漏上，另一端接地，故电容器333保持n型TFT330的漏电位。由此，可防止n型TFT330的漏电位比驱动用TFT48的栅电位低，可防止电容器49的保持电荷漏泄。再有，在通过切断n型TFT330可充分地防止电容器49的电荷漏泄的情况下，没有必要特别设置电容器333。

此外，即使在不配置n型TFT330、NAND门331和倒相器332的实施形态1中的比特加权电流源电路中，也可在驱动用TFT48的漏上附加与图21的电容器333同样的电容器。如果作成这样的结构，则可防止驱动用TFT48的漏电位比栅电位低，可防止电容器49的保持电荷漏泄。

(实施形态7)

图22是示出本发明的实施形态7的比特加权电流源电路的结构的电路图。

参照图22，在实施形态7的比特加权电流源电路120～122中，除了实施形态2的比特加权电流源(图8)的结构外，还设置n型TFT330a、330b、NAND门331a、331b、倒相器(NOT门)332a、332b和电容器333a、333b。将n型TFT330a、330b的源分别连接到驱动用TFT48a和48b的漏上。此外，将n型TFT330a的漏连接到n型TFT47a的漏和n型TFT46a、50a的源上，将n型TFT330b的漏连接到n型TFT47b的漏和n型TFT46b、50b的源上。

其次说明其动作。在实施形态7的比特加权电流源电路中，在比特加权电流输出动作时，即使在图像数据的对应比特D[x](m)为“0”、而且输出启动信号OE为激活状态(高电平)、电流输出路径被切断的情况下，由于NAND门331a的输出为低电平、n型TFT330a为非导通，故可切断在电容器49a中保持了的电荷经n型TFT47a和驱动用TFT48a漏泄的路径。同样，由于NAND门341b的输出为低电平、n型TFT330b为非导通，故可切断在电容器49b中保持了的电荷经n型TFT47b和驱动用TFT48b漏泄的路径。

因此，驱动用TFT48a、48b的栅电压不会下降，即使在图像数据的对应比特D[x](m)为“1”、对信号线输出电流时，也能供给预定的电流。

再者，由于电容器333a的一端连接在n型TFT330a的漏上，另一端接地，故电容器333a保持n型TFT330的漏电位。同样，由于电容器333b的一端连接在n型TFT330b的漏上，另一端接地，故电容器333b保持n型TFT330的漏电位。

由此，可防止n型TFT330a、330b的漏电位比驱动用TFT48a、48b的栅电位低，可防止电容器49a、49b的保持电荷漏泄。再有，在通过切断n型TFT330a、330b可充分地防止电容器49a、49b的电荷漏泄的情况下，没有必要特别设置电容器333a、333b。

此外，即使在不配置n型TFT330a、330b、NAND门331a、331b和倒相器332a、332b的实施形态2中的比特加权电流源电路120～122中，也可在驱动用TFT48的漏上附加与图22的电容器333a、333b同样的电容器。由此，可防止驱动用TFT48a、48b的漏电位比栅电位低，可防止电容器49a、49b的保持电荷漏泄。

(实施形态8)

在实施形态6、7中，说明了以保持比特加权电流输出动作时的驱动用TFT的栅电压用的电容器中的电荷保持为目的的比特加权电流源电路的结构。在以下的实施形态8和9中，说明进而在基准电流写入动作时、即使在不选择该比特加权电流源电路的取样、即对应的取样信号SMP(m)为非激活状态的情况下通过使与驱动用TFT级联(串联)连接的TFT为非导通可防止该电容器的保持电荷的漏泄的比特加权电流源电路的结构。

图23是示出本发明的实施形态8的显示装置中的比特加权电流源电路的结构的电路图。

作图23中，如图2中示出的实施形态1的比特加权电流源电路那样，示出了电流源为1个系统的情况的结构。在实施形态8中的比特加权电流源电路43中，除了实施形态1中的比特加权电流源电路(图2)的结构外，还设置n型TFT330、NAND电路350、351和倒相器(NOT电路)352。

NAND电路351输出输出启动信号OE与图像数据的对应比特D[x](m)的NAND运算结果。倒相器(NOT电路)352反转了取样信号SMP(m)的逻辑电平而输出。NAND电路350将NAND电路351与倒相器(NOT电路)352的输出间的NAND(否定逻辑积)运算结果供给n型TFT330的栅。在图23中，对于与图2中示出的比特加权电流源电路的结构为同一的部分附以同一符号，省略其详细的说明。

由此，在实施形态8的比特加权电流源电路中，在比特加权电流输出动作时，由于输出启动信号OE为激活状态(高电平)、而且对应的取样信号SMP(m)为非激活状态(低电平)，故如果图像数据的对应比特D[x](m)为“0”，则NAND电路350的输出为低电平，n型TFT330为非导通，电流输出路径被切断。

此外，在基准电流写入动作时，如果输出启动信号OE为非激活状态(低电平)，对应的取样信号SMP(m)为非激活状态(低电平)，则NAND电路350的输出为低电平，n型TFT330为非导通，电流输出路径被切断。

这样，在比特加权电流输出动作时，在起到切换部件的n型TFT为非导通、不输出电流的情况下或在基准电流写入动作时不对驱动用TFT48写入基准电流的情况下，n型TFT330为非导通，可切断在在电容器49b中保持了的电荷经n型TFT47b和驱动用TFT48b漏泄的路径。因此，驱动用TFT48的栅电压不会下降，即使在图像数据的对应比特D[x](m)为“1”、对信号线输出电流时，也能供给预定的电流。

再有，与实施形态6同样，在通过切断n型TFT330可充分地防止电容器49的电荷漏泄的情况下，没有必要特别设置电容器333。

(实施形态9)

图24是示出本发明的实施形态9的显示装置中的比特加权电流源电路的结构的电路图。在图24中，如图8中示出的实施形态2的比特加权电流源电路那样，示出了电流源为2个系统的情况的结构。

实施形态9中的比特加权电流源电路120～122，除了实施形态2中的比特加权电流源电路(图10)的结构外，在系统A的比特加权电流源123a中，还设置n型TFT330a、NAND电路350a、351a和倒相器(NOT电路)352a。在系统B的比特加权电流源123b中，还设置n型TFT330b、NAND电路350b、351b和倒相器(NOT电路)352b。

在系统A的比特加权电流源123a中，NAND电路351a输出输出启动信号OE_A与图像数据的对应比特D[x](m)的NAND运算结果。倒相器(NOT电路)352a反转了取样信号SP_A(m)的逻辑电平而输出。NAND电路350a将NAND电路351a与倒相器(NOT电路)352a的输出间的NAND运算结果供给n型TFT330a的栅。

同样，在系统B的比特加权电流源123b中，NAND电路351b输出输出启动信号OE_B与图像数据的对应比特D[x](m)的NAND运算结果。倒相器(NOT电路)352b反转了取样信号SP_B(m)的逻辑电平而输出。NAND电路350b将NAND电路351b与倒相器(NOT电路)352b的输出间的NAND运算结果供给n型TFT330b的栅。

由此，在实施形态9的比特加权电流源电路中，例如在比特加权电流源123a(系统A)的比特加权电流输出动作时，由于输出启动信号OE_A为激活状态(高电平)、对应的取样信号SP_A(m)为非激活状态(低电平)，故如果图像数据的对应比特D[x](m)为“0”，则NAND电路350a的输出为低电平，n型TFT330a为非导通，电流输出路径被切断。在比特加权电流源123b(系统B)中也同样，在比特加权电流输出动作时，如果图像数据的对应比特D[x](m)为“0”，则n型TFT330b为非导通，电流输出路径被切断。

此外，在比特加权电流源123a(系统A)的基准电流写入动作时，由于输出启动信号OE_A为非激活状态(低电平)、故如果对应的取样信号SP_A(m)为非激活状态(低电平)，则NAND电路350a的输出为低电平，n型TFT330a为非导通，电流输出路径被切断。

在比特加权电流源123b(系统B)中也同样，在基准电流写入动作时，如果对应的取样信号SP_B(m)为非激活状态(低电平)，则n型TFT330b为非导通，电流输出路径被切断。

这样，在比特加权电流输出动作时，在起到切换部件的n型TFT为非导通、不输出电流的情况下或在基准电流写入动作时不对驱动用TFT48写入基准电流的情况下，n型TFT330a、330b为非导通，可切断在在电容器49a、49b中保持了的电荷经n型TFT47a、47b和驱动用TFT48a、48b漏泄的路径。因此，驱动用TFT48a、48b的栅电压不会下降，即使在图像数据的对应比特D[x](m)为“1”、对信号线输出电流时，也能供给预定的电流。

再有，与实施形态7同样，在通过切断n型TFT330a、330b可充分地防止电容器49a、49b的电荷漏泄的情况下，没有必要特别设置电容器333a、333b。

(实施形态10)

图25是示出本发明的实施形态10的显示装置的结构的框图。

在本实施形态10中，说明对于由信号线提供的对各像素电路的信号电流的供给抑制了图像数据线的电压变化产生的影响的信号线驱动电路的结构。

作为实施形态10的显示装置的代表例示出的有机EL面板400与实施形态1的有机EL面板38相比，信号线驱动电路的结构不同。在图25中示出实施形态10的信号线驱动电路402。信号线驱动电路402是在每个RGB显示列中设置的信号线驱动电路403的集合。如后面详细地说明的那样，在实施形态10的信号线驱动电路402、403中也包含了与图1中示出的数据锁存电路2、时序锁存电路3相当的电路部分。

以下说明利用各色k比特(k：大于等于2的整数)图像数据进行显示的情况。在图25中，代表性地示出k比特的图像数据中的最高位比特R[k-1]、G[k-1]、B[k-1]和分别对应的图像数据线404R、404G、404B以及最低位比特R[0]、G[0]、B[0]和分别对应的图像数据线405R、405G、405B。

代替图1中的基准电流产生电路8设置的基准电流产生电路408生成与图像数据的各自的比特对应的比特加权电流的基准电流。再有，在图25中，对于这些基准电流来说，也代表性地示出与最高位比特对应的基准电流IREF(R)[k-1]、IREF(G)[k-1]、IREF(B)[k-1]和传递这些电流的基准电流线406R、406G、406B以及与最低位比特对应的基准电流IREF(R)[0]、IREF(G)[0]、IREF(B)[0]和传递这些电流的基准电流线407R、407G、407B。

与实施形态1同样，对信号线驱动电路402输入锁存脉冲LP、取样启动信号SE和输出启动信号OE的控制信号。在图25中，在信号线驱动电路402的内部代表性地示出传递这些控制信号的布线组中的对于与最高位比特对应的电路组传递这些控制信号的布线409、410、411、对于与最低位比特对应的电路组传递这些控制信号的布线412、413、414。再者，对信号线驱动电路402输入在后面详细地说明的控制信号CNT_A和CNT_B。在信号线驱动电路402的内部，分别利用布线422和423来传递控制信号CNT_A和CNT_B。

再有，在图25中，对于与图1的结构为同一的部分附以同一符号，省略其详细的说明。

图26是详细地说明本发明的实施形态10的信号线驱动电路的结构的框图。在图26中代表性地示出与第m个RGB列对应的信号线驱动电路403的结构，但在各RGB列中配置了同样的结构的信号线驱动电路403。

参照图26，第m个信号线驱动电路403包含：与图像数据的各比特对应的电流变换电路430、...、431；分别与R、G、B对应的电流输出线440R、440G、440B；以及电流传递电路441R、441G、441B。对于电流传递电路441R、441G、441B，利用对于各列的信号线驱动电路403为共同的布线422和423来传递控制信号CNT_A和CNT_B。

各电流变换电路由分别与R、G、B对应的电流变换电路构成。在图26中，代表性地示出这些电流变换电路中与最高位比特(R[k-1]、G[k-1]、B[k-1])对应的电流变换电路430和与最低位比特(R[0]、G[0]、B[0])对应的电流变换电路431。电流变换电路430由R用电流变换单元430R、G用电流变换单元430G和B用电流变换单元430B构成。电流变换电路431由R用电流变换单元431R、G用电流变换单元431G和B用电流变换单元431B构成。

各电流变换单元具有数据锁存电路432、时序锁存电路433和电流源电路434。在图26中，在数据锁存电路432、时序锁存电路433和电流源电路434的末尾与显示色相一致地附以R、G、B的添加字，但各数据锁存电路432、时序锁存电路433和电流源电路434的结构是同样的。

对于各列的数据锁存电路432共同地设置了图像数据线。各数据锁存电路432响应于对应的列的移位脉冲SPX，从对应的图像数据线锁存图像数据的对应的比特。例如，图26中示出的电流变换电路430中的数据锁存电路432R、432G、432G响应于移位脉冲SPX(m)，锁存在图像数据线404R、404G、404B上传递的图像数据的最高位比特R[k-1]、G[k-1]、B[k-1]。此外，电流变换电路431中的数据锁存电路432R、432G、432G响应于移位脉冲SPX(m)，锁存在图像数据线405R、405G、405B上传递的图像数据的最低位比特R[0]、G[0]、B[0]。

通过从开头列起到最终列为止依次进行这样的处理，由各数据锁存电路432R、432G、432B锁存1行部分的图像数据(R、G、B)。利用各时序锁存电路433响应于共同的锁存脉冲LP锁存被各数据锁存电路432锁存了的图像数据的各比特，成为线顺序化了的图像数据。即，各数据锁存电路432相当于图1中的数据锁存电路2中的1比特部分的电路部分，各时序锁存电路433相当于图1中的时序锁存电路3中的1比特部分的电路部分。

其次，说明电流源电路434的结构。电流源电路434相当于图1中示出的实施形态1的显示装置中的比特加权电流源电路9～17和开关电路18～26的部分。

图27是示出本发明的实施形态10的显示装置中的比特加权电流源的结构的电路图。

在图27中，代表性地示出第m个RGB列的与信号线驱动电路403中的图像数据的第j比特(j：0～(k-1)的整数)对应的电流源电路434R、434G、434B。利用基准电流线445R、445G、445G对电流源电路434R、434G、434B供给基准电流IREF(R)[j]、IREF(G)[j]、IREF(B)[j]。用IREF(R)[j]＝2^(j-1)×Io(R)、IREF(G)[j]＝2^(j-1)×Io(G)、IREF(B)[j]＝2^(j-1)×Io(B)来示出与第j比特对应的基准电流。

由于电流源电路434R、434G、434B的结构是同样的，故在图27中只代表性地示出电流源电路434R的结构。电流源电路434R包含比特加权电流源电路435和作为开关电路设置的n型TFT453。

比特加权电流源电路435的结构与图2中已说明的比特加权电流源电路43的结构相同，但输出的比特加权电流的方向相反。因而，比特加权电流源电路435的结构相当于在比特加权电流源电路43的结构中适当地调换TFT的n型和p型而且调换电源VDD和接地电源的结构。比特加权电流源电路435包含p型TFT446～448、n型TFT450、电容器(电容元件)449、虚设负载451和p型TFT452。在p型TFT446的漏上连接了基准电流线445R，在p型TFT446的源上连接了p型TFT447、448的漏和n型TFT450的漏。在p型TFT447的源上连接了p型TFT448的栅和保持其栅电压用的电容器449的一端。p型TFT448的源和电容器449的另一端与电源VDD连接。再者，n型TFT450的源连接到p型TFT452的源和n型TFT453的漏上，p型TFT452的漏经虚设负载451接地。

代替图1中输出的AND电路27设置的NAND电路460将取样启动信号SE与移位脉冲SPX(m)的NAND(否定逻辑积)运算结果作为取样信号SMP(m)输出。对p型TFT446和447的各栅输入取样信号SMP(m)，在激活时，控制成p型TFT446、447导通。因而，在取样信号SMP(m)的激活(低电平)时，从基准电流线445R经p型TFT446对比特加权电流源电路435供给比特加权基准电流IREF(R)[j]。这样，p型TFT446、447作为根据取样信号SMP(m)控制对比特加权电流源电路435的基准电流的写入的开关来动作。

此外，对n型TFT450的栅输入输出启动信号OE，在激活(高电平)时，控制成n型TFT450导通。因而，在输出启动信号OE的激活时，形成驱动用的p型TFT448的电流吸入路径。这样，n型TFT450与图2中示出的n型TFT50同样地以控制来自比特加权电流源电路435的输出的方式动作。

再者，在比特加权电流源电路435的输出端上连接n型TFT453的漏。此外，n型TFT453的源与电流输出线440R连接。对n型TFT453的栅输入了对应的图像数据的比特信息DR[j](m)。比特加权电流源电路435与比特加权电流源电路43同样，交替地重复基准电流写入动作和比特加权电流输出动作。

在基准电流写入动作时，取样信号SMP(m)成为激活(低电平)，从基准电流线445R供给的比特加权基准电流IREF(R)[j]经p型TFT446流过以二极管方式连接的p型TFT448。利用电容器449保持在p型TFT448中流过基准电流IREF(R)[j]时的栅电压。此外，在基准电流写入动作中，输出启动信号OE为非激活(低电平)，n型TFT450被切断了。

在比特加权电流输出动作中，取样信号SMP(m)为非激活(高电平)，p型TFT446、447被切断。另一方面，输出启动信号OE为激活(高电平)，n型TFT450导通。此时，驱动用的p型TFT448在源-漏间流过与在基准电流写入动作时由电容器449保持了的栅电压对应的电流。即，p型TFT448从漏输出与在基准电流写入动作时被写入的基准电流大致相等的恒定电流Id_R[j](m)。此时，如果来自对应的时序锁存电路433R的对应的图像数据的比特DR[j](m)为“1”，则n型TFT453导通，p型TFT448经n型TFT450、453对电流输出线440R输出比特加权电流Id_R[j](m)。

此外，在图像数据的比特DR[j](m)为“0”的情况下，n型TFT453被切断，不对电流输出线440R输出电流。此时，为了防止因被电容器449保持了的电荷的漏泄引起的对电流输出线440R的输出电流的下降，设置n型TFT452和虚设负载451。由此，即使图像数据的比特DR[j](m)为“0”，由于电流流过驱动用的p型TFT448，故可防止因电容器449的电荷漏泄的缘故p型TFT448的栅电位逐渐地上升。

电流源电路434G和434B具有与电流源电路434R同样的结构，响应于取样启动信号SE和输出启动信号OE与电流源电路434R同样地动作。即，电流源电路434G在比特加权电流输出动作时，根据图像数据的对应比特DG[j](m)，对电流输出线440G输出比特加权电流Id_G[j](m)，在基准电流写入动作时，从基准电流线445G写入基准电流IREF(G)[j]，校正比特加权电流Id_G[j](m)。同样，电流源电路434B在比特加权电流输出动作时，根据图像数据的对应比特DB[j](m)，对电流输出线440B输出用于电流输出线440G的比特加权电流Id_B[j](m)，在基准电流写入动作时，从基准电流线445B写入基准电流IREF(B)[j]，校正比特加权电流Id_B[j](m)。

在分别与图像数据DR[0](m)～DR[k-1](m)对应的电流源电路434R的每一个中，n型TFT453的源与电流输出线440R连接。因而，对电流输出线440R输出通过切换并输出来自电流源电路434R的各自的比特加权电流Id_R[j](m)进行了加法运算的输出电流Id_R(m)。输出电流Id_R(m)由Id_R(m)＝{2^(k-1)×DR[k-1](m)+...+2×DR[1](m)+2×DR[0](m)}×Iro来示出。

同样，对电流输出线440G输出通过切换并输出来自电流源电路434G的各自的比特加权电流Id_G[j](m)进行了加法运算的输出电流Id_G(m)。此外，对电流输出线440B输出通过切换并输出来自电流源电路434B的各自的比特加权电流Id_B[j](m)进行了加法运算的输出电流Id_B(m)。输出电流Id_G(m)由Id_G(m)＝{2^(k-1)×DG[k-1](m)+...+2×DG[1](m)+2×DG[0](m)}×Igo来示出。输出电流Id_B(m)由Id_B(m)＝{2^(k-1)×DB[k-1](m)+...+2×DB[1](m)+2×DB[0](m)}×Ibo来示出。

再有，如上所述，利用各比特加权电流源电路435中的基准电流写入动作，使电流Iro、Igo、Ibo接近于基准电流Io(R)、Io(G)、Io(B)。

这样，电流变换电路430、...、431对电流输出线440R、440G、440B输出与图像数据对应的输出电流Id_R(m)、Id_G(m)、Id_B(m)。即，信号线驱动电路403中的电流变换电路与图2中示出的结构同样，作为将被输入的图像数据变换为模拟信号电流输出的电流加法运算型的D/A变换器来动作。

再次参照图26，电流传递电路441R、441G、441B对信号线28、29和30供给分别与对电流输出线440R、440G、440B输出的输出电流Id_R(m)、Id_G(m)、Id_B(m)对应的信号电流IL_R(m)、IL_G(m)、IL_B(m)。信号电流IL_R(m)、IL_G(m)、IL_B(m)与迄今为止的实施形态同样地在从像素电路32～34朝向电流传递电路441R、441G、441B吸入的方向上流动。

电流传递电路441R包含输入开关电路442R、2个系统(系统A/系统B)的电流源电路434Ra、434Rb和输出开关电路444R。同样，电流传递电路441G包含输入开关电路442G、2个系统(系统A/系统B)的电流源电路434Ga、434Gb和输出开关电路444G，电流传递电路441B包含输入开关电路442B、2个系统(系统A/系统B)的电流源电路434Ba、434Bb和输出开关电路444B。

图28是示出电流传递电路的结构的电路图。由于电流传递电路441R、441G、441B的结构是同样的，故在图28中省略了符号的末尾的R、G、B，总括地说明与各色对应的电流传递电路的结构。

根据控制信号CNT_A和CNT_B来控制2个系统的电流源电路443a、443b的动作。控制信号CNT_A和CNT_B的一方交替地被设定为激活(高电平)，另一方被设定为非激活(低电平)。

输入开关电路442具有n型TFT472a和472b。n型TFT472a和472b的漏与电流输出线440(总括地示出电流输出线440R、440G、440B)连接。对n型TFT472a和472b的栅分别输入控制信号CNT_A和CNT_B。

电流源电路443a(系统A)包含n型TFT473a、474a和电容器475a。n型TFT473a的漏连接到n型TFT472a的源和n型TFT474a的漏上，n型TFT473a的源与电容器475a的一端和n型TFT474a的栅连接。n型TFT474a的源和电容器475a的另一端接地。电流源电路443b(系统B)与电流源电路443a同样地构成，包含分别与n型TFT473a、474a和电容器475a对应的n型TFT473b、474b和电容器475b。分别对n型TFT473a、473b的栅输入控制信号CNT_A和CNT_B。

输出开关电路444包含n型TFT476a、476b、NOT电路(倒相器)477a、477b。n型TFT474a的漏(即，系统A的电流源电路443a的输出节点)上连接n型TFT476a的源。同样，n型TFT474b的漏(即，系统B的电流源电路443b的输出节点)上连接n型TFT476b的源。n型TFT476a和476b的漏与对像素矩阵电路31供给电流的信号线28、29、30连接。

对NOT电路477a、477b输入控制信号CNT_A和CNT_B，将各自的输出输入到n型TFT476a和476b的栅上。

例如，在控制信号CNT_A为激活的情况下，输入开关电路442将电流输出线440R与电流源电路443a中的n型TFT474a的漏连接。由此，对电流输出线440R输出的输出电流Id(m)经构成输入开关电路442的n型TFT472a流过n型TFT474a。此时，由于n型TFT473a为导通状态，故n型TFT474a成为以二极管方式连接的状态，在电容器475a中保持输出电流Id(m)流过时的n型TFT474a的栅电压。

其次，在控制信号CNT_A为非激活(低电平)的情况下，n型TFT472a被切断，输出电流Id(m)对n型TFT474a的流入停止，同时n型TFT473a也被切断，n型TFT474a从漏引入与由电容器475a保持了的栅电压对应的电流。此时，由于NOT电路477a的输出为高电平，故n型TFT476a导通，输出开关电路444将信号线28、29、30与电流源电路443a的n型TFT474a的漏连接。由此，输出电流Id(m)从信号线28、29、30经n型TFT476a被再现，流过n型TFT474a的漏-源间。

这样，在控制信号CNT A为激活时写入到电流源电路443a中的输出电流Id(m)在控制信号CNT_A为非激活时被再现，从信号线28、29、30引入信号电流IL(m)。同样，在控制信号CNT_B为激活时写入到电流源电路443b中的输出电流Id(m)在控制信号CNT_B为非激活时被再现，从信号线28、29、30引入信号电流IL(m)。即，n型TFT474a和474b成为电流传递电路441的驱动用TFT。

响应于控制信号CNT_A和CNT_B，电流源电路443a和443b的一方进行输出电流Id(m)的写入动作，另一方从信号线28、29、30引入再现了已吸入的输出电流Id(m)的信号电流IL(m)(在此，电流是引入的方向，但为了方便起见，表现为输出电流)。即，2个系统的电流源电路443a和443b互补地重复电流写入动作和电流输出动作。

这样，在实施形态10的显示装置中，与图像数据对应的模拟信号电流在一度被写入到电流传递电路441中后被再现，被传递给信号线28、29、30作为信号线驱动电流(信号电流)IL_R(m)、IL_G(m)、IL_B(m)。

将输出给信号线28、29、30信号电流IL_R(m)、IL_G(m)、IL_B(m)写入到图25中示出的像素矩阵电路31中的各像素电路32～34中由扫描驱动电路37经第1和第2扫描线35、36扫描了的行的像素电路中。在实施形态10的显示装置中，由于各信号电流也从各像素电路32～34朝向信号线驱动电路403输出的方向上流动，故可应用图3A和图3B中示出的像素电路的结构。

其次，使用图29说明实施形态10的显示装置(有机EL面板400)的动作顺序。在图29中示出第j帧期间的后面部分～第(j+1)帧期间的前面部分的动作。与迄今为止的同样，将像素矩阵的行数定为N，列数定为3×M(RGB各色各M列)。

首先，在第j帧期间中，从控制器对移位寄存器电路1在第0行(开头行)～第(N-1)行(最终行)的数据锁存期间的开头输入开始脉冲STX。此外，在各行的整个锁存期间中分别从控制器对移位寄存器电路1输入移位时钟CLKX，从移位寄存器电路1依次输出移位脉冲SPX(0)、SPX(1)、SPX(2)、...、SPX(M-1)。

另一方面，从控制器输入该列的RGB图像数据(R[k-1..0]，G[k-1..0]，B[k-1..0])，以便利用移位脉冲SPX(总括地表示了移位脉冲SPX(0)～SPX(M-1))锁存在数据锁存电路432R、432G、432B中。然后，在各行的数据锁存期间中在锁存了全列×1行部分的图像数据之后，对时序锁存电路433R、433G、433B输入锁存脉冲LP，从时序锁存电路433R、433G、433B输出与各列对应的1行部分的线顺序化了的图像数据。

然后，用电流变换电路430、...、431将线顺序化了的图像数据(R、G、B)变换为模拟电流，经电流输出线440R、440G、440B输入给电流传递电路441R、441G、441B，其后，由电流传递电路441R、441 G、441B再现，作为信号电流输出给信号线28、29、30。此时，在用数据锁存电路432R、432G、432B锁存被输入的图像数据的数据锁存期间与电流变换电路430、...、431输出对应的信号电流的期间之间产生1个水平期间的偏移。在包含第0行(开头行)～第(N-1)行的扫描期间的期间中，将输出启动信号OE设定为高电平，以便各信号线驱动电路403中的比特加权电流源进行比特加权电流输出动作。

然后，例如将开头行(第0行)的信号电流写入到系统A的电流源电路443Ra、443Ga、443Ba中，在下一个水平期间中输出给信号线28、29、30作为信号线电流。接着，将第1行的信号电流写入到系统B的电流源电路443Rb、443Gb、443Bb中，进而在下一个水平期间中输出给信号线28、29、30作为信号线电流。控制信号CNT_A和CNT_B以彼此极性相反的方式在每个水平期间中来回反复，使系统A和系统B分别互补地进行电流写入动作和电流输出动作。这样，数据锁存期间与该行的信号电流被输出给信号线的期间偏移2个水平期间。

在此，在实施形态10的显示装置中的有机EL面板400中，在与像素矩阵垂直的方向上并列地设置信号线。另一方面，以与信号线28、29、30正交的方式并列地设置具有对应于图像数据的比特数的级数的电流变换电路430、...、431，各输出节点连接到在与信号线为相同的方向上配置的电流输出线440R、440G、440B上。另一方面，利用在各列横方向上共同地配置的图像数据线404R、404G、404B、...、405R、405G、405B将图像数据发送给各列的电流变换电路430、...、431。

本来在互相交叉的方向上设置的信号线28、29、30与图像数据线之间产生信号耦合。因此，在对像素电路的信号电流写入时，由于经图像数据线依次输入了下一行的图像数据，故信号线的电位因图像数据而受到妨碍。信号线的电位由从信号线写入到像素电路中的信号电流来决定。即，在像素电路中，如在图3A、3B中已说明的那样，在信号电流写入时经以二极管方式连接的状态的p型TFT(图3A中的p型TFT60和图3B中的p型TFT61)流过来自信号线28、29、30的信号电流。此时的信号线的电位成为流过信号电流时的上述以二极管方式连接的状态的p型TFT的漏电压。

但是，由于大于等于扫描像素电路用的行数部分的(在本例的情况下，由于在各行中使用了2条扫描线35、36，故是行数的2倍)扫描线与信号线28、29、30交叉，故该交叉部电容主要成为信号线28、29、30的负载电容。在信号线电位的调整中，必须用信号电流对该负载电容进行充电，如果在未调整的状态下结束了对像素电路的信号电流的写入动作，则显示亮度随下一行的显示图像而变化，或成为亮度不匀的原因。

而且，如果如上所述因从图像数据线至信号线28、29、30的耦合导致的妨碍在本来的信号线电位中进行调整之前结束了对像素电路的写入，则不能写入与图像数据对应的正确的电平的信号电流，产生电流写入误差。

但是，在实施形态10中，与图像数据对应的信号电流在一度写入到电流传递电路中后被再现并被输出给信号线28、29、30。将朝向像素电路进行了布线的信号线28、29、30配置成不与图像数据线404R、404G、404B、...、405R、405G、405B交叉。因此，信号线电位不会因伴随图像数据的传递的图像数据线的电压变化而受到影响，可在该情况下对像素电路写入信号电流。

再有，由于电流输出线440R、440G、440B与图像数据线404R、404G、404B、...、405R、405G、405B交叉，故在从电流变换电路至电流传递电路的电流写入中，产生因图像数据上的电压变化导致的影响。但是，由于电流输出线440R、440G、440B的布线长度比信号线28、29、30短，交叉的布线的条数也少，故布线电容小，即使假定受到来自图像数据线的影响电流输出线的电位产生变动，也可在从图像数据的锁存结束到下一个水平期间的锁存开始为止的水平消隐期间中充分地调整到正规的电位。

另一方面，在扫描驱动电路37中，在第0行扫描期间附近输入开始脉冲STY，在整个扫描期间中输入移位时钟CLKY。然后，根据开始脉冲STY和移位时钟CLKY，在每个扫描期间中在扫描驱动电路37内部依次生成移位脉冲SPY(0)、SPY(1)、SPY(2)、...、SPY(N-1)。根据以这种方式生成的移位脉冲SPY(总括地表示了移位脉冲SPY(0)～SPY(M-1))依次生成与各行对应的第1和第2扫描线35、36的驱动脉冲SC_A(0)、SC_B(0)、...、SC_A(N-1)、SC_B(N-1)，分别以预定的时序扫描像素矩阵的各行的第1和第2扫描线35、36。

这样，对各像素电路依次写入将由信号线驱动电路402对各列的信号线供给的图像数据变换为模拟电流的信号线驱动电流。如上所述，在有机EL发光元件65中流过基于在各像素电路中由信号线供给的信号电流的电流，使有机EL发光元件65发光。

在各帧的扫描期间之间设置了与图4同样的扫描消隐期间，在第(N-1)行(最终行)的扫描结束了后，取样启动信号SE为激活电平(高电平)。响应于此，如图27中所示，利用NAND电路460，取与各列对应的移位脉冲SPX与取样启动信号SE的NAND(否定逻辑积)，对应的列的取样信号SMP成为激活电平(低电平)。由此，在信号线驱动电路403中从基准电流线406R、406G、406B、...、407R、407G、407B将基准电流写入到对应的列的比特加权电流源电路中。这样，取样信号SMP在每个RGB单位中依次成为激活电平，基准电流被写入。

在此，在扫描消隐期间的预定期间中，利用移位寄存器电路1产生移位脉冲SPX，同时通过使取样启动信号SE为激活状态，按每个RGB列的几次～几十次的预定次数对电流变换电路中的电流源电路供给基准电流，进行比特加权电流的校正。这样，即使在扫描消隐期间中也使移位寄存器电路1动作，根据移位脉冲生成进行基准电流校正用的取样信号。再有，如在图4中已说明的那样，希望根据基准电流的写入动作中所必要的时间适当地调整取样信号SMP的产生次数和激活期间。

或者，如用实施形态2的结构已说明的那样，也可如图30中所示用2个系统的电流源构成根据图像数据切换比特加权电流的输出的电流源电路434R、434G、434B。

图30是示出本发明的实施形态10的显示装置中的比特加权电流源的另一结构例的电路图。在图30中，也与图27同样地代表性地示出电流源电路434R的结构，但与各色和各比特相对应，电流源电路分别具有同样的结构。

参照图30，按照另一结构例的电流源电路434R包含：比特加权电流源电路435a和435b；虚设负载451和p型TFT452；以及作为开关电路设置的n型TFT453。

比特加权电流源电路435a包含p型TFT446a～448a、n型TFT450a和电容器(电容元件)449a，比特加权电流源电路435b包含p型TFT446b～448b、n型TFT450b和电容器(电容元件)449b。由于p型TFT446a～448a、n型TFT450a和电容器(电容元件)449a以及p型TFT446b～448b、n型TFT450b和电容器(电容元件)449b分别与图27中示出的比特加权电流源电路435中的p型TFT446～448、n型TFT450和电容器(电容元件)449同样地配置，故不重复其详细的说明。但是，对p型TFT446a、447a的各栅输入取样信号SP_A(m)，对p型TFT446b、447b的各栅输入取样信号SP_B(m)。此外，分别对n型TFT450a、450b的栅输入输出启动信号OE_A、OE_B。

n型TFT450a和450b的源相互间连接，再者，n型TFT453的漏与p型TFT452的源连接。n型TFT453的源与电流输出线440R连接。即，由比特加权电流源电路435a和435b共有与图27同样地配置的虚设负载451、p型TFT452和n型TFT453。

通过作成这样的结构，与实施形态2同样，使用2个系统的比特加权电流源电路435a和435b互补地交替地重复进行基准电流写入动作和电流输出动作。再有，由于使在作成了这样的结构的情况的显示装置(有机EL面板)的整体动作、特别是从图像数据的锁存到对电流输出线440R、440G、440B的电流输出动作与实施形态2中的图9中示出的动作顺序同样即可，故不重复其详细的说明。

通过在各电流变换电路中设置以上已说明的图30中示出的结构的电流源电路，可对至比特加权电流源电路的基准电流写入动作分配充分的时间。其结果，可输出稳定的比特加权电流，可进一步抑制信号线驱动电流的离散。

其次，说明基准电流产生电路408。基准电流产生电路408在与迄今为止已说明的基准电流产生电路8相反的方向上产生各自的基准电流。此外，在以下的说明中，假定实施形态10的显示装置中的基准电流产生电路408按照与图11～13中示出的实施形态3的基准电流产生电路8同样的机理生成基准电流。再有，也可按照与实施形态1和2的基准电流产生电路8同样的机理生成基准电流。

图31是示出基准电流产生电路408和基准电流产生用外部电路的结构的电路图，图31中的右侧的P示出了有机EL面板一侧，左侧的Q示出了外部电路一侧。

例如，如下述那样生成R用比特加权基准电流IREF(R)[k-1]～IREF(R)[0]。利用控制器控制在有机EL面板的外部设置的D/A变换电路(DAC)70，产生以各台阶为预定电压的阶梯波基准电压Vref(R)。将在D/A变换电路(DAC)70中产生的基准电压阶梯波Vref(R)输入到差分放大器71的非反转输入端上。将差分放大器71的输出端输入到有机EL面板上，输入到n型TFT472的栅上。n型TFT472的源经在有机EL面板的外部设置的电流设定用电阻79连接到电源VDD上。此外，n型TFT472的源也连接到差分放大器471的反转输入端上。利用这样的结构，利用差分放大器71、n型TFT472和电流设定用电阻79构成恒流源。n型TFT472的漏电流Id#(R)成为Id#(R)＝(VDD-Vref(R))/Rext(R)。

将上述恒流源的输出电流Id#(R)输入到具有2个系统(系统A/系统B)的电流源551和552的电流源电路550中。

该2个系统(系统A/系统B)的电流源551和552如图32中所示那样来构成。在图32中对于信号名省略了添加字A和B使其一般化。电流源551和552的每一个包含：n型TFT560～562和电容器563；以及作为输出最高位比特的比特加权基准电流的电流源动作的n型TFT580～582和电容器583。虽然省略了图示，但也用同样的结构来设置了输出中间的比特加权基准电流的电流源。

电流源551和552的输入端IN连接到n型TFT561、...、581的各漏上，将选择信号SL[0]、...、SL[k-1]分别连接到n型TFT560、...、580和n型TFT561、...、581的栅上。

此外，在基准电流输出中使用的n型TFT562、...、582的漏上分别连接n型TFT561、...、581的源和n型TFT560、...、580的漏。此外，在n型TFT562、...、582的栅上分别连接n型TFT560、...、580的源和保持用电容器563、...、583。再者，n型TFT562、...、582的源和电容器563、...、583的另一端接地。

电流源551和552的每一个还具有与最低位比特对应地设置的n型TFT564、p型TFT565和虚设负载566以及与最高位比特对应地设置的n型TFT584、p型TFT585和虚设负载586。n型TFT564和584是为了分别切断输出比特加权基准电流的电流源的输出而设置的。虽然省略图示，但对于输出中间的比特加权基准电流的电流源，也同样地设置了n型TFT、p型TFT和虚设负载。这样，电流源551和552的每一个相当于在图12中示出的电流源151和152的结构中适当地调换TFT的n型和p型、同时将电源VDD代替为接地电源的电路。

在图33中示出基准电流产生电路408的动作顺序。系统A的电流源551和系统B的电流源552分别例如在每1帧中交替地重复进行原电流写入动作和电流输出动作。

通过利用控制器控制D/A变换电路(DAC)70，如图33中所示，原电流Id#(R)作为分别与各比特加权电流Io、2×Io、...、2^(k-1)×Io对应的K阶梯的阶梯波电流，供给系统A和系统B的电流源551、552作为输入电流IN。然后，与输入电流IN的各阶梯期间相对应，SL_A[0]、SL_A[1]、...、SL_A[k-1]依次成为激活状态(高电平)。

首先，如果选择信号SL_A[0]为激活状态，则系统A的电流源551中，图32中示出的p型TFT560、561成为导通状态，p型TFT562以二极管方式连接，同时输入电流IN在p型TFT562的源-漏间流过。用电容器563保持此时的栅电压。同样，SL_A[1]、...、SL_A[k-1]依次成为激活状态。

在下一帧中，选择信号SL_A[0]、SL_A[1]...、SL_A[k-1]依次成为非激活状态(低电平)，输出启动信号OE_A成为激活状态(高电平)，据此，在系统A的电流源551中，响应于n型TFT564、...、584的导通，在n型TFT562、...、582的源-漏间流过与用电容器563、...、583在前1帧中保持了的栅电压对应的电流。由此，从电流源551分别经n型TFT564、...、584对基准电流线输出OUT[0]～OUT[k-1]。

在此，在某个帧的原电流写入动作时，如果选择信号SL_A[0]、SL_A[1]...、SL_A[k-1]为非激活状态，则虚设负载控制信号DM_A[0]、DM_A[1]...、DM_A[k-1]成为激活状态(低电平)。响应于此，在n型TFT562、...、582的漏上分别经p型TFT565、...、585连接虚设负载566、...、586。由于虚设负载566、...、586的各自的另一端连接到电源VDD上，故即使在对应的选择信号SL_A[0]、SL_A[1]...…、SL_A[k-1]为非激活状态的期间中，也经虚设负载566、...、586在n型TFT562、...、582中流过电流。由此，能降低基准电流驱动用的n型TFT的漏电位，防止在电容器中保持了的电荷的漏泄，使基准电流输出时的基准电流电平变得稳定，同时可缩短在下一个原电流写入动作时对电容器补充电荷的时间。

系统B的电流源152也同样地动作，在每个帧中重复原电流写入动作、基准电流输出动作。这样，与实施形态3的结构同样地用系统A的电流源151和系统B的电流源152的某一方交替地供给基准电流。

再有，如图31中所示，分别与R、G、B对应地设置的后级的电流源电路550的结构是同样的，但为了独立地调整RGB的基准电流之比和各自的大小，还设置差分放大器81、91、p型TFT482、492和电流设定用电阻89、99，以便分别与R、G、B对应地构成独立的恒流源。

如以上已说明的那样，在实施形态10的显示装置中，通过与实施形态1等的显示装置同样地构成为通过写入比特加权后的基准电流来校正比特加权电流源的输出电流，通过根据数字图像的比特数据切换从比特加权电流源电路输出的比特加权电流后进行加法运算输出给信号线。由此，即使是TFT的特性的离散大的情况，也能抑制各列(信号线)的信号线驱动电流的离散，可抑制发光亮度的不匀。此外，由于可将信号线定为各列1条，故即使对于像素间距窄的高分辨率显示也能予以对应。

再者，在实施形态10的显示装置中，由于以对像素电路供给信号电流的方式进行了布线的信号线不与图像数据线直接交叉，故信号线电位不因图像数据的传递而受到影响，可在该情况下对像素电路写入信号电流。

此外，因为信号线不与图像数据线直接交叉，故减少了信号线的布线电容。因此，可缩短信号线电位成为与对应于图像数据的信号电流电平对应的所希望的值的调整时间。特别是在从白显示变化为黑显示的情况下(例如，在白的基底上显示黑的横条时)，信号线的电位必须从与白图像的写入电流对应的电位变化为与黑图像的写入电流对应的电位，但因黑图像的写入电流是微小的缘故，对信号线的布线电容充电而调整为信号线的所希望的电位为止很费时间。此时，如果在预定的写入时间内信号线电位不调整，则在从白到黑的切换中产生边缘模糊(如果将扫描方向定为从上到下，则产生下方向的白的拖尾)。在实施形态10的显示装置中，由于可减少信号线的布线电容，故可抑制这样的从白显示变化为黑显示时的边缘模糊。

(实施形态11)

在实施形态11中说明在实施形态10的显示装置中缩小信号线驱动电路的电路规模用的结构。

图34是详细地说明实施形态11的显示装置中的信号线驱动电路的结构的框图。在图34中，也与图26同样，代表性地示出与第m个RGB列对应的信号线驱动电路403的结构，但在各RGB列中配置了同样的结构的信号线驱动电路403。

参照图34，在实施形态10的信号线驱动电路中，与图26中示出的信号线驱动电路相比，在与图像数据的各比特对应地省略时序锁存电路433R、433G、433B这一点和代替电流源电路434R、434G、434B来配置电流源电路494R、494G、494B这一点上不同。由于其它的部分的结构与图26中示出的信号线驱动电路是同样的，故不重复进行其详细的说明。

图35是示出实施形态11的显示装置中的电流源电路的结构的电路图。在图35中，也与图27同样地示出第m个RGB列的与信号线驱动电路403中的图像数据的第j比特(j：0～(k-1)的整数)对应的电流源电路494R、494G、494B。由于电流源电路494R、494G、494B的结构是同样的，图35只代表性地示出电流源电路494R的电路结构。

参照图35，实施形态11的电流源电路494R除了实施形态10的电流源电路434R的结构外，还包含NOT电路462和NOR电路463。NOT电路462反转了图像数据的对应比特DR[j](m)而输出。NOR电路463对n型TFT453的栅输出NOT电路462的输出与数据复位信号RST的NOR(否定逻辑和)运算结果。

在数据复位信号RST为激活状态(高电平)的情况下，由于与来自对应的数据锁存电路432R的对应比特DR[j](m)的逻辑电平无关，NOR电路463的输出为低电平，故p型TFT458导通，n型TFT453为非导通。由此，即使电流源电路494R为电流输出模式动作，在数据复位信号RST为激活状态的情况下，也切断电流输出线440R与比特加权电流源435的连接，同时使电流从驱动用TFT448流到虚设负载457中，可防止电容器449中保持了的电荷的漏泄，可抑制驱动用TFT448的栅电压的变动。

另一方面，在数据复位信号RST为非激活状态(低电平)的情况下，由于NOR电路463的输出具有与图像数据的对应比特DR[j](m)相同的逻辑电平，故电流源电路494R的动作与图27中示出的电流源电路434R的动作是同样的。

其次，使用图36说明本实施形态11的显示装置的动作顺序。图36示出第j帧期间的前面部分，将像素矩阵的行数定为N，列数定为3×M(RGB各色各M列)。

首先，在第j帧期间中，从控制器对移位寄存器电路1在第0行(开头行)～第(N-1)行(最终行)的数据锁存期间的开头输入开始脉冲STX。此外，在各行的整个锁存期间中分别从控制器对移位寄存器电路1输入移位时钟CLKX，从移位寄存器电路1依次输出移位脉冲SPX(0)、SPX(1)、SPX(2)、...、SPX(M-1)。

另一方面，从控制器输入该列的RGB图像数据(R[k-1..0]，G[k-1..0]，B[k-1..0])，以便利用移位脉冲SPX(总括地表示了移位脉冲SPX(0)～SPX(M-1))锁存在数据锁存电路2中。

与迄今为止的实施形态同样，在垂直消隐期间中进行对电流源电路494(总括地表示电流源电路494G、494G、494B)的基准电流写入。然后，在基准电流写入结束后，使输出启动信号OE为激活状态(高电平)，电流源电路494中的驱动用的p型TFT448成为电流输出模式。

由于与开头行(第0行)对应的图像数据锁存中1行部分的数据未达到一致，故不能将电流输出给电流输出线。因而，在该期间中将数据复位信号RST定为激活状态，强制性地将驱动用的p型TFT448的输出节点(漏)连接到虚设负载上。

然后，在1行部分的数据锁存结束后，在下一行的数据锁存的开始前的期间中，使数据复位信号RST为非激活状态(低电平)。由此，根据锁存数据使作为开关电路设置的n型TFT453成为导通状态，对电流输出线440输出比特加权电流。即，利用水平消隐期间(图36中的数据锁存期间的斜线部分)进行从电流变换电路对电流输出线的电流输出。

然后，例如将开头行(第0行)的信号电流在第0行与第1行之间的水平消隐期间中写入到各电流传递电路441中的系统A的电流源电路443a中，在下一个水平期间中作为信号线电流输出给信号线28、29、30。接着，将第1行的信号电流写入到系统B的电流源电路443b中，进而在下一个水平期间中作为信号线电流输出给信号线28、29、30。

控制信号CNT_A和CNT_B以彼此极性相反的方式在每个水平期间中来回反复，使各电流传递电路441中的系统A和系统B分别互补地进行电流写入动作/电流输出动作。这样，数据锁存期间与将该行的信号电流输出给信号线28、29、30的期间在实施形态10中偏移2个水平期间，但在实施形态11中成为1个水平期间偏移。

另一方面，在扫描驱动电路37中，在第0行扫描期间附近输入开始脉冲STY，在整个扫描期间中输入移位时钟CLKY。然后，根据开始脉冲STY和移位时钟CLKY，在每个扫描期间中在扫描驱动电路37内部依次生成移位脉冲SPY(0)、SPY(1)、SPY(2)、...、SPY(N-1)。根据以这种方式生成的移位脉冲SPY(总括地表示了移位脉冲SPY(0)～SPY(N-1))依次生成与各行对应的第1和第2扫描线35、36的驱动脉冲SC_A(0)、SC_B(0)、...、SC_A(N-1)、SC_B(N-1)，分别以预定的时序扫描像素矩阵的各行的第1和第2扫描线35、36。

这样，对各像素电路依次写入将由信号线驱动电路402对各列的信号线供给的图像数据变换为模拟电流的信号线驱动电流。如上所述，在有机EL发光元件65中流过基于在各像素电路中由信号线供给的信号电流的电流，使有机EL发光元件65发光。

如以上已说明的那样，在实施形态11中，除了实施形态10的效果外，由于可省略第2级的锁存电路(时序锁存电路433R、433G、433B)，故可缩小电路规模。再有，由于对各信号线必须有对应于比特数的该时序锁存电路，故因省略导致的电路规模的缩小效果很大。

再有，在实施形态1～11中，构成为通过利用控制器独立地调整D/A变换电路70、80、90的输出电压Vref(R)、Vref(G)、Vref(B)，可利用控制器控制显示的白平衡调整或亮度调整，但特别是在没有必要进行白平衡调整或亮度调整的情况下，也可构成为对差分放大器71、81、91的非反转输入施加预定的固定电压来代替D/A变换器。

此外，在有机EL面板的外部构成产生原电流的电流源中的D/A变换电路、差分放大器、电流设定用电阻，但这是由于如果在面板内部利用TFT来构成则不能确保基准电流精度的缘故。在这样的情况下，存在产生显示色或显示亮度的离散等的可能性。在因TFT特性离散导致的基准电流偏差不特别成为问题的情况下，也可在面板内部利用TFT来构成。

此外，在实施形态1～11中，说明了通过从像素电路经信号线吸入信号电流来进行对像素电路的写入的情况，但也可考虑根据像素电路的结构在从信号线对像素电路输出电流的方向上流过信号电流的情况。即使在这样的情况下，例如在实施形态1中通过将比特加权电流源的接地与电源VDD调换、将用n型构成的TFT46～48变更为p型、此外将虚设负载51与接地电源而不是与电源VDD连接，可容易地予以对应。此外，在实施形态2以后也是同样的。

再者，对于作为开关元件使用的TFT53～55，当然也可适当地调换其导电类型。

再者，将发光元件作为有机EL发光元件进行了说明，但即使是发光亮度随电流而变化的LED(发光二极管)等的其它的发光元件，当然也可应用本发明。

此外，在上述实施形态10和11中的显示装置内的各电流源电路中，也可应用与实施形态5～9的谋求了驱动用TFT的驱动电流的高精度化的比特加权电流源同样的技术。

产业上利用的可能性

本发明的显示装置可应用于电视接收机等的家电制品或携带电话机等的携带终端的显示面板。

Claims (23)

1.一种显示装置，其特征在于具备：

向各像素(32，33，34)的发光元件供给电流的像素矩阵电路(31)；

向上述像素矩阵电路供给与数字图像数据(R[2..0]，G[2..0]，B[2..0])对应的信号电流(IL_R(m)，IL_G(m)，IL_B(m))的信号线(28，29，30)；

与上述数字图像数据的各比特对应地输出比特加权后的基准电流的基准电流产生部件(8)；

与上述数字图像数据的上述各比特对应设置的比特加权电流产生部件(9～17，43～45，100～108，120～122)，输出与对应的上述基准电流对应的比特加权电流，而且具有通过写入对应的上述基准电流来校正输出的上述比特加权电流的功能；以及

与上述比特加权电流产生部件对应设置的切换部件(18～26，53～55)，根据对应比特的数据电平切换从对应的上述比特加权电流产生部件输出的上述比特加权电流，

上述显示装置对由上述切换部件切换的电流进行加法运算并作为上述信号电流输出给上述信号线。

2.如权利要求1中所述的显示装置，其特征在于，上述比特加权电流产生部件(9～17，43～45)包含：

输出电流的第1场效应晶体管(48)；

在上述基准电流的写入时连接上述第1场效应晶体管的栅与漏的第2场效应晶体管(47)；以及

连接到上述第1场效应晶体管的栅上的电容元件(49)，

在上述基准电流的写入时，通过上述第2场效应晶体管的导通，在上述电容元件中保持与流过上述第1场效应晶体管的电流对应的栅电压，而且，在上述比特加权电流的输出时，上述第2场效应晶体管被切断，上述第1场效应晶体管输出与在上述电容元件中保持的栅电压对应的电流。

3.如权利要求2中所述的显示装置，其特征在于：

上述比特加权电流产生部件(9～17，43～45)还包含与输出上述比特加权电流的节点电连接的虚设负载(51)，在不由对应的上述切换部件(18～26，53～55)向上述信号线(28，29，30)供给电流的情况下，对上述虚设负载供给电流。

4.如权利要求2中所述的显示装置，其特征在于：

上述比特加权电流产生部件(9～17，43～45)还包含在上述第1场效应晶体管(48)的漏侧以级联方式连接的第3场效应晶体管(320)，对上述第3场效应晶体管的栅施加预定电压(Vbias)，以使上述第3场效应晶体管在饱和区动作。

5.如权利要求2中所述的显示装置，其特征在于：

上述比特加权电流产生部件(9～17，43～45)还包含在上述第1场效应晶体管(48)的漏侧以级联方式连接的第4场效应晶体管(330)，在上述比特加权电流的输出动作时，在不从对应的上述切换部件(18～26，53～55)对上述信号线(28，29，30)供给电流的情况下，上述第4场效应晶体管被切断。

6.如权利要求5中所述的显示装置，其特征在于：

上述比特加权电流产生部件(9～17，43～45)的上述比特加权电流的输出动作时，在不从上述切换部件(18～26，53～55)对上述信号线(28，29，30)输出电流的情况下或在基准电流写入动作时不对上述第1场效应晶体管(48)写入上述基准电流的情况下，上述第4场效应晶体管被切断。

7.如权利要求5中所述的显示装置，其特征在于：

上述比特加权电流产生部件(9～17，43～45)还包含连接到上述第4场效应晶体管(330)的漏上以保持上述漏的电压的电容元件(333)。

8.如权利要求2中所述的显示装置，其特征在于：

上述比特加权电流产生部件(9～17，43～45)还包含连接到上述第1场效应晶体管(48)的漏上以保持上述漏的电压的电容元件(333)。

9.如权利要求1中所述的显示装置，其特征在于，上述显示装置还具备：

响应于锁存脉冲(SPX)而依次锁存被输入的1个显示行部分的上述数字图像数据的锁存部件(2)；以及

依次生成上述锁存脉冲的锁存脉冲生成部件(1)，

即使在用上述锁存部件锁存1帧部分的数字图像的数据锁存期间的消隐期间和用上述比特加权电流产生部件向上述信号线供给电流的期间的消隐期间中，上述锁存脉冲生成部件也动作来生成上述锁存脉冲，而且上述比特加权电流产生部件根据生成后的上述锁存脉冲进行校正上述比特加权电流的对应的上述基准电流的写入。

10.如权利要求9中所述的显示装置，其特征在于：

在电源接通等的起动时，上述锁存脉冲生成部件(1)动作，在上述比特加权电流产生部件(9～17，43～45)根据已被生成的上述锁存脉冲(SPX)写入了对应的上述基准电流后，利用上述锁存部件(3)依次锁存上述数字图像数据，进行显示。

11.如权利要求1中所述的显示装置，其特征在于，上述显示装置还具备：

产生可变的基准电压的电压可变部件(70，80，90)；以及

将上述基准电压变换为电流的恒流源(71，72，78/81，82，88/91，92，98)，

上述基准电流产生部件(8)包含根据从上述恒流源输出的电流生成上述基准电流的电流源电路(73)。

12.如权利要求11中所述的显示装置，其特征在于：

上述电流源电路(73)包含将从上述恒流源输出的电流变换为与上述图像数据的各比特对应的上述基准电流的电流镜电路，

上述电流镜电路具有根据上述比特加权而使尺寸比不同的多个场效应晶体管(74～77)。

13.如权利要求1中所述的显示装置，其特征在于：

上述比特加权电流产生部件(100～108，120～122)包含2个系统的比特加权电流源(123a，123b)，

上述显示装置还具备控制成在上述2个系统的比特加权电流源的每一个中，使上述基准电流的写入动作和上述比特加权电流的输出动作以互补方式交替重复的控制部件(109，110)。

14.如权利要求1中所述的显示装置，其特征在于：

上述显示装置还具备产生阶梯波电流的阶梯波电流源(70，71，72，78/80，81，82，88/90，91，92，98)，上述阶梯波电流将比特加权后的各上述基准电流值定为各阶梯的台阶电流值，

上述基准电流产生部件(8)包含写入上述阶梯波电流的对应的阶梯台阶中的电流且再现被写入的电流并作为上述基准电流输出的电流源(150)。

15.如权利要求1中所述的显示装置，其特征在于：

上述基准电流产生部件(8)供给上述基准电流作为采用比特加权后的各电流值的阶梯波电流，

上述比特加权电流产生部件(100～108，120～122)在与上述数字图像数据的对应比特对应的时刻写入上述阶梯波电流作为基准电流。

16.一种显示装置，其特征在于具备：

向各像素(32，33，34)的发光元件供给电流的像素矩阵电路(31)；

向上述像素矩阵电路供给与数字图像数据(R[(k-1)..0]，G[(k-1)..0]，B[(k-1)..0])对应的信号电流(IL_R(m)，IL_G(m)，IL_B(m))的的多条第1信号线(28，29，30)；

传递上述数字图像数据的图像数据线(404R，404G，404B，...，405R，405G，405B)；以及

在上述多条第1信号线上生成与上述数字图像数据对应的上述信号电流的信号线驱动部(402，403)，

上述信号线驱动部(402，403)包含：

分别对应于上述多条第1信号线且独立于上述多条第1信号线设置的多条第2信号线(440R，440G，440B)；

分别与上述多条第2信号线对应设置的多个电流变换电路(430R，...，431R/430G，...，431G/430B，...，431B)，上述各个电流变换电路在对应的上述第2信号线上生成与从上述图像数据线接受的上述图像信号对应的电流；以及

分别在上述多条第1和第2信号线之间设置的多个电流传递电路(441R，441G，441B)，

上述多个电流传递电路的每一个在对应的上述信号线上生成通过再现与对应的上述第2信号线的通过电流对应的电流而得到的电流作为上述信号电流，

避开与上述第1信号线交叉的区域来配置上述图像数据线。

17.如权利要求16中所述的显示装置，其特征在于：

上述多个电流变换电路的每一个包含分别与构成上述数字图像数据的多个比特对应设置的多个电流变换单元(430R，...，431R，430G，...，431G，430B，...，431B)，

上述多个电流变换单元的每一个包含：

第1锁存电路(432R，432G，432B)，在为上述多个电流变换电路的每一个确定的第1预定时刻处，从上述图像数据线(404R，404G，404B，...，405R，405G，405B)取入并保持上述多个比特中的对应比特的数据；

第2锁存电路(433R，433G，433B)，在上述第1预定时刻之后的为上述多个电流变换电路共同确定的第2预定时刻处，从上述第1锁存电路接受并保持在上述第1锁存电路中保持的上述对应比特的数据；以及

电流源电路(434R，434G，434B)，用来在对应的上述第2信号线上生成与上述多个比特分别对应设定的多个比特加权电流中对应的1个，

上述电流源电路根据在上述第2锁存电路中保持的上述对应比特的数据执行或停止对应的上述比特加权电流的生成。

18.如权利要求16中所述的显示装置，其特征在于：

上述多个电流变换电路的每一个包含分别与构成上述数字图像数据的多个比特对应设置的多个电流变换单元(430R，...，431R，430G，...，431G，430B，...，431B)，

上述多个电流变换单元的每一个包含：

锁存电路(432R，432G，432B)，在为上述多个电流变换电路的每一个确定的第1预定时刻处，从上述图像数据线(404R，404G，404B，...，405R，405G，405B)取入并保持上述多个比特中的对应比特的数据；以及

电流源电路(434R，434G，434B)，用来在对应的上述第2信号线(440R，440G，440B)上生成与上述多个比特分别对应设定的多个比特加权电流中对应的1个，

上述电流源电路具有复位电路(462、463)，上述复位电路根据在上述锁存电路中保持的上述对应比特的数据执行或停止对应的上述比特加权电流的生成，并且在直到为上述多个电流变换部共同确定的第2预定时刻为止的期间中强制地使上述比特加权电流的生成停止，

在同一水平期间内上述第2预定时刻被设定在上述第1预定时刻之后。

19.如权利要求16中所述的显示装置，其特征在于：

上述显示装置还具备基准电流产生电路(408)，上述基准电流产生电路生成分别表示与上述多个比特分别对应设定的多个比特加权电流的基准电平的多个基准电流，

上述多个电流变换电路的每一个包含与构成上述数字图像数据的多个比特分别对应设置的多个电流源电路(494R，494G，494B)，

上述多个电流源电路的每一个包含：

比特加权电流源(435)，可执行从上述基准电流产生电路接受对应的上述基准电流并在内部保持与对应的上述基准电流对应的电学状态的基准电流写入动作和根据在上述基准电流写入动作时保持的上述电学状态生成上述比特加权电流源的电流输出动作；以及

开关电路(453)，在上述比特加权电流源的上述电流输出动作时，根据上述多个比特中的对应比特来切换从上述比特加权电流源至对应的上述第2信号线(440R，440G，440B)的上述比特加权电流的传递。

20.如权利要求19中所述的显示装置，其特征在于：

上述比特加权电流源(435)包含：

具有分别与预定电压和第1节点连接的源和漏的第1场效应晶体管(448)；

设置在供给上述基准电流的节点与上述第1节点之间的第2场效应晶体管(446)，在上述基准电流写入动作时导通而在上述电流输出动作时截止；

在上述基准电流写入动作时连接上述第1场效应晶体管的栅与漏的第3场效应晶体管(447)；以及

连接成保持上述第1场效应晶体管的栅与源之间电压的电容元件(449)，

上述开关电路(453)包含设置在对应的上述第2信号线(440R，440G，440B)与上述第1节点之间并在上述电流输出动作时根据上述对应比特导通或截止的第4场效应晶体管(453)。

21.如权利要求20中所述的显示装置，其特征在于：

上述比特加权电流源(435)还包含：

虚设负载(457)；以及

第5场效应晶体管(458)，在上述电流输出动作时，在上述第4场效应晶体管(453)截止了时互补地导通，用来形成包含上述虚设负载、上述第1节点和上述第1场效应晶体管(448)的电流路径。

22.如权利要求16中所述的显示装置，其特征在于：

上述多个电流传递电路(441R，441G，441B)的每一个具有第1和第2电流源电路(443a，443b)，

上述第1和第2电流源电路中的每一个交替地执行在内部保持与上述对应的第2信号线(440R，440G，440B)的通过电流对应的电学状态的电流写入动作和向上述对应的第1信号线(28，29，30)供给与在上述电流写入动作时保持的上述电学状态对应的电流的电流输出动作中的一个动作。

23.如权利要求22中所述的显示装置，其特征在于：

上述第1和第2电流源电路(443a，443b)的每一个包含：

第1场效应晶体管(474a，474b)，具有分别与预定电压和第1节点连接的源和漏以及连接到第2节点上的栅；

第2场效应晶体管(473a，473b)，连接在上述第1场效应晶体管的栅与漏间；以及

电容元件(475a，475b)，与上述第2节点连接，以便保持上述第1场效应晶体管的源、漏间电压，

上述多个电流传递电路(441R，441G，441B)的每一个包含：

输入开关电路(442)，将对应的上述第2信号线(440R，440G，440B)与上述第1和第2电流源电路中的进行上述电流写入动作的一方的上述第1节点连接；以及

输出开关电路(444)，将对应的上述第1信号线(28，29，30)与上述第1和第2电流源电路中的进行上述电流输出动作的另一方的上述第1节点连接。

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