CN1641853A - 检测装置及其制造方法、制造电光装置和半导体装置的方法 - Google Patents

Abstract

一种检测装置，包括：衬底；设置在衬底上的应力释放层；设置在应力释放层上的接触件；以及电连接到接触件的布线图案。此外，本发明的用于制造检测装置的方法包括以下步骤：提供衬底；在衬底的表面上形成应力释放层；形成在衬底表面上的应力释放层上延伸的布线图案；以及在应力释放层以上的区域中的布线图案上形成接触件。

Description

检测装置及其制造方法、制造电光装置和半导体装置的方法

技术领域

本发明涉及在检测过程中使用的装置及制造该装置的方法，以及制造电光装置的方法和制造半导体装置的方法。特别是，本发明涉及优选在检测电光装置的电特性的过程中使用的检测装置。

本申请要求2004年1月14提交的日本专利申请2004-6601以及2004年10月20日提交的日本专利申请2004-305520的优先权，其内容在此通过引用被合并。

背景技术

例如，在制造诸如液晶显示装置等电光装置的过程中，进行诸如光照检测之类的电特性检测。传统上，当检测电特性时，探针板的探针(即针)与液晶显示面板的基板上的外部连接端子相接触放置，并用测试器进行信号交换。由于传统探针板构造为在基板上突出多个探针，然后从每个探针引导电缆，因此，探针的数量随着来自电光装置的外部连接端子的数量的增加而增加的程度有一定的限度。因此，近些年来，相比传统探针板具有较小尺寸的接触件的检测装置已经被提出(例如，参见日本未审查专利申请第一次公开H07-283280，H08-236240和H11-251378)。

在日本未审查专利申请第一次公开H07-283280，H08-236240和H11-251378中公开的技术中，使用在制造半导体和电子器件的过程中应用的诸如光刻法之类的精密处理技术来形成接触件。这些技术与传统探针板相比能够形成大量接触件。然而，这些技术受到以下问题的阻碍。

在日本未审查专利申请第一次公开H07-283280中描述的技术中，在硅衬底上形成具有V形横截面的孔，并形成填充这些孔的凸起。然后形成连接到这些凸起的布线。之后，与凸起一体形成的衬底被再次粘接到另一硅衬底上。最后，用于模具的硅衬底被除去，完成用于检测的连接装置。这样，制造过程极其复杂，需要大量的元件。

在日本未审查专利申请第一次公开H08-236240中公开的技术中，包铜的聚酰亚胺薄膜的铜箔被形成图案以形成布线。接着，通过激光照射在聚酰亚胺薄膜中形成尽可能远地到达布线的孔。然后通过镀敷用金属填充孔的内部，在这之后，通过执行进一步的激光照射，镀敷柱的顶部被从膜的表面暴露，以完成用于检测的连接件的成形。以与日本未审查专利申请第一次公开7-283280相同的方式，在此所涉及的制造过程也极其复杂。另外，由于凸起在柔性衬底上形成，因此它们在尺寸精度和环境稳定性方面较差。

在日本未审查专利申请第一次公开11-251378中公开的技术中，形成检测接触件的呈凸起形的端子设置在被测量的芯片上。即，在该技术中，由于接触件不是形成在探针板一侧而是形成在芯片一侧，因此产生的问题是，芯片需要专门设计，失去了对一般应用的适应性。

发明内容

本发明为了解决上述问题而构思，本发明的一个目的是提供一种在检测过程中使用的装置，其能够使用少量的元件和简单的制造过程获得高水平的尺寸精度，并能用于一般目的的产品，以及提供用于制造该检测装置的方法，及使用这种检测装置制造电光装置的方法和制造半导体装置的方法。

为了实现上述目的，根据本发明一个方面的检测装置包括：衬底；设置在衬底上的应力释放层；设置在应力释放层上的接触件；以及电连接到接触件的布线图案。

并且，本发明的用于制造检测装置的方法包括以下步骤：

提供衬底；在衬底表面上形成应力释放层；形成在衬底表面上的应力释放层上延伸的布线图案；以及在应力释放层之上的区域中的布线图案上形成接触件。

在本发明中，能够由衬底、应力释放层、接触件、布线图案构造检测装置。检测装置的制造可通过在衬底上照此顺序层叠应力释放层、布线图案和接触件而简单地完成。因此，能够通过简单的制造过程获得具有小量元件的检测装置。并且，由于在半导体制造过程中广泛使用的蚀刻和光刻技术可被用来形成布线图案，并且由于可以将使用镀敷等的凸起形成技术用于形成接触件，因此可获得高水平的尺寸精度。此外，在本发明中，由于与在日本未审查专利申请11-251378中描述的技术不同，接触件形成在检测装置中，因此在被测量的物体上不需要接触件，这对于一般目的元件的特性检测是有利的。

并且，在本发明的检测装置中，优选用于检测的电子元件安装在衬底上，并且电子元件电连接到布线图案。

例如，在检测诸如液晶显示装置等电光装置的电特性时，在许多情况下要求诸如驱动元件等电子元件在检测过程中向电光装置供给驱动信号。然而，根据上述结构，由于用于检测的电子元件事先安装在衬底上，并且，由于用于检测的电子元件与布线图案电连接，因此，没有必要准备分立的用于检测的电子元件，而是仅仅使用该检测装置来进行检测。

并且，优选的是，用于检测的电子元件是在目标物被检测后将要安装在将被检测的目标物上的电子元件。

根据该结构，能够在与实际应用中的条件相同的条件下进行检测，而不必准备为用于检测而专门设计和制造的电子元件。

并且，优选的是，用于检测的电子元件被面朝下安装在衬底上。

根据这样的结构，由于在用于检测的电子元件的端子电连接到布线图案时没有使用焊丝等，因此，可简化连接结构，并且可减小检测装置的整体厚度。

并且，各种材料可用作衬底的材料，但优选的是，衬底由透明衬底制成。

根据该结构，从衬底侧可观察到接触件的位置，从而可容易地进行被测目标物和接触件的端子的定位。

可采用这样的结构，其中，在衬底上设置电屏敝层。

根据该结构，能够提供一种检测装置，其能够减小不必要的辐射，并能够提高防噪声性能，并能够使电特性的检测更准确。

优选的是，接触件从其邻近衬底的端部到其相对的端部逐渐变尖。

在一些情况下，由于金属材料氧化产生的薄的氧化物膜形成在被测量目标物的端子的表面上。在这种情况下，根据上述的结构，由于接触件是尖的，因此在接触件靠着端子放置时，接触件的尖端刺破氧化物膜，使得与氧化物膜下的金属层的接触更容易。结果，能够增加电特性测量的可靠性。

所述装置也可以包括连接器，所述连接器设置在衬底之上。

根据该结构，该检测装置可容易地与测试器进行电连接。

可在接触件下设置中空的空间。在这种情况下，接触件以下的至少一部分应力释放层被除去，以确定该中空空间。作为选择，接触件以下的至少一部分衬底可被除去，以确定所述中空空间。

根据该结构，由于接触件的柔性因设置了中空空间而进一步被提高，因此即使在被检测表面上存在不规则性和不均匀性，也能够保证更连续的接触。

此外，即使接触件在检测过程中位移，所述位置也能被调节。因此，被检测表面对损坏具有抗性，并提高了检测的可靠性。并且，当中空空间通过除去应力释放层或衬底的至少一部分而形成时，能够使用相对较简单的方法形成该中空空间。

本发明的另一方面是用于检测电子装置的电特性的检测装置，包括：

衬底；设置在衬底上的应力释放层；设置在应力释放层上的接触件；电连接到接触件的布线图案；以及用于驱动电子装置的电子元件，其中，电子元件设置在衬底上，并电连接到布线图案。

根据该结构，如上所述，能够提供一种检测装置，其具有小量元件，并能通过简单的制造过程获得高水平的尺寸精度，并能够被用于一般目的的设计部件。另外，可仅使用该检测装置进行测量，而不必准备用于检测的单独的电子元件。

另外，在本发明的检测装置的制造方法中，形成接触件的步骤可包括以下步骤：形成具有图案的掩模，其中，应力释放层之上的布线图案的一部分区域被空出；并且，通过在形成掩模的步骤之后实施镀敷过程来形成接触件。

根据该方法，可利用传统的已知技术在衬底上容易地形成接触件。

并且，所述方法还可包括以下步骤：在形成应力释放层的步骤之前，在衬底上的至少随后将要形成接触件的区域以下的区域中形成牺牲层；并且，在形成应力释放层的步骤之后，通过有选择地除去牺牲层在接触件以下的区域中形成中空空间。

根据该方法，可在牺牲层除去之后形成中空空间，并能够制造其中的接触件的柔性被提高的检测装置。

并且，所述方法可进一步包括以下步骤：通过有选择地除去至少接触件以下的应力释放层的一部分来形成中空空间。作为选择，所述方法可进一步包括以下步骤：通过有选择地除去至少接触件以下的衬底的一部分来形成中空空间。

根据这些结构，与如上所述的方法不同，能够在不使用牺牲层的情况下形成中空空间，并能够制造其中的接触件的柔性被提高的检测装置。

本发明的用于制造电光装置的方法包括利用上述的本发明的检测装置检测电特性的步骤。

本发明的用于制造半导体装置的方法包括利用上述的本发明的检测装置检测电特性的步骤。

根据这些制造方法，能够有效地进行电特性的检测，并且，本发明能够有利地用于具有大量端子的电光装置和半导体装置。

附图说明

图1是根据本发明第一实施例的将被测量的液晶显示装置的平面图；

图2是根据相同实施例的液晶显示装置的剖面图；

图3是根据相同实施例的检测装置的透视图；

图4A-4E是根据相同实施例的按顺序制造检测装置的方法的步骤的剖面图；

图5是使用根据相同实施例的检测装置进行检测的视图；

图6是根据本发明第二实施例的检测装置的剖面图；

图7A-7I是根据本发明第三实施例的按顺序制造检测装置的方法的步骤的剖面图；

图8是描述根据相同实施例的制造方法的替代实施例的视图。

具体实施方式

第一实施例

以下将参照图1-5描述本发明的第一实施例。

在本实施例中，将描述这样的例子，其中，对作为电光装置的一种类型的液晶显示装置的电特性进行检测。

图1是将被测量的液晶显示装置的示意结构的平面图。图2是沿图1的H-H’线截取的剖面图。图3是用于检测液晶显示装置的电特性的根据本发明实施例的检测装置的透视图。图4A-4E是根据相同实施例的按顺序制造检测装置的方法的步骤的剖面图。图5是使用根据相同实施例的检测装置进行检测的视图。应该指出的是，在以下说明中所用的每个图中，每层和每个部件的比例是不同的，以使每层和每个部件足够大以便于在图中能够被识别。

首先，将说明被测量的液晶显示装置。

如图1和2所示，在本实施例中使用的液晶显示装置100通过用密封材料52将薄膜晶体管(下文中间称为“TFT”)阵列基板10粘贴到对向基板20上而形成，其中薄膜晶体管阵列基板10设置有用作像素开关元件的薄膜晶体管。液晶层50因此被包围在密封材料52内部的区域中。由光屏蔽材料制成的光屏蔽膜(即，外周分隔部件)53形成在形成密封材料52的区域的内部。数据线驱动电路201沿着TFT阵列基板10的一侧在密封材料52外侧的外围电路区中形成，扫描线驱动电路104沿着与所述一侧邻接的两侧形成。用于将设置在显示区域两侧的两条扫描线驱动电路104连接在一起的多条线105设置在TFT阵列基板10的剩下的一侧上。用于提供TFT阵列基板10和对向基板20之间的电连接的基板内导电材料106设置在对向基板20的角部中。

许多外部电路封装端子202成排地设置在TFT阵列基板10上的数据线驱动电路201外侧。如图2所示，TFT阵列基板10的外部尺寸大于对向基板20的外部尺寸，定位设置有外部电路封装端子202的TFT阵列基板10的边缘区域以使其向外突出到对向基板20的边缘以外。利用这种结构，当使用如下所述的检测装置检测电特性时，能够容易地使检测装置的接触件与外部电路封装端子202相接触放置。

接着，将描述检测装置。

如图3和图4E所示，本实施例的检测装置30一般包括衬底31、应力释放层32、接触件33、布线图案34和35、驱动IC36(即，用于驱动电光装置的电子元件)和连接器37。该检测装置30对应传统探针板，并具有传递在液晶显示装置100的外部电路封装端子202和测试器之间交换的信号的作用。衬底31可由例如玻璃或石英等形成的矩形透明衬底制成。应指出的是，衬底不一定是透明衬底，也可以用例如硅衬底等。

应力释放层32在衬底31的一个端侧上形成。应力释放层32可通过形成光敏聚酰胺树脂图案来形成，其层厚例如在1μm至100μm的范围内，优选大约为10μm。应力释放层32的两端形成为锥形的倾斜表面。通过形成具有锥形表面的应力释放层32，改善了布线图案(以下说明)在应力释放层32的台阶部分中的卷绕，获得了能够防止布线图案中的断裂的效果。

应指出的是，可以使用没有光敏性的树脂作为应力释放层32的材料。例如，可以使用如诸如硅变性聚酰胺树脂、环氧树脂、硅变性环氧树脂等硬化时具有低的杨氏模量(1×10¹⁰Pa或更小)和显示硬力释放效果的材料。

多个第一布线图案34(图3中仅仅示出4个以便容易观看)从衬底31的顶表面形成并延伸到应力释放层32的顶表面。另外，多个第二布线图案35在衬底31的顶表面上没有设置应力释放层32的部分上形成。铝、诸如硅化铝等铝合金以及铝铜合金、铜、铜合金或金、钛、钛合金、铬等可被用于布线图案34和35的材料。如果选择铝基材料、铜基材料或金或者类似材料，则由于这些材料具有延展性，因此，能够增加抗裂性。如果选择具有良好防潮性的钛基材料，则能够防止由于腐蚀引起的断裂。铬与胶层的聚酰亚胺之间具有良好的粘结性。

在应力释放层32的项部，接触件33在第一布线图案34上设置以对应每个第一布线图案34。接触件33可以由镍制成，或者通过在铜芯周围涂敷镍层来得到，或者在铜和镍芯等周围进一步涂敷金属而得到。由于检测装置30被重复使用很多次以检测电特性，因此，优选的是，用于接触件33的材料具有高的耐磨性，并可在可能的情况下为硬材料。除了图中示出的球形以外，接触件33的形状可以是圆锥形或截圆锥形。无论采用哪种形状，优选接触件33从其与第一布线图案34接触的端部朝向其尖端变尖。如果尖端略微变尖，则在检测过程中，当接触件33被靠着端子放置时，接触件33的尖端容易刺破端子上的氧化物膜而与其下的金属层接触。这使得电特性测量的可靠性提高。接触件33通过直接接触第一布线图案34被电连接。应指出的是，可用于接触件33的其它材料包括钨、碳化钨和金刚石，并且只要满足上述的条件，任何材料都可以使用。

驱动IC36安装在衬底31的顶表面上。驱动IC36将驱动信号供给将被检测的液晶显示装置100，并且，当例如完成液晶模块的生产时，驱动IC36可以与安装在连接到图1所示液晶面板的外部衬底上的驱动IC相同。如图4E所示，将驱动信号从驱动IC36的多个端子中输出到液晶显示装置100的端子38a被连接到在设置有接触件33的一侧的相反侧上的第一布线图案34的端部。从测试器接收信号输入的端子38b连接到第二布线图案35的端部。在驱动IC36的端子38a和38b与第一和第二布线图案34和35之间的连接被树脂层39密封。树脂层39可防止由于潮气或外部物质进入连接部分并引起腐蚀或短路而产生的故障。并且，尽管在图中被省略，优选由阻焊剂等形成的保护层设置在每一个布线图案34和35上，除了接触件33和与驱动IC36连接的区域以外的区域。

以与如上所述的树脂层39相同的方式，设置保护层以保护布线图案34和35并防止腐蚀和短路。从减小膜厚度的角度考虑，优选的是，已知的面朝下的结构被用于安装驱动IC36，然而，也可以采用诸如丝焊方法等其它安装方法。另外，从简化设计和制造的观点来看，优选驱动IC36是用于实际产品中的驱动IC，并且驱动IC36将驱动信号供给将要被检测的液晶显示装置100。然而，驱动IC36也可以是专门为检测设计的驱动IC。

连接器37设置在衬底31的顶表面上设置有接触件33的一侧的相反侧上的端部处，以获得与测试器的电连接。尽管在该实施例中连接器37设置在与设置有接触件33的一侧相反的一侧上，但连接器37可以设置在衬底之上的任何位置。通过在由例如任何树脂材料制造的柔性衬底40的一个表面上对应每个上述的第二布线图案35形成布线图案41来构造连接器37。在将柔性衬底40上的布线图案41和衬底31上的第二布线图案35已经被互相面对地放置后，布线图案41和第二布线图案35经由各向异性导电膜(下文称作“ACF”)43电连接，并且柔性衬底40和衬底31机械接合。

以下将描述制造具有上述结构的检测装置的方法。

首先，如图4A所示，准备用于形成衬底31的透明衬底，并将液态光敏聚酰亚胺树脂涂敷在其顶表面上。一旦在整个表面上形成了光敏聚酰亚胺树脂层，就进行掩模曝光、显影和烘干过程，并且，光敏聚酰亚胺树脂层被形成图案以形成应力释放层32。

如果非光敏树脂被用作应力释放层32的材料，则一旦形成树脂层，就可以利用典型的使用光刻胶的光刻方法和蚀刻方法来对树脂层形成图案。接着，利用溅射方法或蒸镀方法在衬底31的整个表面上形成铝、铝-硅、铝-铜、铜、铜合金、金、钛、钛合金、铬等的金属膜。然后利用典型的使用光刻胶的光刻方法并利用蚀刻方法形成金属膜的图案，从而形成布线图案34和35。光刻胶然后被除去。

接着，如图4B所示，使用光刻方法形成具有如下图案的光刻胶层45，在该图案中，应力释放层32上方的第一布线图案34上的一部分区域(即随后要形成接触件33的区域)被空出。

接着，如图4C所示，利用诸如镍或铜/镍之类的金属通过实施电解电镀或非电解电镀在光刻胶层45中的开口中沉淀金属，从而形成接触件33。可选的是，代替使用镀敷方法，可使用印刷方法形成接触件33。另外，为了形成诸如截圆锥形状的锥形接触件33，镀敷可以在金属经历各向异性生长的条件下进行，或者，可通过再次进行各向异性蚀刻来控制所述形状。

接着，通过除去在镀敷中用作掩模的光刻胶层45，完成了如图4D所示的接触件33的形成。

接着，如图4E所示，单独准备的连接器37通过ACF43被粘接到衬底31上。另外，驱动IC36被安装在布线图案34和35上，驱动IC36的端子部分38a和38b被树脂层39密封，从而完成了本实施例的检测装置30的形成。

当制造液晶显示装置100时，例如TFT阵列基板10通过密封材料52被粘接到对向基板20上，从而制造中空的液晶单元。随后，利用真空注射方法将液晶注入到液晶单元中。此后，利用密封材料密封液晶注射孔，以便制造液晶显示装置100。接着进行电特性检测以检测所完成的液晶显示装置100是否具有期望的电特性。

当使用检测装置30进行液晶显示装置100的电特性检测时，在检测装置30的连接器37已被连接到测试器后，如图5所示，定位检测装置30以便接触件33面朝下。一旦接触件33相对于液晶显示装置100的外部电路封装端子202被定位后，沿着箭头Y的方向轻推检测装置30，导致接触件33牢固地接触外部电路封装端子202。在本实施例中，由于衬底31是由透明衬底制造的，因此接触件33和外部电路封装端子202之间的位置关系可从衬底31的一侧观察，这在进行定位时是很方便的。在这种状态下，通过从测试器经由检测装置30将检测信号输入到液晶显示装置100中，然后获得其输出，能够检测各种类型的电特性，包括发光(lighting)检测。

根据本实施例，能够由衬底31、应力释放层32、接触件33、布线图案34和35、驱动IC36和连接器37构造检测装置30，并且检测装置的制造可简单地通过在衬底31上顺序层叠和封装这些部件来完成。因此，能够通过简单的制造过程获得具有小量元件的检测装置。并且，由于在半导体制造过程中广泛使用的蚀刻和光刻技术可被用来形成布线图案34和35，并且由于采用镀敷等的凸起形成技术能够用于形成接触件33，因此可获得高水平的尺寸精度。此外，由于与在日本未审查专利申请第一次公开11-251378中描述的技术不同，接触件33形成在检测装置30上，因此在被测量的物体上不需要接触件，这对于一般目的元件的特性检测是有利的。另外，由于检测装置30设置有驱动IC36，因此无需设置单独的驱动IC，仅仅使用该检测装置和普通的测试器即可容易地执行检测。

第二实施例

以下参照图6描述本发明的第二实施例。

本实施例的检测装置的基本结构与第一实施例的检测装置的结构相同，只有其层结构略有不同。

图6是本实施例的检测装置的剖面图，对应于第一实施例的图4E。因此，在图6中，与图4E相同的元件被指定相同的符号，并省略其具体描述。

在第一实施例中，应力释放层32直接形成在衬底31上，布线图案34和35以及接触件33顺序形成在应力释放层32之上。与此相比，如图6所示，在本实施例的检测装置60中，电屏蔽层55形成在衬底31的顶表面一侧设置有接触件33的部位，应力释放层32被形成以覆盖电屏蔽层55。第一布线图案34从衬底31的顶部延伸到应力释放层32的顶部而形成，接触件33形成在第一布线图案34的顶部。以与布线图案34和35相同的方式，铝、诸如硅化铝等铝合金以及铝-铜、铜、铜合金或金、钛、钛合金、铬等可被用于电屏蔽层55的材料。然而，当布线图案34和35以线性形状布图时，电屏蔽层55在应力释放层32下以较宽区域的形状形成。电屏蔽层55可以是电漂浮状态，但是，优选它处于恒定的电压下，尤其是被接地，以便提高防噪性能。

作为本实施例的替代实施方式，通过形成多层应力释放层和布线图案，或多层宽区域电位层和接地层，或者，通过采用已知的用于布线的带(strip)或微带结构，能够进一步提高防噪性能。

也可以使用本实施例的结构获得与第一实施例相同的效果，即，能够提供一种检测装置，其具有少量的元件，并能通过简单的制造过程获得高水平的尺寸精度，并且其能够应用于一般目的的元件。并且，在本实施例的情况中，通过提供电屏蔽层55，能够提供一种检测装置，其能够减小不必要的辐射，并能够提高防噪性能，并且，其能够使得电特性的检测更为准确。

第三实施例

以下将利用图7A-7I和图8来描述本发明的第三实施例。

本实施例的检测装置的基本结构与第一实施例的检测装置相同，不同之处仅在于在接触件下提供中空空间。

图7I是本实施例的检测装置的剖面图，对应于第一实施例的图4E和第二实施例的图6。因此，在图7I中，与图4E和图6相同的元件被指定以相同的符号，并且省略其详细说明。图7A-7I是制造本实施例的检测装置的制造过程的剖面图。

在本实施例的检测装置80中，如图7I所示，中空空间71设置在应力释放层32的内部且在接触件33以下的位置处。由于检测装置80以与图3示出的相同的方式具有多个接触件33，中空空间71可以设置为沿着多个接触件33连续地延伸(即沿着图7I的垂直方向)。作为选择，空间71可对应每个接触件33独立地设置。在图7I中，整个应力释放层32被从接触件33之下的区域中除去，第一布线图案34被放置为悬在中空空间71上方。可采用这样的结构，其中沿着垂直于应力释放层32顶面的方向的全部应力释放层32被除去，如图中所示，或者可采用这样的结构，其中，沿着垂直于应力释放层32顶面的方向的一部分应力释放层32被保留在接触件33以下的区域中，从而中空空间71形成在应力释放层32已被部分去除的部分中。在后一种情况中，第一布线图案34不是悬空的，而是布置在应力释放层32上。

以下将描述具有上述结构的检测装置的制造方法。

如图7A所示，准备用于形成衬底31的透明衬底，并且光敏硅树脂被涂在其顶表面上。一旦在整个表面上形成光敏硅树脂层，就通过掩模曝光和显影处理对光敏硅树脂层形成图案，从而形成牺牲层70。然而，由于在后面的步骤中有选择地仅除去牺牲层70而留下应力释放层，因此用作牺牲层70的材料必须是相对于随后形成的应力释放层具有足够大的蚀刻选择率的材料。可用溶剂等进行湿蚀刻的材料也是优选的。

接着，如图7B所示，在其顶表面上涂敷液态形式的光敏聚酰亚胺树脂。一旦在整个表面上形成光敏聚酰亚胺树脂层，就进行掩模曝光、显影和烘干，使光敏聚酰亚胺树脂层形成图案，从而形成应力释放层32。如果非光敏树脂被用作应力释放层32的材料，则一旦形成树脂层，就可利用应用光刻胶的典型的光刻方法和蚀刻方法对树脂层形成图案。这时，如果在牺牲层70的顶部绝对没有应力释放层32，那么能够形成这样的结构，其中第一布线图案34悬在空间71之上。可选地，如果应力释放层32设置在牺牲层70的顶部上，那么能够形成这样的结构，其中第一布线图案34布置在应力释放层32上。

接着，参照图7C，通过有选择地仅仅除去牺牲层70，同时保留应力释放层32，在应力释放层32的内部形成中空空间71。这时，可采用使用蚀刻溶液(在这种情况下，是一种有机溶剂)的湿蚀刻方法，所述溶液相对于聚酰亚胺树脂(即应力释放层32)对硅树脂(即牺牲层70)的蚀刻选择率比较大。作为选择，如果可以得到足够大的蚀刻选择率，也可以采用干蚀刻方法。

接着，如图7D所示，利用溅射方法或蒸镀方法在整个表面上形成铝、铝-硅、铝-铜、铜、铜合金、金、钛、钛合金、铬等的金属膜。然后利用典型的使用光刻胶的光刻方法并利用蚀刻方法形成金属膜的图案，从而形成布线图案34和35。光刻胶然后被除去。应该指出的是，关于除去牺牲层和形成布线图案的顺序，与以上描述的顺序不同，也可以使用这样的结构，其中，应力释放层32不设置在牺牲层70的顶表面上，并且，在首先形成布线图案34和35之后，通过蚀刻牺牲层70来形成如图7D所示的中空空间71。

接着，如图7E所示，利用光刻方法形成具有如下图案的光刻胶层45，在所述图案中，位于应力释放层32以上的第一布线图案34上的一部分区域(即随后将形成接触件33的位置)被空出。

接着，如图7F所示，利用诸如镍或铜/镍之类的金属通过实施电解电镀或非电解电镀在光刻胶层45中的开口中沉积金属，从而形成接触件33。可选的是，代替使用镀敷方法，可使用印刷方法形成接触件33。另外，为了形成诸如截圆锥形状的锥形接触件33，镀敷可以在金属经历各向异性生长的条件下进行，或者，可通过再次进行各向异性蚀刻来控制所述形状。

接着，通过除去在镀敷中用作掩模的光刻胶层45，完成了如图7G所示的接触件33的形成。

接着，如图7H所示，形成阻焊剂72以覆盖布线图案34，以便隔离和保护布线图案34。应该指出的是，尽管省略了其说明，优选阻焊剂也形成在第一实施例的布线图案35上。

接着，如图7I所示，单独准备的连接器37通过ACF43被粘接到衬底31上。另外，驱动IC36被安装在布线图案34和35上，驱动IC36的端子部分38a和38b被树脂层39密封，从而完成了本实施例的检测装置80的形成。

在本实施例中，也能够获得如第一和第二实施例中所获得的相同的效果，即，能够提供一种检测装置，其具有少量的元件，并能够通过简单的制造过程获得高水平的尺寸精度，并且其能够应用于一般目的的元件。而且，在本实施例的情况下，由于在接触件33之下设置中空空间71，进一步提高了接触件33的柔性，因此，即使在被检测表面上存在着不规则性和不平整性，也能够保证更一致的接触。此外，即使接触件33在检测过程中位移，所述位移可被调节。因此，被检测表面对损坏具有抗性，并提高了检测的可靠性。并且，由于通过蚀刻有选择地仅仅除去牺牲层70的方法被用作形成中空空间71的方法，因此，能够使用相对较简单的方法以极好的可控制性形成该中空空间71。

应该指出的是，能够使用如下所述的方法形成中空空间，而不用使用牺牲层。如图8所示，在已经形成布线图案34和35以后，形成抗蚀剂层45。必须根据下一步实施的用于蚀刻应力释放层32的方法使用具有适当的抗蚀刻性的材料用于抗蚀剂层45。例如，可使用有机抗蚀剂或诸如二氧化硅的无机抗蚀剂。

接着，在抗蚀剂层45中的将要形成中空空间的位置处形成开口45a。然后利用湿蚀刻或干蚀刻通过开口45a蚀刻应力释放层32来形成中空空间71。在这种方法中，由于蚀刻通过开口45a从应力释放层32的顶部开始推进，因此至少应力释放层32的顶部被除去，并且形成悬挂的布线图案34。之后，在开口45a内部形成接触件33。在这种情况下，开口45a可事先以将要形成的接触件33的尺寸形成，或者可在中空空间71已经被形成后在单独的过程中被扩展到将要形成的接触件33的尺寸。

并且，在如上所述的结构中，描述了通过除去接触件33以下的区域中的一部分或全部应力释放层32来形成中空空间71的例子，然而，代替这种结构，例如，也可以通过在衬底31中的在接触件33以下的区域中形成凹陷来形成中空空间。在这种情况下，例如，在形成开口45a和中空空间71以后，利用有选择地蚀刻衬底31的蚀刻剂在衬底31中接触件33以下的区域中形成凹陷。对于蚀刻剂，如果衬底31是硅，则可以使用利用诸如氢氧化钾水溶液之类的碱性水溶液的湿蚀刻方法，或者使用利用等离子蚀刻的干蚀刻方法。作为选择，也可以利用这样一种方法，其中，首先，在衬底31的表面上形成凹陷，之后，在维持凹陷作为中空空间的条件下，在凹陷的顶部形成应力释放层32和布线图案等。

在如上所述的每个实施例中所述的应力释放层可以形成在衬底31的整个表面上，包括接触件33以下的区域，或者，例如也可以仅仅在接触件33以下的区域中形成为矩形形状。

应力释放层也可以更加有选择性地仅仅在接触件33下面以独立岛屿(island)形状形成。

并且，在第三实施例中所述的中空空间71例如可以仅仅在接触件33以下的矩形区域中形成，或者，也可以更加有选择性地仅仅在接触件33下面以独立岛屿(island)形状形成。

应该指出的是，本发明的技术范围并不限于上述的实施例，在不偏离本发明的实质和范围的情况下可以进行各种变化。例如，在上述实施例中，给出了检测液晶显示装置的例子作为电光装置的例子，但是，本发明也可以应用于其它的电光装置中，例如有机EL装置。并且，本发明的检测装置也可以用于检测例如LSI等半导体装置中的各种电特性。并且，在上述的实施例中，给出了用于液晶显示装置的驱动IC安装在衬底上的情况，然而，也可以适当地安装除了驱动IC之外的检测所需要的电子元件。除此以外，对用于形成如上所述的实施例中的检测装置的材料和尺寸的有关特定描述，以及在用于制造该检测装置的方法中对材料和尺寸的有关特定描述，可以进行适当地改变。

尽管对本发明的一些优选实施例进行了展示和描述，但应当理解，它们只是示例性的而不应当认为是限制性的。在不偏离本发明的实质或范围的情况下，可对这些实施例进行增加、省略、替代和其它改变。本发明不应当认为由前述的说明书所限定，而仅仅由权利要求书的范围进行限制。

Claims (19)

1.一种检测装置，包括：

衬底；

设置在衬底上的应力释放层；

设置在应力释放层上的接触件；以及

电连接到接触件的布线图案。

2.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，还包括用于检测的电子元件，所述电子元件安装在衬底之上，并且电子元件电连接到布线图案。

3.根据权利要求2所述的检测装置，其特征在于，所述电子元件是在被检测的目标物被检测后将要安装在所述目标物上的电子元件。

4.根据权利要求2所述的检测装置，其特征在于，所述电子元件被面朝下安装在衬底上。

5.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述衬底是透明衬底。

6.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，还包括设置在衬底上的电屏敝层。

7.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，所述接触件从其邻近衬底的端部到其相对的端部逐渐变尖。

8.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，还包括连接器，所述连接器设置在衬底之上。

9.根据权利要求1所述的检测装置，其特征在于，在接触件下设置中空空间。

10.根据权利要求9所述的检测装置，其特征在于，接触件以下的至少一部分应力释放层已经被除去，以确定该中空空间。

11.根据权利要求9所述的检测装置，其特征在于，接触件以下的至少一部分衬底已经被除去，以确定所述中空空间。

12.一种用于检测电子装置的电特性的检测装置，包括：

衬底；

设置在衬底上的应力释放层；

设置在应力释放层上的接触件；

电连接到接触件的布线图案；以及

用于驱动电子装置的电子元件，其中，电子元件设置在衬底上，并电连接到布线图案。

13.一种制造检测装置的方法，包括以下步骤：

提供衬底；

在衬底的表面上形成应力释放层；

形成在衬底表面上的应力释放层上延伸的布线图案；以及

在应力释放层以上的区域中的布线图案上形成接触件。

14.根据权利要求13的制造检测装置的方法，其特征在于，形成接触件的步骤包括以下步骤：

形成具有图案的掩模，在所述图案中，应力释放层之上的布线图案上的一部分区域被空出；并且，

通过在形成掩模的步骤之后实施镀敷过程来形成接触件。

15.根据权利要求13的制造检测装置的方法，其特征在于，所述方法还包括以下步骤：

在形成应力释放层的步骤之前，在衬底上的至少随后将要形成接触件的区域以下的区域中形成牺牲层；并且，

在形成应力释放层的步骤之后，通过有选择地除去牺牲层而在接触件以下的区域中形成中空空间。

16.根据权利要求13的制造检测装置的方法，其特征在于，还包括以下步骤：

通过有选择地除去至少接触件以下的应力释放层的一部分来形成中空空间。

17.根据权利要求13的制造检测装置的方法，其特征在于，所述方法进一步包括以下步骤：

通过有选择地除去至少接触件以下的衬底的一部分来形成中空空间。

18.一种用于制造电光装置的方法，包括利用权利要求1所述的检测装置检测电特性的步骤。

19.一种用于制造半导体装置的方法，包括利用权利要求1所述的检测装置检测电特性的步骤。

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