CN1637896A - 光信息记录介质 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种光信息记录介质，在使用了波长特别为640nm～680nm的激光等的记录光的高密度且高速度的记录中，能够提高由记录功率产生的热的散热特性，确保记录速度与更高速的记录区域对应的记录再现特性。着眼于记录功率加热光记录层(3)内的色料，并且该热透过光记录层和光反射层(4)扩散开去，其特征在于，包括形成了预刻沟槽(7)的基板(2)，包括吸收激光(9)并由色料构成的光吸收物质的光记录层(3)，以及反射激光(9)的光反射层(4)，在上述预刻沟槽(7)内，相对于该光信息记录介质的直径方向的截面中的预刻沟槽(7)的截面积，色料所占的截面积的比率(沟槽内色料比率)为30％～63％。

Description

光信息记录介质
技术领域
本发明涉及一种光信息记录介质，特别是涉及具有作为吸收激光的光记录层，例如在透光性的基板上具有由色料等构成的至少包括光吸收物质等的光记录层，和由金属膜等形成的光反射层，可以由例如波长为640nm～680nm的短波长度的红色激光以高密度且高速度地进行写入和再现的光信息记录介质。
背景技术
当前，正在进行将与波长为640nm～680nm(例如650nm～665nm)的半导体激光器对应的有机色料化合物作为光记录层而使用的DVD-R、DVD+R等可记录式光信息记录介质的开发。这些DVD-R、DVD+R等光信息记录介质，与以往的CD-R的轨道节距1.6μm、存储容量650MB～600MB相比，轨道节距变为0.74μm这样的更窄的节距，存储容量变为4.7GB这样的非常高的密度。进而，在记录速度方面，相对于在CD-R中基准线速度为1.2～1.4m/s，在DVD-R/DVD+R中，基准线速度已经达到了3.49m/s这样的非常高的速度。另外，作为DVD-R/DVD+R用的记录装置，具有基准线速度的8倍的记录速度的8倍速的装置已经实用化了，但16倍速的装置在当前时间尚未实用化。
在将这种有机色料化合物用于光记录层的光信息记录介质中，谋求在记录速度从低速时到高速时的宽广区域中确保记录再现特性。但是，目前尚未获得充分满足从低速时到高速时的各记录再现特性的光信息记录介质。
在高速记录中，由于记录功率较高，记录时产生的热量或每单位时间的热量变大，热应变问题容易表面化，成为记录坑不规则的原因。另外，半导体激光器的发射功率本身存在限制，人们正在寻求能够对应于高速记录的高灵敏度的色素材料。
因此，作为构成光记录层的有机色素材料的物性，需要进一步提高复合折射率(以下称为折射率)，进行光记录层的薄膜化，从而控制记录时产生的热，还需要能够以尽可能少的记录功率分解光记录层内的色料等。
另外，作为光记录层的薄膜化倾向，相对于在标准中被规定的基准线速度(相当于1倍速)为3.49m/s(约3.5m/s)的记录速度，其平均膜厚度，在2倍速时为60nm，在4倍速时为54nm，在8倍速时为44～47nm，在16倍速时为40nm左右等。
但现状是，即使为了得到高折射率而进行对有机色素材料的分子设计，但由于其化学结构存在限制，因此，无法充分地进行能够对应于高速记录的色料的设计。
另一方面，存在以下问题，即由于在低速时记录功率过低，因此，在为了确保高速时的特性而进行光记录层的薄膜化时，难以形成足够大的坑。
如上所述，在高速记录、特别是其记录速度在8倍速以上时，如后所述，因记录功率高，导致记录时产生的热量变大。
因此，需要将基板的预刻沟槽内的光记录层形状、或预刻沟槽内的光反射层形状、基板形状这些形状因素，和色料分解温度、发热量等热物性因素，设计成适用于记录时的热控制的状态。
为了将记录功率控制得低，还需要进行增加有机色素材料的光吸收量等的色料光学设计。
另外，当进行符合高速记录的介质设计时，光记录层的厚度变薄，在低速记录中所形成的坑的物理大小将变小。
因此，当一并适当地进行从高速到低速的适当的记录时，需要通过使用高折射率的有机色素材料，设法使坑在光学上显得很大，还需要高速记录时的散热对策。
这样，存在以下问题，为了满足从高速到低速的适当的记录，特别是适用于更高速的记录，需要将形状因素和色料热物性因素设计成适用于热控制或散热对策的状态。
专利文献1：日本再公表2001-59778号公报
发明内容
本发明的课题是，对照以上的各种问题，提供一种可以进行使用了由波长特别为640nm～680nm的激光等组成的激光的高密度和高速度的记录的光信息记录介质。
本发明的课题是，提供一种考虑对在向光记录层进行记录时由记录功率产生的热的控制，使散热特性提高的光信息记录介质。
本发明的课题是，提供一种考虑了光记录层形状或光反射层形状这些形状因素和色料热物性因素的光信息记录介质。
即，在本发明中，如果在记录时的特别是关于散热控制的色料物性因素上下功夫，就难以较大地提高效果，另一方面，通过在关于散热控制的形状因素上下功夫，可以对改善产生热的影响较大地提高效果。即，着眼于由激光产生的记录功率加热预刻沟槽内的色料等光吸收物质，并且该热透过光记录层和光反射层被扩散，着眼于提高该被扩散的热的散热效果。
本发明的第1种光信息记录介质，包括：具有透光性并形成了预刻沟槽的基板，被设置在该基板上的、吸收激光的光记录层，以及被设置在该光记录层上的反射上述激光的光反射层，通过透过上述基板向上述光记录层照射上述激光，来记录可光学地读取的信息，其特征在于：
在上述预刻沟槽内，相对于该光信息记录介质的直径方向上的上述预刻沟槽的截面积，上述光记录层所占的截面积的比率为30％～63％。
本发明的第2种光信息记录介质，包括：具有透光性并形成了预刻沟槽的基板，被设置在该基板上的、吸收激光的光记录层，以及被设置在该光记录层上的、反射上述激光的光反射层，通过透过上述基板向上述光记录层照射上述激光，来记录可光学地读取的信息，其特征在于：
在上述预刻沟槽内，相对于该光信息记录介质的直径方向上的上述预刻沟槽的截面积，上述光记录层所占的截面积的比率为37％～70％。
本发明的第3种光信息记录介质，包括：具有透光性并形成了预刻沟槽的基板，被设置在该基板上的、吸收激光的光记录层，以及被设置在该光记录层上的反射上述激光的光反射层，通过透过上述基板向上述光记录层照射上述激光，来记录可光学地读取的信息，其特征在于：
上述光反射层向上述预刻沟槽内突出。
优选上述预刻沟槽内的上述光记录层比率为30％～57％。
优选上述预刻沟槽内的上述光反射层比率为43％～70％。
优选上述光反射层向上述预刻沟槽内的突出深度为83nm～140nm。
优选上述光反射层向上述预刻沟槽内的突出深度为93nm～140nm。
优选上述预刻沟槽内的上述光记录层的厚度为35nm～90nm。
优选上述预刻沟槽内的上述光记录层的厚度为35nm～83nm。
优选上述预刻沟槽的光记录层的倾斜角度为37.5度～60度。
优选上述预刻沟槽的光记录层的倾斜角度为38.5度～60度。
优选上述光记录层的调平(leveling)值为0.15～0.29。
优选上述光记录层的调平值为0.15～0.26。
记优选录时的基准线速度为3.49m/s。
优选在设记录时的基准线速度为S时，可以对应于S×n(但n为大于等于8的整数)的记录速度。
优选在设记录时的基准线速度为S时，可以对应于S×n(但n为大于8的整数)的记录速度。
优选激光的记录波长为640nm～680nm。
本发明的实施方式的效果之一是，由于在光信息记录介质中，在预刻沟槽内光记录层比率为30％～63％，因此，可以适当地控制在形成记录坑时的发热量，可以良好地维持记录速度对应于更高速的记录区域的记录特性。
换言之，通过着眼于沟槽内光记录层比率，并考虑向预刻沟槽内突出的光反射层的突出深度或沟槽内光反射层比率等，使记录时在光记录层所产生的热迅速地传递扩散到热传导率高的光反射层侧，可以有效且高效率地进行对散热的控制，因此，能够在记录速度特别是大于或等于8倍速，进而在16倍速那样的非常高速的记录中，提高记录时产生的热的散热效果，形成适当的记录坑。
附图说明
图1是本发明的实施例的光信息记录介质1的要部放大截面图。
图2是表示本发明的实施例的光信息记录介质1的光反射层4侧的形状的测定结果的坐标图。
图3是表示本发明的实施例的光信息记录介质1的、用直线对像图2那样获得的曲线进行了近似的光反射层4的截面形状的坐标图。
图4是表示本发明的实施例的光信息记录介质1的预刻沟槽内光记录层比率，和预刻沟槽内光反射层比率的计算式的图。
图5是表示本发明的实施例的光信息记录介质1的DC抖动(jitter)和预刻沟槽内光记录层比率的坐标图。
图6是表示本发明的实施例的光信息记录介质1的DC抖动和预刻沟槽7内的反射层突出深度的坐标图。
图7是表示本发明的实施例的光信息记录介质1的DC抖动和预刻沟槽7内的光记录层的厚度的坐标图。
图8是表示本发明的实施例的光信息记录介质1的DC抖动和预刻沟槽的光记录层的倾斜角度的坐标图。
图9是表示本发明的实施例的光信息记录介质1的DC抖动和光记录层的调平值的坐标图。
图10是表示在本发明的光信息记录介质1的实施例1、实施例2、比较例1、比较例2中使用的第1化合物(偶氮色料)的结构式的图。
图11是表示在本发明的光信息记录介质1的实施例3中使用的第2化合物(偶氮色料)的结构式的图。
图12是表示本发明的光信息记录介质1的实施例1、实施例2、实施例3、比较例1、比较例2的预刻沟槽内光记录层比率、光反射层突出深度、预刻沟槽内的光记录层的厚度、预刻沟槽的光记录层的倾斜角度、光记录层的调平值和DC抖动值的图。
具体实施方式
本发明的实施方式之一，由于预刻沟槽内的光记录层比率为30％～63％，因此，可以实现能够进行对应于记录速度更高的记录的高密度的记录的介质。
接着，基于图1～图9，说明本发明的实施例的光信息记录介质。图1是圆盘状的光信息记录介质1的要部放大截面图，是表示光信息记录介质1的直径方向的截面的截面图，即，示意地表示与刻有预刻沟槽7的面垂直地、且对预刻沟槽7方向垂直地截断的截面图。
光信息记录介质1，具有透光性的基板2，在该基板2上形成的光记录层3(光吸收层)，在该光记录层3上形成的光反射层4，在该光反射层4上形成的保护层5。在保护层5的更上层，层叠预定厚度的虚设(dummy)基板6，形成DVD标准所需要的预定的厚度。
在上述基板2上以螺旋状形成有预刻沟槽7。该预刻沟槽7以外的部分，即槽脊(land)8位于该预刻沟槽7的左右。
如图示那样，当向光信息记录介质1照射激光9(记录光)时，光记录层3通过吸收该激光9的能量而发热，在基板2侧发生热变质，形成记录坑10。
另外，基板2和光记录层3，通过第1层界11互相连接。
光记录层3和光记录层4，通过第2层界12连接。
光反射层4和保护层5，通过第3层界13连接。
保护层5和虚设基板6，通过第4层界14连接。
透光性的基板2，是在对激光的折射率为例如1.5～1.7左右的范围内的透明度高的材料，抗冲击性优异，主要由树脂来形成，例如，使用聚碳酸酯、玻璃板、丙烯板、环氧树脂板等。
光记录层3，是由形成在基板2上的、例如含色料的光吸收性的物质(光吸收物质)构成的层，是通过照射激光9，连续发生发热、熔融、升华、变形或变性的层。该光记录层3，是将例如由溶剂融解的偶氮类色料、花青类色料等，用旋转涂敷(spin-coat)法等方法，在基板2的表面均匀地进行涂敷而形成的。
用于光记录层3的材料，可以采用任意的光记录材料，优选为光吸收性的有机色料。
光反射层4，是热传导率和光反射性高的金属膜，是使用例如金、银、铜、铝、或含有这些元素的合金，通过蒸镀法、溅射法等的方法而形成的。
保护层5，由与基板2相同的抗冲击性、粘接性优良的树脂形成。例如，通过用旋转涂敷法涂敷紫外线固化树脂，并向其照射紫外线使之固化而形成。
虚设基板6，由与上述基板2相同的材料构成，确保约1.2mm的预定的厚度。
在图1中，如图示那样设定光信息记录介质1的各部分的尺寸。
特别地，在预刻沟槽7中，设基板2与光记录层3之间的第1层界11中的、图1中的预刻沟槽7的左侧上边角部为点A，设左侧下边角部为点B，设右下边角部为点C，设右上边角部为点D。
进而，设位于槽脊8上的光反射层4的左上边角部为点E；设在预刻沟槽7的开口部上，从槽脊8在与第1层界11相同的水平上延伸的开口部水平线15(虚拟线)和光反射层的左倾斜部的交点为点F；设预刻沟槽7内向基板2方向突出的光反射层4的左下边角部为点G；设右下边角部为点H；设开口部水平线15和光反射层的右倾斜部的交点为点I；设位于槽脊8上的光反射层4的右上边角部为点J。
设光反射层4面向预刻沟槽7的凹部的最大宽度(光信息记录介质1的直径方向的宽度)为Wdt(直线EJ的长度)。
设光反射层4面向预刻沟槽7的凹部的最小宽度为Wdb(直线GH的长度)。
设光记录层3的预刻沟槽7的最大宽度为Wst(直线AD的长度)。
设光记录层3的预刻沟槽7的最小宽度为Wsb(直线BC的长度)。
设光反射层4的面向槽脊8的凸部的宽度为Wdl(直线JE1的长度)。
设光记录层3的槽脊8的宽度为Wsl(直线DA1的长度)。
设光记录层3和光反射层4之间的槽脊8的第1层界11的水平上的光记录层3的宽度为Wx(直线AF、ID的长度)。
设从光反射层4的槽脊8的第2层界12到预刻沟槽7的第2层界12的深度(色料沟槽深度)为Hdg(直线JE和直线GH之间的长度)。
设光记录层3的槽脊8的深度为Hdl(直线JE和直线DA之间的长度)。
设预刻沟槽7的深度(基板沟槽深度)为Hsg(直线DA同直线BC之间的长度)。
设预刻沟槽7的光记录层3和光反射层4之间的深度为Hsd(直线GH和直线BC之间的长度)。
设光反射层4的光记录层3内的倾斜部的角度(沟槽色料角度)为α。
设光记录层3的基板2内的倾斜部的角度(沟槽基板角度)为β。
为了测定该光信息记录介质1的截面形状和各项的尺寸，从光信息记录介质1的中央的孔，插入金属制的刮刀(spatula)，对光记录层3和光反射层4之间的第2层界12部分进行剥离、分解。
接着，用乙醇将附着在光反射层4侧的有机色素材料(光记录层3)洗掉，除去在剥离时被刮刀弄伤的部分，作为色料层形状的测定样本来用于测定。
用乙醇将附着在基板2侧的有机色素材料(光记录层3)洗掉，除去在剥离时被刮刀弄伤的部分，作为基板2形状的测定样本用于测定。
各个部分的形状测定，使用了AFM(Thermo microscopes制造，Auto probe M5)。
图2是表示光反射层4侧的形状的测定结果的坐标图，实际的测定形状为曲线，为了便于用深度、半值宽度和角度的数据来计算，而用直线进行近似。
即，图3是表示以直线对如图2那样得到的曲线进行近似的光反射层4的截面形状的坐标图，虚线表示实际的测定形状，实线表示近似形状。通过与上述相同的方法，也测定了基板2的形状。
下面，就本发明的高速记录时的热控制设计进行阐述，通过记录到光信息记录介质1时的激光9的激光功率，预刻沟槽7内的有机色素材料被迅速加热，各自的热通过光记录层3和反射层4被扩散开去。
该扩散开去的热，转移到邻接部分的轨道间和预刻沟槽7内，该部分被一定程度地加热，成为所谓的预热状态。在该预热状态下，当照射用于接着进行记录的激光9时，受该预热的影响，扩散并形成记录坑，形成与本来要记录的记录标志(mark)不同的记录坑10。
并且，激光9的激光功率越强，即，越是高速记录，所产生的热量就越多。例如，在普通的DVD-R的介质中，在1倍速记录时(约3.5m/s)其记录功率(激光强度)为6～10mW左右，4倍速记录时为15～20mW左右，8倍速记录时为25～30mW左右，预计在16倍速记录时需要大于等于40mW的记录激光功率。
总之，对于支持高速记录的介质而言，使该在记录时产生的热不影响到邻接部分变得益发重要。
控制光信息记录介质1的在记录时产生的热的因素，可以大致地分为发热控制和散热控制。
发热控制与光记录层3的材料本身的发热量、分解温度等材料物性相关，发热控制与光记录层3、基板2等的形状因素，即光记录层3的厚度、光记录层3和光反射层4之间的第2层界12的形状密切相关。
例如，作为有机色素材料薄膜的光记录层3，被夹在作为金属薄膜的光反射层4和聚碳酸酯材料的基板2之间。在热传导性方面，金属(光反射层4)比作为塑料材料的聚碳酸酯(基板2)优良是不言自明的，散热控制，与形状因素密切相关。
本发明的发明者经过专心研究，得知在改善热影响时，由发热控制取得较大的效果是非常困难的，而基于光记录层3、基板2的形状因素的散热控制却可以取得较大的效果。
如上述那样，在本发明中，对于高速记录时的热控制而言，着眼于散热控制，更具体地说，就是着眼于预刻沟槽7的光记录层3和光反射层4的形状最具统治性这一点。
特别是以下项目的光记录层3的形状，对高速记录时的热控制(散热控制)影响度很大。并且，项目(1)和(2)的影响度特别大。
(1)预刻沟槽7内的光记录层比率，即该预刻沟槽内光记录层比率，与图1中梯形FGHI的面积对梯形ABCD的面积的比等价。
图4表示该预刻沟槽内光记录层比率的计算式。
(2)预刻沟槽7内的光反射层突出深度(Hsg-Hsd)。
(3)预刻沟槽7内的光记录层的厚度(沟槽内光记录层厚度)Hsd。
(4)预刻沟槽7内的光记录层的倾斜角度α。
(5)光记录层的调平(leveling)值(Hsg-Hdg)÷Hsg。
(6)预刻沟槽7内的光反射层4的比率(沟槽内光反射层比率)，即，在本发明中，也可以与预刻沟槽内光记录层比率相关，着眼于预刻沟槽7内的光反射层4的比率。如图4的计算式所示，可以与预刻沟槽内光记录层比率一样，定义预刻沟槽内光反射层比率。
在本发明中，为了与大于或等于8倍速的高速记录对应，对上述各项目，优选为以下的范围。
(1)设预刻沟槽内光记录层比率为30％～63％。
在不足30％时无法形成足够大的记录坑10。
当超过了63％时，如在后面基于图5所述的那样，无法将DC抖动控制在标准值以内。
(2)设预刻沟槽7内的反射层突出深度(Hsg-Hsd)为83nm～140nm。
在不足83nm时，如在后面基于图6所述的那样，无法将DC抖动控制在标准值以内。
当超过140nm时，预刻沟槽7内的色料量变少，无法形成足够大的记录坑10。
(3)设预刻沟槽内的光记录层的厚度Hsd为35nm～90nm。
在不足35nm时，预刻沟槽7内的色料量变少，无法形成足够大的记录坑10。
当超过90nm时，如在后面基于图7所述的那样，无法将DC抖动控制在标准值以内。
(4)设预刻沟槽的光记录层的倾斜角度α为37.5度～60度。
在不足37.5度时，如在后面基于图8所述的那样，无法将DC抖动控制在标准值以内。
当超过60度时，由于光反射层4的形状倾斜较大，无法确保足够的反射率。
(5)设光记录层的调平值(Hsg-Hdg)÷Hsg为0.15～0.29。
在不足0.15时，由于光反射层4的形状倾斜较大，无法确保足够的反射率。
当超过0.29时，如在后面基于图9所述的那样，无法将DC抖动控制在标准值以内。
(6)设预刻沟槽内光反射层比率为37％～70％。
进而，为了使之对应于超过8倍速(例如16倍速)的高速记录，上述各项目设定为：
(1)设预刻沟槽内光记录层比率为30％～57％。
在不足30％时，难以形成足够大的记录坑10。
当超过了57％时，如在后面基于图5所述的那样，难以将DC抖动控制在标准值以内。
(2)设预刻沟槽7内的反射层突出深度(Hsg-Hsd)为93nm～140nm。
在不足93nm时，如在后面基于图6所述的那样，难以将DC抖动控制在标准值以内。
当超过140nm时，预刻沟槽7内的色料量变少，难以形成足够大的记录坑10。
(3)设预刻沟槽内的光记录层的厚度Hsd为35nm～83nm。
在不足35nm时，预刻沟槽7内的色料量变少，难以形成足够大的记录坑10。
当超过83nm时，如在后面基于图7所述的那样，难以将DC抖动控制在标准值以内。
(4)设预刻沟槽的光记录层的倾斜角度α为38.5度～60度。
在不足38.5度时，如在后面基于图8所述的那样，难以将DC抖动控制在标准值以内。
当超过60度时，由于光反射层4的形状倾斜较大，难以确保足够的反射率。
(5)设光记录层的调平值(Hsg-Hdg)÷Hsg为0.15～0.26。
在不足0.15时，由于光反射层4的形状倾斜较大，难以确保足够的反射率。
当超过0.26时，如在后面基于图9所述的那样，难以将DC抖动控制在标准值以内。
(6)设预刻沟槽内光反射层比率为37％～70％。
本发明的上述各项目(1)～(5)，分别独立地作用于高速记录时的热控制。
为了满足8倍速以上的高速记录，各项目(1)～(5)中的一个以上，需要将形状控制在已规定的范围内。各项目(1)～(5)中，由于项目(1)、(2)的影响特别大，需要在两者的任意一个项目或两个项目中，将形状控制在已规定的范围内。
接着，表示对基板2、光记录层3和光反射层4等的形状如何影响介质的高速记录特性进行研究后的结果的数据。
图5是表示DC抖动，和预刻沟槽内光记录层比率的坐标图，在横轴取DC抖动大于13％的不对称(asymmetry)值，在纵轴取沟槽内色料比率。
这里，所谓“DC抖动(抖动)”，是指“数据和时钟之间的抖动”，是使光信息记录介质1旋转一次时的抖动值，表示记录坑10的摇动。当该DC抖动超过了13％时，在DVD-R的情况下，容易使由标准所确定的错误信号(PI错误)超过该标准值280。
所谓“不对称值”，表示对于DVD-R的记录坑10的坑长从3T到14T的长度的平均值，从本来要记录的位置的偏移。
该不对称值，为了进一步提高记录介质的记录灵敏度，在设计上尽量使其向正(+)侧移动为好，这一点在实验上已被验证，由此，作为不对称值，在高速记录的情况下，优选为-5％～15％的范围，例如在8倍速时，优选为使之从-5％的值向正(+)侧移动，在16倍速时，优选为使之从5％的值向正(+)侧移动。图5是根据进行1倍速、2倍速、4倍速、6倍速以及8倍速的记录而获得的DC抖动的结果，预测出16倍速的记录结果的图，如图示那样，可知随着预刻沟槽内光记录层比率减少(随着预刻沟槽内光反射层比率增加)，DC抖动超过13％的不对称值向正(+)侧移动。
即，可知当在预刻沟槽7内光反射层4突出的比例增加时，记录时所产生的热量通过光反射层4的金属膜，被迅速地散热扩散开去。
从图5的坐标图可以证明，不对称值为-5％时的预刻沟槽内光记录层比率优选为小于等于63％，不对称值为+5％时，优选为小于等于57％。
接着，图6是表示DC抖动，和预刻沟槽7内的反射层突出深度的坐标图，可知随着预刻沟槽7内的反射层突出深度越长，DC抖动超过13％的不对称值就越向正(+)侧移动。
从图6的坐标图可以证明，预刻沟槽7内的反射层突出深度优选为大于等于83nm，进一步优选为大于等于93nm。
接着，图7是表示DC抖动，和预刻沟槽7内的光记录层3的厚度的坐标图，可知随着预刻沟槽7内的光记录层3的厚度变薄，DC抖动超过13％的不对称值向正(+)侧移动。
从图7的坐标图可以证明，预刻沟槽7内的光记录层3的厚度优选为小于等于90nm，进一步优选为小于等于83nm。
接着，图8是表示DC抖动，和预刻沟槽7的光记录层3的倾斜角度的坐标图，可知随着该倾斜角度变得陡峭，DC抖动超过13％的不对称值向正(+)侧移动。
从图8可以证明，预刻沟槽7的光记录层3的倾斜角度优选为大于等于37.5度，进一步优选为大于等于38.5度。
接着，图9是表示DC抖动，和光记录层3的调平值的坐标图，可知随着该调平值变小，DC抖动超过13％的不对称值向正(+)侧移动。
从图9的坐标图可以证明，光记录层3的调平值优选为小于等于0.29，进一步优选为小于等于0.26。
接着，说明具体的实施例。
[实施例1]
将图10所示第1化合物(偶氮色料)0.2g，溶解于10ml的2，2，3，3-四氟-1-丙醇中，调制涂敷溶液。
在以聚碳酸酯制造的，具有连续的深度为180nm的引导槽(预刻沟槽7)的，外径为120mm、厚度为0.6mm的圆盘状的基板2上，通过旋转涂敷法涂敷该涂敷溶液，形成了平均色料膜厚度约为50nm的光记录层3。
进而，在该光记录层3上溅射银(Ag)，形成了厚度为100nm的光反射层4。
进而，在光反射层4上旋转涂敷了紫外线固化树脂SD-318(大日本油墨化学工业制造)之后，向其照射紫外线使之固化，形成了保护层5。
在该保护层5的表面涂敷紫外线固化树脂粘接剂，粘合与上述相同的材质和形状的虚设基板6，向该粘接剂照射紫外线使之固化来粘接，制成可记录式光信息记录介质1。
还可以通过基板2的形状，涂敷溶液的调制条件，例如黏性、浓度等，以及通过旋转涂敷法涂敷该涂敷溶液时的涂敷条件，例如旋转涂敷时的旋转次数等，对光记录层3和光反射层4等，取得所希望的形状。
对如上述那样形成了光记录层3的光信息记录介质1，使用配备了波长为660nm的半导体激光器(NA＝0.65)的Pulstec工业制造的盘评价装置(DDU-1000)，以线速度28m/s，8倍速地对EFM信号进行了高速记录。
记录后，使用该评价装置，设激光器输出为0.7mW，再现信号，经过测定反射率、调制度、出错率以及抖动，反射率(Rtop)＝45.3％，调制度(I14/Itop)＝75.3％，出错率＝1.4，抖动＝6.5％。作为各标准值，反射率大于45％，调制度大于60％，出错率(P1值)小于280，抖动小于8％。因此，反射率、调制度、出错率(PI值)以及抖动的每一项，全部满足了其标准值。
另外，准备与用于记录评价的盘不同的盘，在光反射层4和光记录层3的界面(第2层界12)剥离，分解(分解方法等如上述一样)。
经通过AFM测定装置对该分解物进行形状测定，
沟槽基板角度β＝69.1度，
基板沟槽宽度(半值宽度)＝301nm。
这里，所谓关于基板沟槽宽度的“半值宽度”，是指在基板沟槽深度(Hsg)的一半的位置上的宽度的值。
另外，与图4所示预刻沟槽内光记录层比率、[{(Wst+Wsb)×Hsg÷2}-{(Wst-2×Wx+Wdb)×(Hsg-Hsd)÷2}/{(Wst+Wsb)×Hsg÷2}]×100相关的各数值为：
Wst＝370nm
Wsb＝232nm
Hsg＝180.2nm
Wx＝-9.4nm
Wdb＝131nm
Hsd＝71.4nm
α＝40.2度
Hdg＝140.3nm。
Wx的值为负值，是因为由实际的基板2的形状带有弧形、而在测定时却是近似地进行而产生的误差，但在实际的记录介质的评价上不特别成为问题。
基于这些值，对上述各项目
(1)预刻沟槽内光记录层比率
(2)预刻沟槽7内的反射层突出深度(Hsg-Hsd)
(3)预刻沟槽7内的光记录层的厚度Hsd
(4)预刻沟槽7的光记录层的倾斜角度α
(5)光记录层的调平值(Hsg-Hdg)÷Hsg
计算出的值和DC抖动值，显示在图12的图表上。
[实施例2]
除了形成平均色料膜厚度约为56nm，比实施例1约厚12％的膜以外，与实施例1相同，制成可记录式光信息记录介质1，进行了相同的评价和解析。
与实施例1相同，经过测定反射率、调制度、出错率以及抖动，反射率(Rtop)＝46.4％，调制度(I14/Itop)＝80.6％，出错率＝2.1，抖动＝7.4％。
形状测定结果为：
基板沟槽角度＝69.1度
基板沟槽宽度(半值宽度)＝301nm。
与图4所示的预刻沟槽内光记录层比率相关的各数值为：
Wst＝370nm
Wsb＝232nm
Hsg＝180.2nm
Wx＝-1.9nm
Wdb＝122nm
Hsd＝79.9nm
α＝38.6度
Hdg＝137.2nm。
基于这些值，与实施例1相同，对上述各项目(1)～(5)计算出的值和DC抖动值，显示在图12的图表上。
[实施例3]
除了将色料从第1化合物(图10)变更为第2化合物(图11，偶氮色料)以外，与实施例1相同，制成可记录式光信息记录介质1，进行了评价和解析。
与实施例1相同，经过测定反射率、调制度、出错率以及抖动，反射率(Rtop)＝53％，调制度(I14/Itop)＝76.1％，出错率＝2.0，抖动＝7.9％。
形状测定结果为：
基板沟槽角度＝69.1度
基板沟槽宽度(半值宽度)＝301nm。
与图4所示的预刻沟槽内光记录层比率相关的各数值为：
Wst＝370nm
Wsb＝232nm
Hsg＝180.2nm
Wx＝-4.1nm
Wdb＝138nm
Hsd＝82.2nm
α＝39.2度
Hdg＝127.5nm。
基于这些值，与实施例1相同，对上述各项目(1)～(5)计算出的值和DC抖动值，显示在图12的图表上。
[比较例1]
除了形成平均色料膜厚度约为64nm，比实施例1约厚28％的膜以外，与实施例1相同，制成可记录式光信息记录介质1，进行了相同的评价和解析。
与实施例1相同，经过测定反射率、调制度、出错率以及抖动，反射率(Rtop)＝45％，调制度(I14/Itop)＝80.9％，出错率＝314.0，抖动＝14.1％。
形状测定结果为：
基板沟槽角度＝69.1度
基板沟槽宽度(半值宽度)＝301nm。
与图4所示的预刻沟槽内光记录层比率相关的各数值为：
Wst＝370nm
Wsb＝232nm
Hsg＝180.2nm
Wx＝8.7nm
Wdb＝127nm
Hsd＝94.4nm
α＝37.3度
Hdg＝127.8nm。
基于这些值，与实施例1相同，对上述各项目(1)～(5)计算出的值和DC抖动值，显示在图12的图表上。
[比较例2]
除了在具有深度约为165nm的引导槽(预刻沟槽7)的基板2上形成了平均色料膜厚度约为65nm的光记录层3以外，与实施例1相同，制成可记录式光信息记录介质1，进行了相同的评价和解析。
与实施例1相同，经过测定反射率、调制度、出错率以及抖动，反射率(Rtop)＝53.1％，调制度(I14/Itop)＝77.1％，出错率＝418.8，抖动＝21.4％。
形状测定结果为：
基板沟槽角度＝69.1度
基板沟槽宽度(半值宽度)＝302nm。
与图4所示的预刻沟槽内光记录层比率相关的各数值为：
Wst＝365nm
Wsb＝239nm
Hsg＝163.4nm
Wx＝25.0nm
Wdb＝125nm
Hsd＝90.9nm
α＝37.4度
Hdg＝115.5nm。
基于这些值，与实施例1相同，对上述各项目(1)～(5)计算出的值和DC抖动值，显示在图12的图表上。

Claims (19)

1.一种光信息记录介质，包括：具有透光性并形成了预刻沟槽的基板，被设置在该基板上的、吸收激光的光记录层，以及被设置在该光记录层上的反射上述激光的光反射层，通过透过上述基板向上述光记录层照射上述激光，来记录可光学地读取的信息，其特征在于：
在上述预刻沟槽内，相对于该光信息记录介质的直径方向上的上述预刻沟槽的截面积，上述光记录层所占的截面积的比率为30％～63％。
2.一种光信息记录介质，包括：具有透光性并形成了预刻沟槽的基板，被设置在该基板上的、吸收激光的光记录层，以及被设置在该光记录层上的反射上述激光的光反射层，通过透过上述基板向上述光记录层照射上述激光，来记录可光学地读取的信息，其特征在于：
在上述预刻沟槽内，相对于该光信息记录介质的直径方向上的上述预刻沟槽的截面积，上述光记录层所占的截面积的比率为37％～70％。
3.根据权利要求1所述的光信息记录介质，其特征在于：
上述预刻沟槽内的上述光记录层比率为30％～57％。
4.根据权利要求2所述的光信息记录介质，其特征在于：
上述预刻沟槽内的上述光反射层比率为43％～70％。
5.根据权利要求1或2所述的光信息记录介质，其特征在于：
向上述预刻沟槽内的上述光反射层的突出深度为83nm～140nm。
6.根据权利要求1或2所述的光信息记录介质，其特征在于：
向上述预刻沟槽内的上述光反射层的突出深度为93nm～140nm。
7.根据权利要求1或2所述的光信息记录介质，其特征在于：
上述预刻沟槽内的上述光记录层的厚度为35nm～90nm。
8.根据权利要求1或2所述的光信息记录介质，其特征在于：
上述预刻沟槽内的上述光记录层的厚度为35nm～83nm。
9.根据权利要求1或2所述的光信息记录介质，其特征在于：
在上述预刻沟槽中的上述光记录层的倾斜角度为37.5度～60度。
10.根据权利要求1或2所述的光信息记录介质，其特征在于：
在上述预刻沟槽中的上述光记录层的倾斜角度为38.5度～60度。
11.根据权利要求1或2所述的光信息记录介质，其特征在于：
上述光记录层的调平值为0.15～0.29。
12.根据权利要求1或2所述的光信息记录介质，其特征在于：
上述光记录层的调平值为0.15～0.26。
13.根据权利要求1、2、3、4中的任意一项所述的光信息记录介质，其特征在于：
记录时的基准线速度为3.49m/s。
14.根据权利要求1或2所述的光信息记录介质，其特征在于：
在假定记录时的基准线速度为S时，可以与S×n(n为大于或等于8的整数)的记录速度对应。
15.根据权利要求3或4所述的光信息记录介质，其特征在于：
在假定记录时的基准线速度为S时，可以与S×n(n为大于或8的整数)的记录速度对应。
16.根据权利要求1、2、3、4中的任意一项所述的光信息记录介质，其特征在于：
上述激光的记录波长为640nm～680nm。
17.一种光信息记录介质，包括：具有透光性并形成了预刻沟槽的基板，被设置在该基板上的、吸收激光的光记录层，以及被设置在该光记录层上的反射上述激光的光反射层，通过透过上述基板向上述光记录层照射上述激光，来记录可光学地读取的信息，其特征在于：
上述光反射层向上述预刻沟槽内突出。
18.根据权利要求17所述的光信息记录介质，其特征在于：
上述光反射层的突出深度为83nm～140nm。
19.根据权利要求17所述的光信息记录介质，其特征在于：
上述光反射层的突出深度为93nm～140nm。
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