CN1637539B - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

液晶显示装置及其制造方法，用于获得高孔径比并解决由于重力所引起的问题，该液晶显示装置包括：以预定距离彼此面对的第一和第二基板；在所述第一基板上彼此交叉以限定像素区的选通线和数据线；基本上平行于所述选通线的第一公共线；薄膜晶体管，在此所述选通线和所述数据线交叉；第一绝缘夹层，在包括所述薄膜晶体管的所述第一基板的整个表面上；在所述选通线和所述数据线上方具有多个壁的绝缘层；在所述像素区内沿一个方向延伸并与所述选通线、所述数据线和所述薄膜晶体管交叠的第二公共线和公共电极；以及像素电极，与所述薄膜晶体管的漏极接触并以固定间隔形成在所述像素区的公共电极之间。

Description

液晶显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示(LCD)装置，更具体地涉及液晶显示(LCD)装置及其制造方法，以获得高孔径比(aperture ratio)并解决因利用重力所引起的问题。
背景技术
随着信息社会的发展对各种显示装置的需求在日益增长。因此，已经投入很多精力来研究和开发各种平板显示器，例如液晶显示器(LCD)、等离子体显示板(PDP)装置、场致发光显示器(FED)装置和真空荧光显示器(VFD)。一些类型的平板显示器已经应用到各种设备的显示器。
在各种平板显示器中，液晶显示(LCD)装置因其外形薄、重量轻以及功耗低而获得最广泛的使用，由此LCD装置替代了阴极射线管(CRT)。除了诸如笔记本电脑的显示器之类的移动型LCD装置之外，已经研制LCD装置用于计算机监视器和电视机以接收并显示广播信号。
尽管LCD技术的各种技术性发展已经应用在不同的领域，但对提高LCD装置的图像质量的研究与LCD装置的其他特征和优点相比在一些方面仍然存在不足。为了在各种领域将LCD装置用作通用显示器，使LCD装置具有高质量图像(例如大尺寸屏幕的高分辨率和高亮度)同时保持重量轻、外形薄和功耗低的特征是至关重要的。
一般LCD装置包括用于显示图像的LCD板和用于向LCD板施加驱动信号的驱动部分。LCD板包括以相距预定间隔彼此接合的第一和第二玻璃基板以及第一和第二玻璃基板之间插入的液晶层。
第一玻璃基板(TFT阵列基板)包括多条选通线和多条数据线、多个像素电极以及多个薄膜晶体管。此时，所述多条选通线以固定间隔形成在第一玻璃基板上，并且所述多条数据线以固定间隔形成并基本上垂直于所述多条选通线。之后，排列成矩阵型结构的多个像素电极分别形成在由彼此交叉的多条选通线和多条数据线限定的像素区内。根据选通线上的信号来开关多个薄膜晶体管，以将来自数据线的信号发送到各个像素电极。
第二玻璃基板(滤色器基板)包括：黑底层，该黑底层屏蔽光使其不进入除第一基板的像素区以外的显示区；R/G/B滤色器层，用于显示各种颜色；以及用于获得图像的公共电极。对于面内切换(IPS)模式LCD装置，公共电极形成在第一玻璃基板上。
接下来，在第一和第二玻璃基板之间利用多个间隔物保持一预定间距，并通过具有一液晶注入口的密封图案将第一和第二玻璃基板彼此接合。此时，根据液晶注入法形成液晶层，在该方法中，在第一和第二玻璃基板之间的预定间距内保持真空状态的同时将液晶注入口浸入到盛有液晶的容器中。也就是，通过渗透作用将液晶注入到第一和第二玻璃基板之间。之后，使用密封剂密封液晶注入口。
同时，根据液晶材料的光学各向异性和偏振性来驱动LCD装置。因为液晶分子均具有细长的形状，所以利用方向性来对液晶分子配向。可以对液晶施加一感应电场以控制液晶分子的配向方向。如果通过感应电场来控制液晶分子的配向方向，则液晶的光学各向异性使光偏振并改变，由此来显示图像。在该情况下，根据液晶的电学特性而将液晶划分成具有正介电各向异性的正极(+)型液晶和具有负介电各向异性的负极(-)型液晶。在正极(+)型液晶中，正极(+)液晶的纵(主)轴与施加到液晶的电场平行。同时，在负极(-)型液晶中，负极(-)液晶的纵(主)轴与施加到液晶的电场垂直。
图1是一般扭曲向列(TN)模式LCD装置的分解透视图。如图1中所示，TN模式LCD装置包括：彼此接合的下基板1和上基板2，两者间距预定间隔；以及在下基板1和上基板2之间注入的液晶层3。
更具体地，下基板1包括多条选通线4、多条数据线5、多个像素电极6和多个薄膜晶体管T。在下基板1上以固定间隔在一个方向上形成多条选通线4，以固定间隔形成基本上垂直于多条选通线4的多条数据线5，由此限定多个像素区P。之后，在由彼此交叉的多条选通线4和多条数据线5限定的像素区P内分别形成多个像素电极6，在多条选通线4和多条数据线5交叉部分处分别形成多个薄膜晶体管T。上基板2包括：黑底层7，该黑底层7屏蔽光使其不进入除像素区P以外的显示区；R/G/B滤色器层8，用于显示各种颜色；以及公共电极，用于显示图像。
此时，薄膜晶体管T包括栅极、栅绝缘层(未示出)、有源层和漏极。栅极从选通线4凸出，并且栅绝缘层(未示出)形成在下基板的整个表面上。之后，在栅极上方的栅绝缘层上形成有源层。源极从数据线5凸出，并且漏极与源极对置形成。此外，上述像素电极6由具有大透射率的透明导电材料形成，例如ITO(铟锡氧化物)。
在上述LCD装置中，利用从薄膜晶体管T施加的信号对像素电极6上液晶层3的液晶分子进行排列，并根据液晶的配向来控制透光率，由此显示图像。在此情况下，LCD板通过与下基板和上基板垂直的电场来驱动液晶分子。该方法导致了大透射率和高孔径比。而且，可以防止液晶受到静电的破坏，因为上基板2的公共电极9作为地。但是，在由垂直于下基板和上基板的电场驱动液晶分子的情况下，难以获得宽视野。
为了克服这些问题，最近研制了一种面内切换(IPS)模式LCD装置。此后，参照附图对现有技术IPS模式LCD装置进行说明。图2是示意性描述现有技术IPS模式LCD装置的剖面图。在现有技术IPS模式LCD装置中，如图2所示，公共电极13和像素电极12形成在下基板11的同一个平面上。之后，将下基板11接合到上基板15，两者之间具有预定间隔，并且液晶14形成在下基板11和上基板15之间。通过下基板11上的公共电极13和像素电极12之间形成的电场来驱动液晶14。
图3A和3B示出了在现有技术IPS模式LCD装置中当导通/截止电压时液晶的排列方向。
图3A示出了当截止电压时的现有技术IPS模式LCD装置。也就是，没有向公共电极13或像素电极12施加与下基板和上基板平行的电场。因此，液晶14的配向没有改变。例如，液晶分子基本上相对像素电极12和公共电极13的水平方向扭转了45°。
图3B示出了当接通电压时的现有技术IPS模式LCD装置。也就是，向公共电极13和像素电极12施加与下基板和上基板平行的电场，由此改变液晶14的排列。更具体地，液晶14的配向与断掉电压时的液晶配向相比扭转的角度大于45°。在该情况下，公共电极13和像素电极12的水平方向与液晶的扭转方向相同。
如上所述，现有技术IPS模式LCD装置在同一平面上具有公共电极13和像素电极12。由此，具有诸如获得宽视角的优点。例如，沿着IPS模式LCD装置的前向，观测者在各个方向(即，下、上、左和右方向)上都可以具有70°的视角。此外，现有技术IPS模式LCD装置简化了制造工艺并降低了色移。但是，现有技术IPS模式LCD装置存在低透射率和低孔径比的问题，因为公共电极13和像素电极12形成在同一基板上。而且，需要提高驱动电压的响应时间，并且由于单元间隙的小的未对准容限所以需要保持均匀的单元间隙。也就是，IPS模式LCD装置具有上述的优点和缺点，因此使用者可选择LCD装置的模式来达到所需目的。
图4A和4B是示出了在接通/断电状态下IPS模式LCD装置的操作的透视图。参照图4A，当没有向像素电极12或公共电极13提供电压时，液晶分子的排列方向与初始配向层(未示出)的排列方向相同。之后，如图4B中所示，当向像素电极12和公共电极13提供与基板平行的电压时，液晶分子的排列方向16与电场施加方向17一致。
此后，参照附图说明现有技术LCD装置。
图5是现有技术IPS模式LCD装置的平面图。图6是沿着图5的I-I’线和II-II’线截取的剖视图。
在现有技术LCD装置中，如图5和图6中所示，透明下基板100包括选通线101、栅极101a、第一公共线101b、栅绝缘层102、有源层103、数据线104、源极104a、漏极104b、存储电极104c、平面化层105、接触孔106、第二公共线107a、公共电极107b和像素电极107c。
在透明下基板100上沿一个方向形成选通线101，并且栅极101a从选通线101的一个部分上凸出。此外，第一公共线101b与选通线101的形成材料相同并形成在同一层上，栅绝缘层102形成在包括栅极101a和第一公共线101b的下基板100的整个表面上。之后，在栅极101a上方的栅绝缘层102上形成有岛状有源层103。之后，形成与选通线101基本上垂直以限定像素区的数据线104。从数据线104凸出的源极104a与有源层103的一侧交叠，在相距源极104a预定距离处漏极104b与有源层103的另一侧交叠。之后，在第一公共线101b上方形成存储电极104c，在包括数据线104、源极104a和漏极104b的下基板100的整个表面上形成平面化层105。此外，在平面化层105中形成有露出一部分漏极104b的接触孔106。在包括源极104a和漏极104b的下基板100的平面化层105中形成第二公共线107a，在数据线104上方、一部分像素区内将公共电极107b形成为具有第二公共线107a的电极。之后，像素电极107c通过接触孔106与漏极104b接触并以固定间隔形成在公共电极107b之间。
接下来，与下基板100对置地形成上基板90。上基板90包括：黑底层91，该黑底层91屏蔽光使其不进入除下基板100的像素区以外的显示区；以及，R/G/B滤色器层92(未示出)，与像素区对应。考虑到对应于薄膜晶体管TFT的区域内上基板和下基板的接合容限，上基板90的黑底层91具有较大空间。
之后，当接合上基板90和下基板100时，在对应于选通线或数据线的区域内形成柱状间隔物80以保持单元间隙。此时，该柱状间隔物80可以形成在上基板90和下基板100中的任何一个上。
但是，现有技术LCD装置存在以下缺点。在现有技术LCD装置中可以获得高孔径比。但是，随着LCD板变大，液晶在LCD板内以上/下/左/右侧的各个方向流动，由此在屏幕上产生光点。
发明内容
因此，本发明旨在提供一种基本上克服了由于现有技术的局限和缺点所导致的一个或多个问题的液晶显示(LCD)装置及其制造方法。
本发明的一个优点是提供了一种液晶显示(LCD)装置及其制造方法，以获得高孔径比并解决由重力引起的问题。
本发明的其他优点和特征一部分将通过以下说明进行阐述，对于本领域技术人员来说，一部分将通过仔细研读以下说明而明了，或者可从本发明的实践中获知。本发明的这些和其他优点可通过说明书及其权利要求以及附图中具体指出的结构来实现和获得。
为了实现这些和其他优点并根据本发明的目的，如在此具体实施和广泛描述的那样，液晶显示(LCD)装置包括：以预定距离彼此面对的第一和第二基板；在第一基板上彼此交叉以限定像素区的选通线和数据线；基本上平行于选通线的第一公共线；薄膜晶体管，在此选通线和数据线进行交叉；在包括薄膜晶体管的第一基板的整个表面上的第一绝缘夹层；在选通线和数据线上方具有多个壁的绝缘层；在像素区内沿着一个方向延伸并与选通线、数据线和薄膜晶体管交叠的第二公共线和公共电极；以及以固定间隔形成在像素区的公共电极之间的与薄膜晶体管的漏极接触的像素电极。
可以在像素区下侧的选通线以及与其相邻的两条数据线的一些部分上方形成绝缘层的多个壁。
而且，具有多个壁的绝缘层可以由具有低介电常数的有机绝缘层形成，所述有机绝缘层包括感光丙烯酸(photo acryl)、聚酰亚胺和BCB(苯并环丁烯)中的一种。
此外，可以按与单元间隙对应的高度形成壁。
而且，绝缘层的壁可以形成为一个像素单元或者几十个到几百个像素单元。
另外，可以按照与数据线上方的具有多个壁的绝缘层和在像素区的一个部分中的数据线相同的方向形成公共电极。
另外，可以在同一层上形成第二公共线、公共电极和像素电极。
此外，第二公共线、公共电极和像素电极可以由ITO(铟锡氧化物)、TO(氧化锡)、IZO(铟锌氧化物)或ITZO(铟锡锌氧化物)形成。
另外，LCD装置可以包括从第一公共线上的漏极延伸出的存储电极。
而且，像素电极可以接触漏极和存储电极。
另一方面，液晶显示(LCD)装置包括：彼此面对的第一和第二基板；在第一基板上彼此交叉以限定像素区的选通线和数据线；第一公共线，与同一层上的选通线平行，并沿着相邻数据线的两个下侧以固定间隔形成；薄膜晶体管，在此选通线和数据线交叉；在包括薄膜晶体管的第一基板的整个表面上的第一绝缘夹层；在选通线和数据线上方具有多个壁的绝缘层；在像素区内沿着一个方向延伸并与选通线、数据线和薄膜晶体管交叠的第二公共线和公共电极；以及像素电极，与薄膜晶体管的漏极接触并在公共电极之间以固定间隔形成。
此时，可以在选通线和相邻数据线的上方形成多个壁，以包围像素区的下侧，每个壁具有与单元间隙对应的高度。
此外，具有多个壁的绝缘层可以由具有低介电常数的有机绝缘层形成，该有机绝缘层包括感光丙烯酸、聚酰亚胺和BCB(苯并环丁烯)中的一种。
在另一方面中，液晶显示(LCD)装置包括：以预定距离彼此面对的第一和第二基板；在第一基板上彼此交叉以限定像素区的选通线和数据线；基本上平行于选通线的第一公共线；薄膜晶体管，在此选通线和数据线交叉；在包括薄膜晶体管的第一基板的整个表面上的第一绝缘夹层；在第一绝缘夹层的整个表面上的第二绝缘夹层；在选通线和相邻数据线上方的第二绝缘夹层上的多个壁，用于包围像素区的下侧；在像素区内沿着一个方向延伸并与选通线、数据线和薄膜晶体管交叠的第二公共线和公共电极；以及像素电极，与薄膜晶体管的漏极接触并在公共电极之间以固定间隔形成。
此外，绝缘层和多个壁可以由具有低介电常数的有机绝缘层形成，该有机绝缘层包括感光丙烯酸、聚酰亚胺和BCB(苯并环丁烯)中的一种。
在另一方面中，液晶显示(LCD)装置包括：以预定距离彼此面对的第一和第二基板；在第一基板上彼此交叉以限定像素区的选通线和数据线；薄膜晶体管，选通线和数据线在此交叉；在包括薄膜晶体管的第一基板的整个表面上的第一绝缘夹层；在第一绝缘夹层的整个表面上的第二绝缘夹层；在选通线和相邻数据线上方的多个壁，用于包围像素区的下侧；以及像素区内与薄膜晶体管的漏极接触的像素电极。
第二绝缘夹层和多个壁可以由具有低介电常数的有机绝缘层形成，有机绝缘层包括感光丙烯酸、聚酰亚胺和BCB(苯并环丁烯)中的一种。
在另一方面中，液晶显示(LCD)装置的制造方法包括以下步骤：在基板的一侧形成具有栅极的选通线；形成基本上平行于该选通线的第一公共线；在包括选通线的基板的整个表面上形成栅绝缘层；在栅极上方形成有源层；形成基本上垂直于该选通线以限定像素区的数据线；形成与有源层的两侧交叠的源极和漏极；在包括数据线的基板的整个表面上形成第一绝缘夹层；在选通线和数据线上方形成具有多个壁的绝缘层；形成在像素区内沿着一个方向延伸并与选通线、数据线和薄膜晶体管交叠的第二公共线和公共电极；以及在公共电极之间以固定间隔形成与薄膜晶体管的漏极接触的像素电极。
形成具有多个壁的绝缘层的工艺可以包括在第一绝缘夹层上淀积绝缘层的步骤；以及利用具有一狭缝的衍射曝光掩模来刻蚀所述绝缘层的步骤。
另外，在将绝缘层形成为负片型的情况下，该衍射曝光掩模可以具有与壁对应的闭合部分、与绝缘层对应的狭缝图案以及与其余部分对应的透射部分。
此外，在将绝缘层形成为正片型的情况下，该衍射曝光掩模可以具有与壁对应的透射部分、与绝缘层对应的狭缝图案以及与其余部分对应的闭合部分。
而且，绝缘层的壁可以具有与单元间隙一致的高度。
而且，可以利用印刷方法或采用软模(soft mold)的方法来形成具有多个壁的绝缘层。
此外，具有多个壁的绝缘层可以由具有低介电常数的有机绝缘层形成，所述有机绝缘层包括感光丙烯酸、聚酰亚胺和BCB(苯并环丁烯)中的一种。
另外，第二公共线、公共电极和像素电极可以形成在同一层上，并由ITO(铟锡氧化物)、TO(氧化锡)、IZO(铟锌氧化物)或ITZO(铟锡锌氧化物)形成。
另外，第一公共线可以与同一层上的选通线平行，并以固定间隔沿着相邻数据线的两个下侧基本上垂直地延伸。
在另一方面中，液晶显示(LCD)装置的制造方法包括以下步骤：在基板的一侧形成具有栅极的选通线；形成基本上平行于选通线的第一公共线；在包括选通线的基板的整个表面上形成栅绝缘层；在栅极上方形成有源层；形成基本上垂直于选通线以限定像素区的数据线；形成与有源层的两侧交叠的源极和漏极；在包括数据线的基板的整个表面上形成第一绝缘夹层；在第一绝缘夹层的整个表面上形成第二绝缘夹层；在选通线和相邻数据线上方形成多个壁，以包围像素区的下侧；形成在像素区内沿着一个方向延伸并与选通线、数据线和薄膜晶体管交叠的第二公共线和公共电极；以及在公共电极之间以固定间隔形成与薄膜晶体管的漏极接触的像素电极。
可以通过第一印刷方法，在包括数据线的第一绝缘夹层的整个表面上形成第二绝缘夹层，并且通过第二印刷方法在第二绝缘夹层上形成多个壁，每个壁具有与单元间隙一致的高度。
此外，第二绝缘夹层和多个壁可以由具有低介电常数的有机绝缘层形成，该有机绝缘层包括感光丙烯酸、聚酰亚胺和BCB(苯并环丁烯)中的至少任何一种。
在另一方面中，液晶显示(LCD)装置的制造方法包括以下步骤：在基板的一侧形成具有栅极的选通线；在包括选通线的基板的整个表面上形成栅绝缘层；在栅极上方形成有源层；形成基本上垂直于选通线以限定像素区的数据线；形成与有源层的两侧交叠的源极和漏极；在包括数据线的基板的整个表面上形成第一绝缘夹层；在第一绝缘夹层的整个表面上形成第二绝缘夹层；在选通线和相邻数据线上方形成多个壁，以包围像素区的下侧；以及在像素区内形成与薄膜晶体管的漏极接触的像素电极。
第二绝缘夹层和多个壁可以由具有低介电常数的有机绝缘层形成，该有机绝缘层包括感光丙烯酸、聚酰亚胺和BCB(苯并环丁烯)中的任何一种。
应该理解，本发明的以上概述和以下的详细说明是示例性和解释性的，旨在提供对由权利要求所限定的本发明的进一步说明。
附图说明
附图帮助更好地理解本发明，并被并入构成本申请的一部分，附图显示了本发明的实施例，并与说明书一起用于解释本发明的原理。附图中：
图1是示出一般TN模式LCD装置的一些部分的分解透视图；
图2是示意性示出一般IPS模式LCD装置的剖视图；
图3A和图3B示出了当开/关IPS模式LCD装置时液晶的相变；
图4A和图4B是示出在开/关状态下IPS模式LCD装置的操作的透视图；
图5是示出根据现有技术的IPS模式LCD装置的平面图；
图6是沿着图5的I-I’线和II-II’线截取的剖视图；
图7是示出根据本发明第一实施例的LCD装置的平面图；
图8是沿着图7的III-III’线和IV-IV’线截取的剖视图；
图9A至图9C是示出根据本发明第一实施例的LCD装置的制造工艺的剖视图；
图10是示出根据本发明第二实施例的LCD装置的平面图；
图11是沿着图10的V-V’线和VI-VI’线截取的剖视图；
图12A至图12C是示出根据本发明第二实施例的LCD装置的制造工艺的剖视图；
图13是示出根据本发明第三实施例的LCD装置的平面图；
图14是沿着图13的VII-VII’线和VIII-VIII’线截取的剖视图；
图15A至图15C是示出根据本发明第三实施例的LCD装置的制造工艺的剖视图；
图16是示出根据本发明第四实施例的LCD装置的平面图；
图17是沿着图16的IX-IX’线和X-X’线截取的剖视图；以及
图18A至图18C是示出根据本发明第四实施例的LCD装置的制造工艺的剖视图。
具体实施方式
下面对附图中所示的本发明优选实施例进行详细说明。只要可能，在所有的图中都用相同的标号表示相同或相似的部件。
此后，参照附图对根据本发明优选实施例的液晶显示(LCD)装置及其制造方法进行说明。
第一实施例
根据本发明第一实施例的LCD装置的说明如下。图7是示出根据本发明第一实施例的IPS模式LCD装置的平面图。图8是沿着图7的III-III’线和IV-IV’线截取的剖视图。
在根据本发明第一实施例的IPS模式LCD装置中，如图7和图8中所示，透明下基板110包括：选通线111、栅极111a、第一公共线111b、栅绝缘层112、有源层113、数据线114、源极114a、漏极114b、存储电极114c、第一绝缘夹层115、绝缘层118、第二公共线119a、公共电极119b，以及像素电极119c。
在透明下基板110上沿一个方向形成选通线111，栅极111a从选通线111的一个部分凸出。而且，第一公共线111b与选通线111可以由相同材料形成在同一层上并且大体相互平行。SiNx或SiOx制成的栅绝缘层112可以形成在包括栅极111a和第一公共线111b的下基板110的整个表面上，岛状有源层113形成在栅极111a上方的栅绝缘层112上。另外，形成基本上垂直于选通线111的数据线114，以限定像素区。之后，从数据线114凸出的源极114a与有源层113的一侧交叠，而在与源极114a相距预定距离处，漏极114b与有源层113的另一侧交叠。存储电极114c从漏极114b延伸。可以在包括数据线114的下基板110的整个表面上形成第一绝缘夹层115，其中第一绝缘夹层115具有与从漏极114b延伸的存储电极114c的一部分对应的第一接触孔116。之后，形成在选通线111、数据线114和薄膜晶体管TFT上方的第一绝缘夹层115上的具有壁118a的绝缘层118。第二公共线119a形成在具有壁118a的绝缘层118上，与选通线111和薄膜晶体管TFT上方的第一绝缘夹层115对应。而且，第二公共线119a与第一公共线111b形成为一体，公共电极119b按一个方向形成在数据线114上方的具有壁118a的绝缘层118上，并且形成在像素区的一部分内。像素电极119c通过第一接触孔116与漏极114a和存储电极114c接触，并以固定间隔形成在公共电极119b之间。
尽管未示出，聚酰亚胺的配向层(未示出)形成在下基板110的整个表面上。而且，第一绝缘夹层115由氮化硅SiNx形成。如上所述，存储电极114c从第一公共线111b上方的栅绝缘层112上的漏极114b延伸，由此形成SOC(公共上存储(Storage On Common))结构。另外，第二公共线119a、公共电极119b和像素电极119c形成在同一层上，由ITO(氧化铟锡)、TO(氧化锡)、IZO(氧化铟锌)或ITZO(氧化铟锡锌)形成。另外，为与数据线114完全交叠，使公共电极119b比数据线114宽，由此通过与基板平行的电场来一起驱动公共电极119b和相邻的像素电极119c。像素区的公共电极119b基本上平行于数据线114。
当第二公共线119a和公共电极119b与选通线111和数据线114完全交叠时，可以不向液晶施加选通线和数据线的信号，由此防止由液晶的配向畸变所产生的漏光。而且，在薄膜晶体管和相邻选通线111与数据线114的预定部分的上方形成具有壁118a的绝缘层118。同时，在选通线111、数据线114和薄膜晶体管的上方以预定厚度形成绝缘层118，并且使壁118a比绝缘层118厚。在壁118a包围选通线111与数据线114上方的像素区的下侧的情况下，壁118a比其他区域内形成的绝缘层118厚。
具有壁118a的绝缘层118由感光聚合物(photo-polymer)形成。在该情况下，由于绝缘层118是由感光聚合物形成的，所以尽管透明公共电极119b形成在数据线114上方的绝缘层118上，但仍可以防止公共电极119b和数据线114之间的信号失真。通过插入具有低介电常数的绝缘层118，使公共电极119b与数据线114交叠来提高孔径比。为了防止由第二公共线119a和公共电极119b引起的选通线111和数据线114的信号延迟问题，绝缘层118由具有低介电常数的有机绝缘层(例如，感光丙烯酸、聚酰亚胺和BCB(苯并环丁烯)中的至少任何一种)形成。在大型显示板中，壁118a防止液晶因重力而向下流动。例如，当大型显示板沿左右方向倾斜时，与数据线114对应的壁118a防止液晶沿左右方向流动，与选通线111对应的壁118a防止液晶在上下方向上流动。在该情况下，按与单元间隙对应的高度来形成壁118a，由此不需要执行分布球形间隔物的附加工艺，或者通过曝光形成柱状间隔物的工艺。作为参考，尽管未示出，可以将具有壁118a的绝缘层118形成为一个像素单元、或者几十个到几百个像素单元。
根据本发明第一实施例的LCD装置的制造方法说明如下。图9A至9C是根据本发明第一实施例的LCD装置的制造工艺的剖视图。
如图9A中所示，在透明下基板110上形成导电金属层，并通过光刻法对其进行构图，由此形成包括具有预定面积的一个宽端的选通焊盘(未示出)、从该选通焊盘沿一个方向延伸的选通线111，以及从该选通线111沿一个方向凸出的栅极111a。而且，第一公共线111b与选通线111由相同的材料基本彼此平行地形成在同一层上。接下来，可以在包括选通线111和第一公共线111b的下基板110的整个表面上形成栅绝缘层112。该栅绝缘层112可以由氮化硅SiNx或氧化硅SiO2形成。
之后，在栅绝缘层112上形成半导体层(一个非晶硅层和另一个掺杂有杂质的非晶硅层)。随后，通过光刻法对该半导体层进行构图，由此在栅极111a的上方形成岛状有源层(图7中的‘113’)。之后，在包括有源层113的下基板110的整个表面上形成导电金属层，并通过光刻法对其进行构图，由此形成基本上垂直于选通线111以限定像素区的数据线114、在一端处具有预定面积的源焊盘(未示出)、从数据线114沿一个方向凸出的源极114a，以及与源极114a相距预定距离的漏极114b。从漏极114b延伸的存储电极114c形成在第一公共线111b的上方，由此将存储电容器形成为SOC(公共上存储)结构。在上述工艺中，在选通线111和数据线114的交叉点处形成薄膜晶体管TFT。
如图9B中所示，可以在包括数据线114的下基板110的整个表面上形成第一绝缘夹层115，并且形成第一接触孔116以露出从漏极114b延伸的存储电极114c的一部分。第一绝缘夹层115可以由氮化硅SiNx形成。之后，将绝缘材料淀积在包括数据线114的第一绝缘夹层115上，并利用具有狭缝的衍射曝光掩模117对该绝缘材料进行刻蚀，由此形成具有壁118a的绝缘层118。此时，绝缘层118与数据线114、选通线111、薄膜晶体管、和第一公共线111b的一部分交叠。此外，壁118a包围像素区的下侧，由此使壁118a比在选通线111和与其相邻的两条数据线114的上方形成的绝缘层118要厚。壁118a具有与单元间隙对应的高度，由此在将两个基板接合时可以将壁118a用作间隔物。
当使用负片型绝缘层形成绝缘层118时，衍射曝光掩模117具有与壁118a对应的闭合部分、与绝缘层118对应的狭缝图案以及与其余部分对应的透射部分。同时，当使用正片型绝缘层形成绝缘层118时，衍射曝光掩模117具有与壁118a对应的透射部分、与绝缘层118对应的狭缝图案以及与其余部分对应的闭合部分。优选地，具有壁118a的绝缘层118由感光聚合物形成。但是，绝缘层118可以由具有低介电常数的有机绝缘层(例如，感光丙烯酸、聚酰亚胺和BCB(苯并环丁烯)中的任何一种)形成。除了使用衍射曝光掩模的方法以外，可通过印刷方法或使用软模的方法而不通过曝光工艺来形成具有壁118a的绝缘层118。
如图9C中所示，在具有壁118a的绝缘层118上形成有透明导电层，并通过光刻法对其选择性地进行去除，由此形成第二公共线119a、公共电极119b和像素电极119c。第二公共线119a在选通线111和薄膜晶体管TFT的上方形成以与其交叠。而且，公共电极119b与第二公共线119a连接，并且为了完全覆盖数据线114，使公共电极119b比数据线114宽。在像素区内沿一个方向形成从第二公共线119a伸出的公共电极119b。在该像素区内第二公共电极119b基本上平行于数据线114。之后，像素电极119c通过第一接触孔116连接到漏极114b和存储电极114c，并以固定间隔形成在公共电极119b之间。
透明导电层可以由ITO(铟锡氧化物)、TO(氧化锡)、IZO(铟锌氧化物)或ITZO(铟锡锌氧化物)形成。尽管未示出，配向层可以由聚酰亚胺或感光材料。如果配向层由聚酰亚胺形成，则通过机械摩擦来确定配向方向。而如果配向层由感光材料(例如聚乙烯肉桂酸酯(PVCN)基材料或聚硅氧烷基材料)形成，则通过紫外射线的照射来确定配向方向。配向方向取决于光照射方向或诸如偏振方向的光特性。
之后，制备上基板120，并在下基板110或上基板120上形成密封剂(未示出)。随后，通过该密封剂将下基板110和上基板120彼此接合。尽管未示出，在上基板120的整个表面上形成另一个配向层。在该情况下，上基板120的配向层由与下基板110上的配向层相同的材料形成。
第二实施例
对根据本发明第二实施例的LCD装置及其制造方法的说明如下。图10是根据本发明第二实施例的LCD装置的平面图。图11是沿着图10的V-V’线和VI-VI’线截取的剖视图。图12A至图12C是根据本发明第二实施例的LCD装置的制造工艺的剖视图。
如图10和图11所示，除了第一公共线111b被形成得与选通线111基本上平行，并且基本上垂直地延伸以与构成公共电极119b的台阶覆盖的数据线114的两个下侧交叠以外，根据本发明第二实施例的LCD装置具有与根据本发明第一实施例的LCD装置相同的结构，因此省略了第二实施例的LCD装置中与本发明第一实施例中相同的结构的解释。
在根据本发明第二实施例的LCD装置中，第一公共线111b沿着构成公共电极119b的台阶覆盖的数据线114的两个下侧延伸，以防止数据线114上方的公共电极119b两端处液晶分子的配向畸变，并且防止与液晶分子的配向畸变对应的部分处的漏光。
对根据本发明第二实施例的LCD装置的制造方法的说明如下。图12A至图12C是根据本发明第二实施例的LCD装置的制造工艺的剖视图。
如图12A和图12C所示，当在与选通线111相同的层上由与选通线111相同的材料形成第一公共线111b时，被形成得与选通线111基本上平行的第一公共线111b还与选通线111基本上垂直地延伸。除此之外，采用与根据本发明第一实施例的LCD装置的制造工艺相同的制造工艺来形成根据本发明第二实施例的LCD装置。
在根据本发明第二实施例的LCD装置的上述制造工艺中，沿着数据线114的两个下侧形成基本上垂直于选通线111的第一公共线111b。更具体地，当在数据线114的上方形成公共电极119b以与数据线114交叠时，在公共电极119b的两侧形成有台阶覆盖，其中沿着公共电极119b的台阶覆盖形成第一公共线111b。
除了第一公共线111b的形成工艺以外，以与根据本发明第一实施例的LCD装置的制造工艺相同的制造工艺形成根据本发明第二实施例的LCD装置，由此省略对根据本发明第二实施例的LCD装置的制造工艺的说明。
第三实施例
对根据本发明第三实施例的LCD装置的说明如下。图13是根据本发明第三实施例的LCD装置的平面图。图14是沿着图13的VII-VII’线和VIII-VIII’线截取的剖视图。
如图13和图14所示，除了通过在第一绝缘夹层115的整个表面上形成绝缘层118而在数据线114上方的公共电极119b的两侧不形成台阶覆盖，以及在第一绝缘夹层115和绝缘层118内形成露出从漏极114b伸出的存储电极114c一部分的第一接触孔以外，根据本发明第三实施例的LCD装置具有与根据本发明第一实施例的LCD装置相同的结构，因此省略了第三实施例的LCD装置中与本发明第一实施例的LCD装置中相同的结构的解释。
在根据本发明第三实施例的LCD装置中，在数据线114上方的公共电极119b的两侧不形成台阶覆盖，使得可以防止在数据线114上方的公共电极119b两端的液晶分子的配向畸变，并且防止与液晶分子的配向畸变对应的部分处的漏光。
参照附图对根据本发明第三实施例的LCD装置的制造方法进行说明。图15A至图15C是示出根据本发明第三实施例的LCD装置的制造工艺的剖视图。
如图15A所示，在透明下基板110上形成导电金属层，并通过光刻法对其进行构图，由此形成在一端具有预定面积的选通焊盘(未示出)、从该选通焊盘沿一个方向延伸的选通线111以及从选通线111沿一个方向凸出的栅极111a。而且，第一公共线111b与选通线111由相同的材料基本上彼此平行地形成在同一层上。之后，在包括选通线111和第一公共线111b的下基板110的整个表面上形成栅绝缘层112。栅绝缘层112可由氮化硅SiNx或氧化硅SiO2形成。
之后，在栅绝缘层112上形成半导体层(一个非晶硅层和另一个掺杂有杂质的非晶硅层)。随后，通过光刻法对半导体层进行构图，由此在栅极111a的上方形成岛状有源层(图13中的‘113’)。之后，在包括有源层113的下基板110的整个表面上形成导电金属层，并通过光刻法对该导电金属层进行构图，由此形成基本上垂直于选通线111以限定像素区的数据线114、具有预定面积的一端的源焊盘(未示出)、从数据线114沿一个方向凸出的源极114a、以及与源极114a相距预定距离的漏极114b。同时，在第一公共线111b上方形成从漏极114b延伸出的存储电极114c，由此将存储电容器形成为SOC(公共上存储)结构。在上述工艺中，在选通线111和数据线114的交叉点处形成薄膜晶体管TFT。
随后，如图15B所示，可以在包括数据线114的下基板110的整个表面上形成第一绝缘夹层115。第一绝缘夹层115可由氮化硅SiNx形成。此后，通过第一印刷方法在包括数据线114的第一绝缘夹层115的整个表面上形成绝缘层118，之后通过第二印刷方法形成壁118a。同时，在第一绝缘夹层115的整个表面上形成绝缘层118，由此可以防止当公共电极119b与数据线114上方的绝缘层118交叠时在公共电极119b的两侧产生台阶覆盖。而且，在选通线111和与其相邻的两个数据线114的上方形成壁118a，以包围像素区的下侧。在该情况下，壁118a具有与单元间隙对应的高度，由此在接合两个基板时，壁118a将充当间隔物。
优选地，绝缘层118和壁118a由感光聚合物形成。但是，可以由具有低介电常数的有机绝缘层(例如感光丙烯酸、聚酰亚胺和BCB(苯并环丁烯)中的至少任何一种)形成绝缘层118和壁118a。可以通过一次性执行淀积和曝光工艺的方法而非印刷方法来形成绝缘层118和壁118a。之后，选择性地刻蚀第一绝缘夹层115和绝缘层118，由此形成露出从漏极114b延伸的存储电极114c的一部分的第一接触孔116。
参照图15C，在包括壁118a的绝缘层118上形成透明导电层，并通过光刻法选择性地对其进行去除，由此形成第二公共线119a、公共电极119b和像素电极119c。此时，在选通线111和薄膜晶体管的上方形成第二公共线119a以与其交叠。此外，将公共电极119b连接到第二公共线119a，并且为了完全覆盖数据线114，使公共电极119b比数据线114宽。在像素区内沿一个方向形成从第二公共线119a延伸的公共电极119b。在像素区内公共电极119b基本上平行于数据线114。在该情况下，公共电极119b在其两侧没有台阶覆盖。之后，像素电极119c通过第一接触孔116连接到漏极114b和存储电极114c，并形成在公共电极119b之间。
透明导电层可以由ITO(铟锡氧化物)、TO(氧化锡)、IZO(铟锌氧化物)或ITZO(铟锡锌氧化物)形成。尽管未示出，在包括第二公共线119a、公共电极119b和像素电极119c的下基板110的整个表面上形成有聚酰亚胺或感光材料的配向层。如果配向层是由聚酰亚胺形成的，则通过机械摩擦来确定配向方向。而如果配向层是由诸如聚乙烯肉桂酸酯(PVCN)基材料或聚硅氧烷基材料的感光材料形成的，则通过紫外射线的照射来确定配向方向。此时，排列方向取决于光照射方向或诸如偏振方向的光特性。
之后，制备上基板120，并在下基板110或上基板120上形成密封剂(未示出)。随后，通过该密封剂将下基板110和上基板120彼此接合。尽管未示出，在上基板120的整个表面上形成另一个配向层。上基板120的配向层由与下基板110上的配向层相同的材料形成。
第四实施例
对根据本发明第四实施例的LCD装置的说明如下。图16是根据本发明第四实施例的LCD装置的平面图。图17是沿着图16的IX-IX’线和X-X’线截取的剖视图。
在根据本发明第四实施例的LCD装置中，如图16和图17所示，下基板150包括：选通线151和数据线154，基本上相互垂直以限定像素区P；在由交叉的选通线151和数据线154限定的像素区P内的像素电极159；以及在选通线151和数据线154的交叉点处的薄膜晶体管TFT。
薄膜晶体管TFT包括从选通线151凸出的栅极151a、在下基板150的整个表面上的栅绝缘层152、在栅极151a上方的栅绝缘层152上的有源层153、从数据线154凸出以与有源层153的一侧交叠的源极154a、以及在与源极154a相距预定距离处与有源层153的另一侧交叠的漏极154b。
而且，在上述选通线151的上方形成有存储电极154c。之后，可以在包括薄膜晶体管TFT的下基板150的整个表面上形成第一绝缘夹层155。第一绝缘夹层155可以由氮化硅SiNx形成。随后，在第一绝缘夹层155的整个表面上形成第二绝缘夹层157，在像素区下侧内形成的选通线的一个预定部分和与该选通线相邻的两个数据线154的一些部分上形成壁157a。壁157a具有与根据本发明第一实施例的LCD装置中的壁相同的特性。在大型LCD板中，壁157a防止液晶因重力而向下流动。也就是说，当显示板沿左右方向倾斜时，与数据线154对应的壁157a防止液晶沿左右方向流动，与选通线151对应的壁157a防止液晶沿上下方向流动。在该情况下，按与单元间隙对应的高度形成壁157a。
之后，在第一绝缘夹层155和第二绝缘夹层157中形成露出漏极154b的一部分的第一接触孔158a，并形成露出存储电极154c的一部分的第二接触孔158b。结果，像素电极159通过第一接触孔158a与漏极154b接触，并通过第二接触孔158b与存储电极154c接触。此时，像素电极159与相邻数据线154交叠，其中像素电极159可以由ITO(铟锡氧化物)、TO(氧化锡)、IZO(铟锌氧化物)或ITZO(铟锡锌氧化物)形成。如上所述，像素电极159与在上述选通线151上方的存储电极154c接触。
尽管未示出，与下基板150相对地形成上基板160。上基板160包括：黑底层161，该黑底层161在显示器的除像素区P以外的部分上屏蔽光；R/G/B滤色器层162，用于显示各种颜色；以及公共电极163，由此来产生图像。
对根据本发明第四实施例的LCD装置的制造方法的说明如下。图18A至图18C是根据本发明第四实施例的LCD装置的制造工艺的剖视图。
如图18A所示，在透明下基板150上形成导电金属层，之后通过光刻法对其进行构图，由此形成在一端处包括预定面积的选通焊盘(未示出)、从该选通焊盘(未示出)沿一个方向延伸出的选通线151、以及从选通线151沿一个方向凸出的栅极151a。在包括选通线151的下基板150的整个表面上形成栅绝缘层152。该栅绝缘层152可由氮化硅SiNx或氧化硅SiO2形成。
此后，在栅绝缘层152上形成半导体层(一个非晶硅层和另一个掺杂有杂质的非晶硅层)。随后，通过光刻法对该半导体层进行构图，由此在栅极151a的上方形成岛状有源层(图16中的‘153’)。之后，在包括有源层153的下基板150的整个表面上形成导电金属层，然后通过光刻法对该导电金属层进行构图，由此形成基本上垂直于选通线151以限定像素区的数据线154、在一端具有预定面积的源焊盘(未示出)、从数据线154沿一个方向凸出的源极154a、以及与源极154a相距预定距离的漏极154b。在上述选通线上方形成存储电极154c，由此将存储电容器形成为SOC(公共上存储)结构。在上述工艺中，在选通线151和数据线154的交叉点处形成薄膜晶体管TFT。
随后，如图18B所示，在包括数据线154的下基板150的整个表面上形成第一绝缘夹层155。第一绝缘夹层155由氮化硅SiNx形成。之后，通过第一印刷方法，在包括数据线154的第一绝缘夹层155的整个表面上形成第二绝缘夹层157，并且通过第二印刷方法形成壁157a。在选通线151和相邻数据线154的上方形成壁157a，以包围像素区的下侧。壁157a具有与单元间隙对应的高度，由此在接合两个基板时，壁157a将充当间隔物。在该情况下，按与单元间隙对应的高度形成壁157a，由此不需要执行分布球形间隔物或者通过曝光形成柱状间隔物的附加工艺。
优选地，壁157a和第二绝缘夹层157由感光聚合物形成。但是，可以由具有低介电常数的有机绝缘层(例如感光丙烯酸、聚酰亚胺和BCB(苯并环丁烯)中的至少任何一种)形成第二绝缘夹层157和壁157a。可以通过一次性执行淀积和曝光工艺的方法而非使用印刷方法来形成第二绝缘夹层157和壁157a。之后，刻蚀第一绝缘夹层155和第二绝缘夹层157以露出漏极154b和一部分存储电极154c，由此形成第一接触孔158a和第二接触孔158b。
接下来，如图18C所示，在包括壁157a的第二绝缘夹层157上形成透明导电层，并通过光刻法对其选择性地进行去除，由此在像素区内形成像素电极159。像素电极159通过第一接触孔158a连接漏极154b，并通过第二接触孔158b连接存储电极154c。
透明导电层可以由ITO(铟锡氧化物)、TO(氧化锡)、IZO(铟锌氧化物)或ITZO(铟锡锌氧化物)形成。尽管未示出，可以在包括像素电极159的下基板150的整个表面上形成聚酰亚胺或感光材料的配向层。如果配向层是由聚酰亚胺形成的，则通过机械摩擦来确定配向方向。同时，如果配向层是由诸如聚乙烯肉桂酸酯(PVCN)基材料或聚硅氧烷基材料的感光材料形成的，则通过紫外射线的照射来确定配向方向。此时，配向方向取决于光照射方向或诸如偏振方向的光特性。
可以制备上基板160，并在下基板150或上基板160上形成密封剂(未示出)。随后，通过该密封剂将下基板150和上基板160彼此接合。尽管未示出，在上基板160的整个表面上形成有另一个配向层。在此情况下上基板160的配向层由与下基板150上的配向层相同的材料形成。
如上所述，根据本发明优选实施例的LCD装置及其制造方法具有以下优点。
首先，在选通线和数据线上方形成多个壁，以包围像素区的下侧。因此，当LCD板沿左右方向倾斜时，壁将防止液晶流向上/下/左/右侧的各个方向。也就是说，对于大型LCD板，可以防止由于重力而使液晶向下流。
第二，在数据线的上方形成具有低介电常数的绝缘层，由此可以使公共电极与数据线交叠，从而获得高孔径比结构。
第三，第一公共线沿着构成公共电极的台阶覆盖的数据线的两个下侧基本垂直地延伸，以防止液晶分子在数据线上方的公共电极两端处的配向畸变，并且防止在与液晶分子的配向畸变对应的部分处的漏光。
第四，在第一绝缘夹层的整个表面上形成具有低介电常数的绝缘层的方法中，在数据线上方的公共电极两侧可以不形成台阶覆盖。因此，可以防止公共电极两侧的液晶的配向畸变以及漏光。
对于本领域的技术人员，显然可以对本发明进行各种修改和变型。因此，本发明将包括落入所附权利要求及其等同物的范围内的对本发明的各种修改和变型。

Claims (33)

1.一种液晶显示装置，其包括：
以预定距离彼此面对的第一基板和第二基板；
在所述第一基板上彼此交叉以限定像素区的选通线和数据线；
基本上平行于所述选通线并与所述选通线位于同一层的第一公共线；
位于所述选通线和所述数据线交叉处的薄膜晶体管；
第一绝缘夹层，其位于包括所述数据线的所述第一基板的整个表面上；
在所述选通线和所述数据线以及所述薄膜晶体管上方，并且在所述第一绝缘夹层上的具有多个壁的绝缘层；
位于所述具有多个壁的绝缘层上并与所述选通线和所述薄膜晶体管上方的所述第一绝缘夹层对应的第二公共线；
在所述像素区内沿一个方向延伸并位于所述数据线上方的所述具有多个壁的绝缘层上的公共电极；以及
像素电极，其与所述薄膜晶体管的漏极和存储电极接触，位于所述第一绝缘夹层上，并以固定间隔形成在所述像素区的公共电极之间，所述存储电极在所述第一公共线上从所述漏极延伸，
其中，所述绝缘层的所述多个壁包围所述像素区的下侧。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述绝缘层的所述多个壁位于所述像素区的下侧的选通线以及限定所述像素区的两条数据线的一些部分的上方。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述具有多个壁的绝缘层由具有低介电常数的有机绝缘层形成，所述有机绝缘层包括感光丙烯酸、聚酰亚胺和苯并环丁烯中的一种。
4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述壁以与单元间隙对应的高度形成。
5.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述绝缘层的所述壁可以形成为一个像素单元。
6.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述绝缘层的所述壁可以形成为几十个到几百个像素单元。
7.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述公共电极与所述数据线沿同一方向延伸。
8.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述第二公共线、所述公共电极和所述像素电极形成在同一层上。
9.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述第二公共线、所述公共电极和所述像素电极由铟锡氧化物、氧化锡、铟锌氧化物或铟锡锌氧化物形成。
10.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其进一步包括在所述第一公共线上从所述漏极延伸的存储电极。
11.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述像素电极与所述漏极和所述存储电极接触。
12.根据权利要求9所述的液晶显示装置，其中，所述像素电极与所述漏极和所述存储电极接触。
13.一种液晶显示装置，其包括：
以预定距离彼此面对的第一基板和第二基板；
在所述第一基板上彼此交叉以限定像素区的选通线和数据线；
第一公共线，其基本上平行于在同一层上的所述选通线，并且沿着相邻数据线的两个下侧以固定间隔形成；
位于所述选通线和所述数据线交叉处的薄膜晶体管；
第一绝缘夹层，其位于包括所述数据线的所述第一基板的整个表面上；
在所述选通线和所述数据线以及所述薄膜晶体管上方，并且在所述第一绝缘夹层上的具有多个壁的绝缘层；
位于所述具有多个壁的绝缘层上并与所述选通线和所述薄膜晶体管上方的所述第一绝缘夹层对应的第二公共线；
在所述像素区内沿一个方向延伸并位于所述数据线上方的所述具有多个壁的绝缘层上的公共电极；以及
像素电极，其与所述薄膜晶体管的漏极接触，位于所述第一绝缘夹层上，并以固定间隔形成在所述像素区的公共电极之间，
其中，所述绝缘层的所述多个壁包围所述像素区的下侧。
14.根据权利要求13所述的液晶显示装置，其中，所述绝缘层的所述多个壁在所述选通线和相邻数据线的上方，以包围所述像素区的下侧，每个壁具有与单元间隙对应的高度。
15.根据权利要求13所述的液晶显示装置，所述具有多个壁的绝缘层由具有低介电常数的有机绝缘层形成，所述有机绝缘层包括感光丙烯酸、聚酰亚胺和苯并环丁烯中的一种。
16.一种液晶显示装置，其包括：
以预定距离彼此面对的第一基板和第二基板；
在所述第一基板上彼此交叉以限定像素区的选通线和数据线；
基本上平行于所述选通线并与所述选通线位于同一层的第一公共线；
位于所述选通线和所述数据线交叉处的薄膜晶体管；
第一绝缘夹层，其位于包括所述数据线的所述第一基板的整个表面上；
绝缘层，其位于所述第一绝缘夹层的整个表面上；
在所述选通线和相邻数据线上方的绝缘层上的多个壁，它们包围所述像素区的下侧；
位于所述绝缘层上并与所述选通线和所述薄膜晶体管上方的所述第一绝缘夹层对应的第二公共线；
在所述像素区内沿一个方向延伸并位于所述数据线上方的所述绝缘层上的公共电极；以及
像素电极，其与所述薄膜晶体管的漏极接触，位于所述绝缘层上，并以固定间隔形成在所述像素区的公共电极之间。
17.根据权利要求16所述的液晶显示装置，其中，所述绝缘层和所述多个壁由具有低介电常数的有机绝缘层形成，所述有机绝缘层包括感光丙烯酸、聚酰亚胺和苯并环丁烯中的一种。
18.一种液晶显示装置，其包括：
以预定距离彼此面对的第一和第二基板；
在所述第一基板上彼此交叉以限定像素区的选通线和数据线；
位于所述选通线和所述数据线交叉处的薄膜晶体管；
第一绝缘夹层，其在包括所述薄膜晶体管的所述第一基板的整个表面上；
第二绝缘夹层，其在所述第一绝缘夹层的整个表面上；
位于所述选通线和相邻数据线上方且位于所述第二绝缘夹层上的壁，其中，所述壁在所述选通线的方向上是连续的，且与所述数据线的一些部分相交叠，以包围所述像素区的下侧；以及
在所述像素区内与所述薄膜晶体管的漏极接触的像素电极。
19.根据权利要求18所述的液晶显示装置，其中，所述第二绝缘夹层和所述壁由具有低介电常数的有机绝缘层形成，所述有机绝缘层包括感光丙烯酸、聚酰亚胺和苯并环丁烯中的一种。
20.一种用于制造液晶显示装置的方法，其包括：
在基板的一侧形成具有栅极的选通线；
形成与所述选通线基本上平行并与所述选通线位于同一层的第一公共线；
在包括所述选通线的所述基板的整个表面上形成栅绝缘层；
在所述栅极的上方形成有源层；
形成与所述选通线基本上垂直以限定像素区的数据线；
形成与所述有源层的两侧交叠的源极和漏极；
在包括所述数据线的所述基板的整个表面上形成第一绝缘夹层；
在所述选通线和所述数据线上方并在所述第一绝缘夹层上形成具有多个壁的绝缘层，所述绝缘层的所述多个壁包围所述像素区的下侧；
在所述具有多个壁的绝缘层上形成与所述选通线和所述薄膜晶体管上方的所述第一绝缘夹层对应的第二公共线；
在所述像素区内形成沿一个方向延伸并位于所述数据线上方的所述具有多个壁的绝缘层上的公共电极；以及
以固定间隔在所述像素区的公共电极之间并在所述第一绝缘夹层上形成与所述薄膜晶体管的漏极接触的像素电极。
21.根据权利要求20所述的方法，其中，形成具有多个壁的绝缘层的工艺包括以下步骤：
在所述第一绝缘夹层上淀积所述绝缘层；以及
通过使用具有狭缝的衍射曝光掩模来刻蚀所述绝缘层。
22.根据权利要求21所述的方法，其中，当使用负片型感光材料形成所述绝缘层时，所述衍射曝光掩模具有与所述壁对应的闭合部分、与所述绝缘层的除去所述壁之外的部分对应的狭缝图案、以及与所述掩模的除去所述掩模的闭合部分和狭缝图案之外的其余部分对应的透射部分。
23.根据权利要求21所述的方法，其中，当使用正片型感光材料形成所述绝缘材料时，所述衍射曝光掩模具有与所述壁对应的透射部分、与所述绝缘层的除去所述壁之外的部分对应的狭缝图案、以及与所述掩模的除去所述掩模的透射部分和狭缝图案之外的其余部分对应的闭合部分。
24.根据权利要求20所述的方法，其中，所述绝缘层的所述壁具有与单元间隙对应的高度。
25.根据权利要求20所述的方法，其中，利用印刷方法和采用软模的方法之一来形成具有所述多个壁的所述绝缘层。
26.根据权利要求20所述的方法，其中，所述具有多个壁的绝缘层由具有低介电常数的有机绝缘层形成，所述有机绝缘层包括感光丙烯酸、聚酰亚胺和苯并环丁烯中的一种。
27.根据权利要求20所述的方法，其中，所述第二公共线、所述公共电极和所述像素电极形成在同一层上，并由铟锡氧化物、氧化锡、铟锌氧化物和铟锡锌氧化物中的一种形成。
28.根据权利要求20所述的方法，其中，所述第一公共线基本上平行于同一层上的所述选通线，并以固定间隔基本上垂直地沿着所述相邻数据线的两个下侧延伸。
29.一种用于制造液晶显示装置的方法，其包括：
在基板的一侧形成具有栅极的选通线；
形成与所述选通线基本上平行并与所述选通线位于同一层的第一公共线；
在包括所述选通线的所述基板的整个表面上形成栅绝缘层；
在所述栅极的上方形成有源层；
形成与所述选通线基本上垂直以限定像素区的数据线；
形成与所述有源层的两侧交叠的源极和漏极；
在包括所述数据线的所述基板的整个表面上形成第一绝缘夹层；
在所述第一绝缘夹层的整个表面上形成绝缘层；
在所述选通线和相邻数据线上方的绝缘层上形成多个壁，以包围所述像素区的下侧；
在所述绝缘层上形成与所述选通线和所述薄膜晶体管上方的所述第一绝缘层对应的第二公共线；
在所述像素区内形成沿一个方向延伸并位于所述数据线上方的所述绝缘层上的公共电极；以及
以固定间隔在所述像素区的公共电极之间形成与所述薄膜晶体管的漏极接触的像素电极。
30.根据权利要求29所述的方法，其中，通过第一印刷方法在包括所述数据线的所述第一绝缘夹层的整个表面上形成所述第二绝缘夹层，并通过第二印刷方法在所述第二绝缘夹层上形成所述多个壁，每个壁具有与单元间隙对应的高度。
31.根据权利要求29所述的方法，其中，所述第二绝缘夹层和所述多个壁由具有低介电常数的有机绝缘层形成，所述有机绝缘层包括感光丙烯酸、聚酰亚胺和苯并环丁烯中的一种。
32.一种用于制造液晶显示装置的方法，其包括：
在基板的一侧形成具有栅极的选通线；
在包括所述选通线的所述基板的整个表面上形成栅绝缘层；
在所述栅极的上方形成有源层；
形成与所述选通线基本上垂直的数据线，以限定像素区；
形成与所述有源层的两侧交叠的源极和漏极；
在包括所述数据线的所述基板的整个表面上形成第一绝缘夹层；
在所述第一绝缘夹层的整个表面上形成第二绝缘夹层；
在所述选通线和相邻数据线的上方且在所述第二绝缘夹层上形成壁，其中，所述壁在所述选通线的方向上是连续的，且与所述数据线的一些部分相交叠，以包围所述像素区的下侧；以及
在所述像素区内形成与所述薄膜晶体管的漏极接触的像素电极。
33.根据权利要求32所述的方法，其中，所述第二绝缘夹层和所述壁由具有低介电常数的有机绝缘层形成，所述有机绝缘层包括感光丙烯酸、聚酰亚胺和苯并环丁烯中的一种。
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Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100760940B1 (ko) 2003-12-29 2007-09-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그의 제조방법
CN1955821A (zh) * 2005-10-26 2007-05-02 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示器
KR20070080050A (ko) * 2006-02-06 2007-08-09 삼성전자주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101310284B1 (ko) * 2006-09-28 2013-09-24 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치와, 표시 기판 및 이의 제조 방법
US7656493B2 (en) * 2007-07-31 2010-02-02 Arthur Alan R Pixel well electrodes
RU2012136744A (ru) * 2010-01-28 2014-03-10 Шарп Кабусики Кайся Отображающий элемент и снабженное им электрическое устройство
KR101242033B1 (ko) * 2010-05-05 2013-03-11 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조방법
KR101493128B1 (ko) * 2012-09-27 2015-02-23 엘지디스플레이 주식회사 액정표시패널 및 그 제조방법
JP2014178490A (ja) * 2013-03-14 2014-09-25 Japan Display Inc 液晶表示装置
CN104062815A (zh) * 2013-03-21 2014-09-24 瀚宇彩晶股份有限公司 液晶显示装置
KR101984896B1 (ko) * 2013-05-31 2019-06-03 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조 방법
CN104407476B (zh) * 2014-12-23 2017-11-14 厦门天马微电子有限公司 一种阵列基板、显示面板和显示装置
CN106896608B (zh) * 2017-04-28 2020-03-06 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板、显示面板及显示装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1448762A (zh) * 2002-03-29 2003-10-15 Nec液晶技术株式会社 面内开关模式液晶显示器
US6657699B2 (en) * 2000-07-11 2003-12-02 Nec Lcd Technologies, Ltd. Liquid crystal display unit having pixel electrode encircled with partition wall and process for fabrication thereof

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6038006A (en) 1996-09-02 2000-03-14 Casio Computer Co., Ltd. Liquid crystal display device with light shield and color filter overlapping two edges of pixel electrode
JP3543131B2 (ja) 1996-09-02 2004-07-14 カシオ計算機株式会社 アクティブマトリックスパネル及びその製造方法
JPH10228022A (ja) 1997-02-17 1998-08-25 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 液晶表示装置およびその作製方法
JPH11153816A (ja) 1997-09-17 1999-06-08 Citizen Watch Co Ltd 反強誘電性液晶パネル
TW535025B (en) * 1998-12-03 2003-06-01 Hitachi Ltd Liquid crystal display device
JP3339456B2 (ja) 1999-03-26 2002-10-28 日本電気株式会社 液晶表示装置
JP2001073809A (ja) 1999-09-06 2001-03-21 Iseki & Co Ltd 作業車のアクセル制御装置
JP2001305557A (ja) 2000-04-21 2001-10-31 Nec Corp 液晶表示装置
JP2001311952A (ja) * 2000-04-28 2001-11-09 Fuji Xerox Co Ltd 表示素子
JP4718712B2 (ja) * 2001-04-17 2011-07-06 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 アクティブマトリクス型液晶表示装置
JP4395612B2 (ja) 2001-09-26 2010-01-13 カシオ計算機株式会社 液晶表示素子
KR100760940B1 (ko) * 2003-12-29 2007-09-21 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시장치 및 그의 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6657699B2 (en) * 2000-07-11 2003-12-02 Nec Lcd Technologies, Ltd. Liquid crystal display unit having pixel electrode encircled with partition wall and process for fabrication thereof
CN1448762A (zh) * 2002-03-29 2003-10-15 Nec液晶技术株式会社 面内开关模式液晶显示器

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Publication number Publication date
CN1637539A (zh) 2005-07-13
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US20050140889A1 (en) 2005-06-30
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TW200521589A (en) 2005-07-01
US7417705B2 (en) 2008-08-26
US7327431B2 (en) 2008-02-05
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GB2409757B (en) 2006-04-12
KR20050067906A (ko) 2005-07-05

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