CN103048824A - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种液晶显示装置及其制造方法。所述液晶显示装置包括：彼此面对的第一基板和第二基板；透明导电膜，形成在第一基板的一个表面上，用于吸收静电放电（ESD）电荷；黑矩阵，包括第一黑矩阵、和一个或多个端部，第一黑矩阵形成在第一基板的另一个表面的一拐角上，而一个或多个端部以预定间隔与第一黑矩阵的一端隔开以绝缘；地电极，形成在第二基板的一个表面上；以及连接部，连接透明导电膜与地电极，并且在一个或多个端部上方延伸。

Description

液晶显示装置及其制造方法
本申请要求2011年10月11日提交的韩国专利申请No.10-2011-0103527和2012年6月19日提交的韩国专利申请No.10-2012-0065621的权益，为了所有目的，通过援引的方式将这两件专利申请并入本文，如同在这里完全阐述一样。
技术领域
本发明涉及一种液晶显示装置及其制造方法，尤其涉及一种具有用于改善黑色均匀性（black uniformity）的结构的液晶显示装置。
背景技术
液晶显示装置由于基于低驱动电压的低功耗和便携性的优点而广泛用在笔记本电脑、显示器、航天器、航空器等各种领域中。
液晶显示装置包括下基板、上基板、以及形成在上基板与下基板之间的液晶层。在液晶显示装置中，根据是否施加电场来控制液晶层中液晶分子的定向（alignment）状态，并根据液晶分子的定向状态来控制光透射比（transmittance），由此在液晶显示装置上显示图像。
液晶显示装置通过使用电场控制液晶的光透射比来显示图像。根据驱动液晶的电场的方向，液晶显示装置分为垂直电场型液晶显示装置和水平电场型液晶显示装置。
在垂直电场型液晶显示装置中，形成于上基板上的公共电极和形成于下基板上的像素电极布置成彼此面对，由此通过公共电极与像素电极之间形成的垂直电场来驱动扭曲向列（TN）模式的液晶。
垂直电场型液晶显示装置具有高开口率的优点，但所述垂直电场型液晶显示装置具有90度的窄视角的缺点。
在水平电场型液晶显示装置中，根据共面切换（in plane switching,IPS）模式，通过像素电极与公共电极之间的水平电场来驱动液晶，其中像素电极和公共电极形成在一个基板上。该水平电场型液晶显示装置具有160度的宽视角的优点。在下文中，将更详细地描述水平电场型液晶显示装置。
图1是图解根据现有技术的水平电场型液晶显示装置的示图，图2A是图解沿图1的线A-A’所取的液晶显示装置的剖面图。
参照图1和图2A，根据现有技术的水平电场型液晶显示装置包括上基板20、下基板30、密封剂42和银点(Ag dot)50。
上基板20包括第一基板21、黑矩阵23、覆层（overcoat layer）25和透明导电膜22。
黑矩阵23形成在第一基板21的一个表面上，覆层25形成在黑矩阵23上，防止产生静电放电（ESD）的透明导电膜22形成在第一基板21的后表面上。
透明导电膜22通过银点50与地电极39连接，向外界泄放静电电荷，并且透明导电膜22由透明导电材料氧化铟锡（ITO）形成。
尽管未示出，但下基板30包括第二基板、薄膜晶体管、栅极线、数据线、像素电极、公共电极和地电极39。
上基板20和下基板30彼此面对粘结，液晶注入到上基板20与下基板30之间。
密封剂42沿上基板20和下基板30的外侧形成，并且密封剂42将上基板20和下基板30彼此粘结。
银点50沿密封剂42的外部形成，并且银点50将下基板30的地电极39与上基板20的透明导电膜22电连接。
然而，前述的水平电场型液晶显示装置具有下面的问题。
图2B图解了根据现有技术的液晶显示装置的问题。
如图2B中所示，当在划线工艺（scribing process）中切割上基板20时，上基板20的一端可能被去除。
如果发生这种去除，则由覆层25包围的黑矩阵23的一端被暴露出来，暴露的部分与银点50短路。因此，ESD电荷可沿黑矩阵23流入上基板20中。
这样，沿黑矩阵23可能产生并施加不规则电压，以致在液晶显示面板中产生黑色均匀性缺陷。
黑色均匀性缺陷是指在液晶显示面板的整个表面上并未均匀地形成黑色区域，而在液晶显示面板的某表面上出现亮点。
发明内容
因此，本发明涉及一种大体上避免了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题的液晶显示装置及其制造方法。
本发明的一个优点是提供一种改善了黑色均匀性缺陷的液晶显示装置及其制造方法。
本发明的其它优点和特征的一部分将在下面的描述中列出，一部分对于本领域普通技术人员在研究下文后是显而易见的，或者可以通过实施本发明而获悉。通过说明书、权利要求书以及附图中特别指出的结构可实现和获得本发明的这些目的和其它优点。
为了实现这些目的和其它优点，根据本发明的目的，如在此具体和概括描述的那样，一种液晶显示装置包括：第一基板和第二基板，所述第一基板与所述第二基板彼此面对；透明导电膜，所述透明导电膜形成在所述第一基板的一个表面上，用于吸收静电放电（ESD）电荷；黑矩阵，所述黑矩阵包括形成在所述第一基板的另一个表面的一拐角上的第一黑矩阵、以及以预定间隔与所述第一黑矩阵的一端隔开以绝缘的一个或多个端部；地电极，所述地电极形成在所述第二基板的一个表面上；以及连接部，所述连接部连接所述透明导电膜与所述地电极，并且所述连接部在所述一个或多个端部上方延伸。
此外，所述一个或多个端部可以形成为岛状。
而且，所述第一黑矩阵和所述一个或多个端部可以以同一材料形成在同一层上。
而且，所述地电极可以形成在对应于所述一个或多个端部的所述第二基板的一端处。
此外，所述连接部可以不与对应于所述第一基板的边缘的所述第一黑矩阵的侧边交叠。
而且，所述液晶显示装置可以进一步包括遮光元件，所述遮光元件形成在绝缘部的下方，所述绝缘部位于所述第一黑矩阵与所述一个或多个端部之间。
在本发明的另一个方面中，一种液晶显示装置的制造方法包括下述步骤：在第一基板的一个表面上形成吸收静电放电（ESD）电荷的透明导电膜；形成黑矩阵，所述黑矩阵包括所述第一基板的另一个表面的一拐角上的一个或多个端部和第一黑矩阵，所述一个或多个端部以预定间隔与所述第一黑矩阵的一端隔开以绝缘；在第二基板的一个表面上形成地电极；将所述第一基板和所述第二基板彼此粘结；以及形成连接所述透明导电膜与所述地电极的连接部，其中所述连接部在所述一个或多个端部上方延伸。
此外，在上述方法中，可以通过同一工艺同时形成所述第一黑矩阵和所述一个或多个端部。
而且，在上述方法中，可以以岛状形成所述一个或多个端部。
而且，在上述方法中，可以在对应于所述一个或多个端部的所述第二基板的一端处形成所述地电极。
此外，在上述方法中，所述连接部可以不与对应于所述第一基板的边缘的所述第一黑矩阵的侧边交叠。
而且，上述方法可以进一步包括在绝缘部下方形成遮光元件，所述绝缘部位于所述第一黑矩阵与所述一个或多个端部之间。
而且，在上述方法中，可以在形成栅极线时形成所述遮光元件。
应当理解，本发明前面的一般性描述和下面的详细描述都是例示性的和解释性的，意在对要求保护的内容提供进一步的解释。
附图说明
给本发明提供进一步理解并结合在本申请中组成本申请一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于说明本发明的原理。在附图中：
图1是图解根据现有技术的水平电场型液晶显示装置的示图；
图2A是图解沿图1的线A-A’所取的液晶显示装置的剖面图；
图2B图解了根据现有技术的液晶显示装置的问题；
图3是图解根据本发明一个实施方式的液晶显示装置的平面图；
图4是图解沿图3的线A-A’所取的根据本发明的液晶显示装置的剖面图；
图5A和图5B是图解根据本发明另一个实施方式的液晶显示装置的平面图；和
图6A至图6C是图解根据本发明一个实施方式的工艺步骤的剖面图。
具体实施方式
现在详细描述本发明的示例性实施方式，附图中图解了这些实施方式的一些实例。在任何可能的情况下，在整个附图中将使用相同的参考数字表示相同或相似的部件。
在本发明的实施方式中，当某个结构形成在另一结构“上或上方”和“下或下方”时，应当理解为本公开内容包括：这些结构彼此接触；以及在上述结构之间夹有第三结构。
将基于形成在上基板上的黑矩阵的结构和制造方法描述本发明的液晶显示装置。因此，将省略背光单元和驱动电路部分的详细描述。
图3是图解根据本发明一个实施方式的液晶显示装置的平面图。
如图3中所示，根据本发明的液晶显示装置包括上基板200、黑矩阵230、下基板300、地电极390和连接部500。
上基板200设置有透明导电膜、黑矩阵230和滤色器。
下基板300设置有栅极线、数据线、薄膜晶体管和地电极390。
连接部500形成在液晶显示装置的一端处，并且连接部500将透明导电膜与地电极390连接。连接部500可由银点制成。
黑矩阵230形成在上基板200上，并且黑矩阵230包括一个或多个岛状端部232a。在多个端部的情形中，所述端部232a以预定间隔彼此隔开。
在下文中，将参照图4更详细地描述根据本发明的包括黑矩阵230的液晶显示装置100。
图4是图解沿图3的线A-A’所取的根据本发明的液晶显示装置的剖面图。
如图4中所示，根据本发明的液晶显示装置100包括上基板200、下基板300、地电极390、液晶层400、密封剂420和连接部500。
上基板200包括第一基板210、黑矩阵230、滤色器240a至240c、覆层250和透明导电膜220。
第一基板210可由透明玻璃或透明塑料制成。
黑矩阵（BM）230形成在第一基板210的下面，并且黑矩阵230用于遮挡非显示区域的光，在非显示区域中，液晶层400的定向不被控制。
黑矩阵230包括第一黑矩阵232、一个或多个端部232a和第二黑矩阵234。
第一黑矩阵232沿着上基板200的拐角形成，并且第一黑矩阵232防止光向着液晶显示装置的拐角泄漏。
第二黑矩阵234形成在开口的外周部中，所述开口形成在与下基板300的像素区域对应的区域中，从而第二黑矩阵234用以防止光向着像素区域外周部中的非显示区域泄漏。第二黑矩阵234与第一黑矩阵232连接。
一个或多个端部232a位于第一黑矩阵232的末端处，并且所述一个或多个端部232a形成为岛状从而与第一黑矩阵232保持电绝缘。在多个端部的情形中，所述端部232a以预定间隔彼此隔开。
一个或多个端部232a以预定间隔与第一黑矩阵232隔开以与第一黑矩阵232绝缘，并且一个或多个端部232a可以以矩形的棒状形成。
因为一个或多个端部232a与第一黑矩阵232隔开，所以即使在划线工艺过程中覆层250和一个或多个端部232a被部分去除，第一黑矩阵232仍可与连接部500保持绝缘。
因此，可减少在上基板200中沿第一黑矩阵232产生由静电放电（ESD）导致的黑色均匀性缺陷。
黑色均匀性缺陷是指在液晶显示面板的整个表面上并未均匀地形成黑色区域，而在液晶显示面板的某表面上出现亮点。
第一黑矩阵232、一个或多个端部232a和第二黑矩阵234可由同一材料形成在同一层上。第一黑矩阵232、一个或多个端部232a和第二黑矩阵234可包括导电材料。
滤色器240a至240c形成在黑矩阵230上并包括第一滤色器240a、第二滤色器240b和第三滤色器240c。
第一滤色器240a可由红（R）、绿（G）和蓝（B）中任意一种颜色的滤色器制成，第二滤色器240b可由红（R）、绿（G）和蓝（B）中另一种颜色的滤色器制成，而第三滤色器240c可由红（R）、绿（G）和蓝（B）中其它一种颜色的滤色器制成。换言之，第一滤色器240a可由红（R）、绿（G）、蓝（B）中一种颜色的滤色器制成，第二滤色器240b可由剩余颜色中的一种颜色的滤色器制成，而第三滤色器240c可由剩余颜色中的另一种颜色的滤色器制成。例如，第一滤色器240a可由绿（G）色滤色器制成，第二滤色器240b可由蓝（B）色滤色器制成，而第三滤色器240c可由红（R）色滤色器制成。
同时，滤色器240a至240c可形成在设置有薄膜晶体管的第二基板上。这样，在同一基板上形成薄膜晶体管和滤色器240a至240c的结构将被称作TFT上滤色器（color filter on TFT，COT）结构。
因为当像现有技术一样设计黑矩阵时COT结构不需要考虑粘结裕度（bonding margin），所以其具有下述优点，即当形成上基板时，开口区域增大并且工艺简化。
覆层250形成在滤色器240a至240c上，并且覆层250补偿由滤色器240a至240c导致的台阶差（step difference），从而平化（planarize）表面。覆层250由绝缘材料形成，从而防止地电压通过连接部500移向黑矩阵230。
透明导电膜220形成在第一基板210的后表面上，并且透明导电膜220通过连接部500与地电极390连接，透明导电膜220吸收静电放电（ESD）电荷，从而使ESD电荷流向地电极390，由此避免了在液晶显示装置100的表面上产生由ESD导致的损害。
透明导电膜220可由诸如氧化铟锡（ITO）这样的透明导电材料制成。
下基板300包括第二基板310、栅极线（未示出）、数据线（未示出）、遮光元件325、栅极320、栅极绝缘膜340、有源层350、源极362、漏极364、钝化层370、公共电极330、像素电极380和地电极390。
第二基板310可由诸如玻璃或塑料这样的透明材料形成。
尽管未示出，但栅极线在第一方向，例如水平方向上布置在下基板300上，而数据线在第二方向，例如垂直方向上布置在下基板300上。这样，数据线布置成与栅极线交叉，由此限定多个像素区域。
尽管栅极线和数据线可布置为直线，但它们并不限于直线而是可布置为曲线。
栅极320形成在第二基板310上，并且栅极320由导电材料形成，从而将施加给栅极线（未示出）的电信号传输给薄膜晶体管。
遮光元件325形成在位于第一黑矩阵232与一个或多个端部232a之间的绝缘部的下方。遮光元件325防止光从第一黑矩阵232与一个或多个端部232a之间泄露。遮光元件325可以与栅极320形成在同一层上，但是并不局限于此。例如，遮光元件325可以与源极362形成在同一层上。
栅极绝缘膜340形成在栅极320上，并且栅极绝缘膜340可由氧化硅膜（SiOX）或氮化硅膜（SiNX）制成，以在栅极320、源极362和漏极364之间绝缘。
有源层350形成在栅极绝缘膜340上，并且有源层350可由诸如非晶硅和氧化物半导体这样的材料制成。
如果给栅极320施加信号，则有源层350用于形成电流流动的沟道，由此施加给源极362的信号可传输到漏极364。
源极362在有源层350上从数据线（未示出）延伸，并且源极362由导电金属制成，以将施加给数据线的数据信号传输到薄膜晶体管。
漏极364在有源层350上与源极362面对并隔开，并且漏极364与像素电极380连接。漏极364由导电金属制成并将信号从源极362传输到像素电极380。
钝化层370形成在源极362和漏极364上以实现绝缘功能。钝化层370可由氧化硅膜（SiOX）或氮化硅膜（SiNX）制成。
像素电极380形成在钝化层370上，并且像素电极380通过预定接触孔与漏极364连接。为此，在钝化层370的预定区域中形成该接触孔，像素电极380和漏极364通过该接触孔彼此连接。
像素电极380形成在每个像素区域中，像素电极380由透明导电材料制成，并且像素电极380与公共电极330一起在液晶层400中形成电场。
像素电极380与公共电极330平行布置。通过彼此平行布置的像素电极380与公共电极330之间产生的水平电场，可以控制液晶层的定向方向。
在前述的像素电极380和公共电极330中可进行各种修改。例如，像素电极380和公共电极330中的任意一个以板结构形成，而另一个以指状结构形成，由此可以通过像素电极380和公共电极330之间的边缘电场（fringe field）控制液晶层的定向方向。
同时，尽管未示出，但是可在像素电极380上形成用于液晶定向的定向膜。
地电极390形成在第二基板310的一端处，更特别地是形成在与一个或多个端部232a对应的第二基板310的一端处，以便使连接部的长度最小，并且地电极390成为液晶显示装置100的地电压的基准。
液晶显示装置100的外侧通过地电极390接地，地电极390用于将产生在透明导电膜220中的浪涌电流（surging current）泄放至地，或者将透明导电膜220中吸收的静电电荷泄放至地。
液晶层400形成在上基板200和下基板300之间的空间中，液晶注入到液晶层400中，从而液晶层400用于根据像素电极380和公共电极330的电场变化来改变光透射比。
密封剂420沿上基板200和下基板300的外侧形成，并且密封剂420将上基板200和下基板300粘结从而不让注入到液晶层400中的液晶流出。
连接部500形成在密封剂420的外部，并且连接部500将上基板200的透明导电膜220与下基板300的地电极390电连接。
连接部500通过在一个或多个端部232a上方延伸而形成为与一个或多个端部232a交叠。参照图3，优选地，连接部500形成为不与第一黑矩阵232交叠。尤其是，优选地，连接部500不与对应于第一基板的边缘的第一黑矩阵232的各侧边（X）交叠。同时，连接部500可以与面对一个或多个端部232a的第一黑矩阵232的各侧边（Y）交叠。
连接部500通过印刷方法（printing method）或分配方法（dispensingmethod）形成，并且连接部500由具有良好导电率的银胶(Ag-paste)形成。
连接部500用作通过地电极390使透明导电膜220中吸收的静电电荷流出至地的通路，或者用作通过地电极390使透明导电膜220中产生的浪涌电流流出至地的通路。因此，可保护液晶显示装置100免于ESD损害。
图5A和图5B是图解根据本发明另一个实施方式的液晶显示装置的平面图。
首先，如图5A中所示，一个或多个岛状端部232a可以形成有曲线形端。在该情形中，连接部500也可以以具有诸如圆形这样的曲线形端的形状形成。
一个或多个端部232a通过连接部500与地电极390电连接，从而使施加给形成在上基板200上的透明导电膜（未示出）的静电电荷流出。
此时，连接部500可形成在液晶显示装置的一个拐角处。
接下来，如图5B中所示，一个或多个岛状端部232a可以以一个拐角内凹的
Figure BDA00002004529500091
形曲线形成。
一个或多个端部通过连接部500与地电极390电连接，从而使施加给形成在上基板200上的透明导电膜（未示出）的ESD的电荷流出。
图6A至图6C是图解根据本发明一个实施方式的工艺步骤的剖面图。
首先，如图6A中所示，在上基板200的第一基板210上形成吸收ESD的电荷的透明导电膜220。
接着，在第一基板210的下面形成黑矩阵230。
此时，黑矩阵230包括沿第一基板210的拐角遮挡光泄漏的第一黑矩阵232、以岛状位于第一黑矩阵232的一端处从而与第一黑矩阵232保持绝缘的一个或多个端部232a、以及沿与像素区域对应的开口的拐角形成的第二黑矩阵234。在多个端部的情形中，所述端部232a彼此隔开。
此时，通过使用一个掩模的同一工艺同时形成第一黑矩阵232、一个或多个端部232a和第二黑矩阵234。
一个或多个端部232a以预定间隔与第一黑矩阵232隔开，由此即使在划线工艺过程中一个或多个端部232a被部分去除，一个或多个端部232a仍可保持与第一黑矩阵232绝缘。
因此，可减少由沿第一黑矩阵232流动的接地电流导致的黑色均匀性缺陷。
接着，在黑矩阵230上形成滤色器240a至240c，并且在滤色器240a至240c上形成覆层250。
滤色器240a至240c可以下述方式形成，即按顺序地形成第一滤色器240a、第二滤色器240b和第三滤色器240c。
第一滤色器240a可由红（R）、绿（G）和蓝（B）中任意一种颜色的滤色器制成，第二滤色器240b可由红（R）、绿（G）和蓝（B）中另一种颜色的滤色器制成，而第三滤色器240c可由红（R）、绿（G）和蓝（B）中其它一种颜色的滤色器制成。换言之，第一滤色器240a可由红（R）、绿（G）、蓝（B）中一种颜色的滤色器制成，第二滤色器240b可由剩余颜色中的一种颜色的滤色器制成，而第三滤色器240c可由剩余颜色中的另一种颜色的滤色器制成。例如，第一滤色器240a可由蓝（B）色滤色器制成，第二滤色器240b可由红（R）色滤色器制成，而第三滤色器240c可由绿（G）色滤色器制成。
此时，滤色器240可形成在第二基板310上，从而形成上述的COT结构，将省略其重复描述。
覆层250由绝缘材料制成，形成在滤色器240上，并且覆层250去除了由滤色器240导致的台阶差，从而平化表面。此外，覆层250防止地电压通过连接部500移向黑矩阵230。
接着，如图6B中所示，在下基板300的第二基板310上形成薄膜晶体管，而在第二基板310的一端处，更特别地是在与一个或多个端部232a对应的第二基板310的一端处形成地电极390。
此外，形成公共电极330和像素电极380，从而根据IPS模式的电场驱动液晶。
薄膜晶体管以下述方式形成，即按顺序地沉积和蚀刻栅极320、遮光元件325、栅极绝缘膜340、有源层350、源极362、漏极364和钝化层370。
接着，使上基板200和下基板300彼此粘结并在粘结后的基板中注入液晶以形成液晶层400。
可以通过真空注入方法（vacuum injection method）或液晶分配方法(liquidcrystal dispensing method)进行通过夹持液晶层400而使上基板200和下基板300彼此粘结的工艺。
之后，如图6C中所示，形成将地电极390与透明导电膜220连接的连接部500。
连接部500通过印刷方法或分配方法形成，并且连接部500由具有良好导电率的银胶形成。
连接部500通过在一个或多个端部232a上方延伸而形成为与一个或多个端部232a交叠。参照图3，优选地，连接部500形成为不与第一黑矩阵232交叠。尤其是，优选地，连接部500不与对应于第一基板的边缘的第一黑矩阵232的各侧边（X）交叠。同时，连接部500可以与面对一个或多个端部232a的第一黑矩阵232的各侧边（Y）交叠。
连接部500用作通过地电极390使透明导电膜220中吸收的静电电荷流出的通路，或者用作通过地电极390使透明导电膜220中产生的浪涌电流流出至地的通路。因此，可保护液晶显示装置100免于ESD损害。
如上所述，根据本发明，可获得下面的优点。
因为ESD的电荷不会通过黑矩阵流到液晶显示面板中，所以可减少黑色均匀性缺陷。
在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在本发明中能进行各种修改和变化，这对于本领域技术人员来说是显而易见的。因而，本发明意在覆盖落入所附权利要求（要求保护的技术方案）及其等同物范围内的本发明的修改和变化。

Claims (13)

1.一种液晶显示装置，包括：
第一基板和第二基板，所述第一基板与所述第二基板彼此面对；
透明导电膜，所述透明导电膜形成在所述第一基板的一个表面上，用于吸收静电放电电荷；
黑矩阵，所述黑矩阵包括：第一黑矩阵，所述第一黑矩阵形成在所述第一基板的另一个表面的一拐角上；和一个或多个端部，所述一个或多个端部以预定间隔与所述第一黑矩阵的一端隔开以绝缘；
地电极，所述地电极形成在所述第二基板的一个表面上；和
连接部，所述连接部连接所述透明导电膜与所述地电极，并且所述连接部在所述一个或多个端部上方延伸。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述一个或多个端部以岛状形成。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述第一黑矩阵和所述一个或多个端部由同一材料形成在同一层上。
4.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述地电极形成在与所述一个或多个端部对应的所述第二基板的一端处。
5.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述连接部不与对应于所述第一基板的边缘的所述第一黑矩阵的各侧边交叠。
6.根据权利要求1所述的液晶显示装置，进一步包括遮光元件，所述遮光元件形成在位于所述第一黑矩阵与所述一个或多个端部之间的绝缘部的下方。
7.一种制造液晶显示装置的方法，所述方法包括下述步骤：
在第一基板的一个表面上形成吸收静电放电电荷的透明导电膜；
形成黑矩阵，所述黑矩阵包括所述第一基板的另一个表面的一拐角上的一个或多个端部和第一黑矩阵，所述一个或多个端部以预定间隔与所述第一黑矩阵的一端隔开以绝缘；
在第二基板的一个表面上形成地电极；
将所述第一基板和所述第二基板彼此粘结；以及
形成连接所述透明导电膜与所述地电极的连接部，其中所述连接部在所述一个或多个端部上方延伸。
8.根据权利要求7所述的方法，其中通过同一工艺同时形成所述第一黑矩阵和所述一个或多个端部。
9.根据权利要求7所述的方法，其中所述一个或多个端部以岛状形成。
10.根据权利要求7所述的方法，其中所述地电极形成在与所述一个或多个端部对应的所述第二基板的一端处。
11.根据权利要求7所述的方法，其中所述连接部不与对应于所述第一基板的边缘的所述第一黑矩阵的各侧边交叠。
12.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：在位于所述第一黑矩阵与所述一个或多个端部之间的绝缘部的下方形成遮光元件。
13.根据权利要求12所述的方法，其中当形成栅极线时形成所述遮光元件。
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