CN1277150C

CN1277150C - 液晶显示板的制造方法

Info

Publication number: CN1277150C
Application number: CNB031410111A
Authority: CN
Inventors: 柳洵城; 张允琼; 赵兴烈; 南承熙
Original assignee: LG Philips LCD Co Ltd
Current assignee: LG Display Co Ltd
Priority date: 2002-07-23
Filing date: 2003-05-23
Publication date: 2006-09-27
Anticipated expiration: 2023-05-23
Also published as: US20040017520A1; CN1470925A; US7527989B2; US20050186718A1; US6897099B2

Abstract

一种液晶显示板的制造方法。在下基板上形成薄膜晶体管阵列，在上基板上形成滤色器阵列。薄膜晶体管阵列具有选通线、数据线、数据焊盘、薄膜晶体管和像素电极。将上下基板粘接在一起并切割成单元之后，露出下基板上的选通线和数据线的端部的选通焊盘和数据焊盘。

Description

液晶显示板的制造方法

技术领域

本发明涉及液晶显示器件，特别涉及能简化制造工艺的液晶显示板的制造方法。

背景技术

随着面向信息的社会的发展，对显示技术的要求在各种方面日益增长。近年来为了满足这些要求，正在研制不同的平板型显示器技术，如液晶显示器(LCD)器件、等离子体显示板(PDP)器件、场致发光显示器(ELD)器件、真空荧光显示器(VFD)器件等。这些技术当中有些被用做各种应用中的显示器件。在平板型显示器中，LCD器件已经被广泛地用做便携式显示器。这里，由于LCD器件具有优异的图像质量、重量轻、厚度薄以及低功耗，而代替了CRT(阴极射线管)。除了便携式LCD器件之外，如笔记本计算机的监视器，正在研制用于电视和计算机监视器的LCD器件。

尽管发展了用在不同领域的LCD器件的各种LCD技术，但是用于提高LCD器件的图像质量的努力在很多方面与LCD器件的特点和优点不相容。因此，为了采用LCD器件在各种领域中作为一般显示器件，关键是发展和实现具有重量轻、厚度薄和低功耗特点的高质量图像(如高清晰度)、高亮度和大尺寸屏幕。

LCD器件包括用于显示图像的液晶显示板和用于向液晶显示板提供驱动信号的驱动部分。液晶显示板具有粘接在一起并在其间有间隙的上和下基板、以及形成在上和下基板之间的液晶层。在下基板(薄膜晶体管阵列基板)上有互相交叉设置的多个选通线(gate 1ine)和数据线、在选通线和数据线的每个交叉部位用做开关器件的薄膜晶体管、形成在液晶单元中并连接到薄膜晶体管的像素电极等、以及涂敷在上述系统元件上的配向膜。选通线和数据线分别通过相关焊盘从驱动电路接收扫描信号和像素电压信号。给定的薄膜晶体管响应输送给选通线的扫描信号将输送给数据线的像素电压信号输送给像素电极。上基板(滤色器阵列基板)具有为每个LCD单元形成的滤色器、用于分离滤色器和反射外部光的黑底、用于向LCD单元公共地提供参考电压的公共电极、以及涂敷在其上的配向膜。

通过分开制造、并将薄膜晶体管阵列基板和滤色器阵列基板粘接在一起、在其中注入液晶以及密封上述基板来完成LCD板的制造。在制造LCD器件时，不是在一个基板上形成一个LCD板，而是根据基板和LCD板的尺寸在大尺寸基板上形成多个LCD板。

LCD板的薄膜晶体管(TFT)阵列基板是LCD板的成本的主要部分，因为TFT阵列基板具有复杂的制造工艺，包括半导体制造工艺和多个掩模工艺。为解决该问题，已经研制了一种减少掩模工艺数量的制造工艺。这是因为每个掩模工艺包括很多工艺，如淀积、清洗、光刻、刻蚀、光刻胶剥离和检查。

现在说明用于制造LCD板的现有技术方法。首先，说明LCD板中的现有技术TFT阵列基板。

参见图1，在下基板20(见图2A-2D)上，有在一个方向以固定间隔平行延伸的选通线21、在一个方向从选通线21突出的栅极21a、和在正向选通线的存储电容器位置上的存储下电极(未示出)。在选通线21的端部有选通焊盘21b，在数据线26的端部有数据焊盘26c。在具有选通线21、栅极21a和存储下电极的下基板20上设置栅极绝缘膜。在栅极21a上的栅极绝缘膜上设置有源层25。有源层25由非晶硅形成。垂直选通线21形成数据线26以确定像素区。源极26a在一个方向从数据线26突出并与一部分有源层25重叠。漏极26d与有源层25的其它部分重叠并与源极26a间隔一定距离。欧姆接触层24a(见图2C-2D)设置在源极26a和漏极26b下面的有源层25上。存储上电极(未示出)与漏极26b一起形成并延伸到形成在正向选通线上的存储下电极的顶部。像素电极28通过像素区中的相应接触孔接触存储上电极和漏极26b。有机膜(未示出)形成在具有薄膜晶体管和像素区的下基板20的整个表面上，像素区具有到达选通焊盘21b和数据焊盘26c的接触孔。

下面说明制造LCD板的薄膜晶体管阵列基板的现有技术方法。图2A-2D示出了沿着图1中的线I-I’、II-II’和III-III’截取的剖面图，并表示制造方法的步骤。

参见图2A，在下基板20上淀积导电金属并构图，以便形成在一端具有预定大面积的选通焊盘21b、在一个方向上从选通焊盘21b延伸的选通线、以及从选通线向一个方向突出的栅极21a。然后，在具有形成在其上的栅极21a的下基板20的整个表面上依次形成绝缘膜22、以及用于形成有源层的第一和第二半导体层(非晶硅层，和n⁺掺杂非晶硅层)23和24。

接着，参见图2B，采用掩模，对图2A的第一和第二半导体层23和24进行构图，由此在栅极21a上形成岛形的有源层25。

参见图2C，在具有形成在其上的有源层25的下基板的整个表面上淀积导电金属并构图，由此形成在垂直于选通线的方向形成的多个数据线。每个数据线具有在其端部的数据焊盘26c、在栅极21a的侧向从数据线突出的源极26a、和与源极26a隔开的漏极26b。在构图导电金属时，由于源极26a和漏极26b之间的第二半导体层24的过刻蚀而形成欧姆接触层24a。然后，在包括漏极26b的下基板20的整个表面上形成保护膜27。

接着，参见图2D，通过光掩模工艺刻蚀保护膜27，由此形成分别到达漏极26b、选通焊盘21b和数据焊盘26c的第一、第二和第三接触孔29a、29b和29c。然后，在包括第一、第二和第三接触孔29a、29b和29c的保护膜27上淀积透明导电金属，并构图，以便形成通过第一接触孔29a与漏极26b接触的并在像素区中的像素电极28a、在第二接触孔29b和与第二接触孔29b相邻的保护膜27上的与选通焊盘21b接触的选通端子28b、以及在第三接触孔29c和与第三接触孔29c相邻的保护膜27上的与数据焊盘26c接触的数据端子28c。

在上述工艺中，采用了五个掩模。在通过在第一选通焊盘21b和数据焊盘26c中形成第二和第三接触孔29b和29c而进行焊盘开口处理时，由于在选通焊盘21b上有栅极绝缘膜22和保护膜27两层，并在数据焊盘26c上只有一层保护膜27，因此由于在打开焊盘时的厚度差而容易产生缺陷。换言之，如果进行刻蚀直到露出数据焊盘26c为止，不可能打开选通焊盘21b。这样，采用五个掩模导致复杂的制造工艺和有缺陷的焊盘开口。

因而，近来引入了四掩模制造工艺以减少掩模的数量。下面说明根据四掩模制造工艺制造TFT阵列基板的现有技术方法。图3示出了根据现有技术LCD在TFT阵列基板上的像素的放大平面图，图4示出了沿着图3中的线I-I’、II-II’和III-III’截取的剖面图。图5A-5D示出了表示用于制造图4中所示的TFT阵列基板的方法的步骤的剖面图。

参见图3和4，TFT阵列基板包括：形成在下基板40上并互相交叉的选通线41和数据线45，并且栅极绝缘膜42形成在二者之间；形成在每个交叉部位的薄膜晶体管T；形成在由交叉结构限定的单元区中的像素电极49a；形成在选通线41的端部的选通焊盘41b；以及在数据线45的端部的数据焊盘46。薄膜晶体管T设有从选通线41的一侧突出的栅极41a、从数据线45的一侧突出的源极45a、部分地从源极45a突出并与像素电极49a接触的漏极45b、以及形成源极45a和漏极45b之间的沟道的有源层43。有源层43形成得与数据焊盘46、数据线45、源极45a和漏极45b重叠并位于它们下面。有源层43还包括源极45a和漏极45b之间的沟道部分。在有源层43上设置欧姆接触层44，用于与数据焊盘46、数据线45、源极45a和漏极45b欧姆接触。

薄膜晶体管T响应输送给选通线的栅极信号将像素电压信号输送给数据线45，给像素电极49a充电。像素电极49a通过贯穿保护膜47的第一接触孔48a与薄膜晶体管T的漏极45b接触。由于被充电的像素电极，像素电极49a与上基板(未示出)上的公共电极之间产生电位差。该电位差使薄膜晶体管基板和上基板之间的液晶由于介质各向异性而旋转，由此通过像素电极49a向上基板透射从光源(未示出)入射到其上的光。

选通线41通过选通焊盘部分连接到选通驱动器(未示出)。选通焊盘部分设有从选通线41延伸的选通焊盘41b、以及通过贯穿栅极绝缘膜42和保护膜47的第二接触孔48b连接到选通焊盘41b的选通焊盘端子49b。数据线45通过数据焊盘部分连接到数据驱动器(未示出)。数据焊盘部分设有从数据线45延伸的数据焊盘46、以及通过贯穿保护膜47的第三接触孔48c连接到数据焊盘46的焊盘端子49c。选通焊盘41b和数据焊盘46通过各向异性导电膜连接到具有安装在其上的驱动集成电路的TCP输出焊盘(未示出)。

下面详细说明采用四掩模制造工艺制造前述TFT阵列基板的现有技术方法。

参见图5A，通过溅射等方法在下基板40上淀积栅极金属层，并通过采用第一掩模的光刻和刻蚀进行构图，由此在一个方向形成选通线41。栅极41a从选通线41的一侧突出，选通焊盘41b位于选通线41的端部。该栅极金属层是Cr、Mo或Al的单层、或双层。

参见图5B，在包括栅极图形(选通线41、栅极41a和选通焊盘41b)的下基板40上依次形成栅极绝缘膜42、有源层44、欧姆接触层43、以及数据图形。采用数据部分，在数据焊盘部分上形成数据焊盘46。详细地说，利用淀积，如PECVD或溅射，在具有形成在其上的栅极图形的下基板42上依次形成栅极绝缘膜42、非晶硅层、n⁺非晶硅层和数据金属层。通过光刻利用第二掩模在数据金属层上形成光刻胶图形。在这种情况下，采用在薄膜晶体管的沟道部分中具有折射曝光部分的折射曝光掩模以使在沟道部分上的光刻胶图形的高度比其它数据图形部分低。然后，通过采用光刻胶图形进行湿刻蚀，由此形成包括数据线45、源极线45a、与源极45a成一体的漏极45b的数据图形。接下来，采用相同的光刻胶图形进行干刻蚀，以同时构图n⁺非晶硅层和该非晶硅层，形成欧姆接触层44和有源层43。然后，通过灰化除去在沟道部分中具有相对低高度的光刻胶图形，并且干刻蚀数据图形和欧姆接触层44。因而，露出沟道部分中的有源层43，以便分开源极45a和漏极45b。随后，通过剥离除去留在数据图形部分上的光刻胶图形。

在前述工艺中，在数据焊盘部分中形成光刻胶图形，并且在进行湿刻蚀和干刻蚀时，形成具有叠置在其上的非晶硅层、n⁺非晶硅层以及数据金属层的数据焊盘46。栅极绝缘膜42由无机绝缘材料形成，如氧化硅SiO_x，或氮化硅SiN_x。数据金属层由Mo、Ti、Ta、或Mo合金形成。

参见图5C，通过淀积如PECVD等在包括数据线45的下基板40的整个表面上形成保护膜47，并利用第三掩模通过光刻和刻蚀对其进行刻蚀，由此形成第一到第三接触孔48a、48b和48c。第一接触孔48a形成为贯穿保护膜47并露出漏极45b。第二接触孔48b形成为贯穿保护膜和栅极绝缘膜42并露出选通焊盘41b。第三接触孔48c形成为贯穿保护膜47并露出数据焊盘46。保护膜47由与栅极绝缘膜42相同的无机绝缘材料、低介电常数的丙烯基有机化合物、或有机绝缘材料如BCB或PFCB等形成。

参见图5D，在保护膜47上形成透明电极图形。通过淀积如溅射在保护膜47的整个表面上淀积透明电极材料。然后，利用光刻和刻蚀用第四掩模构图透明电极材料，以便形成透明电极图形，其包括像素电极49A、选通焊盘端子49b、数据焊盘端子49c。像素电极49a通过第一接触孔48a电连接到漏极45b。选通端子49b通过第二接触孔48b电连接到选通焊盘41b。数据焊盘端子49c通过第三接触孔48c电连接到数据焊盘46。

这样，在现有技术TFT基板及其制造方法中，与采用五掩模工艺相比，采用四掩模工艺可以成比例地减少制造工艺和节省制造成本。然而，即使采用四掩模工艺制造薄膜晶体管基板，仍需要接触孔形成工艺，用于打开形成在选通线和数据线端部的选通焊盘和数据焊盘。而且，在形成接触孔时，与五掩模工艺相同，即使只需要除去数据焊盘上面的部分中的保护膜，也需要除去选通焊盘上面的部分中的栅极绝缘膜和保护膜两层，从而造成缺陷焊盘开口。这样，即使通过减少掩模数量而简化了制造工艺，在对选通焊盘和数据焊盘进行开口时存在缺陷开口问题。

发明内容

相应地，本发明涉及液晶显示板的制造方法，基本上解决了由于现有技术的限制和缺点引起的一个或多个问题。

本发明的目的是提供可简化制造工艺和解决有缺陷的焊盘开口的液晶显示板制造方法。

本发明的附加特点和优点将体现在下面的说明中，其中部分特点和优点从说明可明显看出，或者可通过实施本发明而获悉。本发明的目的和其它优点将通过在下面的文字说明和权利要求书以及附图中特别指出的结构来实现。

为实现这些和其它优点并根据本发明的目的，如实施和广泛描述的，液晶显示板的制造方法包括以下步骤：在下基板上形成薄膜晶体管阵列，该薄膜晶体管阵列具有选通线、数据线、数据焊盘、薄膜晶体管和像素电极；在上基板上形成滤色器阵列；将上基板和下基板粘接在一起；将粘接的上基板和下基板切割成单元；和露出粘接的上下基板的下基板上的选通线和数据线的端部上的选通焊盘和数据焊盘。

在另一方案中，液晶显示板的制造方法包括以下步骤：形成薄膜晶体管阵列基板，其包括具有选通线、数据线、薄膜晶体管和像素电极的屏幕区域，具有选通焊盘、在每个选通焊盘外部中与栅极绝缘膜重叠形成的过刻蚀防止图形、和数据焊盘的焊盘区，在各个数据焊盘上的数据焊盘保护电极，和在屏幕区域和焊盘区的整个表面上的保护膜；形成滤色器阵列基板；粘接薄膜晶体管阵列基板和滤色器阵列基板，以便焊盘区保持不被覆盖；刻蚀焊盘区的部分保护膜和过刻蚀防止图形，以便部分地露出选通焊盘和数据焊盘保护电极，并在对应选通焊盘上的栅极绝缘膜中形成栅极孔。

应该理解前面一般性的说明和后面的详细说明都是示意性的并用于进一步解释所要求保护的本发明。

附图说明

被包括以提供本发明的进一步理解并构成本说明书的一部分的附图示出了本发明的实施例并与文字说明一起解释本发明的原理。附图中：

图1表示现有技术液晶显示板中的薄膜晶体管阵列基板上的像素的放大平面图；

图2A-2D表示沿着图1中的线I-I’、II-II’和III-III’截取的剖面图，表示制造方法的步骤；

图3表示在另一现有技术LCD板中的TFT阵列基板上的像素的放大平面图；

图4表示沿着图3中的线I-I’、II-II’和III-III’截取的剖面图；

图5A-5D是表示图4中所示的TFT阵列基板的制造方法的步骤的剖面图；

图6A和6B是表示根据本发明示例实施例的液晶显示板的制造方法的步骤的流程图；

图7表示根据本发明第一示例实施例的TFT阵列基板上的像素的放大平面图；

图8A-8C表示沿着图7中的线IV-IV’、V-V’和VI-VI’截取的剖面图，表示制造方法的步骤；

图9表示本发明的LCD板中的选通焊盘的开口方法；

图10A和10B表示根据本发明第一优选实施例在对选通焊盘形成开口之前和之后的示意图；

图11表示根据本发明示例实施例的LCD中的数据焊盘的开口方法；

图12A和12B表示根据本发明第一示例实施例在数据焊盘开口之前和之后的示意图；

图13表示根据本发明第二示例实施例在TFT阵列基板上的像素的放大平面图；

图14A-14D表示沿着图13中的线IV-IV’、V-V’和VI-VI’截取的剖面图，表示制造方法的步骤；

图15表示根据本发明第三示例实施例的TFT阵列基板上的像素的放大平面图；

图16A-16C表示沿着图13中的线IV-IV’、V-V’和VI-VI’截取的剖面图，表示制造方法的步骤；

图17A是表示根据本发明第三示例实施例粘接LCD板的TFT阵列基板和滤色器阵列基板的步骤的剖面图；和图17B是表示根据本发明第三示例实施例在LCD板中露出焊盘部分的步骤的剖面图；

图18是表示根据本发明第三示例实施例在选通焊盘和数据焊盘开口时的过刻蚀的剖面图；

图19表示根据本发明第四示例实施例的LCD板中的TFT阵列基板的平面图；

图20表示沿着图19中的线VII-VII’、VIII-VIII’和IX-IX’截取的剖面图；

图21A-21G表示沿着图19中的线VII-VII’、VIII-VIII’和IX-IX’截取的剖面图，表示制造方法的步骤；

图22A是表示根据本发明第四示例实施例粘接LCD板的TFT阵列基板和滤色器阵列基板的步骤的剖面图；和

图22B是表示根据本发明第四示例实施例在LCD板中露出焊盘部分的步骤的剖面图。

具体实施方式

下面参照附图中的例子详细说明本发明的优选实施例。

图6A和6B分别是表示根据本发明示例实施例的液晶显示板的制造方法的步骤的流程图。液晶显示板包括：下基板、上基板以及注入上基板和下基板之间的液晶板。下基板具有以固定间隔设置的多个选通线和以固定间隔设置并垂直于形成在其上的选通线的多个数据线，以便形成各具有形成在其中的薄膜晶体管和像素电极的像素区的矩阵。上基板具有形成在其上的黑底层和滤色器层。

LCD板的制造工艺包括以下步骤：制造基板、制造单元和制造组件。选通焊盘和数据焊盘位于下基板上的选通线和数据线的端部。参见图6A和6B，本发明建议不是在制造下基板(TFT阵列基板)期间，而是在粘接上下基板之后，对选通焊盘和数据焊盘进行开口。

基板制造工艺包括制造玻璃基板形成的下基板(TFT阵列基板)(S10-1)的工艺以及制造玻璃基板形成的上基板(滤色器阵列基板)(S10-2)的工艺。制造下基板的工艺是在下基板上形成包括选通线、数据线、薄膜晶体管、像素电极的薄膜晶体管阵列的工艺。制造上基板的工艺是在具有形成在其上的光屏蔽膜的上基板上形成染料或颜料的R(红)、G(绿)和B(蓝)滤色器层，和在包括滤色器层的上基板的整个表面上形成公共电极(ITO：氧化铟锡)的工艺。

参见图6A，制造单元的工艺包括将完成的下基板和上基板制造成单个LCD单元状态，包括以下步骤：用于液晶分子的定向的配向处理(S11)，密封和隔开(S12)，粘接上和下基板(S13)，划线和断开(S14)，选通焊盘和/或数据焊盘的开口(S15)，注入液晶(S16)，密封液晶注入开口(S17)，以及连接偏振板(S18)。

更详细地说，制造单元的工艺包括以下步骤：配向处理(S11)，用于形成和研磨用于液晶分子均匀取向的配向膜，使得能够进行规则的液晶驱动并提供均匀显示特性；密封和隔开(S12)，用于散布间隔物和形成密封剂，用于保持完成了TFT制造工艺的下基板和完成了滤色器制造工艺的上基板之间的固定间隙；粘接下基板和上基板(S13)；划线和断开(S14)，用于分开形成在下基板和上基板上的多个单元；选通焊盘和/或数据焊盘开口(S15)，用于对分开单元的选通焊盘和数据焊盘开口；注入液晶(S16)，采用毛细管现象和压力差在单元之间注入液晶；密封液晶注入开口(S17)，用于密封液晶注入孔，阻止液晶从具有注入其中的液晶的单元流出；以及连接偏振板(S18)，用于在单元的两个表面上连接偏振板。

参见图6B，可以在密封液晶注入开口的步骤(S17)和连接偏振板的步骤(S18)之间进行选通焊盘和/或数据焊盘的开口步骤(S15)。接着，制造组件的步骤是一个制造用于处理信号的电路部分以及连接LCD板和该电路部分以制造组件的工艺。如上所述，本发明建议特别在通过划线和断开而分成多个单元，或密封液晶注入孔之后，在单元制造工艺期间对下基板上的选通焊盘和数据焊盘开口。下面介绍本发明的LCD板的制造方法的示例实施例。

图7示出了根据本发明第一示例实施例的TFT阵列基板上的像素的放大平面图，图8A-8C示出了沿着图7中的线IV-IV’、V-V’和VI-VI’截取的剖面图，表示制造方法的步骤。图9示出了本发明的LCD板中的选通焊盘的开口方法，图10A和10B示出了根据本发明第一示例实施例的选通焊盘开口之前和之后的示意图。图11示出了根据本发明示例实施例的LCD中的数据焊盘的开口方法，图12A和12B示出了根据本发明第一示例实施例的数据焊盘开口之前和之后的示意图。本发明的第一示例实施例建议在采用五个掩模制造LCD中的下基板之后的单元制造工艺中进行选通焊盘和数据焊盘开口。

首先，参见图8A，在透明下基板80上淀积导电金属并构图，由此形成具有预定面积的大端部的选通焊盘81b、在一个方向从选通焊盘81b延伸的选通线81(见图7)、以及在一个方向从选通线81突出的栅极81a。接着，在具有形成在其上的栅极81a的基板的整个表面上依次淀积绝缘膜82、以及用于形成有源层的第一和第二半导体层(非晶硅层、和n⁺非晶硅层)83和84。

参见图8B，在对第一和第二半导体层83和84进行构图时采用了用于形成有源层的掩模，由此在栅极81a上形成岛形的有源层85。

参见图8C，在具有形成在其上的有源层85的下基板80的整个表面上淀积导电金属并构图，从而形成具有在其端部形成的数据焊盘并在与选通线81交叉的一个方向设置的数据线、从数据线向栅极81a的一侧方向突出和延伸的源极86a、以及与源极86a隔开一定距离的漏极86b。在对导电金属进行构图时，对在源极86a和漏极86b之间的半导体层84的有源层85进行过刻蚀，从而形成欧姆接触层87。然后，在包括漏极86b的下基板80的整个表面上形成保护膜87。然后，刻蚀该保护膜，从而在漏极86b上形成漏极接触孔88(见图7)。接着，在具有形成在其中的漏极接触孔88的保护膜87上淀积透明导电金属并构图，从而在像素区中形成与漏极接触孔88接触的像素电极89。在这种情况下，由于像素电极89沿着数据线与数据线86的预定区域重叠形成，因此可以增加孔径(aperture)。通过前述方法制造下基板之后，进行用于定向液晶分子的配向处理(S11)、密封和间隔(S12)、粘接上下基板(S13)、以及划线和断开(S14)的步骤，由此将下基板分成多个单元。之后，对选通焊盘81b和数据焊盘86c进行开口。

首先，参见图9、10A和10B，将液晶单元的选通焊盘81b的露出部分浸渍在绝缘膜刻蚀剂90中，从而除去选通焊盘81b上的绝缘膜82和保护膜87。选通焊盘81b开口之前和之后的状态示于图10A和10B中。

接着，参见图11、12A和12B，通过将液晶单元的数据焊盘86c的露出部分浸在绝缘膜刻蚀剂110中，除去数据焊盘86c上的保护膜87，由此对数据焊盘86c开口。数据焊盘86c开口之前和之后的状态示于图12A和12B中。这里，示出了上基板100、黑底层101、公共电极102、和密封剂103。绝缘膜82和保护膜87分别由氮化硅SiN_x和氧化硅SiO₂形成。由于用于这些材料的刻蚀剂对密封剂103没有损伤，因此即使将选通焊盘和数据焊盘浸在绝缘膜刻蚀剂中，单元内部(即LCD板的内部)也不会受到损伤。

在选通焊盘81b和数据焊盘86c开口之后，进行以下步骤：通过采用毛细管现象和压力差向单元中注入液晶(S16)；密封液晶注入开口(S17)，用于密封液晶注入孔并阻挡液晶从具有注入到其中的液晶的单元露出；以及在单元的两个表面上连接偏振板(S18)。前述选通焊盘81b和数据焊盘86c的开口不是在基板制造工艺中进行，而是在单元制造工艺中进行的，例如在分开单元、注入液晶和密封注入孔之后进行的，如图6B所示。或者，选通焊盘81b和数据焊盘86c的开口还可以通过其中通过喷嘴将等离子体引向选通焊盘81b和数据焊盘86c的大气压等离子体刻蚀、或其中直接利用激光光束刻蚀选通焊盘和数据焊盘的激光刻蚀来进行。这样，选通焊盘81b和数据焊盘86c的开口是在粘接上下基板之后进行的。

图13示出了根据本发明第二示例实施例的TFT阵列基板上的像素的放大平面图。图14A-14D示出了沿着图13中的线IV-IV’、V-V’和VI-VI’截取的剖面图，表示制造方法的步骤。在本发明的第二示例实施例中，在制造下基板(薄膜晶体管阵列基板)时采用四个掩模，该制造方法如下。

参见图14A，通过淀积如溅射在下基板130上形成栅极金属层，并通过光刻和刻蚀利用第一掩模进行构图，从而形成在一个方向的选通线131(见图13)。栅极131a从选通线131的一侧突出形成，以及选通焊盘131b形成在选通线131的一端。栅极金属层是Cr、Mo或Al的一层或两层。

参见图14B，在包括栅极图形(选通线131、栅极131a和选通焊盘131b)的下基板130上依次形成栅极绝缘膜132、有源层133、欧姆接触层134和数据图形。选通焊盘136也形成在数据焊盘部分中。更详细地说，通过淀积如PECVD或溅射，在具有形成在其上的栅极图形的下基板132上依次形成栅极绝缘膜132、第一和第二半导体层(非晶硅层和n⁺非晶硅层)以及数据金属层。通过光刻，利用第二掩模在数据金属层上形成光刻胶图形(未示出)。这里，通过采用在薄膜晶体管的沟道部分上具有折射曝光部分的折射曝光掩模作为第二掩模，在沟道部分的光刻胶图形的高度比其它数据图形部分低。随后，采用光刻胶图形进行湿刻蚀，以对数据金属层进行构图，从而形成包括数据线135、源极135a以及与源极135a成一体的漏极135b的数据图形。采用相同的光刻胶图形进行干刻蚀，以同时对n⁺非晶硅层和非晶硅层进行构图，从而形成欧姆接触层134和有源层133。通过灰化除去在沟道部分中具有相对低的高度的光刻胶图形后，通过干刻蚀对沟道部分中的数据图形和欧姆接触层134进行刻蚀。因而，露出沟道部分中的有源层133，以便分开源极135a和漏极135b。剥离留在数据图形部分上的光刻胶图形。在前述工艺中，光刻胶图形也形成在数据焊盘部分中。随着进行湿刻蚀和干刻蚀，形成具有叠置在其上的非晶硅层、n⁺非晶硅层和数据金属层的数据焊盘136。栅极绝缘膜132由无机绝缘材料形成，如氧化硅SiO_x、或氮化硅SiN_x。数据金属层由Mo、Ti、Ta或Mo合金形成。

参见图14C，通过淀积如PECVD等，在包括数据线135的下基板130的整个表面上形成保护膜137，并通过光刻和刻蚀利用第三掩模对其进行刻蚀，由此形成接触孔138。接触孔138(见图13)形成在保护膜137中以露出漏极135b。保护膜47由与栅极绝缘膜132相同的无机绝缘材料、低介电常数的丙烯基有机化合物、或有机绝缘材料(如BCB或PFCB等)形成。

参见图14D，通过淀积如溅射，在保护膜137的整个表面上淀积透明电极材料。然后，通过光刻和刻蚀，利用第四掩模对透明电极材料进行构图，从而在像素区中形成像素电极139。像素电极139通过接触孔138电连接到漏极135b。该透明电极由氧化铟锡(ITO)、氧化锡(TO)或氧化铟锌(IZO)形成。在这种情况下，通过沿着数据线135与数据线135的预定区域重叠形成像素电极139，可增加孔径。通过前述方法制造下基板(薄膜晶体管阵列基板)之后，进行配向处理(S11)、密封和隔开(S12)、粘接上下基板(S13)以及划线和断开(S14)的步骤，由此将下基板分成多个单元。之后，通过浸在绝缘膜刻蚀剂中进行选通焊盘131b和选通焊盘136c的开口。此后的制造工艺与第一示例实施例的相似。在这种情况下，如第一示例实施例所述，作为浸在刻蚀剂中的替换方式，选通焊盘131b和数据焊盘136的开口还可以通过其中通过喷嘴将等离子体引向选通焊盘和数据焊盘的大气压等离子体刻蚀、或其中直接利用激光光束刻蚀选通焊盘和数据焊盘的激光刻蚀来进行。

图15示出了根据本发明第三示意实施例的TFT阵列基板上的像素的放大平面图，图16A-16C示出了沿着图15中的线IV-IV’、V-V’和VI-VI’截取的剖面图，表示制造方法的步骤。

图17A是表示根据本发明第三优选实施例的粘接LCD板的TFT阵列基板和滤色器阵列基板的步骤的剖面图，图17B是表示根据本发明第三示例实施例露出LCD板中的焊盘部分的步骤的剖面图。在本发明的第三示例实施例中，在制造薄膜晶体管阵列基板时采用三个掩模。

参见图16A，通过淀积如溅射，在下基板160上形成栅极金属层，并通过光刻和刻蚀，利用第一掩模进行构图，从而形成在一个方向的选通线161(见图15)。栅极161a从选通线161的一侧突出形成，以及选通焊盘161b形成在选通线161的一端。栅极金属层是Cr、Mo或Al的一层或两层。

参见图16B，在包括栅极图形(选通线161、栅极161a、和选通焊盘161b)的下基板160上依次形成栅极绝缘膜162、有源层163、欧姆接触层164和数据图形。还在数据焊盘部分中形成数据焊盘166。更详细地说，通过淀积如PECVD或溅射，在具有形成在其上的栅极图形的下基板162上依次形成栅极绝缘膜162、第一和第二半导体层(非晶硅层和n⁺非晶硅层)以及数据金属层。通过光刻，利用第二掩模在数据金属层上形成光刻胶图形。在这种情况下，采用在薄膜晶体管的沟道部分上具有折射曝光部分的折射曝光掩模作为第二掩模，在沟道部分的光刻胶图形的高度比其它数据图形部分低。随后，采用光刻胶图形进行湿刻蚀，以对数据金属层进行构图，由此形成包括数据线165、源极165a以及与源极165a成一体的漏极165b的数据图形。之后，采用相同的光刻胶图形进行干刻蚀，以同时对n⁺非晶硅层和非晶硅层进行构图，从而形成欧姆接触层164和有源层163。通过灰化除去在沟道部分中具有相对低的高度的光刻胶图形后，通过干刻蚀对沟道部分中的数据图形和欧姆接触层164进行刻蚀。因而，露出沟道部分中的有源层163，以便分开源极165a和漏极165b。剥离留在数据图形部分上的光刻胶图形。在前述工艺中，光刻胶图形也形成在数据焊盘部分中。随着进行湿刻蚀和干刻蚀，形成具有叠置在其上的非晶硅层、n⁺非晶硅层和数据金属层的数据焊盘166。栅极绝缘膜162由无机绝缘材料形成，如氧化硅SiO_x、或氮化硅SiN_x。数据金属层由Mo、Ti、Ta或Mo合金形成。

参见图16C，利用第三掩模形成透明图形。更详细地说，通过淀积如溅射等，在具有形成在其上的数据图形的栅极绝缘膜162的整个表面上形成透明电极材料。然后，通过光刻和刻蚀，利用第三掩模对透明电极材料进行构图，以便在像素区中形成像素电极167。像素电极167与漏极165b的一侧重叠并电连接。该透明电极由氧化铟锡(ITO)、氧化锡(TO)或氧化铟锌(IZO)形成。然后，在TFT阵列基板上形成保护膜168。该保护膜47由无机绝缘材料，如SiN_x和SiO_x、低介电常数的丙烯基有机化合物、或有机绝缘材料，如BCB或PFCB等形成。

随后，参见图17A，粘接TFT阵列基板和滤色器阵列基板。在粘接之前，除了选通焊盘部分和数据焊盘部分位于其中的焊盘区域之外，在TFT阵列基板的保护膜168上涂敷下部配向膜169。用密封剂175将下基板160和上基板170粘接在一起，以便露出下基板160的焊盘区。滤色器阵列基板包括在上基板170上的黑底171、形成在被黑底171分离的每个单元区中的滤色器172、以及依次叠置在黑底171和滤色器172上的公共电极173和上部配向膜174。

然后，参见图17B，通过采用滤色器阵列基板做掩模，刻蚀TFT阵列基板的焊盘区中的保护膜168和栅极绝缘膜162。因而，露出选通焊盘161b和数据焊盘166。在刻蚀时，可采用使用激光光束或大气压等离子体的干刻蚀或者使用浸渍或喷射的湿刻蚀。可通过采用与第一实施例相同的工艺露出选通焊盘161b和数据焊盘166。

这样，通过采用三掩模制造工艺，本发明的用于制造TFT阵列基板的方法简化了制造工艺。然而，在用于露出选通焊盘161b和选通焊盘160而刻蚀栅极绝缘膜162和保护膜168时，如图18所示，过刻蚀下基板160或栅极绝缘膜162，由此引起选通焊盘161b和选通焊盘166的下切(undercut)。

为防止下切，下面介绍根据本发明第四示例实施例的LCD板的制造方法。在本发明的第四示例实施例中，采用三掩模制造TFT阵列基板。下面介绍在粘接上下基板之前的TFT阵列基板。

参见图19和20，TFT阵列基板包括：互相交叉设置的选通线211c和数据线217a，其中栅极绝缘膜214置于其间；在选通线211c和数据线217a的每个交叉部位的薄膜晶体管T；形成在由交叉部位形成的每个单元区中的像素电极225a；形成在选通线211的一端的选通焊盘211b、以及在数据线217a的端部形成的选通焊盘221。薄膜晶体管T包括从选通线211c的一侧突出的栅极211a、从数据线217a的一侧突出的源极217b、连接到像素电极255a的漏极217c、以及与栅极211a重叠并作为源极217b和漏极217c之间的沟道的有源层215a。有源层215a与数据焊盘221、数据线217a、源极217b和漏极217c重叠，并且还包括源极217b和漏极217c之间的沟道区域。在有源层215a上形成欧姆接触层216a，用于与数据焊盘221、数据线217a、源极217b以及漏极217c欧姆接触。薄膜晶体管T响应施加于选通线211c的选通信号给数据线217a输送像素电压信号，以便被充电并保持在像素电极225a中。像素电极225a连接到薄膜晶体管T的漏极217c。像素电极255a的像素电压使形成在上基板(未示出)上的公共电极产生电位差。该电位差使TFT基板和上基板之间的液晶由于介电各向异性而旋转，以便透射从光源(未示出)入射到其上的光并通过像素电极255a射向上基板。

选通线211c通过选通焊盘部分连接到选通驱动器(未示出)。选通焊盘部分具有从选通线211c延伸的选通焊盘211b。在选通焊盘211b上，有依次叠置在其上的栅极绝缘膜214、与选通焊盘211b部分重叠的过刻蚀防止图形220、以及保护膜226。数据线217a通过数据焊盘部分连接到数据驱动器(未示出)。数据焊盘部分包括从数据线217a延伸的选通焊盘221、和用于保护选通焊盘221的数据焊盘保护电极225b。在选通焊盘221和栅极绝缘膜214之间，有半导体图形，即有源层215a、和欧姆接触层216a。

下面介绍LCD板中的前述TFT阵列基板的制造方法和具有该TFT阵列基板的LCD板的制造方法。

图19表示根据本发明第四示例实施例的LCD板中的TFT阵列基板的平面图，图20表示沿着图19的线VII-VII’、VIII-VIII’和IX-IX’截取的剖面图。图21A-21G表示沿着图19的线VII-VII’、VIII-VIII’和IX-IX’截取的剖面图，表示制造方法的步骤。图22A是表示根据本发明第四示例实施例的粘接LCD板的TFT阵列基板和滤色器阵列基板的步骤的剖面图，图22B是表示根据本发明第四示例实施例露出LCD板中的焊盘部分的步骤的剖面图。

参见图21A和21B，利用第一掩模工艺在下基板210上形成栅极图形。详细地说，参考图21A，通过淀积如溅射，在下基板210上形成栅极金属层211，并在栅极金属层211上涂敷光刻胶，并通过光刻利用具有透射部分P1和屏蔽部分P2的第一掩模212进行构图，从而形成光刻胶图形213。参见图21B，采用光刻胶图形213刻蚀栅极金属层211，以对栅极金属层211进行构图，从而形成在一个方向设置的选通线211a(见图19)。栅极211b从选通线211a的一侧突出形成，以及在选通线211a的端部形成包括选通焊盘211b的栅极图形。该栅极金属层是Cr、Mo或Al的一层或两层。

参见图21C和21E，在整个表面上涂敷栅极绝缘膜214，并且通过第二掩模工艺在其上形成半导体图形和栅极图形。详细地说，参见图21C，通过淀积，如PECVD和溅射，在具有形成在其上的栅极图形的下基板210上依次形成栅极绝缘膜214、非晶硅的第一半导体层215、n⁺非晶硅层的第二半导体层216、以及数据金属层217。栅极绝缘膜214由无机绝缘材料形成，如氧化硅SiO_x、或氮化硅SiN_x。数据金属层由Mo、Ti、Ta或Mo合金形成。然后，在数据金属层217的整个表面上涂敷光刻胶，并采用第二掩模218(即部分曝光掩模)进行光刻，从而形成光刻胶图形219a和219b。第二掩模218具有透射部分P1、屏蔽部分P2以及带有折射曝光狭缝的部分透射部分P3。利用第二掩模218的光刻除去了对着第二掩模218的透射部分P1的光刻胶，由于对着屏蔽部分P2的光刻胶图形219a未曝光而形成了第一高度d1，并且在对着部分透射部分P3的光刻胶图形219b上形成第二高度d2。这里，使与薄膜晶体管的沟道部分相对的光刻胶图形219具有低于其它数据图形部分的高度d2。

参见图21D，利用光刻胶图形刻蚀数据金属层217，对数据金属层217进行构图，形成数据图形，包括数据焊盘、过刻蚀防止图形、数据线217a、源极217b以及与源极217b成一体的漏极217c。与此同时，进一步形成过刻蚀防止图形220，其部分地与选通焊盘211b的外部部分重叠并且不与选通焊盘211b的中心部分重叠，使得栅极绝缘膜214置于其间。随后，通过灰化除去沟道部分中的具有相对低高度的高度d2的光刻胶图形。通过干刻蚀刻蚀沟道区域中的数据图形和欧姆接触层216a，以露出沟道部分中的有源层215a并分离源极217b和漏极217c。通过前述工艺，在数据线217a的端部形成具有第一和第二半导体层以及数据金属层的叠置体的数据焊盘221。

参见图21E，通过剥离除去光刻胶图形219a。参见图21F，通过淀积如溅射，在具有形成在其上的数据图形的栅极绝缘膜214的整个表面上淀积透明电极材料222，并在透明电极材料222的整个表面上涂敷光刻胶。然后，通过采用具有透射部分P1和屏蔽部分P2的第三掩模223形成光刻胶图形224。这里，通过透射部分P1暴露于UV射束的光刻胶被除去，并保留了由于屏蔽部分P2而没有暴露于UV射束的光刻胶。

参见图21G，通过采用光刻胶图形223作为掩模，对透明电极材料222进行构图，由此形成像素电极225a和数据焊盘保护电极225b，以便像素电极225a电连接到漏极217c，并且数据焊盘保护电极225b具有大于数据焊盘221的宽度。该透明电极可以由氧化铟锡(ITO)、氧化锡(TO)或氧化铟锌(IZO)形成。然后，在具有形成在其上的像素电极225a的下基板210上涂敷保护膜226。保护膜226由无机绝缘材料如SiN_x和SiO_x、低介电常数的丙烯基有机化合物、或有机绝缘材料，如BCB或PFCB等形成。

随后，参见图22A，利用密封剂235粘接TFT阵列基板和滤色器阵列基板。在粘接之前，除了具有位于其中的选通焊盘部分和数据焊盘部分的焊盘区域之外，在TFT阵列基板的保护膜226上涂敷下部配向膜227。滤色器阵列基板包括黑底231、在被黑底231分离的每个单元区中的滤色器232、以及依次叠置在黑底231和滤色器232上的公共电极233和上部配向膜234。因而，露出包括选通焊盘部分和数据焊盘部分的焊盘区。

然后，参见图22B，通过采用滤色器阵列基板做掩模，通过焊盘开口完全除去焊盘区中的保护膜226和过刻蚀防止图形220。并在栅极绝缘膜214中形成与选通焊盘211b重叠的栅极孔240。或者，应该认识到，不必除去过刻蚀防止图形220而可以保留。焊盘开口暴露了选通焊盘211b和数据焊盘保护电极225b。由于在焊盘开口除去了保护膜226，露出了数据焊盘端子225b和在数据焊盘端子225b附近的栅极绝缘膜214。同样，由于除去了所有的保护膜226和过刻蚀防止图形220，并且在栅极绝缘膜214中形成栅极孔240，由此露出选通焊盘211b。

由于过刻蚀防止图形220形成得与栅极的外部部分重叠，使得栅极绝缘膜214置于其间，因此叠置在选通焊盘211b的外部部分上的过刻蚀防止图形220和保护膜226的厚度‘d’比叠置在选通焊盘211b的中心部分上的栅极绝缘膜214和保护膜214的高度更厚。例如，如果栅极绝缘膜214和保护膜226的高度为4000埃-6000埃，则过刻蚀防止图形220和保护膜226的高度为7000-9000埃。因而，在焊盘开口时，只有保护膜226和过刻蚀防止图形220从选通焊盘211b的外部部分被除去，由此留下栅极绝缘膜214。这样，由于选通焊盘部分具有留在其外部部分上的栅极绝缘膜214，并且数据焊盘部分具有保护数据焊盘的数据焊盘保护电极225b，因此可防止焊盘开口中的下切。

如上所述，本发明的LCD板的制造方法具有如下优点。首先，选通焊盘和数据焊盘的开口不是在下基板的制造期间进行的，而是在上下基板粘接之后进行的，这就可以简化下基板的制造工艺。其次，在粘接上下基板之后，通过在刻蚀剂中浸渍而进行选通焊盘和选通焊盘的开口可以防止选通焊盘或选通焊盘开口时出现缺陷。第三，在选通焊盘的外部部分形成与栅极绝缘膜重叠的过刻蚀防止图形和在选通焊盘上形成数据焊盘保护电极可防止焊盘开口中的下切。

对于本领域技术人员来说很显然，在不脱离本发明的精神或范围的情况下可以对本发明进行各种修改和变化。这样，本发明应该覆盖落入所附权利要求书及其等同物范围内的本发明的修改和改变。

Claims

1、一种液晶显示板的制造方法，包括以下步骤：

在下基板上形成薄膜晶体管阵列，该薄膜晶体管阵列具有选通线、数据线、选通焊盘、薄膜晶体管和像素电极；

在上基板上形成滤色器阵列；

把上基板和下基板粘接在一起；

将被粘接的上基板和下基板切割成多个单元；和

在被粘接的上下基板的下基板上的选通线和数据线的端部露出选通焊盘和数据焊盘。

2、根据权利要求1的方法，其中露出步骤包括以下步骤：将选通焊盘和数据焊盘中至少一个浸在绝缘膜刻蚀剂中。

3、根据权利要求1的方法，其中露出选通焊盘和数据焊盘的步骤包括以下步骤：进行其中在大气压力下通过喷嘴引入等离子体的大气压等离子体刻蚀。

4、根据权利要求1的方法，其中露出选通焊盘和数据焊盘的步骤包括激光刻蚀的步骤。

5、根据权利要求1的方法，其中形成薄膜晶体管阵列的步骤包括以下步骤：

采用第一掩模，在下基板上形成选通线、在选通线一端的选通焊盘和从选通线的一侧突出的栅极；

在具有选通线、选通焊盘和栅极的下基板的表面上形成绝缘膜；

采用第二掩模，在栅极上面的绝缘膜上形成岛形的有源层；

采用第三掩模，形成与选通线交叉的数据线、在数据线端部的数据焊盘、在一个方向从数据线向栅极突出的源极、以及与源极隔开一段距离的漏极，像素区由交叉的数据线和选通线限定；

采用第四掩模，在像素区中形成与漏极接触的像素电极；和

在具有绝缘膜、有源层、数据线、数据焊盘、源极和漏极的下基板的表面上形成保护膜。

6、根据权利要求5的方法，其中露出选通焊盘和数据焊盘的步骤包括以下步骤：湿刻蚀、激光刻蚀或等离子体刻蚀具有选通焊盘的被粘接的上基板和下基板的一部分，以便除去选通焊盘上面的绝缘膜和保护膜。

7、根据权利要求5的方法，其中露出选通焊盘和数据焊盘的步骤包括以下步骤：湿刻蚀、等离子体刻蚀或激光刻蚀具有数据焊盘的被粘接的上基板和下基板的一部分，以便除去数据焊盘上面的保护膜。

8、根据权利要求1的方法，其中形成薄膜晶体管阵列的步骤包括以下步骤：

采用第一掩模，在下基板上形成选通线、在选通线端部的选通焊盘、以及从选通线突出的栅极；

在具有形成在其上的栅极、选通线和选通焊盘的下基板的表面上形成绝缘膜；

在绝缘膜上形成半导体层；

在半导体层上形成导电层；

采用第二掩模，形成与选通线交叉的数据线、在数据线端部的数据焊盘、在一个方向从数据线向栅极突出的源极、与源极隔开一段距离的漏极以及在源极和漏极下面的有源层，像素区由交叉的数据线和选通线确定；

采用第三掩模，形成具有到达漏极的接触孔的保护膜；以及

采用第四掩模，在像素区中形成与漏极直接接触的像素电极。

9、根据权利要求8的方法，其中在除了栅极上面的部分之外的有源层上形成欧姆接触层。

10、根据权利要求1的方法，其中形成薄膜晶体管阵列的步骤包括以下步骤：

采用第一掩模，在下基板上形成选通线、在选通线一端的选通焊盘、以及从选通线突出的栅极；

在基缘膜上形成半导体层；

在半导体层上形成导电层；

采用第二掩模，形成与选通线交叉的数据线、在数据线端部的数据焊盘、在一个方向从数据线向栅极突出的源极、与源极隔开一段距离的漏极以及在数据线、源极和漏极下面的有源层，像素区由交叉的数据线和选通线限定；

采用第三掩模，在像素区中形成与漏极直接接触的像素电极；和

11、根据权利要求10的方法，其中露出选通焊盘和数据焊盘的步骤包括以下步骤：湿刻蚀、等离子体刻蚀或激光刻蚀具有选通焊盘的被粘接的上基板和下基板的一部分，以便除去选通焊盘上面的绝缘膜和保护膜。

12、根据权利要求10的方法，其中露出选通焊盘和数据焊盘的步骤包括以下步骤：湿刻蚀、等离子体刻蚀或激光刻蚀具有数据焊盘的被粘接的上基板和下基板的一部分，以便除去数据焊盘上面的保护膜。

13、根据权利要求1的方法，还包括以下步骤：

在粘接上基板和下基板的步骤之前，在上基板和下基板上形成配向膜；和

在上基板和下基板之间形成密封剂和间隔物。

14、根据权利要求1的方法，其中露出选通焊盘或数据焊盘的步骤是在被分割成单元的上基板和下基板之间注入液晶并密封液晶注入孔之后进行的。

15、一种液晶显示板的制造方法，包括以下步骤：

形成薄膜晶体管阵列基板，该基板包括：

具有选通线、数据线、薄膜晶体管和像素电极的屏幕区域，

具有选通焊盘、在每个选通焊盘的外部部分中与栅极绝缘膜重叠形成的过刻蚀防止图形、以及数据焊盘的焊盘区，

在各个数据焊盘上的数据焊盘保护电极，以及

在屏幕区域和焊盘区的整个表面上的保护膜；

形成滤色器阵列基板；

粘接薄膜晶体管阵列基板和滤色器阵列基板，以便露出焊盘区；

刻蚀焊盘区的一部分保护膜和过刻蚀防止图形，以便部分地露出选通焊盘和数据焊盘保护电极；和在对应选通焊盘上面的栅极绝缘膜中形成栅极孔。

16、根据权利要求15的方法，其中形成薄膜晶体管阵列基板的步骤包括以下步骤：

采用第一掩模工艺，在基板上形成选通线、从各个选通线的一侧突出的栅极、和在各个选通线端部的选通焊盘；

在具有选通线、栅极和选通焊盘的基板上形成栅极绝缘膜；

采用第二掩模工艺，形成与选通线交叉的数据线、从各个数据线的一侧突出的薄膜晶体管的源极、与各个源极隔开的漏极、在各个数据线端部具有数据焊盘的数据图形、形成在数据图形下面的以在源极和漏极之间形成相应沟道部分的半导体图形、和在选通焊盘的外部部分上的以与栅极绝缘膜重叠的过刻蚀防止图形；

采用第三掩模，形成具有像素电极和数据焊盘的透明电极图形；以及

在包括透明电极图形的基板上形成保护膜。

17、根据权利要求16的方法，其中过刻蚀防止图形包括半导体图形和在其上重叠的数据图形。

18、根据权利要求16的方法，其中每个数据焊盘保护电极被形成为具有比每个选通焊盘的宽度更宽的宽度。

19、根据权利要求15的方法，其中形成滤色器阵列基板的步骤包括以下步骤：

形成黑底层；

在由黑底层分开的每个单元区中形成滤色器；

在黑底层和滤色器上形成公共电极；以及

在公共电极上形成上部配向膜。

20、根据权利要求15的方法，其中形成薄膜晶体管阵列基板的步骤还包括在不包括焊盘区的基板上涂敷下部配向膜的步骤。

21、根据权利要求15的方法，其中形成薄膜晶体管阵列的步骤包括以下步骤：

采用第一掩模，在下基板上形成选通线、在选通线一端的选通焊盘、和从选通线一侧突出的栅极；

采用第二掩模，在栅极上面的绝缘膜上形成具有岛形的有源层；

采用第三掩模，形成与选通线交叉的数据线、在数据线端部的数据焊盘、在一个方向从数据线向栅极突出的源极、和与源极隔开一段距离的漏极，像素区由交叉的数据线和选通线限定；

采用第四掩模，在像素区中形成与漏极接触的像素电极；和

22、根据权利要求21的方法，其中过刻蚀防止图形包括半导体图形和重叠在其上的数据图形。

23、根据权利要求21的方法，其中每个数据焊盘保护电极被形成为具有比每个数据焊盘的宽度更宽的宽度。