JP2001311952A - 表示素子 - Google Patents

表示素子

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JP2001311952A
JP2001311952A JP2000129402A JP2000129402A JP2001311952A JP 2001311952 A JP2001311952 A JP 2001311952A JP 2000129402 A JP2000129402 A JP 2000129402A JP 2000129402 A JP2000129402 A JP 2000129402A JP 2001311952 A JP2001311952 A JP 2001311952A
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wall
liquid crystal
electrode
electrodes
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JP2000129402A
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Shigeru Yamamoto
滋 山本
Taketo Hikiji
丈人 曳地
Naoki Hiji
直樹 氷治
Sadaichi Suzuki
貞一 鈴木
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Fujifilm Business Innovation Corp
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Fuji Xerox Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶の流動を抑制でき、コレステリック液晶
素子や強誘電性液晶素子のような無電源メモリ性を有す
る表示素子の場合や、プラスチックフィルム基板を用い
た表示素子の場合に、表示の乱れを防止できるととも
に、液晶の注入時には、それぞれの画素に確実に注入で
き、しかも基板貼り合わせ時の基板間の位置ずれの許容
範囲が大きくなって、開口率の低下およびムラを低減で
きる表示素子を提供する。 【解決手段】 上側基板11上にストライプ状の上側電
極13を一方向に配列して形成し、上側電極13の隣接
するもの同士の間の位置に壁状構造体15を形成する。
下側基板12上にストライプ状の下側電極14を上側電
極13の配列方向と直交する方向に配列して形成し、下
側電極14の隣接するもの同士の間の位置に壁状構造体
16を形成する。壁状構造体15および16は、上側電
極13と下側電極14が交差する画素部1を四辺で取り
囲むようにするが、画素部1の四隅には開口部が形成さ
れるようにする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、少なくとも一方
が透明な一対の基板間に液晶層などの表示層を挟持した
表示素子に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示素子は、それぞれ電極が形成さ
れた一対の基板間に液晶層を挟持し、上下の電極間に電
圧を印加して、液晶層の透過率や反射率などの光学特性
を変化させることによって、画像を表示するもので、フ
ラットパネルディスプレイとして広く普及している。
【0003】従来の液晶表示素子は、ガラス基板が用い
られ、上下の基板間に数μmのギャップを保持するため
に、上下の基板間に球状スペーサがランダムに散布され
る。画素内にも、ある程度の密度で球状スペーサを散布
することと、ガラス基板の剛性が荷重を分散し、変形を
抑える働きをすることとによって、表示面の全体に渡っ
て常にギャップが均一に保持される。
【0004】しかし、情報機器の携帯化が進み、表示素
子の軽量化も要求されるようになってきたことに伴い、
基板の薄膜化が求められ、基板をガラス基板からプラス
チックフィルム基板に変更することが試みられている。
【0005】しかし、プラスチックフィルム基板は剛性
がないため、液晶層のギャップ精度を保持するのが困難
となる問題がある。
【0006】また、コレステリック液晶を用いた表示素
子や、強誘電性液晶を用いた表示素子は、電界を印加し
て画像を表示した後、電界を除去しても、表示内容が消
えずに保持される無電源メモリ性を有することから注目
され、電子ブックなどに利用することが研究されてい
る。
【0007】しかし、コレステリック液晶素子や強誘電
性液晶素子の基板としてプラスチックフィルム基板を用
いると、機械的なストレスが加わることによってセルが
変形したとき、液晶が流動してしまい、その結果、液晶
の配向状態が変化して、画像が乱れてしまうという問題
がある。これは、TN方式やSTN方式のような時間応
答する液晶素子では表示時、表示内容が常に書き換えら
れるため一旦、画像が崩れても、すぐに書き直されるの
と、大きく異なる点である。
【0008】この問題を解決するために、球状スペーサ
を散布する代わりに、対向する基板間に壁状構造体(壁
状スペーサ)を形成することが提案されている。
【0009】具体的に、特開平10−68934号に
は、図7に示すように、上側基板11に一方向に配列さ
れて形成されたストライプ状の上側電極13と、下側基
板12に上側電極13の配列方向と直交する方向に配列
されて形成されたストライプ状の下側電極14とが交差
する部分を、画素部1として、数画素にわたる長さの壁
状構造体19を、数画素の間隔で曲げて、一方の基板上
に形成して、表示層を形成する液晶の流動を抑えること
が示されている。
【0010】また、特開平6−308500号には、上
側基板上に、これに形成したストライプ状の上側電極の
間の位置において、上側電極と平行に帯状の壁を形成す
ることが示されている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図7に
示した特開平10−68934号の方法では、電極の間
隔をg、壁状構造体19の幅をwとすると、上側基板1
1と下側基板12の貼り合わせ時に、壁状構造体19が
画素部1上を覆わない範囲として許容できる、上側基板
11と下側基板12との間の電極配列方向の位置ずれ
は、(g−w)以内で、これを超えて上側基板11と下
側基板12との間で電極配列方向に位置ずれを生じる
と、図8に示すように壁状構造体19が画素部1上を覆
うようになる。
【0012】基板上に電極13,14や壁状構造体19
を形成する際には、基板上に形成した位置合わせマーク
をもとに電極13,14や壁状構造体19の位置を決定
して、フォトリソなどによって電極13,14や壁状構
造体19を形成するので、数μm程度以内の誤差で位置
合わせをすることができる。
【0013】しかし、上側基板11と下側基板12を貼
り合わせる際には、両者間の位置ずれが数10μm程度
に及ぶ。特に、上下の基板としてプラスチックフィルム
基板を用いる場合には、基板の変形や伸び縮みを生じや
すく、位置ずれを少なくすることは、いっそう困難とな
る。
【0014】そのため、特開平10−68934号の方
法では、上側基板11と下側基板12の貼り合わせ時、
図8に示したように壁状構造体19が画素部1上を覆う
可能性が高く、電極配列方向に許容範囲以上の位置ずれ
を生じた場合には、同図に示すように開口率の低下およ
びムラを生じ、基板面内の回転方向に許容範囲以上の位
置ずれを生じた場合には、開口率のムラを生じ、いずれ
の場合にも画質を劣化させる。
【0015】電極の間隔gと壁状構造体19の幅wとの
差を大きく設定すれば、位置ずれの許容範囲が大きくな
るが、そうすると、画素ピッチに対する画素の大きさの
比率が小さくなって、画面が暗くなり、コントラストも
低下する。
【0016】なお、特開平10−68934号には、そ
のほか、格子状の壁構造にすることや、矩形波状の壁構
造にすることが記述されているが、いずれも、各画素部
に液晶が注入されにくくなる欠点がある。
【0017】一方、特開平6−308500号に示され
ているような、一方の電極と平行に帯状の壁を形成する
方法では、帯状の壁の延長方向に液晶の流動を生じ、特
にコレステリック液晶素子や強誘電性液晶素子では、上
述したように配向状態の変化によって画像が乱れやすい
欠点がある。
【0018】そこで、この発明は、セルギャップを均一
に維持できるだけでなく、表示層を形成する液晶などの
流動性媒質の流動を抑制でき、コレステリック液晶素子
や強誘電性液晶素子のような無電源メモリ性を有する表
示素子の場合や、プラスチックフィルム基板を用いた表
示素子の場合に、表示の乱れを防止できるとともに、液
晶などの流動性媒質の注入時には、それぞれの画素に確
実に注入することができ、しかも基板貼り合わせ時の基
板間の位置ずれの許容範囲が大きくなって、開口率の低
下およびムラを低減できる表示素子を提供するものであ
る。
【0019】
【課題を解決するための手段】この発明の表示素子は、
透明な第1基板上に、透明なストライプ状の第1電極
が、一方向に配列されて形成され、第2基板上に、スト
ライプ状の第2電極が、前記一方向と直交する方向に配
列されて形成され、前記第1電極と前記第2電極が交差
する部分を画素部として、前記第1基板と前記第2基板
が対向配置されているとともに、前記第1基板上の前記
第1電極の隣接する電極間の位置に、前記第2電極の配
列方向に前記第2電極のピッチより短い第1壁状構造体
が形成され、かつ前記第2基板上の前記第2電極の隣接
する電極間の位置に、前記第1電極の配列方向に前記第
1電極のピッチより短い第2壁状構造体が形成されて、
前記第1壁状構造体および前記第2壁状構造体によって
前記画素部が、その四隅には開口部が形成された状態で
四辺で取り囲まれ、それぞれの画素部に表示層が形成さ
れたものとする。
【0020】
【作用】上記のように構成した、この発明の表示素子で
は、対向する第1基板と第2基板との間に、それぞれの
画素部を取り囲むように壁状構造体が存在するので、セ
ルギャップを均一に維持することができるとともに、表
示層を形成する液晶などの流動性媒質の流動を抑制する
ことができ、コレステリック液晶素子や強誘電性液晶素
子のような無電源メモリ性を有する表示素子の場合や、
プラスチックフィルム基板を用いた表示素子の場合に、
表示の乱れを防止することができる。
【0021】さらに、壁状構造体は画素部を完全に取り
囲むものではなく、それぞれの画素部の四隅には開口部
が存在するので、その四隅の開口部を通じて、それぞれ
の画素部に液晶などの流動性媒質を確実に注入すること
ができるとともに、第1基板と第2基板の貼り合わせ時
の第1基板と第2基板との間の位置ずれの、壁状構造体
が画素部上を覆わない範囲として許容できる範囲が大き
くなり、開口率の低下およびムラを低減することができ
る。
【0022】
【発明の実施の形態】図1は、この発明の表示素子の一
例を示し、(A)は、観察面側の上側電極13および壁
状構造体15を破線で示し、反対側の下側電極14およ
び壁状構造体16を実線で示した平面図であり、(B)
は、(A)のB−B線上の断面図である。
【0023】上側基板11は透明基板とし、その内面に
はストライプ状の上側電極13を、一方向に配列して形
成する。上側電極13は透明電極とする。下側基板12
は、透過型表示素子の場合には透明基板とするが、コレ
ステリック液晶表示素子のように反射型表示素子の場合
には透明でなくてもよい。下側基板12の内面には、ス
トライプ状の下側電極14を、上側電極13の配列方向
と直交する方向に配列して形成する。下側電極14も、
透過型表示素子の場合には透明電極とするが、反射型表
示素子の場合には透明でなくてもよい。
【0024】上側基板11と下側基板12を対向させて
貼り合わせたときに上側電極13と下側電極14が交差
する部分1が、画素部となる。上側電極13の隣接する
もの同士および下側電極14の隣接するもの同士の間隔
gは、できるだけ小さくして、画素部1の大きさを画素
ピッチに近づけ、開口率を大きくする。
【0025】さらに、上側基板11には、その内面側
に、上側電極13の隣接するもの同士の間の位置におい
て、壁状構造体15を形成し、下側基板12には、その
内面側に、下側電極14の隣接するもの同士の間の位置
において、壁状構造体16を形成する。
【0026】壁状構造体15は下側基板12と、壁状構
造体16は上側基板11と、それぞれ面接触して、上側
基板11および下側基板12を支え、両者間の間隙(セ
ルギャップ)を均一に維持するとともに、後述の表示層
20を形成する液晶の画素間にまたがる流動を抑制する
ものである。
【0027】壁状構造体15および16は、表示素子に
機械的なストレスが加わったとき、素子の変形を抑制で
きる程度の強度を有するものが望ましく、アクリル、エ
ポキシ、ポリイミド、ノボラックなどの樹脂材料によっ
て形成する。さらに強度を増すために、これら樹脂に硬
質な微粒子を混入させてもよい。
【0028】壁状構造体15および16は、フォトリソ
やスクリーン印刷などによって形成する。このとき、上
側基板11および下側基板12に位置合わせマークを形
成しておくことによって、壁状構造体15,16の位置
合わせを精度よく行うことができる。
【0029】壁状構造体15の下側電極14の配列方向
(幅方向)の長さLxは、下側電極14のピッチPxよ
り短くし、同様に、壁状構造体16の上側電極13の配
列方向(幅方向)の長さLyは、上側電極13のピッチ
Pyより短くする。壁状構造体15および16の幅w
は、上側電極13の隣接するもの同士および下側電極1
4の隣接するもの同士の間隔g以下とする。壁状構造体
15および16の高さは、所要のセルギャップに対応し
たものとする。
【0030】さらに、壁状構造体15の長さLxおよび
上側基板11上における上側電極13の長さ方向の位置
と、壁状構造体16の長さLyおよび下側基板12上に
おける下側電極14の長さ方向の位置とは、上側基板1
1と下側基板12を全く位置ずれなく貼り合わせたとき
に、図1(A)に示すように、それぞれの画素部1が、
対向する2個の壁状構造体15および対向する2個の壁
状構造体16によって四辺で取り囲まれ、しかも、それ
ぞれの画素部1の四隅には、壁状構造体15および16
が位置しない開口部が形成される長さおよび位置とす
る。
【0031】このように上側基板11上に上側電極13
および壁状構造体15を形成し、下側基板12上に下側
電極14および壁状構造体16を形成して、上側基板1
1と下側基板12を、壁状構造体15が下側基板12上
の下側電極14に接触し、壁状構造体16が上側基板1
1上の上側電極13に接触するように、重ね合わせ、図
では省略した上側基板11または下側基板12の周縁部
に塗布したシール剤を、紫外線照射や加熱などによって
硬化させることによって、上側基板11と下側基板12
を貼り合わせる。
【0032】その後、真空注入法によって、セル周縁部
の液晶注入口から、コレステリック液晶や強誘電性液晶
などの液晶を、基板11,12間に注入し、上記の四隅
の開口部を通じて、それぞれの画素部1に注入して、表
示層20を形成する。その後、液晶注入口を封止する。
【0033】ただし、真空注入法を用いないで、例え
ば、下側基板12上に液晶を滴下した後、上側基板11
と下側基板12を貼り合わせるのと同時に、それぞれの
画素部1に液晶を充填するようにしてもよい。この場合
にも、画素部1の四隅の開口部は、液晶を円滑に充填さ
せるための流路となり、表示層20に気泡を混入するこ
とを抑制する。
【0034】上側基板11と下側基板12を貼り合わせ
る際には、プロセス中の基板11,12の変形やたわ
み、貼り合わせ装置のステージの平面度、重量のあるス
テージの機械的精度などによって、壁状構造体15およ
び16を形成する際に比べて、位置合わせ精度が悪くな
る。
【0035】しかし、この発明では、上側基板11およ
び下側基板12に、それぞれ壁状構造体15および16
を形成するとともに、壁状構造体15,16の長さL
x,Lyおよび位置を上述したように設定するので、上
側基板11と下側基板12の貼り合わせ時、例えば、図
2に示すように、設計位置に対して、上側電極13の配
列方向にはΔyで示す位置ずれを生じ、下側電極14の
配列方向にはΔxで示す位置ずれを生じる、というよう
に、大きな位置ずれを生じても、それぞれの画素部1の
四隅には開口部が形成されるとともに、壁状構造体15
または16が画素部1を覆うことがない。
【0036】したがって、それぞれの画素部1に液晶を
確実に注入することができるとともに、開口率の低下や
ムラを生じない。
【0037】壁状構造体15,16の長さLx,Ly
を、より短くすれば、この位置ずれの容認度は、より高
くなるが、そうすると、画素間での液晶の流動が大きく
なってしまう。したがって、壁状構造体15,16の長
さLx,Lyは、画素ピッチPx,Pyから貼り合わせ
装置の最大位置ずれ精度を引いた長さ程度とするのがよ
い。
【0038】基板の変形をさらに抑制するためには、基
板上に形成した壁状構造体を対向する基板と接着するこ
とが望ましい。
【0039】図3は、その場合の一例を示す。この例で
は、上側基板11上に形成した壁状構造体15の下側基
板12と対向する面に接着層17を形成して、壁状構造
体15を下側基板12に接着する。これによれば、より
強固なセルとすることができる。
【0040】さらに、上側基板11および下側基板12
としてプラスチックフィルム基板などのようなフレキシ
ブル基板を用いる場合には、より強度を持たせるため
に、図4に示すように、上側基板11上に形成した壁状
構造体15の下側基板12と対向する面に接着層17を
形成して、壁状構造体15を下側基板12に接着すると
ともに、下側基板12上に形成した壁状構造体16の上
側基板11と対向する面に接着層18を形成して、壁状
構造体16を上側基板11に接着することが望ましい。
【0041】〔実施例〕この発明の表示素子を実際に作
製した。
【0042】(実施例1)実施例1では、上側基板11
および下側基板12としてガラス基板を用い、図3に示
したように、壁状構造体15のみを下側基板12に接着
した。
【0043】図5に示すように、下側基板12上に下側
電極14としてITO電極をストライプ状に、画素ピッ
チ200μm、間隔20μmで形成し、その上にアクリ
ル樹脂を主体とする感光性樹脂を塗布し、マスクを介し
て紫外線露光および現像処理をして、下側電極14の間
隙部に、画素ピッチ200μmより短い170μmの長
さの壁状構造体16を形成した。壁状構造体16の幅は
下側電極14の間隔20μmより狭い15μmとし、高
さは樹脂の塗膜の厚みをセルギャップと等しい5μmと
した。図6に示すように、上側基板11にも同様に、上
側電極13および壁状構造体15を形成した。
【0044】さらに、転写用の別のガラス基板上に紫外
線硬化樹脂NOA65(Norland社製)を、0.
1μmの膜厚となるようにスピンコートによって塗布し
て、均一な塗膜を形成し、これに上記の上側基板11を
押し付け、ローラーで圧力を加えることによって、壁状
構造体15の上部にのみ紫外線硬化樹脂を転写させた。
【0045】次に、下側基板12の周縁部にディスペン
サでシール剤を描画塗布した後、下側基板12を上側基
板11と貼り合わせ、圧力が均一になるように押し付け
ながら、紫外線を照射して、紫外線硬化樹脂とシール剤
を同時に硬化させた。シール剤の開口部からコレステリ
ック液晶を注入した後、開口部を紫外線接着剤によって
封止した。
【0046】コレステリック液晶としては、ネマチック
液晶E44を80.6wt%、カイラル剤S1011を
3.9wt%、カイラル剤S811を15.5wt%混
合したものを用いた。いずれもメルク社製である。
【0047】(実施例2)実施例2では、上側基板11
および下側基板12としてフィルム基板を用い、図4に
示したように、壁状構造体15を下側基板12に接着
し、壁状構造体16を上側基板11に接着した。
【0048】実施例1と同様に、図5に示すように、下
側基板12上に下側電極14としてITO電極をストラ
イプ状に、画素ピッチ200μm、間隔20μmで形成
し、その上にアクリル樹脂を主体とする感光性樹脂を塗
布し、マスクを介して紫外線露光および現像処理をし
て、下側電極14の間隙部に、画素ピッチ200μmよ
り短い170μmの長さの壁状構造体16を形成した。
壁状構造体16の幅は下側電極14の間隔20μmより
狭い15μmとし、高さは樹脂の塗膜の厚みをセルギャ
ップと等しい5μmとした。図6に示すように、上側基
板11にも同様に、上側電極13および壁状構造体15
を形成した。
【0049】さらに、転写用の別のガラス基板上に紫外
線硬化樹脂NOA65(Norland社製)を、0.
1μmの膜厚となるようにスピンコートによって塗布し
て、均一な塗膜を形成し、これに上記の上側基板11を
押し付け、ローラーで圧力を加えることによって、壁状
構造体15の上部にのみ紫外線硬化樹脂を転写させた。
【0050】実施例2では、同じ方法によって、下側基
板12にも壁状構造体16の上部にのみ紫外線硬化樹脂
を転写させた。
【0051】次に、下側基板12の周縁部にディスペン
サでシール剤を描画塗布した後、下側基板12を上側基
板11と貼り合わせ、圧力が均一になるように押し付け
ながら、紫外線を照射して、紫外線硬化樹脂とシール剤
を同時に硬化させた。シール剤の開口部からコレステリ
ック液晶を注入した後、開口部を紫外線接着剤によって
封止した。
【0052】コレステリック液晶としては、実施例1と
同じ材料を用いた。上側基板11および下側基板12の
フィルム基板としては、ポリカーボネート製で、厚みが
0.2mmのものを用いた。
【0053】(実施例の評価)実施例1,2ともに、貼
り合わせの際に上下基板間の位置ずれが最大30μm発
生したが、上下の電極が交差する部分である画素内に壁
状構造体が配置されてしまうことはなく、開口率の低下
は起こらなかった。したがって、位置ずれの面内分布に
伴う開口率のムラも発生しなかった。
【0054】実施例1,2ともに、それぞれの電極に所
定の電圧を印加して、画素に1kHz,30Vの交流矩
形波電圧が100m秒印加されるようにして、コレステ
リック液晶の配向状態をフォーカルコニック状態とし、
画素を暗状態とした。次に、表示素子にフォースゲージ
を押し当てて、反射率の変化を測定した。
【0055】その結果、別に比較例として作製した、他
の条件は実施例1,2と同じにしてスペーサを散布した
表示素子では、0.5kg/cmの圧力を加えること
によって配向状態が変化して、プレーナ状態となり、反
射率が高くなった。これに対して、実施例1,2の表示
素子では、ともに、6kg/cmの圧力を加えても反
射率は上昇しなかった。
【0056】〔他の実施形態〕上述した例は、表示層と
して、コレステリック液晶を用いた場合であるが、この
発明は、表示層として、例えば、強誘電性液晶を用いる
場合にも、同様に適用することでき、同様の効果を得る
ことができる。また、液晶表示素子に限らず、例えば、
材料および表示原理は液晶表示素子と全く異なるが、電
気泳動素子にも、この発明を適用することできる。
【0057】
【発明の効果】上述したように、この発明によれば、セ
ルギャップを均一に維持できるだけでなく、表示層を形
成する液晶などの流動性媒質の流動を抑制でき、コレス
テリック液晶素子や強誘電性液晶素子のような無電源メ
モリ性を有する表示素子の場合や、プラスチックフィル
ム基板を用いた表示素子の場合に、表示の乱れを防止で
きるとともに、液晶などの流動性媒質の注入時には、そ
れぞれの画素に確実に注入することができ、しかも基板
貼り合わせ時の基板間の位置ずれの許容範囲が大きくな
って、開口率の低下およびムラを低減することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の表示素子の一例を示す図である。
【図2】図1の素子で基板貼り合わせ時に位置ずれを生
じた状態を示す図である。
【図3】この発明の表示素子の他の例を示す図である。
【図4】この発明の表示素子のさらに他の例を示す図で
ある。
【図5】実施例の下側基板側の電極および壁状構造体を
示す図である。
【図6】実施例の上側基板側の電極および壁状構造体を
示す図である。
【図7】従来の表示素子の一例を示す図である。
【図8】図7の素子で基板貼り合わせ時に位置ずれを生
じた状態を示す図である。
【符号の説明】
1…画素部、 11…上側基板、 12…下側基板、 13…上側電極、 14…下側電極、 15,16…壁状構造体、 17,18…接着層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G09F 9/30 349 G09F 9/30 349Z (72)発明者 氷治 直樹 神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーン テクなかい 富士ゼロックス株式会社内 (72)発明者 鈴木 貞一 神奈川県足柄上郡中井町境430 グリーン テクなかい 富士ゼロックス株式会社内 Fターム(参考) 2H088 FA02 FA29 GA03 GA17 HA01 JA19 MA04 MA17 2H089 LA09 LA10 MA04Y MA07Y MA07Z NA13 NA14 NA25 NA40 NA42 NA44 NA58 2H090 JB03 KA14 LA02 LA03 5C094 AA06 AA07 BA49 CA19 EA03 EA07 EB01 FA02 GB01 5G435 AA02 AA03 AA17 BB12 CC09 HH02 HH18 KK05

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】透明な第1基板上に、透明なストライプ状
    の第1電極が、一方向に配列されて形成され、第2基板
    上に、ストライプ状の第2電極が、前記一方向と直交す
    る方向に配列されて形成され、前記第1電極と前記第2
    電極が交差する部分を画素部として、前記第1基板と前
    記第2基板が対向配置されているとともに、 前記第1基板上の前記第1電極の隣接する電極間の位置
    に、前記第2電極の配列方向に前記第2電極のピッチよ
    り短い第1壁状構造体が形成され、かつ前記第2基板上
    の前記第2電極の隣接する電極間の位置に、前記第1電
    極の配列方向に前記第1電極のピッチより短い第2壁状
    構造体が形成されて、前記第1壁状構造体および前記第
    2壁状構造体によって前記画素部が、その四隅には開口
    部が形成された状態で四辺で取り囲まれ、 それぞれの画素部に表示層が形成された表示素子。
  2. 【請求項2】前記表示層がコレステリック液晶である請
    求項1記載の表示素子。
  3. 【請求項3】前記表示層が強誘電性液晶である請求項1
    記載の表示素子。
  4. 【請求項4】前記第1基板および前記第2基板がプラス
    チックフィルム基板である請求項1〜3のいずれかに記
    載の表示素子。
  5. 【請求項5】前記第1壁状構造体および前記第2壁状構
    造体のいずれか一方のみが、これと対向する基板に接着
    されている請求項1〜4のいずれかに記載の表示素子。
  6. 【請求項6】前記第1壁状構造体が前記第2基板に接着
    され、かつ前記第2壁状構造体が前記第1基板に接着さ
    れている請求項1〜4のいずれかに記載の表示素子。
  7. 【請求項7】請求項5に記載の表示素子を製造する方法
    であって、 前記第1電極が形成された第1基板上、および前記第2
    電極が形成された第2基板上に、それぞれ前記第1壁状
    構造体および前記第2壁状構造体を形成し、その第1壁
    状構造体および第2壁状構造体のいずれか一方のみの、
    他方の壁状構造体が形成されている基板と対向する面に
    接着層を設けた後、前記第1基板と前記第2基板を重ね
    合わせ、前記接着層を硬化させることを特徴とする表示
    素子製造方法。
  8. 【請求項8】請求項6に記載の表示素子を製造する方法
    であって、 前記第1電極が形成された第1基板上、および前記第2
    電極が形成された第2基板上に、それぞれ前記第1壁状
    構造体および前記第2壁状構造体を形成し、その第1壁
    状構造体の前記第2基板と対向する面、および第2壁状
    構造体の前記第1基板と対向する面に、それぞれ接着層
    を設けた後、前記第1基板と前記第2基板を重ね合わ
    せ、前記接着層を硬化させることを特徴とする表示素子
    製造方法。
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