CN1630330A - 光束检测装置及印刷设备 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种光束检测装置及印刷设备，该光束检测装置中，在来自第一放大器(31)的第一电压信号(V1)的绝对值和来自第二放大器(32)的第二电压信号(V2)的绝对值的至少一个超过阈值电压(－Vth)的绝对值时，启动电路(34)对输出电路(35)输出第一控制信号(Se1)，从而将输出电路(35)设为动作状态。另一方面，在第一输出电压(V)和第二输出电压(V2)两个的绝对值小于或等于阈值电压(－Vth)的绝对值时，启动电路(34)对输出电路(35)输出第二控制信号(Se2)，从而将输出电路(35)设为非动作状态。该光束检测装置可以防止由于光束的光量变动而在光束的检测定时中产生误差的情况，并可以防止反射光造成的误检测。

Description

光束检测装置及印刷设备

技术领域

本发明涉及检测光束的点通过规定位置的定时的光束检测装置以及印刷设备，例如，涉及构成作为光扫描记录计的同步传感器等使用的同步检测电路的光束检测装置。

背景技术

以往，在激光复印机等中，作为用于检测光束点通过的定时的光接收元件，使用光电二极管。即，在光束点的通过位置配置光电二极管，通过检测从该光电二极管输出的光电流的变化而检测印刷开始定时。

按照该光束的检测方法，如光束的强度自身变化，则光电二极管输出的光电流也变化，且该光电流的信号电平也变化。因此，将该信号电平与规定的阈值比较，在检测光束点通过上述光电二极管的定时时，由于上述信号电平的变化，产生上述定时的检测误差。

为了消除该误差，而提出以下技术：通过作为受光元件使用将受光面分割为两部分的光电二极管，并采取光学推挽方式(push-pull)而检测上述定时(例如，参照(日本)特开平4-247761)。由此，即使从光电二极管输出的光电流的峰值变化，也可以将检测定时保持为一定。

但是，在实现了上述技术的光束检测装置的结构的光学系统中，由于光源的点通过多角棱镜被扫描(scan)，所以有时由于与设计的规定的光路不同的光路的反射光而产生光束点并被射入光电二极管。该反射光的光束点的光量对于应检测的光束的光量十分小，但是通过该光束检测装置检测出。这样的反射光的检测，在将上述光束检测装置组装到印刷设备中的情况下，成为印刷设备的误操作的原因。

因此，提出如以下的光束检测装置：为了防止上述反射光造成的误检测，即使小于或等于规定的阈值的光量的光束射入光电二极管，也不输出检测信号。

如图9所示，该光束检测装置中，第一光电二极管PD1的输出端连接到第一放大器11，第二光电二极管PD2的输出端连接到第二放大器12。该第一放大器11的输出端子经由恒压源14连接到比较器13的输入端子，第二放大器12的输出端子直接连接到比较器13的另一个输入端子。另一方面，上述第一、第二光电二极管PD1、PD2的输入端经由恒压源10接地。如图10A所示，上述第一光电二极管PD1的受光面和第二光电二极管PD2的受光面，沿箭头21所示的光束点的行进方向，隔开规定的间隔被配置。

在该光束检测装置中，第一光电二极管PD1的输出信号通过第一放大器11，从信号电流被变换为信号电压，并被反转、放大，还通过恒压源14被电平移位，并被输入到比较器13中。另一方面，第二光电二极管PD2的输出信号通过第一放大器12，从信号电流被变换为信号电压，并被反转、放大，然后被输入到比较器13中。

如图10A所示，将在箭头21所示的方向上光束点通过的情况的各信号波形表示在图10B中。在图10B中，用实线表示上述第一光电二极管PD1的输出信号的信号电流I1的波形，并用虚线表示第二光电二极管PD2的输出信号的信号电流I2的波形。而且，用实线表示从上述第一放大器11输出，并由于恒压源14而被电平移位阈值Vth的信号电压V1的波形。而且，用实线表示从上述第二放大器12输出的信号电压V2的波形。

该信号电压V1已经V2被输入到上述比较器13，该比较器13将在上述信号电压V1和信号电压V2的交叉点X1下降的输出脉冲Vout1输出到输出端子OUT。

这里，反射的光束点被射入第二光电二极管PD2，如图10B所示，如果在信号电流I2的波形中产生上述反射的光束点的波形的突起BSI，则在信号电压V2的波形中产生突起BSV。但是，在该突起BSV比上述阈值Vth低的情况下，在输出脉冲Vout1的波形中不产生突起BSP。

但是，如该光束检测装置那样，在通过恒压源14对第一放大器11输出的信号电压进行电平移位时，产生以下说明的其它的问题。

即，光束点的光量难以始终保持一定，有必要估计某种程度的变动。但是，例如，如果在图10A中箭头21所示的方向上通过的光束点的光束强度变动，则信号电流I1、I2的波形的峰值变动，信号电压V1以及V2如图10C中一例所示那样变动。即，如电压V1象电压V1a、V1b、V1c那样变动，电压V2如电压V2a、V2b、V2c那样变动。通过这样的电压变动，上述电压V1和V2的交叉点X1如交叉点X1a、X1b、X1c那样变动。即，由于上述电压变动，检测脉冲Vout1的下降沿的定时以ΔX1的时间宽度变动。但是，引起光束点的检测定时中产生误差的问题。因此，在将该光束检测装置组装到例如打印机的情况下，印刷开始定时偏移且印刷文字洇。

发明内容

因此，本发明的课题在于提供一种可以防止由于光束的光量变动而在光束的检测定时产生误差，并可以防止反射光造成的误检测的光检测装置。

为了解决上述课题，本发明的光束检测装置的特征在于包括：第一光电变换部；第二光电变换部；

比较输出部，上述第一光电变换部输出的第一输出信号和上述第二光电变换部输出的第二输出信号被输入，同时比较上述第一输出信号和上述第二输出信号，基于该比较结果，生成并输出光束检测信号；以及

控制部，来自上述第一光电变换部的上述第一输出信号和来自上述第二光电变换部的上述第二输出信号被输入，同时上述第一输出信号和上述第二输出信号的至少一个超过规定的阈值时，对上述比较输出部输出第一控制信号，从而将上述比较输出部设为动作状态，另一方面，在上述第一输出信号和上述第二输出信号的两个小于或等于上述阈值时，对上述比较输出部输出第二控制信号，从而将上述比较输出部设为非动作状态。

按照本发明的光束检测装置，在来自第一光电变换部的第一输出信号和来自第二光电变换部的第二输出信号的至少一个超过规定的阈值时，上述控制部向上述比较输出部输出第一控制信号，从而将上述比较输出部设为动作状态。另一方面，在上述第一输出信号和上述第二输出信号的两方小于或等于上述阈值时，上述控制部向上述比较输出部输出第二控制信号，从而将上述比较输出部设为非动作状态。

从而，按照该光束检测装置，对第一光电变换部和第二光电变换部的两个都仅射入小于或等于规定光量的光束，在上述第一输出信号和第二输出信号的两个小于或等于上述阈值时，上述比较输出部不动作，光束检测信号不被输出。

从而，按照本发明，不是象以往那样使光电变换部的输出信号电平移位，由于可以防止反射光造成的误检测，所以也不产生上述电平移位造成的光束的检测定时的误差。

从而，按照本发明，可以实现一种可以防止由于光束的光量变动而在光束的检测定时产生误差，并可以防止反射光造成的误检测的光束检测装置。

而且，在一实施方式的光束检测装置中，上述控制部具备在上述阈值中设定滞后(hysteresis)的滞后设定部。

在本实施方式的光束检测装置中，上述控制部具备的滞后设定部在上述阈值中设定滞后，所以可以防止上述第一、第二输出信号在上述阈值附近那样的噪声光造成的误动作。

而且，在一实施方式的光束检测装置中，上述第一光电变换部具有：

第一光电变换元件；以及第一信号变换部，将该第一光电变换元件输出的第一电流信号变换为第一电压信号，从而将上述第一电压信号作为上述第一输出信号输出，

上述第二光电变换部具有：

第二光电变换元件；以及第二信号变换部，将该第二光电变换元件输出的第二电流信号变换为第二电压信号，从而将上述第二电压信号作为上述第二输出信号输出。

按照本实施方式的光束检测装置，上述第一、第二光电变换部，通过第一、第二信号变换部将第一、第二光电变换元件输出的第一、第二电流信号变换为第一、第二电压信号，从而作为第一、第二输出信号输出。即，按照本实施方式，将第一、第二输出信号设为电压信号，所以可以容易地处理比较输出部以及控制部的第一、第二输出信号。

而且，在一实施方式的光束检测装置中，上述控制部具有：第一比较器，来自上述第一电压变换部的上述第一输出信号和作为上述规定的阈值的阈值电压被输入，同时比较上述第一输出信号和上述阈值电压，从而输出表示该比较结果的第一比较信号；

第二比较器，来自上述第二电压变换部的上述第二输出信号和上述阈值电压被输入，同时比较上述第二输出信号和上述阈值电压，从而输出表示该比较结果的第二比较信号；以及

控制信号生成部，上述第一比较信号和上述第二比较信号被输入，同时在上述第一比较信号表示上述第一输出信号超过上述阈值电压的情况下，和在上述第二比较信号表示上述第二生成信号超过上述阈值电压的情况下，将上述第一控制信号输出到上述比较输出部，另一方面，在上述第一比较信号表示上述第一输出信号小于或等于上述阈值电压，且上述第二比较信号表示上述第二输出信号小于或等于上述阈值电压的情况下，将上述第二控制信号输出到上述比较输出部中。

在本实施方式的光束检测装置中，由第一、第二比较器和控制信号生成部构成上述控制部。上述第一、第二比较器可以由电压比较器(comparator)构成，上述控制信号生成部例如可以由逻辑运算电路构成。

而且，在一实施方式的光束检测装置中，上述控制信号生成部具有被输入上述第一比较信号和上述第二比较信号的逻辑运算电路(“与”门电路)。

在本实施方式中，可以由逻辑运算电路(“与”门电路)构成上述控制信号生成部，可以由简单的电路构成控制信号生成部。

而且，在一实施方式的光束检测装置中，上述控制信号生成部具有：信号加法部，上述第一比较信号和上述第二比较信号被输入，同时输出上述第一比较信号和上述第二比较信号相加的加法信号；钳位(clamp)部，将上述信号加法部输出的加法信号钳位。

按照本实施方式的光束检测装置，可以由信号加法部和钳位部构成上述信号生成部。而且，通过钳位部将信号加法部输出的加法信号钳位，从而可以限制加法信号的电平。

而且，在一实施方式的光束检测装置中，上述比较输出部具有：

基准比较器，上述第一输出信号和上述第二输出信号被输入，同时将上述第一、第二输出信号分别与规定的基准电压比较，从而输出表示该比较结果的第一、第二基准比较信号；以及

输出电路，来自上述基准比较器的上述第一、第二基准比较信号被输入，比较上述第一基准比较信号和上述第二基准比较信号，并根据该比较的结果生成并输出光束检测信号。

按照本实施方式的光束检测装置，上述比较输出部通过基准比较器将上述第一、第二输出信号与上述基准电压进行比较，从而输出第一、第二基准比较信号。从而，例如，仅在上述第一(或第二)输出信号超过上述基准电压时，将第一(或第二)基准比较信号设为有效电平，另一方面，在上述第一(或第二)输出信号小于或等于上述基准电压时，可以将第一(或第二)基准比较信号设为非有效电平。从而，可以从上述第一、第二输出信号除去小于等于上述基准电压的变动分量，并可以抑制噪声光的影响。

而且，在一实施方式的光束检测装置中，上述输出电路具有：

第一输入端子，被输入上述第一基准比较信号；第二输入端子，被输入上述第二基准比较信号；控制信号输入端子，被输入来自上述控制部的上述第一、第二控制信号；输出端子，输出上述光束检测信号；

第一晶体管，基极被连接到上述第一输入端子，集电极被连接到电源；第二晶体管，基极被连接到上述第二输入端子，集电极被连接到电源；

第一电阻，一端被连接到上述第一晶体管的发射极；第二电阻，一端被连接到上述第二晶体管的发射极；

第三晶体管，集电极被连接到上述第一电阻的另一端，发射极接地；第四晶体管，集电极被连接到上述第二电阻的另一端，基极被连接到上述第三晶体管的基极，发射极接地；

第五晶体管，集电极被连接到上述电源，基极被连接到上述第一电阻的另一端，发射极被连接到上述第三晶体管的基极；

第三电阻，一端被连接到上述第三晶体管的基极，另一端接地；第四电阻，一端被连接到上述电源；

第六晶体管，集电极被连接到上述第四电阻的另一端，基极被连接到上述第二电阻的另一端；控制信号输入晶体管，发射极被连接到上述第六的晶体管的基极，基极被连接到上述控制信号输入端子，集电极接地；

第五电阻，一端被连接到上述第六晶体管的发射极，另一端接地；第六电阻，一端被连接到上述电源，另一端被连接到上述输出端子；以及

输出晶体管，集电极被连接到上述输出端子，基极被连接到上述第六晶体管的发射极，发射极接地，

上述第一～第六晶体管以及上述输出晶体管为NPN型晶体管，上述控制信号输入晶体管为PNP型晶体管。

按照本实施方式的光束检测装置，上述输出电路可以由七个NPN型晶体管和一个PNP型晶体管以及六个电阻构成。从而，可以高速地响应基于第一、第二基准比较信号的光束检测信号的输出。

而且，一实施方式的光束检测装置中，上述输出电路具有：

第一晶体管，基极被连接到上述第一输入端子，集电极被连接到电源；第二晶体管，基极被连接到上述第二输入端子，集电极被连接到电源；

第一电阻，一端被连接到上述第一晶体管的发射极；第二电阻，一端被连接到上述第二晶体管的发射极；

第三晶体管，集电极被连接到上述第一电阻的另一端，发射极接地；第四晶体管，集电极被连接到上述第二电阻的另一端，基极被连接到上述第三晶体管的基极，发射极接地；

第五晶体管，集电极被连接到上述电源，基极被连接到上述第一电阻的另一端，发射极被连接到上述第三晶体管的基极；

第三电阻，一端被连接到上述第三晶体管的基极，另一端接地；第四电阻，一端被连接到上述电源；

第六晶体管，集电极被连接到上述第四电阻的另一端，基极被连接到上述第二电阻的另一端；

控制信号输入晶体管，集电极被连接到上述电源，基极被连接到上述控制信号输入端子，发射极被连接到上述第一晶体管的发射极；

第五电阻，一端被连接到上述第六晶体管的发射极，另一端接地；第六电阻，一端被连接到上述电源，另一端被连接到上述输出端子；输出晶体管，集电极被连接到上述第六电阻的另一端，基极被连接到上述第六晶体管的发射极，发射极接地，

上述第一～第六晶体管以及上述输出晶体管和上述控制信号输入晶体管为NPN型晶体管。

按照本实施方式的光束检测装置，可以将构成上述输出电路的晶体管全部设为NPN型晶体管，可以使对于输入信号的响应进一步高速。

而且，在一实施方式的光束检测装置中，上述控制部输出的第一、第二控制信号中的上限值，比上述基准比较器输出的上述第一、第二基准比较信号中的上限值更高，

并且，上述控制部输出的上述第一、第二控制信号中的下限值，比上述基准比较器输出的上述第一、第二基准比较信号中的下限值更低。

按照本实施方式的光束检测装置，与基准比较器的输出状态无关，即使用第一、第二控制信号，也可以切换控制部的动作状态和非动作状态。

而且，一实施方式的光束检测装置中包括钳位部，将上述第四晶体管的集电极电压钳位，从而使上述集电极电压不饱和。

按照本实施方式的光束检测装置，通过上述钳位部防止第四晶体管的集电极电压饱和，从而防止输入电路的响应性恶化。

而且，一实施方式的印刷设备包括上述光束检测装置。

按照本实施方式的印刷设备，可以防止由于光束的光量变动而在光束的检测定时产生误差，并且可以防止反射光造成的误检测，所以可以容易地得到高精细的印刷中的印刷开始定时。

按照本发明的光束检测装置，对第一光电变换部和第二光电变换部的两个都仅射入小于或等于规定的光量的光束，在第一输出信号和第二输出信号的两个小于或等于阈值时，比较输出部不动作，光束检测信号不被输出。从而，按照本发明，不象以往那样将光电变换部的输出信号电平移位，可以防止反射光造成的误检测，所以也不产生上述电平移位造成的光束的检测定时的误差。从而，按照本发明，可以实现可以防止由于光束的光量变动而在光束的检测定时中产生误差，并且可以防止反射光造成的误检测的光束检测装置。

附图说明

根据以下的详细说明和附图应该可以充分理解本发明。附图仅用于说明，并不是对本发明的限制。在附图中，

图1是表示本发明的光束检测装置的第一实施方式的结构的方框图。

图2A是表示第一实施方式中的启动电路的结构的一例的方框图，图2B是上述启动电路的电路图。

图3A是第一实施方式中的光电二极管的配置图，图3B是表示第一实施方式中的受光元件电流波形和信号波形和启动信号波形和检测脉冲波形的波形图，图3C是表示光束的光量变动时的信号电压波形的变动的波形图。

图4A是表示本发明的光束检测装置的第二实施方式的结构的方框图，图4B是上述第二实施方式中的启动电路的电路图。

图5是表示上述第一实施方式中的输出电路35的一例的电路图。

图6是表示上述输出电路的另一例的电路图。

图7是表示启动信号Se的信号波形和基准比较信号Pout1、Pout2的信号波形的一例的波形图。

图8是表示图6的输出电路38的变形例的电路图。

图9是表示现有例的光束检测装置的图。

图10A是上述现有例中的光电二极管的配置图，图10B是表示上述现有例中的受光元件电流波形和信号波形和启动信号波形和检测脉冲波形的波形图，图10C是表示光束的光量变动时的信号电压波形的变动的波形图。

具体实施方式

以下，根据图示的方式详细说明本发明。

(第一实施方式)

图1A、B表示本发明的光束检测装置的第一实施方式。该第一实施方式包括作为第一光电变换元件的第一光电二极管PD31和作为第二光电变换元件的第二光电二极管PD32。该第一光电二极管PD31的阴极连接到恒压源30的阳极，第一光电二极管PD31的阳极连接到作为第一信号变换器的第一放大器31的输入端子。而且，第二光电二极管PD32的阴极连接到上述恒压源30的阳极，第二光电二极管PD32的阳极连接到作为第二信号变换器的第二放大器32的输入端子。上述恒压源30的阴极接地。

上述第一光电二极管PD31和第一放大器31构成第一光电变换部，第二光电二极管PD32和第二放大器32构成第二光电变换部。

上述第一放大器31的输出端子连接到基准比较器33的两个输入端子中的一个输入端子，第二放大器32的输出端子连接到基准比较器33的另一个输入端子。而且，上述第一放大器31的输出端子和第二放大器32的输出端子分别连接到作为控制部的启动电路34的输入端子T1、T2。该启动电路34的输出端子T3连接到输出电路35的控制信号输入端子35C。另外上述基准比较器33和输出电路35构成比较输出部。

基准比较器33的第一输出端子33A连接到上述输出电路35的第一输入端子35A，基准比较器33的第二输出端子33B连接到输出电路35的第二输入端子35B。该输出电路35的输出端子35D连接到该光束检测装置的输出端子OUT。从该输出端子OUT输出光束检测信号。

在该光束检测装置中，如图3A所示，第一光电二极管PD1的受光面F1和第二光电二极管PD2的受光面F2，隔开规定的间隔，沿光束点的行进方向36被排列。

如图3B所示，该光束点射入第一光电二极管PD1的受光面F1时，第一光电二极管PD1产生第一电流信号I31。该第一电流信号I31被输入第一放大器31，通过该第一放大器31被放大、反转，并作为第一电压信号V31被输出。该第一电压信号V31为第一输出信号Aout1。

然后，如图3B所示，上述光束点射入第二光电二极管PD2的受光面F2时，第二光电二极管PD2产生第二电流信号I32。该第二电流信号I32被输入第二放大器32，通过该第二放大器32被放大、反转，并作为第二电压信号V32被输出。该第二电压信号V32为第二输出信号Aout2。

上述第一放大器31输出的第一电压信号V31(第一输出信号Aout1)被输入启动电路34的第一输入端子T1，第二放大器32输出的第二电压信号V32(第二输出信号Aout2)被输入启动电路34的第二输入端子T2。如图3B所示，在第一电压信号V31比阈值电压-Vth低时，启动电路34使从输出端子T3输出的启动信号Se下降，并将第一控制信号Se1输入上述输出电路35的控制信号输入端子35C。于是，上述输出电路35成为动作状态。

而且，上述第一、第二电压信号V31、V32被输入基准比较器33。该基准比较器33比较第一电压信号V31的绝对值和规定的阈值电压，然后在上述第一电压信号V31的绝对值超过上述阈值电压时，将第一基准比较信号Pout1设为低电平，在上述绝对值不超过上述阈值电压时，将第一基准比较信号Pout1设为高电平。而且，基准比较器33比较第二电压信号V32的绝对值和规定的阈值电压，然后在上述第二电压信号V32的绝对值超过上述阈值电压时，将第二基准比较信号Pout2设为低电平，在上述绝对值不超过上述阈值电压时，将第二基准比较信号Pout2设为高电平。

然后，该基准比较器33输出的第一基准比较信号Pout1被输入输出电路35的第一输入端子35A，第二基准比较信号Pout2被输入第二输入端子35B。

该输出电路35比较第一基准比较信号Pout1和第二基准比较信号Pout2，在第二基准比较信号Pout2的绝对值成为比第一基准比较信号Pout1都大时(X33)，将下降检测脉冲DP作为光束检测信号从输出端子35D输出。

然后，光束点通过第二光电二极管PD2的受光面F2时，第二电流信号I32下降，第二电压信号V32上升，该第二电压信号V32大于或等于图2B所示的阈值电压-Vth时，由于第一电压信号V31和第二电压信号V32两方都大于或等于阈值电压-Vth，所以启动电路34将启动信号Se上升，并将第二控制信号Se2输入到输入电路35的控制信号输入端子35C。于是，上述输出电路35成为非动作状态。由此，输出电路35被钳位在高电平(零电位)。

这样，按照本实施方式的光束检测装置，在来自第一放大器31的第一电压信号V31的绝对值和来自第二放大器32的第二电压信号V32的绝对值的至少一个超过上述阈值电压-Vth的绝对值时，构成上述控制部的启动电路34将第一控制信号Se1输出到上述输出电路35，从而将上述输出电路35设为动作状态。另一方面，在第一电压信号V31和第二电压信号V32的两个的绝对值小于或等于上述阈值电压-Vth的绝对值时，上述启动电路34将第二控制信号Se2输出到上述输出电路35，从而将输出电路35设为非动作状态。

从而，按照该光束检测装置，在对第一光电二极管PD1和第二光电二极管PD2的两个仅射入小于或等于规定的光量的光束，上述第一电压信号V31的绝对值和第二电压信号V32的绝对值两个都小于或等于上述阈值电压-Vth的绝对值时，上述输出电路35不动作，作为光束检测信号的检测脉冲DP不被输出。

从而，如图3B所示，反射光(噪声光)射入第一光电二极管PD1，即使在第一电流信号I31中产生突起BSI，并在第二电压信号V32中产生突起BSV，如果该突起BSV的绝对值比阈值电压-Vth的绝对值小，则启动电路34不对输出电路35输出控制信号Se1，输出电路35为非动作状态。从而，按照该实施方式，不象以往那样使光电变换部的输出信号电平移位，可以防止反射光造成的误检测。

而且，按照本实施方式，由于不象以往那样使光电变换部的输出信号电平移位，所以即使产生光束点的光量变动，也不产生光束的检测定时的误差。即，如图3C所示，在第一电压信号V31以及第二电压信号V32如V31a、V31b、V31c以及V32a、V32b、V32c那样变动时，该第一电压信号V31a、V31b、V31c和第二电压信号V32a、V32b、V32cd的交叉点的时刻X22不变动。

从而，按照本实施方式，可以实现一种可以防止由于光束的光量变动而在光束的检测定时中产生误差，并且可以防止反射光造成的误检测的光束检测装置。

另外，在上述实施方式中，最好将启动电路34中的上述阈值电压Vth的绝对值设为比在小于或等于上述光束点的光量的一半的光量射入第一光电二极管PD1(或PD2)时的第一放大器31(或第二放大器32)的输出电压的绝对值小。因为，在将该阈值电压Vth的绝对值设定为大于或等于上述输出电压的绝对值时，在上述交叉点的时刻X22输出电路35成为非动作状态(有效状态)，得不到正常的检测脉冲。另外，实际的反射造成的光束点的光量小于或等于应检测的光束点的光量的一半，所以在进行上述设定时，也可以排除反射光束点的影响。

接着，参照图2A表示作为上述控制部的启动电路34的结构的一例。该启动电路34具有作为第一比较器43和第二比较器42和控制信号生成部的“与”门电路44和基准电压源40。上述第一比较器43的正相输入端子连接到上述第一放大器31的输出端子，第一比较器43的反相输入端子连接到基准电压源40的阳极。而且，该第一比较器43的输出端子连接到“与”门电路44的输入端子44A。另外，基准电压源40的阴极接地。

而且，上述第二比较器42的正相输入端子连接到第二放大器32的输出端子，第二比较器42的反相输入端子连接到基准电压源40的阳极。第二比较器42的输出端子连接到上述“与”门电路44的另一个输入端子44B。该“与”门电路44的输出端子连接到输出电路35的控制信号输入端子35C。

在该启动电路34中，第一、第二电压信号V31、V32比将基准电压源40的阈值电压Vth反转的-Vth高时，第一、第二比较器43、42作为第一、第二比较信号输出高电平的信号。即，光束点不射入第一、第二光电二极管PD1、PD2这两个中的无光时，以及反射光(噪声光)射入上述第一、第二光电二极管，从而第一、第二电压信号V31、V32的绝对值比阈值电压Vth小时，第一、第二比较器43、42作为第一、第二比较信号输出高电平信号。

于是，”与”门电路44将作为第二控制信号的高电平信号输出到输出电路35中，从而将输出电路35设为非动作状态。

另一方面，第一电压信号V31比-Vth低时，第一比较器43输出低电平的信号。而且，第二电压信号V32比-Vth低时，第二比较器42输出低电平信号。从而，如果上述第一、第二电压信号V31、V32中的至少一个比-Vth低，则”与”门电路44将作为第一控制信号的低电平信号输出到输出电路35中，从而将输出电路35设为动作状态。

另外，在包括”与非”门电路而替代”与”门电路时，启动电路34作为第一控制信号输出高电平信号，另一方面作为第二控制信号输出低电平信号。从而，该情况下，将输出电路35设为在被输入高电平信号时成为动作状态，另一方面，在被输入低电平信号时成为非动作状态的输出电路。这样，根据输出电路的启动方式，第一控制信号和第二控制信号的逻辑值反转也没关系。

而且，作为上述控制部的启动电路34也可以包括在上述电压Vth中设定滞后的滞后设定部HS。在该情况下，该滞后设定部HS通过在阈值电压Vth中设定滞后，可以防止上述第一、第二电压信号V31、V32在阈值电压Vth附近那样的噪声光造成的误动作。

接着，图2B中表示上述启动电路34的具体的电路的一例。该启动电路34具有连接到第一放大器31的输出端子的第一输入端子T1、连接到第二放大器32的输出端子的第二输入端子T2、连接到输出电路35的控制信号输入端子35C的输出端子T3。

上述第一输入端子T1上连接PNP型晶体管Tr41的基极，该PNP型晶体管TR41的发射极连接到恒流源47。而且，上述第二输入端子T2上连接PNP型晶体管Tr42的基极，该PNP型晶体管TR42的发射极连接到恒流源47。该恒流源47连接到电源电位的端子。

而且，PNP型晶体管Tr41的集电极和PNP型晶体管Tr42的集电极通过连接点N1连接，该连接点N1通过连接线L1接地。而且，上述恒流源47的低电位侧连接PNP型晶体管Tr43的发射极，该PNP型晶体管Tr43的集电极极通过连接点N2连接到电阻41，该电阻41连接到上述连接线L1。而且，PNP型晶体管Tr3的基极连接到电压Vref41的基准电压源40的阳极，该基准电压源40的阴极接地。而且，上述连接点N2连接到输出端子T3。

上述晶体管Tr41和Tr43实现上述第一比较器43的功能，上述晶体管Tr42和Tr43实现上述第二比较器42的功能。而且，电阻R41和晶体管Tr43的集电极的连接点N2构成上述“与”门电路44的输出端子。

在该启动电路34的结构中，比较晶体管Tr41的基极电位和晶体管Tr43的基极电位，在基极电位低的那个晶体管Tr41或者Tr43中流过恒电流I41。同样，在晶体管Tr42和Tr43中基极电位低的那个晶体管中流过恒电流I41。

这里，晶体管Tr41、Tr42、Tr43的发射极成为共同，所以作为结果，仅在晶体管Tr41～Tr43中基极电位最低的晶体管中从恒流源47流过恒电流I41。

这里，光不射入光电二极管PD31和PD32的两个中的期间，晶体管Tr41～Tr43的基极电位中，作为晶体管Tr43的基极电位的Vref41最低，在晶体管tr43中流过恒电流I41。由此，恒电流I41和电阻R41的积作为高电平信号即第二控制信号被输出到输出端子T3。该第二控制信号相当于上述“与”门电路44的高电平信号。

另一方面，光束被射入光电二极管PD31和PD32的任何一个，晶体管Tr41或者Tr42的基极电位低于基准电压Vref41时，晶体管Tr41或者Tr42中流过恒电流I41，晶体管Tr43中不流过恒电流。此时，因为电阻R41中不流过恒电流，所以连接点N2成为接地电平。由此，低电平的信号作为第一控制信号被输出到输出端子T3。

(第二实施方式)

接着，图4A、图4B中表示本发明的光束检测装置的第二实施方式。该第二实施方式仅在包括启动电路55而替代启动电路41，和包括输出电路59而替代输出电路35这两方面与所述第一实施方式不同。该启动电路55在包括加法器56和钳位电路54而代替“与”门电路44，和包括基准电压源50而替代基准电压源40，以及包括比较器52、53而替代比较器42、43这三方面与启动电路34不同。

如图4所示，第一比较器53的输出端子和第二比较器52的输出端子连接到加法器56的输入端子，该加法器56的输出端子通过连接线L13连接到启动电路55的输出端子T13。该连接线L13上连接钳位电路54。

另外，在小于或等于规定的光束点的光量的一半的光量被射入第一光电二极管PD31(或者第二光电二极管PD32)中时，上述基准电压源50向比较器53、52输出的基准电压Vref51被设定为比较器53(或者比较器52)的输出信号反转那样的电压。

该启动电路55中，通过加法器56将第一、第二的两个比较器53、52输出的第一、第二比较信号相加，并输出该相加的信号。

在该启动电路55中，射入第一光电二极管PD31的光量和射入第二光电二极管PD32的光量的两方小于或等于上述规定的光量的一半时，第一比较器53输出高电平信号，并且，第二比较器52输出高电平信号。在该情况下，加法器56将上述两个高电平相加从而输出。这里，因为将高电平设为零电位，所以，结果高电平信号被作为第二控制信号从输出端子T13输入，输出电路59成为非动态状态。

另一方面，光束点射入第一光电二极管PD1或第二光电二极管PD2的任何一个时，第一比较器53或者第二比较器52的某一个输出低电平信号，另一个输出高电平。于是，加法器56将零电位的高电平信号和负电位的低电平信号相加，从而将低电平信号作为第一控制信号输出，低电平信号被从输出端子T13输入输出电路59，输出电路59成为动作状态。

但是，上述光束点来到第一光电二极管PD1和第二光电二极管PD2的中间时，分别对两个光电二极管PD1、PD2输入上述光束点的一半的光量。此时，两个比较器53、52任何一个都输出低电平信号，加法器56要输出一个低电平信号的负电位的两倍的信号，但是通过钳位电路54，加法器56的输出被钳位，输出端子T13中，绝对值比上述负电位的两倍的值小的低电平信号作为第一控制信号被输出到输出电路59中。由此，输出电路59成为动作状态。

接着，图4B中表示上述启动电路55的具体的电路的一例。该启动电路55中，第一输入端子T11上连接第一放大器31的输出端子，第二输入端子T12上连接第二放大器32的输出端子。该第一输入端子T11连接到NPN型晶体管Tr51的基极。而且，NPN型晶体管Tr52的基极上连接基准电压源50，晶体管Tr51的发射极和晶体管Tr52的发射极通过连接点N51连接。该连接点N51连接到恒流源57。上述晶体管Tr51和Tr51构成第一比较器53。

而且。上述第二输入端子T12上连接NPN型晶体管Tr54的基极，NPN型晶体管Tr53的基极连接到基准电压源50。然后，晶体管Tr54的发射极和晶体管Tr53的发射极通过连接点N52连接。该连接点N52连接到恒流源58。上述晶体管Tr53和Tr54构成第二比较器52。

而且，晶体管Tr52的集电极和晶体管Tr53的集电极通过连接点53连接，该连接点53上连接电阻R51的一端。将该连接点N53设为加法器56的输出。进而，将NPN型晶体管Tr55的发射极连接到晶体管Tr52的集电极和晶体管Tr53的集电极，将晶体管Tr55的基极连接到基准电压源52。通过该晶体管Tr55构成钳位电路54。

在无光时(即，光束点没有射入第一、第二光电二极管PD31、PD32的状态)，第一放大器31输出的电压Aout1以及第二放大器32输出的电压Aout2比基准电压源50的基准电压Vref51高。从而，该启动电路55的晶体管Tr52、Tr53中不流过恒流源57、58产生的恒流I51、I52，加法器56的输出成为高电平。

另一方面，光束点射入第一光电二极管PD31时，第一放大器31的输出电压下降，并比基准电压Vref51低，所以晶体管Tr52中流过恒电流I51。于是，将从电源电压降低了由恒电流I51和电阻R51的积表示的电压的电压作为加法器56的输出，在连接点N53产生。

同样，光束点射入第二光电二极管PD32时，第二放大器32的输出电压下降，并比基准电压Vref51低，所以晶体管Tr53中流过恒电流I52。于是，将从电源电压Vref52降低了由恒电流I52和电阻R51的积表示的电压的电压作为加法器56的输出，在连接点N53产生。

进而，光束点来到两个光电二极管PD31、PD32的中间时，晶体管Tr52、Tr53的集电极中流过恒电流I51、I52。于是，加法器56的输出不成为仅降低了由I51和I52的和与电阻R51的积表示的电压的电压，通过晶体管Tr55的发射极连接到连接点N53，而被钳位为仅从电源电压Vref52下降了晶体管Tr55的Vbe(基极-发射极间电压)的电压。即，加法器56的输出与电阻R51中流过的电流成比例下降，但通过晶体管Tr55的发射极-基极间产生电压，从而从晶体管Tr55向连接点N53提供电流，输出端子T13的电压被固定。

如该启动电路55那样，在使用加法器56时，通过使用钳位电路54，可以得到接近作为第一控制信号和第二控制信号的两个值。

(输出电路的电路结构)

接着，图5中表示上述第一实施方式中的输出电路35的电路结构的一例。

该输出电路35包括连接到上述基准比较器33的第一输出端子33A的第一输入端子35A，以及连接到第二输出端子33B的第二输入端子35B。还包括输入来自启动电路34的控制信号的控制信号输入端子35C，以及输出光束检测信号的输出端子35D。

该输出电路35具有：第一晶体管Tr61，基极连接到上述第一输入端子35A，集电极连接到电源；以及晶体管Tr62，基极连接到上述第二输入端子35B，集电极连接到电源。而且，该输出电路35具有：第一电阻R61，一端连接到上述第一晶体管Tr61的发射极；以及第二电阻R62，一端连接到上述第二晶体管Tr62的发射极。

而且，该输出电路35具有：第三晶体管Tr63，集电极连接到上述第一电阻R61的另一端，发射极接地；以及第四晶体管Tr64，集电极连接到上述第二电阻R62的另一端，基极连接到上述第三晶体管Tr63的基极，发射极接地。

而且，该输出电路35具有第五晶体管Tr65，集电极连接到上述电源，基极连接到上述第一电阻R61的另一端，发射极连接到上述第三晶体管Tr63的基极。而且，该输出电路35具有：第三电阻R63，一端连接到上述第三晶体管Tr63的基极，另一端接地；以及第四电阻R64，一端连接到上述电源。

而且，该输出电路35具有：第六晶体管Tr66，集电极连接到上述第四电阻R64的另一端，基极连接到上述第二电阻R62的另一端；以及控制信号输入晶体管Tr67，发射极连接到上述第六晶体管Tr66的基极，基极连接到上述控制信号输入端子35C，集电极接地。

而且，该输入电路35具有：第五电阻R65，一端连接到上述第六晶体管Tr66的发射极，另一端接地；以及第六电阻R66，一端连接到上述电源，另一端连接到上述输出端子35D。而且，该输出电路35具有输出晶体管Tr6out，集电极连接到上述输出端子35D，基极连接到上述第六晶体管Tr66的发射极，发射极接地。

而且，上述第一～第六晶体管Tr61～Tr66以及上述输出晶体管Tr6out为NPN型晶体管，上述控制信号输入晶体管Tr67为PNP型晶体管。

接着，说明该输出电路35的动作。前级的基准比较器33的第一输出端子33A输出的第一基准比较信号Pout1被输入到第一晶体管Tr61的基极。而且，来自基准比较器33的第二输出端子33B的第二基准比较信号Pout2被输入第二晶体管Tr62的基极。

该第一基准比较信号Pout1在射入第一光电二极管PD31的光量超过规定值时为低电平信号，在上述光量不超过规定值时为高电平信号。而且，第二基准比较信号Pout2在射入第二光电二极管PD32的光量超过规定值时为低电平信号，在上述光量不超过规定值时为高电平信号。

这里，设电阻R61和电阻R62的电阻值相等，将第一基准比较信号Pout1的电压设为V61，将第二基准比较信号Pout2的电压设为V62，将晶体管Tr66的基极电位设为V66b，将晶体管Tr63、Tr65的基极-发射极间电压设为Vbe63、Vbe65时，下式(1)成立。

V66b＝Vbe63+Vbe65+(V62-V61)……(1)

由此，该输出电路35的输出(光束检测信号)在第二基准比较信号Pout2的电压V62比第一基准比较信号Pout1的电压V61大时，输出晶体管Tr6out导通，并成为低电平。另一方面，上述电压V62比上述电压V61小时，输出晶体管Tr6out截止，输出电路35的光束检测信号成为高电平。

接着，说明该输出电路35中的启动控制。根据从启动电路34输入控制信号输入端子35C的控制信号(第一控制信号(低电平信号)，第二控制信号(高电平信号))，通过输入控制信号输入晶体管Tr67的基极的电压进行输出电路35的启动控制。

即，上述启动电路34为了将输出电路35设为非动作状态，输出第二控制信号(高电平信号)时，上述晶体管Tr67的基极被输入与接地的电压接近的电压。于是，晶体管Tr67导通，从而晶体管Tr66的基极电位V66被强制固定在输出晶体管Tr6out不导通的电压，该输出电路35的输出电平成为高电平。另一方面，上述启动电路34为了将输出电路35设为动作状态，输出第一控制信号(低电平信号)时，晶体管Tr67截止，从而输出电路35成为动作状态。该低电平信号作为加到上述晶体管Tr67的基极的电压，可以至少设为两倍的基极-发射极间电压Vbe的两倍以上。

接着，图6中表示作为输出电路35的变形例的输出电路38的电路结构。该输出电路38具有：第一晶体管Tr71，基极连接到上述第一输入端子38A，集电极连接到电源；以及第二晶体管Tr72，基极连接到上述第二输入端子38B，集电极连接到电源。

来自基准比较器33的第一输出端子33A的第一基准比较信号Pout1被输入第一输入端子38A，来自基准比较器33的第二输出端子33B的第二基准比较信号Pout2被输入第二输入端子38B。

而且，该输出电路38具有：第一电阻R71，一端连接到第一晶体管Tr71的发射极；以及第二电阻R72，一端连接到第二晶体管R72的发射极。

而且，该输出电路38具有：第三晶体管Tr73，集电极连接到上述第一电阻R71的另一端，发射极接地；以及第四晶体管Tr74，集电极连接到上述电阻R72的另一端，基极连接到上述第三晶体管Tr73的基极，发射极接地。

而且，该输出电路38具有第五晶体管Tr75，集电极连接到上述电源，基极连接到上述第一电阻R71的另一端，发射极连接到上述第三晶体管Tr73的基极。

而且，该输出电路38具有：第三电阻R73，一端连接到上述第三晶体管Tr73的基极，另一端接地；以及第四电阻R74，一端连接到上述电源。

而且，该输出电路38具有第六晶体管Tr76，集电极连接到上述第四电阻R74的另一端，基极连接到上述第二电阻R72的另一端。而且，该输出电路38具有控制信号输入晶体管Tr78，发射极连接上述电源，基极连接到上述控制信号输入端子38C，发射极连接到上述第一晶体管Tr71的发射极。来自启动电路34的控制信号被输入该控制信号输入端子38C。

而且，该输出电路38具有：第五电阻R75，一端连接到第六晶体管Tr76的发射极，另一端接地；以及第六电阻R76，一端连接到上述电源，另一端连接到输出端子38D。而且，该输出电路38具有输出晶体管Tr7out，集电极连接到上述第六电阻R76的另一端，基极连接到上述第六晶体管Tr76的发射极，发射极接地。

而且，上述第一～第六晶体管Tr71～Tr76以及上述输出晶体管Tr7out和上述控制信号输入晶体管Tr78为NPN型晶体管。

接着，说明该输出电路38的动作。该输出电路38中，与第一晶体管Tr71并联连接控制信号输入晶体管Tr78。

这里，为了使输出电路38成为非动作状态，将从启动电路34输入到控制信号输入端子38C的第二控制信号设为比零电位高的电压。由此，光束点射入第一光电二极管PD1，从而即使被输入第一输入端子38A的第一基准比较信号Pout1成为低电平，晶体管Tr78的发射极也始终等于晶体管72的发射极电压，或被固定在比该晶体管Tr72的发射极电压高的电压。晶体管Tr76的基极电位V76b由下式(2)提供。

V76b＝Vbe73+Vbe75+(V72-V78)-α……(2)

在式(2)中，Vbe73为晶体管Tr73的基极-发射极间电压，Vbe75为晶体管Tr75的基极-发射极间电压。而V72为对第二输入端子38B提供的第二基准比较信号Pout2的电压，V78为对控制信号输入端子38C提供的控制信号的电压。

上述电压V72和电压V78相等时，通过设为电阻R71＜R72，α成为正值。从而，通过电阻R71、R72的电阻值调整α的值，从而在V72和V78相等时，有必要事先设为输出晶体管Tr7out不导通。

另一方面，将输出电路38设为动作状态时，作为第一控制信号，通过将小于或等于第一基准比较信号Pout1的低电平的电压的信号Se输入晶体管Tr78的基极，晶体管Tr78停止动作，成为通常的输出电路动作。

另外，如图7所示，将控制信号(启动信号)的高电平(第二控制信号)设为比第一、第二基准比较信号Pout1、Pout2的高电平更高，同时也可以将控制信号(启动信号)的低电平(第一控制信号)设定为比第一、第二基准比较信号Pout1、Pout2的低电平更低。在该情况下，不调整输出电路的电阻R71、R72，可以进行启动控制。即，在将输出电路38设为非动作状态的启动时，如果事先将启动输入电压(第二控制信号的电压)设定为比第二基准比较信号Pout2的电压V72的高电平更高，则在上式(2)中，晶体管Tr76的基极电位V76b的电压成为小于或等于2×Vbe，可以将输出晶体管Tr7out截止。因此，没必要将α调整为正值。

另一方面，将输出电路38设为动作状态的启动解除时，如果事先将启动输入电压(第一控制信号的电压)设定为比第一基准比较信号Pout1的电压V71的低电平更低，则与基准比较器33的输出状态无关，控制信号输入晶体管Tr78截止。从而，基准比较器33的输出状态对输出电路38的光束检测信号的输出的响应性没有影响。反过来说，在上述启动解除时，如果控制信号输入晶体管Tr78不完全截止，则影响到第一晶体管71的切换时间，而得不到稳定的响应特性。

接着，图8中表示作为输出电路38的变形例的另一个输出电路39的电路例。在上述输出电路38中，包括构成钳位部的NPN型晶体管Tr99，所述钳位部将第四晶体管Tr74的集电极电压钳位从而使上述集电极电压不饱和，在这一点上该输出电路39与所述的输出电路38不同。上述NPN型晶体管Tr99，其基极连接到第一电阻R71和第五晶体管Tr75的基极的连接点N91，集电极连接到电源，发射极连接到第四晶体管Tr74的集电极。

在所述输出电路38中，在将输出电路38设为非动作状态的启动时，如果被输入控制信号输入端子38C的第二控制信号的启动电压与第二基准比较信号Pout2的电压相比，超过规定值而太高，则如上式(2)所示，有时(V72-V78)的绝对值变大，第六晶体管Tr76的基极电位V76b过低。此时，晶体管Tr74的集电极电位变低，所以晶体管Tr74有时候饱和，有响应性恶化的可能性。

与此相反，在该输出电路39中，如果晶体管Tr74的集电极电压成为小于或等于基极-发射极间的电压Vbe，则晶体管Tr99动作，通过对晶体管Tr74提供电流，可以防止晶体管Tr74的集电极电压成为小于或等于上述Vbe的情况。由此，可以进行得到稳定的响应特性的输出电路的启动控制。

另外，按照包括上述说明的实施方式的光束检测装置的激光打印机等印刷设备、打印设备，可以实现没有反射光造成的误检测，并且检测定时不依赖于光束光量的印刷设备、打印设备。

以上，说明了本发明，但很明显这也可以多种变更。这样的变更不应该被看作超出本发明的基本宗旨和范围，本技术领域人员可以理解的变更都包含在技术方案的范围中。

Claims (12)

1.一种光束检测装置，其特征在于包括：

第一光电变换部(PD31)；第二光电变换部(PD32)；

比较输出部(33、35)，输入上述第一光电变换部(PD31)输出的第一输出信号和上述第二光电变换部(PD32)输出的第二输出信号，同时，比较上述第一输出信号和上述第二输出信号，基于该比较结果，生成并输出光束检测信号；以及

控制部(34)，输入来自上述第一光电变换部的上述第一输出信号和来自上述第二光电变换部的上述第二输出信号，同时在上述第一输出信号和上述第二输出信号的至少一个超过规定的阈值时，将第一控制信号输出给上述比较输出部，从而将上述比较输出部(33、35)设为动作状态，另一方面，在上述第一输出信号和上述第二输出信号两方小于或等于上述阈值时，将第二控制信号输出给上述比较输出部(35)，从而将上述比较输出部(33、35)设为非动作状态。

2.如权利要求1所述的光束检测装置，其特征在于：

上述控制部(34)包括：

在上述阈值中设定滞后的滞后设定部。

3.如权利要求1所述的光束检测装置，其特征在于；

上述第一光电变换部具有：

第一光电变换元件(PD31)；以及

第一电压变换部(31)，将该第一光电变换元件输出的第一电流信号变换为第一电压信号，从而将上述第一电压信号作为上述第一输出信号输出，

上述第二光电变换部具有：

第二光电变换元件(PD32)；以及

第二电压变换部(32)，将该第二光电变换元件输出的第二电流信号变换为第二电压信号，从而将上述第二电压信号作为上述第二输出信号输出。

4.如权利要求3所述的光束检测装置，其特征在于：

上述控制部(34)具有：

第一比较器(43)，输入来自上述第一电压变换部(31)的上述第一输出信号和作为上述规定的阈值的阈值电压(Vref41)，同时，比较上述第一输出信号和上述阈值电压，从而输出表示该比较结果的第一比较信号；

第二比较器(42)，输入来自上述第二电压变换部(32)的上述第二输出信号和上述阈值电压(Vref41)，同时，比较上述第二输出信号和上述阈值电压，从而输出表示该比较结果的第二比较信号；以及

控制信号生成部(44)，输入上述第一比较信号和上述第二比较信号，同时在上述第一比较信号表示上述第一输出信号超过上述阈值电压的情况下，和在上述第二比较信号表示上述第二输出信号超过上述阈值电压的情况下，将上述第一控制信号输出到上述比较输出部(35)，另一方面，在上述第一比较信号表示上述第一输出信号小于或等于上述阈值电压，且上述第二比较信号表示上述第二输出信号小于或等于上述阈值电压的情况下，将上述第二控制信号输出到上述比较输出部(35)中。

5.如权利要求4所述的光束检测装置，其特征在于：

上述控制信号生成部(44)具有：

输入上述第一比较信号和上述第二比较信号的逻辑运算电路(44)。

6.如权利要求4所述的光束检测装置，其特征在于：

上述控制信号生成部(44)具有：

信号加法部(56)，输入上述第一比较信号和上述第二比较信号，同时，输出将上述第一比较信号和上述第二比较信号相加的加法信号；以及

钳位部(54)，将上述信号加法部(56)输出的加法信号钳位。

7.如权利要求1所述的光束检测装置，其特征在于：

上述比较输出部具有：

基准比较器(33)，输入上述第一输出信号(Aout1)和上述第二输出信号(Aout2)，同时将上述第一、第二输出信号分别与规定的基准电压(Vref)比较，从而输出表示该比较结果的第一、第二基准比较信号(Pout1、2)；以及

输出电路(35)，来自上述基准比较器(33)的上述第一、第二基准比较信号(Pout1、2)被输入，比较上述第一基准比较信号和上述第二基准比较信号，并根据该比较的结果生成并输出光束检测信号。

8.如权利要求7所述的光束检测装置，其特征在于：

上述输出电路(35)具有：

第一输入端子(35A)，输入上述第一基准比较信号(Pout1)；第二输入端子(35B)，输入上述第二基准比较信号(Pout2)；控制信号输入端子(35C)，输入来自上述控制部(34)的上述第一、第二控制信号(Se)；输出端子(35D)，输出上述光束检测信号；

第一晶体管(Tr61)，基极被连接到上述第一输入端子(35A)，集电极被连接到电源；第二晶体管(Tr62)，基极被连接到上述第二输入端子(35B)，集电极被连接到电源；

第一电阻(R61)，一端被连接到上述第一晶体管(Tr61)的发射极；第二电阻(R62)，一端被连接到上述第二晶体管(Tr62)的发射极；

第三晶体管(R63)，集电极被连接到上述第一电阻(R61)的另一端，发射极接地；第四晶体管(Tr64)，集电极被连接到上述第二电阻(R62)的另一端，基极被连接到上述第三晶体管(Tr63)的基极，发射极接地；

第五晶体管(Tr65)，集电极被连接到上述电源，基极被连接到上述第一电阻(R61)的另一端，发射极被连接到上述第三晶体管(Tr63)的基极；

第三电阻(R63)，一端被连接到上述第三晶体管(Tr63)的基极，另一端接地；第四电阻(R64)，一端被连接到上述电源；

第六晶体管(Tr66)，集电极被连接到上述第四电阻(R64)的另一端，基极被连接到上述第二电阻(R62)的另一端；控制信号输入晶体管(Tr67)，发射极被连接到上述第六晶体管(Tr66)的基极，基极被连接到上述控制信号输入端子(35C)，集电极接地；

第五电阻，一端被连接到上述第六晶体管(Tr66)的发射极，另一端接地；第六电阻(R66)，一端被连接到上述电源，另一端被连接到上述输出端子(35D)；以及

输出晶体管(Tr6out)，集电极被连接到上述输出端子(35D)，基极被连接到上述第六晶体管(Tr66)的发射极，发射极接地，

上述第一～第六晶体管(Tr61～66)以及上述输出晶体管为NPN型晶体管，上述控制信号输入晶体管(Tr67)为PNP型晶体管。

9.如权利要求7所述的光束检测装置，其特征在于：

上述输出电路具有：

第一晶体管(Tr71)，基极被连接到上述第一输入端子(38A)，集电极被连接到电源；第二晶体管(Tr72)，基极被连接到上述第二输入端子(38B)，集电极被连接到电源；

第一电阻(R71)，一端被连接到上述第一晶体管(Tr61)的发射极；第二电阻(R72)，一端被连接到上述第二晶体管(Tr72)的发射极；

第三晶体管(Tr73)，集电极被连接到上述第一电阻(R71)的另一端，发射极接地；第四晶体管(Tr74)，集电极被连接到上述第二电阻(R72)的另一端，基极被连接到上述第三晶体管(Tr73)的基极，发射极接地；

第五晶体管(Tr75)，集电极被连接到上述电源，基极被连接到上述第一电阻(R71)的另一端，发射极被连接到上述第三晶体管(Tr73)的基极；

第三电阻(R73)，一端被连接到上述第三晶体管(Tr73)的基极，另一端接地；第四电阻(R74)，一端被连接到上述电源；

第六晶体管(Tr76)，集电极被连接到上述第四电阻(R74)的另一端，基极被连接到上述第二电阻(R72)的另一端；

控制信号输入晶体管(Tr78)，集电极被连接到上述电源，基极被连接到上述控制信号输入端子(38C)，发射极被连接到上述第一晶体管(Tr71)的发射极；

第五电阻(R75)，一端被连接到上述第六晶体管(Tr76)的发射极，另一端接地；第六电阻(R76)，一端被连接到上述电源，另一端被连接到上述输出端子(38D)；输出晶体管(Tr7out)，集电极被连接到上述第六电阻(R76)的另一端，基极被连接到上述第六晶体管(Tr76)的发射极，发射极接地，

上述第一～第六晶体管(Tr71～76)以及上述输出晶体管(Tr7out)和上述控制信号输入晶体管(Tr78)为NPN型晶体管。

10.如权利要求9所述的光束检测装置，其特征在于：

上述控制部(34)输出的上述第一、第二控制信号中的上限值，比上述基准比较器(33)输出的上述第一、第二基准比较信号(Pout1、2)中的上限值更高，

并且，上述控制部(34)输出的上述第一、第二控制信号中的下限值，比上述基准比较器输出的上述第一、第二基准比较信号(Pout1、2)中的下限值更低。

11.如权利要求10所述的光束检测装置，其特征在于：

该光束检测装置包括将上述第四晶体管(Tr54)的集电极电压钳位，从而使上述集电极电压不饱和的钳位部(54；Tr55)。

12.一种印刷设备，包括如权利要求1所述的光束检测装置。

Images