CN1619804A - 半导体装置及其制造方法、场致发光装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种可以使TFT等半导体元件的焊盘的间距缩小化，并且提高与半导体元件的导通的可靠性，同时可以防止半导体元件的破损的半导体装置、半导体装置的制造方法及使用半导体装置的EL装置、使用半导体装置的制造方法的EL装置的制造方法。其特征是，在元件(13)和安装基板(10)之间，被利用由导电性材料(11)制成的单一的膜直接连接。

Description

半导体装置及其制造方法、场致发光装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及半导体装置、半导体装置的制造方法、场致发光装置及场致发光装置的制造方法。
背景技术
近年来，在将不同的2种基板贴合在一起的基板接合体的制造方法中，例如提出有通过贴合形成了有机场致发光(以下称为EL)装置等的发光功能元件的电光学基板、形成了使这些发光功能元件发光的驱动元件的驱动电路基板(半导体装置)来制造电光学装置的方法(参照专利文献1)。
在此种基板接合体的制造方法中，由于先分别制造电光学基板和驱动电路基板，将两者贴合而制造电光学装置，因此对于驱动电路基板，由于形成或转印薄膜晶体管(以下称为TFT)等驱动元件后的必需的工序极少，所以可以大幅度降低驱动元件因制造工序而损伤的可能性。另外，由于用分别不同的工序制造电光学基板和驱动电路基板，因此材料利用率提高。由于可以根据情况不同，使用在各自独立的工厂或不同的企业中分别制造电光学基板和电路基板，最终将两者贴合的制造方法，因此在实现制造成本的降低方面也是极为有利的方法。另外，可以利用比较低的设备投资制造大画面的电光学装置。
专利文献1：特开2002-082633号公报
所述的专利文献1中，借助ACP(Anisotropic Conductive Past：各向异性导电糊)将TFT转印、导通连接在完成配线的配线基板上。但是，此种构成中，由于配线基板的突起的高度的偏差，有可能产生配线基板和TFT的导通不良的问题。
另外，当TFT的焊盘间隔较窄时，由于夹隔ACP相邻的焊盘有可能短路，因此就会有在TFT的尺寸或端子数中产生制约的问题。
另外，在将配线基板和TFT导通连接时，为了将配线基板、TFT和ACP连接，加在TFT上的载荷较大，从而有在TFT中产生裂纹的问题。
发明内容
本发明是为了解决所述的问题而提出的，其目的在于，提供一种可以使TFT等半导体元件的焊盘的间距缩小化，并且提高与半导体元件的导通的可靠性，同时可以防止半导体元件的破损的半导体装置、半导体装置的制造方法及使用半导体装置的EL装置、使用半导体装置的制造方法的EL装置的制造方法。
为了达成所述目的，本发明的半导体装置的特征是，元件和安装基板之间被由导电性材料制成的单一的膜直接连接。
即，本发明的半导体装置由于不使用ACP之类的夹隔物，元件被安装基板上的所述单一的膜直接连接，因此就可以提高元件和安装基板的电连接的可靠性。同样，由于不使用ACP之类的夹隔物，因此即使缩小元件和安装基板的连接部(焊盘等)的间隔，也不会有相邻的连接部短路的问题，因而适于实现间距缩小化。另外，由于不使用ACP，因此在将元件和安装基板电连接时，不需要推压元件，从而可以防止元件的破损。
另外，由于利用所述单一的膜将元件和安装基板直接连接，因此就没有以往的连接中使用的焊盘或突起之类的实心部，从而可以削减连接部分中使用的材料，进而可以降低成本。另外，所述实心部在堆积、形成材料时花费较多时间，与之相反，由于所述单一的膜在形成时，不花费很多时间，因此可以实现制造效率的提高。
为了实现所述的构成，更具体来说，导电性材料优选铝。
根据该构成，由于使用导电率高的铝作为导电性材料，因此就可以提高元件和安装基板的电连接的可靠性。
本发明的半导体装置的制造方法的特征是，包括：通过从形成有多个元件的形成基板中，将一部分的元件用剥离层覆盖来选择规定的元件的第1工序、在规定的元件上形成配线的第2工序、使安装基板与形成基板重合并使规定的元件及配线从形成基板上脱离、剥离而转印到安装基板上的第3工序。
即，本发明的半导体装置的制造方法由于在第2工序中在规定的元件上形成配线，因此就不会受到元件的尺寸误差的影响，可以更可靠地进行规定的元件和配线的电连接。另外，由于在规定的元件和配线的连接部中不使用ACP等夹隔物，因此就可以将元件和配线的连接部间隔的间距缩小化。
另外，由于在第3工序中，使元件及配线从形成基板上脱离、剥离而转印到安装基板上，因此就不需要施加对元件进行推压等的力，从而可以防止元件的破损。
为了实现所述的构成，更具体来说，第1工序也可以是从形成有多个薄膜晶体管的形成基板中，使用剥离层选择规定的薄膜晶体管的工序，第2工序也可以是在规定的薄膜晶体管上，形成与安装基板连接的连接构件的工序，第3工序也可以是使安装基板与形成基板重合，除去剥离层，使规定的薄膜晶体管及连接构件从形成基板上脱离、剥离，转印到安装基板上的工序。
根据该构成，由于在第2工序中在规定的薄膜晶体管上形成连接构件，因此就不会受到薄膜晶体管的尺寸误差的影响，更可靠地进行规定的薄膜晶体管和连接构件的电连接。另外，由于在规定的薄膜晶体管和连接构件的连接部中不使用ACP等夹隔物，因此就可以将薄膜晶体管和连接构件的连接部间隔的间距缩小化。
另外，由于在第3工序中，使薄膜晶体管及连接构件从形成基板上脱离、剥离而转印到安装基板上，因此就不需要施加对薄膜晶体管进行推压等的力，从而可以防止薄膜晶体管的破损。
为了实现所述的构成，更具体来说，也可以由可溶性材料形成剥离层。
根据该构成，通过将剥离层溶化，就可以使元件及配线或薄膜晶体管及连接构件从形成基板上脱离、剥离。在溶化脱离层时，由于不在元件或薄膜晶体管上施加力，因此在防止元件或薄膜晶体管的破损方面十分理想。
为了实现所述的构成，更具体来说，可溶性材料也可以是通过加热而溶化的材料。
根据该构成，由于通过加热，可溶性材料即剥离层即溶化，因此就可以更可靠地防止在元件或薄膜晶体管上施加力，从而可以更可靠地防止元件或薄膜晶体管的破损。
为了实现所述的构成，更具体来说，可溶性材料也可以是相对于规定的溶剂显示出可溶性的材料。
根据该构成，由于可溶性材料即剥离层溶化于规定的溶剂中，因此就可以更可靠地防止在元件或薄膜晶体管上施加力，从而可以更可靠地防止元件或薄膜晶体管的破损。
本发明的场致发光装置的特征是，利用所述本发明的半导体装置或用所述本发明的半导体装置的制造方法制造的半导体装置的连接构造，将连接了基板和薄膜晶体管的薄膜晶体管基板、具有场致发光元件的场致发光基板电连接而一体化。
即，本发明的场致发光装置由于具备所述本发明的半导体装置或用所述本发明的半导体装置的制造方法制造的半导体装置的连接构造，因此与薄膜晶体管的导通的可靠性提高，并且可以防止薄膜晶体管的破损，防止作为完成品的场致发光装置的故障发生。另外，由于可以使与薄膜晶体管的导通部间隔的间距缩小化，因此可以缩小安装面积，从而可以实现场致发光装置的小型化。
本发明的场致发光装置的制造方法的特征是，具有带有薄膜晶体管的薄膜晶体管基板、带有场致发光元件的场致发光基板，使用所述本发明的半导体装置的制造方法制造所述薄膜晶体管基板。
即，本发明的场致发光装置的制造方法由于使用所述本发明的半导体装置的制造方法，因此与薄膜晶体管的导通的可靠性提高，并且可以防止薄膜晶体管的破损，从而可以防止场致发光装置的故障发生。
附图说明
图1是表示本发明的有机EL装置的主要部位构成的剖面图。
图2是用于说明有机EL装置的制造工序的工序图。
图3是用于说明有机EL装置的制造工序的工序图。
图4是用于说明有机EL装置的制造工序的工序图。
图5是用于说明本发明的有机EL装置的变形例的制造工序的工序图。
图6是表示有机EL装置的主要部位构成的剖面图。
图中：1、60-有机EL装置(场致发光装置)，3-TFT基板(薄膜晶体管基板、半导体装置)，4-有机EL基板(场致发光基板)，10-配线基板(安装基板)，11-配线(单一的膜、连接构件)，13-TFT(元件、薄膜晶体管)，21-有机EL元件(场致发光元件)，40-基础基板(形成基板)，42-剥离层，54-TFT驱动电极(连接构件)。
具体实施方式
下面将参照图1～图6，对本发明的有机场致发光装置(以下表记为有机EL装置)及有机EL装置的制造方法进行说明。
此外，在以下的说明中所使用的各附图中，为使各部件为可识别的大小，对各部件的比例尺进行了适当的变更。
(有机EL装置)
图1是表示本发明的有机EL装置的主要部位构成的剖面图。
有机EL装置(场致发光装置)1如图1所示，形成至少具备基板接合体2的构成。基板接合体2形成将TFT基板(薄膜晶体管基板、半导体装置)3、有机EL基板(场致发光基板)4夹隔后述的基板间导通部30贴合而接合的构成。
TFT基板3大致通过依次层叠配线基板(安装基板)10、第2层间绝缘层16b、配线(单一的膜、连接构件)11、第1层间绝缘层16a、驱动有机EL元件(场致发光元件)21的TFT(元件、薄膜晶体管)13而构成。
配线11是由单一的层构成的导电层，例如由Al等导电性高的材料形成。另外，配线11的大半被配置于第1层间绝缘层16a和第2层间绝缘层16b之间，其一部分弯曲成凹状或凸状而贯穿第1层间绝缘层16a，形成与TFT13直接接触而电连接的TFT连接部14及与有机EL元件21电连接的基板间连接部15。
有机EL基板4由发出光所透过的透明基板20、有机EL元件21、绝缘膜22、阴极25构成。
这里，有机EL元件21具有由ITO等透明金属制成的阳极、空穴注入/输送层、有机EL元件，通过阳极中产生的空穴和阴极中产生的电子在有机EL元件中结合，来进行发光。而且，此种有机EL元件的详细的构造采用公知技术。另外，也可以在有机EL元件21和阴极25之间形成电子注入/输送层。
另外，在TFT基板3和有机EL基板4之间，设有将基板间连接部15和阴极25导通连接的基板间导通部30、将TFT基板3和有机EL基板4的外周密封的密封部32，此外，在TFT基板3和有机EL基板4之间的空间中填充有惰性气体31。
基板间导通部30为银糊状物，如后所述，是通过将TFT基板3和有机EL基板4贴合挤压而变形的材料。而且，基板间导通部30只要是在银材料中具有导电性及可塑性的材料，不一定是糊状，导电材料也可以采用合适的材料。
惰性气体31采用公知的气体，本实施方式中采用氮气(N2)。作为其他的气体，优选Ar等稀有气体，另外，只要具有惰性的性质，也可以是混合气体。该惰性气体31是在后述的TFT基板3和有机EL基板4的贴合工序的前后被封入的气体。
而且，作为填充于TFT基板3和有机EL基板4之间的物质，不一定限定为气体，也可以使用惰性的液体。
密封部32是使用密封树脂等粘结剂构成的部位，被设于TFT基板3及有机EL基板4的周边，起到将TFT基板3及有机EL基板4粘接，并且将TFT基板3及有机EL基板4之间密封的作用。
而且，密封部32既可以使用密封树脂构成，也可以利用所谓的罐密封，只要是导致其他的有机EL元件21的恶化的物质不会侵入的构成，都可以恰当地采用。另外，在TFT基板3和有机EL基板4之间，也可以设置吸收使有机EL元件21恶化的水分的吸湿剂。
根据所述的构成，由于不使用ACP之类的夹隔物，TFT13被直接地与配线基板10上的配线11连接，因此就可以提高TFT13和配线基板10的电连接的可靠性。同样，由于不使用ACP之类的夹隔物，即使缩小TFT13和配线基板10的连接部(焊盘等)的间隔，也不会有相邻的连接部短路的问题，因而在实现间距缩小化方面是理想的。另外，由于不使用ACP，因此在将TFT13和配线基板10电连接时，不需要推压TFT13，从而可以防止TFT13的破损。
另外，由于TFT13与配线基板10的配线11直接连接，因此在连接部分上就没有以往的连接中使用的焊盘或突起之类的实心部，从而可以削减连接部分中使用的材料，因而可以降低成本。另外，所述实心部在堆积、形成材料时花费很多时间，与之相反，配线11由于为膜形状，因此在形成时不会花费较多时间，从而可以实现制造效率的提高。
(有机EL装置的制造方法)
下面，参照图2到图4，对图1所示的有机EL装置1的制造方法进行说明。有机EL装置1的制造工序大致由TFT制造工序、TFT选择工序(第1工序)、配线形成工序(第2工序)、TFT转印工序(第3工序)、TFT基板及有机EL基板的贴合工序构成，并按照上述的顺序进行各工序。而且，有机EL装置1的制造工序既可以用所述的顺序进行各工序，也可以将各工序的顺序适当改变，还可以对后述的各工序内的顺序进行适当改变。
本实施方式中，使用SUFTLA(Surface Free Technology by LaserAblation)(注册商标)的技术进行TFT等的转印。而且，作为TFT等的转印中使用的技术，也可以采用其他的公知的技术。
(TFT制造工序)
首先，参照图2(a)，对在基础基板(形成基板)40上形成TFT13的工序进行说明。
该工序中，如图2(a)所示，首先，在基础基板40上形成无定形Si层41，在无定形Si层41之上排列形成多个TFT基板13。TFT13相隔规定的间隔而排列，以便在后面的工序中易于选择规定的TFT13。
而且，由于TFT13的制造方法采用包含高温工艺的公知的技术，因此省略其说明，而对基础基板40和无定形Si层41进行详细叙述。
基础基板40是从本工序到TFT基板及有机EL基板的贴合工序之间使用的构件，不是有机EL装置1的构成要素。具体来说，虽然优选可以耐受1000℃左右的温度的石英玻璃等透光性耐热基板，但是除了石英玻璃以外，也可以使用钠玻璃、Coning7059、日本电气玻璃OA-2等耐热性玻璃等。
无定形Si层41是因激光等照射光在无定形Si层41内或其界面上产生剥离(表记为「层内剥离」或「界面剥离」)的层。无定形Si层的组成为非晶态硅(a-Si)，在该非晶态硅中含有氢(H)。当含有氢时，由于激光的照射，产生氢(气体)，从而在剥离层2内产生内压，这样就会促进层内剥离或界面剥离。氢的含量优选2at％左右以上，更优选2at％～20at％。
而且，无定形Si层41的作用是，利用激光等照射光引起层内剥离或界面剥离，除了所述的组成以外，既可以是利用光能产生烧蚀(ablation)等，从而引起层内剥离或界面剥离的材料，也可以是利用以光能使含有成分气化而产生的气体来引起剥离的材料，还可以是所组成的材料自身气化，利用所产生的气体引起层内剥离或界面剥离的材料。
例如，可以举出氧化硅或硅酸化合物、氮化硅、氮化铝、氮化钛等氮化陶瓷、有机高分子材料(这些原子间键被光的照射切断的材料)、金属、例如Al、Li、Ti、Mn、In、Sn、Y、La、Ce、Nd、Pr、Gd或Sm或含有它们当中至少1种的合金。
作为无定形Si层41的形成方法，可以使用CVD法，特别是低压CVD法或等离子CVD法。
而且，在利用其他的材料形成无定形Si层41的情况下，只要是可以用均一的厚度形成无定形Si层41的方法即可，可以根据无定形Si层41的组成或厚度等诸多条件适当选择。例如，可以使用CVD(包括MOCVD、低压CVD、ECR-CVD)法、蒸镀、分子线蒸镀(MB)、溅射法、离子掺杂法、PVD法等各种气相成膜法、电镀、浸渍镀膜(dipping)、非电解镀膜法等各种镀膜法、Langmuir Blodgett(LB)法、旋转镀膜法、喷雾镀膜法、滚筒镀膜法等涂布法、各种印刷法、转印法、喷墨法、粉末喷射法等。另外，也可以将它们当中的2种以上组合使用。另外，在利用溶胶-凝胶(sol-gel)法使用陶瓷来使无定形Si层41成膜的情况下或用有机高分子材料构成无定形Si层41的情况下，优选涂布法，特别优选利用旋转镀膜法成膜。
(TFT选择工序)
然后，如图2(a)所示，在形成了TFT13的基础基板40上形成剥离层42，进行选择规定的TFT13的TFT选择工序。
TFT选择工序中，首先，在TFT13上形成剥离层42，在其后的工序中，进行图案处理，以仅使要转印的TFT13露出。
作为剥离层42，可以使用水溶性丙烯酸树脂等在溶剂中显示可溶性的材料或熔融温度在大约100℃以上的蜡。在使用水溶性丙烯酸作为剥离层42的情况下，可以使用光刻法进行所述图案处理，在使用蜡的情况下，可以用激光照射使蜡蒸发来进行所述图案处理。
(配线形成工序)
然后，如图2(b)、(c)、(d)所示，进行在选择的TFT13上形成配线的配线形成工序。
配线形成工序中，如图2(b)所示，首先，在剥离层42上形成由耐水性丙烯酸树脂构成的第1层间绝缘层16a，利用夹隔了掩模的曝光或光刻法对TFT连接用开口部14a和基板间连接用开口部15a进行图案处理。
其后，如图2(c)所示，在第1层间绝缘层16a、TFT连接用开口部14a及基板间连接用开口部15a上形成配线11，如图2(d)所示，在配线11及第1层间绝缘层16a上形成由耐水性丙烯酸树脂制成的第2层间绝缘层16b。
作为配线11，可以使用例如Al等导电性高的金属材料，在其形成中，可以使用蒸镀法或溅射法。通过如此形成，配线11即作为单一膜形成，在TFT连接用开口部14a上形成TFT连接部14，在基板间连接用开口部15a上形成基板间连接部15。TFT13和配线11通过TFT连接部14直接接触而被电连接。
(TFT转印工序)
下面，参照图3(a)、(b)、(c)、(d)，对将形成于基础基板40上的TFT13及配线11等转印到配线基板10上而形成TFT基板3的工序进行说明。
TFT转印工序中，如图3(a)中所示，首先，在第2层间绝缘层16b上借助粘结剂贴合配线基板10。作为该配线基板10，使用玻璃和热膨胀率低的芳族环氧树脂等形成。
其后，如图3(b)所示，向与在TFT选择工序中被选择的TFT13接触的无定形Si层41照射激光。被照射了激光的无定形Si层41的内部所掺杂的氢结合而变为气体氢，从而引起层内剥离或界面剥离。
在将无定形Si层41剥离后，如图3(c)所示，进行剥离层42的除去。剥离层42的除去根据形成剥离层42的材料不同，其方法有所不同。例如，在使用水溶性丙烯酸树脂作为剥离层42使用的情况下，通过将含有剥离层42的基础基板40及配线基板10浸渍在水中，就可以使剥离层42溶于水中而除去。另外，在使用所述的蜡的情况下，利用加热板(hotplate)或恒温槽等对剥离层42加热，就可以利用热将蜡溶化而除去。
当剥离层42被除去后，如图3(d)所示，TFT13及配线11从基础基板40上的剥离及向配线基板10上的转印即结束，从而完成TFT基板3的形成。
(TFT基板及有机EL基板的贴合工序)
下面，参照图4(a)、(b)，对将TFT基板3和有机EL基板4贴合而形成图1所示的有机EL装置1的工序进行说明。
图4(b)所示的有机EL基板4是在透明基板20上，依次形成了有机EL元件21、绝缘膜22、阴极25的构件。
TFT基板及有机EL基板的贴合工序中，如图4(a)所示，首先，在从基板间连接用开口部15a中露出的配线11上，形成基板间导通部30。基板间导通部30为银糊状物，是利用网板印刷法等公知的方法形成，并如后所述通过贴合TFT基板3和有机EL基板4而挤压变形的部分。而且，只要是在银材料中具有导电性及可塑性的材料，就不一定是糊状，导电性材料也可以采用适当的材料。
其后，在TFT基板3的相面对的位置上配置有机EL基板4，将两基板3、4贴合、推压。基板间导通部30与阴极25接触，通过被推压，基板间导通部30被阴极25挤压，从而更可靠地与阴极25接触并电连接。其结果是，TFT基板3和有机EL基板4借助基板间导通部30被电连接。
该状态下，将惰性气体31封入TFT基板3和有机EL基板4之间，如图4(b)所示，通过利用密封部32密封两基板3、4，即完成有机EL装置1。而且，图4(b)所示的有机EL装置1虽然在制造工序的说明方面上下颠倒，但是其构成是与图1所示的有机EL装置1相同的。
而且，作为惰性气体31的封入方法及基板的密封方法，有在将TFT基板3和有机EL基板4贴合后封入惰性气体31来进行密封的方法、在惰性气体气氛的小室内将TFT基板3和有机EL基板4贴合来进行密封的方法。
利用所述的制造方法制造的图1所示的有机EL装置1形成如下的顶发射型有机EL装置，即，从有机EL基板4的TFT基板3侧开始，依次配置了阴极25、有机EL元件、空穴注入/输送层、阳极，从透明基板20侧输出发出光。
根据所述的构成，在配线形成工序中，由于在规定的TFT13上形成配线11等，因此就不会受到TFT13的尺寸误差的影响，可以更可靠地进行规定的TFT13和配线11的电连接。
另外，由于在规定的TFT13和配线11的连接部上不使用ACP等夹隔物，因此可以使TFT13和配线11的连接部间隔缩小化。
另外，在TFT转印工序中，由于使TFT13及配线11等从基础基板40上脱离、剥离而转印到配线基板10上，因此就不需要施加对TFT13进行推压等的外力，从而可以防止TFT13的破损。
由于在剥离层42中使用可溶性材料，因此通过将剥离层42溶解而剥离无定形Si层41，就可以使TFT13及配线11等从基础基板40上脱离、剥离。由于在溶解剥离层42时未向TFT13施加力，因此在防止TFT13的破损方面是理想的。
(有机EL装置的制造方法的变形例)
下面，参照图5到图6，对有机EL装置的制造方法的变形例进行说明。本变形例的有机EL装置(场致发光装置)60的制造方法虽然与所述的有机EL装置1的制造方法大致相同，但是配线形成工序不同。所以，本变形例的说明中，使用图5到图6对配线形成工序进行说明，对于其他的工序则省略说明。
(配线形成工序)
配线形成工序中，如图5(a)所示，首先，在剥离层42上形成第1层间绝缘层16a，对TFT连接用开口部14a和基板间连接用开口部15a利用夹隔了掩模的曝光或光刻法进行图案处理。
此后，如图5(b)所示，在TFT连接用开口部14a及基板间连接用开口部15a上，分别形成TFT驱动电极(连接构件)54及基板间连接电极55。作为TFT驱动电极54及基板间连接电极55，可以使用Al、Ni、Au等金属。当使用Al时，可以使用蒸镀法、溅射法形成TFT驱动电极54及基板间连接电极55，在使用Ni、Au时，可以利用非电解镀膜形成TFT驱动电极54及基板间连接电极55。
其后，如图5(c)所示，在第1层间绝缘层16a、TFT驱动电极54及基板间连接电极55上形成配线51。作为配线51，可以使用Al的薄膜，使用蒸镀法或溅射法形成。在配线51的形成后，在配线51及第1层间绝缘层16a之上形成第2层间绝缘层16b。
通过如此形成，配线51借助TFT驱动电极54与TFT13电连接，而不用使用ACP等。
第1层间绝缘层16a及第2层间绝缘层16b最好由耐水性丙烯酸树脂形成，可以作为通过使用旋转镀膜法等液相法获得了高精度的平坦性的层间绝缘膜而形成。
而且，作为配线11、TFT驱动电极54及基板间连接电极55的材料，既可以是所述的材料，也可以是具有导电性的材料，例如金属材料等，可以使用其他各种各样的材料。
当配线形成工序结束时，与有机EL装置1的制造方法相同地，进行TFT转印工序、TFT基板及有机EL基板的贴合工序，完成本变形例的有机EL装置51(参照图6)。
根据所述的构成，可以在配线11、TFT驱动电极54及基板间连接电极55的接触部分上不配置ACP或焊盘等导电构件地确保电连接。另外，在配线11、TFT驱动电极54及基板间连接电极55的形成中，可以使用Al，进行利用Al之间的接触的电连接。
而且，本发明的技术范围并不限定于所述实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内，可以进行各种变更。
例如，在本实施方式中，虽然对作为电光学基板而采用具有有机EL元件的有机EL基板的情况进行了说明，但是并不限定于此，也可以采用具有LED或FED等固体发光功能元件或具备发光功能的多孔状的硅元件的电光学基板。

Claims (9)

1.一种半导体装置，其特征是，元件和安装基板之间被由导电性材料制成的单一的膜直接连接。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征是，所述导电性材料为铝。
3.一种半导体装置的制造方法，其特征是，包括：
通过从形成有多个元件的形成基板中，将一部分的元件用剥离层覆盖来选择规定的元件的第1工序；
在所述规定的元件上形成配线的第2工序；
使安装基板与所述形成基板重合并使所述规定的元件及所述配线从所述形成基板上脱离、剥离而转印到所述安装基板上的第3工序。
4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征是，
所述第1工序是从形成有多个薄膜晶体管的所述形成基板中，使用所述剥离层选择规定的薄膜晶体管的工序，
所述第2工序是在所述规定的薄膜晶体管上，形成与所述安装基板连接的连接构件的工序，
所述第3工序是使所述安装基板与所述形成基板重合，除去所述剥离层，使所述规定的薄膜晶体管及所述连接构件从所述形成基板上脱离、剥离，转印到所述安装基板上的工序。
5.根据权利要求3或4所述的半导体装置的制造方法，其特征是，所述剥离层由可溶性材料形成。
6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征是，所述可溶性材料是通过加热而溶化的材料。
7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征是，所述可溶性材料是相对于规定的溶剂显示出可溶性的材料。
8.一种场致发光装置，其特征是，利用权利要求1或2所述的半导体装置、或以权利要求3到7中任意一项所述的半导体装置的制造方法制造的半导体装置的连接构造，将连接了安装基板和薄膜晶体管的薄膜晶体管基板、具有场致发光元件的场致发光基板电连接而一体化。
9.一种场致发光装置的制造方法，其特征是，具有带有薄膜晶体管的薄膜晶体管基板、带有场致发光元件的场致发光基板，使用权利要求3到7中任意一项所述的半导体装置的制造方法制造所述薄膜晶体管基板。
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