CN1416300A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法，属于电子半导体元器件技术领域。在器件的第一电极(2)图形上制备三层隔离柱，隔离柱第一层(8)的图形为网状结构，横截面具有上小下大的正梯形形状，隔离柱第二层(9)、第三层(10)线条的横截面整体上具有上大下小的形状。然后依次淀积有机功能层(6)和第二电极(7)。由于第二层(9)、第三层(10)隔离柱上大下小形状的阴影效应使器件的第二电极(7)被有效地分割开来，而第一层隔离柱(8)相当于“绝缘基座”，可以防止第一电极(2)与第二电极(7)短路。三层隔离柱通过三次涂覆有机绝缘薄膜、两次光刻、三次显影制备而成。此器件结构可以有效地避免象素点短路，降低器件功耗，提高器件对比度。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件，还涉及该器件的制备方法，属于电子半导体元器件技术领域。

背景技术

有机电致发光器件(Organic Electroluminescent Devices，以下简称OLEDs)通常这样构成：位于透明基板上面的透明的第一电极、淀积在第一电极上的有机电致发光介质(有机功能层)、以及位于有机电致发光介质上面的第二电极(金属电极)。透明电极作为器件的阳极，金属电极作为器件的阴极。给透明电极施加高电平，给金属电极施加低电平使器件发光。一组彼此平行的阳极(或阴极)与一组与之垂直的彼此平行的阴极(或阳极)构成X-Y二维寻址矩阵。

通常透明电极的图案布线由光刻技术来实现。金属电极的图案布线采用金属掩膜蒸镀的方法或光刻的方法来实现。但是在金属电极的图案布线中金属掩膜板的制作工艺复杂、成本高，线条不易做细，在器件实现高分辨率上存在困难。同时金属掩膜板与有机膜接触容易破坏有机功能层，造成透明电极与金属电极之间的短路。若用光刻的方法进行金属布线，又会存在以下几个问题：

①光刻胶的烘烤温度(120℃)会使有机膜受到破坏；

②光刻胶的溶剂、显影液、腐蚀液会损坏有机膜；

③若采用干法刻蚀，其中的粒子流会击坏有机膜。

以上这些破坏因素都会使器件性能劣化。

美国专利US20020008467(公开日：2002年1月24日)采用一种隔离柱技术进行金属电极的图案布线，它描述了一种双层隔离柱，利用一种新的线条横截面可形成倒梯形的负型光刻胶来分隔金属电极，但这种负型光刻胶成本非常昂贵，不适合国内生产需要。

日本专利JP10106747(公开日：1998年4月24日)中采用另一种隔离柱技术进行金属电极的图案布线。器件结构如图1：在透明基板1上淀积透明导电薄膜2，将透明导电薄膜2光刻出一组相互平行的阵列。在透明导电薄膜2上采用等离子增强型化学气相淀积(以下简称PECVD)的方法连续制备氮化硅(SiN_x)3、二氧化硅(SiO₂)4、氮化硅(SiN_x)5。在氮化硅5上涂覆光刻胶后光刻出一组与透明导电薄膜2相正交的彼此平行的直线条。然后以氮化硅5的图形为掩膜，使用氢氟酸(HF)湿法腐蚀出二氧化硅4的图形。最后再干法刻蚀出氮化硅3的图形。在氮化硅3、二氧化硅4、氮化硅5三层绝缘膜上直接蒸镀有机层和金属层。氮化硅3、二氧化硅4、氮化硅5三层绝缘膜作为器件的隔离柱具有类似倒梯型的形状。由于阴影效应，在器件上继续蒸镀有机功能层6和金属层(第二电极)7在隔离柱的侧表面不形成薄膜，确保了相邻象素之间的电绝缘。但是这种方案有以下缺点：

(1)隔离柱由三层无机膜(氮化硅3-二氧化硅4-氮化硅5)组成，需采用PECVD

   方法淀积薄膜，PECVD设备昂贵，成膜工艺复杂，工艺条件不易控制，造成在

   大规模生产中成品率低、成本高，设备投入巨大，国内生产建线很难接受；

(2)在PECVD设备的反应炉中需通入硅烷、氮气和氧气，通过化学反应形成氮化

   硅和二氧化硅，硅烷有毒，会对工作人员的身体健康造成不利影响，设备的

   反应炉和气体管路需作好密封工作，同时气体排放应注意环保，这些都会使

   生产成本增加；

(3)隔离柱形状通过一次曝光、一次湿法腐蚀二氧化硅4和两次干法刻蚀氮化硅3

   和5实现，图形制备工艺复杂，工艺条件不易控制，造成大规模生产中成品

   率低、成本高；

(4)底层氮化硅3绝缘层的横截面形状为长方形，边缘陡直，在蒸镀有机功能层6

   和第二电极(金属层)7时会有明显的边缘效应，使发光点蒸镀不均匀，从而

   影响器件的发光均匀性和寿命，而且部分金属层7有可能越过有机功能层6

   落入底层氮化硅3下边与有机功能层6之间的透明导电薄膜(第一电极)2

   上，造成该象素点短路、不发光；

(5)底层氮化硅3绝缘层只在与透明导电薄膜层(第一电极)2相垂直的方向平行

   分布，在分隔金属层(第二电极)7的同时降低了金属线条之间的反向抑制电

   压，但是无法降低第一透明电极之间的反向抑制电压，使得器件的功耗较高；

(6)在隔离柱材料中掺入黑色染料可以提高器件发光时的对比度，由于底层氮化

   硅3只能在与透明导电薄膜层(第一电极)2相垂直的方向平行分布，而无法

   在与透明导电薄膜层2相平行的方向平行分布，所以无法明显地提高器件的

   对比度。

发明内容

本发明的目的是提供一种有机电致发光器件，以更有效地分割第二电极，从而提高器件的性能。

本发明的另一目的是提供一种有机电致发光器件的制备方法，改进以往隔离柱制备工艺中存在的工艺复杂、成品率低、成本高等缺点。

为实现上述目的，本发明的一个技术方案是提供一种有机电致发光器件，由一组彼此平行的第一电极与一组与之垂直的彼此平行的第二电极构成X-Y二维寻址矩阵，其具有多个象素，每个象素包括第一电极和第二电极以及夹在所述两个电极之间的有机功能层，其特征在于：在所述第一电极图形上具有一组与第一电极图形相垂直的相互平行且分割开的具有绝缘性的三层隔离柱，其中隔离柱第一层的图形为网状结构，即与第一电极图形垂直方向和平行方向(第一电极线条之间)均有隔离柱第一层的线条，线条的横截面具有上小下大的正梯形形状，隔离柱第二层、第三层在第一层的线条上与第一电极图形相垂直且位置居中，这两层线条的横截面整体上呈上大下小的形状。

该器件的特征还在于其中所述的第一层隔离柱材料为有机绝缘材料，一般为正型光刻胶、聚酰亚胺(polyimide，以下简称PI)或光敏型PI中的一种，经过优选为正型光刻胶；所述的第二层隔离柱材料也为有机绝缘材料，经过优选为PI；所述的第三层隔离柱材料仍为有机绝缘材料，一般为负型光刻胶或其他不与PI互溶的光刻胶，经过优选为负型光刻胶；所述的第一电极材料一般为氧化铟锡(以下简称ITO)、氧化锌、氧化锡锌等金属氧化物或金、铜、银等功函数较高的金属，最优化的选择为ITO；所述的有机功能层可以为单层结构或多层结构，为单层结构时由有机电致发光材料组成，可为金属配合物或有机共轭聚合物，为多层结构时包括一个发光层，和至少包括空穴传输层或电子传输层中的一层，其中发光层由有机电致发光材料组成，可为金属配合物或有机共轭聚合物；第二电极材料为锂、镁、钙、锶、铝、铟等功函数较低的金属，或它们与铜、金、银的合金。

本发明提供的有机电致发光器件中三层隔离柱可有效分割第二电极，器件发光均匀、对比度高、功耗小、起亮电压低。

本发明的另一个技术方案是提供一种有机电致发光器件的制备方法，该方法包括以下步骤：

①在透明基板上淀积透明导电薄膜作为器件的第一电极，将第一电极光刻出一组

  相互平行且分割开的直线条；

②在上述第一电极图形上涂覆一层有机绝缘材料，光刻出第一层隔离柱的图形，

  图形为网状结构，即与第一电极图形垂直方向和平行方向(第一电极线条之间)

  均有隔离柱第一层的线条，使线条横截面形成上小下大的正梯形形状；

③在上述第一电极和第一层隔离柱图形上依次涂覆隔离柱第二层、第三层有机绝

  缘材料，通过光刻套刻工艺使隔离柱第三层在第一层线条上形成位置居中的与

  第一电极图形相垂直的一组相互平行且分割开的直线条，以隔离柱第三层图形

  为掩膜对第二层进行显影，使第二层线条的边缘比第三层线条的边缘向内收缩，

  使这两层线条的横截面整体上具有上大下小的形状；

④在上述具有三层隔离柱和第一电极的图形上继续淀积有机功能层；

⑤在上述有机功能层之上继续淀积金属层作为器件的第二电极。

该制备方法的特征在于步骤②、③中所述的涂覆三层隔离柱绝缘材料均可采用旋转涂覆(以下简称旋涂)的方法。

本发明提供的有机电致发光器件的制备方法，是通过三次涂覆有机绝缘薄膜、两次光刻、三次显影制备三层隔离柱的工艺方法，达到了避免第一透明电极与金属电极短路、降低反向抑制电压、降低器件功耗和提高对比度之目的，而且工艺简单、成本低、成品率高。

由以上工艺制备的器件具有以下优点：

(1)隔离柱由三层有机绝缘物质构成，隔离柱第一层的横截面具有上小下大的正

   梯形形状，相当于“绝缘基座”，落在隔离柱之间象素点上的金属层的左右

   侧恰好搭接在第一层隔离柱的正梯形斜边上，这样金属层不会与第一透明电

   极直接接触，避免了该象素点短路、不发光；

(2)“绝缘基座”上的两层隔离柱，可以使用较低廉的光刻胶，也不会影响隔离

   效果和器件寿命，与US20020008467提出的技术方案相比，可以大大降低生

   产成本，而且只增加一步工艺步骤；

(3)隔离柱第一层采用网状结构，第一电极线条之间覆盖有绝缘层线条，在降低

   第二电极金属线条之间的反向抑制电压的同时，还可以降低第一透明电极之

   间的反向抑制电压，使器件的功耗降低；

(4)隔离柱第一层采用网状结构，在隔离柱中可掺入黑色染料，使网状隔离柱相

   当于“黑矩阵”，可以明显提高器件对比度。

由此方法制备的有机电致发光器件的金属层(第二电极)可以被三层隔离柱有效地分割开，器件发光均匀、对比度高、功耗小、起亮电压低。

下面结合附图通过具体实施方式、实施例加以说明，本发明可变得更加清楚。

附图说明

图1是对比技术中有机电致发光器件的结构剖面图。

图2是本发明中有机电致发光器件的俯视图。

图3是本发明中有机电致发光器件的结构剖面图。

图4-1～图4-5是本发明中制备有机电致发光器件的制备示意图(和制备方法步骤相结合)(图2中AA方向的局部剖面图)。

上述图1～图4中，1是透明基板，2是第一电极(阳极)，3是对比技术隔离柱的氮化硅层，4是对比技术隔离柱的二氧化硅层，5是对比技术隔离柱的氮化硅层，6是有机功能层，7是第二电极(阴极)，8是本发明三层隔离柱的第一层，9是本发明三层隔离柱的第二层，10是本发明三层隔离柱的第三层。

下面结合附图和具体实施方式详细阐述本发明的内容，应该理解本发明并不局限于下述优选实施方式，优选实施方式仅仅作为本发明的说明性实施方案。

具体实施方式

本发明提出的有机电致发光器件结构如图3所示，其中：1是透明基板，可以是玻璃或者塑料(柔性基板)；2是第一电极(阳极)，一般为ITO、氧化锌、氧化锡锌等金属氧化物或金、铜、银等功函数较高的金属，最优化的选择为ITO；6是有机功能层，可以为单层结构或多层结构，为单层结构时由有机电致发光材料组成，可为金属配合物或有机共轭聚合物，金属配合物如八羟基喹啉铝(以下简称Alq₃)等，有机共轭聚合物材料主要包括聚乙炔、聚噻吩(以下简称PEDOT)、聚咔唑及其衍生物的有机共轭聚合物，如聚苯撑乙炔(以下简称PPV)等，为多层结构时包括一个发光层和至少包括空穴传输层或电子传输层中的一层，其中发光层由有机电致发光材料组成，可为金属配合物或有机共轭聚合物，空穴传输层的材料主要为三苯胺类化合物，如N，N’-二-(1-萘基)-N，N’-二苯基-1，1-联苯基-4，4-二胺(以下简称NPB)、N，N’-二苯基-N，N’-双(间甲基苯基)-1，1’-联苯基-4，4’-二胺(以下简称TPD)、4，4’，4”-三(3-甲基苯基苯胺)三苯胺(以下简称MTDATA)等，发光层和电子传输层的材料可为金属配合物，如Alq₃等；7是第二电极(阴极)，一般为锂、镁、钙、锶、铝、铟等功函数较低的金属，或它们与铜、金、银的合金；8是三层隔离柱中的第一层，材料为有机绝缘材料，一般为正型光刻胶、PI或光敏型PI中的一种，经过优选为正型光刻胶；9是三层隔离柱中的第二层，材料为非光敏型有机绝缘材料，经过优选为PI；10是三层隔离柱中的第三层，材料为光敏型有机绝缘材料，一般为负型光刻胶或其他不与PI互溶的光刻胶，经过优选为负型光刻胶。

结合附图，本发明提出的有机电致发光器件的制备方法详细阐述如下(说明：OLEDs的整个制备过程均在净化车间实施)，

①在透明基板1上溅射透明导电薄膜作为器件的第一电极2，将第一电极2光刻出

  一组相互平行且分割开的直线条，其中透明基板1可以是玻璃或者塑料(柔性

  基板)，第一电极2材料一般为ITO、氧化锌、氧化锡锌等金属氧化物或金、铜、

  银等功函数较高的金属，最优化的选择为ITO；

②在上述第一电极2图形上旋涂一层有机绝缘材料，膜厚为0.5～3μm，为正型光

  刻胶、PI或光敏型PI中的一种，经过优选为正型光刻胶，绝缘物质光刻成网状

  结构图形(一组与第一电极图形相垂直的且在第一电极图形之间也有线条的相

  互平行且分割开的直线条)，显影使线条横截面形成上小下大的正梯形形状，线

  条的宽度由显示分辨率即象素之间的间隔所决定，线宽为10～50μm；

③在上述第一电极2和第一层隔离柱8图形上依次旋涂一层非光敏型有机绝缘材

  料和一层光敏型有机绝缘材料，非光敏型绝缘材料膜厚为1～5μm，优选为PI，

  光敏型绝缘材料膜厚为0.5～3μm，一般为负型光刻胶或其他不与PI互溶的光

  刻胶，经过优选为负型光刻胶，通过光刻套刻工艺使上述光敏型绝缘层10在第

  一层隔离柱8线条上形成与第一电极2图形相垂直的一组相互平行且分割开的

  直线条，隔离柱第三层10的线条宽度比第一层8线条宽度略窄且在其上位置居

  中，线宽为5～45μm，以光敏型绝缘层10的图形为掩膜对非光敏型绝缘层9进

  行显影，使非光敏型绝缘层9线条的边缘比光敏型绝缘层10线条的边缘向内收

  缩1～10μm，使这两层线条的横截面整体上具有上大下小的形状；

④在上述具有三层隔离柱和第一电极2的图形上继续淀积有机功能层4，有机功能

  层可以为单层结构或多层结构，为单层结构时由有机电致发光材料组成，可为

  金属配合物或有机共轭聚合物，金属配合物如Alq₃等，有机共轭聚合物材料主

  要包括聚乙炔、PEDOT、聚咔唑及其衍生物的有机共轭聚合物，如PPV等；为多

  层结构时包括一个发光层和至少包括空穴传输层或电子传输层中的一层，其中

  发光层由有机电致发光材料组成，可为金属配合物或有机共轭聚合物，空穴传

  输层的材料主要为三苯胺类化合物，如NPB、TPD、MTDATA等，发光层和电子传

  输层的材料可为金属配合物，如Alq₃等；

⑤在上述有机功能层6之上继续蒸镀金属层作为器件的第二电极7，金属层一般为

  锂、镁、钙、锶、铝、铟等功函数较低的金属，或它们与铜、金、银的合金。

实施例1：

(OLEDs的整个制备过程均在净化车间实施)用丙酮乙醇溶液(体积比2∶1)对方块电阻为15Ω的ITO玻璃进行超声清洗、烘干，其中ITO的膜厚为170nm，将ITO光刻出一组相互平行且分割开的直线条，线宽为400μm。而后旋涂第一层隔离柱绝缘材料PI，膜厚为2μm。将PI光刻成网状结构，即与ITO垂直方向和ITO平行方向(ITO线条之间)均有PI线条，在3％NaOH溶液中显影30s，使线条横截面形成上小下大的正梯形形状，线宽为30μm。在对流烘箱210℃进行烘烤30min，使PI完全固化。然后在此基础上继续旋涂第二层隔离柱绝缘材料PI，膜厚为3μm，在对流烘箱110℃烘干后，再在第二层PI上旋涂第三层隔离柱绝缘材料负型光刻胶BN308(中科院化学所)，膜厚为2μm。通过光刻套刻工艺使负型光刻胶在第一层PI图形上形成与ITO线条相垂直的一组相互平行且分割开的直线条，负型光刻胶线条在第一层PI线条上位置居中，宽度比第一层PI线条宽度略窄，线宽为20μm，用负型光刻胶显影液显出其图形，在对流烘箱130℃进行烘烤20min，用0.5％NaOH溶液中显影20s(以负型光刻胶的图形为掩膜对第二层PI进行显影)，使第二层PI收缩至比第三层略窄，第二、三层整体上形成T字形的横截面图形，从而达到隔离金属线条的目的。最后在真空度为10^-4Pa以上的真空炉中蒸镀有机功能层和金属层。有机功能层依次由CuPc、NPB和Alq₃组成，膜厚分别为7nm、35nm和40nm。金属层依次由Mg∶Ag合金(蒸镀速率比10∶1，合金质量比4∶1)和Ag组成，膜厚分别为150nm和50nm。有机层的蒸镀速率为0.1nm/s，Mg∶Ag合金和Ag的蒸镀速率为0.6nm/s。器件起亮电压为3V，发光均匀，在电流密度为20mA/cm²时发光效率为4.6lm/W。

实施例2：

(OLEDs的整个制备过程均在净化车间实施)用丙酮乙醇溶液(体积比2∶1)对方块电阻为5Ω的ITO玻璃进行超声清洗、烘干，其中ITO的膜厚为200nm，将ITO光刻出一组相互平行且分割开的直线条，线宽为200μm。而后旋涂第一层隔离柱绝缘材料正型光刻胶AZ6112(日本Clariant公司)，膜厚为0.5μm。光刻成网状结构，即与ITO垂直方向和ITO平行方向(ITO线条之间)均有正型光刻胶线条，用正型光刻胶显影液显影使其线条横截面形成上小下大的正梯形形状，线宽为20μm。在对流烘箱220℃进行烘烤30min，使正型光刻胶完全固化。然后在此基础上继续旋涂第二层隔离柱绝缘材料PI，膜厚为2μm，用对流烘箱110℃烘干后，再在PI上旋涂第三层隔离柱材料负型光刻胶LAX-1(日本Nippon Zeon公司)，膜厚为1.5μm。通过光刻套刻工艺使负型光刻胶在正型光刻胶图形上形成与ITO线条相垂直的一组相互平行且分割开的直线条，负型光刻胶线条在正型光刻胶图形上位置居中，宽度比正型光刻胶线条宽度略窄，线宽为15μm，负型光刻胶图形通过中烘工艺(曝光与显影工序之间进行烘烤)形成上大下小的倒梯形形状，烘烤温度为110℃，时间为30min。用负型光刻胶显影液显出其图形，在3％NaOH溶液中显影30s(以负型光刻胶的图形为掩膜对第二层PI进行显影)，使第二层PI收缩至比第三层略窄，PI横截面为正梯形，第二、三层形成蝴蝶结形的横截面图形，从而达到隔离金属线条的目的。隔离柱图形制备完成后，继续淀积有机功能层和金属层。有机功能层依次由PEDOT、PPV组成，通过旋涂方法获得，膜厚均为100nm。金属层依次由Mg∶Ag合金(蒸镀速率比10∶1，合金质量比4∶1)和Ag组成，膜厚分别为100nm和70nm。Mg∶Ag合金和Ag的蒸镀速率为1nm/s。器件起亮电压为2.5V，发光均匀，在电流密度为20mA/cm²时发光效率为4lm/W。

实施例3：

(OLEDs的整个制备过程均在净化车间实施)用丙酮乙醇溶液(体积比2∶1)对方块电阻为15Ω的ITO玻璃进行超声清洗、烘干，其中ITO的膜厚为170nm，将ITO光刻出一组相互平行且分割开的直线条，线宽为600μm。而后旋涂第一层隔离柱绝缘材料光敏型PI，膜厚为1μm。将光敏型PI光刻成网状结构，即与ITO垂直方向和ITO平行方向(ITO线条之间)均有光敏型PI线条，在二甲基甲酰胺显影液中显影50s，使线条横截面形成上小下大的正梯形形状，线宽为50μm。在对流烘箱220℃进行烘烤30min，使光敏型PI完全固化。然后在此基础上继续旋涂第二层隔离柱绝缘材料PI，膜厚为4μm，用对流烘箱160℃烘干30min后，再在PI上旋涂第三层隔离柱材料负型光刻胶BN308(中科院化学所)，膜厚为1.5μm。通过光刻套刻工艺使负型光刻胶在光敏型PI图形上形成与ITO线条相垂直的一组相互平行且分割开的直线条，负型光刻胶线条在光敏型PI线条上位置居中，宽度略窄，线宽为30μm，用负型光刻胶显影液显出其图形，在对流烘箱130℃进行烘烤30min，用3％NaOH溶液中显影40s(以负型光刻胶的图形为掩膜对第二层PI进行显影)，使第二层PI收缩至比第三层略窄，第二、三层形成T字形的横截面图形，从而达到隔离金属线条的目的。最后在真空度为10^-4Pa以上的真空炉中，在具有三层隔离柱和ITO的图形上蒸镀有机功能层和金属层。有机功能层依次由CuPc、NPB和Alq₃组成，膜厚分别为20nm、35nm和40nm。金属层依次由Mg∶Ag合金(蒸镀速率比10∶1，合金质量比4∶1)和Ag组成，膜厚分别为200nm和100nm。有机层的蒸镀速率为0.1nm/s，Mg∶Ag合金和Ag的蒸镀速率为0.6nm/s。器件起亮电压为3V，发光均匀，在电流密度为20mA/cm²时发光效率为4.5lm/W。

尽管结合优选实施例对本发明进行了说明，但本发明并不局限于上述实施例和附图，尤其是隔离柱第二层9线条横截面的形状并不局限于附图2～4中所示，只要隔离柱的第二层、第三层整体上具有或形成上大下小的形状即可。应当理解，在本发明构思的引导下，本领域技术人员可进行各种修改和改进，所附权利要求概括了本发明的范围。

Claims (8)

1.一种有机电致发光器件，由一组彼此平行的第一电极(2)与一组与之垂直的彼此平行的第二电极(7)构成X-Y二维寻址矩阵，其具有多个象素，每个象素包括第一电极(2)和第二电极(7)以及夹在所述两个电极之间的有机功能层(6)，其特征在于：在所述第一电极(2)图形上具有一组与第一电极图形相垂直的相互平行且分割开的具有绝缘性的三层隔离柱，其中隔离柱第一层(8)的图形为网状结构，即与第一电极(2)图形垂直方向和平行方向(第一电极(2)线条之间)均有隔离柱第一层(8)的线条，线条的横截面具有上小下大的正梯形形状，隔离柱第二层(9)、第三层(10)在第一层(8)的线条上与第一电极(2)图形相垂直且位置居中，这两层线条的横截面整体上呈上大下小的形状。

2.根据权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于，所述的三层隔离柱各层的材料均为有机绝缘材料。

3.根据权利要求1或2的有机电致发光器件，其特征在于，所述的隔离柱第一层(8)的材料为正型光刻胶、聚酰亚胺或光敏型聚酰亚胺中的一种，第二层(9)的材料为聚酰亚胺，第三层(10)的材料为负型光刻胶。

4.根据权利要求1的有机电致发光器件，其特征在于，所述的有机功能层为单层结构或为多层结构。

5.根据权利要求1或4的有机电致发光器件，其特征在于，所述的有机功能层为单层结构时由有机电致发光材料组成。

6.根据权利要求1或4的有机电致发光器件，其特征在于，所述的多层结构的有机功能层包括一个发光层，和至少包括空穴传输层或电子传输层中的一层，其中发光层由有机电致发光材料组成。

7.一种制备权利要求1所述的有机电致发光器件的方法，该方法包括以下步骤：①在透明基板(1)上淀积透明导电薄膜作为器件的第一电极(2)，将第一电极(2)光刻出一组相互平行且分割开的直线条；②在上述第一电极(2)图形上涂覆一层有机绝缘材料，光刻出第一层隔离柱(8)的图形，图形为网状结构，即与第一电极(2)图形垂直方向和平行方向(第一电极(2)线条之间)均有隔离柱第一层(8)的线条，使线条横截面形成上小下大的正梯形形状；③在上述第一电极(2)和第一层隔离柱(8)图形上依次涂覆隔离柱第二层、第三层有机绝缘材料，通过光刻套刻工艺使隔离柱第三层(10)在第一层(8)线条上形成位置居中的与第一电极(2)图形相垂直的一组相互平行且分割开的直线条，以隔离柱第三层(10)图形为掩膜对第二层进行显影，使第二层(9)线条的边缘比第三层(10)线条的边缘向内收缩，使这两层线条的横截面整体上具有上大下小的形状；④在上述具有三层隔离柱和第一电极(2)的图形上继续淀积有机功能层(6)；⑤在上述有机功能层(6)之上继续淀积金属层作为器件的第二电极(7)。

8.根据权利要求7的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，步骤②、③中所述的涂覆三层隔离柱绝缘材料均可采用旋转涂覆的方法。

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