CN1832647A

CN1832647A - 有机电致发光器件

Info

Publication number: CN1832647A
Application number: CN 200510136109
Authority: CN
Inventors: 游宗烨
Original assignee: AU Optronics Corp
Current assignee: AU Optronics Corp
Priority date: 2005-12-21
Filing date: 2005-12-21
Publication date: 2006-09-13
Anticipated expiration: 2025-12-21
Also published as: CN100593357C

Abstract

本发明提供一种有机电致发光器件，其包括基板、形成于基板上的阳极、形成于阳极上的第一空穴注入层、形成于第一空穴注入层上的第二空穴注入层、形成于第二空穴注入层上的电致发光层以及形成于电致发光层上的阴极，其中，第一空穴注入层由碳氟化合物所构成，而第二空穴注入层含有P－型掺杂物。

Description

有机电致发光器件

技术领域

本发明涉及一种有机电致发光器件，特别是一种同时使用碳氟化合物与掺杂有P-型掺杂物的空穴注入层的有机电致发光器件。

背景技术

近年来，随着电子产品发展技术的进步及其日益广泛的应用，例如移动电话、PDA及笔记本计算机的问市，使得与传统显示器相比具有较小体积及电力消耗特性的平面显示器的需求与日俱增，成为目前最重要的电子应用产品之一。在平面显示器之中，由于有机电致发光器件具有自发光、高亮度、广视角、高响应速度及制程容易等特性，使得有机电致发光器件将成为下一代平面显示器的最佳选择。

有机电致发光器件是一种使用有机材料的自发光型装置。请参照图1，典型的有机电致发光器件10包括基板11和依序形成于基板11之上的阳极12、空穴注入层(hole injection layer)13、空穴传输层(hole transport layer)14、有机发光层(emissive layer)15、电子传输层(electron transport layer)16以及阴极17。

有机电致发光器件10的发光原理为：通过阴极17注入电子，阳极12注入空穴，并利用外加电场所产生的电位差而促使这些电子和空穴移动至有机发光层15中，进行再结合(recombination)以达到发光的目的。

当电子与空穴由电极(例如阳极12与阴极17)移动至有机发光层15中进行再结合时，上述载流子(carriers)必需克服各层之间交界面(interface)所存在的能障(energy barriers)。以阳极侧为例，载流子(空穴)必须克服阳极12与空穴注入层13之间、空穴注入层13与空穴传输层14之间、以及空穴传输层14与有机发光层15之间交界面处所存在的能障；当较大的能障存在于上述各层的交界面处时，载流子(空穴)较不易进入有机发光层15，而会在各层的交界面处产生累积，如此一来，将导致器件操作电压上升以及器件寿命下降。

为了避免器件操作电压的上升，传统的作法是减少阳极12与有机发光层15之间的有机膜厚度，但有机膜厚愈薄时，会导致器件效率降低，造成稳定度下降，以及容易形成短路等多种缺点。

在有机电致发光器件制造过程中，微粒的残留容易导致像素(pixel)短路而形成暗点，然而，即使在无尘室中，不论面板或其它设备清洗得多么干净，依然会有少许的微粒等其它污染物存在，造成像素短路，使其无法正常作用，并影响器件的发光效率、器件寿命与制程优良率。微粒的问题一直是困扰着有机电致发光显示器无法大量生产与大型化的主要原因之一。

请继续参照图1，在一般有机电致发光器件10的结构中，空穴注入层13加上空穴传输层14的总厚度大约为80-170纳米左右，这样的厚度虽然可阻绝制程中存在于环境里的少部分细小微粒，但是却无法避免一般较大微粒所带来的问题。

为了解决微粒所造成的上述问题，面板制造者必须花费庞大的人力、物力与财力来更新设备或清洗面板与机台，所费不赀，但效果有限。

美国专利US 6,849,345披露一种OLED结构，其通过研发新的空穴传输层材料，以促进OLED的发光效率。

美国专利US 6,841,267披露一种OLED结构，其通过研发新的发光掺杂材料，以促进OLED的发光效率及器件寿命。

美国专利US 6,818,329披露一种OLED结构，其通过将金属层夹杂在空穴传输层之间，以提高OLED的发光效率。

美国专利US 6,692,846披露一种OLED结构，其通过形成两层空穴传输层，其中一层掺杂有稳定掺杂剂(stabilizing dopant)，另一层未掺杂稳定掺杂剂，由此提高OLED的器件寿命。

美国专利US 6,208,077披露一种OLED结构，其通过在空穴传输层与阳极之间形成一层由碳氟化合物(fluorocarbon)所构成的高分子层，以增加装置的操作稳定性。

然而，上述专利中所披露的技术内容皆无法有效解决前述缺点，因此，如何改善前述缺点是产业界亟需克服的问题。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种有机电致发光器件，在本发明实施例中的有机电致发光器件包括基板、形成于基板上的阳极、形成于阳极上的第一空穴注入层、形成于第一空穴注入层上的第二空穴注入层、形成于第二空穴注入层上的电致发光层以及形成于电致发光层上的阴极，其中，第一空穴注入层是由碳氟化合物所构成，而第二空穴注入层含有P-型掺杂物。

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，下文特列举优选实施例，并结合附图，作详细说明如下：

附图说明

图1绘示出传统的有机电致发光器件。

图2a是根据本发明的一实施例所绘示的有机电致发光器件。

图2b是根据本发明的另一实施例所绘示的有机电致发光器件。

图3a绘示出辉度与操作电压的关系图。

图3b绘示出发光效率与辉度的关系图。

附图标记说明

10、20a、20b～有机电致发光器件；

11、21～基板；

12、22～阳极；

13～空穴注入层；

14、25～空穴传输层；

15、26～有机发光层；

16、27～电子传输层；

17、28～阴极；

23～第一空穴注入层；

24～第二空穴注入层；

29～第三空穴注入层；

A、B、C、D～曲线。

具体实施方式

依照产品需求的不同，可能需要形成具有不同空穴注入层厚度的有机电致发光器件。因此，本发明一实施例中的目的，在于通过同时使用碳氟化合物与掺杂有P-型掺杂物的空穴注入层，使空穴注入效果提高，让器件即使增加有机发光层与阳极之间的有机膜厚，亦可有效地避免器件的操作电压上升，进而提高器件寿命。

本发明另一实施例中的目的，在于通过增加有机发光层与阳极之间的有机膜厚，以降低制程环境中的微粒对有机电致发光器件所造成的影响，进而提高大量生产与大型化的可能性与可靠度(reliability)，同时有效地避免器件的操作电压上升。

请参照图2a，图2a是根据本发明的一实施例所绘示的有机电致发光器件20a，此有机电致发光器件20a包括基板21和依序形成在基板21上的阳极22、第一空穴注入层23、第二空穴注入层24、空穴传输层25、有机发光层26、电子传输层27与阴极28，通过施加电位差于阴极28与阳极22之间，使电子及空穴分别从阴极28与阳极22注入有机发光层26中重新结合，以达到发光的目的。

在本发明的一实施例中，有机电致发光器件20a可由下列步骤制造而成。

首先，将具有阳极22的基板21进行紫外光臭氧(ultraviolet ozone)处理，用以分解基板21与阳极22表面的有机物，达到清洁效果。

然后，在三氟甲烷(CHF₃)以及氧气存在的环境下，利用化学气相沉积法(chemical vapor deposition)在阳极22上沉积一层由碳氟化合物(fluorocarbon)所构成的第一空穴注入层23，其厚度约介于1-10纳米之间。

然后，利用蒸镀的方式在第一空穴注入层23上形成厚度约介于数十至数百纳米之间的第二空穴注入层24，该第二空穴注入层24掺杂有P-型掺杂物(P-type dopant)，掺杂浓度约介于1-25vol％(体积百分比)之间，且该第二空穴注入层24的迁移率大体上介于10^-3～10^-6cm²V^-1s^-1之间。

在一实施例中，第一空穴注入层23与第二空穴注入层24的总厚度约介于150-1000纳米之间；在另一实施例中，第一空穴注入层23与第二空穴注入层24的总厚度约介于300-1000纳米之间。

然后，利用蒸镀的方式在上述第二空穴注入层24上形成厚约10-100纳米的空穴传输层25。

其次，利用蒸镀的方式在上述空穴传输层25上形成厚约10-100纳米的有机发光层26。

然后，利用蒸镀的方式在上述有机发光层26上形成厚约10-100纳米的电子传输层27。

接着，利用蒸镀的方式在上述电子传输层27上形成阴极28，其是由厚度约1纳米的氟化锂(LiF)及厚度约100纳米的铝(Al)组合而成，在此，氟化锂可作为电子注入层，然而，在另一实施例中，亦可在阴极28与电子传输层27之间选择性地形成由其它材料所构成的电子注入层(图中未绘示)。

请参照图2b，图2b是根据本发明的另一实施例所绘示的有机电致发光器件20b，此有机电致发光器件20b包括基板21和依序形成在基板21上的阳极22、第一空穴注入层23、第二空穴注入层24、第三空穴注入层29、空穴传输层25、有机发光层26、电子传输层27与阴极28。通过施加电位差于阴极28与阳极22之间，使电子及空穴分别从阴极28与阳极22注入有机发光层26中重新结合而发光，达到发光的目的。

在本发明的一实施例中，有机电致发光器件20b可由类似于上述有机电致发光器件20a的步骤制造而成，不同之处在于，有机电致发光器件20b进一步包括第三空穴注入层29，由于有机电致发光器件20b其余各层的制造步骤皆与有机电致发光器件20a相同，在此不再赘述，以下仅针对第三空穴注入层29进行说明。

在依序形成基板21、阳极22、第一空穴注入层23与第二空穴注入层24之后，接着，利用蒸镀的方式在第二空穴注入层24上形成厚度约介于数十至数百纳米之间的第三空穴注入层29，该第三空穴注入层29不含有P-型掺杂物。在一实施例中，第一、第二与第三空穴注入层23、24与29的总厚度约介于150-1000纳米之间；在另一实施例中，第一、第二与第三空穴注入层23、24与29的总厚度约介于300-1000纳米之间。

然后，利用蒸镀的方式在上述第三空穴注入层29上依序形成空穴传输层25、有机发光层26、电子传输层27与阴极28，而完成有机电致发光器件20b的制作。

在上述有机电致发光器件20a与20b中，各层所使用的材料如下：

基板21可以是玻璃基板、陶瓷基板、塑料基板或是半导体基板。基板21可视需要选用材料，例如，若欲形成上发光式(top-emission)有机电致发光器件，则基板可为不透明基板；若欲形成两面发光式有机电致发光器件，则基板可为透明基板。

阳极22可以是透明电极或是金属电极，其材质的至少一种可选自锂、镁、钙、铝、银、铟、金、钨、镍、铂、氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌铝(AZO)、氧化锌(ZnO)、氮化镓、氮化镓铟、硫化镉、硫化锌、镉化硒及硒化锌，或上述材料的组合，而其形成方式可为热蒸镀(thermalevaporation)、溅镀(sputtering)或等离子体增强化学气相沉积(plasma-enhancedchemical vapor deposition)等。

第一空穴注入层23可由碳氟化合物所构成，其可表示为CF_xH_(4-x)，一般简称为CF_x。

第二空穴注入层24可选自CuPc(铜酞菁)、m-MTDATA(4，4′，4″-Tris(N-3-methylphenyl-N-phenyl-amino)-triphenylamine，4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺)、TPTE(N，N-Bis(4-diphenylaminobiphenyl)-N，N-diphenylbenzidine，N，N-双(4-二苯基氨基联苯基)-N，N-对二氨基联苯)、NPB:F₄-TCNQ(N，N′-diphenyl-N，N′-bis(1-naphthyl)-(1，1′-bisphenyl)-4，4′-diamine:tetrafluoro-tetracyano-quinodimethane，N，N′-二苯基-N，N′-双(1-萘基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺：四氟-四氰基-醌二甲烷)、F₄-TCNQ:WO₃(四氟-四氰基-醌二甲烷：氧化钨)、上述材料的聚合物及上述材料的衍生物中的至少一种。

第二空穴注入层24中所含的P-型掺杂物选自F₄-TCNQ、FeCl₃、V₂O₅、WO₃、MoO₃、Nb₂O₅、Ir(OH)₃、上述材料的聚合物及上述材料的衍生物中的至少一种。

第三空穴注入层29可由形成上述第二空穴注入层24的材料所构成，但其可不含P-型掺杂物。

空穴传输层25可由烯丙基胺类或二胺(diamine)衍生物所构成，上述二胺衍生物包括NPB、T-PD(N，N′-diphenyl-N，N′-bis(3-methylphenyl)-(1，1′-bisphenyl)-4，4′-diamine；N，N′-二苯基-N，N′-双(3-甲基苯基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺)、1T-NATA(4，4′，4″-tris(N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino)-trisphenyl-amine；4，4′，4″-三(N-(1-萘基)-N-苯基-氨基)-三苯基胺)、或2T-NATA(4，4′，4″-tris(N-(2-naphthyl)-N-phenyl-amino)-trisphenyl-amine；4，4′，4″-三(N-(2-萘基)-N-苯基-氨基)-三苯基胺)。

有机发光层26可由Alq3:C545T、MADN:DSA-ph或其它有机发光材料所构成，在此，Alq3为Tris(8-hydroxyquinoline)aluminum(三(8-羟基喹啉)铝)，C545T为1H，5H，11H-[1]苯并吡喃[6，7，8，-ij]喹嗪-11-酮，10-(2-苯并噻唑基)-2，3，6，7-四氢-1，1，7，7，-四甲基-(9CI)(1H，5H，11H-[1]Benzopyrano[6，7，8，-ij]quinolizin-11-one，10-(2-benzothiazolyl)-2，3，6，7-tetrahydro-1，1，7，7，-tetramethyl-(9CI))，MADN为2-(甲基)-9，10-二(2-萘基)蒽(2-methyl-9，10-di(2-naphthyl)anthracene)，DSA-ph为对-双(对-N，N-二苯基-氨基苯乙烯基)苯(p-bis(p-N，N-di-phenyl-aminostyryl)benzene)。

电子传输层27选自Alq3、铝络合物、金属喹啉酸盐化合物(metalquinolinate)、噁二唑(oxadiazole)、三唑化合物(triazoles)、二氮杂菲(phenanthroline)、上述材料的聚合物及上述材料的衍生物。

上述第一空穴注入层23、第二空穴注入层24、第三空穴注入层29、空穴传输层25、有机发光层26与电子传输层27可分别为低分子材料或高分子材料，可利用真空蒸镀方式或旋转涂布(spin coating)、喷墨(ink jet)或丝网印刷(screen printing)等方式形成。此外，有机发光层26可包含有机电致发光材料及掺杂物(dopant)，熟悉本技术者可视所使用的有机电致发光材料及所需的器件特性而改变所搭配的掺杂物的掺杂量。

阴极28可由铝、铝∶锂合金、镁∶银合金或其它阴极材料所构成。

在上述有机电致发光器件20a与20b中，由于第二空穴注入层24掺杂有P-型掺杂物，因此可提高第二空穴注入层24的HOMO(highest occupiedmolecular orbit，最高占据分子轨道)能级，降低了第二空穴注入层24与空穴传输层25之间的能障，而第一空穴注入层23(由碳氟化合物所构成)的使用，则降低了阳极22与第二空穴注入层24之间的能障，使空穴容易经由阳极22，通过有机膜23、24与25而到达有机发光层26，因此可提高有机电致发光器件的空穴注入效果，避免器件的操作电压上升，进而提高器件寿命。

此外，由于同时使用掺杂有P-型掺杂物的空穴注入层24以及碳氟化合物23可避免器件的操作电压上升，因此，可增加有机膜23、24与25的厚度，以降低环境中的微粒对有机电致发光器件所造成的影响，而器件依然维持良好的性能。

以下将以图2b为主要架构，列举三种具有不同空穴注入层厚度的有机电致发光器件作为实施例，详述其形成步骤，进行实验测试，并与比较例的实验结果进行比较。

比较例

比较例的有机电致发光器件可由下列步骤制造而成。

首先，将具有75纳米厚的ITO阳极的基板进行紫外光臭氧(ultravioletozone)处理，用以分解基板与阳极表面的有机物，达到清洁目的。

然后，利用蒸镀的方式在阳极上形成厚约150纳米的苯胺(phenyl amine)衍生物作为空穴注入层，此空穴注入层掺杂有2vol％的F₄-TCNQ作为P-型掺杂物。

然后，利用蒸镀的方式在上述空穴注入层上形成厚约20纳米的NPB作为空穴传输层。

然后，利用蒸镀的方式在上述空穴传输层上形成厚约30纳米的Alq3:C545T作为有机发光层。

接着，利用蒸镀的方式在上述有机发光层上形成厚约30纳米的Alq3作为电子传输层。

接着，利用蒸镀的方式依序在上述电子传输层上形成厚约1纳米的氟化锂(LiF)及厚约100纳米的铝(Al)作为阴极，而完成比较例的有机电致发光器件的制作。

实施例1

实施例1的有机电致发光器件可由下列步骤制造而成。

首先，将具有75纳米厚的ITO阳极的基板进行紫外光臭氧处理，用以分解基板与阳极表面的有机物，达到清洁目的。

然后，在存在三氟甲烷(CHF₃)以及氧气的环境下，利用化学气相沉积法在阳极上沉积一层由碳氟化合物所构成的薄膜，此薄膜即第一空穴注入层。

然后，利用蒸镀的方式在第一空穴注入层上形成厚约60纳米的苯胺衍生物作为第二空穴注入层，此第二空穴注入层掺杂有2vol％的F₄-TCNQ作为P-型掺杂物。

接着，利用蒸镀的方式在第二空穴注入层上形成厚约90纳米的苯胺衍生物作为第三空穴注入层，此第三空穴注入层不含有P-型掺杂物。

接着，利用蒸镀的方式依序在上述电子传输层上形成厚约1纳米的氟化锂(LiF)及厚约100纳米的铝(Al)作为阴极，而完成实施例1的有机电致发光器件的制作。

实施例2

实施例2的有机电致发光器件可由下列步骤制造而成。在此须注意的是，由于实施例2与实施例1的区别仅在于第二空穴注入层的形成厚度不同，其余各层的材料与制程方法皆相同，在此不再赘述，仅针对第二空穴注入层进行描述。

在形成ITO阳极与第一空穴注入层之后，接着，利用蒸镀的方式在碳氟化合物构成的第一空穴注入层上形成厚约150纳米的苯胺衍生物作为第二空穴注入层，此第二空穴注入层掺杂有2vol％的F₄-TCNQ作为P-型掺杂物，之后，利用蒸镀的方式依序在第二空穴注入层上形成不含有P-型掺杂物的第三空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及阴极。

实施例3

实施例3的有机电致发光器件可由下列步骤制造而成。在此须注意的是，由于实施例3与实施例1的区别仅在于第二空穴注入层的形成厚度不同，其余各层的材料与制程方法皆相同，在此不再赘述，仅针对第二空穴注入层进行描述。

在形成ITO阳极与第一空穴注入层之后，接着，利用蒸镀的方式在碳氟化合物构成的第一空穴注入层上形成厚约200纳米的苯胺衍生物作为第二空穴注入层，此第二空穴注入层掺杂有2vol％的F₄-TCNQ作为P-型掺杂物，之后，利用蒸镀的方式依序在第二空穴注入层上形成不含P-型掺杂物的第三空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层以及阴极。

在此须注意的是，上述以图2b为主要架构的有机电致发光器件(实施例1、2与3)的制造步骤仅作为举例说明之用，并非用以限制本发明。以图2a为主要架构的有机电致发光器件，由于亦同时具有碳氟化合物以及含有P-型掺杂物的空穴注入层，因此其亦具有类似图2b的实施例的优异特性。

此外，在上述实施例3中，第一、第二与第三空穴注入层的总厚度约为300纳米，然本发明不限于此，在其它实施例中，亦可将更厚的空穴注入层形成在有机电致发光器件中。

此外，在上述实施例中，以实施例3为例，第一、第二与第三空穴注入层的总厚度约为300纳米，其中第二空穴注入层的厚度为200纳米，第三空穴注入层的厚度为90纳米，然而本发明不限于此，在其它总厚度约为300纳米的实施例中，亦可使用其它不同厚度的第二与第三空穴注入层，使总厚度达到300纳米。

上述实施例与比较例的实验结果如图3a与3b所示。图3a所绘示的是辉度与操作电压的关系图；图3b所绘示的是发光效率与辉度的关系图。其中，曲线A、B、C与D分别代表比较例、实施例1、实施例2与实施例3的实验结果。

如图3a所示，在相同的操作电压之下，曲线A、B、C与D皆有几乎相同的辉度值，图3b亦显示曲线A、B、C与D具有非常类似的发光效率。

以曲线A与D(比较例与实施例3)为例，在辉度达到3000cd/m²时，此时曲线A与D的操作电压皆为6伏特左右，而发光效率皆为5.8cd/A左右，显示本发明的有机电致发光器件，在增加空穴注入层的总厚度至300纳米后，依然可维持与比较例(150纳米)相同的操作性能，例如操作电压并不会因此升高，且发光效率并不会因此降低，而实施例3较比较例的有机电致发光器件更具有以下优点：

通过同时使用碳氟化合物与掺杂有P-型掺杂物的空穴注入层，使空穴注入效果提高，让器件即使依照产品需求的不同而必须增加有机发光层与阳极之间的有机膜厚，亦可有效地避免器件的操作电压上升，进而提高器件的寿命。

通过有机膜厚的增加，使存在于环境中的微粒即使在制造过程中沉降于有机膜上，较厚的有机膜亦可覆盖住微粒，避免其造成像素短路使该像素无法正常作用，进而提高大量生产与大型化的可能性与可靠度，同时有效地避免器件的操作电压上升。

虽然本发明已以多个优选实施例披露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域的技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，应当可作各种更动与润饰，因此本发明的保护范围应以所附权利要求书所限定的为准。

Claims

1.一种有机电致发光器件，包括：

基板；

阳极，形成于基板上；

第一空穴注入层，形成于阳极上，其中该第一空穴注入层由碳氟化合物所构成；

第二空穴注入层，形成于第一空穴注入层上，其中该第二空穴注入层含有P-型掺杂物；

电致发光层，形成于第二空穴注入层上；以及

阴极，形成于电子传输层上。

2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中电致发光层包括空穴传输层、有机发光层与电子传输层，空穴传输层形成于第二空穴注入层上，有机发光层形成于空穴传输层上，电子传输层形成于有机发光层上。

3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，进一步包括形成在电致发光层与阴极之间的电子注入层。

4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中第二空穴注入层的迁移率介于10^-3～10^-6cm2V^-1s^-1之间。

5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中第一空穴注入层与第二空穴注入层的总厚度介于150-1000纳米之间。

6.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中第一空穴注入层与第二空穴注入层的总厚度介于300-1000纳米之间。

7.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中第一空穴注入层的厚度介于1-10纳米之间。

8.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中第二空穴注入层的材料选自CuPc(铜酞菁)、m-MTDATA(4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺)、TPTE(N，N-双(4-二苯基氨基联苯基)-N，N-对二氨基联苯)、NPB：F4-TCNQ(N，N′-二苯基-N，N′-双(1-萘基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺：四氟-四氰基-醌二甲烷)、F₄-TCNQ：WO₃(四氟-四氰基-醌二甲烷：氧化钨)、上述材料的聚合物及上述材料的衍生物。

9.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中P-型掺杂物选自F₄-TCNQ(四氟-四氰基-醌二甲烷)、FeCl₃、V₂O₅、WO₃、MoO₃、Nb₂O₅、Ir(OH)₃、上述材料的聚合物及上述材料的衍生物。

10.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中第一空穴注入层紧邻于第二空穴注入层。

11.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其中P-型掺杂物的浓度介于1-25vol％之间。

12.如权利要求1所述的有机电致发光器件，进一步包括形成于电致发光层与第二空穴注入层之间的第三空穴注入层，且该第三空穴注入层不含所述P-型掺杂物。

13.如权利要求12所述的有机电致发光器件，其中第一、第二与第三空穴注入层的总厚度介于150-1000纳米之间。

14.如权利要求12所述的有机电致发光器件，其中第一、第二与第三空穴注入层的总厚度介于300-1000纳米之间。

15.如权利要求12所述的有机电致发光器件，其中第三空穴注入层的材料选自CuPc(铜酞菁)、m-MTDATA(4，4′，4″-三(N-3-甲基苯基-N-苯基-氨基)-三苯基胺)、TPTE(N，N-双(4-二苯基氨基联苯基)-N，N-对二氨基联苯)、NPB：F₄-TCNQ(N，N′-二苯基-N，N′-双(1-萘基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺：四氟-四氰基-醌二甲烷)、F₄-TCNQ：WO₃(四氟-四氰基-醌二甲烷：氧化钨)、上述材料的聚合物及上述材料的衍生物。