CN111554824B - 有机发光器件及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种有机发光器件及显示装置,有机发光器件包括:基板;发光器件层,设置于所述基板,所述发光器件层包括层叠设置的空穴注入层组以及发光层,所述空穴注入层组包括多个层叠设置的空穴注入层;其中,由所述基板至发光层的方向,多个所述空穴注入层的方阻依次减小。本发明实施例提供的有机发光器件及显示装置,能够减少或者避免显示串色色偏现象的发生,具有更好的显示效果。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别是涉及一种有机发光器件及显示装置。
背景技术
有机发光器件,亦可称为有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode,OLED),因其具有简单的架构、较佳的工作温度与反应速度以及鲜明的色彩对比等优势,已广泛地应用在显示装置中。
传统的有机发光器件具有多层结构,其CMM(Common Metal Mask)蒸镀有机膜层的存在使得电流会发生横向传输,进而使得有机发光二器件在显示时存在串色色偏的问题,不利于显示需求。
发明内容
本发明实施例提供一种有机发光器件及显示装置,有机发光器件在工作时,能够减少或者避免显示串色色偏现象的发生,具有更好的显示效果。
一方面,根据本发明实施例提出了一种有机发光器件,包括:基板;发光器件层,设置于所述基板,所述发光器件层包括层叠设置空穴注入层组以及发光层,所述空穴注入层组靠近所述基板设置且包括多个层叠设置的空穴注入层;其中,由所述基板至所述发光层的方向,多个所述空穴注入层的方阻依次减小。
根据本发明实施例的一个方面,所述空穴注入层组所包括的所述空穴注入层的层叠数量为N,其中,N≥3。
根据本发明实施例的一个方面,所述空穴注入层组所包括的所述空穴注入层的层叠数量为N,其中,3≦N≦5。
根据本发明实施例的一个方面,各所述空穴注入层均为P-型掺杂层,由所述基板至所述发光层的方向,各所述空穴注入层的P-型掺杂物的掺杂量呈梯度增加。
根据本发明实施例的一个方面,所述P-型掺杂物的掺杂量最大一层所述空穴注入层的掺杂比与所述P-型掺杂物的掺杂量最小一层所述空穴注入层的掺杂比的差值小于或等于1.5%。
根据本发明实施例的一个方面,最靠近所述基板设置的所述空穴注入层的所述P-型掺杂物的掺杂比为0.5%~1.5%,最远离所述基板设置的所述空穴注入层的所述P-型掺杂物的掺杂比为2%~3%。
根据本发明实施例的一个方面,所述P-型掺杂物包括四氟-四氰基-醌二甲烷、FeCl3、V2O5、WO3、MoO3、Nb2O3、Ir(OH)3中的至少一者。
根据本发明实施例的一个方面,由所述基板至所述发光层的方向,多个所述空穴注入层的迁移率依次增加。
根据本发明实施例的一个方面,由所述基板至所述发光层的方向,多个所述空穴注入层的厚度依次增加。
根据本发明实施例的一个方面,相邻两层所述空穴注入层的厚度差值小于或等于20埃。
根据本发明实施例的一个方面,所述空穴注入层组的各层所述空穴注入层的厚度和小于或等于150埃。
另一个方面,根据本发明实施例提供一种显示装置,包括上述的有机发光器件。
根据本发明实施例提供的有机发光器件及显示装置,有机发光器件包括基板以及设置于基板上的发光器件层,发光器件层包括层叠设置的空穴注入层组以及发光层,由于空穴注入层组包括多个层叠设置的空穴注入层,并且,由所述基板至所述发光层的方向,多个空穴注入层的方阻依次减小,能够增大沿空穴注入层横向方向的串扰阻力,并可减少垂直器件方向即基板至发光层的方向上载流子传输阻力,进而可以减少或者避免有机发光器件串色色偏现象的发生,具有更好的显示效果。
附图说明
下面将参考附图来描述本发明示例性实施例的特征、优点和技术效果。
图1是传统的有机发光器件的电流传输示意图;
图2是本发明一个实施例的有机发光器件的平面图;
图3是图2中沿A-A方向的剖视接结构示意图;
图4是图3中B处放大图;
图5是本发明一个实施例的有机发光器件对应的电流传输示意图;
图6是本发明另一个实施例的有机发光器件的局部结构示意图;
图7是本发明又一个实施例的有机发光器件的局部结构示意图;
图8是本发明一个实施例的显示装置的结构示意图。
其中:
100-有机发光器件;
10-基板;
20-发光器件层;
21-第一电极层;
22-空穴注入层组;221-第一空穴注入层;222-第二空穴注入层;223-第三空穴注入层;224-第四空穴注入层;225-第五空穴注入层;
23-空穴传输层;24-发光层;25-电子传输层;26-电子注入层;27-第二电极层;28-空穴阻挡层;29-电子阻挡层;
200-显示装置。
在附图中,相同的部件使用相同的附图标记。附图并未按照实际的比例绘制。
具体实施方式
下面将详细描述本发明的各个方面的特征和示例性实施例。在下面的详细描述中,提出了许多具体细节,以便提供对本发明的全面理解。但是,对于本领域技术人员来说很明显的是,本发明可以在不需要这些具体细节中的一些细节的情况下实施。下面对实施例的描述仅仅是为了通过示出本发明的示例来提供对本发明的更好的理解。在附图和下面的描述中,至少部分的公知结构和技术没有被示出,以便避免对本发明造成不必要的模糊;并且,为了清晰,可能夸大了部分结构的尺寸。此外,下文中所描述的特征、结构或特性可以以任何合适的方式结合在一个或更多实施例中。
下述描述中出现的方位词均为图中示出的方向,并不是对本发明的有机发光器件及显示装置的具体结构进行限定。在本发明的描述中,还需要说明的是,除非另有明确的规定和限定,术语“安装”、“连接”应做广义理解,例如,可以是固定连接,也可以是可拆卸连接,或一体地连接;可以是直接相连,也可以间接相连。对于本领域的普通技术人员而言,可视具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
请参阅图1,图1示出了传统的有机发光器件的电流传输示意图。OLED(OrganicLight-Emitting Diode),又称为有机电激光显示、有机发光半导体。OLED属于一种电流型的有机发光器件100,是通过载流子的注入和复合而致发光的现象,发光强度与注入的电流成正比。OLED在电场的作用下,阳极产生的空穴和阴极产生的电子就会发生移动,当二者在发光层240相遇时能够激发发光分子最终产生可见光。
传统的有机发光器件,由于其CMM(Common Metal Mask)蒸镀有机膜层存在使得电流会发生横向传输,如图1所示,有机发光器件100具有空穴注入层220、空穴传输层230、发光层240等,发光层240上对应分布有红色子像素区域、蓝色子像素区域以及绿色子像素区域。由于传统的有机发光器件其空穴注入层220的设置不合理,导致与不同颜色相对应的电流会在横向上传输,进而会对其他颜色子像素造成串色,例如,以蓝色子像素为例,蓝色子像素对应的电流会在横向上传输至红色子像素对应区域以及绿色子像素对应区域,进而使得有机发光器件在点亮时发生串色色偏的问题,影响有机发光器件100的显示效果,在低灰阶情况下尤为严重。
基于上述问题,本发明实施例提供了一种有机发光器件以及显示装置,在工作时,能够减少或者避免显示串色色偏现象的发生,具有更好的显示效果。为了更好地理解本发明,下面结合图2至图8根据本发明实施例的有机发光器件及显示装置进行详细描述。
请一并参阅图2至图5,图2示出了本发明一个实施例的有机发光器件100的平面图,图3示出了图2中沿A-A方向的剖视图,图4示出了图3中B处放大图,图5示出了本发明一个实施例的有机发光器件100对应的电流传输示意图。
本发明实施例提供的有机发光器件100,包括基板10以及发光器件层20,发光器件层20设置于基板10,发光器件层20包括空穴注入层组22以及发光层24,空穴注入层组22靠近基板10设置,空穴注入层组22包括多个层叠设置的空穴注入层。其中,由基板10至发光层24的方向X,多个空穴注入层的方阻依次减小。
本发明实施例提供的有机发光器件100,由于空穴注入层组22包括多个层叠设置的空穴注入层,并且,由基板10至发光层24的方向,多个空穴注入层的方阻依次减小,能够增大沿空穴注入层组22横向方向的串扰阻力,并可减少垂直器件方向即基板10至发光层24的方向X上载流子传输阻力。
如图5所示,同样以驱动蓝色子像素的电流为例,由于本发明实施例提供的有机发光器件100,能够增大沿空穴注入层组22横向方向的串扰阻力,同时能够减少由基板10至发光层24的方向X上载流子传输阻力,使得与蓝色子像素对应的电流基本会沿着垂直于器件的方向传输,进而可以减少或者避免有机发光器件100串色色偏现象的发生,具有更好的显示效果。
作为一种可选的实施方式,本发明实施例提供的有机发光器件100,其实现由基板10至发光层24的方向X,多个空穴注入层的方阻依次减小的方式有多种。在一些可选的实施例中,可以使得各空穴注入层均为P-型掺杂层,由基板10至发光层24的方向,各空穴注入层的P-型掺杂物的掺杂量呈梯度增加。也就是说,最靠近基板10设置的空穴注入层的P-型掺杂物的掺杂量最小,而最远离基板10设置的空穴注入层的P-型掺杂物的掺杂量最大,并且由基板10至发光层24的方向X,各空穴注入层的P-型掺杂物的掺杂量依次增加。
由于方阻等于膜层的电阻率与厚度之间的比值,因此,影响方阻的主要因素包括膜层的电阻率以及厚度,通过在各空穴注入层中掺杂P-型掺杂物,能够改变相应空穴注入层的电阻率,使得由基板10至发光层24的方向X,各空穴注入层的电阻率依次减小,在各空穴注入层的厚度不变或者依次增大时,通过对各空穴注入层的P-型掺杂物的梯度掺杂能够满足由基板10至发光层24的方向X,多个空穴注入层的方阻依次减小的需求。
为了更好的理解上述示例,以下将以空穴注入层组22包括三层空穴注入层为例,分别为第一空穴注入层221、第二空穴注入层222以及第三空穴注入层223。由基板10至发光层24的方向X,第一空穴注入层221(也就是最靠近基板10设置的空穴注入层)的P-型掺杂物的掺杂比为a%,层叠设置于第一空穴注入层221的第二空穴注入层222的P-型掺杂物的掺杂比为b%,以此类推,第三空穴注入层223的P-型掺杂物的掺杂比为c%,则有a%<b%<c%。
通过将第一空穴注入层221、第二空穴注入层222以及第三空穴注入层223均选用为P-型掺杂层,能够根据各空穴注入层的P-型掺杂物的掺杂量的依次变化来改变第一空穴注入层221、第二空穴注入层222以及第三空穴注入层223的电阻率,使得方阻依次减小,进而满足空穴注入层组22在由基板10至发光层24的方向X的传输能力提高,并减弱其横向传输能力,保证有机发光器件100的显示效果。
作为一种可选的实施方式,上述各实施例提供的有机发光器件100,最靠近基板10设置的空穴注入层的P-型掺杂物的掺杂比为0.5%~1.5%之间的任意数值,包括0.5%、1.5%两个端值,最远离基板10设置的空穴注入层的P-型掺杂物的掺杂比为2%~3%之间的任意数值,包括2%、3%两个端值。通过上述设置,在保证在满足使得有机发光器件100在由基板10至发光层24的方向,多个空穴注入层的方阻依次减小的性能要求的基础上,能够更好的优化空穴注入层组22整体的传输性能,进而更好的保证有机发光器件100的显示要求。
为了更好的理解上述实施例,同样以空穴注入层组22包括三层空穴注入层为例,分别为第一空穴注入层221、第二空穴注入层222以及第三空穴注入层223,作为一些可选的实施例,可以使得最靠近基板10设置的第一空穴注入层221的P-型掺杂物的掺杂比为0.5%,最远离基板10设置的第三空穴注入层223的P-型掺杂物的掺杂比为2%,位于二者之间的第二空穴注入层222的P-型掺杂物的掺杂比为1.25%。
在一些其他的示例中,同样以空穴注入层组22包括三层空穴注入层为例,可以使得最靠近基板10设置的第一空穴注入层221的P-型掺杂物的掺杂比为1.5%,最远离基板10设置的第三空穴注入层223的P-型掺杂物的掺杂比为3%,位于二者之间的第二空穴注入层222的P-型掺杂物的掺杂比为2.25%。该种设置方式,同样能够满足在保证有机发光器件100的性能要求。
在一些可选的实施例中,上述各实施例提供的有机发光器件100,P-型掺杂物的掺杂量最大一层空穴注入层的掺杂比与P-型掺杂物的掺杂量最小一层空穴注入层的掺杂比的差值小于或等于1.5%。
为了更好的理解上述实施例,同样以空穴注入层组22包括三层空穴注入层为例,由基板10至发光层24的方向X,第一空穴注入层221、第二空穴注入层222以及第三空穴注入层223的P-型掺杂物的掺杂比依次为a%、b%以及c%,则有c%与a%之间的差值小于或等于1.5%。
通过上述设置,在满足使得有机发光器件100在由基板10至发光层24的方向X,多个空穴注入层的方阻依次减小的性能要求的基础上,还能够使得其整个空穴注入层组22内各空穴注入层的掺杂比变化在可控范围内,以保证有机发光器件100的性能,且工艺简化,易于成型。
上述各实施例均是以空穴注入层组22包括三层空穴注入层为例进行举例说明,可以理解的是,此为一种可选的实施方式,但不限于空穴注入层组22仅包括三层空穴注入层,一些可选的实施例中,空穴注入层组22所包括的空穴注入层的层叠数量为N,N为大于或等于3的整数,具体层数可以根据要求设置,可以为4层、5层、6层甚至更多层。
一些可选的实施例中,空穴注入层组22所包括的空穴注入层的层叠数量为N的取值范围可以为3≦N≦5,即,空穴注入层可以为三层、四层或者五层,在保证由基板10至发光层24的方向X,多个空穴注入层的方阻依次减小的性能要求的基础上,还能够使得有机发光器件100更易于成型,降低有机发光器件100的制作成本。
请一并参阅图6,图6示出了本发明另一个实施例的有机发光器件100的局部结构示意图。一些可选的实施例中,空穴注入层组22所包括的空穴注入层的数量可以为四层,分别为第一空穴注入层221、第二空穴注入层222、第三空穴注入层223以及第四空穴注入层224,由基板10至发光层24的方向X,第一空穴注入层221、第二空穴注入层222、第三空穴注入层223以及第四空穴注入层224的P-型掺杂物的掺杂比依次为a%、b%、c%以及d%,则有a%<b%<c%<d%。通过上述设置,相对于空穴注入层为三层的示例,可增大空穴注入层组22的横向串扰阻力,优化显示效果。
一些可选的示例中,可以使得d%与a%之间的差值小于或等于1.5%。
一些可选的示例中,可以使得第一空穴注入层221的P-型掺杂物的掺杂比的数值范围为0.5%~1.5%之间的任意数值,包括0.5%、1.5%两个端值,第四空穴注入层224的P-型掺杂物的掺杂比d%的数值范围2%~3%之间的任意数值,包括2%、3%两个端值,可以使得第二空穴注入层222、第三空穴注入层223的P-型掺杂物的掺杂比呈梯度增加,同样可以满足有机发光器件100的性能要求。
请一并参阅图7,图7示出了本发明又一个实施例的有机发光器件100的局部结构示意图。
一些可选的实施例中,空穴注入层组22所包括的空穴注入层的数量可以为五层,分别为第一空穴注入层221、第二空穴注入层222、第三空穴注入层223、第四空穴注入层224以及第五空穴注入层225。同样的,由基板10至发光层24的方向X,五层空穴注入层的P-型掺杂物的掺杂比依次为a%、b%、c%、d%及e%,则有a%<b%<c%<d%<e%。通过上述设置,相对于空穴注入层为三层、四层的示例,能够进一步优化空穴注入层组22的横向串扰阻力要求,保证空穴注入后在基板10至发光层24的方向X上的传输需求,进一步避免色偏现象的发生。
一些可选的示例中,可以使得e%与a%之间的差值小于或等于1.5%。
一些可选的示例中,可以使得第一空穴注入层221的P-型掺杂物的掺杂比的数值范围0.5%~1.5%为之间的任意数值,包括0.5%、1.5%两个端值,第五空穴注入层225的P-型掺杂物的掺杂比e%的数值范围2%~3%之间的任意数值,包括2%、3%两个端值,可以使得第二空穴注入层222、第三空穴注入层223、第四空穴注入层224在由基板10至发光层24的方向,P-型掺杂物的掺杂比呈依次增加。同样可以满足有机发光器件100的性能要求。
并且,当空穴注入层组22包括的空穴注入层的数量为四层或者五层时,其对应的每层空穴注入层所包括的P-型掺杂物的掺杂比在此不做具体实施例限制,可以根据上述各层的掺杂比的大小关系以及相应层的掺杂比的数值范围要求进行设置,只要能够满足在由基板10至发光层24的方向,多个空穴注入层的方阻依次减小,减少或者避免有机发光器件100串色色偏现象的发生,保证有机发光器件100的显示效果要求均可。
依次类推,当空穴注入层组22所包括的空穴注入层的数量大于五层时,同样满足上述要求,在此就不一一赘述。
在一些可选的实施例中,上述各实施例提供的有机发光器件100,当其各空穴注入层均为P-型掺杂层时,在每层空穴注入层中所掺杂的P-型掺杂物包括四氟-四氰基-醌二甲烷、FeCl3、V2O5、WO3、MoO3、Nb2O3、Ir(OH)3中的至少一者,上述物质既能够保证每层空穴注入层达到所需方阻的需求,同时,物质易于获取以及掺杂。可选的,每层空穴注入层的P-型掺杂物可选为同一种物质,易于有机发光器件100的成型以及掺杂比呈梯度变化的需求。
可以理解的是,上述各实施例提供的有机发光器件100,其空穴注入层组22所包括的各空穴注入层在由基板10至发光层24的方向X,彼此厚度可以相同,当然,在有些示例中,多个所述空穴注入层的厚度可以依次增加,如上述分析,由于方阻等于膜层的电阻率与厚度之间的比值,空穴注入层的厚度越大,方阻越小。在方向X上,通过使得多个空穴注入层的厚度依次增加,同样能够满足多个空穴注入层的方阻依次减小的性能需求。
作为一种可选的实施方式,相邻两层述空穴注入层的厚度差值小于或等于20埃,通过上述设置,能够使得其整个空穴注入层组22内各空穴注入层的厚度变化在可控范围内,以保证有机发光器件100的性能,避免因不同厚度设置影响有机发光器件100的制作成型或者显示需求。
在一些可选的实施例中,上述各实施例提供的有机发光器件100,其空穴注入层组22在由基板10至发光层24的方向X上,整体的厚度小于或等于150埃。通过上述设置,既能够满足空穴注入需求,同时,能够进一步降低空穴注入层组22的因厚度过厚带来的横向串扰的风险。
上述各实施例均是以各述空穴注入层均为P-型掺杂层为例,即,通过在各层空穴注入层内掺杂P-型掺杂物满足有机发光器件100在由基板10至发光层24的方向,多个空穴注入层的方阻依次减小的性能需求。可以理解的是,此为一种可选的实施方式,但不限于上述方式,在有些实施例中,也可以使得由基板10至所述发光层24的方向X,多个空穴注入层的迁移率依次增加,同样可以满足在由基板10至发光层24的方向,多个空穴注入层的方阻依次减小的性能需求。进而可以减少或者避免有机发光器件100串色色偏现象的发生,具有更好的显示效果。
同样以图3、图4所示的空穴注入层组22包括三层空穴注入层为例,其中,第一空穴注入层221的迁移率小于第二空穴注入层222的迁移率小于第三空穴注入层223的迁移率。在由基板10至发光层24的方向,通过使得多层空穴注入层的迁移率依次增大,能够使得多层空穴注入层的电阻率依次减小,在各空穴注入层的厚度不变或者依次增大时,通过使得第一空穴注入层221、第二空穴注入层222、第三空穴注入层223的迁移率的变化同样能够满足空穴注入层的方阻依次减小的需求。
在具体实施时,可以采用在各空穴注入层内设置不同的P-型掺杂物的掺杂比,以实现迁移率的变化需求。
当然,在有些示例中,也可以使得空穴注入层组22的每层空穴注入层采用不同的材料制成,以满足也可以使得由基板10至发光层24的方向X,多个空穴注入层的迁移率依次增加的需求,例如,以空穴注入层组22所包括的空穴注入层数为三层为例,由基板10至发光层24的方向,三层空穴注入层的材料可以依次为4,4,4-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺(NPB)以及4,4'-环己基二[N,N-二(4-甲基苯基)苯胺](TATC),以通过材料的不同实现由基板10至发光层24的方向X,多个空穴注入层的迁移率依次增加的需求。当然,可以理解的是,上述给出的三层材料设置只是一种可选的实施方式,但不仅限于上述材料,只要能够满足对迁移率的要求均可。
可选的,本发明上述各实施例提供的有机发光器件100,在成型时,其空穴注入层组22的各层空穴注入层可以分层制作,当包括P-型掺杂物时,其P-型掺杂物可以在制作每层空穴注入层时分层掺杂。当然,在有些示例中,也可以使得空穴注入层组22整体形成后,采用梯度掺杂P-型掺杂物形成多层具有不同方阻的空穴注入层,只要能够满足有机发光器件100的性能要求均可。
作为一种可选的实施方式,本发明上述各实施例提供的有机发光器件100,发光器件层20还可以包括第一电极层21、空穴传输层23、电子传输层25、电子注入层26以及第二电极层27,第一电极层21位于基板10以及空穴注入层组22之间,空穴传输层23位于空穴注入层组22与发光层24之间,电子传输层25、电子注入层26以及第二电极层27位于发光层24的上方并沿远离基板10的方向层叠设置。
可选的,其第一电极层21可以为阳极,第二电极层27可以为阴极,其工作原理为有机发光器件100在电场的作用下,第一电极层21产生的空穴注入至空穴注入层组22中并经由空穴传输层23迁移至发光层24。第二电极层27产生的电子注入至电子注入层26中并经由电子传输层25迁移至发光层24,当二者在发光层24相遇时,产生能量激子,从而激发发光分子最终产生可见光。为了保证空穴与电子能够更好的激发发光分子,可选的,有机发光器件100还包括空穴阻挡层28以及电子阻挡层29,空穴阻挡层28可以位于发光层24与电子传输层25之间,电子阻挡层29可以位于发光层24与空穴传输层23之间。
本发明实施例提供的有机发光器件100,因其包括基板10以及设置于基板10上的发光器件层20,发光器件层20包括层叠设置的空穴注入层组以及发光层24,由于空穴注入层组22包括多个层叠设置的空穴注入层,并且,由基板10至发光层24的方向X,多个空穴注入层的方阻依次减小,能够增大沿空穴注入层组22横向方向的串扰阻力,并可减少垂直器件方向即基板10至发光层24的方向X上载流子传输阻力,尤其对于低灰阶情况,能够更好的减少或者避免有机发光器件100串色色偏现象的发生,具有更好的显示效果。并且本发明上述各实施例提供的有机发光器件,还具备所应用材料种类较少,其分层结构的能级匹配较好,改善效果较佳,工艺实现难度较低等优势。
请一并参阅图8,图8示出了本发明一个实施例的显示装置的结构示意图。本发明实施例还提供一种显示装置200,包括上述各实施例提供的有机发光器件100,显示装置200可以为OLED面板、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
本发明实施例提供的显示装置200,因其包括上述各实施例提供的有机发光器件100,使其能够更好的减少或者避免在工作时串色色偏现象的发生,尤其在低灰阶的情况下,具有更好的显示效果,易于推广使用。
虽然已经参考优选实施例对本发明进行了描述,但在不脱离本发明的范围的情况下,可以对其进行各种改进并且可以用等效物替换其中的部件。尤其是,只要不存在结构冲突,各个实施例中所提到的各项技术特征均可以任意方式组合起来。本发明并不局限于文中公开的特定实施例,而是包括落入权利要求的范围内的所有技术方案。
Claims (10)
1.一种有机发光器件,其特征在于,包括:
基板;
发光器件层,设置于所述基板,所述发光器件层包括层叠设置的空穴注入层组以及发光层,所述空穴注入层组靠近所述基板设置且包括多个层叠设置的空穴注入层;
其中,所述空穴注入层组所包括的所述空穴注入层的层叠数量为N,N≥3,由所述基板至所述发光层的方向,多个所述空穴注入层的方阻依次减小。
2.根据权利要求1所述的有机发光器件,其特征在于,所述空穴注入层组所包括的所述空穴注入层的层叠数量为N,其中,3≦N≦5。
3.根据权利要求1所述的有机发光器件,其特征在于,各所述空穴注入层均为P-型掺杂层,由所述基板至所述发光层的方向,各所述空穴注入层的P-型掺杂物的掺杂量呈梯度增加。
4.根据权利要求3所述的有机发光器件,其特征在于,所述P-型掺杂物的掺杂量最大一层所述空穴注入层的掺杂比与所述P-型掺杂物的掺杂量最小一层所述空穴注入层的掺杂比的差值小于或等于1.5%。
5.根据权利要求3所述的有机发光器件,其特征在于,最靠近所述基板设置的所述空穴注入层的所述P-型掺杂物的掺杂比为0.5%~1.5%,最远离所述基板设置的所述空穴注入层的所述P-型掺杂物的掺杂比为2%~3%。
6.根据权利要求3所述的有机发光器件,其特征在于,所述P-型掺杂物包括四氟-四氰基-醌二甲烷、FeCl3、V2O5、WO3、MoO3、Nb2O3、Ir(OH)3中的至少一者。
7.根据权利要求1至6任意一项所述的有机发光器件,其特征在于,由所述基板至所述发光层的方向,多个所述空穴注入层的迁移率依次增加。
8.根据权利要求1至6任意一项所述的有机发光器件,其特征在于,由所述基板至所述发光层的方向,多个所述空穴注入层的厚度依次增加。
9.根据权利要求8所述的有机发光器件,其特征在于,相邻两层所述空穴注入层的厚度差值小于或等于20埃;
优选地,所述空穴注入层组的各层所述空穴注入层的厚度和小于或等于150埃。
10.一种显示装置,其特征在于,包括:如权利要求1至9任意一项所述的有机发光器件。
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