CN1610253A - 压电谐振器的制造方法 - Google Patents

压电谐振器的制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1610253A
CN1610253A CNA2004100882249A CN200410088224A CN1610253A CN 1610253 A CN1610253 A CN 1610253A CN A2004100882249 A CNA2004100882249 A CN A2004100882249A CN 200410088224 A CN200410088224 A CN 200410088224A CN 1610253 A CN1610253 A CN 1610253A
Authority
CN
China
Prior art keywords
vibrating reed
laser
piezo
groove
manufacture method
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA2004100882249A
Other languages
English (en)
Inventor
梅津一成
吉村和人
船坂司
北村文孝
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Publication of CN1610253A publication Critical patent/CN1610253A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
    • H03H9/21—Crystal tuning forks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H—ELECTRICITY
    • H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H3/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators
    • H03H3/007—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks
    • H03H3/02—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks
    • H03H2003/026—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture of impedance networks, resonating circuits, resonators for the manufacture of electromechanical resonators or networks for the manufacture of piezoelectric or electrostrictive resonators or networks the resonators or networks being of the tuning fork type
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/42—Piezoelectric device making
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49126—Assembling bases
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49128—Assembling formed circuit to base
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/4913—Assembling to base an electrical component, e.g., capacitor, etc.
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
    • Y10T29/49002—Electrical device making
    • Y10T29/49117—Conductor or circuit manufacturing
    • Y10T29/49124—On flat or curved insulated base, e.g., printed circuit, etc.
    • Y10T29/49155—Manufacturing circuit on or in base

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)

Abstract

本发明提供一种压电谐振器的制造方法，包括在晶体所制成的基板上，形成具有板状的基部以及从该基部向一侧方向延伸的多个臂部的振动片的振动片形成工序(S001)，以及给臂部的一面以及另一面照射激光，去除该激光照射部，使沟槽形成为在与该沟槽的长边方向垂直的面上所截取的截面具有给定的形状的激光照射工序(S002)，以及在振动片上形成驱动电极的电极形成工序(S003)。这样，能够通过简单的工序高精度且短时间地形成所期望的沟槽的形状。

Description

压电谐振器的制造方法
技术领域
本发明涉及一种压电谐振器的制造方法，特别涉及一种形成有从基部向臂部延伸的微细沟槽的压电谐振器的制造方法。
背景技术
近年来，伴随着电子机器的小型化，越来越要求电子机器上所安装的电子器件更加小型化。
以前，有一种通过在臂部形成沟槽来增加电与机械结合系数，同时减小晶体阻抗，从而能够实现小型化的压电谐振器的相关技术(参考例如专利文献1)。
另外，在臂部形成沟槽时，一般考虑运用蚀刻技术，但由于晶体的晶体构造各向异性，因此很难形成具有所期望的截面形状的沟槽。与此相对，有一种能够得到所期望的截面形状的干蚀刻技术被公开了(参考例如专利文献2)。
然而，上述专利文献2的现有技术中，还存在干蚀刻中的蚀刻速度很慢，干蚀刻之前的光蚀刻工序纷繁复杂，提高加工效率很困难这样的尚未解决的问题。
专利文献1：特开2001-185987号公报；
专利文献2：特开平8-242134号公报。
发明内容
本发明用于解决上述以前的问题，其目的在于提供一种能够通过简单的工序而高精确度且短时间地形成所期望的沟槽的形状的压电谐振器的制造方法。
为解决上述问题，本发明提供一种压电谐振器的制造方法，该压电谐振器具有振动片，上述振动片具有板状的基部、和从该基部向侧方延伸的多个臂部，在上述臂部上设置有沟槽，上述制造方法具有激光照射工序，通过对上述臂部的一面以及另一面照射激光，去除该激光照射部，形成上述沟槽，使得按照与该沟槽的长轴方向垂直的面截取的截面具有给定形状。
这样，通过激光照射这种简单工序，能够高精度、短时间形成具有所期望的形状的沟槽。
本发明还提供一种压电谐振器的制造方法，该压电谐振器具有振动片，上述振动片具有板状的基部、和从该基部向侧方延伸的多个臂部，在上述臂部上设置有沟槽，上述制造方法具有：振动片形成工序，在压电材料形成的基板上形成至少一个上述振动片，保持该振动片的一部分与上述基板连接；激光照射工序，通过对在上述振动片形成工序中形成的上述振动片的上述臂部的一面以及另一面照射激光，去除该激光照射部，形成上述沟槽，使得按照与该沟槽的长轴方向垂直的面截取的截面具有给定形状；和电极形成工序，在形成了上述沟槽的上述振动片上形成驱动电极，用于施加驱动上述压电谐振器的电压。
这样，通过给振动片的臂部照射激光这种简单工序，能够高精度、短时间形成具有所期望的形状的沟槽制造压电谐振器。
本发明还提供一种压电谐振器的制造方法，该压电谐振器具有振动片，上述振动片具有板状的基部、和从该基部向侧方延伸的多个臂部，在上述臂部上设置有沟槽，上述制造方法具有：激光照射工序，通过对压电材料形成的基板的一面以及另一面照射激光，去除该激光照射部，形成上述沟槽，使得按照与该沟槽的长轴方向垂直的面截取的截面具有给定形状，并且上述沟槽处在上述基板的两面上相互相对的位置；振动片形成工序，在形成了上述沟槽的上述基板上形成至少一个上述振动片，使上述沟槽位于上述臂部的一面以及另一面上，同时保持上述振动片的一部分与上述基板连接；和电极形成工序，在上述振动片上形成驱动电极，用于施加驱动上述压电谐振器的电压。
这样，通过对压电材料所制成的基板照射激光这种简单工序，能够高精度、短时间形成具有所期望的形状的沟槽制造压电谐振器。
在上述发明中，上述电极形成工序具有：导电膜形成工序，在上述振动片上形成导电膜；和电极布线工序，对上述导电膜照射激光，去除上述导电膜的激光照射部，使其残留下给定图案形状，对驱动电极布线。
这样，通过激光照射这种简单工序，能够对驱动电极布线，实现更高的效率。
本发明还提供一种压电谐振器的制造方法，该压电谐振器具有振动片，上述振动片具有板状的基部、和从该基部向侧方延伸的多个臂部，在上述臂部上设置有沟槽，上述制造方法具有：振动片形成工序，在压电材料形成的基板上形成至少一个上述振动片，保持该振动片的一部分与上述基板连接；导电膜形成工序，在上述振动片上形成导电膜；激光照射工序，通过对上述臂部的一面以及另一面从上述导电膜上照射激光，去除该激光照射部，形成上述沟槽，使得按照与该沟槽的长轴方向垂直的面截取的截面具有给定形状；和电极布线工序，对形成了上述沟槽的上述振动片的上述导电膜去除，而残留下给定图案形状，对用于施加驱动上述压电谐振器的电压的驱动电极布线。
这样，由于在形成导电膜之后再形成沟槽，在激光照射工序中，形成沟槽时，由于也去除了设置在形成沟槽的部位的导电膜，因此能够实现电极布线工序的高效化。
本发明还提供一种压电谐振器的制造方法，该压电谐振器具有振动片，上述振动片具有板状的基部、和从该基部向侧方延伸的多个臂部，在上述臂部上设置有沟槽，上述制造方法具有：振动片形成工序，在压电材料形成的基板上形成至少一个上述振动片，保持该振动片的一部分与上述基板连接；导电膜形成工序，在上述振动片上形成导电膜；电极布线工序，对上述导电膜去除，而残留下给定图案形状，对用于施加驱动上述压电谐振器的电压的驱动电极布线；和激光照射工序，通过对已经为上述驱动电极布线后的上述振动片的上述臂部的一面以及另一面照射激光，去除该激光照射部，形成上述沟槽，使得按照与该沟槽的长轴方向垂直的面截取的截面具有给定形状。
这样，由于在电极布线工序中将设置在振动片的沟槽形成部位上的导电膜去除之后，再形成沟槽，因此在激光照射工序中，不会产生激光照射导电膜所引起的飞散物，从而能够抑制该导电膜的飞散物所引起的布线的短路的发生。
在上述发明的上述电极布线工序中，对上述导电膜照射激光，去除上述导电膜的激光照射部，使其残留下给定图案形状，对上述驱动电极布线。
这样，能够连续实施激光照射工序以及电极布线工序，实现制造工序的高效化。
在上述发明的上述振动片形成工序中，沿上述振动片的外形对上述压电材料形成的基板照射激光，去除该激光照射部，形成上述振动片。
这样，通过激光照射这种简单工序，能够高精度、短时间形成具有所期望的形状的振动片。
在上述发明中，上述给定形状，是在上述臂部的宽度方向上沟槽深度大致一定的形状。
在上述发明中，上述激光，按照由掩模图案形成的给定投影形状进行照射。
这样，能够以所期望的投射形状进行激光照射。
在上述发明中，上述激光通过聚光器件聚光后进行照射。
这样，通过对强度不足以去除被加工材料的激光进行聚光，使其能够以能够进行去除加工的强度进行照射，实现低能耗化，同时，通过使激光的投射面积细微化，能够形成微小的形状，从而能够在振动片形成工序中，提高多个振动片的配置密度。
在上述发明中，上述激光，在通过由掩模图案形成给定投影形状并且由聚光器件成像的情况下，进行照射。
在上述发明中，上述聚光器件是凸透镜。
在上述发明中，上述激光，通过由衍射光学器件在投影面积上的强度均匀化后进行照射。
这样，由于均匀的去除了整个激光照射部，因此，能够提高沟槽的底面的平滑性。
在上述发明中，上述衍射光学器件是相栅。
在上述发明中，上述压电材料是晶体；上述激光是F2受激准分子激光。
在上述发明中，上述压电材料是晶体；上述激光是超短脉冲激光。
这里，超短脉冲激光是指脉冲宽度位于飞秒(10-15秒)区域内的激光。
如上所述，用超短脉冲激光照射晶体，能够通过多光子吸收原理进行去除加工。
附图说明
图1表示有关第1实施方式的第1制造方法的工序流程图。
图2表示第1实施方式中的振动片形成工序的图。
图3表示第1实施方式中的激光照射工序的模式截面图。
图4表示第1实施方式中的电极形成工序的流程的图。
图5表示有关第2实施方式的第2制造方法的工序流程图。
图6表示第2实施方式中的激光照射工序的图。
图7表示第2实施方式中的振动片形成工序的图。
图8表示有关第5实施方式的第3制造方法的工序流程图。
图9表示有关第5实施方式的导电膜形成工序以及激光照射工序的模式截面图。
图10表示有关第6实施方式的第4制造方法的工序流程图。
图11表示有关第6实施方式的导电膜形成工序、电极布线工序以及激光照射工序的模式截面图。
图12表示有关本发明第1实施方式的压电谐振器的一面的概要平面图。
图13表示有关本发明第1实施方式的压电谐振器的另一面的概要平面图。
图14表示压电谐振器沿着图12中的A-A线的截面图。
图15表示有关本发明第3实施方式的相关压电谐振器的一面的概要平面图。
图16表示本发明的第3实施方式的相关压电谐振器的另一面的概要平面图。
图17为压电谐振器沿着图15中的H-H线的截面图。
图中：1、40…压电谐振器，2…基部，3、4…臂部，5…振动片，6…一面，7…另一面，8、9、10、11…沟槽，12、41…第1驱动电极，13、42…第2驱动电极，31…基板，32…激光，33…作为聚光器件的凸透镜，34…连接部，36…掩模图案，38…导电膜。
具体实施方式
下面对照附图对本发明的最佳实施方式进行说明。
(第1实施方式)
对照图1～图4，图12～图14对本发明的第1实施方式进行说明。
图12表示有关第1实施方式的压电谐振器的一面的概要平面图，图13表示同一压电谐振器的另一面的概要平面图。另外，图14为压电谐振器沿着图12中的A-A线的截面图。
有关第1实施方式的压电谐振器1，由晶体所制成的压电材料构成，如图12以及图13所示，包括振动片5，其具有板状的基部2，以及从基部2向侧方同一方向平行延伸的2根臂部3、4。臂部3、4的一面6以及另一面7上，设置有沿着臂部3、4的长边方向延伸的沟槽8～11。振动片5上，设置有用来加载驱动压电谐振器1的电压的第1驱动电极12以及第2驱动电极13。第1以及第2驱动电极12、13，如图14所示，被布线成跨越沟槽8～11的侧面15以及底面16、臂部3与4的侧面17、振动片5的一面6以及另一面7。另外，驱动电极12、13在基部2的各端部18、19跨越基部2的一面6以及另一面7。另外，图12、13中，采用阴影线表示驱动电极12、13。
这里，对压电谐振器1的第1以及第2驱动电极12、13的布线进行说明。
如图12以及图13所示，第1以及第2驱动电极12、13，在压电谐振器1的表背按相同形状布线。即，在臂部3的表背相面对的一对电极部12a、12b，与在臂部4的表背相面对的一对电极部12c、12d相互导通，同时与基部2的端部18导通，形成第1驱动电极12。另外，在臂部4的表背相面对的一对电极部13a、13b，与在臂部3的表背相面对的一对电极部13c、13d相互导通，同时与基部2的端部19导通，形成第2驱动电极13。
接下来，对设置在振动片5的臂部3、4上的沟槽8～11的形状与第1以及第2驱动电极12、13的配置进行说明。
沟槽8～11如图14所示，在与沟槽8～11的长边方向垂直的面所截取的截面上，具有沟槽8～11的侧面15沿着略垂直于底面16的两端而延伸的形状(给定形状)。即，沟槽8～11具有在臂部3、4的宽度方向上深度大致一定的形状。这样，第1驱动电极12形成在臂部3的沟槽8、9的侧面15、底面16以及臂部4的侧面17上，第2驱动电极13形成在臂部4的沟槽10、11的侧面15、底面16以及臂部3的侧面17上。
接下来，对有关该第1实施方式的压电谐振器1的制造方法进行说明。
第1实施方式是制造压电谐振器1的制造方法。图1表示有关第1实施方式的第1制造方法的工序流程图。如图1所示，第1制造方法顺次分为形成振动片5的振动片形成工序(S001)、在振动片5的臂部3、4上形成沟槽8～11的激光照射工序(S002)以及在振动片5上形成第1与第2驱动电极12、13的电极形成工序(S003)。
图2表示在第1实施方式中的振动片形成工序(S001)的图。
图2(a)为用来作为压电材料所制成的基板的晶体制基板31的平面图，图2(b)为图2(a)中的B-B截面图，图2(c)为基板31上的图2(a)中的C部分放大平面图，图2(d)表示与基板31相连接的振动片5的图。
首先，振动片形成工序(S001)如图2(b)所示，通过凸透镜31对作为F2受激准分子激光的激光32进行聚光，对基板31进行照射。接着，一边沿着图2(c)所示的虚线照射激光32，一边去除该激光照射部，将振动片5通过连接部34连接在基板31上而形成。接下来，如图2(d)所示，通过连接部34将多个振动片5与基板31相连接而形成。
这里，激光照射的加工深度，由激光32的照射强度与发射数(单位时间的照射次数)所决定，给每一处都照射贯穿基板31所必须的发射数的激光32。
图3表示在第1实施方式中的激光照射工序(S002)的模式截面图。
图3(a)为图2(d)中的D-D截面图，图3(b)表示在臂部3、4上形成了沟槽8～11的状态图。
接下来，激光照射工序(S002)如图3(a)所示，给振动片形成工序(S001)中所形成的振动片5的臂部3、4的一面6以及另一面7，照射作为F2受激准分子激光的激光32。激光32的投射形状被掩模图案设置为矩形，进一步通过凸透镜33成像在臂部3(4)的表面，去除该激光照射部，如图3(b)所示，形成沟槽8～11。详细讲，给臂部3、4的一面6照射激光32形成沟槽8、10之后，反转基板31并重新设置，接下来对臂部3、4的另一面7照射激光32形成沟槽9、11。激光32的发射数由所需要的沟槽深决定。
图4表示第1实施方式中的电极形成工序(S003)的模式截面图。
接下来，在电极形成工序(S003)中，如图4(a)所示，通过溅射技术形成由Au、Ag等具有导电性的金属所制成的膜(导电膜)38。
另外，这种情况下，最好通过与Au、Ag以及晶体的密接性高的Cr膜(图中未画出)，在振动片5上形成由Au、Ag等金属所制成的膜38。接下来，如图4(b)所示，通过凸透镜33对作为F2受激准分子激光的激光32进行聚光，对膜38进行照射，使所期望的布线形状(给定的图形形状)被留下，去除该激光照射部并布线第1以及第2驱动电极12、13。结束该工序并使振动片5从与基板31相连接的连接部34分离，完成图12、图13以及图14中所示的压电谐振器1。
如上所述，激光照射工序(S002)中，在振动片5的臂部3以及4上形成沟槽8～11时，不需要干蚀刻技术中纷繁复杂的工序，能够在短时间形成细微且具有所期望的截面形状的沟槽8～11。另外，第1制造方法中，在振动片形成工序(S001)以及电极形成工序(S003)的布线中所使用的是通过激光32的去除加工技术，但也可以灵活运用光蚀刻技术以及蚀刻技术。
另外，由于振动片形成工序(S001)实施于激光照射工序(沟槽形成工序)(S002)之前，因此能够紧接着振动片形成工序(S001)而高效的实施激光照射工序(S002)。
另外，该第1制造方法中，在振动片形成工序(S001)中是通过凸透镜33对激光32进行聚光从而进行照射的，但还可以通过掩模图案36以及凸透镜33使激光32成像并进行照射，这样也能够紧接着振动片形成工序(S001)而高效的实施激光照射工序(S002)。即，使激光32的投射宽度与沟槽8～11的宽度相一致，通过共同的掩模图案36以及凸透镜33所成的共同的像来进行振动片的形成与沟槽的形成。这种情况下，对于振动片的形成以及沟槽的形成，使激光32的照射强度相同，通过变更激光32的发射数或照射时间能够分别得到所需要的深度。因此，振动片形成工序(S001)与激光照射工序(S002)能够通过共同的激光照射工序而一次实施，能够进一步提高制造工序的效率。
(第2实施方式)
对照图4～图7，图12～图14对本发明的第2实施方式进行说明。另外，第2实施方式是制造压电谐振器1的第2制造方法。另外，由于通过有关第2实施方式的制造方法所制造出来的压电谐振器1与第1实施方式中的压电谐振器1的构造以及外观相同，因此省略其说明。
图5表示第2实施方式的相关第2制造方法的工序流程图。
如图5所示，第2制造方法顺次分为在晶体所制成的基板31上形成沟槽8～11的激光照射工序(S004)、形成振动片5的振动片形成工序(S005)以及在振动片5上形成第1与第2驱动电极12、13的电极形成工序(S006)。
图6表示第2实施方式中的激光照射工序(S004)的图。
图6(a)为作为压电材料所制成的基板的晶体制基板31的平面图，图6(b)为图6(a)中的E-E截面图。
首先，在激光照射工序(S004)中，如图6(b)所示，通过掩模图案36将作为F2受激准分子激光的投射形状设置为矩形，进一步通过凸透镜33成像在基板31的一面6以及另一面7上，进行照射并去除该激光照射部，形成沟槽8～11。
图7表示第2实施方式中的振动片形成工序(S005)的图。
图7(a)为形成有沟槽8～11的基板31沿着图6(a)中的E-E线的截面图，图7(b)为形成有沟槽8～11的基板31的图6(a)中的F部分放大平面图，图7(c)表示与基板31相连接的振动片5的平面图。
接下来，振动片形成工序(S005)如图7(a)所示，通过凸透镜31对作为F2受激准分子激光的激光32进行聚光，对形成有沟槽8～11的基板31进行照射。接着，一边沿着图7(b)所示的虚线照射激光32，一边去除该激光照射部，通过连接部34将振动片5连接在基板31上而形成。接下来，如图7(c)所示，通过连接部34将多个振动片5与基板31相连接而形成。
接下来，在电极形成工序(S006)中，与第1实施方式相同，如图4(a)所示，通过溅射技术形成由Au、Ag等具有导电性的金属所制成的膜(导电膜)38。另外，这种情况下，最好通过与Au、Ag以及晶体的密接性高的Cr膜(图中未画出)，在振动片5上形成由Au、Ag等金属所制成的膜38。接下来，如图4(b)所示，通过凸透镜33对作为F2受激准分子激光的激光32进行聚光，对膜38进行照射，使所期望的布线形状被留下，去除该激光照射部并对第1以及第2驱动电极12、13布线。结束该工序并使振动片5从与基板31相连接的连接部34分离，完成图12、图13以及图14中所示的压电谐振器1。
如上所述，激光照射工序(S004)中，在振动片5的臂部3以及4上形成沟槽8～11时，不需要干蚀刻技术中纷繁复杂的工序，能够在短时间形成细微且具有所期望的截面形状的沟槽8～11。另外，在第2制造方法中，在振动片形成工序(S005)以及电极形成工序(S006)的布线中所使用的是通过激光32的去除加工技术，但也可以灵活运用光蚀刻技术以及蚀刻技术。
另外，由于激光照射工序(沟槽形成工序)(S004)实施于振动片形成工序(S005)之前，因此能够紧接着激光照射工序(S004)而高效的实施振动片形成工序(S005)。
另外，在该第2制造方法中，在振动片形成工序(S005)中是通过凸透镜33对激光32进行聚光从而进行照射的，但还可以通过掩模图案36以及凸透镜33使激光32成像并进行照射，这样也能够紧接着激光照射工序(S004)而高效的实施振动片形成工序(S005)。即，使激光32的投射宽度与沟槽8～11的宽度相一致，通过共同的掩模图案36以及凸透镜33所成的共同的像来进行振动片的形成与沟槽的形成。这种情况下，对于振动片的形成以及沟槽的形成，使激光32的照射强度相同，通过变更激光32的发射数或照射时间能够分别得到所需要的深度。因此，振动片形成工序(S005)与激光照射工序(S004)能够通过共同的激光照射工序而一次实施，能够进一步提高制造工序的效率。
(第3实施方式)
对照图1～图4，图15～图17对本发明的第3实施方式进行说明。
图15表示有关第3实施方式的压电谐振器的一面的概要平面图，图16表示同一压电谐振器的另一面的概要平面图。另外，图17为压电谐振器沿着图15中的H-H线的截面图。
有关第3实施方式的压电谐振器40，由晶体所制成的压电材料构成，如图15以及图16所示，包括振动片5，其具有板状的基部2，以及从基部2向侧方同一方向平行延伸的2根臂部3、4。臂部3、4的一面6以及另一面7上，设置由沿着臂部3、4的长边方向延伸的沟槽8～11。振动片5上，设置有用来加载驱动压电谐振器1的电压的第1驱动电极41以及第2驱动电极42。第1以及第2驱动电极41、42，在沟槽8～11周边被布线成跨越振动片5的一面6以及另一面7，在基部2的一面6上具有第1以及第2驱动电极41、42的一侧端部43、44。
这里，对压电谐振器40的第1以及第2驱动电极41、42的布线进行说明。
如图15以及图16所示，第1驱动电极41，在臂部3的一面6上的电极部41a，与在臂部4的一面6上的电极部41b，与在臂部3的另一面7上的电极部41c，以及与在臂部4的另一面7上的电极部41d相互导通，同时与设置在基部2的一面6上的端部43导通而形成。另外，第2驱动电极42，在臂部3的一面6上的电极部42a，与在臂部4的一面6上的电极部42b，与在臂部3的另一面7上的电极部42c，以及与在臂部4的另一面7上的电极部42d相互导通，同时与设置在基部2的一面6上的端部44导通而形成。另外，图15、16中，通过阴影线来表示驱动电极41、42。
接下来，对设置在振动片5的臂部3、4上的沟槽8～11的形状与第1以及第2驱动电极41、42的配置进行说明。
沟槽8～11如图17所示，在与沟槽8～11的长边方向垂直的面上所截取的截面上，具有沟槽8～11的侧面15沿着略垂直于底面16的两端而延伸的形状(给定形状)。也即，沟槽8～11具有在臂部3、4的宽度方向上深度大致一定的形状。这样，第1以及第2驱动电极41、42在臂部3、4的一面6以及另一面7上，第1驱动电极41的电极部41a～41d以及第2驱动电极42的电极部42a～42d中的41a与42c、41b与42d、41c与42a、41d与42b分别相面对。
接下来，对有关该第3实施方式的压电谐振器40的制造方法进行说明。另外，第3实施方式是通过有关第1实施方式的第1制造方法，来制造压电谐振器40的制造方法。
有关第3实施方式的制造压电谐振器40的制造方法，与有关第1实施方式的第1制造方法相同，工序流程如图1所示，顺次分为形成振动片5的振动片形成工序(S001)、在振动片5的臂部3、4上形成沟槽8～11的激光照射工序(S002)以及在振动片5上形成第1与第2驱动电极12、13的电极形成工序(S003)。
另外，由于上述各个工序与第1实施方式相同，因此省略其详细说明，下面对不同的事项进行说明。
与第1实施方式相同，经过振动片形成工序(S001)以及激光照射工序(S002)。之后，在电极形成工序(S003)中，在对第1以及第2驱动电极41、42布线时，通过照射作为F2受激准分子激光的激光32，去除膜(导电膜)38的激光照射部，从而留下如图15以及图16所示的布线形状。结束该工序并使振动片5从与基板31相连接的连接部34分离，完成图15、图16以及图17中所示的压电谐振器40。
如上所述，激光照射工序(S002)中，在振动片5的臂部3以及4上形成沟槽8～11时，不需要干蚀刻技术中纷繁复杂的工序，能够在短时间形成细微且具有所期望的截面形状的沟槽8～11。另外，在第1制造方法中，在振动片形成工序(S001)以及电极形成工序(S003)的布线中所使用的是通过激光32的去除加工技术，但也可以灵活运用光蚀刻技术以及蚀刻技术。
另外，由于振动片形成工序(S001)实施于激光照射工序(沟槽形成工序)(S002)之前，因此能够紧接着振动片形成工序(S001)而高效的实施激光照射工序(S002)。
另外，在该第1制造方法中，在振动片形成工序(S001)中是通过凸透镜33对激光32进行聚光从而进行照射的，但还可以通过掩模图案36以及凸透镜33使激光32成像并进行照射，这样也能够紧接着振动片形成工序(S001)而高效的实施激光照射工序(S002)。即，使激光32的投射宽度与沟槽8～11的宽度相一致，通过共同的掩模图案36以及凸透镜33所成的共同的像来进行振动片的形成与沟槽的形成。这种情况下，对于振动片的形成以及沟槽的形成，使激光32的照射强度相同，通过变更激光32的发射数或照射时间能够分别得到所需要的深度。因此，振动片形成工序(S001)与激光照射工序(S002)能够通过共同的激光照射工序而一次实施，能够进一步提高制造工序的效率。
(第4实施方式)
对照图4～图7，图15～图17对本发明的第4实施方式进行说明。
另外，第4实施方式是通过有关第2实施方式的第2制造方法，来制造压电谐振器40的制造方法。另外，由于通过有关第4实施方式的制造方法所制造出来的压电谐振器40的构造、外观与第3实施方式中的压电谐振器40的相同，因此省略其说明。
有关第4实施方式的制造压电谐振器40的制造方法，与有关第2实施方式的第2制造方法相同，工序流程如图5所示，顺次分为在晶体所制成的基板31上形成沟槽8～11的激光照射工序(S004)、形成振动片5的振动片形成工序(S005)以及在振动片5上形成第1与第2驱动电极42、43的电极形成工序(S006)。
另外，由于上述各个工序与第2实施方式相同，因此省略其详细说明，下面对不同的事项进行说明。
与第2实施方式相同，经过激光照射工序(S004)以及振动片形成工序(S005)。之后，在电极形成工序(S006)中，在对第1以及第2驱动电极41、42布线时，通过照射作为F2受激准分子激光的激光32，去除膜(导电膜)38的激光照射部，从而留下如图15以及图16所示的布线形状。结束该工序并使振动片5从与基板31相连接的连接部34分离，完成图15、图16以及图17中所示的压电谐振器40。
如上所述，激光照射工序(S004)中，在振动片5的臂部3以及4上形成沟槽8～11时，不需要干蚀刻技术中纷繁复杂的工序，能够在短时间形成细微且具有所期望的截面形状的沟槽8～11。另外，在第2制造方法中，在振动片形成工序(S005)以及电极形成工序(S006)的布线中所使用的是通过激光32的去除加工技术，但也可以灵活运用光蚀刻技术以及蚀刻技术。
另外，由于激光照射工序(沟槽形成工序)(S004)实施于振动片形成工序(S005)之前，因此能够紧接着激光照射工序(S004)而高效的实施振动片形成工序(S005)。
另外，在该第2制造方法中，在振动片形成工序(S005)中是通过凸透镜33对激光32进行聚光从而进行照射的，但还可以通过掩模图案36以及凸透镜33使激光32成像并进行照射，这样也能够紧接着激光照射工序(S004)而高效的实施振动片形成工序(S005)。即，使激光32的投射宽度与沟槽8～11的宽度相一致，通过共同的掩模图案36以及凸透镜33所成的共同的像来进行振动片的形成与沟槽的形成。这种情况下，对于振动片的形成以及沟槽的形成，使激光32的照射强度相同，通过变更激光32的发射数或照射时间能够分别得到所需要的深度。因此，振动片形成工序(S005)与激光照射工序(S004)能够通过共同的激光照射工序而一次实施，能够进一步提高制造工序的效率。
(第5实施方式)
对照图8、图9，图15～图17对本发明的第5实施方式进行说明。
另外，第5实施方式是制造压电谐振器40的第3制造方法。另外，由于通过有关第5实施方式的制造方法所制造出来的压电谐振器40的构造、外观与在第3实施方式中的压电谐振器40的相同，因此省略其说明。
图8表示有关第5实施方式的第3制造方法的工序流程图。
如图8所示，第3制造方法顺次分为形成振动片5的振动片形成工序(S007)、在振动片5上形成具有导电性的膜(导电膜)38的导电膜形成工序(S008)、在振动片5的臂部3、4上形成沟槽8～11的激光照射工序(S009)以及在振动片5上对第1与第2驱动电极41、42布线的电极布线工序(S010)。
下面对有关第5实施方式的第3制造方法中的各个工序进行说明。
首先，振动片形成工序(S007)与第1实施方式中的振动片形成工序(S001)相同，如图2所示，通过连接部34将多个振动片5与基板31相连接而形成。
图9表示有关第5实施方式的导电膜形成工序(S008)以及激光照射工序(S009)的模式截面图。
图9(a)表示导电膜形成工序(S008)，图9(b)、(c)表示激光照射工序(S009)。
接下来，在导电膜形成工序(S008)中，如图9(a)所示，通过溅射技术形成由Au、Ag等具有导电性的金属所制成的膜38。另外，这种情况下，最好通过与Au、Ag以及晶体的密接性高的Cr膜(图中未画出)，在振动片5上形成由Au、Ag等金属所制成的膜38。
接下来，在激光照射工序(S009)中，如图9(b)所示，通过凸透镜33对作为F2受激准分子激光的激光32进行聚光，对膜38进行照射。这样，去除膜38的激光照射部，同时还对臂部3以及4的一面6以及另一面7照射激光并去除该入射部，如图9(c)所示，形成沟槽8～11。
接下来，在电极布线工序(S010)中，如图9(c)所示，通过凸透镜33对作为F2受激准分子激光的激光32进行聚光，对膜38进行照射，从而留下所期望的布线形状，去除该激光照射部并布线第1以及第2驱动电极41、42。结束该工序并使振动片5从与基板31相连接的连接部34分离，完成图15、图16以及图17中所示的压电谐振器40。
如上所述，激光照射工序(S009)中，在振动片5的臂部3以及4上形成沟槽8～11时，不需要干蚀刻技术中纷繁复杂的工序，能够在短时间形成细微且具有所期望的截面形状的沟槽8～11。另外，在第3制造方法中，在振动片形成工序(S007)以及电极布线工序(S010)的布线中所使用的是通过激光32的去除加工技术，但也可以灵活运用光蚀刻技术以及蚀刻技术。
另外，由于电极布线工序(S010)实施于激光照射工序(沟槽形成工序)(S009)之后，因此能够紧接着激光照射工序(S009)而高效的实施电极布线工序(S010)。
另外，在电极布线工序(S010)中是通过凸透镜33对激光32进行聚光而进行照射，但还可以通过掩模图案36以及凸透镜33使激光32成像并进行照射，这样也能够紧接着激光照射工序(S009)而高效实施电极布线工序(S010)。即，使激光32的投射宽度与沟槽8～11的宽度相一致，通过共同的掩模图案36以及凸透镜33所成的共同的像来进行振动片的形成与沟槽的形成。这种情况下，对于振动片的形成以及沟槽的形成，使激光32的照射强度相同，通过变更激光32的发射数或照射时间能够分别得到所需深度。因此，电极布线工序(S010)与激光照射工序(S009)能够通过共同的激光照射工序而一次实施，能够进一步提高制造工序的效率。
(第6实施方式)
对照图10、图11，图15～图17对本发明的第6实施方式进行说明。另外，第6实施方式是制造压电谐振器40的第4制造方法。另外，由于通过有关第6实施方式的制造方法所制造出来的压电谐振器40的构造、外观与在第3实施方式中的压电谐振器40的相同，因此省略其说明。
图10表示有关第6实施方式的第4制造方法的工序流程图。
如图10所示，第4制造方法顺次分为形成振动片5的振动片形成工序(S011)、在振动片5上形成具有导电性的膜(导电膜)38的导电膜形成工序(S012)、在振动片5上布线第1与第2驱动电极41、42的电极布线工序(S013)以及在振动片5的臂部3、4上形成沟槽8～11的激光照射工序(S014)。
下面对有关第6实施方式的第4制造方法中的各个工序进行说明。
首先，振动片形成工序(S011)与第1实施方式中的振动片形成工序(S001)相同，如图2所示，通过连接部34将多个振动片5与基板31相连接而形成。
图11表示有关第6实施方式的导电膜形成工序(S012)、电极布线工序(S013)以及激光照射工序(S014)的模式截面图。
图11(a)表示导电膜形成工序(S012)，图11(b)表示电极布线工序(S013)，图11(c)表示激光照射工序(S014)。
接下来，在导电膜形成工序(S012)中，如图11(a)所示，通过溅射技术形成由Au、Ag等具有导电性的金属所制成的膜38。另外，这种情况下，最好通过与Au、Ag以及晶体的密接性高的Cr膜(图中未画出)，在振动片5上形成由Au、Ag等金属所制成的膜38。
接下来，在电极布线工序(S013)中，如图11(b)所示，通过凸透镜33对作为F2受激准分子激光的激光32进行聚光，对膜38进行照射，从而留下所期望的布线形状，去除该激光照射部，如图11(c)所示，对第1以及第2驱动电极41、42布线。
接下来，在激光照射工序(S014)中，如图11(c)所示，掩模图案36以及凸透镜33使作为F2受激准分子激光的激光32成像并进行照射在臂部3、4的一面6以及另一面7上，去除该激光照射部，如图17所示，形成沟槽8～11。结束该工序并使振动片5从与基板31相连接的连接部34分离，完成图15、图16以及图17中所示的压电谐振器40。
如上所述，激光照射工序(S014)中，在形成沟槽8～11时，不需要干蚀刻技术中纷繁复杂的工序，能够在短时间形成细微且具有所期望的截面形状的沟槽8～11。另外，在第4制造方法中，在振动片形成工序(S011)以及电极布线工序(S013)的布线中所使用的是通过激光32的去除加工技术，但也可以灵活运用光蚀刻技术以及蚀刻技术。
另外，由于电极布线工序(S013)实施于激光照射工序(沟槽形成工序)(S014)之前，因此能够紧接着电极布线工序(S013)而高效的实施激光照射工序(S014)。
另外，在电极布线工序(S013)中是通过凸透镜33对激光32进行聚光而进行照射，但还可以通过掩模图案36以及凸透镜33使激光32成像并进行照射，这样也够紧接着电极布线工序(S013)而高效实施激光照射工序(S014)。即，使激光32的投射宽度与沟槽8～11的宽度相一致，通过共同的掩模图案36以及凸透镜33所成的共同的像来进行振动片的形成与沟槽的形成。这种情况下，对于振动片的形成以及沟槽的形成，使激光32的照射强度相同，通过变更激光32的发射数或照射时间能够分别得到所需深度。因此，电极布线工序(S013)与激光照射工序(S014)能够通过共同激光照射工序而一次实施，能够进一步提高制造工序的效率。
实施方式并不仅限于实施内容，还可以实施下面的方式。
(第1变形例)
在第1～第6实施方式中，作为用来聚光激光32、成像的聚光器件所使用的是凸透镜33，但并不仅限于次，例如还可以使用凹透镜。另外，即使不进行聚光或成像，如果激光32具有能够去除被加工材料的强度，就不需要聚光器件。然而，从低能耗的观点出发，在即使激光32不具有能够去除被加工材料的强度，通过聚光、成像也能够进行去除加工这一点看来，使用聚光器件更加理想。
(第2变形例)
在第1～第6实施方式中，最好使通过掩模图案36以及凸透镜33所成像的激光32，通过作为衍射光器件的相栅使其在全投射面上强度均匀而进行照射。这种情况下，由于在全投射面上将被加工材料均匀去除，因此能够将去除之后的面加工平滑。
(第3变形例)
在第1～第6实施方式中，所使用的激光32是F2受激准分子激光，但还可以使用脉冲宽度处于飞秒区域内的超短脉冲激光，通过多光子吸收来进行去除加工。
(第4变形例)
在第1～第4实施方式中，将振动片形成工序与激光照射工序分开进行，但还可以将这些工序作为一个工序来进行。
(第5变形例)
在第5以及第6实施方式中，将激光照射工序与电极布线工序分开进行，但还可以将这些工序作为一个工序来进行。
(第6变形例)
在第1～第6实施方式中，使用晶体所制成的基板作为压电材料所制成的基板，但还可以采用由作为压电材料的钽酸锂、铌酸锂、兰克赛(langasite)等所制成的基板。
上述实施方式以及变形例所掌握的技术思想如下所述。
(1)是一种压电谐振器的制造方法，该压电谐振器具有振动片，所述振动片具有板状的基部、和从该基部向侧方延伸的多个臂部，在所述臂部上设置有沟槽，该制造方法具有在压电材料所制成的基板上沿着上述振动片的外形照射激光，去除该激光照射部，将至少一个上述振动片，使该振动片的一部分与上述基板相连接而形成，同时给上述振动片的上述臂部照射激光，去除该激光照射部，使上述沟槽形成为在与该沟槽的长边方向垂直的面上所截取的截面具有给定的形状的激光照射工序。
这里，没有限定振动片与沟槽的形成顺序，不管先进行哪一个都可以。另外，也可以一点点交互进行振动片的形成与沟槽的形成。
在上述激光照射工序中，在形成振动片的情况与形成沟槽的情况下，能够不变更激光的强度以及光学系统等，通过变更发射数或照射时间来进行振动片的形成与沟槽的形成。
如上所述，不需要复杂的控制，能够将振动片的形成与沟槽的形成作为一个工序进行，实现激光照射工序中的高效化。
(2)是一种压电谐振器的制造方法，该压电谐振器具有振动片，所述振动片具有板状的基部、和从该基部向侧方延伸的多个臂部，在所述臂部上设置有沟槽，该制造方法具有在压电材料所制成的基板上，将至少一个上述振动片，使该振动片的一部分与上述基板相连接而形成的振动片形成工序；在上述振动片上形成导电膜的导电膜形成工序；以及对上述导电膜照射激光并去除上述导电膜的激光照射部，使其残留上述给定的图形形状，布线驱动电极，同时，对述振动片的上述臂部的一面以及另一面照射激光，去除该激光照射部，使上述沟槽形成为在与该沟槽的长边方向垂直的面上所截取的截面具有给定的形状的激光照射工序。
这里，在激光照射工序中，没有驱动电极的布线与沟槽的形成的顺序，不管先进行哪一个都可以。另外，也可以一点点交互进行驱动电极的布线与沟槽的形成。
在上述激光照射工序中，在布线驱动电极的情况与形成沟槽的情况下，能够不变更激光的强度以及光学系统等，通过变更发射数或照射时间来进行驱动电极的布线与沟槽的形成。
如上所述，不需要复杂的控制，能够将振动片的形成与沟槽的形成作为一个工序进行，实现激光照射工序中的高效化。

Claims (17)

1、一种压电谐振器的制造方法，该压电谐振器具有振动片，所述振动片具有板状的基部、和从该基部向侧方延伸的多个臂部，在所述臂部上设置有沟槽，其特征在于，
所述制造方法具有激光照射工序，通过对所述臂部的一面以及另一面照射激光，去除该激光照射部，形成所述沟槽，使得按照与该沟槽的长轴方向垂直的面截取的截面具有给定形状。
2、一种压电谐振器的制造方法，该压电谐振器具有振动片，所述振动片具有板状的基部、和从该基部向侧方延伸的多个臂部，在所述臂部上设置有沟槽，其特征在于，所述制造方法具有：
振动片形成工序，在压电材料形成的基板上形成至少一个所述振动片，保持该振动片的一部分与所述基板连接；
激光照射工序，通过对在所述振动片形成工序中形成的所述振动片的所述臂部的一面以及另一面照射激光，去除该激光照射部，形成所述沟槽，使得按照与该沟槽的长轴方向垂直的面截取的截面具有给定形状；和
电极形成工序，在形成了所述沟槽的所述振动片上形成驱动电极，用于施加驱动所述压电谐振器的电压。
3、一种压电谐振器的制造方法，该压电谐振器具有振动片，所述振动片具有板状的基部、和从该基部向侧方延伸的多个臂部，在所述臂部上设置有沟槽，其特征在于，所述制造方法具有：
激光照射工序，通过对压电材料形成的基板的一面以及另一面照射激光，去除该激光照射部，形成所述沟槽，使得按照与该沟槽的长轴方向垂直的面截取的截面具有给定形状，并且所述沟槽处在所述基板的两面上相互相对的位置；
振动片形成工序，在形成了所述沟槽的所述基板上形成至少一个所述振动片，使所述沟槽位于所述臂部的一面以及另一面上，同时保持所述振动片的一部分与所述基板连接；和
电极形成工序，在所述振动片上形成驱动电极，用于施加驱动所述压电谐振器的电压。
4、根据权利要求2或3所述的压电谐振器的制造方法，其特征在于，所述电极形成工序具有：
导电膜形成工序，在所述振动片上形成导电膜；和
电极布线工序，对所述导电膜照射激光，去除所述导电膜的激光照射部，使其残留下给定图案形状，对驱动电极布线。
5、一种压电谐振器的制造方法，该压电谐振器具有振动片，所述振动片具有板状的基部、和从该基部向侧方延伸的多个臂部，在所述臂部上设置有沟槽，其特征在于，所述制造方法具有：
振动片形成工序，在压电材料形成的基板上形成至少一个所述振动片，保持该振动片的一部分与所述基板连接；
导电膜形成工序，在所述振动片上形成导电膜；
激光照射工序，通过对所述臂部的一面以及另一面从所述导电膜上照射激光，去除该激光照射部，形成所述沟槽，使得按照与该沟槽的长轴方向垂直的面截取的截面具有给定形状；和
电极布线工序，对形成了所述沟槽的所述振动片的所述导电膜去除，而残留下给定图案形状，对用于施加驱动所述压电谐振器的电压的驱动电极布线。
6、一种压电谐振器的制造方法，该压电谐振器具有振动片，所述振动片具有板状的基部、和从该基部向侧方延伸的多个臂部，在所述臂部上设置有沟槽，其特征在于，所述制造方法具有：
振动片形成工序，在压电材料形成的基板上形成至少一个所述振动片，保持该振动片的一部分与所述基板连接；
导电膜形成工序，在所述振动片上形成导电膜；
电极布线工序，对所述导电膜去除，而残留下给定图案形状，对用于施加驱动所述压电谐振器的电压的驱动电极布线；和
激光照射工序，通过对已经为所述驱动电极布线后的所述振动片的所述臂部的一面以及另一面照射激光，去除该激光照射部，形成所述沟槽，使得按照与该沟槽的长轴方向垂直的面截取的截面具有给定形状。
7、根据权利要求5或6所述的压电谐振器的制造方法，其特征在于，
在所述电极布线工序中，对所述导电膜照射激光，去除所述导电膜的激光照射部，使其残留下给定图案形状，对所述驱动电极布线。
8、根据权利要求2～7中任一项所述的压电谐振器的制造方法，其特征在于，在所述振动片形成工序中，沿所述振动片的外形对所述压电材料形成的基板照射激光，去除该激光照射部，形成所述振动片。
9、根据权利要求1～8中任一项所述的压电谐振器的制造方法，其特征在于，所述给定形状，是在所述臂部的宽度方向上沟槽深度大致一定的形状。
10、根据权利要求1～9中任一项所述的压电谐振器的制造方法，其特征在于，所述激光，按照由掩模图案形成的给定投影形状进行照射。
11、根据权利要求1～9中任一项所述的压电谐振器的制造方法，其特征在于，所述激光通过聚光器件聚光后进行照射。
12、根据权利要求1～9中任一项所述的压电谐振器的制造方法，其特征在于，所述激光，在通过由掩模图案形成给定投影形状并且由聚光器件成像的情况下，进行照射。
13、根据权利要求11或12所述的压电谐振器的制造方法，其特征在于，所述聚光器件是凸透镜。
14、根据权利要求1～13中任一项所述的压电谐振器的制造方法，其特征在于，所述激光，通过由衍射光学器件在投影面积上的强度均匀化后进行照射。
15、根据权利要求14所述的压电谐振器的制造方法，其特征在于，所述衍射光学器件是相栅。
16、根据权利要求1～9中任一项所述的压电谐振器的制造方法，其特征在于，所述压电材料是晶体；
所述激光是F2受激准分子激光。
17、根据权利要求1～15中任一项所述的压电谐振器的制造方法，其特征在于，所述压电材料是晶体；
所述激光是超短脉冲激光。
CNA2004100882249A 2003-10-22 2004-10-21 压电谐振器的制造方法 Pending CN1610253A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003362005A JP3797355B2 (ja) 2003-10-22 2003-10-22 圧電振動子の製造方法
JP2003362005 2003-10-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1610253A true CN1610253A (zh) 2005-04-27

Family

ID=34616035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA2004100882249A Pending CN1610253A (zh) 2003-10-22 2004-10-21 压电谐振器的制造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US7406756B2 (zh)
JP (1) JP3797355B2 (zh)
CN (1) CN1610253A (zh)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101026364B (zh) * 2006-02-23 2010-04-14 朱爱发 一种晶体元器件的生产方法
CN101401303B (zh) * 2006-03-09 2011-07-13 Nxp股份有限公司 具有至少一种谐振器模式形状的mems谐振器及制造方法,含此mems谐振器的振荡器及滤波器
CN102340291A (zh) * 2010-07-09 2012-02-01 精工爱普生株式会社 弯曲振动片、振子、振荡器以及电子设备
CN102723926A (zh) * 2007-12-13 2012-10-10 伊塔瑞士钟表制造股份有限公司 小尺寸封装的压电谐振器
CN101861700B (zh) * 2007-11-19 2013-01-02 Nxp股份有限公司 谐振器
CN110957418A (zh) * 2018-09-27 2020-04-03 湖南嘉业达电子有限公司 一种提高压电元件电极结合力的方法
CN118123253A (zh) * 2024-04-18 2024-06-04 泰晶科技股份有限公司 一种利用激光的音叉晶片微纳加工方法、音叉晶片

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4694953B2 (ja) * 2005-11-30 2011-06-08 セイコーインスツル株式会社 圧電振動片の製造方法、圧電振動片、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計
JP4502219B2 (ja) * 2006-10-10 2010-07-14 日本電波工業株式会社 音叉型水晶振動子素子の製造方法
JP5042597B2 (ja) * 2006-11-16 2012-10-03 日本電波工業株式会社 圧電振動片の製造方法、圧電振動片および圧電デバイス
JP5059399B2 (ja) * 2006-12-28 2012-10-24 日本電波工業株式会社 圧電振動片の製造方法、圧電振動片および圧電デバイス
JP2008244361A (ja) * 2007-03-28 2008-10-09 Hitachi Via Mechanics Ltd プリント基板のレーザ加工方法
CN101772888B (zh) * 2007-08-06 2013-05-29 日本电波工业株式会社 音叉型晶体振子及其频率调整方法
JP5207239B2 (ja) * 2008-05-30 2013-06-12 京セラクリスタルデバイス株式会社 水晶片の形成方法
JP5166168B2 (ja) * 2008-08-21 2013-03-21 京セラクリスタルデバイス株式会社 水晶片の外形調整方法
CN102245339B (zh) * 2008-10-10 2015-08-26 Ipg微系统有限公司 具有多重细激光束传输系统的激光加工系统和方法
JP2011082735A (ja) * 2009-10-06 2011-04-21 Seiko Epson Corp 水晶振動片の製造方法および水晶デバイス

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AT351797B (de) * 1976-12-22 1979-08-10 Philips Nv Verfahren zum herstellen einer rotierend antreibbaren magnetkopfanordnung und nach einem solchen verfahren hergestellte magnetkopf- anordnung
US6048588A (en) * 1988-07-08 2000-04-11 Cauldron Limited Partnership Method for enhancing chemisorption of material
US5229180A (en) * 1991-10-02 1993-07-20 American National Can Company Laser scored package
US5952668A (en) * 1994-07-15 1999-09-14 Baer; Stephen C. Resolution in microscopy and microlithography
JPH08181557A (ja) 1994-12-22 1996-07-12 Murata Mfg Co Ltd 圧電共振子の製造方法
JPH08242134A (ja) 1995-03-06 1996-09-17 Meidensha Corp 水晶振動子の製造方法
TW284907B (en) * 1995-06-07 1996-09-01 Cauldron Lp Removal of material by polarized irradiation and back side application for radiation
EP0991959B1 (en) * 1996-02-28 2004-06-23 Kenneth C. Johnson Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy
JPH1055567A (ja) * 1996-05-31 1998-02-24 Daewoo Electron Co Ltd 光ピックアップシステム
US5986807A (en) * 1997-01-13 1999-11-16 Xerox Corporation Single binary optical element beam homogenizer
JPH10270813A (ja) 1997-03-27 1998-10-09 Murata Mfg Co Ltd ブレーク溝付きセラミック基板およびこのセラミック基板から製造される電子部品
JPH1147965A (ja) * 1997-05-28 1999-02-23 Komatsu Ltd レーザ加工装置
JP2001185987A (ja) 1999-12-27 2001-07-06 Seiko Epson Corp 音叉型圧電振動子
JP4519987B2 (ja) * 2000-04-13 2010-08-04 オリンパス株式会社 焦点検出装置
JP3729249B2 (ja) 2000-09-01 2005-12-21 セイコーエプソン株式会社 振動片の製造方法、振動片、振動片を有する振動子、発振器及び携帯電話装置
JP4471520B2 (ja) 2000-09-22 2010-06-02 日本碍子株式会社 進行波形光変調器
JP2003290942A (ja) 2002-03-29 2003-10-14 Miyota Kk 水晶片の加工方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101026364B (zh) * 2006-02-23 2010-04-14 朱爱发 一种晶体元器件的生产方法
CN101401303B (zh) * 2006-03-09 2011-07-13 Nxp股份有限公司 具有至少一种谐振器模式形状的mems谐振器及制造方法,含此mems谐振器的振荡器及滤波器
CN101861700B (zh) * 2007-11-19 2013-01-02 Nxp股份有限公司 谐振器
CN102723926A (zh) * 2007-12-13 2012-10-10 伊塔瑞士钟表制造股份有限公司 小尺寸封装的压电谐振器
CN102723926B (zh) * 2007-12-13 2015-12-16 伊塔瑞士钟表制造股份有限公司 小尺寸封装的压电谐振器
CN102340291A (zh) * 2010-07-09 2012-02-01 精工爱普生株式会社 弯曲振动片、振子、振荡器以及电子设备
CN102340291B (zh) * 2010-07-09 2015-03-04 精工爱普生株式会社 弯曲振动片、振子、振荡器以及电子设备
CN110957418A (zh) * 2018-09-27 2020-04-03 湖南嘉业达电子有限公司 一种提高压电元件电极结合力的方法
CN118123253A (zh) * 2024-04-18 2024-06-04 泰晶科技股份有限公司 一种利用激光的音叉晶片微纳加工方法、音叉晶片

Also Published As

Publication number Publication date
US20050115038A1 (en) 2005-06-02
US7406756B2 (en) 2008-08-05
JP2005130105A (ja) 2005-05-19
JP3797355B2 (ja) 2006-07-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1610253A (zh) 压电谐振器的制造方法
CN1286608C (zh) 层叠材料的激光加工方法和装置
TWI706454B (zh) 碳化矽（ＳｉＣ）基板的分離方法
JP6472333B2 (ja) ウエーハの生成方法
CN1643656A (zh) 基板的分割方法
JP6395633B2 (ja) ウエーハの生成方法
JP6429715B2 (ja) ウエーハの生成方法
JP6723877B2 (ja) ウエーハ生成方法
CN1750240A (zh) 形成氧化薄膜的方法、氧化薄膜、部件和电子设备
JP6391471B2 (ja) ウエーハの生成方法
JP6395613B2 (ja) ウエーハの生成方法
CN1196562C (zh) 用激光束切割非金属衬底的方法和装置
CN1735568A (zh) 玻璃板切割机
CN1642688A (zh) 激光加工方法
JP2016197700A (ja) ウエーハの生成方法
CN1612472A (zh) 压电振动片、压电器件及制造方法、便携电话、电子设备
CN1717784A (zh) 激光加工方法
JP2016111143A (ja) ウエーハの生成方法
JP6355540B2 (ja) ウエーハの生成方法
CN1993200A (zh) 激光加工方法
CN1855712A (zh) 压电振动片和压电器件
CN1849699A (zh) 半导体基板的切断方法
JP6366485B2 (ja) ウエーハの生成方法
JP6472332B2 (ja) ウエーハの生成方法
CN100350279C (zh) 光学头及其制造方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication