CN101026364B - 一种晶体元器件的生产方法 - Google Patents
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Abstract
本发明是一种晶体元器件的生产方法，其特征在于，其步骤如下，用磨床将原料压电晶体进行粗磨，磨成平行度不大于2丝、角度不大于8′的晶体棒材；然后用多刀机将晶体棒材切割成多个长方晶片；用研磨机对长方晶片进行细磨，使其厚度小于15丝，再按需要将其切成小条的频率片，用酸液将频率片进行抛光处理，然后再用酸性清洗液清洗其表面杂质；在清洗后的频率片上喷上银涂层，然后上架点胶，将频率片粘在支架上，测频率，再补喷银涂层使频率片达到要求频率后，封焊上外壳，壳内抽真空后充上氮气，即得成品。本发明生产工艺简单、先进，操作性强，效率高、生产成本低，所生产的产品精确度度高，性能好。
Description
技术领域
本发明涉及一种石英晶体元器件，特别是一种晶体元器件的生产方法。
背景技术
石英晶体元器件最早应用是从军事通讯设备开始，20世纪60年代末向钟表、彩电等民用领域推广。经过半个多世纪的发展，石英晶体已与我们日常生活息息相关，进入各家每户。据日本NDK公司估计，当前全球石英晶体元器件产量突破100亿只，其应用范围为：电脑、游戏机15％，固定通信设备15％，移动通信45％，汽车用设备5％，视听设备15％，其它5％。
我国石英晶体元器件起步晚，但发展速度快，质量也不断提高，品种不断增多，但总体来说，中低档产品出口，高档产品仍需进口，从2004年统计数字，出口总额6.33亿美元，而进口则达到12.61亿美元，外贸逆差6.28亿美元。国内石英晶体元件生产厂家目前已达3600个，但大部分是生产毛片或加工低档产品，目前主要品种是49U和UM系列，49S和SMD系列属高档产品，只有为数不多厂家研究开发。由于手提电脑流动性大，因而对元件要求适应范围广，抗干扰性强，所以指标极为严格，频差、温度范围、防震性能、电阻及静态电容要求都相当高，因而，手提电脑用49S晶体元器件主要是依赖进口。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术的不足，提供一种新的晶体元器件的生产方法。
本发明所要解决的技术问题是通过以下的技术方案来实现的。本发明是一种晶体元器件的生产方法，其特点是，其步骤如下，
(1)用磨床将原料压电晶体进行粗磨，磨成平行度不大于2丝、角度不大于8′的晶体棒材；
(2)然后用多刀机按COS35°15′±2′将晶体棒材切割成多个长方晶片；
(3)用研磨机对长方晶片进行细磨，使其厚度小于15丝，再按需要将其切成小条的频率片，用酸液将频率片进行抛光处理，以减小其电阻，然后再用酸性清洗液清洗其表面杂质；
(4)在清洗后的频率片上喷上银涂层，然后上架点胶，将频率片粘在支架上，测频率，再补喷银涂层使频率片达到要求频率后，封焊上外壳，壳内抽真空后充上氮气，即得成品。
本发明所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现。以上所述的生产方法，其特点是，在步骤(3)中，将长方晶片切成小条的频率片时，先将多片长方晶片重叠粘成晶片砣，再按要求切成小条频率片砣，然后经磨砣和化砣工序将频率片砣分开成小条单片频率片。
本发明所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现。以上所述的生产方法，其特点是，步骤(1)所得的晶体棒材的长宽为9×20.5mm；步骤(2)所得的长方晶片长宽为9×24.5mm；步骤(3)所得的频率片长宽为2×8mm；其公差均不大于±0.2mm。
本发明所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现。以上所述的生产方法，其特点是，所生产的晶体元器件成品的频差在±5ppm之内。
本发明所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现。以上所述的生产方法，其特点是，所生产的晶体元器件成品的适应温差范围为-40℃-80℃。
本发明所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现。以上所述的生产方法，其特点是，所生产的晶体元器件成品的电阻小于10Ω。
本发明所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现。以上所述的生产方法，其特点是，所生产的晶体元器件成品的防震性能系数大于98％。
本发明所要解决的技术问题还可以通过以下的技术方案来进一步实现。以上所述的生产方法，其特点是，所生产的晶体元器件成品的静态电容为3.2PF。
与现有技术相比，本发明生产工艺简单、先进，操作性强，效率高、生产成本低，所生产的产品精确度度高，性能好，所生产的产品频差小、电阻小，所适应的温差范围大，防震性能好；本发明工艺生产的产品适应范围广，特别适用于手提电脑使用，其抗干扰性强、使用寿命长、性能更稳定。
具体实施方式
实施例1。一种晶体元器件的生产方法，其步骤如下，
(1)用磨床将原料压电晶体进行粗磨，磨成平行度为2丝、角度为8′的晶体棒材；
(2)然后用多刀机按COS35°15′将晶体棒材切割成多个长方晶片；
(3)用研磨机对长方晶片进行细磨，使其厚度小于15丝，再按需要将其切成小条的频率片，用酸液将频率片进行抛光处理，以减小其电阻，然后再用酸性清洗液清洗其表面杂质；
(4)在清洗后的频率片上喷上银涂层，然后上架点胶，将频率片粘在支架上，测频率，再补喷银涂层使频率片达到要求频率后，封焊上外壳，壳内抽真空后充上氮气，即得成品。
实施例2。一种晶体元器件的生产方法，其步骤如下，
(1)用磨床将原料压电晶体进行粗磨，磨成平行度不大于2丝、角度不大于8′的晶体棒材；
(2)然后用多刀机按COS35°17′将晶体棒材切割成多个长方晶片；
(3)用研磨机对长方晶片进行细磨，使其厚度小于15丝，再按需要将其切成小条的频率片，用酸液将频率片进行抛光处理，以减小其电阻，然后再用酸性清洗液清洗其表面杂质；
(4)在清洗后的频率片上喷上银涂层，然后上架点胶，将频率片粘在支架上，测频率，再补喷银涂层使频率片达到要求频率后，封焊上外壳，壳内抽真空后充上氮气，即得成品。
实施例3。一种晶体元器件的生产方法，其步骤如下，
(1)用磨床将原料压电晶体进行粗磨，磨成平行度不大于2丝、角度不大于8′的晶体棒材；
(2)然后用多刀机按COS35°13′将晶体棒材切割成多个长方晶片；
(3)用研磨机对长方晶片进行细磨，使其厚度小于15丝，再按需要将其切成小条的频率片，用酸液将频率片进行抛光处理，以减小其电阻，然后再用酸性清洗液清洗其表面杂质；
(4)在清洗后的频率片上喷上银涂层，然后上架点胶，将频率片粘在支架上，测频率，再补喷银涂层使频率片达到要求频率后，封焊上外壳，壳内抽真空后充上氮气，即得成品。
其中，在步骤(3)中，将长方晶片切成小条的频率片时，先将多片长方晶片重叠粘成晶片砣，再按要求切成小条频率片砣，然后经磨砣和化砣工序将频率片砣分开成小条单片频率片。
实施例4。一种晶体元器件的生产方法，其步骤如下，
(1)用磨床将原料压电晶体进行粗磨，磨成平行度不大于2丝、角度不大于8′的晶体棒材；
(2)然后用多刀机按COS35°16′将晶体棒材切割成多个长方晶片；
(3)用研磨机对长方晶片进行细磨，使其厚度小于15丝，再按需要将其切成小条的频率片，用酸液将频率片进行抛光处理，以减小其电阻，然后再用酸性清洗液清洗其表面杂质；
(4)在清洗后的频率片上喷上银涂层，然后上架点胶，将频率片粘在支架上，测频率，再补喷银涂层使频率片达到要求频率后，封焊上外壳，壳内抽真空后充上氮气，即得成品。
其中，步骤(1)所得的晶体棒材的长宽为9×20.5mm；步骤(2)所得的长方晶片长宽为9×24.5mm；步骤(3)所得的频率片长宽为2×8mm；其公差均不大于±0.2mm。
实施例5。一种晶体元器件的生产方法，其步骤如下，
(1)用磨床将原料压电晶体进行粗磨，磨成平行度为2丝、角度为8′的晶体棒材；
(2)然后用多刀机按COS35°14′将晶体棒材切割成多个长方晶片；
(3)用研磨机对长方晶片进行细磨，使其厚度小于15丝，再按需要将其切成小条的频率片，用酸液将频率片进行抛光处理，以减小其电阻，然后再用酸性清洗液清洗其表面杂质；
(4)在清洗后的频率片上喷上银涂层，然后上架点胶，将频率片粘在支架上，测频率，再补喷银涂层使频率片达到要求频率后，封焊上外壳，壳内抽真空后充上氮气，即得成品。
本实施例所得晶体元器件成品的频差在±5ppm之内，其适应温差范围为-40℃-80℃，其电阻小于10Ω，其防震性能系数大于98％，静态电容为3.2PF。
Claims (7)
1.一种晶体元器件的生产方法，其特征在于，其步骤如下，
(1)用磨床将原料压电晶体进行粗磨，磨成平行度不大于2丝、角度不大于8′的晶体棒材；
(2)然后用多刀机按COS35°15′±2′将晶体棒材切割成多个长方晶片；
(3)用研磨机对长方晶片进行细磨，使其厚度小于15丝，再按需要将其切成小条的频率片，用酸液将频率片进行抛光处理，以减小其电阻，然后再用酸性清洗液清洗其表面杂质；
(4)在清洗后的频率片上喷上银涂层，然后上架点胶，将频率片粘在支架上，测频率，再补喷银涂层使频率片达到要求频率后，封焊上外壳，壳内抽真空后充上氮气，即得成品。
2.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，步骤(1)所得的晶体棒材的长宽为9×20.5mm；步骤(2)所得的长方晶片长宽为9×24.5mm；步骤(3)所得的频率片长宽为2×8mm；其公差均不大于±0.2mm。
3.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所生产的晶体元器件成品的频差在±5ppm之内。
4.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所生产的晶体元器件成品的适应温差范围为-40℃-80℃。
5.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所生产的晶体元器件成品的电阻小于10Ω。
6.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所生产的晶体元器件成品的防震性能系数大于98％。
7.根据权利要求1所述的生产方法，其特征在于，所生产的晶体元器件成品的静态电容为3.2PF。
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