CN1606158A - 互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块 - Google Patents

互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块 Download PDF

Info

Publication number
CN1606158A
CN1606158A CNA200410079420XA CN200410079420A CN1606158A CN 1606158 A CN1606158 A CN 1606158A CN A200410079420X A CNA200410079420X A CN A200410079420XA CN 200410079420 A CN200410079420 A CN 200410079420A CN 1606158 A CN1606158 A CN 1606158A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
sensor module
image sensor
semiconductor chip
type image
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CNA200410079420XA
Other languages
English (en)
Inventor
崔敬世
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN1606158A publication Critical patent/CN1606158A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0203—Containers; Encapsulations, e.g. encapsulation of photodiodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14623—Optical shielding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0232—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L31/02325—Optical elements or arrangements associated with the device the optical elements not being integrated nor being directly associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/54—Mounting of pick-up tubes, electronic image sensors, deviation or focusing coils
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N23/00—Cameras or camera modules comprising electronic image sensors; Control thereof
    • H04N23/50—Constructional details
    • H04N23/55—Optical parts specially adapted for electronic image sensors; Mounting thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种用于移动式照相机或PC照相机的CMOS型图像传感器模块，其包括封装在具有与芯片连接的电路的衬底上的聚合材料的透明块内的图像传感半导体芯片。图像传感半导体芯片设置在衬底的上表面，与安装在衬底下表面的数字信号处理第二半导体芯片垂直间隔开。透明聚合封装材料构成密封树脂单元。数字信号处理第二半导体芯片也可以用密封树脂单元封装。可以通过注入成型和/或转移模塑形成密封转移单元。借助于单一的模塑工艺形成密封树脂单元可维持较低的生产成本。

Description

互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块
技术领域
本发明涉及一种用于移动式照相机等的图像拾取器件。具体而言，本发明涉及一种包括具有基于互补金属氧化物半导体器件(CMOS)的传感器、用于拾取图像的半导体芯片和内置数字信号处理半导体芯片的CMOS型图像传感器模块。
背景技术
现有的照相机图像传感器模块是包括图像传感半导体芯片和数字信号处理半导体芯片的多芯片器件。图像传感半导体芯片采集光学图像，数字信号处理半导体芯片将光学图像转换成电信号。根据使用的半导体的具体类型，图像传感器模块分为电荷耦合器件(CCD)或互补金属氧化物半导体器件(CMOS)。
在由奥林巴斯光学有限公司(Olympus Optical Co.，Ltd.)于2002年8月29日提交的、题为“小型图像拾取模块”的美国专利申请2003-0025825号中公开了一种CMOS型图像传感器模块。
图1为所公开的CMOS型图像传感器模块的截面图。参照此图，CMOS型图像传感器模块具有图像传感半导体芯片12和数字信号处理半导体芯片18，其彼此横向隔开地水平安装在衬底11上。此外，分离透镜组13通过灌封材料271和272连接到衬底11上，封装材料271和272在透镜组13与衬底11之间还起密封作用。图像传感半导体芯片12由透明覆层25保护。覆层25和图像传感半导体芯片12彼此由灌封材料261和262封牢，并与衬底11封牢。数字信号处理半导体18由注射型灌封材料密封。附图标记14、15和16分别表示红外滤光片、光学透镜和光阑。
然而，上述CMOS型图像传感器模块具有以下缺陷。
第一，由于在透镜组13与衬底11之间形成密封，CMOS型图像传感器模块的制造需要高生产成本的复杂工艺。另外，图像传感半导体芯片12和数字信号处理半导体芯片18通过独立的工艺模塑到衬底11上。
第二，制造工艺的困难和复杂性尤其在批量生产CMOS型图像传感器模块时将导致频繁的制造缺陷。也就是说，制造现有的CMOS型图像传感器模块的生产率相当低。
第三，因为图像传感半导体芯片和数字信号处理半导体芯片横向相互隔开地水平安装在衬底上，所以现有的CMOS型图像传感器模块相当大。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能使用较简单的工艺生产的CMOS型图像传感器模块。
本发明的另一目的在于提供一种紧凑的CMOS型图像传感器模块。
本发明的又一目的在于提供一种便于批量生产的CMOS型图像传感器模块。
根据本发明的一方面，一种CMOS型图像传感器包括具有在衬底的任一面的芯片可以连线到其上的电路图形的衬底、安装在衬底上侧并连线到电路图形用于图像传感的第一半导体芯片、安装在衬底下侧并连线到电路图形用于数字信号处理的第二半导体芯片、以及由透明聚合封装材料形成至少密封第一半导体芯片的密封树脂单元。
在密封树脂单元仅封装第一半导体芯片的情况下，用环氧树脂模塑化合物(EMC)密封第二半导体芯片。
此外，密封树脂单元可以包括螺纹，透镜组可通过螺纹连接到该单元。透镜组优选包括壳体、在壳体内相互垂直地设置的光学透镜和红外滤光片。还可选择密封树脂单元本身形成光学透镜。在这种情况下，由密封树脂单元构成的透镜可用红外滤光材料覆盖。
根据本发明的另一方面，CMOS型图像传感器模块的制造方法包括：(a)设置具有一体化的电路图形的衬底，衬底的任一侧的芯片可以连线到电路图形；(b)将数字信号处理半导体芯片和无源器件安装在衬底下侧；(c)将第二半导体芯片连线到衬底下侧的电路上；(d)将图像传感半导体芯片安装在衬底上侧；(e)将图像传感半导体芯片连线到衬底上侧的电路上；以及(f)将透明聚合封装材料模塑到衬底上，至少覆盖衬底上的芯片之一。
模塑工艺优选包括注入成型。具体而言，模塑工艺可以由注入成型组成。此外，模塑工艺可以包括由传统的转移模塑设备进行的转移模塑。
附图说明
通过参照附图对优选实施方式进行下述详细描述，将使本发明的上述和其它特征及优点变得更加明晰，附图中：
图1为现有的CMOS型图像传感器模块的截面图；
图2为本发明的CMOS型图像传感器模块的第一实施方式的截面图；
图3为本发明的CMOS型图像传感器模块的第二实施方式的截面图；
图4为本发明的CMOS型图像传感器模块的第三实施方式的截面图；以及
图5为本发明的CMOS型图像传感器模块的第四实施方式的截面图。
具体实施方式
现在，将参照附图更全面地描述本发明，附图中示出了本发明的具体实施方式。然而，在进行描述前应说明的是，说明书中使用的术语“模塑工艺”指的是任一类型的模塑工艺，也就是说，不局限于注入成型工艺。
参照图2，第一实施方式的CMOS型图像传感器模块100包括具有电路图形且芯片能连线到任一侧上的衬底110、安装于衬底110的上部并连线到其电路图形的第一半导体芯片(具有CMOS型图像传感器的图像传感芯片)120、安装于衬底110的下部并连线到其电路图形的第二半导体芯片(数字信号处理芯片)130、以及通过注入成型形成在衬底110表面上并在内部密封第一半导体芯片120的透明聚合封装材料的密封树脂单元140。
CMOS型图像传感器模块100还包括在衬底110下部上且其内部密封有无源器件162和第二半导体芯片130的环氧树脂模塑化合物160、结合在密封树脂单元140侧面的保护材料144、以及与密封树脂单元140连接的透镜组170。为此，密封树脂单元140具有外螺纹142，透镜组170拧在其上。
保护材料144防止光透射到密封树脂单元内，并优选为带状形式。透镜组170包括透镜组壳体150、以及在透镜组壳体150中垂直设置的光学透镜154和红外滤光片152。无源器件162包括如电阻和电容之类的小型电子元件。优选用金线122和132将第一半导体芯片120和第二半导体芯片130电连接到衬底110上。附图标记112表示作为母板的柔性印刷电路板(FPCB)，CMOS型图像传感器110安装于其上。
密封树脂单元140可以由热塑性聚合材料制成。在此情况下，密封树脂单元发生变形的温度在100℃与120℃之间的较窄范围内变化。因此，包括这种热塑性聚合封装材料的CMOS型图像传感器模块应使用低温下执行的工艺连接到FPCB 112。类似地，CMOS型图像传感器模块100和FPCB 112可以在其连接处利用局部加热或使用各向异性导电膜(ACF)连接。
通常，密封树脂单元140的透明聚合封装材料可以由聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、热固性透明环氧树脂、或透明ABS制成。PMMA是一种广泛用于如CD、透镜和LCD显示器之类的光学产品的材料。ABS是由丙烯腈、丁二烯、以及苯乙烯制成的热塑性树脂，其广泛用于电子、汽车和工业产品。可使用通常用于制造发光二极管(LED)的非填装型透明环氧树脂作为透明环氧树脂。非填装型透明环氧树脂可以在约150℃的温度下转移模塑到衬底110上。
现在，参照图3描述本发明的第二实施方式。然而，为了简明起见，第二实施方式与第一实施方式相似的部件不再描述。
现在参照图3，在第二实施方式的CMOS型图像传感器模块200中，密封树脂单元240构成塑料光学透镜246，其起第一实施方式的透镜组单元170中的透镜154的作用。也就是说，塑料透镜246是由密封树脂单元240的弯曲上部形成的。红外滤光片252覆盖该光学透镜的表面。附图标记222、232表示连线，262表示无源器件，212表示柔性印刷电路板(FPCB)。
CMOS型图像传感器模块100和200按下述方法制造。
首先，制备两侧包括电路图形的衬底110、210。双侧衬底110、210与球形栅格阵列(BGA)封装的衬底相似。然后，在衬底的下侧安装数字信号处理半导体芯片130、230和无源器件162、262，芯片130、230用金线132、232连线到电路图形。
接着，将数字信号处理半导体芯片130、230和无源器件162、262密封在本身用传统方法模塑在衬底110、210下侧的环氧树脂模塑化合物(EMC)160、260内。然后，将图像传感半导体芯片120、220安装在衬底110、210的上侧，并用金线122、222连线到衬底110、210上的电路图形。
最后，通过模塑透明聚合封装材料使密封树脂单元140、240形成于衬底110、210的上侧。在第一实施方式中，模塑工艺在密封树脂单元140的上部形成螺纹142，透镜组170通过螺纹拧在树脂单元140上。另一方面，在第二实施方式中，模塑工艺在密封树脂单元240的上部形成塑料光学透镜，然后用红外滤光材料252覆盖透镜。保护材料144、244例如可以带状形式结合在密封树脂单元140、240的侧面上，以防止光通过密封树脂单元140、240的侧面透射。
当密封树脂单元140、240由PC或透明ABS形成时，注入成型温度优选在200℃与250℃之间，注入成型压力为800kgf/cm2。当然，这些参数要根据透明聚合封装材料的具体组份和分子量来确定。
现在参照图4描述根据本发明的CMOS型图像传感器的第三实施方式。
在此实施方式中，在衬底310的上部和下部两侧形成密封树脂单元340，也就是说，环氧树脂化合物未模塑到衬底310的下部。其余部分与图2的实施方式相同。例如，密封树脂单元340具有螺纹342，透镜组拧到密封树脂单元342上。透镜组包括透镜壳体350、红外滤光片352、以及光学透镜354。附图标记322、332表示连线，362表示无源器件，312表示柔性印刷电路板(FPCB)。
现在参照图5描述根据本发明CMOS型图像传感器的第四实施方式。
此实施方式中形成于衬底410上部、下部两侧的密封树脂单元440与第三实施方式相同，也就是说，环氧树脂化合物未模塑到衬底410的下部。此实施方式中，与图3的第二实施方式相同，通过密封树脂单元440的上部形成光学透镜446，用红外滤光片452覆盖塑料透镜446。附图标记422、432表示连线，462表示无源器件，412表示柔性印刷电路板(FPCB)。
下面描述本发明的CMOS型图像传感器模块300和400的制造方法。
首先，制备在两侧包括电路图形的衬底310、410。双侧衬底310、410与球形栅格阵列(BGA)封装的衬底相似。然后，在衬底的下部安装数字信号处理半导体芯片330、430和无源器件362、462。芯片330、430用金线332、432连线到电路图形。然后，将图像传感半导体芯片320、420安装在衬底310、410的上部，并用金线322、422连线到衬底310、410上的电路图形。当然，将芯片安装到衬底上侧和下侧的顺序可以颠倒。
接着，将透明聚合封装材料模塑于衬底110、210的上部和下部，形成密封树脂单元340、440，由此封装数字信号处理半导体芯片330、430和无源器件362、462以及图像传感半导体芯片320、420。这种模塑方法可以由注入成型工艺组成，或可包括转移模塑和注入成型工艺的组合。
在第三实施方式中，可用模塑工艺在密封树脂单元340的上部形成螺纹342，透镜组通过螺纹拧到树脂单元340上。另一方面，在第四实施方式中，模塑工艺在密封树脂单元340的上部形成塑料光学透镜，然后，用红外滤光材料352覆盖透镜。保护材料344、444例如可以带状形式结合在密封树脂单元340、440的侧面，以防止光透过密封树脂单元340、440的侧面。最后，在低温下用ACF将衬底310、410连接到FPCB 312、412上。
因此，如上所述，本发明具有以下优点。
第一，整个制造工艺较简单，因此，生产成本维持最低。
第二，本发明使用注入成型，便于CMOS型图像传感器模块的批量生产。
第三，因为图像传感芯片和数字信号处理芯片一个在另一个之上垂直排列于衬底上，所以，CMOS型图像传感器模块较小。
尽管已经参照优选实施方式具体示出和描述了本发明，显而易见，本领域技术人员可以对其在形式和细节上作出各种变化。例如，尽管已经描述了用于密封树脂单元的保护材料为带状形式，保护材料也可以采用其它覆层形式。因此，本发明在不超出由所附权利要求限定的本发明的构思和范围的前提下，可以不同于说明书中详细描述的方式实施。

Claims (36)

1.一种互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，包括：
衬底以及与其一体化的电路图形；
具有能拾取光学图像的互补金属氧化物半导体器件传感器的第一半导体芯片，其安装在所述衬底侧面中的上侧并连线到所述电路图形；
能处理数字信号的第二半导体芯片，其安装在所述衬底侧面中的下侧并连线到所述电路图形；以及
树脂密封单元，其包括与所述衬底一体化并封装所述第一和第二半导体芯片中至少之一的透明聚合材料。
2.如权利要求1所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述第一和第二半导体芯片中，仅所述第一半导体芯片由透明聚合材料封装。
3.如权利要求2所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，还包括与所述衬底一体化的环氧树脂模塑化合物，所述第二半导体芯片嵌入所述衬底侧面中的下侧的所述环氧树脂模塑化合物中。
4.如权利要求1所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述树脂密封单元的所述透明聚合材料封装所述第一和第二半导体芯片两者。
5.如权利要求2所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述树脂密封单元包括螺纹。
6.如权利要求2所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，还包括覆盖所述透明聚合材料侧面的不透明材料，以防止光透过透明聚合材料的侧面。
7.如权利要求6所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述不透明材料呈带状形式。
8.如权利要求5所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，还包括与所述树脂密封单元的所述螺纹配合的透镜组。
9.如权利要求8所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述透镜组包括壳体、以及设置在所述壳体内彼此垂直隔开的光学透镜和红外滤光片。
10.如权利要求2所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述树脂密封单元的透明聚合材料包括光学透镜。
11.如权利要求10所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，还包括覆盖所述光学透镜表面的红外滤光材料。
12.如权利要求3所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，还包括设置在所述衬底侧面中的下侧上的无源器件。
13.如权利要求12所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述无源器件被嵌入所述环氧树脂模塑化合物中。
14.如权利要求4所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述密封树脂单元封装所述第一和第二半导体芯片，且在其上部具有螺纹。
15.如权利要求14所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，还包括与所述树脂密封单元的螺纹配合的透镜组。
16.如权利要求15所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述透镜组包括壳体、设置在所述壳体内彼此垂直隔开的光学透镜和红外滤光片。
17.如权利要求4所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述树脂密封单元的透明聚合材料包括光学透镜。
18.如权利要求17所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，还包括覆盖所述光学透镜表面的红外滤光材料。
19.如权利要求4所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，还包括覆盖所述透明聚合材料侧面的不透明材料，以防止光透过透明聚合材料的侧面。
20.如权利要求4所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，还包括设置在所述衬底侧面中的下侧上的无源器件。
21.如权利要求19所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述不透明材料呈带状形式。
22.如权利要求1所述的互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块，其中，所述密封树脂单元的所述透明聚合材料包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)；聚碳酸酯(PC)；热固性透明环氧树脂；或丙烯腈、丁二烯和苯乙烯(ABS)的透明树脂。
23.一种制造互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块的方法，该方法包括：
设置具有一体化的电路图形的衬底；
在所述衬底侧面中的下侧上安装能处理数字信号的数字信号处理半导体芯片和无源电子器件；
将所述数字信号处理半导体芯片连线到所述衬底侧面中的下侧的所述电路图形，以将所述数字信号处理半导体芯片电连接到所述电路图形上；
将环氧树脂模塑化合物模塑到所述衬底侧面中的下侧，覆盖所述数字信号处理半导体芯片；
在所述衬底侧面中的上侧上安装具有能拾取光学图像的互补金属氧化物半导体器件图像传感器的图像传感半导体芯片，并将所述图像传感半导体芯片连线到所述电路图形，以将所述图像传感半导体芯片电连接到所述电路图形上；以及
将透明聚合材料模塑到所述衬底侧面中的上侧，覆盖整个所述图像传感半导体芯片，由此形成内部封有由所述聚合材料封装所述图像传感半导体芯片的密封树脂单元。
24.如权利要求23所述的制造方法，其中，所述聚合材料的模塑包括在所述树脂密封单元的上部形成螺纹。
25.如权利要求24所述的制造方法，其中，还包括通过所述树脂密封单元上的螺纹把透镜组拧到该单元上而将所述透镜组与所述树脂密封单元连接。
26.如权利要求23所述的制造方法，其中，所述聚合材料的模塑包括注入成型，并用所述透明聚合材料形成光学透镜。
27.如权利要求26所述的制造方法，其中，还包括用过滤红外光的材料覆盖所述透镜。
28.如权利要求23所述的制造方法，其中，还包括使不透明材料沿所述树脂密封单元的侧面牢固连接，以防止光透过所述单元的侧面。
29.如权利要求23所述的制造方法，其中，所述透明聚合材料的模塑包括注入成型。
30.一种制造互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块的方法，包括：
设置两侧都具有电路图形的衬底；
在所述衬底侧面中的下侧上安装能处理数字信号的数字信号处理半导体芯片和无源电子器件；
将所述数字信号处理半导体芯片连线到所述电路图形，以将所述数字信号处理半导体芯片电连接到所述衬底上；
在所述衬底侧面中的上侧上安装具有能拾取光学图像的互补金属氧化物半导体器件图像传感器的图像传感半导体芯片，并将所述图像传感半导体芯片连线到所述电路图形，以将所述图像传感半导体芯片电连接到所述电路图形上；以及
在整个所述图像传感半导体芯片和整个所述数字信号处理半导体芯片的上方，将透明聚合材料模塑到所述衬底侧面中的上侧和下侧，由此形成内部封有由聚合材料封装的芯片的密封树脂单元。
31.如权利要求30所述的制造方法，其中，所述聚合材料的模塑包括在所述树脂密封单元的上部形成螺纹。
32.如权利要求31所述的制造方法，其中，还包括通过所述树脂密封单元上的螺纹把透镜组拧到该单元上而将所述透镜组与所述树脂密封单元连接。
33.如权利要求30所述的制造方法，其中，所述聚合材料的模塑包括注入成型，并在所述衬底侧面中的上侧用所述透明聚合材料形成光学透镜。
34.如权利要求33所述的制造方法，其中，还包括用过滤红外光的材料覆盖所述透镜。
35.如权利要求30所述的制造方法，其中，还包括使不透明材料沿设置于所述衬底侧面中的上侧上方的所述树脂密封单元部分的侧面牢固连接，以防止光透过邻近所述图像传感半导体芯片的所述单元的侧面。
36.如权利要求30所述的制造方法，其中，所述将透明聚合材料模塑到所述衬底上侧和下侧包括注入成型。
CNA200410079420XA 2003-06-11 2004-06-11 互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块 Pending CN1606158A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0037458A KR100539234B1 (ko) 2003-06-11 2003-06-11 투명 고분자 소재를 적용한 씨모스형 이미지 센서 모듈 및그 제조방법
KR37458/2003 2003-06-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1606158A true CN1606158A (zh) 2005-04-13

Family

ID=33509657

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNA200410079420XA Pending CN1606158A (zh) 2003-06-11 2004-06-11 互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块

Country Status (4)

Country Link
US (2) US7105904B2 (zh)
JP (1) JP4860119B2 (zh)
KR (1) KR100539234B1 (zh)
CN (1) CN1606158A (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102623477A (zh) * 2012-04-20 2012-08-01 苏州晶方半导体股份有限公司 影像传感模组、封装结构及其封装方法
CN102856396A (zh) * 2011-06-30 2013-01-02 精工电子有限公司 光传感器装置
WO2018188628A1 (zh) * 2017-04-12 2018-10-18 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组及其模塑感光组件和制造方法以及电子设备
CN109155258A (zh) * 2016-04-08 2019-01-04 赫普塔冈微光有限公司 具有孔径的薄光电模块及其制造

Families Citing this family (114)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7127793B2 (en) * 2002-04-24 2006-10-31 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method of producing solid state pickup device
DE10328265A1 (de) * 2003-06-23 2005-01-27 Infineon Technologies Ag Sensorbauteil und Nutzen zu seiner Herstellung
US7368695B2 (en) * 2004-05-03 2008-05-06 Tessera, Inc. Image sensor package and fabrication method
KR100791833B1 (ko) * 2005-01-20 2008-01-04 (주)티피에스 고화소 수를 가진 ir 컷 오프 필터용 기판 제조 방법.
TWI242820B (en) * 2005-03-29 2005-11-01 Siliconware Precision Industries Co Ltd Sensor semiconductor device and method for fabricating the same
US20060219862A1 (en) * 2005-03-31 2006-10-05 Kai-Kuang Ho Compact camera module with reduced thickness
US7227236B1 (en) 2005-04-26 2007-06-05 Amkor Technology, Inc. Image sensor package and its manufacturing method
US20070272827A1 (en) * 2005-04-27 2007-11-29 Amkor Technology, Inc. Image sensor package having mount holder attached to image sensor die
US20060273313A1 (en) * 2005-06-01 2006-12-07 Power Digital Card Co., Ltd. & Chien-Yuan Chen IC packaging technique
US7576401B1 (en) 2005-07-07 2009-08-18 Amkor Technology, Inc. Direct glass attached on die optical module
KR100721167B1 (ko) 2005-08-24 2007-05-23 삼성전기주식회사 이미지 센서 모듈과 그 제조 방법 및 이를 이용한 카메라모듈
CN1932572B (zh) * 2005-09-16 2011-11-23 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 数码相机用镜头
US20070159543A1 (en) * 2005-12-22 2007-07-12 Hsin Chung H Simplified image sensor module package
US7368795B2 (en) * 2005-12-22 2008-05-06 Kingpak Technology Inc. Image sensor module with passive component
TWI309335B (en) * 2006-02-24 2009-05-01 Advanced Semiconductor Eng An image sensor package
DE102006014247B4 (de) * 2006-03-28 2019-10-24 Robert Bosch Gmbh Bildaufnahmesystem und Verfahren zu dessen Herstellung
JP4950542B2 (ja) * 2006-04-07 2012-06-13 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
KR100836130B1 (ko) * 2006-06-19 2008-06-09 삼성전기주식회사 카메라 모듈
US20080019168A1 (en) * 2006-07-24 2008-01-24 Cha-Hsin Lin Memory structure and data writing method thereof
KR101070921B1 (ko) * 2006-10-19 2011-10-06 삼성테크윈 주식회사 이미지 센서용 칩 패키지 및 그 제조방법
JP4340696B2 (ja) * 2007-04-04 2009-10-07 シャープ株式会社 カメラモジュールおよびそれを備えた電子機器
CN100546026C (zh) * 2007-04-29 2009-09-30 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像摄取装置
KR100974090B1 (ko) * 2007-09-18 2010-08-04 삼성전기주식회사 이미지 센서 패키지
CN101448079A (zh) * 2007-11-26 2009-06-03 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 相机模组
CN101520532A (zh) * 2008-02-29 2009-09-02 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 复合镜片
CN101562175B (zh) * 2008-04-18 2011-11-09 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 影像感测器封装结构及其应用的成像装置
US8866920B2 (en) 2008-05-20 2014-10-21 Pelican Imaging Corporation Capturing and processing of images using monolithic camera array with heterogeneous imagers
US11792538B2 (en) 2008-05-20 2023-10-17 Adeia Imaging Llc Capturing and processing of images including occlusions focused on an image sensor by a lens stack array
KR101588877B1 (ko) 2008-05-20 2016-01-26 펠리칸 이매징 코포레이션 이종 이미저를 구비한 모놀리식 카메라 어레이를 이용한 이미지의 캡처링 및 처리
US8653436B2 (en) * 2009-01-09 2014-02-18 Omnivision Technologies, Inc. CMOS pixel including a transfer gate overlapping the photosensitive region
US8514491B2 (en) * 2009-11-20 2013-08-20 Pelican Imaging Corporation Capturing and processing of images using monolithic camera array with heterogeneous imagers
GB0920946D0 (en) * 2009-11-30 2010-01-13 St Microelectronics Res & Dev Electromagnetic shielding for camera modules
TWI425825B (zh) * 2009-12-31 2014-02-01 Kingpak Tech Inc 免調焦距影像感測器封裝結構
WO2011143501A1 (en) 2010-05-12 2011-11-17 Pelican Imaging Corporation Architectures for imager arrays and array cameras
JP2012009816A (ja) * 2010-05-28 2012-01-12 Casio Comput Co Ltd 半導体装置およびその製造方法
KR101207715B1 (ko) 2010-11-03 2012-12-03 엘지이노텍 주식회사 카메라 및 그의 제조 방법
US8878950B2 (en) 2010-12-14 2014-11-04 Pelican Imaging Corporation Systems and methods for synthesizing high resolution images using super-resolution processes
EP2708019B1 (en) 2011-05-11 2019-10-16 FotoNation Limited Systems and methods for transmitting and receiving array camera image data
CN103650476B (zh) 2011-05-12 2018-05-01 德普伊辛迪斯制品公司 对具有最小纵向互连的混合图像传感器使用堆叠方案的像素阵列区域最优化
EP2726930A4 (en) 2011-06-28 2015-03-04 Pelican Imaging Corp OPTICAL ARRANGEMENTS FOR USE WITH AN ARRAY CAMERA
US20130265459A1 (en) 2011-06-28 2013-10-10 Pelican Imaging Corporation Optical arrangements for use with an array camera
WO2013043761A1 (en) 2011-09-19 2013-03-28 Pelican Imaging Corporation Determining depth from multiple views of a scene that include aliasing using hypothesized fusion
WO2013049699A1 (en) 2011-09-28 2013-04-04 Pelican Imaging Corporation Systems and methods for encoding and decoding light field image files
WO2013126578A1 (en) 2012-02-21 2013-08-29 Pelican Imaging Corporation Systems and methods for the manipulation of captured light field image data
US9210392B2 (en) 2012-05-01 2015-12-08 Pelican Imaging Coporation Camera modules patterned with pi filter groups
JP5988291B2 (ja) * 2012-06-13 2016-09-07 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像装置および撮像表示システム
WO2014005123A1 (en) 2012-06-28 2014-01-03 Pelican Imaging Corporation Systems and methods for detecting defective camera arrays, optic arrays, and sensors
US20140002674A1 (en) 2012-06-30 2014-01-02 Pelican Imaging Corporation Systems and Methods for Manufacturing Camera Modules Using Active Alignment of Lens Stack Arrays and Sensors
BR112015001369A2 (pt) 2012-07-26 2017-07-04 Olive Medical Corp sistema de câmera com sensor de imagem cmos monolítico de área mínima
IN2015MN00022A (zh) 2012-07-26 2015-10-16 Olive Medical Corp
EP3869797B1 (en) 2012-08-21 2023-07-19 Adeia Imaging LLC Method for depth detection in images captured using array cameras
WO2014032020A2 (en) 2012-08-23 2014-02-27 Pelican Imaging Corporation Feature based high resolution motion estimation from low resolution images captured using an array source
WO2014043641A1 (en) 2012-09-14 2014-03-20 Pelican Imaging Corporation Systems and methods for correcting user identified artifacts in light field images
US20140092281A1 (en) 2012-09-28 2014-04-03 Pelican Imaging Corporation Generating Images from Light Fields Utilizing Virtual Viewpoints
US9143711B2 (en) 2012-11-13 2015-09-22 Pelican Imaging Corporation Systems and methods for array camera focal plane control
WO2014130849A1 (en) 2013-02-21 2014-08-28 Pelican Imaging Corporation Generating compressed light field representation data
US9374512B2 (en) 2013-02-24 2016-06-21 Pelican Imaging Corporation Thin form factor computational array cameras and modular array cameras
US10206561B2 (en) 2013-02-28 2019-02-19 DePuy Synthes Products, Inc. Videostroboscopy of vocal cords with CMOS sensors
US9638883B1 (en) 2013-03-04 2017-05-02 Fotonation Cayman Limited Passive alignment of array camera modules constructed from lens stack arrays and sensors based upon alignment information obtained during manufacture of array camera modules using an active alignment process
CN205453874U (zh) * 2013-03-07 2016-08-10 株式会社村田制作所 相机模块及电子设备
WO2014138695A1 (en) 2013-03-08 2014-09-12 Pelican Imaging Corporation Systems and methods for measuring scene information while capturing images using array cameras
US8866912B2 (en) 2013-03-10 2014-10-21 Pelican Imaging Corporation System and methods for calibration of an array camera using a single captured image
US9521416B1 (en) 2013-03-11 2016-12-13 Kip Peli P1 Lp Systems and methods for image data compression
US9519972B2 (en) 2013-03-13 2016-12-13 Kip Peli P1 Lp Systems and methods for synthesizing images from image data captured by an array camera using restricted depth of field depth maps in which depth estimation precision varies
WO2014164550A2 (en) 2013-03-13 2014-10-09 Pelican Imaging Corporation System and methods for calibration of an array camera
US9106784B2 (en) 2013-03-13 2015-08-11 Pelican Imaging Corporation Systems and methods for controlling aliasing in images captured by an array camera for use in super-resolution processing
WO2014164909A1 (en) 2013-03-13 2014-10-09 Pelican Imaging Corporation Array camera architecture implementing quantum film sensors
US9578259B2 (en) 2013-03-14 2017-02-21 Fotonation Cayman Limited Systems and methods for reducing motion blur in images or video in ultra low light with array cameras
WO2014153098A1 (en) 2013-03-14 2014-09-25 Pelican Imaging Corporation Photmetric normalization in array cameras
US10517469B2 (en) 2013-03-15 2019-12-31 DePuy Synthes Products, Inc. Image sensor synchronization without input clock and data transmission clock
US10122993B2 (en) 2013-03-15 2018-11-06 Fotonation Limited Autofocus system for a conventional camera that uses depth information from an array camera
US9445003B1 (en) 2013-03-15 2016-09-13 Pelican Imaging Corporation Systems and methods for synthesizing high resolution images using image deconvolution based on motion and depth information
CA2906975A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Olive Medical Corporation Minimize image sensor i/o and conductor counts in endoscope applications
EP2973476A4 (en) 2013-03-15 2017-01-18 Pelican Imaging Corporation Systems and methods for stereo imaging with camera arrays
US9633442B2 (en) 2013-03-15 2017-04-25 Fotonation Cayman Limited Array cameras including an array camera module augmented with a separate camera
WO2014150856A1 (en) 2013-03-15 2014-09-25 Pelican Imaging Corporation Array camera implementing quantum dot color filters
US9497429B2 (en) 2013-03-15 2016-11-15 Pelican Imaging Corporation Extended color processing on pelican array cameras
TWI650016B (zh) * 2013-08-22 2019-02-01 新力股份有限公司 成像裝置、製造方法及電子設備
US9898856B2 (en) 2013-09-27 2018-02-20 Fotonation Cayman Limited Systems and methods for depth-assisted perspective distortion correction
US9264592B2 (en) 2013-11-07 2016-02-16 Pelican Imaging Corporation Array camera modules incorporating independently aligned lens stacks
US10119808B2 (en) 2013-11-18 2018-11-06 Fotonation Limited Systems and methods for estimating depth from projected texture using camera arrays
US9426361B2 (en) 2013-11-26 2016-08-23 Pelican Imaging Corporation Array camera configurations incorporating multiple constituent array cameras
WO2015134996A1 (en) 2014-03-07 2015-09-11 Pelican Imaging Corporation System and methods for depth regularization and semiautomatic interactive matting using rgb-d images
US9247117B2 (en) 2014-04-07 2016-01-26 Pelican Imaging Corporation Systems and methods for correcting for warpage of a sensor array in an array camera module by introducing warpage into a focal plane of a lens stack array
US9521319B2 (en) 2014-06-18 2016-12-13 Pelican Imaging Corporation Array cameras and array camera modules including spectral filters disposed outside of a constituent image sensor
CN107077743B (zh) 2014-09-29 2021-03-23 快图有限公司 用于阵列相机的动态校准的系统和方法
JP6690157B2 (ja) * 2014-11-27 2020-04-28 ソニー株式会社 カメラモジュール、およびカメラモジュールの製造方法、撮像装置、並びに電子機器
DE102015213575A1 (de) * 2015-02-10 2016-08-11 Robert Bosch Gmbh Bildaufnahmesystem und ein Kraftfahrzeug
US9812478B2 (en) 2015-03-05 2017-11-07 Omnivision Technologies, Inc. Aerogel-encapsulated image sensor and manufacturing method for same
US9942474B2 (en) 2015-04-17 2018-04-10 Fotonation Cayman Limited Systems and methods for performing high speed video capture and depth estimation using array cameras
US10458872B2 (en) * 2016-03-09 2019-10-29 Flo Technologies, Inc. Electronic pressure sensor for measurement of pressure in a fluid media
US9955099B2 (en) * 2016-06-21 2018-04-24 Hand Held Products, Inc. Minimum height CMOS image sensor
EP3340599B1 (en) * 2016-12-20 2018-11-28 Axis AB An alignment member and a method for aligning a sensor board
CN108243296A (zh) * 2016-12-23 2018-07-03 宁波舜宇光电信息有限公司 电路板组件和摄像模组及其制造方法以及带有摄像模组的电子设备
KR102353769B1 (ko) * 2016-12-30 2022-01-19 하이만 센서 게엠베하 Smd-가능 적외선 서모파일 센서
US11049898B2 (en) 2017-04-01 2021-06-29 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Systems and methods for manufacturing semiconductor modules
US10482618B2 (en) 2017-08-21 2019-11-19 Fotonation Limited Systems and methods for hybrid depth regularization
WO2019093965A1 (en) * 2017-11-07 2019-05-16 Ams Sensors Singapore Pte. Ltd. Optoelectronic modules having locking assemblies and methods for manufacturing the same
CN108055771B (zh) * 2017-11-22 2020-04-10 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种空间光学遥感器及其的焦平面组件
US10804305B2 (en) 2018-04-23 2020-10-13 Sunny Opotech North America Inc. Manufacture of semiconductor module with dual molding
EP3570103B1 (en) * 2018-05-17 2020-07-01 Axis AB Camera arrangement and method for aligning a sensor board and an optics unit
US10868061B2 (en) 2018-08-13 2020-12-15 Semiconductor Components Industries, Llc Packaging structure for a sensor having a sealing layer
WO2021055585A1 (en) 2019-09-17 2021-03-25 Boston Polarimetrics, Inc. Systems and methods for surface modeling using polarization cues
MX2022004162A (es) 2019-10-07 2022-07-12 Boston Polarimetrics Inc Sistemas y metodos para el aumento de sistemas de sensores y sistemas de formacion de imagenes con polarizacion.
KR20230116068A (ko) 2019-11-30 2023-08-03 보스턴 폴라리메트릭스, 인크. 편광 신호를 이용한 투명 물체 분할을 위한 시스템및 방법
CN115552486A (zh) 2020-01-29 2022-12-30 因思创新有限责任公司 用于表征物体姿态检测和测量系统的系统和方法
WO2021154459A1 (en) 2020-01-30 2021-08-05 Boston Polarimetrics, Inc. Systems and methods for synthesizing data for training statistical models on different imaging modalities including polarized images
US11953700B2 (en) 2020-05-27 2024-04-09 Intrinsic Innovation Llc Multi-aperture polarization optical systems using beam splitters
US12020455B2 (en) 2021-03-10 2024-06-25 Intrinsic Innovation Llc Systems and methods for high dynamic range image reconstruction
US12069227B2 (en) 2021-03-10 2024-08-20 Intrinsic Innovation Llc Multi-modal and multi-spectral stereo camera arrays
US11954886B2 (en) 2021-04-15 2024-04-09 Intrinsic Innovation Llc Systems and methods for six-degree of freedom pose estimation of deformable objects
US11290658B1 (en) 2021-04-15 2022-03-29 Boston Polarimetrics, Inc. Systems and methods for camera exposure control
US12067746B2 (en) 2021-05-07 2024-08-20 Intrinsic Innovation Llc Systems and methods for using computer vision to pick up small objects
US11689813B2 (en) 2021-07-01 2023-06-27 Intrinsic Innovation Llc Systems and methods for high dynamic range imaging using crossed polarizers

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS58173255A (ja) * 1982-03-31 1983-10-12 松下電工株式会社 床材
JPS6343353A (ja) 1986-08-08 1988-02-24 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
JP2843464B2 (ja) * 1992-09-01 1999-01-06 シャープ株式会社 固体撮像装置
JPH08146310A (ja) * 1994-11-18 1996-06-07 Olympus Optical Co Ltd 固体撮像装置
JP3805031B2 (ja) * 1995-10-20 2006-08-02 キヤノン株式会社 光電変換装置
US5932875A (en) * 1997-07-07 1999-08-03 Rockwell Science Center, Inc. Single piece integrated package and optical lid
DE19958229B4 (de) * 1998-12-09 2007-05-31 Fuji Electric Co., Ltd., Kawasaki Optisches Halbleiter-Sensorbauelement
JP2000332225A (ja) * 1999-05-19 2000-11-30 Canon Inc 撮像装置
KR100692779B1 (ko) * 1999-09-10 2007-03-12 매그나칩 반도체 유한회사 회로기판 일체형 이미지 센서 패키지
JP3644861B2 (ja) * 1999-12-22 2005-05-11 シャープ株式会社 面実装用光半導体装置及びその製造方法
US6407381B1 (en) * 2000-07-05 2002-06-18 Amkor Technology, Inc. Wafer scale image sensor package
US7059040B1 (en) * 2001-01-16 2006-06-13 Amkor Technology, Inc. Optical module with lens integral holder fabrication method
US6559539B2 (en) * 2001-01-24 2003-05-06 Hsiu Wen Tu Stacked package structure of image sensor
KR20020066642A (ko) 2001-02-13 2002-08-21 삼성전자 주식회사 이미지 센서용 반도체 칩 패키지
US7092174B2 (en) * 2001-05-18 2006-08-15 Konica Corporation Image pickup lens, image pickup apparatus and method for forming image pickup lens
US6685092B2 (en) * 2001-06-15 2004-02-03 Symbol Technologies, Inc. Molded imager optical package and miniaturized linear sensor-based code reading engines
KR20020096198A (ko) 2001-06-18 2002-12-31 주식회사 하이닉스반도체 씨모스이미지센서 및 이를 사용한 카메라 장치
JP2003110945A (ja) * 2001-09-26 2003-04-11 Sanyo Electric Co Ltd カメラモジュール
JP4929553B2 (ja) * 2001-09-27 2012-05-09 富士通セミコンダクター株式会社 カメラモジュール及びその製造方法
JP4020624B2 (ja) * 2001-11-08 2007-12-12 三洋電機株式会社 半導体装置の製造方法
JP4009473B2 (ja) * 2002-03-08 2007-11-14 オリンパス株式会社 カプセル型内視鏡
KR20030091549A (ko) * 2002-05-28 2003-12-03 삼성전기주식회사 이미지 센서모듈 및 그 제조공정
US6821817B1 (en) * 2002-09-03 2004-11-23 Asat Ltd. Premolded cavity IC package
EP1471730A1 (en) * 2003-03-31 2004-10-27 Dialog Semiconductor GmbH Miniature camera module
KR20040100730A (ko) * 2003-05-24 2004-12-02 킹팍 테크놀로지 인코포레이티드 간이 화상 센서 모듈
US7061106B2 (en) * 2004-04-28 2006-06-13 Advanced Chip Engineering Technology Inc. Structure of image sensor module and a method for manufacturing of wafer level package
JP4379295B2 (ja) * 2004-10-26 2009-12-09 ソニー株式会社 半導体イメージセンサー・モジュール及びその製造方法
JP4233535B2 (ja) * 2005-03-29 2009-03-04 シャープ株式会社 光学装置用モジュール、光路画定器及び光学装置用モジュールの製造方法
JP2006276463A (ja) * 2005-03-29 2006-10-12 Sharp Corp 光学装置用モジュール及び光学装置用モジュールの製造方法

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102856396A (zh) * 2011-06-30 2013-01-02 精工电子有限公司 光传感器装置
CN102856396B (zh) * 2011-06-30 2016-11-23 精工半导体有限公司 光传感器装置
CN102623477A (zh) * 2012-04-20 2012-08-01 苏州晶方半导体股份有限公司 影像传感模组、封装结构及其封装方法
CN109155258A (zh) * 2016-04-08 2019-01-04 赫普塔冈微光有限公司 具有孔径的薄光电模块及其制造
CN109155258B (zh) * 2016-04-08 2022-04-26 赫普塔冈微光有限公司 具有孔径的薄光电模块及其制造
WO2018188628A1 (zh) * 2017-04-12 2018-10-18 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组及其模塑感光组件和制造方法以及电子设备
CN110337804A (zh) * 2017-04-12 2019-10-15 宁波舜宇光电信息有限公司 摄像模组及其模塑感光组件和制造方法以及电子设备
US11094727B2 (en) 2017-04-12 2021-08-17 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Camera module, molding photosensitive assembly thereof, manufacturing method thereof and electronic device
US12068344B2 (en) 2017-04-12 2024-08-20 Ningbo Sunny Opotech Co., Ltd. Molding photosensitive assembly, and camera module and electronic device containing molding photosensitive assembly

Also Published As

Publication number Publication date
JP2005005720A (ja) 2005-01-06
JP4860119B2 (ja) 2012-01-25
US7105904B2 (en) 2006-09-12
US7534645B2 (en) 2009-05-19
US20060270094A1 (en) 2006-11-30
KR100539234B1 (ko) 2005-12-27
KR20040106661A (ko) 2004-12-18
US20040251509A1 (en) 2004-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1606158A (zh) 互补金属氧化物半导体器件型图像传感器模块
CN1275330C (zh) 光模块、电路板及其电子机器
CN1266920C (zh) 摄像机模块
CN1928605A (zh) 数码相机模组
CN1574379A (zh) 固态成像方法及装置
CN100555643C (zh) 影像感测芯片封装结构及应用该结构的数码相机模组
CN109461748B (zh) 一种光学元件的封装结构及封装方法
CN107039288A (zh) 半导体封装
US20040070076A1 (en) Semiconductor chip package for image sensor and method of the same
CN101034688A (zh) 光学装置及光学装置的制造方法
CN1649163A (zh) 固体摄像装置用半导体元件和采用该元件的固体摄像装置
CN1929144A (zh) 影像传感器及其封装方法
CN107579086B (zh) 半导体器件和半导体器件的制造方法
CN2459831Y (zh) 一种影像感测器
CN2599758Y (zh) 堆叠式影像感测器模组构造
CN100350621C (zh) 影像感测器模组及其制造方法
CN2599757Y (zh) 影像感测器堆叠构造
CN1162906C (zh) 堆叠式影像感测器及其制造方法
CN2598146Y (zh) 影像感测器堆叠装置
CN113035966B (zh) 光感应结构及其制备方法、太阳能电池与电子设备
TWI808761B (zh) 感測裝置的封裝結構
US20040245590A1 (en) Image sensor package
CN100350619C (zh) 影像感测器及其封装方法
CN2465329Y (zh) 一种影像感测器
CN2461227Y (zh) 一种影像感测器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication