CN1591152A - 液晶显示器及其薄膜晶体管阵列板 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种液晶显示器，其包括薄膜晶体管阵列板和面对薄膜晶体管阵列板的共用电极板。薄膜晶体管阵列板包括：第一栅极线；与所述栅极线相交的数据线；包括与所述栅极线连接的栅电极、与所述数据线连接的源电极、以及漏极的第一薄膜晶体管；与所述漏极连接的第一像素电极；以及与所述像素电极和漏极中至少之一重叠并夹有绝缘体的电容器电极。所述共用电极板包括面对所述像素电极并具有面对所述漏极和电容器电极中至少之一的开口的共用电极。

Description

液晶显示器及其薄膜晶体管阵列板
技术领域
本发明涉及一种液晶显示器及其薄膜晶体管阵列板。
背景技术
液晶显示器(LCD)是应用最广泛的平板显示器之一。LCD包括夹在一对设置有场发生电极的板之间的液晶(LC)层。LC层处于电极产生的电场中，且场强变化可改变LC层的分子取向，分子取向随之改变通过液晶层的光的偏振。基于光的偏振，适当设置的偏振器可改变光的透射率。
LCD质量的一个检测指标为视角，它由LCD表现出预定对比度处的角度限定。已经提出了扩大视角的各种技术，包括使用垂直排列的LC层和在如像素电极和共用电极的场发生电极处设置缺口或突起的技术。
然而，缺口和突起降低了孔径比。为了提高孔径比，已经提出使像素电极尺寸最大化。但像素电极尺寸的最大化将导致像素电极间的距离太近，从而产生像素电极间很强的横向电场。强电场将导致LC分子取向发生不期望的变化，产生条纹和光泄漏，并降低显示性能。条纹和光泄漏可以通过较宽的黑矩阵来屏蔽，但这同样降低了孔径比。
同时，像素电极和共用电极形成插入液晶层的电容器，称为LC电容器，像素电极和设置在板上的信号线形成辅助电容器，称为储存电容器，储存电容器与LC电容器并联。在LC电容器和储存电容器之间的电容具有用于给所述电容器充分充电的适当的值和适当的比例。
然而，由于所述LC电容与像素电极间距的平方成正比，因此随LCD和像素电极尺寸的增加而迅速增加。LC电容的增加降低了LC电容器的充电率，并增加了液晶的响应时间。尽管充电率的降低可以通过增加储存电容弥补，响应时间的增加可以通过增大缺口或突起的宽度弥补，但是这将引起孔径比的降低。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种具有优化的LC电容的LCD。
本发明的另一目的是提供一种具有足够孔径比的LCD。
本发明的又一目的是提供一种具有稳定的液晶排列的LCD。
本发明的再一目的是提供一种便于用于任何LCD的像素结构。
提供一种液晶显示器，其包括薄膜晶体管阵列板和面对薄膜晶体管阵列板的共用电极板。该薄膜晶体管阵列板包括：第一栅极线；与该栅极线相交的数据线；第一薄膜晶体管，其包括与所述栅极线连接的栅电极、与所述数据线连接的源电极、以及漏极；与所述漏极连接的第一像素电极；以及与所述像素电极和漏极中至少之一重叠并夹有绝缘体的电容器电极。所述共用电极板包括面对所述像素电极并具有面对所述漏极和电容器电极中至少之一的开口的共用电极。
所述数据线可包括弯曲部分和与弯曲部分连接并与栅极线相交的交叉部分。数据线的弯曲部分可包括一对彼此连接并与栅极线成大约45度角的直线部分。所述像素电极可沿数据线的弯曲部分弯曲。
所述像素电极可至少部分地与所述数据线重叠。
本液晶显示器还可包括：与所述第一栅极线和数据线分开并邻近所述第一像素电极设置的第二栅极线；与第二栅极线连接的第二薄膜晶体管；以及与第二薄膜晶体管连接的第二像素电极。
所述电容器电极可与第二栅极线连接，而该液晶显示器还可包括与所述像素电极电性连接并设置在所述电容器电极与像素电极之间的电容器导体。
当然，所述电容器电极也可与第二栅极线断开。
该液晶显示器还可包括设置在所述薄膜晶体管阵列板和共用电极板的任何一个上的滤光器。
该液晶显示器还可包括置于所述薄膜晶体管阵列板与共用电极板之间的液晶层。
该液晶层可具有负各向异性并基本上垂直对准。本液晶显示器还可包括控制该液晶层中分子的倾斜方向的倾斜控制部件，该倾斜控制部件可包括在所述像素电极或共用电极中的切口、或所述像素电极和共用电极上的突起。
该液晶显示器还可包括与所述栅电极相对设置并包括位于所述源电极与漏极之间的第一部分的半导体层。该半导体层还可包括设置在所述数据线之下的第二部分。除所述第一部分以外，半导体层可具有与所述数据线、源电极和漏极基本相同的平面图形。
提供一种薄膜晶体管阵列板，其包括：基底；形成在基底上并包括栅电极的栅极线；形成在基底上并包括弯曲部分和与所述栅极线相交的交叉部分的数据线；包括与所述栅极线连接的栅电极、与所述数据线连接的源电极、以及漏极的薄膜晶体管；与所述漏极连接的像素电极；以及与所述像素电极和漏极中至少之一重叠并夹有绝缘体的储存电极，其中所述漏极和储存电极中至少之一包括沿平行于所述数据线的弯曲部分延伸的部分。
所述数据线的弯曲部分包括相对于所述栅极线分别成大约45度的顺时针角和大约45度的逆时针角的一对部分。
所述漏极和储存电极可彼此重叠。
所述源电极可与所述数据线的交叉部分连接。
所述像素电极可沿所述数据线的弯曲部分弯曲。
所述像素电极可至少部分地与所述数据线重叠。
所述像素电极可包括之间设有切口的一对分区(partitions)。
该薄膜晶体管阵列板还可包括与所述栅电极相对设置并包括位于所述源电极与漏极之间的第一部分的半导体层。该半导体层还可包括设置在所述数据线之下的第二部分。除第一部分以外，此半导体层可具有与所述数据线、源电极和漏极基本相同的平面图形。
提供一种液晶显示器，其包括薄膜晶体管阵列板和面对薄膜晶体管阵列板的共用电极板。该薄膜晶体管阵列板包括：基底；形成在基底上并包括栅电极的栅极线；形成在基底上并包括弯曲部分和与所述栅极线相交的交叉部分的数据线；包括与所述栅极线连接的栅电极、与所述数据线连接的源电极、以及漏极的薄膜晶体管；与所述漏极连接的像素电极；以及与所述像素电极和漏极中至少之一重叠并夹有绝缘体的储存电极。所述共用电极板包括面对所述像素电极的共用电极。
该液晶显示器还可包括设置在所述薄膜晶体管阵列板和共用电极板的任何一个上的滤光器。
该液晶显示器还可包括置于所述薄膜晶体管阵列板与共用电极板之间并具有负各向异性且基本上垂直对准的液晶层。此液晶显示器还可包括控制所述液晶层中分子的倾斜方向的倾斜控制部件。所述倾斜控制部件可包括在所述像素电极或共用电极中的切口、或像素电极或共用电极上的突起。
所述倾斜控制部件可与所述数据线平行地弯曲。该倾斜控制部件可面对所述漏极和储存电极中至少之一。
附图说明
通过参照附图具体描述本发明的实施方式将使本发明更加明晰，附图中：
图1是本发明一实施方式的用于LCD的TFT阵列板布置图；
图2是本发明实施方式的用于LCD的共用电极板布置图；
图3是包括图1所示的TFT阵列板和图2所示的共用电极板的LCD的布置图；
图4是图3所示的LCD沿线IV-IV’剖切的剖面图；
图5是图3所示的LCD沿线V-V’和V’-V”剖切的剖面图；
图6是本发明另一实施方式的LCD的TFT阵列板的布置图；
图7是包括图6所示的TFT阵列板的LCD沿线VII-VII’剖切的剖面图；
图8是包括图6所示的TFT阵列板的LCD沿线VIII-VIII’和VIII’-VIII”剖切的剖面图；
图9是本发明又一实施方式的LCD的布置图；
图10是图9所示的LCD沿线X-X’剖切的剖面图；
图11是本发明再一实施方式的LCD布置图；
图12是图11所示的LCD沿线XII-XII’剖切的剖面图；
图13是本发明另一实施方式的LCD布置图；
图14是图13所示的LCD沿线XIV-XIV’剖切的剖面图；
图15是图13所示的LCD沿线XV-XV’和XV’-XV”剖切的剖面图；
图16是本发明又一实施方式的LCD布置图；
图17是图16所示的LCD的TFT阵列板沿线XVII-XVII’剖切的剖面图；
图18是本发明再一实施方式的LCD的TFT阵列板布置图；
图19是本发明另一实施方式的LCD的共用电极板布置图；
图20是包括图18所示的TFT阵列板和图19所示的共用电极板的LCD布置图；
图21是图20所示的LCD沿线XXI-XXI’剖切的剖面图；
图22是图20所示的LCD沿线XXII-XXII’和XXII’-XXII”剖切的剖面图；
图23是根据本发明又一实施方式的LCD的TFT阵列板布置图；
图24是包括图23所示的TFT阵列板的LCD沿线XXIV-XXIV’剖切的剖面图；
图25是包括图23所示的TFT阵列板的LCD沿线XXV-XXV’和XXV’-XXV”剖切的剖面图；
图26是根据本发明再一实施方式的LCD布置图；以及
图27是图26所示的LCD沿线XXVII-XXVII’剖切的剖面图。
具体实施方式
下面将参照示出了本发明优选实施方式的附图更充分地描述本发明。当然，本发明可以多种不同的形式实施，而不限于在此提出的实施方式。
为清楚起见，附图中放大了层、膜和区的厚度。相同的附图标记始终表示相同的元件。可以理解，若称如层、膜、区或基底的元件在另一元件“上”时，其可以直接在所述的另一元件上，也可存在插入元件。可是，若称元件“直接”在另一元件“上”时，则不存在插入元件。
现在，参照附图描述本发明实施方式的液晶显示器(LCD)和LCD的薄膜晶体管(TFT)阵列板。
参照图1至5具体描述本发明一实施方式的LCD。
图1是本发明一实施方式的LCD的TFT阵列板布置图；图2是本发明一实施方式的LCD的共用电极板布置图；图3是包括图1所示的TFT阵列板和图2所示的共用电极板的LCD布置图；图4是图3所示的LCD沿线IV-IV’剖切的剖面图；图5是图3所示的LCD沿线V-V’和V’-V”剖切的剖面图。
本发明一实施方式的LCD包括TFT阵列板100、面向TFT阵列板100的共用电极板200和置于TFT阵列板100与共用电极板200之间的LC层300。
现在参照图1、4和5具体描述TFT阵列板100。
在绝缘基底110上形成多条栅极线121和多条储存电极线131。
栅极线121基本上沿横向延伸并彼此分开，且传输栅极信号。每条栅极线121包括形成多个栅电极123的多个突起和具有用于与另一层或外部装置接触的大的面积的端部125。
每条储存电极线131基本上沿横向延伸，并包括形成储存电极133的多个突起。每个储存电极133具有菱形或旋转大约45度的矩形形状，并位于靠近栅极线121之处。向储存电极线131提供如共用电压之类的预定电压，该共用电压施加在LCD的共用电极板200上的共用电极270上。
栅极线121和储存电极线131具有包括设有不同物理特性的两层膜、下部膜和上部膜的多层结构。上部膜优选由低电阻率的金属构成，包括含Al金属，如Al和Al合金；含Ag金属，如Ag和Ag合金；或含Cu金属，如Cu和Cu合金，用于减小栅极线121和储存电极线131中的信号延迟或压降。另一方面，下部膜优选由具有优良的物理、化学和与如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的其它材料电接触的性能的材料构成，如Cr、Mo、Mo合金、Ta或Ti。下部膜材料和上部膜材料的理想典型组合为Cr和Al-Nd合金。图4中，栅极123的下部膜和上部膜分别由附图标记231和232表示；端部125的下部膜和上部膜分别由附图标记251和252表示；储存电极133的下部膜和上部膜分别由附图标记331和332表示。去除栅极线121的端部125的部分上部膜252，以露出下部膜251的下面部分。
栅极线121和储存电极线131可以具有单层结构或可包括三层或更多层。
另外，栅极线121和储存电极线131的侧面相对于基底110的一表面倾斜，其倾斜角范围大约为30至80度。
在栅极线121和储存电极线131上形成优选由氮硅化合物(SiNx)构成的栅极绝缘层140。
在栅极绝缘层140上形成优选由氢化非晶硅(缩写为“a-Si”)或多晶硅构成的多个半导体带151。每个半导体带151基本上沿纵向延伸，同时周期性弯曲。每个半导体带151具有朝栅电极123向外分支的多个突起154。
在半导体带151上形成由硅化物或优选用如磷(P)之类的n型杂质重掺杂的n+氢化a-Si构成的多个欧姆接触带和岛161和165。每个欧姆接触带161具有多个突起163，突起163和欧姆接触岛165成对地位于半导体带151的突起154上。
半导体带151和欧姆接触161和165的侧面相对于基底110的所述表面倾斜，其倾斜角优选在大约为30至80度范围之间。
在欧姆接触161和165以及栅极绝缘层140上形成彼此分开的多条数据线171和多个漏极175。
用于传送数据电压的数据线171基本上沿纵向延伸，并与栅极线121和储存电极线131相交。每条数据线171具有端部179，该端部具有用于与另一层或外部装置接触的大的面积，每条数据线包括多对倾斜部分和多个纵向部分，使其周期性弯曲。一对倾斜部分彼此连接以形成V形，该对倾斜部分的相对端与各自的纵向部分连接。数据线171的倾斜部分与栅极线121成大约45度角，纵向部分跨过栅电极123。一对倾斜部分的长度是纵向部分长度的大约一至九倍，即，占该对倾斜部分和纵向部分总长度的大约50％至90％。
每个漏极175包括与储存电极133重叠的矩形或菱形扩展部。漏极175的扩展部的边基本上与储存电极133的边平行。数据线171的每个纵向部分包括多个突起，致使包括突起的纵向部分形成部分围绕漏极175端部的源电极173。每组栅电极123、源电极173和漏极175与半导体带151的突起154一起形成具有沟道的TFT，该沟道形成于设置在源电极173与漏极175之间的半导体突起154中。
数据线171和漏极175还包括优选由Mo、Mo合金或Cr构成的下部膜711和751以及位于其上且优选由含Al金属构成的上部膜712和752。图4和5中，源电极173的下部膜和上部膜分别由附图标记731和732表示；数据线171的端部179的下部膜和上部膜分别由附图标记791和792表示。去除数据线171的扩展部179和漏极175的部分上部膜792、752，以露出下部膜791和751的下面部分。
与栅极线121和储存电极线131类似，数据线171和漏极175具有倾斜侧面，其倾斜角的范围大约为30至80度。
欧姆接触161和165仅置于下面的半导体带151及其上的上覆数据线171和上覆漏极175之间，并降低其间的接触电阻。
在数据线171和漏极175、以及未被数据线171和漏极175覆盖的半导体带151的暴露部分上形成钝化层180。钝化层180优选由具有良好平坦特性的光敏有机材料、如通过等离子增强化学汽相淀积(PECVD)形成的a-Si:C:O和a-Si:O:F的低介电绝缘材料、或者如氮化硅和氧化硅之类的无机材料构成。钝化层180可以具有包括下部无机膜和上部有机膜的双层结构。
钝化层180具有多个接触孔181b和183b，其分别露出漏极175和数据线171的端部179。钝化层180和栅极绝缘层140具有多个接触孔182b，其露出栅极线121的端部125。接触孔181b、182b和183b可以具有各种形状，如多边形或圆形。每个接触孔182b或183b的面积优选等于或大于约0.5mm×15μm，且不大于约2mm×60μm。接触孔181b、182b和183b的侧壁181a、182a和183a倾斜大约30至85度角或具有台阶状外形。
在钝化层180上形成优选由ITO或IZO构成的多个像素电极190和多个接触辅助部分95和97。可选择的是，像素电极191可以由透明导电聚合物构成，对于反射型LCD，像素电极191由不透明的反射型金属构成。在这些情况下，接触辅助部分192和199可以由如不同于像素电极191的ITO或IZO之类的材料构成。
每个像素电极190基本上位于由数据线171和栅极线121包围的区域内，因此其也形成V形。像素电极190覆盖包括储存电极133的储存电极线131和漏极175的扩展部，并具有基本上平行于储存电极133的边的倒角边(chamfered edges)，储存电极133的边靠近该倒角边。
像素电极190通过接触孔181b物理和电性连接到漏极175，由此像素电极190从漏极175接收数据电压。提供有数据电压的像素电极190协同共用电极270产生电场，该电场使置于其间的液晶分子310重新取向。
像素电极190和共用电极形成称为“液晶电容器”的电容器，在TFT截止后该电容器储存所施加的电压。设置与液晶电容器并联的称为“储存电容器”的附加电容器来提高电压储存量。通过以储存电极线131覆盖像素电极190实现储存电容器。通过在储存电极线131处设置突起(即储存电极)133、延长连接到像素电极190的漏极175、以及在漏极175与储存电极线131的储存电极133重叠处设置扩展部来提高储存电容器的电容，即储存电容，用于减小端子间的距离和增加重叠面积。
像素电极190与数据线171和栅极线121重叠以增加孔径比。
接触辅助部分95和97通过接触孔181b和182b分别连接到栅极线121的暴露端部125和数据线171的暴露部分179。接触辅助部分95和97保护暴露部分125和179并补偿暴露部分125和179与外部装置的粘附性。
最后，在像素电极190和钝化层180上形成对准层11。
下面参照附图2、4和5描述共用电极板200。
在如透明玻璃的绝缘基底210上形成称为黑矩阵220的光阻挡部件，该部件包括多个面对数据线171倾斜部分的倾斜部分和多个面对TFT与数据线171纵向部分的直角三角形部分，由此光阻挡部件220可防止像素电极190之间的光泄漏，并限定面对像素电极190的开口区。光阻挡部件220的每个三角形部分具有平行于像素电极190的倒角边的斜边。
在基底210和光阻挡部件220上形成多个滤光器230，其基本上设置在由光阻挡部件220限定的开口区中。设置在相邻两条数据线171中且纵向布置的滤光器230可以彼此连接以形成带。每个滤光器230可以显示如红、绿和蓝光的三原色光之一。
在滤光器230和光阻挡部件220上形成优选由有机材料构成的上覆层250。上覆层250保护滤光器230并具有平坦的上表面。
在上覆层250上形成优选由如ITO和IZO之类的透明导电材料构成的共用电极270。共用电极270提供有共用电压，其具有多个V形切口271和多个矩形或菱形开口279。
每个切口271包括一对彼此连接的倾斜部分、与倾斜部分之一连接的横向部分和与另一倾斜部分连接的纵向部分。切口271的倾斜部分基本上与数据线171的倾斜部分平行延伸并面对像素电极190，由此其可以将像素电极190分为左右两半。切口271的横向和纵向部分分别与像素电极190的横向和纵向边对齐，且它们与切口271的倾斜部分形成钝角。设置切口271用于控制LC层300中LC分子310的倾斜方向，并优选使所述切口的宽度在约9至12微米之间的范围。切口271也可以用突起替代，所述突起优选由有机材料构成，其宽度优选为约5至10微米的范围。
开口279面对与漏极175或储存电极133相对的像素电极190，由此在不降低孔径比的情况下可减小LC电容器的电容。图中示出的每个开口279与切口271连接，当然也可以不连接。
在扩大像素电极190时，也增加了相关LC电容器的电容。LC电容的增加随之增加了LC电容器的充电时间，由此降低了其充电的速率。而且，需要增加相关储存电容器的电容用于保持LC电容器与储存电容器之间的电容比。储存电容的增加要求像素电极190与相关储存电极133之间更大的重叠面积，这就要求储存电极133的面积更大，由此降低了孔径比。所以，开口279可防止LC电容的增加和随之而来的储存电容的增加，由此增加了LC电容器的充电速率和孔径比。
在共用电极270上覆盖同类(homogeneous)或同型(homeotropic)对准层21。
在板100和200的外表面上设置一对偏振器12和22，使它们的透射轴相交，且透射轴中之一与栅极线121平行。
所述LCD还可以包括用于补偿LC层300的延迟的至少一个延迟膜和用于为LCD提供光的背光单元。
LC层300具有负介电各向异性，并对准LC层300中的LC分子310，使得其长轴在没有电场的情况下基本上与板100和200的所述表面垂直。
当向共用电极270施加共用电压并向像素电极190施加数据电压时，产生基本上与板100和200的所述表面垂直的主电场。LC分子310响应电场而倾向于改变其取向，由此其长轴垂直于场方向。同时，共用电极270的切口271和像素电极190的边使主电场变形，以具有决定LC分子310的倾斜方向的水平分量。主电场的水平分量与切口271的边和像素电极190的边垂直。
因此，在LC层300位于像素电极190上的像素区中形成具有不同倾斜方向的四个子区，此四个子区由像素电极190的边、把像素电极190一分为二的切口271、以及通过切口271的倾斜部分的会合点的假想横向中心线分隔。每个子区具有分别由切口271和像素电极190的倾斜边限定的两条主边，其间隔优选为大约10至约30微米。如果像素区的平面面积小于约100×300平方微米，则像素区中子区数量优选为4，若不小于约100×300平方微米，则优选为4或8。子区的数量可以通过改变共用电极270的切口271的数量、通过在像素电极190设置切口、或通过改变像素电极190的边的弯曲点的数量而改变。根据倾斜方向，子区可分成多个域，优选为4个域(domain)。
同时，由像素电极190之间的电压差引起的次电场的方向垂直于切口271的边。因此，次电场的场方向与主电场的水平分量的场方向一致。所以，像素电极190之间的次电场加强了LC分子310的倾斜方向的确定。
因为LCD进行如点转换、列转换等转换，将具有相对于共用电压相反极性的数据电压提供给相邻的像素电极，因此相邻像素电极之间几乎总是产生次电场以提高所述域的稳定性。
因为所有域的倾斜方向与平行或垂直于板100和200的边的栅极线121成约45度角，并且倾斜方向与偏振器透射轴的45度交叉提供了最大的透射性，可以将偏振器附加成使得其透射轴平行或垂直于板100和200的边，这可降低生产成本。
因为电场的变形和由于数据线171宽度的增加而引起的寄生电容的增加可以通过使像素电极190的尺寸最大化和采用厚的有机钝化层得到补偿，所以由于弯曲而引起的数据线171的电阻增加可以通过加宽数据线171得到补偿。
图1至5所示的LCD可以具有几种变型。
例如，像素电极191与共用电极270可以具有用于产生边缘场的切口(未示出)。而且，切口可以用设置在共用电极270或像素电极190上的突起替代。
切口或突起的形状和布置可以根据如像素尺寸、像素电极的横向边与纵向边的比例、以及液晶层300的类型和性能等设计因素而变化。
作为变型的另一实例，像素电极190和共用电极270可以没有用于控制LC层分子倾斜方向的切口或突起。
而作为变型的又一实例，LC层300可以具有正介电各向异性，并以扭相列模式对准，而其中的LC分子沿平行于板100和200的表面对准，并且在没有电场的情况下从TFT阵列板100到共用电极板200扭曲成近似直角。
再作为变型的又一实例，像素电极190、数据线171、半导体带151、欧姆接触带161、光阻挡部件220、滤光器230等可以呈直线形或矩形，而不呈弯曲形、斜形、菱形或平行四边形。
现在具体描述根据本发明一实施方式的图1至5所示的TFT阵列板的制造方法。
首先，依次在绝缘基底110上溅射优选由Cr、Mo或Mo合金构成的下导电膜和优选由含Al金属或含Ag金属构成的上导电膜，且对其依次进行湿法蚀刻或干法蚀刻以形成多条栅极线121和包括多个储存电极133的多条储存电极线131，每一条栅极线121包括多个栅电极123和扩展部125。
顺序化学汽相沉积大约1500至5000的栅极绝缘层140、约500至2000厚的本征a-Si层、以及约300至600厚的非本征a-Si层后，对非本征a-Si层和本征a-Si层进行光刻，以在栅绝缘层140上形成包括多个突起154的多条非本征半导体带和多条本征半导体带151。
接着，依次溅射包括下导电膜和上导电膜并具有1500至3000厚度的两个导电膜，并对其构图，以形成多条数据线171、以及多个漏极175，每条数据线包括多个源电极173和扩展部179。下导电膜优选由Cr、Mo或Mo合金构成，上导电膜优选由含Al金属或含Ag金属构成。
此后，除去没有由数据线171和漏极175覆盖的非本征半导体带部分，以完成包括多个突起163的多个欧姆接触带161和多个欧姆接触岛165，并露出部分本征半导体带151。为了使半导体带151的暴露表面稳定，接着优选进行氧等离子体处理。
下一步，覆盖由光敏有机绝缘体构成的钝化层180，并通过具有多个透射区和设置在透射区附近的多个狭缝区的光掩模曝光。因此，面对透射区的钝化层180的部分吸收光的全部能量，同时面对狭缝区的钝化层180的部分部分地吸收光能。然后对钝化层180显影，以形成多个分别露出部分漏极175和数据线171的部分扩展部179的接触孔181b和183b，并形成露出设置在栅极线121的扩展部125上的部分栅极绝缘层140的多个接触孔182b的上部。因为去除面对透射区的部分钝化层180的全部厚度，虽然面对狭缝区的部分保持具有减小的厚度，但是接触孔181b、182b和183b的侧壁181a、182a和183a具有台阶外形。
除去栅极绝缘层140的暴露部分以露出下面的部分栅极绝缘层140的扩展部125后，除去漏极175、数据线171的扩展部179和栅极线121的扩展部125的上导电膜752、792和252的暴露部分，以露出漏极175、数据线171的扩展部179和栅极线121的扩展部125的下导电膜751、791和251的下部。
最后，通过溅射和光蚀刻厚度为约400至500的IZO或ITO层，使多个像素电极190和多个接触辅助部分92和97形成在钝化层180及漏极175、栅极线121的扩展部125和数据线171的扩展部179的下导电膜751、791和251的暴露部分上。
参照图6至8具体描述本发明另一实施方式的LCD。
图6是本发明另一实施方式的LCD的TFT阵列板的布置图；图7是包括图6所示的TFT阵列板的LCD沿线VII-VII’剖切的剖面图；图8是包括图6所示的TFT阵列板的LCD沿线VIII-VIII’和VIII’-VIII”剖切的剖面图。
参照图6至8，根据本实施方式的LCD也包括TFT阵列板100、共用电极板200和置于其间的LC层300。
本实施方式的板100和200的分层结构几乎与图1至5所示的相同。特别是，共用电极板200可以具有基本上和图2所示相同的设计。
对于TFT阵列板100，在基底110上形成多条包括多个栅电极123的栅极线121和包括多个储存电极133的多条储存电极线131，依次在其上形成栅极绝缘层140、包括多个突起154的多个半导体带151、包括多个突起163的多个欧姆接触带161和多个欧姆接触岛165。使包括多个源电极173的多条数据线171和包括扩展部的多个漏极175形成在欧姆接触161和165上，钝化层180形成于其上。在钝化层180和栅极绝缘层140上设置多个接触孔181b、182b和183b，多个像素电极190和多个接触辅助部分95和97形成在钝化层180上。对准层11形成于其上。
对于共用电极板200，在绝缘基底210上形成光阻挡部件220、多个滤光器230、上覆层250、具有多个开口279的共用电极270和对准层21。
与图1至5所示的LCD不同的是，半导体带151具有和数据线171和漏极175以及下面的欧姆接触161和165几乎相同的平面形状。但半导体带151的突起154包括一些暴露部分，这些暴露部分，例如位于源电极173与漏极175之间的那些部分没有被数据线171和漏极175覆盖。
根据一实施方式的TFT阵列板的制造方法，使用一种光刻工艺同时形成数据线171、漏极175、半导体151和欧姆接触161和165。
用于光刻工艺的光致抗蚀剂图形具有与位置有关的厚度，特别是，其具有厚度减小的第一和第二部分。第一部分位于由数据线171和漏极175占据的引线区上，第二部分位于TFT的沟道区上。
通过几种工艺获得光致抗蚀剂的与位置有关的厚度，例如，通过在曝光掩模300上设置半透明区以及透明区和光阻挡不透明区。半透明区可以具有狭缝图形、网格图形，薄膜具有中等透射性或中等厚度。当使用狭缝图形时，狭缝宽度或狭缝间的距离优选小于用于光刻的曝光机的分辨率。另一个例子是使用可回流光致抗蚀剂。具体地说，若通过仅具有透明区和不透明区的普通曝光掩模形成由回流材料构成的光致抗蚀剂图形，对其进行回流工艺使其流到没有光致抗蚀剂的区域上，由此形成薄的部分。
结果，由于省去了光刻步骤而简化了制造工艺。
所述图1至5所示的LCD的很多特点可适用于图6至8所示的LCD。
参照图9和10具体描述本发明又一实施方式的LCD。
图9是本发明又一实施方式的LCD的布置图；图10是图9所示的LCD沿线X-X’剖切的剖面图。
参照图9至10，本实施方式的LCD也包括TFT阵列板100、共用电极板200和置于其间的LC层300。
本实施方式的板100和200的分层结构几乎与图1至5所示的相同。
对于TFT阵列板100，在基底110上形成多个栅电极123的多条栅极线121和包括多个储存电极133的多条储存电极线131，且依次在其上形成栅极绝缘层140、包括多个突起154的多个半导体带151、包括多个突起163的多个欧姆接触带161和多个欧姆接触岛165。包括多个源电极173的多条数据线171和包括扩展部的多个漏极175形成在欧姆接触161和165上，钝化层180形成于其上。在钝化层180和栅极绝缘层140上设置多个接触孔181、182b和183b，并使多个像素电极190和多个接触辅助部分95和97形成在钝化层180上。对准层11形成于其上。
对于共用电极板200，在绝缘基底210上形成光阻挡部件220、多个滤光器230、上覆层250、具有多个开口279的共用电极270、以及对准层21。
与图1至5所示的LCD不同的是，每个像素电极190具有切口191。每个切口191包括一对平行于数据线171延伸的倾斜部分，并将像素电极190分为形成子像素区对Pa和Pb的左右两个分区。另外，共用电极270具有平行于切口191并把像素电极190的分区分为左右部分的多对切口271a和271b。图中示出一对切口271a和271b通过其端部的开口279连接。
另外，储存电极133、漏极175的扩展部、漏极175的接触孔181的暴露部分和开口279为平行四边形。
尽管图中示出了形成像素电极190的一对分区处于相邻数据线171之间，但是所述分区也可以由数据线171隔开。
所述图1至5所示的LCD的很多特点可适用于图9和10所示的LCD。
尽管图1至10示出的像素电极190、数据线171等是弯曲的，但它们也可以是直的或直角的。另外，也可以改变切口271和开口279的形状和布置。
参照附图11和12具体描述本发明再一实施方式的LCD。
图11是本发明再一实施方式的LCD的布置图；图12是图11所示的LCD沿线XII-XII’剖切的剖面图。
参照图11至12，本实施方式的LCD也包括TFT阵列板100、共用电极板200和置于其间的LC层300。
本实施方式的板100和200的分层结构几乎与图1至5所示的相同。
对于TFT阵列板100，在基底110上形成包括多个栅电极123的多条栅极线121，且栅极绝缘层140、包括多个突起154的多个半导体带151、以及包括多个突起163的多个欧姆接触带161和多个欧姆接触岛165依次形成于其上。包括多个源电极173的多条数据线171和多个漏极175形成在欧姆接触161和165上，钝化层180形成于其上。在钝化层180和栅极绝缘层140上设置多个接触孔181、182和183，多个像素电极190和多个接触辅助部分95和97形成在钝化层180上。
对于共用电极板200，在绝缘基底210上形成光阻挡部件220、多个滤光器230、上覆层250、和具有多个开口279的共用电极270。
与图1至5所示的LCD不同的是，像素电极190、数据线171、半导体带151、欧姆接触带161、光阻挡部件220、滤光器230等是直的或矩形的，而不是弯曲的、倾斜的、菱形的或平行四边形的。
另外，像素电极190和共用电极270没有用于获得多重域的切口或突起，LC层300优选具有正介电各向异性，并以扭相列模式对准，其中的LC分子平行于板100和200的表面对准，在没有电场的情况下从TFT阵列板100到共用电极板200扭曲成近似直角。当然，这只是一种选择。
而且，LCD没有用于形成储存电容器的储存电极线。取而代之的是，每条栅极线121具有多个向下突出的突起127，以与像素电极190重叠，由此形成储存电容器，在像素电极190和突起127之间设置通过钝化层180中的接触孔187与像素电极190连接的多个储存电容器导体177，以增加储存电容。当然，在储存电容不足的情况下，LCD可以包括储存电极线。
开口279不面对漏极175而面对突起127和储存电容器导体177。
尽管栅极线121、数据线171、漏极175和储存电容器导体177可以具有多层结构，但它们由单层构成。栅极线121优选由含Al金属、含Ag金属、含Cu金属、Cr、Mo、Mo合金、Ta或Ti构成，数据线171优选由例如Cr、Mo、Mo合金、Ta和Ti之类的高熔点金属构成。
图中示出，尽管半导体带151在大多数位置比数据线171窄，但其在栅极线121附近变宽，由此使表面轮廓平坦，以防止数据线171断开。
所述图1至5所示的LCD的很多特点可适用于图11和12所示的LCD。
参照附图13至15具体描述根据本发明另一实施方式的LCD。
图13是本发明另一实施方式的LCD的布置图；图14是图13所示的LCD沿线XIV-XIV’剖切的剖面图，图15是图13所示的LCD的沿线XV-XV’和XV’-XV”剖切的剖面图。
参照图13至15，本实施方式的LCD也包括TFT阵列板100、共用电极板200和置于其间的LC层300。
本实施方式的板100和200的分层结构几乎与图11至12所示的相同。
对于TFT阵列板100，在基底110上形成包括多个栅电极123的多条栅极线121，且栅极绝缘层140、包括多个突起154的多个半导体带151、以及包括多个突起163的多个欧姆接触带161和多个欧姆接触岛165依次形成于其上。包括多个源电极173的多条数据线171和多个漏极175形成在欧姆接触161和165上，钝化层180形成于其上。在钝化层180和栅极绝缘层140上设置多个接触孔181、182和183，多个像素电极190和多个接触辅助部分95和97形成在钝化层180上。
对于共用电极板200，在绝缘基底210上形成光阻挡部件220、多个滤光器230、上覆层250、具有多个开口279的共用电极270。
与图11和12所示的LCD不同的是，本实施方式的TFT阵列板设有多条储存电极线131，其与栅极线121分开，并与栅极线121在相同的层上，而没有栅极线121的突起。储存电极线131提供有预定电压，例如共用电压。另外，在没有设置图11和12所示的储存电容器导体177的情况下，漏极175延伸覆盖储存电极线131而形成储存电容器。如果由栅极线121和像素电极191的重叠而产生的储存电容足够大，可以省去储存电极线131。
开口279面对漏极175的扩展部和储存电极线131。
而且，半导体带151具有与数据线171和漏极175以及下面的欧姆接触161和165几乎相同的平面形状。但半导体带151的突起154包括一些暴露部分，这些部分没有被数据线171和漏极175覆盖，例如源电极173与漏极175之间的部分。
所述图11和12所示的LCD的很多特点可适用于图13至15所示的LCD。
参照附图16和17具体描述本发明又一实施方式的LCD。
图16是本发明又一实施方式的LCD的布置图；图17是图16所示的LCD沿线XVII-XVII’剖切的TFT阵列板的剖面图。
参照图16和17，本实施方式的LCD也包括TFT阵列板100、共用电极板(未示出)和置于其间的LC层(未示出)。
本实施方式的板的分层结构几乎与图11至12所示的相同。
对于TFT阵列板100，在基底110上形成包括多个栅电极123和多个突起127的多条栅极线121，且栅极绝缘层140、包括多个突起154的多个半导体带151、以及包括多个突起163的多个欧姆接触带161和多个欧姆接触岛165依次形成于其上。包括多个源电极173的多条数据线171、多个漏极175、以及多个存储电容器导体177形成在欧姆接触161和165及栅极绝缘层140上，钝化层180形成于其上。在钝化层180和栅极绝缘层140上设置多个接触孔181、182、183和187，多个像素电极190和多个接触辅助部分95和97形成在钝化层180上。
对于共用电极板，在绝缘基底210上形成光阻挡部件(未示出)、以及具有多个开口279的共用电极(未示出)。
与图11和12所示的LCD不同的是，本实施方式的TFT阵列板在钝化层180下设置了多个红、绿和蓝色滤光器带R、G和B，而在共用电极板上不设滤光器。每个滤光器带R、G和B基本设置在相邻的两条数据线171之间，并沿纵向延伸。滤光器带R、G和B具有多个开口C1和C2，这些开口使漏极175和储存电容器导体177露出，并分别围绕接触孔181和187。然而，接触孔181和187可以全部露出开口C1和C2，还可以露出滤光器R、G和B的上表面，由此使像素电极190和漏极175与储存电容器导体177间的接触轮廓平滑。滤光器带R、G和B未设置在具有栅极线121和数据线179的扩展端部125和179的周边区域。尽管图中示出相邻滤光器带R、G和B的边彼此精确配合，但滤光器带R、G和B在数据线171上可以彼此重叠以增强光的阻挡，或者其可以彼此隔开。
而且，在共用电极板上没有上覆层，当然这是可选择的。
栅极线121包括优选由低电阻系数材料，如含Al金属、含Ag金属和含Cu金属构成的下部膜和优选由良好的接触材料，如Cr、Mo、Mo合金、Ta或Ti构成的上部膜。图17中，栅电极123的下部膜和上部膜分别由附图标记231和232表示，端部125的下部膜和上部膜分别由附图标记251和252表示，突起127的下部膜和上部膜分别由附图标记271和272表示。
所述图11和12所示的LCD的很多特点可适用于图16和17所示的LCD。
参照附图18至22具体描述根据本发明再一实施方式的LCD。
图18是本发明再一实施方式的LCD的TFT阵列板的布置图；图19是本发明再一实施方式的LCD的共用电极的布置图；图20是包括图18所示的TFT阵列板和图19所示的共用电极板的LCD的布置图；图21是图20所示的LCD沿线XXI-XXI’剖切的剖面图；图22是图20所示的LCD沿线XXII-XXII’和XXII’-XXII”剖切的剖面图。
参照图18至22，本实施方式的LCD也包括TFT阵列板100、共用电极板200和置于其间的LC层300。
本实施方式的板100和200的分层结构几乎与图1至5所示的相同。
对于TFT阵列板100，在基底110上形成包括多个栅电极123的多条栅极线121和多条储存电极线131，使栅极绝缘层140、包括多个突起154的多个半导体带151、以及包括多个突起163的多个欧姆接触带161和多个欧姆接触岛165依次形成于其上。包括多个源电极173的多条数据线171和多个漏极175形成在欧姆接触161和165上，使钝化层180形成于其上。在钝化层180和栅极绝缘层140上设置多个接触孔181、182和183，多个像素电极190和多个接触辅助部分95和97形成在钝化层180上。对准层11形成于其上。
对于共用电极板200，在绝缘基底210上形成光阻挡部件220、多个滤光器230、上覆层250、具有多个切口271的共用电极270、以及对准层21。
与图1至5所示的LCD不同的是，储存电极线131设置在像素电极190的中心附近，其包括多个平行于数据线171而向上和向下倾斜延伸的分支，以形成储存电极133。另外，漏极175也沿着储存电极133延长，储存电极133和漏极175与共用电极270的切口271重叠。但像素电极190没有单独的矩形、菱形或平行四边形开口。
因为储存电极133通过很长的距离与漏极175重叠，所以获得了足够大的储存电容。而且，由于储存电极133和漏极175与切口271重叠，因此其延长并未引起孔径比的降低。所以，与图1至5所示的结构相比，通过在共用电极270中省去开口，孔径比可以获得相当大的提高。
另外，因为存储电极133和漏极设置在域的边界，因此像素设计和储存电容的自由度很高。
所述图1至5所示的LCD的很多特点可适用于图18至22所示的LCD。
参照图23至25具体描述本发明另一实施方式的LCD。
图23是本发明另一实施方式的LCD的TFT阵列板的布置图；图24是包括图23所示的TFT阵列板的LCD沿线XXIV-XXIV’剖切的剖面图；图25是包括图23所示的TFT阵列板的LCD沿线XXV-XXV’和XXV’-XXV”剖切的剖面图。
参照图23至25，本实施方式的LCD也包括TFT阵列板100、共用电极板200和置于其间的LC层300。
本实施方式的板100和200的分层结构几乎与图18至22所示的结构相同。特别是，共用电极板200可以具有与图19所示基本相同的设计。
对于TFT阵列板100，在基底110上形成包括多个栅电极123的多条栅极线121和包括多个存储电极133的多条储存电极线131，使栅极绝缘层140、包括多个突起154的多个半导体带151、以及包括多个突起163的多个欧姆接触带161和多个欧姆接触岛165依次形成于其上。包括多个源电极173的多条数据线171和多个漏极175形成在欧姆接触161和165上，钝化层180形成于其上。在钝化层180和栅极绝缘层140上设置多个接触孔181、182和183，多个像素电极190和多个接触辅助部分95和97形成在钝化层180上。对准层11形成于其上。
对于共用电极板200，在绝缘基底210上形成光阻挡部件220、多个滤光器230、上覆层250、具有多个切口271的共用电极270、以及对准层21。
与图18至22所示的LCD不同的是，半导体带151具有与数据线171、漏极175以及下面的欧姆接触161和165几乎相同的平面形状。但半导体带151的突起154包括一些没有被数据线171和漏极175覆盖的暴露部分，例如位于源电极173与漏极175之间的部分。
所述图18至22所示的LCD的很多特点可适用于图23至25所示的LCD。
参照附图26和27具体描述根据本发明又一实施方式的LCD。
图26是本发明又一实施方式的LCD的布置图；图27是图26所示的LCD沿线XXVII-XXVII’剖切的剖面图。
参照图26和27，本实施方式的LCD也包括TFT阵列板100、共用电极板200和置于其间的LC层300。
根据本实施方式的板100和200的分层结构几乎与图18至22所示的结构相同。
对于TFT阵列板100，在基底110上形成包括多个栅电极123的多条栅极线121和包括多个存储电极133的多条储存电极线131，使栅极绝缘层140、包括多个突起154的多个半导体带151、以及包括多个突起163的多个欧姆接触带161和多个欧姆接触岛165依次形成于其上。包括多个源电极173的多条数据线171和多个漏极175形成在欧姆接触161和165上，钝化层180形成于其上。在钝化层180和栅极绝缘层140上设置多个接触孔181、182和183，多个像素电极190和多个接触辅助部分95和97形成在钝化层180上。
对于共用电极板200，在绝缘基底210上形成光阻挡部件220、上覆层250、和具有多个切口271的共用电极270。
与图18至22所示的LCD不同的是，每个像素电极190具有切口191。每个切口191包括一对平行于数据线171延伸的倾斜部分，并将像素电极190分为形成一对子像素区Pa和Pb的左和右部分。另外，共用电极270具有平行于切口191并将像素电极190的区分为左和右部分的多对切口271a和271b。
储存电极线131设置在栅极线121附近，并且每个储存电极133与共用电极270的左切口271a重叠。当然，储存电极133可以与共用电极270的右切口271b或像素电极190的切口191重叠。
储存电极线131还可以包括与切口191或271b重叠的附加储存电极(未示出)，在此情况下，漏极175可以包括与附加储存电极重叠的分支(未示出)。
储存电极133可以比图26所示的短，例如，可在像素电极190的中心附近终止。
另外，多个红、绿和蓝色滤光器带R、G和B形成在钝化层180的下面，而在共用电极板上不设滤光器。每个滤光器带R、G和B基本上设置在相邻的两条数据线171之间并沿纵向延伸，从而沿数据线171周期弯曲。接触孔181也穿过滤光器带R、G和B，从而露出漏极175。滤光器带R、G和B未设置在具有栅极线121及数据线171的扩展端部125和179的周边区域。尽管图中示出相邻滤光器带R、G和B的边缘彼此精确配合，但滤光器带R、G和B可以在数据线171上彼此重叠，以提高光的阻挡，或者它们可以彼此隔开。
尽管图中示出一对形成像素电极190的分区被置于相邻的数据线171之间，但是这些分区可以由数据线171分开。
所述图18至22所示的LCD的很多特点可适用于图26和27所示的LCD。
尽管图18至27示出的像素电极190、数据线171等是弯曲的，但其可以是直的或直角的。另外，切口191、271、271a和271b的形状和布置以及LC层300的类型和对准方式是可以改变的。
如上所述，本发明的实施方式在共用电极设置开口，这防止了LC电容的增加且随之使储存电容增大，由此提高了LC电容器的充电速率和孔径比。另外，这些实施方式使储存电极或漏极面对共用电极的切口，它们如像素电极一样弯曲，由此提高了像素设计的自由度，并提高了储存电容以及孔径比。
虽然已经参照优选实施方式具体描述了本发明，但本领域技术人员可以理解，在不超出如所附权利要求书提出的本发明的构思和范围的前提下，可以对其进行各种改型和替换。

Claims (36)

1.一种液晶显示器，包括：
一薄膜晶体管阵列板，其包括：
第一栅极线，
与所述栅极线相交的数据线，
第一薄膜晶体管，其包括与所述栅极线连接的栅电极、与所述数据线连接的源电极、以及漏极，
与所述漏极连接的第一像素电极，
与所述像素电极和所述漏极中至少之一重叠并夹有绝缘体的电容器电极；以及
一面对所述薄膜晶体管阵列板的共用电极板，其包括面对所述像素电极并具有面对所述漏极和所述电容器电极中至少之一的开口的共用电极。
2.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述数据线包括弯曲部分和与所述弯曲部分连接并与所述栅极线相交的交叉部分。
3.根据权利要求2所述的液晶显示器，其中，所述数据线的弯曲部分包括一对彼此连接并与所述栅极线成大约45度角的直线部分。
4.根据权利要求2所述的液晶显示器，其中，所述像素电极沿所述数据线的弯曲部分弯曲。
5.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述像素电极至少部分地与所述数据线重叠。
6.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，还包括：
与所述第一栅极线和所述数据线分开并邻近所述第一像素电极设置的第二栅极线；
与所述第二栅极线连接的第二薄膜晶体管；以及
与所述第二薄膜晶体管连接的第二像素电极。
7.根据权利要求6所述的液晶显示器，其中，所述电容器电极与所述第二栅极线连接。
8.根据权利要求7所述的液晶显示器，其中，还包括与所述像素电极电性连接并设置在所述电容器电极与所述像素电极之间的电容器导体。
9.根据权利要求6所述的液晶显示器，其中，所述电容器电极与所述第二栅极线断开。
10.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，还包括设置在所述薄膜晶体管阵列板和所述共用电极板的任何一个上的滤光器。
11.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，还包括置于所述薄膜晶体管阵列板与所述共用电极板之间的液晶层。
12.根据权利要求11所述的液晶显示器，其中，所述液晶层具有负各向异性并基本上垂直对准。
13.根据权利要求12所述的液晶显示器，其中，还包括控制所述液晶层中分子的倾斜方向的倾斜控制部件。
14.根据权利要求13所述的液晶显示器，其中，所述倾斜控制部件包括处于所述像素电极或所述共用电极中的切口。
15.根据权利要求13所述的液晶显示器，其中，所述倾斜控制部件包括在所述像素电极或所述共用电极上的突起。
16.根据权利要求1所述的液晶显示器，其中，还包括与所述栅电极相对设置并包括位于所述源电极与所述漏极之间的第一部分的半导体层。
17.根据权利要求16所述的液晶显示器，其中，所述半导体层还包括设置在所述数据线之下的第二部分。
18.根据权利要求17所述的液晶显示器，其中，除所述第一部分以外，所述半导体层具有与所述数据线、所述源电极和所述漏极基本相同的平面图形。
19.一种薄膜晶体管阵列板，包括：
基底；
形成在所述基底上并包括栅电极的栅极线；
形成在所述基底上并包括弯曲部分和与所述栅极线相交的交叉部分的数据线；
包括与所述栅极线连接的栅电极、与所述数据线连接的源电极、以及漏极的薄膜晶体管；
与所述漏极连接的像素电极；以及
与所述像素电极和所述漏极中至少之一重叠并夹有绝缘体的储存电极，
其中，所述漏极和所述储存电极中至少之一包括沿平行于所述数据线的所述弯曲部分延伸的部分。
20.根据权利要求19所述的薄膜晶体管阵列板，其中，所述数据线的所述弯曲部分包括相对于所述栅极线分别成大约45度的顺时针角和大约45度的逆时针角的一对部分。
21.根据权利要求19所述的薄膜晶体管阵列板，其中，所述漏极和所述储存电极彼此重叠。
22.根据权利要求19所述的薄膜晶体管阵列板，其中，所述源电极与所述数据线的交叉部分连接。
23.根据权利要求19所述的薄膜晶体管阵列板，其中，所述像素电极沿所述数据线的所述弯曲部分弯曲。
24.根据权利要求19所述的薄膜晶体管阵列板，其中，所述像素电极至少部分地与所述数据线重叠。
25.根据权利要求19所述的薄膜晶体管阵列板，其中，所述像素电极包括之间设有切口的一对分区。
26.根据权利要求19所述的薄膜晶体管阵列板，其中，还包括与所述栅电极相对设置并包括位于所述源电极与所述漏极之间的第一部分的半导体层。
27.根据权利要求26所述的薄膜晶体管阵列板，其中，所述半导体层还包括设置在所述数据线之下的第二部分。
28.根据权利要求27所述的薄膜晶体管阵列板，其中，除所述第一部分以外，所述半导体层具有与所述数据线、所述源电极和所述漏极基本相同的平面图形。
29.一种液晶显示器，包括：
一薄膜晶体管阵列板，其包括：
基底，
形成在所述基底上并包括栅电极的栅极线，
形成在所述基底上并包括弯曲部分和与所述栅极线相交的交叉部分的数据线，
包括与所述栅极线连接的栅电极、与所述数据线连接的源电极、以及漏极的薄膜晶体管，
与所述漏极连接的像素电极，
与所述像素电极和所述漏极中至少之一重叠并夹有绝缘体的储存电极；以及
一面对所述薄膜晶体管阵列板的共用电极板，其包括面对所述像素电极的共用电极。
30.根据权利要求29所述的液晶显示器，其中，还包括设置在所述薄膜晶体管阵列板和所述共用电极板的任何一个上的滤光器。
31.根据权利要求29所述的液晶显示器，其中，还包括置于所述薄膜晶体管阵列板与所述共用电极板之间并具有负各向异性且基本上垂直对准的液晶层。
32.根据权利要求29所述的液晶显示器，其中，还包括控制所述液晶层中分子的倾斜方向的倾斜控制部件。
33.根据权利要求32所述的液晶显示器，其中，所述倾斜控制部件包括在所述像素电极或所述共用电极中的切口。
34.根据权利要求32所述的液晶显示器，其中，所述倾斜控制部件包括在所述像素电极或所述共用电极上的突起。
35.根据权利要求32所述的液晶显示器，其中，所述倾斜控制部件与所述数据线平行地弯曲。
36.根据权利要求35所述的液晶显示器，其中，所述倾斜控制部件面对所述漏极和所述储存电极中至少之一。
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