CN1577094A - 光刻装置、器件制造方法和由此制造的器件 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种光刻投影装置，该装置包括用于提供辐射投射光束的辐射系统，用于根据所需图案对投射光束进行构图的构图装置(1)，以产生带图案的光束，用于支撑构图装置(1)的支撑结构，该支撑结构包括中间掩模版台，以及用于将带图案的光束投射到基底的目标部分上的投影系统。依据本发明的第一方面，该光刻装置还包括对接系统，用于相对中间掩模版台定位构图装置(1)。该光刻投影装置具有工作周期，该周期包括投影阶段和交换阶段，在投影阶段中投影系统将带图案的光束投射到基底的目标部分上，并且中间掩模版台承载构图装置(1)，在交换阶段中交换构图装置(1)，并且其中对接系统相对中间掩模版台定位构图装置(1)。依据本发明第一方面的光刻装置，其特征在于在投影阶段对接系统从构图装置(1)分离。在该方式下，获得投影图像的更高精确度。

Description

光刻装置、器件制造方法和由此制造的器件
技术领域
本发明涉及一种光刻投影装置，
包括：
-用于提供辐射投射光束的辐射系统；
-用于支撑构图装置的支撑结构，所述构图装置用于根据所需的图案对投射光束进行构图；
-用于保持基底的基底台；
-用于将带图案的光束投射到基底的目标部分上的投影系统。
背景技术
这里使用的术语“构图装置”应广义地解释为能够给入射的辐射光束赋予带图案的截面的装置，其中所述图案与要在基底的目标部分上形成的图案一致；本文中也使用术语“光阀”。一般地，所述图案与在目标部分中形成的器件如集成电路或者其它器件的特定功能层相对应(如下文)。这种构图装置的示例包括：
■掩模。掩模的概念在光刻中是公知的，它包括如二进制型、交替相移型、和衰减相移型的掩模类型，以及各种混合掩模类型。这种掩模在辐射光束中的布置使入射到掩模上的辐射能够根据掩模上的图案而选择性地被透射(在透射掩模的情况下)或者被反射(在反射掩模的情况下)。在使用掩模的情况下，支撑结构一般是一个掩模台，它能够保证掩模被保持在入射光束中的所需位置，并且如果需要该台会相对光束移动。
■可编程反射镜阵列。这种设备的一个例子是具有一粘弹性控制层和一反射表面的矩阵可寻址表面。这种装置的基本原理是(例如)反射表面的已寻址区域将入射光反射为衍射光，而未寻址区域将入射光反射为非衍射光。用一个适当的滤光器，从反射的光束中滤除所述非衍射光，只保留衍射光；按照这种方式，光束根据矩阵可寻址表面的定址图案而产生图案。可编程反射镜阵列的另一实施例利用微小反射镜的矩阵排列，通过使用适当的局部电场，或者通过使用压电致动器装置，使得每个反射镜能够独立地关于一轴倾斜。再者，反射镜是矩阵可寻址的，由此已寻址反射镜以与未寻址反射镜不同的方向将入射的辐射光束反射；按照这种方式，根据矩阵可寻址反射镜的定址图案对反射光束进行构图。可以用适当的电子装置进行该所需的矩阵定址。在上述两种情况中，构图装置可包括一个或者多个可编程反射镜阵列。关于这里提到的反射镜阵列的更多信息可以从例如美国专利US5,296,891、美国专利US5,523,193、PCT专利申请WO 98/38597和WO 98/33096中获得，这些文献在这里引入作为参照。在可编程反射镜阵列的情况中，所述支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的；和
■可编程LCD阵列，例如由美国专利US 5,229,872给出的这种结构，它在这里引入作为参照。如上所述，在这种情况下支撑结构可以是框架或者工作台，例如所述结构根据需要可以是固定的或者是可移动的。
为简单起见，本文的其余部分在一定的情况下具体以掩模和掩模台为例；可是，在这样的例子中所讨论的一般原理应适用于上述更宽范围的构图装置。
光刻投影装置可以用于例如集成电路(IC)的制造。在这种情况下，构图装置可产生对应于IC一个单独层的电路图案，该图案可以成像在已涂敷辐射敏感材料(抗蚀剂)层的基底(硅晶片)的目标部分上(例如包括一个或者多个管芯(die))。一般地，单一的晶片将包含相邻目标部分的整个网格，该相邻目标部分由投影系统逐个相继辐射。在目前采用掩模台上的掩模进行构图的装置中，有两种不同类型的机器。一类光刻投影装置是，通过将全部掩模图案一次曝光在目标部分上而辐射每一目标部分；这种装置通常称作晶片步进器或步进-重复装置。另一种装置(通常称作步进-扫描装置)通过在投射光束下沿给定的参考方向(“扫描”方向)依次扫描掩模图案、并同时沿与该方向平行或者反平行的方向同步扫描基底台来辐射每一目标部分；因为一般来说，投影系统有一个放大系数M(通常＜1)，因此对基底台的扫描速度V是对掩模台扫描速度的M倍。关于如这里描述的光刻设备的更多信息可以从例如美国专利US6,046,792中获得，该文献这里作为参考引入。
在用光刻投影装置的制造方法中，(例如在掩模中的)图案成像在至少部分由一层辐射敏感材料(抗蚀剂)覆盖的基底上。在这种成像步骤之前，可以对基底进行各种处理，如打底，涂敷抗蚀剂和弱烘烤。在曝光后，可以对基底进行其它的处理，如曝光后烘烤(PEB)，显影，强烘烤和测量/检查成像特征。以这一系列工艺为基础，对例如IC的器件的单层形成图案。这种图案层然后可进行任何不同的处理，如蚀刻、离子注入(掺杂)、镀金属、氧化、化学-机械抛光等完成一单层所需的所有处理。如果需要多层，那么对每一新层重复全部步骤或者其变化。最终，在基底(晶片)上出现器件阵列。然后采用例如切割或者锯割技术将这些器件彼此分开，单个器件可以安装在载体上，与管脚等连接。关于这些处理的进一步信息可从例如Peter van Zant的“微芯片制造：半导体加工实践入门(Microchip Fabrication：A Practical Guide toSemiconductor Processing)”一书(第三版，McGraw Hill PublishingCo.，1997，ISBN 0-07-067250-4)中获得，这里作为参考引入。
为了简单起见，投影系统在下文称为“镜头”；可是，该术话应广义地解释为包含各种类型的投影系统，包括例如折射光学装置，反射光学装置，和反折射系统。辐射系统还可以包括根据这些设计类型中任一设计的操作装置，该操作装置用于引导、整形或者控制辐射投射光束，这种部件在下文还可共同地或者单独地称作“镜头”。另外，光刻装置可以具有两个或者多个基底台(和/或两个或者多个掩模台)。在这种“多级式”器件中，可以并行使用这些附加台，或者可以在一个或者多个台上进行准备步骤，而一个或者多个其它台用于曝光。例如在美国专利US5,969,441和WO98/40791中描述的二级光刻装置，这里作为参考引入。
光刻装置的工作顺序包括投影阶段，在该阶段中投影系统工作。在投影阶段时，基底，例如晶片被曝光。在投影阶段时，中间掩模版台支撑构图装置。
光刻装置的工作顺序还包括交换阶段。在交换阶段时交换构图装置。在交换阶段中定位系统相对中间掩模版台定位构图装置。定位系统包括承载构图装置的中间掩模版载体。可以用不同的方式进行定位，例如通过测量和控制，或通过机械对接。在相对中间掩模版台定位构图装置后，中间掩模版台从中间掩模版载体接收构图装置，然后中间掩模版载体从中间掩模版台移去。固定部件相对中间掩模版台固定该构图装置。
在已知的光刻投影装置中，在中间掩模版台上部支撑构图装置。然而，由于近来的发展，需更构图装置位于中间掩模版台下面。这引入了新的设计问题。
当在中间掩模版台上部支撑构图装置时，重力有助于构图装置相对中间掩模版台保持其位置。构图装置通常位于中间掩模版台的凹进中，从而凹进的边缘和重力一起提供构图装置相对中间掩模版台的固定。在构图装置在中间掩模版台下面承载的情况中，这种解决方案不再可行。因此，打算通过将构图装置夹到中间掩模版台，例如通过静电夹具的方式相对中间掩模版台固定构图装置。
另外，需要构图装置上的接触面变得更强，该接触面可以接合，用于操作构图装置而不破坏构图装置的敏感区。已经提出了在构图装置边缘的接触面、支架或围绕构图装置圆周的框架，如欧洲专利申请02251364.2所述。作为替换方式，构图装置可以设有适合由其它机器部件接触的操作区。
然而，仍然有更多问题需要克服。一方面，由于其可靠、相对便宜和易于制造，使用机械对接系统相对中间掩模版台定位构图装置是有利的。另一方面，可以预见当使用机械对接系统时，不能实现投影图像的最优精确度。
此外，人们发现当构图装置从中间掩模版载体到中间掩模版台转移时，出现相对中间掩模版台定位构图装置的不精确。
另外，随着新的发展对减少停机时间的需求增加。
发明内容
本发明的第一目的是提供一种光刻装置，其中使用机械对接用以相对中间掩模版台定位构图装置，但是与已知的使用机械对接的光刻系统相比，提高了投射到基底上的图像的精确度。
依据本发明第一方面在一种光刻投影装置中实现上述和其他目的，该装置包括：
-用于提供辐射投射光束的辐射系统；
-用于根据所需图案对投影光束进行构图的构图装置，以产生带图案的光束；
-用于支撑构图装置的支撑结构，该支撑结构包括中间掩模版台；
-用于将带图案的光束投射到基底的目标部分上的投影系统；
-用于相对中间掩模版台定位构图装置的对接系统；
该光刻投影装置具有工作周期，该周期包括：
-投影阶段，其中投影系统将带图案的光束投射到基底的目标部分上，并且其中中间掩模版台支撑构图装置；
-交换阶段，其中交换构图装置，并且其中对接系统相对中间掩模版台定位构图装置；
其特征在于
在投影阶段对接系统从构图装置分离。
由于在投影阶段中对接系统的所有元件从构图装置分离(即：摆脱物理接触)，在依据本发明第一方面的光刻投影装置中，构图装置在投影阶段中不受对接系统引起的任何力的控制。因而，当图像投射到基底上时，不会由对接系统引起变形或偏转，这导致投射在基底上的图像精确度提高。
在优选的实施例中，对接系统包括设有至少一个支座的中间掩模版载体。对接系统还包括一个或多个优选连接到中间掩模版台的定位元件。中间掩模版载体的支座适合精确和可重复地相对中间掩模版载体定位构图装置。因此，通常知道构图装置相对中间掩模版载体的位置，并且更特别的是知道构图装置相对支座的位置。
然后通过定位中间掩模版载体，或定位实际相对中间掩模版台精确支撑构图装置，例如支座的至少部分，构图装置也相对中间掩模版台精确定位。
在已知的光刻装置中，中间掩模版载体只在接近中间掩模版台附近承载构图装置。当构图装置足够靠近中间掩模版台时，连接到中间掩模版台的定位元件接合构图装置，然后迫使构图装置位于正确的位置。当然该定位只能在固定构图装置前发生，所以在该定位的过程中，构图装置与中间掩模版载体接触，也可以与连接到中间掩模版台的元件接触。当构图装置到达其相对中间掩模版台的最后位置时，固定部件相对中间掩模版台固定构图装置，并且中间掩模版载体释放构图装置并且移开。在投影阶段中，连接到中间掩模版台的定位元件保持与构图装置物理接触。
然而，在依据本发明的光刻装置中，构图装置的定位以更间接的方式实现：首先相对中间掩模版载体定位构图装置，然后相对中间掩模版台定位中间掩模版载体。现在，作为构图装置的替代，中间掩模版载体相对中间掩模版台定位，连接到中间掩模版台的定位元件接合中间掩模版载体而不是构图装置。在这种方式下，定位元件不需要为相对中间掩模版台定位构图装置而接合构图装置。
在投影系统工作时，由于中间掩模版载体在远离中间掩模版台的位置，因此当图像投射到基底上时，对接系统(该系统包括连接到中间掩模版台的定位元件)从构图装置脱离接触，因此在投影阶段，不会引起构图装置的任何偏转。
在优选的实施例中，中间掩模版载体的各支座具有第一定位面，并且每个定位元件具有第二定位面。为了定位中间掩模版载体的支座从而相对中间掩模版台定位构图装置，第一定位面与各自的第二定位面相互作用。一旦中间掩模版载体足够接近在x-y平面(即：构图装置的平面)的最终位置，各第一和第二定位面就相互接触，并且移动中间掩模版载体(并且构图装置随该中间掩模版载体)上的支座到其在x-y平面的最终位置。优选地，各支座和各定位元件为以弹簧安装，在该方式下，支座具有在三个移动方向移动的自由度，定位元件可以只在基本垂直于构图装置的平面的移动方向(z-方向)移动。由于相互作用的定位面通过第一和第二定位面的相互作用使构图装置移动到x-y平面内的所需位置，因此这保证了可重复和精确定位。在此之后，中间掩模版载体在z-方向朝投影系统移动构图装置，因此夹具可以从中间掩模版载体接收构图装置。这保证了构图装置相对中间掩模版台的可重复和精确定位。
因此，在构图装置沿z-方向移动到中间掩模版台并夹于中间掩模版台上之前，构图装置首先到达在x-y平面中的最终位置。由于这种构图装置和中间掩模版台的相对移动可以导致对构图装置的损坏，因此当夹住构图装置时避免构图装置在x-y平面内的移动是有利的。然而可以想到构图装置首先进入与其x-y平面不同的平面，在这之后通过在不同于其z-方向上的移动而移到其相对中间掩模版台的最终位置。
在优选的实施例中，中间掩模版载体包括三个支座，各支座具有用于承载构图装置的部分球形承载面。中间掩模版接触面，例如框架或多个支架，包括三个圆锥形孔或V形槽，其中各承载面接合构图装置。从而使该构图装置相对中间掩模版载体精确定位。
在该优选实施例中，各支座包括至少部分呈圆锥形的孔。该圆锥部分的壁形成第一定位面。定位元件具有至少部分的销形，带有部分球形的顶部区域，该顶部区域形成第二定位面。选择球形顶部区域和孔的圆锥部分的尺寸，从而顶部区域配合在圆锥孔内，并且其以可重复的方式接触孔壁。
构图装置的接触面设有分别比定位元件的销形部分直径或宽度大的孔或槽。设置该孔或槽，从而当构图装置到达其最终位置时，定位元件通过其伸出。在那种情况下，定位元件的各球形顶部区域在各自的支座中与孔的圆锥部分的壁接合。由于该支座具有在三个移动方向上移动的自由度，并且定位元件只能在基本垂直于构图装置平面的移动方向上移动，因此定位元件将支座(并且因而构图装置跟随这些支座)移动到构图装置平面中它们的最终位置处。从而构图装置以可重复和精确的方式相对中间掩模版台定位。
最后，在基本垂直构图装置平面的方向上的平移允许夹具从中间掩模版载体接收构图装置。一旦夹具接收，中间掩模版载体就从构图装置移开。
这个优选的实施例提供了简单设计的结构，该结构易于制造并且该结构具有依据本发明第一方面的装置的优点。
依据本发明的第一另外方面，提供了一种器件制造方法，该方法包括以下步骤：
-提供至少部分由辐射敏感材料层覆盖的基底；
-使用辐射系统提供辐射的投射光束；
-使用构图装置赋予投射光束带图案的横截面，从而产生带图案的光束；
-在投影阶段将带图案的辐射束投射到辐射敏感材料层的目标部分上；
-使用承载构图装置的中间掩模版台；
-在交换阶段交换构图装置；
-在交换阶段使用对接系统以相对中间掩模版台定位构图装置；
其特征在于
-在投影阶段保持对接系统从构图装置分离。
本发明的第二个目的在于提供一种光刻投影装置，其中构图装置以精确的方式从中间掩模版载体接收到中间掩模版台。
依据本发明的第二方面在一种光刻投影装置中实现上述和其他目的，该装置包括：
-用于提供辐射投射光束的辐射系统；
-用于根据所需图案对投影光束进行构图的构图装置，以产生带图案的光束；
-用于支撑构图装置的支撑结构，该支撑结构包括中间掩模版台；
-用于将带图案的光束投射到基底的目标部分上的投影系统；
-用于相对中间掩模版台定位构图装置的定位装置，
该光刻投影装置具有工作周期，该周期包括：
-投影阶段，其中投影系统将带图案的光束投射到基底的目标部分上，并且其中中间掩模版台支撑构图装置；
-交换阶段，其中交换构图装置，并且其中定位装置相对中间掩模版台定位构图装置；
其特征在于
该定位装置还包括耦合部件，用于在交换阶段将中间掩模版载体与中间掩模版台耦合。
构图装置相对中间掩模版台精确定位是重要的，并且在从定位装置接收后，构图装置相对中间掩模版台的实际位置完全地和准确地知道。
在先前已知的系统中，构图装置相对中间掩模版台尽可能精确地定位，然后从中间掩模版载体接收到中间掩模版台上。然而，由于系统中的振动，在接收时存在构图装置和中间掩模版台之间的相对移动。构图装置和中间掩模版台之间的相对位移能够为50μm或更大。由于该相对移动，构图装置相对中间掩模版台的实际位置具有一定的不确定性，并且相对定位失去精确性。此外，相对移动导致构图装置和中间掩模版台之间在构图装置的x-y平面中的滑动。这会导致构图装置和/或中间掩模版台的损坏，并且产生污染系统内环境的微粒。通常，静电夹具用作固定部件以相对中间掩模版台固定构图装置。由于构图装置的滑动(例如擦伤)，并且由于构图装置和夹具之间微粒的存在，该夹具特别容易损坏。
依据本发明第二方面的光刻投影系统提供耦合部件，用于将中间掩模版载体与中间掩模版台耦合。由于中间掩模版载体与中间掩模版台耦合，由中间掩模版载体承载的构图装置和中间掩模版台之间的相对移动明显减少。因此，来自从中间掩模版载体到中间掩模版台的构图装置的接收远不及由振动的干扰，该振动引起构图装置和中间掩模版台间的移动和/或滑动。
优选地，在依据本发明第二方面的光刻投影装置中，定位装置的中间掩模版载体设有中间体。该中间体能够例如设计成平板，或可替换地设计成杆上安装三个弹簧的组件，其中杆的端部限定了中间掩模版的平面。当相对中间掩模版台定位构图装置时(这发生在交换阶段)，构图装置以六个自由度连接到该中间体。例如这能够通过夹住(机械地或静电地)、通过使用重力和摩擦力、或通过使用磁铁实现。当然，当构图装置由中间掩模版台接收时，中间体适合释放构图装置。在该实施例中，耦合部件适合提供中间掩模版台和中间体平板之间的耦合。
中间掩模版载体和中间掩模版台的耦合能够以各种方式实现。首先，该耦合可以是机械的。如果那样的话，该耦合部件最好包括机械对接部件，例如具有至少部分球形的定位面，与V形槽共同作用的定位元件。在中间掩模版台中提供对接部件的一些元件，而在中间掩模版载体中，或最好在其中间体中提供另一些元件。在该实施例中，中间掩模版台直接与中间掩模版载体，或最好与其中间体接触。从而中间掩模版载体，或最好是其中间体以六个自由度与中间掩模版台耦合，这消除了中间掩模版台和中间掩模版载体，或最好与其中间体之间的相对移动。
作为耦合的替换方式，可以使用涡流。如果那样的话，在中间掩模版台和中间掩模版载体周围产生磁场，该中间掩模版台和中间掩模版载体在这个实施例中由导电材料制成。当中间掩模版载体通过磁场移动时，涡流在中间掩模版载体中产生。由于该涡流，中间掩模版载体的振动衰减。在这种方式下，中间掩模版载体以其和中间掩模版台之间的移动非常小或甚至为零的方式与中间掩模版台耦合。
在第三个实施例中，中间掩模版台和中间掩模版载体的移动为电耦合方式，使用耦合部件，该耦合部件包括用于测量测构图装置和中间掩模版台相对位置的测量装置，和用于控制构图装置和中间掩模版台相对位置的控制装置。在该实施例中，在定位过程中测量中间掩模版载体的位置。另外，控制装置驱动中间掩模版台，使其跟随中间掩模版载体的移动。在该方式下，中间掩模版载体和中间掩模版台之间的相对移动变得非常小或甚至为零。该系统也可以按照其它方式工作：从而测量中间掩模版台位置并驱动中间掩模版载体。
在优选的实施例中，一旦中间掩模版载体耦合到中间掩模版台，就测量构图装置相对中间掩模版台的位置。基于该测量结果，为了获得构图装置相对中间掩模版台的最佳位置，进行一个或多次校正移动。当到达最佳位置时，中间掩模版台从中间掩模版载体接收构图装置。
在优选的实施例中，中间掩模版台包括用于在长距离上移动构图装置的长行程单元，和用于在短距离上移动构图装置的短行程单元。中间掩模版载体最好耦合到中间掩模版台的长行程单元。如果那样的话，校正移动能够由短行程单元完成。在另一实施例中，可以是其它的方式：将中间掩模版载体耦合到中间掩模版台的短行程单元，并且随长行程单元进行校正移动。
作为使用用于校正移动的短行程单元或长行程单元的替换，可以使用专用制动器。该制动器能够例如安装在中间掩模版载体或中间掩模版台上。
在优选的实施例中，耦合部件设有三个定位元件，该定位元件连接到中间掩模版台的长行程单元。各定位元件具有至少部分球形的定位面，该定位面适合与中间体中的各V形槽相互作用。同时，定位元件的定位面在x-y平面(即：平行于中间掩模版的平面)中，在z-方向(即：垂直于中间掩模版的平面)以离开中间掩模版台一个已知的距离定位中间体。定位面和V形槽也相对中间掩模版台保持中间体的位置。也可以想到替换的实施例，其中耦合部件在不同的平面，在不同的方向上以离开中间掩模版台一定距离确定中间体的位置。
在优选的实施例中，中间掩模版台的固定部件向构图装置移动，以抓住构图装置。
可以想到在装置从一个单元接收到另一单元之前，例如在基底交换过程中这个耦合原理可以用于光刻装置的不同部分，例如与晶片台连接。
在依据本发明第二方面的光刻投影装置中，构图装置最好不设置接触面，例如支架或框架。
依据本发明第二个另外方面，提供一种器件制造方法，该方法包括如下步骤：
-提供至少部分由辐射敏感材料层覆盖的基底；
-使用辐射系统提供辐射的投射光束；
-使用构图装置赋予投射光束带图案的横截面，从而产生带图案的光束；
-在投影阶段将带图案的辐射束投射到辐射敏感材料层的目标部分上；
-使用承载构图装置的中间掩模版台；
-在交换阶段交换构图装置；
-在交换阶段通过使用包括中间掩模版载体的定位装置相对中间掩模版台定位构图装置，
其特征在于
-在交换阶段将中间掩模版载体与中间掩模版台耦合。
本发明的第三个目的在于提供一种减少投影系统的停机时间的光刻系统。
依据本发明第三方面在一种光刻投影装置中实现上述和其它目的，该装置包括：
-用于提供辐射投射光束的辐射系统；
-用于根据所需图案对投影光束进行构图的构图装置，以产生带图案的光束；
-用于支撑构图装置的支撑结构，该支撑结构包括中间掩模版台；
-用于将带图案的光束投射到基底的目标部分上的投影系统；
-用于相对中间掩模版台定位构图装置的定位装置，
该光刻投影装置具有工作周期，该周期包括：
-投影阶段，其中投影系统将带图案的光束投射到基底的目标部分上，并且其中中间掩模版台支撑构图装置；
-交换阶段，其中交换构图装置，并且其中定位装置相对中间掩模版台定位构图装置，该中间掩模版台适合在交换阶段完成装载行程，该装载行程在构图装置工作区和构图装置交换区之间延伸；
其特征在于
该装置还包括：
第一测量装置，用于测量构图装置平面中中间掩模版台的位置，该第一测量装置包括x-传感器，该传感器测量与装载行程的方向垂直的方向上的中间掩模版台的位置，
相对工作区设置交换区，从而使x-传感器能够测量当投影阶段时在工作区，以及当交换阶段时在交换区中的中间掩模版台的位置。
依据本发明第三方面也在一种光刻投影装置中实现该第三和其它目的，该装置包括：
-用于提供辐射投射光束的辐射系统；
-用于根据所需图案对投影光束进行构图的构图装置，以产生带图案的光束；
-用于支撑构图装置的支撑结构，该支撑结构包括中间掩模版台；
-用于将带图案的光束投射到基底的目标部分上的投影系统；
-用于相对中间掩模版台定位构图装置的定位装置，
该光刻投影装置具有工作周期，该周期包括：
-投影阶段，其中投影系统将带图案的光束投射到基底的目标部分上，并且其中中间掩模版台支撑构图装置；
-交换阶段，其中交换构图装置，并且其中定位装置相对中间掩模版台定位构图装置，该中间掩模版台适合在交换阶段完成装载行程，该装载行程在构图装置工作区和构图装置交换区之间延伸；
其特征在于
该装置还包括：
第二测量装置，用于测量垂直于构图装置平面的中间掩模版台位置，该第二测量装置包括z-传感器，
相对工作区设置交换区，从而使z-传感器能够测量当投影阶段时在工作区，以及当交换阶段时在交换区中的中间掩模版台的位置。
在投影阶段，构图装置在工作区中。测量构图装置的任何位移，无论是由于操作移动或由于干扰，例如振动。
在交换区中，在交换阶段时构图装置从中间掩模版台卸载，并且其它构图装置装载到中间掩模版台。构图装置的这种交换通常发生在构图装置的工作区外，因为否则投影系统会挡道，或如果在交换过程中发生一些故障，投影系统会损坏。
在已知的光刻系统中，当构图装置在工作区内移动时，x-传感器以垂直装载行程的方向测量中间掩模版台在构图装置平面内的位置。与装载行程方向垂直的方向是x-方向；装载行程的方向是y-方向。由x-和y-方向形成的平面(x-y平面)是构图装置平面。为测量中间掩模版台在交换区中x-方向的位置，需要单独的x-传感器。
在已知的光刻系统中，当构图装置在工作区内移动时，z-传感器测量中间掩模版台在垂直于构图装置平面的方向上的位置。垂直构图装置平面的方向是z-方向。为测量中间掩模版台在交换区中z-方向上的位置，需要单独的z-传感器。
已经发现为交换区使用单独的x-和z-传感器导致投影系统附加的停机时间。当构图装置不得不交换时，中间掩模版台将其从工作区带到交换区。当x-和/或z-传感器与中间掩模版台失去接触时，将其关闭。交换区的x-和/或z-传感器一探测到中间掩模版台，该传感器就打开。然后，将第一构图装置换成第二构图装置。
当第二构图装置装载到中间掩模版台时，该中间掩模版台承载构图装置到工作区。由于中间掩模版台重新进入工作区，用于工作区的x-和/或z-传感器不得不重新启动，并且在投影系统能够开始投影过程前进行校准。否则，不能得到投影区中构图装置的x-位置和/或y-位置的测量所需精确度。
因此，当存在用于工作区和交换区的单独的x-和/或z-传感器时，两个传感器在各自的测量方向启动，并且在构图装置交换过程中，不得不执行传感器校准周期。这时，投影系统停机。
当中间掩模版台x-位置的测量由既在工作区又在交换区的同一x-传感器实现，并且当中间掩模版台z-位置的测量由既在工作区又在交换区的同一z-传感器实现时，可以不再进行传感器重启和传感器校准。这种方式下，可以减少投影系统的停机时间。
依据本发明的第三方面，这由将交换区更靠近工作区设置(作为与已知光刻装置的对比)实现，从而相同的x-和/或z-传感器能够用于测量中间掩模版台在两个区域的位置。
这种方式的附加优点是，中间掩模版台的总行程减少。由于在这种情况下真空室的尺寸也能够减少，所以对其中投影过程发生在真空中的光刻投影系统特别有利。
优选地，x-和/或z-传感器包括干涉计。如果那样的话，可以注意到构图装置从定位系统到中间掩模版台的接收比已知光刻投影装置更精确。
对依据本发明第三方面的装置重要的是，在构图装置交换过程中，x-和/或z-传感器不会失去与中间掩模版台的接触，并且在构图装置交换过程中，该传感器不需要重启，也不需要校准。然而，这不意味x-和/或z-传感器不得不作为单独传感器来使用。组合的传感器组也认为是可能的。
可以想到，本发明第三方面的原理也可以应用到光刻装置的其它部分，例如基底台。
依据本发明第三个另外方面，提供一种器件制造方法，该方法包括以下步骤：
-提供至少部分由辐射敏感材料层覆盖的基底；
-使用辐射系统提供辐射的投射光束；
-使用构图装置赋予投射光束带图案的横截面，从而产生带图案的光束；
-在投影阶段将带图案的辐射束投射到辐射敏感材料层的目标部分上；
-使用承载构图装置的中间掩模版台；
-在交换阶段交换构图装置，该中间掩模版台适合在交换阶段完成装载行程，该装载行程在构图装置工作区和构图装置交换区之间延伸；
其特征在于
使用第一测量装置测量构图装置平面中中间掩模版台的位置，该第一测量装置包括x-传感器，该传感器测量与装载行程方向垂直的方向上的中间掩模版台的位置，
相对工作区设置交换区，从而使x-传感器能够测量当投影阶段时在工作区，以及当交换阶段时在交换区中的中间掩模版台的位置。
依据本发明第三个另外方面，也提供一种器件制造方法，该方法包括以下步骤：
-提供至少部分由辐射敏感材料层覆盖的基底；
-使用辐射系统提供辐射的投射光束；
-使用构图装置赋予投射光束带图案的横截面，从而产生带图案的光束；
-在投影阶段将带图案的辐射束投射到辐射敏感材料层的目标部分上；
-使用承载构图装置的中间掩模版台；
-在交换阶段交换构图装置，该中间掩模版台适合在交换阶段完成装载行程，该装载行程在构图装置工作区和构图装置交换区之间延伸；
其特征在于
使用第二测量装置测量垂直于构图装置平面的中间掩模版台的位置，该第二测量装置包括z-传感器，相对工作区设置交换区，从而使z-传感器能够测量当投影阶段时在工作区以及当交换阶段时在交换区中的中间掩模版台的位置。
在本申请中，本发明的装置具体用于制造IC，但是应该明确理解这些装置可能具有其它应用。例如，它可用于制造集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示板、薄膜磁头等等。本领域的技术人员将理解，在这种可替换的用途范围中，在说明书中任何术语“中间掩模版”，“晶片”或者“管芯(die)”的使用应认为分别可以由更普通的术语“掩模”，“基底”和“目标部分”代替。
在本文件中，使用的术语“辐射”和“光束”包含所有类型的电磁辐射，包括紫外(UV)辐射(例如具有365，248，193，157或者126nm的波长)和远紫外(EUV)辐射(例如具有5-20nm的波长范围)和粒子束，如离子束或者电子束。
附图说明
现在仅通过举例的方式，参照附图描述本发明的实施方案，在图中相应的附图标记表示相应的部件，其中：
-图1示意性示出了依据本发明实施例的光刻投影装置；
-图2示出了其中加入本发明第一方面的光刻投影装置的有关部分的示意图；
-图3A、B、C示出了依据本发明第一方面的光刻投影装置中的对接过程的示意图；
-图4示出了依据本发明第二方面的光刻投影装置有关部分的示意图；
-图5A、B示出了依据本发明第三方面的光刻投影装置有关部分的示意图。
具体实施方式
图1示意性地表示了本发明一具体实施方案的一光刻投影装置1。该装置包括：
-辐射系统Ex、IL，用于提供辐射投射光束PB(例如EUV辐射)，在这个具体情况中，辐射系统还包括辐射源LA；
-第一目标台(掩模台)MT，设有用于保持掩模MA(例如中间掩模版)的掩模保持器，并与用于将该掩模相对于物体PL精确定位的第一定位装置PM连接；
-第二目标台(基底台)WT，设有用于保持基底W(例如涂敷抗蚀剂的硅晶片)的基底保持器，并与用于将基底相对于物体PL精确定位的第二定位装置PW连接；和
-投影系统(“镜头”)PL(例如反射镜装置)，用于将掩模MA的辐射部分成像在基底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯(die))上。
如这里指出的，该装置属于透射型(即具有透射掩模)。可是，一般来说，它还可以是例如反射型(具有反射掩模)。另外，该装置可以利用其它种类的构图装置，如上述涉及的可编程反射镜阵列型。
辐射源LA(例如激光器)产生辐射光束。该光束直接或在横穿过如扩束器Ex等调节装置后，馈送到照明系统(照明器)IL上。照明器IL可以包括调节装置AM，用于设定光束强度分布的外和/或内径向量(通常分别称为σ-外和σ-内)。另外，它一般包括各种其它部件，如积分器IN和聚光器CO。按照这种方式，照射到掩模MA上的光束PB在其横截面具有所需的均匀度和强度分布。
应该注意，图1中的辐射源LA可以置于光刻投影装置的壳体中(例如当辐射源LA是汞灯时经常是这种情况)，但也可以远离光刻投影装置，其产生的辐射光束被(例如通过合适的定向反射镜的帮助)引导至该装置中；当光源LA是准分子激光器时通常是后面的那种情况。本发明和权利要求包含这两种方案。
光束PB然后与保持在掩模台MT上的掩模MA相交。横向穿过掩模MA后，光束PB通过镜头PL，该镜头将光束PB聚焦在基底W的目标部分C上。在第二定位装置PW(和干涉测量装置IF)的辅助下，基底台WT可以精确地移动，例如在光束PB的光路中定位不同的目标部分C。类似地，例如在从掩模库中机械取出掩模MA后或在扫描期间，可以使用第一定位装置PM将掩模MA相对光束PB的光路进行精确定位。一般地，用图1中未明确显示的长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可以实现目标台MT、WT的移动。可是，在晶片步进器中(与步进-扫描装置相对)，掩模台MT可与短行程致动装置连接，或者固定。掩模MA与基底W可以使用掩模时准标记M1、M2和基底对准标记P1、P2进行对准。
所示的装置可以按照二种不同模式使用：
1.在步进模式中，掩模台MT基本保持不动，并且整个掩模图像被一次投射(即单“闪”)到目标部分C上。然后基底台WT沿x和/或y方向移动，以使不同的目标部分C能够由光束PB照射；
2.在扫描模式中，基本为相同的情况，但是给定的目标部分C没有暴露在单“闪”中。取而代之的是，掩模台MT沿给定的方向(所谓的“扫描方向”，例如y方向)以速度v移动，以使投射光束PB在掩模图像上扫描；同时，基底台WT沿相同或者相反的方向以速度V＝Mv同时移动，其中M是镜头PL的放大率(通常M＝1/4或1/5)。在这种方式中，可以曝光相当大的目标部分C，而没有牺牲分辨率。
图2示出了本发明第一方面的光刻投影装置有关部分的示意图。图2示出了包括方向x、y和z的参考坐标系统。可以看出，
x-y平面是构图装置(在该情况下为中间掩模版1)的平面，并且z是垂直于该平面的方向。
在图2的实施例中，使用的构图装置是中间掩模版1。该中间掩模版1可以是透射型的或是反射型的。在中间掩模版1周边的至少三个位置提供支架2。每个支架2均设有圆柱孔4和V形槽3。
在相对中间掩模版台25定位中间掩模版1时，中间掩模版1由中间掩模版载体10承载。中间掩模版载体10包括三个支座11。每个支座11都安装在一弹簧12上，该弹簧允许支座11沿x-、y-和z-方向移动。每个支撑具有部分球形的承载面13，用于支撑中间掩模版1。承载面13的尺寸设置成使得其配合在各自中间掩模版支架2的V形槽3中的方式设定尺寸。由于V形槽3和承载面13之间的相互作用，使中间掩模版1相对中间掩模版载体10的支座准确并且可重复地定位。每个支座11设有第一定位面14，在这种情况下该定位面是孔15的圆锥壁部分。
对接系统包括三个定位元件22。各定位元件22是以弹簧安装的(spring-mounted)，如由弹簧23示意性表示的一样。定位元件22以它们仅能够在z-方向移动的方式安装。例如这可以通过将各定位元件22安装在两个彼此平行的板簧上的方式实现。
各定位元件22附着于反射镜组件20，反射镜组形成中间掩模版台25的一部分。在反射镜组件上提供夹具21，例如静电夹具，用于将中间掩模版1相对反射镜组件20固定。
各定位元件22设有第二定位面24，在这种情况下该定位面为部分球形的顶部区域。第二定位面24的尺寸设置成使得其配合于各自支座11的孔15内。由于第二定位面24和第一定位面14之间的相互作用，使支座11相对定位元件22准确并且可重复地定位。当中间掩模版1相对支座准确并且可重复地定位时，中间掩模版1也相对定位元件22，并且从而相对中间掩模版台25准确并且可重复地定位。
在操作中，中间掩模版1以承载面13接触V形槽3的壁的方式放置在支座11上(参考附图3A)。然后正在承载中间掩模版1的中间掩模版载体10向反射镜组件20移动。该移动主要发生在x-y平面(附图3A中的箭头A)。
当中间掩模版1接近其对接位置时，定位元件22移动通过支架2上的孔4，并且在弹簧23的影响下，定位元件22将通过孔4伸出，进入各支座11的孔15内(参考附图3B)。
由于定位元件22只能够在z-方向移动，它们在x-y平面中移动支座11直到每个第二定位面24已经“找到”其各自的第一定位面14，即在这种情况下在当各第二定位面24在其圆周上的至少三点接触其各自的第一定位面14时，可实现力的平衡(如图2所示)。然后，中间掩模版1达到其在x-y平面的最终位置。
在将中间掩模版1在x-y平面定位后，中间掩模版载体10在z-方向朝反射镜组件20移动(附图3B中的箭头B)。支座11在z-方向承载定位元件22一起升高，这通过弹簧23实现。当中间掩模版1也到达其在z-方向的最终位置时，夹具21起作用，并且相对反射镜组件20固定中间掩模版1。然后撤回中间掩模版载体10，首先沿z-方向从反射镜组件20移开，然后基本上在x-y平面移动脱离投影系统(比较图3C，箭头C和D)。现在对接系统为投影系统准备激活。
如图2清楚地示出，定位元件22(在示出的实施例中销形元件用作该定位元件)的直径明显小于孔4的直径，该定位元件通过该孔伸出。这对依据本发明第一方面的装置是重要的，因为当投影系统工作时在该方式下对接系统不接触中间掩模版。因此，当投影系统工作时，对接系统不在中间掩模版上作用任何机械载荷，并且因此对接系统不会引起中间掩模版的偏移和变形。这改善了投影图像的精确性。
图4示出了依据本发明第二方面的光刻投影装置的有关部分的示意图。
图4示出了中间掩模版台120，用于相对投影系统移动中间掩模版101。中间掩模版台120包括长行程单元125和短行程单元126。在长行程单元125和短行程单元126间具有连接129，该连接允许短行程单元126相对长行程单元125移动。短行程单元126包括夹具121，用于将中间掩模版101相对中间掩模版台120固定。中间掩模版台通过连接128连接到支座127，该连接允许中间掩模版台128相对支座127移动。
依据本发明的第二方面，该装置还包括定位装置，用于相对中间掩模版台120定位中间掩模版101。定位装置包括带有中间体115的中间掩模版载体110，其在所示的实施例中为安装弹簧的板。分别安装在弹簧117上的支座116支撑中间体115。当相对中间掩模版台120定位中间掩模版101时，中间掩模版101以六个自由度与中间体115连接。中间掩模版101和中间体115之间的连接部件118可以是例如机械或静电夹具、磁铁系统或使用重力和摩擦力结合的系统。当然，当通过中间掩模版台接收中间掩模版101时，使中间体115和中间掩模版101之间的连接元件118断开。
另外，依据本发明第二方面的装置包括耦合部件130，用于使中间体115与中间掩模版台120耦合。由于中间掩模版台120和中间体115的耦合，中间掩模版101和中间掩模版台120间的相对移动明显减小或甚至为零。因此，从中间掩模版载体110到中间掩模版台120的中间掩模版101交接受到很少的振动的干扰，该振动引起中间掩模版101和中间掩模版台120间的相对移动和/或滑动。
在图4示出的实施例中，耦合部件包括机械对接元件，更特别的是，定位元件131连接到中间掩模版台，并具有至少部分球形的定位面，还包括在中间体115中的V形槽132。在该实施例中，定位元件131和V形槽132一起提供中间掩模版台130和中间体115间的直接接触。该方式下，中间掩模版台120和中间体115以六个自由度耦合，从而消除相对移动。
在附图3的实施例中，耦合部件130包括三个定位元件131，其连接到中间掩模版台120的长行程单元125。每个定位元件131都具有至少部分球形的定位面，该表面适合与中间体115中的各V形槽132相互作用。同时，定位元件131的定位面在x-y平面(即：平行于中间掩模版101的平面)中，沿z-方向(即：垂直于中间掩模版101的平面)以离开中间掩模版台120一个已知的距离定位中间体115。定位面和V形槽132也相对中间掩模版台120保持中间体115的位置。也可以想到其他的实施例，其中，耦合部件在不同的平面，沿不同的方向，以离开中间掩模版台一定的距离确定中间体的位置。
作为机械对接部件的替换，可以使用涡流耦合部件或电耦合。另外，可以想到电耦合。如果那样的话，中间掩模版台101和中间体115的移动为电耦合，使用耦合部件，该部件包括用于检测中间掩模版101和中间掩模版台120相对位置的检测部件，和用于控制中间掩模版101和中间掩模版台120相对位置的控制装置。在该实施例中，在定位过程中检测中间体115的位置。另外，控制装置驱动中间掩模版台120，使其跟随中间体115的移动。这种情况下，中间体115和中间掩模版台120间的相对移动变得非常小或甚至为零。
在优选的实施例中，一旦中间体115耦合到中间掩模版台120，就测量中间掩模版101相对中间掩模版台120的位置。为此，在附图3的实施例中设有传感器140。基于该测量的结果，为了获得中间掩模版101相对中间掩模版台120的最优定位，进行一次或多次校正移动。当到达最优位置时，中间掩模版台120从中间体115接收中间掩模版101。作为优选方式，短行程单元126的夹具121沿z-方向朝中间掩模版101移动，以抓住中间掩模版101。
在附图4的实施例中，中间体115耦合到中间掩模版台120的长行程单元125。如果那样的话，校正移动最好由短行程单元126实现。
作为使用用于校正移动的短行程单元126或长行程单元125的替换，可以使用专用致动器。该致动器可以例如安装在中间掩模版载体110或中间掩模版台120上。
图5A、B示出了依据本发明第三方面的光刻投影装置的有关部分的示意图。
图5A示出了在工作区201中的中间掩模版台220。在构图装置的平面(x-y平面)中测量中间掩模版台220的位置。在y-方向上中间掩模版台位置的测量由y-传感器211和212完成，而在x-方向上中间掩模版台位置的测量由x-传感器210完成。基于y-传感器211和212两者的测量，确定中间掩模版台相对z-轴的旋转位置。
另外，测量与构图装置平面垂直的中间掩模版台220的位置。为此，使用z-传感器213。
附图5B示出了在交换区202中的中间掩模版台220。单独的x-传感器210测量中间掩模版台220在工作区和交换区中的x-位置。另外，单独的z-传感器213测量中间掩模版台220在工作区和交换区中的z-位置。为了实现该目的，靠近工作区201设置交换区202。
尽管已经在上面描述了本发明的具体实施例，但是可以想到本发明可以按照除上述之外的方式实施。说明书不意味着限定本发明。

Claims (26)

1.一种光刻投影装置，该装置包括
-  用于提供辐射投射光束的辐射系统；
-  用于根据所需图案对投影光束进行构图以产生带图案的光束的构图装置(1)；
-  用于支撑构图装置(1)的支撑结构，该支撑结构包括中间掩模版台(25)；
-  用于将带图案的光束投射到基底的目标部分上的投影系统；
-  用于相对中间掩模版台(25)定位构图装置(1)的对接系统；
该光刻投影装置具有工作周期，该周期包括：
-  投影阶段，其中投影系统将带图案的光束投射到基底的目标部分上，并且其中中间掩模版台(25)支撑构图装置(1)；
-  交换阶段，其中交换构图装置(1)，并且其中对接系统相对中间掩模版台(25)定位构图装置(1)；
其特征在于
在投影阶段对接系统与构图装置(1)分离。
2.根据权利要求1所述的光刻投影装置，其特征在于
对接系统包括中间掩模版载体(10)，该中间掩模版载体(10)包括一个或多个支座(11)，在该支座上相对该中间掩模版载体(10)定位构图装置(1)，
并且对接系统还包括一个或多个定位元件(22)，该定位元件相对中间掩模版台(25)定位中间掩模版载体(10)的支座(11)。
3.根据权利要求2所述的光刻投影装置，其特征在于
每个支座具有用于承载构图装置(1)的承载面(13)和第一定位面(14)，并且各定位元件具有第二定位面(24)，并且当相对中间掩模版台(25)对接构图装置(1)时，各支座(11)的第一定位面(14)和各支座的第二定位面(24)设置成相互作用，用于相对中间掩模版台(25)定位中间掩模版载体(10)。
4.根据前述任一权利要求所述的光刻投影装置，其特征在于
构图装置(1)包括接触面(2)，用于相对中间掩模版载体(10)定位构图装置(1)，该接触面(2)适合与中间掩模版载体(10)的一个或多个支座(11)的承载面(13)相互作用。
5.根据前述任一权利要求所述的光刻投影装置，其特征在于：
当投影系统工作时，对接系统的定位元件(22)从构图装置(1)的接触面(2)中的孔(4)伸出。
6.一种器件制造方法，该方法包括以下步骤：
-  提供至少部分由辐射敏感材料层覆盖的基底；
-  使用辐射系统提供辐射的投射光束；
-  使用构图装置(1)赋予投射光束带图案的横截面，从而产生带图案的光束；
-  在投影阶段将带图案的辐射束投射到辐射敏感材料层的目标部分上；
-  在投影阶段使用承载构图装置(1)的中间掩模版台(25)；
-  在交换阶段交换构图装置(1)；
-  在交换阶段使用对接系统以相对中间掩模版台(25)定位构图装置(1)；
其特征在于
-  在投影阶段保持对接系统与构图装置(1)分离。
7.一种光刻投影装置，该装置包括
-  用于提供辐射投射光束的辐射系统；
-  用于根据所需图案对投影光束进行构图以产生带图案的光束的构图装置(101)；
-  用于支撑构图装置的支撑结构，该支撑结构包括中间掩模版台(120)；
-  用于将带图案的光束投射到基底的目标部分上的投影系统；
-  用于相对中间掩模版台(120)定位构图装置(101)的定位装置，
该光刻投影装置具有工作周期，该周期包括：
-  投影阶段，其中投影系统将带图案的光束投射到基底的目标部分上，并且其中中间掩模版台(120)支撑构图装置(101)；
-  交换阶段，其中交换构图装置(101)，并且其中定位装置相对中间掩模版台(120)定位构图装置(101)，该定位装置包括中间掩模版载体(110)；
其特征在于
该定位装置进一步包括耦合部件(130)，用于在交换阶段将中间掩模版载体(110)与中间掩模版台(120)耦合。
8.根据权利要求7所述的光刻投影装置，其特征在于
中间掩模版载体(110)包括中间体(115)，该中间体(115)适合以六个自由度与构图装置(101)连接，
并且耦合部件(130)适合在交换阶段使中间体(115)与中间掩模版台(120)耦合。
9.根据权利要求7或8所述的光刻投影装置，其特征在于
耦合部件(130)包括机械对接部件。
10.根据权利要求8或9所述的光刻投影装置，其特征在于
机械对接部件包括连接到中间掩模版台(120)的三个对接元件，各对接元件具有至少部分球形的定位面，
并且中间体(115)包括三个V形槽(132)，三个定位面和三个V形槽(132)协作，以相对中间掩模版台(120)定位中间体(115)，并且保持中间体(115)相对中间掩模版台(120)的位置。
11.根据权利要求7或8所述的光刻投影装置，其特征在于
耦合部件包括涡流衰减部件。
12.根据权利要求7或8所述的光刻投影装置，其特征在于
耦合部件包括用于测量构图装置(101)和中间掩模版台(120)相对位置的测量装置，和用于控制构图装置(101)和中间掩模版台(120)相对位置的控制装置。
13.根据权利要求7-12的任一个所述的光刻投影装置，其特征在于
中间掩模版台(120)包括用于在大距离上移动构图装置(101)的长行程单元(125)，和用于在小距离上移动构图装置(101)的短行程单元(126)，
并且耦合部件(130)适合将中间掩模版载体(110)与中间掩模版台(120)的短行程单元(126)耦合。
14.根据权利要求7-12的任一个所述的光刻投影装置，其特征在于
中间掩模版台(120)包括用于在大距离上移动构图装置(101)的长行程单元(125)，和用于在小距离上移动构图装置(101)的短行程单元(126)，
并且耦合部件(130)适合将中间掩模版载体(110)与中间掩模版台(120)的长行程单元(125)耦合。
15.根据权利要求7-14的任一个所述的光刻投影装置，其特征在于
该装置进一步包括测量装置和校正装置，该测量装置用于在中间掩模版载体(110)与中间掩模版台(120)耦合后，测量构图装置(101)相对中间掩模版台(120)的位置，该校正装置用于在中间掩模版载体(110)与中间掩模版台(120)耦合后，进行一次或多次校正移动，该移动使构图装置(101)相对中间掩模版台(120)的位置最优。
16.根据权利要求15所述的光刻投影装置，其特征在于
中间掩模版台(120)包括用于在大距离上移动构图装置(101)的长行程单元(125)，和用于在小距离上移动构图装置(101)的短行程单元(126)，
并且校正移动由中间掩模版台(120)的短行程单元(126)完成。
17.根据权利要求15所述的光刻投影装置，其特征在于
中间掩模版台(120)包括用于在大距离上移动构图装置(101)的长行程单元(125)，和用于在小距离上移动构图装置(101)的短行程单元(126)，
并且校正移动由中间掩模版台(120)的长行程单元(125)完成。
18.根据权利要求15所述的光刻投影装置，其特征在于
校正移动由一个或多个专用致动器完成。
19.一种器件制造方法，该方法包括以下步骤：
-  提供至少部分由辐射敏感材料层覆盖的基底；
-  使用辐射系统提供辐射的投射光束；
-  使用构图装置(101)赋予投射光束带图案的横截面，从而产生带图案的光束；
-  在投影阶段将带图案的辐射束投射到辐射敏感材料层的目标部分上；
-  使用承载构图装置(101)的中间掩模版台(120)；
-  在交换阶段交换构图装置(101)；
-  在交换阶段通过使用包括中间掩模版载体(110)的定位装置相对中间掩模版台(120)定位构图装置(101)，
其特征在于
在交换阶段将中间掩模版载体(110)与中间掩模版台(120)耦合。
20.一种光刻投影装置，该装置包括：
-  用于提供辐射投射光束的辐射系统；
-  用于根据所需图案对投影光束进行构图的构图装置，以产生带图案的光束；
-  用于支撑构图装置的支撑结构，该支撑结构包括中间掩模版台；
-  用于将带图案的光束投射到基底的目标部分上的投影系统；
-  用于相对中间掩模版台定位构图装置的定位装置，
该光刻投影装置具有工作周期，该周期包括：
-  投影阶段，其中投影系统将带图案的光束投射到基底的目标部分上，并且其中中间掩模版台支撑构图装置；
-  交换阶段，其中交换构图装置，并且其中定位装置相对中间掩模版台定位构图装置，该中间掩模版台适合在交换阶段完成装载行程，该装载行程在构图装置工作区和构图装置交换区之间延伸；
其特征在于
该装置还包括：
第一测量装置，用于测量构图装置平面中中间掩模版台的位置，该第一测量装置包括x-传感器，该传感器测量与装载行程的方向垂直的方向上的中间掩模版台的位置，
相对工作区设置交换区，从而使x-传感器能够测量当投影阶段时在工作区，以及当交换阶段时在交换区中的中间掩模版台的位置。
21.一种光刻投影装置，该装置包括：
-  用于提供辐射投射光束的辐射系统；
-  用于根据所需图案对投影光束进行构图以产生带图案的光束的构图装置；
-  用于支撑构图装置的支撑结构，该支撑结构包括中间掩模版台；
-  用于将带图案的光束投射到基底的目标部分上的投影系统；
-  用于相对中间掩模版台定位构图装置的定位装置，
该光刻投影装置具有工作周期，该周期包括：
-  投影阶段，其中投影系统将带图案的光束投射到基底的目标部分上，并且其中中间掩模版台支撑构图装置；
-  交换阶段，其中交换构图装置，并且其中定位装置相对中间掩模版台定位构图装置，该中间掩模版台适合在交换阶段完成装载行程，该装载行程在构图装置工作区和构图装置交换区之间延伸；
其特征在于
该装置还包括：
第二测量装置，用于测量垂直于构图装置平面的中间掩模版台位置，该第二测量装置包括z-传感器，
相对工作区设置交换区，从而使z-传感器能够测量当投影阶段时在工作区，以及当交换阶段时在交换区中的中间掩模版台的位置。
22.根据权利要求20所述的光刻投影装置，其特征在于
光刻投影装置进一步包括依照权利要求21的第二测量装置。
23.根据权利要求20-22所述的光刻投影装置，其特征在于
x-传感器和/或z-传感器为干涉仪。
24.一种器件制造方法，该方法包括以下步骤
-  提供至少部分由辐射敏感材料层覆盖的基底；
-  使用辐射系统提供辐射的投射光束；
-  使用构图装置赋予投射光束带图案的横截面，从而产生带图案的光束；
-  在投影阶段将带图案的辐射束投射到辐射敏感材料层的目标部分上；
-  使用承载构图装置的中间掩模版台；
-  在交换阶段交换构图装置，该中间掩模版台适合在交换阶段完成装载行程，该装载行程在构图装置工作区和构图装置交换区之间延伸；
其特征在于
使用第一测量装置测量构图装置平面中中间掩模版台的位置，该第一测量装置包括x-传感器，该传感器测量与装载行程方向垂直的方向上的中间掩模版台的位置，
相对工作区设置交换区，从而使x-传感器能够测量当投影阶段时在工作区，以及当交换阶段时在交换区中的中间掩模版台的位置。
25.一种器件制造方法，该方法包括以下步骤
-  提供至少部分由辐射敏感材料层覆盖的基底；
-  使用辐射系统提供辐射的投射光束；
-  使用构图装置赋予投射光束带图案的横截面，从而产生带图案的光束；
-  在投影阶段将带图案的辐射束投射到辐射敏感材料层的目标部分上；
-  使用承载构图装置的中间掩模版台；
-  在交换阶段交换构图装置，该中间掩模版台适合在交换阶段完成装载行程，该装载行程在构图装置工作区和构图装置交换区之间延伸；
其特征在于
使用第二测量装置测量垂直于构图装置平面的中间掩模版台的位置，该第二测量装置包括z-传感器，相对工作区设置交换区，从而使z-传感器能够测量当投影阶段时在工作区以及当交换阶段时在交换区中的中间掩模版台的位置。
26.根据权利要求24所述的光刻投影装置，其特征在于
使用第二测量装置测量垂直于构图装置平面的中间掩模版台的位置，该第二测量装置包括z-传感器，相对工作区设置交换区，从而使z-传感器能够测量当投影阶段时在工作区，以及当交换阶段时在交换区中的中间掩模版台的位置。
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