CN1950929A - 曝光装置及曝光方法、以及组件制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明具有被供应液体之板体(101)，且透过投影光学系统(PL)及液体(Lq)来进行与曝光相关之测量的测量载台(MST)中、包含板体之至少一部分系可更换。因此，在板体表面因与液体接触而劣化时，能藉由更换包含该板体之至少一部分，随时进行高精度之与曝光相关的测量，进而可维持高精度曝光。又，在板体之至少一个端面经镜面加工的情形下，在将包含板体之测量部的至少一部分更换成新品时，即使粗略地定位该更换后之零件，亦能透过板体之经镜面加工的端面，例如使用干涉仪等正确地测量板体位置。

Description

曝光装置及曝光方法、以及组件制造方法
技术领域
本发明，系关于曝光装置及曝光方法、以及组件制造方法，更详言之，系关于制造半导体组件(集成电路)、液晶显示组件等之电子组件时在光刻步骤所使用之曝光装置及曝光方法、以及使用该曝光装置的组件制造方法。
背景技术
以往，用以制造半导体组件(集成电路等)、液晶显示组件等之电子组件的光刻步骤中，主要系使用步进重复方式之缩小投影曝光装置(即所谓步进器)或步进扫描方式之投影曝光装置(即所谓扫描步进器(亦称扫描仪))等，其系透过投影光学系统，将光罩(或标线片)之图案像分别转印至涂布有光阻(感光剂)之晶片或玻璃板等感旋光性物体(以下称为「晶片」)上的各多个照射区域。
此种投影曝光装置，随着集成电路之高积体化使图案微细化，而逐年要求更高之解析力(分辨率)，因此使曝光用光之短波长化及投影光学系统之数值孔径(NA)的增大化(大NA化)逐渐进展。然而，曝光用光之短波长化及投影光学系统之大NA化，虽可提升投影曝光装置之解析力，但另一方面却会导致焦深之狭窄化。又，将来曝光波长势必更为缩短，如此一来焦深即有可能变得过窄，造成曝光动作时之聚焦裕度不足。
因此，最近有一种曝光装置受到瞩目，其系利用液浸法来作为在实质上缩短曝光波长、且与在空气中相较使焦深增大(扩大)的方法。作为利用此液浸法之曝光装置，已有一种在以水或有机溶剂等之液体局部性地充满投影光学系统投影光学系统下面与晶片表面间的状态下进行曝光的装置(例如参照下述专利文献1)。记载于该专利文献1之曝光装置，系利用在液体中之曝光用光的波长为在空气中之1/n倍(n为液体折射率，通常为1.2～1.6左右)的特点以提升分辨率，且与不使用液浸法即能得到与该分辨率相同之分辨率的投影光学系统(假设可制造此种投影光学系统)相较能使焦深扩大至n倍，亦即能使焦深与在空气中相较实质上扩大至n倍。
又，近来亦提出了一种，具备与晶片载台(基板载台)分别独立设置，能在2维面内驱动、并设有用于测量之测量器之载台(测量载台)的曝光装置(例如参照专利文献2、3等)。当采用该测量载台时，由于只要在晶片载台设置进行晶片曝光时所需之必要最低限度的构成构件(例如晶片保持具等)即可，因此能谋求晶片载台之小型轻量。藉此，即能期待用以驱动晶片载台之驱动机构(马达)的小型化及减低马达产生的发热量，进而极力抑制晶片载台之热变形或曝光精度降低。
然而，于前述液浸曝光装置采用测量载台时，由于系在水浸于测量载台上之状态下进行与曝光相关之各种测量，因此，很可能会因测量载台之与液体接触的构件表面和液体的接触及曝光用光之照射而劣化，使曝光相关之各种测量的测量精度随时间劣化，进而难以长期维持曝光精度。当然，虽会于测量载台之各测量器部分上面施以拨水被膜，但此拨水被膜，一般较不耐液浸曝光所使用之曝光用光(远紫外区或真空紫外区之光)，具有会因该曝光用光之照射劣化的性质。
此外，即使不采用测量载台，而于晶片载台设置各种测量器之情况下，亦与上述同样地，会产生与液体接触之构件(大多于此构件表面施有拨水被膜)表面因和液体接触及曝光用光之照射而劣化，使曝光相关之各种测量的测量精度随时间劣化的现象。
专利文献1：国际公开99/49504号说明书
专利文献2：特开平11-135400号公报
专利文献3：特开平3-211812号公报
发明内容
本发明有鉴于上述情形，从第1观点观之，为一种曝光装置，系透过投影光学系统使基板曝光，其特征在于，具备：基板载台，系能装载该基板移动；以及测量部，具有被供应液体之板体，透过该投影光学系统及该液体来进行与该曝光相关之测量；包含构成该测量部之该板体的至少一部分系构成为能更换。
根据本发明，其具有被供应液体之板体，且透过投影光学系统及液体来进行与该曝光相关之测量的测量部中、包含板体之至少一部分能更换。因此，在板体表面因与液体接触而劣化前，可藉由更换包含该板体之至少一部分，来随时进行高精度之与曝光相关的测量，进而可维持高精度曝光。
本发明从第2观点观之，为一种曝光装置，系透过投影光学系统使基板曝光，其特征在于，具备：基板载台，系能装载该基板移动；以及测量部，具有至少一个端面经镜面加工之板体，透过该投影光学系统来进行与该曝光相关之测量；包含构成该测量部之该板体的至少一部分系构成为能更换。
因此，由于包含构成测量部之板体的至少一部分作成为能更换，因此在此板体表面因测量时之曝光用光的照射等而劣化前，能藉由更换包含该板体之至少一部分，来随时以高精度进行与曝光相关的测量，进而可维持高精度曝光。又，由于板体之至少一个端面经镜面加工，因此在将包含板体之测量部的至少一部分更换成新品时，即使粗略地定位该更换后之零件，亦能透过板体之经镜面加工的端面，例如使用干涉仪等正确地测量板体位置。承上所述，由于即使在进行更换时粗略地定位测量部之一部分，亦能在进行测量时将测量部正确地定位于所欲位置，因此不需花费长时间进行更换，而能有效地防止因更换所伴随之停机时间增加而导致装置运转效率降低。
本发明从第3观点观之，为一种曝光装置，系透过投影光学系统使基板曝光，其特征在于，具备：基板载台，系能装载该基板移动；测量部，具有可更换之板体，透过该投影光学系统来进行与该曝光相关之测量；以及用以检测该板体之更换时期的检测装置。
因此，可预先透过实验等求出测量部之测量精度开始降低前的时期，并将此时期预先设定为检测装置所检测之板体更换时期，而可藉由检测装置在检测出该更换时期时进行板体之更换，来在测量部之测量精度降低以前的最佳时期更换板体。亦即，能以高精度维持测量部之与曝光相关之测量的测量精度，且能极力抑制板体之更换频度。因此，可长期以高精度维持曝光精度，同时能有效地防止因板体更换所伴随之停机时间增加而导致装置运转效率降低。
本发明从第4观点观之，为一种曝光方法，系使基板曝光的第1曝光方法，其特征在于，包含：用以更换测量部中包含该板体之至少一部分的步骤；该测量部系透过被供应液体之板体来进行与该曝光相关的测量；以及在该更换后使用该测量部进行与该曝光相关之测量，并反映该测量结果来使该基板曝光。
因此，例如可在板体表面因与液体接触而劣化前，藉由更换更换测量部(透过被供应液体之板体来进行与该曝光相关的测量)中包含该板体之至少一部分，来随时以高精度进行与曝光相关的测量，并藉由反映该测量结果，来进行高精度曝光。
本发明从第5观点观之，为一种曝光方法，系使基板曝光的第2曝光方法，其特征在于，包含：用以更换测量部中包含该板体之至少一部分的步骤；该测量部系透过至少一个端面经镜面加工之板体来进行与该曝光相关的测量；透过该端面测量该更换后之该板体位置，并使用该测量部来进行该测量的步骤；以及反映该测量结果来使该基板曝光的步骤。
因此，例如在板体表面因测量时之曝光用光的照射等而劣化时，能藉由更换包含该板体之至少一部分，并透过该端面测量该板体位置，使用该测量部进行与曝光相关之测量，藉此能以高精度进行与曝光相关之测量，且在将包含板体之测量部的至少一部分更换成新品时，即使粗略地定位该更换后之零件，亦能透过板体之经镜面加工的端面正确地测量板体位置。承上所述，由于即使在进行更换时粗略地定位测量部之一部分，亦能在进行测量时将测量部正确地定位于所欲位置。又，藉由反映该测量结果，而可进行高精度之曝光。
本发明从第6观点观之，为一种曝光方法，系使基板曝光的第3曝光方法，使用透过板体进行与该曝光相关之测量的测量部来进行该测量的步骤；检测该板体之更换时期并更换该板体的步骤；以及反映该测量结果来使该基板曝光的步骤。
因此，可预先透过实验等求出测量部之测量精度开始降低前的时期，并将此时期预先设定为板体更换时期。接着，藉由在检测出该更换时期时进行板体之更换，来在测量部之测量精度降低以前的最佳时期更换板体。亦即，能以高精度维持测量部之与曝光相关之测量的测量精度，且能极力抑制板体之更换频度。又，藉由反映该测量结果，而可进行高精度之曝光。
又，藉由在光刻制程中，使用本发明之第1～第3曝光装置使基板曝光来于该基板上形成组件图案，而能提升高积体度之微组件的生产性。因此，本发明，进一步从其它观点来看，可说系一种使用本发明之第1～第3曝光装置之任一者的组件制造方法。
附图说明
图1系显示第1实施形态之曝光装置的概略图。
图2系显示载台装置之立体图。
图3(A)系显示测量载台之立体图。
图3(B)系显示从测量载台拆下测量台之状态的立体图。
图4系显示测量载台之纵截面图。
图5系显示自重消除器之纵截面图。
图6系用以说明自重消除器之作用的示意图。
图7系显示第1实施形态之曝光装置之控制系统主要构成的方块图。
图8(A)系用以说明第1实施形态之并行处理动作的俯视图(其1)。
图8(B)系用以说明第1实施形态之并行处理动作的俯视图(其2)。
图9(A)系用以说明第1实施形态之并行处理动作的俯视图(其3)。
图9(B)系用以说明第1实施形态之并行处理动作的俯视图(其4)。
图10系用以说明第1实施形态之并行处理动作的俯视图(其3)。
图11系显示第2实施形态之测量载台及搬出入机构的立体图。
图12系显示从测量载台搬出板体之状态的立体图。
具体实施方式
《第1实施形态》
以下，根据图1～图10说明本发明之第1实施形态。
图1系显示第1实施形态之曝光装置100的概略构成。此曝光装置100，系步进扫描方式之投影曝光装置、亦即所谓扫描步进器(亦称扫描仪)。此曝光装置100，具备：照明系统10；标线片载台RST，系用以保持作为光罩之标线片R；投影单元PU；载台装置50，具有作为基板载台之晶片载台WST及构成测量部之测量载台MST；以及此等之控制系统等。于晶片载台WST上装载有作为基板之晶片W。
该照明系统10，系籍由照明用光(曝光用光)IL，以大致均一之照度照明被未图示之标线片遮廉规定之标线片R上的狭缝状照明区域。此处，作为一例，系使用ArF准分子激光光(波长193nm)来作为照明用光IL。
于前述标线片载台RST上例如以真空吸附方式固定有标线片R，该标线片R于其图案面(图1之下面)形成有电路图案等。标线片载台RST，能籍由例如包含线性马达等标线片载台驱动部11(在图1未图示，参照图7)，来在与照明系统10之光轴(与后述投影光学系统PL之光轴AX一致)成垂直的XY平面内微幅驱动，且能以指定之扫描速度驱动于既定扫描方向(此处系指图1之纸面内左右方向的Y轴方向)。
标线片载台RST之载台移动面内之位置(包含绕Z轴之旋转)，系藉由标线片激光干涉仪(以下称为「标线片干涉仪」)116，透过移动镜15(实际上，系设有具有与Y轴方向正交之反射面的Y移动镜、以及具有与X轴方向正交之反射面的X移动镜)例如以0.5～1nm左右之分析能力随时检测。该标线片干涉仪116之测量值，系传送至主控制装置20(于图1未图示，参照图7)，主控制装置20，即根据该标线片干涉仪116之测量值算出标线片载台RST之X轴方向、Y轴方向及θz方向(绕Z轴之旋转方向)的位置，且籍由根据该计算结果控制标线片载台驱动系统11，来控制标线片载台RST之位置(及速度)。
于标线片R上方，在X轴方向相隔既定距离设有一对由使用曝光波长光线之TTR(Through The Reticle)对准系统构成的标线片对准检测系统RAa，RAb，其用以透过投影光学系统PL同时观察标线片R上之一对标线片对准标记及与此等对应之测量载台MST上的一对基准标记(以下称为「第1基准标记」)。作为此等标线片对准检测系统RAa，RAb，例如系使用和特开平7-176468号公报及与其对应之美国专利第5,646,413号等所揭示者相同构成的装置。在本国际申请案所指定之指定国(或选择之选择国)的国内法令允许范围内，援用上述公报及对应美国专利之揭示来作为本说明书之记载的一部份。
前述投影单元PU，系配置于标线片载台RST之图1下方。投影单元PU，包含：镜筒40；以及投影光学系统PL，系由以既定位置关系保持于该镜筒40内之多个光学组件构成。作为投影光学系统PL，例如系使用具有Z轴方向之共通光轴AX之多个透镜(透镜组件)所构成的折射光学系统。该投影光学系统PL，例如系两侧远心且具有既定投影倍率(例如1/4倍或1/5倍)。藉此，当以来自照明系统10之照明用光IL来照明标线片R的照明区域时，藉由通过该标线片R之照明用光IL，使该照明区域内之标线片R的电路图案缩小像(电路图案之一部分缩小像)透过投影光学系统PL(投影单元PU)形成于晶片(于表面涂布有光阻(感光剂))上。
又，虽省略图标，但构成投影光学系统PL之多个透镜中的特定多个透镜，系根据来自主控制装置20之指令被成像特性修正控制器381(参照图7)所控制，投影光学系统PL之光学特性(包含成像特性)，能调整例如倍率、畸变、彗形像差、以及像面弯曲(包含像面倾斜)等。
此外，本实施形态之曝光装置100，由于如后述般系进行适用液浸法之曝光，因此随着数值孔径NA实质上之增大，使标线片侧之孔径亦变大。如此，仅以透镜构成的折射光学系统，即难以满足珀兹伐条件(Petzval Condition)，使投影光学系统趋向大型。为避免此投影光学系统之大型化，亦可使用包含反射镜与透镜所构成之反射折射系统(catadioptric系统)。
又，本实形形态之曝光装置100中，由于系进行适用液浸法的曝光，因此在作为构成投影光学系统PL之最靠像面侧(晶片W侧)之光学组件的透镜(以下亦称「前端透镜」)91附近，设有构成液浸装置132的液体供应嘴51A与液体回收嘴51B。
于前述液体供应嘴51A，连接有其一端连接于液体供应装置288(图1中未图示，参照图7)之未图示供应管的另一端，于前述液体回收嘴51B，连接有其一端连接于液体回收装置292(图1中未图示，参照图7)之未图示回收管的另一端。
前述液体供应装置288，包含液体槽、加压泵、温度控制装置、以及用以控制液体对供应管之供应及停止的阀等。作为阀，最好系使用例如不仅可进行液体之供应及停止、亦能调整流量的流量控制阀。前述温度控制装置，系将液体槽内之液体温度调整至收纳有曝光装置本体之处理室(未图标)内之温度同样程度。
前述液体回收装置292，包含液体之槽及吸引泵、以及透过回收管控制液体之回收及停止的阀等。作为阀，最好系使用对应前述液体供应装置288侧之阀的流量控制阀。
作为上述液体，此处，系使用可使ArF准分子激光光(波长193nm之光)透射的超纯水(以下，除特别必要情况外，仅记述为「水」)。超纯水，具有在半导体制造工厂等能容易地大量获得且对晶片上之光阻或光学透镜等无不良影响的优点。
水对ArF准分子激光光之折射率n为大致1.44。于该水中，照明用光IL之波长，系缩短至193nm×1/n＝约134nm。
前述液体供应装置288及液体回收装置292分别具备控制器，各控制器籍由主控制装置20来控制(参照图7)。液体供应装置288之控制器，系根据来自主控制装置20之指令，以既定开度开启连接于供应管的阀，透过液体供应嘴51A将水供应至前端透镜91与晶片W之间。又，此时，液体回收装置292之控制器，系根据来自主控制装置20之指令，以既定开度开启连结于回收管的阀，透过液体回收嘴51B从前端透镜91与晶片W之间将水回收至液体回收装置292(液体槽)内部。此时，主控制装置20，系对液体供应装置288之控制器、液体回收装置292之控制器发出指令，以使从液体供应嘴51A供应至前端透镜91与晶片W间的水量与透过液体回收嘴51B回收之水量恒相等。据此，使前端透镜91与晶片W间之水Lq(参照图1)保持一定量。此时，保持于前端透镜91与晶片W之间的水Lq系随时更换。
从上述说明可清楚得知，本实施形态之液浸装置132，系一种包含上述液体供应装置288、液体回收装置292、供应管、回收管、液体供应嘴51A及液体回收嘴51B等所构成的局部液浸装置。
此外，即使测量载台MST位于投影单元PU下方时，亦能与上述同样地将水充满于测量台MTB与前端透镜91之间。
又，上述说明中，为简化其说明，虽分别设有各一个液体供应嘴与液体回收嘴，但并不限于此，例如国际公开第99/49504号公报所揭示般，亦可采用具有多数个嘴之构成。扼要言之，只要是能将液体供应至构成投影光学系统PL最下端之光学构件(前端透镜)91与晶片W间之构成的话，该构成可为任意。
此外，虽未图示，保持水Lq之液浸区域外侧、例如在液体供应嘴51A、液体回收嘴51B外侧，设置有例如光纤式之漏水传感器，主控制装置20可根据该漏水传感器之输出瞬间侦测出产生漏水的构成。
前述载台装置50，包含：框架FC；底座12；系设于该框架FC上；晶片载台WST及测量载台MST，系配置于该底座12上面之上方；作为位置测量装置之干涉仪系统118(参照图7)，包含测量此等载台WST，MST之位置的干涉仪16，18；以及载台驱动部124(参照图7)，系驱动载台WST，MST。
从以立体图显示载台装置50之图2可知，该框架FC，系由一体形成有凸部FCa，FCb之概略平板状构件构成，该凸部FCa，FCb系在其X方向一侧与另一侧之端部附近以Y方向为长边方向往上方突出。
前述底座12，系由亦称为固定座之板状构件构成，其配置于框架FC之前述凸部FCa，FCb所夹的区域上。底座12上面系作成平坦度相当高，其作为晶片载台WST及测量载台MST之移动时的导引面。
前述晶片载台WST，如图2所示，具备配置于底座12上之晶片载台本体28、以及透过未图标之Z倾斜驱动机构装载于晶片载台本体28上之晶片台WTB。Z倾斜驱动机构，实际上包含可在晶片载台本体28上以三点支撑晶片台WTB之三个致动器(例如音圈马达或电磁石)等，可将晶片台WTB微幅驱动于Z轴方向、θx方向(绕X轴之旋转方向)、以及θy方向(绕Y轴之旋转方向)的三自由度方向。
前述晶片载台本体28，系藉由截面矩形框状之延伸于X轴方向的中空构件构成。于此晶片载台本体28下面设有多个、例如四个未图示气体静压轴承(例如空气轴承)，透过此等空气轴承来使晶片载台WST透过数μm左右之间隙以非接触方式悬浮支撑于前述导引面上方。
如图2所示，于前述框架FC之凸部FCa上方，配置有延伸于Y轴方向之Y轴用固定件86。同样地，于框架FC之凸部FCb上方配置有延伸于Y轴方向的Y轴用固定件87。此等Y轴用固定件86，87，分别藉由设于各下面之未图示气体静压轴承(例如空气轴承)来透过既定间隙悬浮支撑于凸部FCa，FCb上面。本实施形态中，Y轴用固定件86，87系由多个永久磁石群构成之磁极单元所构成。
于前述晶片载台本体28内部，设有作为X轴方向可动件之具有永久磁石群的磁极单元90。
于磁极单元90之内部空间插入有延伸于X轴方向的X轴用固定件80。此X轴用固定件80，系由内装有沿X轴方向相距既定间隔所配置之多个电枢线圈的电枢单元所构成。此时，系由磁极单元90与电枢单元所构成之X轴用固定件80，来构成将晶片载台WST驱动于X轴方向之动磁型X轴线性马达。以下，使用与该固定件(X轴用固定件80)同一符号，适当将上述X轴线性马达称为X轴线性马达80。此外，亦可使用移动线圈型线性马达来代替动磁型线性马达。
于前述X轴用固定件80长边方向之一侧与另一侧端部分别固定有可动件82，83，该可动件82，83系由内装有例如沿Y轴方向相距既定间隔所配置之多个电枢线圈的电枢单元所构成。亦即，本实施形态中，系藉由电枢单元所构成之可动件82，83与磁极单元所构成之Y轴用固定件86，87来构成移动线圈型Y轴线性马达。以下，使用与各可动件82，83同一符号，适当将上述两个Y轴线性马达称为Y轴线性马达82、Y轴线性马达83。此外，亦可使用动磁型线性马达来作为Y轴线性马达82，83。
亦即，晶片载台WST，系藉由X轴线性马达80驱动于X轴方向，且藉由一对Y轴线性马达82，83与X轴线性马达80一体驱动于Y轴方向。又，晶片载台WST，可藉由使Y轴线性马达82，83所产生之Y轴方向的驱动力些微不同，而亦旋转驱动于θz方向。
于前述晶片台WTB上设有用以保持晶片W的晶片保持具70。晶片保持具70，具备板状本体部、以及固定于该本体部上面、于其中央形成有直径较晶片W直径大2mm左右之圆形开口的辅助板。于此辅助板之圆形开口内部之本体部的区域配置有多数个销，在以该多数个销支撑晶片W之状态进行真空吸附。此时，在真空吸附晶片W的状态下，该晶片W表面与辅助板之表面的高度系大致相同高度。
又，于晶片台WTB上面，如图2所示，于X轴方向一端(-X侧端)沿Y轴方向延设有具有与X轴正交之反射面的X移动镜17X，于Y轴方向一端(+Y侧端)沿X轴方向延设有具有与Y轴正交之反射面的Y移动镜17Y。如图2所示，来自后述之构成干涉仪系统118(参照图7)之X轴干涉仪46，Y轴干涉仪18的干涉仪射束(侧距射束)，系分别投射于此等移动镜17X，17Y之各反射面，藉由在干涉仪46，18承受各反射光，来测量各反射面之基准位置(一般系于投影单元PU侧面或离轴对准系统ALG(参照图7，图8(A)等)之侧面配置固定反射镜，再以该处为基准面)从测量方向的移位。Y轴干涉仪18，具有将投影光学系统PL之投影中心(光轴AX)及对准系统ALG之检测中心连结而成之与Y轴平行的测距轴，X轴干涉仪46，具有与Y轴干涉仪18之测距轴在投影光学系统PL之投影中心垂直交叉的测距轴(参照图8(A)等)。
前述Y轴干涉仪18，系具有至少三条光轴之多轴干涉仪，各光轴之输出值可独立测量。此Y轴干涉仪18之输出值(测量值)，如图7所示系供应至主控制装置20，而不仅可藉由主控制装置20根据来自Y轴干涉仪18之输出值，测量晶片台WTB之Y轴方向位置(Y位置)，亦能测量绕X轴之旋转量(纵摇量)及绕Z轴之旋转量(偏摇量)。又，X轴干涉仪46，系具有至少两条光轴之多轴干涉仪，各光轴之输出值可独立测量。此X轴干涉仪46之输出值(测量值)系供应至主控制装置20，而不仅可藉由主控制装置20根据来自X轴干涉仪46之输出值，测量晶片台WTB之X轴方向位置(X位置)，亦能测量绕Y轴之旋转量(横摇量)。
如上所述，于晶片台WTB上虽实际上设有移动镜17X，17Y，但此等在图1中仅代表性地显示移动镜17。此外，例如亦可对晶片台WTB之端面进行镜面加工来形成反射面(相当于前述移动镜17X，17Y之反射面)。
如图2所示，前述测量载台MST，系藉由以X轴方向为长边方向之Y载台81等的多个构件组合而成，透过设于其最下面(最接近底座12之构件下面)之多个气体静压轴承(例如空气轴承)，来以数μm左右之间隙以非接触方式悬浮支撑于底座12之上面(导引面)上方。
从图3(A)之立体图亦可知，测量载台MST，具备：Y载台81，具有沿X轴方向呈细长长方形板状之测量载台本体81c与分别固定于该测量载台本体81c上面之X轴方向一侧、另一侧的一对突出部81a，81b；调平台52，系配置于前述测量载台本体81c上面之上方；以及测量台MTB，系构成设于该调平台52上之测量单元之至少一部分。
构成前述Y载台81之测量载台本体81c之X轴方向一侧与另一侧的端面分别固定有可动件84，85，该可动件84，85，系由内装有沿Y轴方向相距既定间隔所配置之多个电枢线圈的电枢单元所构成。此等各可动件84，85，系分别从内侧插入前述Y轴用固定件86，87。亦即，本实施形态中，系藉由电枢单元所构成之可动件84，85与磁极单元所构成之Y轴用固定件86，87来构成两个移动线圈型Y轴线性马达。以下，使用与各可动件84，85同一符号，适当将上述两个Y轴线性马达分别称为Y轴线性马达84、Y轴线性马达85。本实施形态中，系藉由此等Y轴线性马达84，85来将测量载台MST整体驱动于Y轴方向。此外，亦可将此Y轴线性马达84，85作成动磁型线性马达。
于前述测量载台本体81c之底面设有前述之多个气体静压轴承。于此测量载台本体81c上面之X轴方向一侧、另一侧之-Y侧端部附近，固定有彼此对向之前述一对突出部81a，81b。于此等突出部81a，81b彼此间，在Z轴方向(上下)相隔既定间隔配置有分别延伸于X轴方向的固定件61、固定件63，各固定件61，63之两端部分别固定于突出部81a，81b。
于前述调平台52之+X侧端面设有X音圈马达54a之可动件，该X音圈马达54a之固定件系固定于测量载台本体81c上面。又，于调平台52之+Y端面分别设有Y音圈马达54b，54c之可动件，此等Y音圈马达54b，54c之固定件系固定于测量载台本体81c上面。前述X音圈马达54a，例如系由磁极单元所构成之可动件与电枢单元所构成之固定件构成，藉由此等间之电磁相互作用来产生X轴方向的驱动力。又，前述Y音圈马达54b，54c亦系相同构成，而可产生Y轴方向之驱动力。亦即，调平台52，系藉由X音圈马达54a而相对Y载台81驱动于X轴方向，且藉由Y音圈马达54b，54c而相对Y载台81驱动于Y轴方向。又，可藉由使音圈马达54b，54c之驱动力相异，来使调平台52相对Y载台81驱动于绕Z轴之旋转方向(θz方向)。
前述调平台63，如图4之一部分截面所示意显示，系由其底面开口之外观呈板状的框体构成，于其内部分别配置有用以产生Z轴方向之驱动力的三个Z音圈马达56(不过，纸面内侧之Z音圈马达56并未图示)。各Z音圈马达56之固定件系由电枢单元构成，且固定于测量载台本体81c上面。又，各Z音圈马达56之可动件系由磁极单元构成，并固定于调平台52。此等三个Z音圈马达56，藉由各固定件与可动件间之电磁相互作用来产生Z轴方向的驱动力。因此，调平台52，可藉由三个Z音圈马达56驱动于Z轴方向，且亦可微幅驱动于绕X轴之旋转方向(θx方向)，绕Y轴之旋转方向(θy方向)。
亦即，调平台52，可藉由前述X音圈马达54a、Y音圈马达54b，54c、三个Z音圈马达56，以非接触方式微幅驱动于六自由度方向(X，Y，Z，θx，θy，θz)。
又，如图4所示，于前述调平台52内部亦配置有用以消除调平台52之自重的自重消除机构58。亦即，自重消除机构58，可说是用以补偿测量台MTB之自重。此自重消除机构58，系配置于由前述三个Z音圈马达56构成之三角形的大致重心位置附近。
自重消除器58，如图5之纵截面图所示，具备下端部(-Z侧端部)开口且上端部(+Z侧端部)封闭之圆筒状汽缸部170A、以及透过该开口插入该汽缸部170A且可相对该汽缸部170A移动的活塞部170B。
在前述汽缸部170A之下端部(-Z侧端部)附近，于其内周面全周形成有第1环状凸部172a。又，于第1环状凸部172a下侧(-Z侧)相距既定间隔形成有第2环状凸部172b。又，于汽缸部170A之第1环状凸部172a与第2环状凸部172b之间所形成之既定深度之环状凹槽172d的内部底面，相距既定间隔于多处形成有用以连通汽缸部170A之内部空间与外部的贯通孔172c。
前述活塞部170B，系在其外周面与前述第1、第2环状凸部172a，172b间形成有既定间隙的状态下插入汽缸部170A内。
活塞部170B，具有由两部分构成之呈阶梯状的圆柱形，该两部分系第1直径圆柱部与设于其-Z侧且与圆柱部同心之第2直径(＞第1直径)圆板部。于此活塞部170B，形成有从上端面之中央部到达底面之Z轴方向的通气管路174a。通气管路174a，系与形成于活塞部170B下端面(-Z侧端面)之槽174b连通，且加工成在活塞部170B之下端面附近、越接近该下端面即越狭窄。亦即，通气管路174a之下端部，系以可发挥一种喷嘴(锥形喷嘴)之功能的方式形成。此外，槽174b，实际上具有圆与在其中心正交之十字所组合而成的形状。
又，于活塞部170B上端面之周缘附近，以中心角90°之间隔形成有四个通气管路176(惟图5中仅图示分别位于+Y侧、-Y侧之两个通气管路176，分别位于+X侧、-X侧之剩余两个通气管路176则未图示)，其呈向下挖掘至在活塞部170B高度方向中央部之稍微上侧位置的状态。于此等四个通气管路176之下端部附近，贯通形成有连通于活塞部170B外周面外侧之作为气体喷出口的缩孔178。
此情形下，在汽缸部170A内部之活塞部170B上方形成有大致气密状态的空间180。于此空间180，透过形成于汽缸部170A一部分之未图示开口连接有未图示供应管一端，此供气管另一端连接于未图标气体供应装置。从此气体供应装置透过供气管例如将氦等之稀有气体或氮、空气等气体供应至空间180内，该空间180，即呈气压较汽缸部170A外部高之正压空间。因此，以下将空间180亦称为「正压空间180」。
以上述方式构成之自重消除器58，如图6所示，藉由使空间180成为正压空间，来于通气管路174a内产生箭头A1所示之气流(以下亦适当称为「气流A」)。此气流A1所示之气体，系从前述通气管路174a下端之圆锥嘴部喷出，而于槽174b内产生箭头A2所示之气流。此气体系流遍槽174b全区，而从槽174b整体向测量载台本体81c上面喷出。藉此，透过活塞部170B底面与测量载台本体81c上面间之气体静压(间隙内压力)，而于活塞部170B底面与测量载台本体81c上面间形成既定间隙ΔL1。亦即，于活塞部170B底面实质上形成有一种气体静压轴承，活塞部170B以非接触方式悬浮支撑于测量载台本体81c上方。以下，亦将此气体静压轴承称为「止推轴承」。
与通气管路174a同样地，于四个通气管路176亦分别产生箭头B1所示之气流，伴随于此，于缩孔178则产生从活塞部170B内部朝向外部之箭头B2所示之气流，从缩孔178喷出之气体，系喷吹于第2环状凸部172b。此时，藉由第2环状凸部172b与活塞部170B外周面间之气体静压(间隙内压力)，来于第1、第2环状凸部172a，172b之间形成既定间隙ΔL2。亦即，于活塞部170B之周壁实质上形成有气体静压轴承，活塞部170B与汽缸部170A之间呈非接触。以下，亦将此气体静压轴承称为「径向轴承」。
进一步地，在以既定间隔形成于汽缸部170A之环状凹槽172d的多个贯通孔172c，系产生箭头C1所示之气流，藉此，喷吹于第2环状凸部172b之气体、正压空间内之气体等间隙ΔL2内之气体即排出至外部。
藉由本实施形态之自重消除器58，在以其上端部支撑调平台52时，其自重系被正压空间180之正压支撑，而可在与构成Y载台81之测量载台本体81c上面之间，透过径向轴承之作用恒维持间隙ΔL1。又，即使于调平台52产生欲往倾斜方向(θx、θy方向)倾斜之力时，由于可藉由径向轴承之作用来维持间隙ΔL2，因此可吸收调平台52之倾斜。据此，透过自重消除器58，即可藉由正压来以低刚性支撑调平台52且吸收其倾斜。
返回图3(A)，前述测量台MTB，具备：测量台本体59，系由Zerodur(首德股份有限公司之商品名称)等之材料构成；以及可动件62，64，系上下排列固定于该测量台本体59之-Y侧面，呈以X轴方向为长边方向之截面大致U字形。
于前述测量台本体59底面设有多个(例如四个)空气轴承42(参照图4)，藉由此等空气轴承42，使测量台MTB透过数μm左右之间隙以非接触方式悬浮支撑于调平台52上面的上方。
前述可动件62，具备：YZ截面呈大致U字形之可动件轭；以及永久磁石群，系由多组沿X轴方向相距既定间隔且交互配置于该可动件轭内面(上下面)之N极永久磁石与S极永久磁石构成，与前述固定件61呈卡合状态。于可动件62之可动件轭的内部空间，沿X轴方向形成有交变磁场。前述固定件61，例如由内装多个电枢线圈(沿X轴方向相距既定间隔所配置)之电枢单元构成。亦即，藉由固定件61与可动件62，构成用以将测量台MTB驱动于X轴方向之动磁型X轴线性马达LX。
前述可动件64，具备YZ截面呈大致U字形之可动件轭、以及于该可动件轭内面(上下面)各设一个之N极永久磁石与S极永久磁石，与前述固定件63呈卡合状态。于可动件64之可动件轭内部空间形成有+Z方向或-Z方向的磁场。于前述固定件63内部具备电枢线圈，该电枢线圈系以电流在N极磁石与S极磁石所形成之磁场中仅流动于X轴方向的方式所配置。亦即，藉由可动件64与固定件63，构成用以将测量台MTB驱动于Y轴方向之动磁型Y音圈马达VY。
由截至目前之说明可清楚得知，本实施形态，系藉由Y轴线性马达82～85及X轴线性马达80、用以驱动晶片台WTB之未图示微动机构、以及测量载台MST上之上述各马达(54a～54c，56，LX，VY)来构成图7所示的载台驱动部124。构成该载台驱动部124之各种驱动机构，系由图7所示之主控制装置20来控制。
前述测量台MTB，进一步具备用以进行与曝光相关之各种测量的测量器类。进一步详述此等测量器类，系于测量台本体59上面设有由例如Zerodur(首德股份有限公司之商品名称)或石英玻璃等之玻璃材料构成的板体101。于此板体101表面之大致全面涂布有铬，并于各处设有测量器用区域、或设有形成有多个基准标记之基准标记区域FM(揭示于特开平5-21314号公报及对应其之美国专利第5,243,195等)。在本国际申请案所指定之指定国(或选择之选择国)的国内法令允许范围内，援用上述公报及对应美国专利之揭示来作为本说明书之记载的一部份。
于前述测量器用区域施有图案化，而形成有各种测量用开口图案。作为此测量用开口图案，可形成例如空间像测量用开口图案(例如狭缝状开口图案)、照明不均测量用针孔开口图案、照度测量用开口图案、以及波面像差测量用开口图案等。
在前述空间像测量用开口图案下方之测量台本体59内部设有一受光系统，该受光系统系透过前述空间像测量用开口图案来承受透过投影光学系统PL及水而照射于板体101之曝光用光。藉此，构成用以测量投影光学系统PL所投影之图案空间像(投影像)之光强度的空间像测量器(例如揭示于特开2002-14005号公报及对应其之美国专利申请公开第2002/0041377号说明书等)。
又，在照明不均测量用针孔开口图案下方之测量台本体59内部设有一含受光组件的受光系统，藉此来构成具有用以在投影光学系统PL之像面上承受照明光IL之针孔状受光部的照度不均测量器(揭示于特开昭57-117238号公报及对应其之美国专利第4,465,368号等)。
又，在照度测量用开口图案下方之测量台本体59内部设有一含受光组件的受光系统，藉此来构成照度监测器(例如揭示于特开平11-16816号公报及对应其之美国专利申请公开第2002/0061469号说明书等)，其具有用以在投影光学系统PL之像面上透过水来承受照明光IL之既定面积的受光部。在本国际申请案所指定之指定国(或选择之选择国)的国内法令允许范围内，援用上述公报及对应美国专利或美国专利申请公开说明书之揭示来作为本说明书之记载的一部份。
又，在波面像差测量用开口图案下方之测量台本体59内部设有一例如含微透镜数组的受光系统，藉此来构成例如揭示于国际公开第99/60361号说明书及对应其之欧洲专利第1,079,223号说明书等的波面像差测量器。
此外，图7中，上述空间像测量器、照度不均测量器、照度监测器、以及波面像差测量器系显示为测量器群43。
此外，本实施形态中，系进行透过投影光学系统PL与水以曝光用光(照明用光)IL来使晶片W曝光的液浸曝光，与此对应地，系藉由用在使用照明用光IL之测量的上述照度监测器、照度不均测量器、空间像测量器、以及波面像差测量器等，来透过投影光学系统PL及水承受照明用光IL。因此，于板体101表面施有拨水被膜。此外，上述各测量器，例如仅光学系统等之一部分亦可装载于测量载台MST，或将测量器整体配置于测量载台MST。
于前述测量台MTB(板体101)上面，于X轴方向一端(-X侧端)沿Y轴方向延设有具有与X轴正交之反射面的X移动镜117X，于Y轴方向一端(-Y侧端)沿X轴方向延设有具有与Y轴正交之反射面的Y移动镜117Y。如图2所示，来自构成干涉仪系统118之Y轴干涉仪16的干涉仪射束(侧距射束)系投射于Y移动镜117Y的反射面，藉由在干涉仪16承受其反射光，来测量Y移动镜117Y之反射面从基准位置的移位。又，测量台MTB，当在进行测量时等而移动至投影单元PU正下方时，系对X移动镜117X之反射面投射来自X轴干涉仪46之干涉仪射束(侧距射束)，藉由干涉仪46承受其反射光，来测量X移动镜117X之反射面从基准位置的移位。Y轴干涉仪16，具有在投影光学系统PL之投影中心(光轴AX)与前述X轴干涉仪46之测距轴垂直交叉之Y轴方向平行的测距轴。
前述Y轴干涉仪16，系具有至少三条光轴之多轴干涉仪，各光轴之输出值可独立测量。此Y轴干涉仪16之输出值(测量值)，如图7所示系供应至主控制装置20，而不仅可藉由主控制装置20根据来自Y轴干涉仪16之输出值来测量测量台MTB之Y位置，亦能测量纵摇量及偏摇量。又，藉由主控制装置20根据来自X轴干涉仪46之输出值，而亦能测量测量台MTB之X位置及横摇量。
由截至目前之说明可清楚得知，本实施形态中，来自X轴干涉仪18之干涉仪射束，系在晶片载台WST之移动范围全区中恒投射于移动镜17Y，来自Y轴干涉仪16之干涉仪射束，系在测量载台MST之移动范围全区中恒投射于移动镜117Y。因此，载台WST，MST在Y轴方向之位置，系随时透过主控制装置20根据Y轴干涉仪18，16之测量值来管理。
另一方面，如从图2亦可容易想象得知，主控制装置20，仅在来自X轴干涉仪46之干涉仪射束照射于移动镜17X之范围内，根据X轴干涉仪46之输出值来管理晶片台WTB(晶片载台WST)的X位置，且仅在来自X轴干涉仪46之干涉仪射束照射于移动镜117X之范围内，根据X轴干涉仪46之输出值来管理测量台MTB(测量载台MST)的X位置。因此，在无法根据X轴干涉仪46之输出值来管理X位置之期间时的晶片台WTB、测量台MTB位置，系由未图标之编码器测量，主控制装置根据该编码器之测量值，来管理在无法根据X轴干涉仪46之输出值来管理X位置之期间时的晶片台WTB、测量台MTB位置。
又，主控制装置20，系在从来自X轴干涉仪46之干涉仪射束未照射于移动镜17X，117X之状态到开始照射于移动镜17X或移动镜117X后的时间点，重设至此为止未用于控制的X轴干涉仪46，其后，即使用构成干涉仪系统118之X轴干涉仪18或16、以及X轴干涉仪46，来管理晶片载台WST或测量载台MST的位置。
本实施形态中，虽系包含两个Y轴干涉仪16，18与一个X轴干涉仪46，来构成图7之干涉仪系统118，但亦可采用设置多个X轴干涉仪、来自任一个X轴干涉仪之干涉仪射束恒照射于移动镜17X，117X的构成。此时，只要将用以管理晶片载台WST，测量载台MST之位置的X轴干涉仪，根据此等载台之X位置来加以切换即可。
又，前述之多轴干涉仪，亦可系透过倾斜45°设于载台WST，MST的反射面，将激光束照射于设于保持构件(保持有投影单元PU)之反射面，以检测出该反射面与载台在投影光学系统PL之光轴方向(Z轴方向)的相对位置信息。
又，本实施形态之曝光装置100中，于保持投影单元PU之保持构件设有离轴对准系统(以下，简称为「对准系统」)ALG(图1中未图示，参照图7、图8(A)等)。作为该对准系统ALG，可使用例如影像处理方式之FIA(Field Image Alignment(场像对准))系统传感器，其能将不会使晶片上之光阻感光的宽频检测光束照射于对象标记，以摄影组件(CCD(电荷耦合装置)等)拍摄藉由来自该对象标记之反射光而成像于受光面的对象标记之像、以及未图示之指针(设于对准系统ALG内之指针板上的指针图案)的像，并输出该等影像讯号。来自对准系统ALG之摄影讯号，系供应至图7的主控制装置20。
此外，作为对准系统ALG并不限于FIA系统，亦能单独或适当组合使用能将同调检测光照射于对象标记以检测从该对象标记产生之散射光或绕射光的对准传感器，或是使从该对象标记产生之两绕射光(例如同阶数之绕射光、或绕射于同方向之绕射光)彼此干涉来加以检测的对准传感器。
本实施形态之曝光装置100，虽于图1中省略图示，但设有与照射系统90a及受光系统90b(参照图7)所构成、例如于特开平6-283403号公报及对应其之美国专利第5,448,332号所揭示者相同之斜入射方式的多点焦点位置检测系统。本实施形态中，作为其一例，照射系统90a系在投影单元PU之-X侧悬吊支撑于用以保持投影单元PU之保持构件，受光系统90b系在投影单元PU之+X侧悬吊支撑于保持构件下方。亦即，照射系统90a及受光系统90b、以及投影光学系统PL，均安装于同一构件，两者之位置关系维持于一定。在本国际申请指定之指定国(或所选择之选择国)之国内法令所许可范围，援用于上述公报及对应美国专利之揭示作为本申请书记载之一部份。
图7，系显示曝光装置100之控制系统的主要构成。此控制系统，系以由用以统筹控制装置整体之微电脑(或工作站)所构成的主控制装置20为中心。又，于主控制装置20，连接有内存MEM、CRT显示器(或液晶显示器)等显示器DIS。
其次，根据图8(A)～图10等，说明以上述方式构成之本实施形态的曝光装置100中、使用晶片载台WST与测量载台MST所进行之并行处理动作。此外，以下动作中，系以主控制装置20来如前述般进行液浸装置132之液体供应装置288及液体回收装置292之各阀的开关控制，随时将水充满于投影光学系统PL之前端透镜91正下方。不过，以下为使说明容易理解，系省略关于液体供应装置288及液体回收装置292之控制的说明。
图8(A)，系显示对晶片载台WST上之晶片W(此处，例如系一批量(一批量为25片或50片)之最后晶片)进行步进扫描方式之曝光时的状态。此时，测量载台MST，系于不与晶片载台WST撞击之既定待机位置待机。
上述曝光动作，系籍由主控制装置20，根据事前进行之例如EGA(加强型全晶片对准)等之晶片对准结果及最新之对准系统ALG之基线的测量结果等，反复进行照射间移动动作(使晶片载台WST往用以使晶片W上之各照射区域曝光的扫描开始位置(加速开始位置)移动)与扫描曝光动作(以扫描曝光方式对各照射区域转印形成于标线片R的图案)，藉此来进行。
此处，上述之使晶片载台WST移动的照射间移动动作，系藉由主控制装置20一边监控干涉仪18，46之测量值、一边控制X轴线性马达80及Y轴线性马达82，83来进行。又，上述扫描曝光，系主控制装置20一边监控干涉仪18，46及标线片干涉仪116之测量值、一边控制标线片载台驱动部11及Y轴线性马达82，83(及X轴线性马达80)，在Y轴方向相对扫描标线片R(标线片载台RST)与晶片W(晶片载台WST)，以在其相对扫描中之加速结束后与减速开始前一刻之间的等速移动时，使标线片R(标线片载台RST)与晶片W(晶片载台WST)在Y轴方向相对照明光IL之照明区域进行等速同步移动，藉此来实现。此外，上述曝光动作，系在将水保持在前端透镜91与晶片W间的状态下进行。
接着，在晶片载台WST侧对晶片W之曝光结束的阶段，主控制装置20，即根据干涉仪16之测量值、以及未图标之编码器的测量值来控制Y轴线性马达84，85及X轴线性马达LX，使测量台MTB移动至图8(B)所示位置。在此图8(B)之状态下，测量台MTB之+Y侧端面与晶片台WTB之-Y侧端面系接触。此外，亦可监控干涉仪16，18之测量值来使测量台MTB与晶片台WTB在Y轴方向分离300μm左右，保持非接触之状态。
其次，主控制装置20，系一边保持晶片台WTB与测量台MTB在Y轴方向之位置关系，一边开始同时将两载台WST，MST驱动于+Y方向的动作。
如此，当藉由主控制装置20同时驱动晶片载台WST、测量载台MST时，在图8(B)之状态下，保持于投影单元PU之前端透镜91与晶片W之间的水，即随着晶片载台WST及测量载台MST往+Y侧之移动，而依序照晶片W→晶片保持具70→测量台MTB上之顺序移动。此外，在上述移动当中，晶片台WTB、测量台MTB系保持彼此接触之位置关系。图9(A)，系显示水在上述移动之途中同时存在于晶片载台WST、测量载台MST上时的状态、亦即将水从晶片载台WST上交付至测量载台MST上之前一刻的状态。
当从图9(A)状态更进一步地将晶片载台WST，测量载台MST往+Y方向同时驱动既定距离时，即如图9(B)所示，成为在测量台MTB与前端透镜91之间保持有水的状态。在此之前，主控制装置20，系在来自X轴干涉仪46之干涉仪射束照射于测量台MTB上之移动镜117X的任一时间点，执行X轴干涉仪46的重设。又，在图9(A)状态下，主控制装置20，系根据未图标编码器之测量值来管理晶片台WTB(晶片载台WST)的X位置。
其次，主控制装置20，一边根据干涉仪18、编码器之测量值管理晶片载台WST之位置，一边控制线性马达80，82，83，使晶片载台WST移动至既定晶片更换位置，并进行与次一批量之第一片晶片的更换动作，同时，视需要执行使用测量载台MST之即定测量。作为该测量，例如可举出在标线片载台RST之标线片更换后所进行之对准系统ALG的基线测量来作为一例。具体而言，主控制装置20，系使用前述标线片对准系统RAa，RAb，同时检测出与设于测量台MTB上板体101上之基准标记区域FM内之一对第1基准标记对应的标线片上之标线片对准标记，来检测出与一对第1基准标记对应之标线片对准标记的位置关系。与此同时，主控制装置20，籍由以对准系统ALG检测出上述基准标记区域FM内之第2基准标记，来检测出对准系统ALG之检测中心与第2基准标记之位置关系。接着，主控制装置20，根据与上述一对第1基准标记对应之标线片对准标记的位置关系、对准系统ALG之检测中心与第2基准标记之位置关系、以及已知之一对第1基准标记与第2基准标记的位置关系，来求出投影光学系统PL对标线片图案之投影中心与对准系统ALG之检测中心的距离、亦即求出对准系统ALG之基线。此外，此时之状态系显示于图10。
此外，在进行上述对准系统ALG之基线测量的同时，先于标线片上形成多对标线片对准标记，并与此对应地先于基准标记区域FM内形成多对第1基准标记，藉由一边使标线片载台RST、测量载台MST步进移动于Y轴方向、一边使用标线片对准系统RAa，RAb来测量至少两对第1基准标记与对应之标线片对准标记的相对位置，来进行所谓之标线片对准。
此时，使用标线片对准系统RAa，RAb之标记的检测，系透过投影光学系统PL及水来进行。
接着，在上述两载台WST，MST上之作业结束的阶段，主控制装置20，即使测量台MTB与晶片台WTB(晶片载台WST)接触，并一边维持该状态一边在XY面内驱动，使晶片载台WST返回投影单元正下方。在此移动中，主控制装置20，亦在来自X轴干涉仪46之干涉仪射束照射于晶片台WTB上之移动镜17X的任一时间点，执行X轴干涉仪46的重设。接着，在晶片载台WST侧，对更换后之晶片进行晶片对准，亦即以对准系统ALG进行更换后之晶片上之对准标记检测，算出晶片上之多个照射区域的位置坐标。此外，如前所述，亦可使测量台MTB与晶片台WTB(晶片载台WST)为非接触状态。
其后，主控制装置20，与先前相反地，系一边保持晶片台WTB(晶片载台WST)与测量载台MST在Y轴方向的位置关系，一边同时将两载台WST，MST驱动于-Y方向，使晶片载台WST(晶片)移动至投影光学系统PL下方后，使测量载台MST退离至既定位置。
其后，主控制装置20，即以与上述同样方式，对新的晶片执行步进扫描方式之曝光动作，依序将标线片图案转印至晶片上之多个照射区域。
此外，上述说明中，虽说明了进行基线测量之情形来作为测量动作，但并不限于此，亦可在晶片载台WST侧进行各晶片之更换期间，使用测量载台MST之测量器群43，进行照度测量、照度不均测量、空间像测量、波面像差测量等，并将该测量结果反映至其后进行之晶片曝光。具体而言，例如能根据测量结果，籍由前述之成像特性校正控制器381来进行投影光学系统PL的调整。
此时，可根据晶片更换所需之时间，在每次更换晶片时进行不同之测量。又，当一回测量在一次之晶片更换期间未完成时，亦可将该测量分割成多次来予以进行。
此外，如上所述，使用前述各测量器之测量，由于系在测量台MTB之板体101上充满水的状态下进行，因此于板体101表面(上面)施有拨水被膜。然而，由于此拨水被膜不耐紫外线，若长时间被紫外线照射即会劣化，因此须以既定频度进行拨水被膜部分之维护保养(更换)。有鉴于此点，本实施形态之曝光装置100，系将测量台MTB卡合成与测量载台MST之其它构成部分为非接触状态。藉由使测量台MTB偏移至+Y侧，来解除X线性马达LX、Y音圈马达VY之各可动件与固定件的卡合，即可如图3(B)所示，将测量台MTB从测量载台MST之其它构成部分容易地卸除。又，本实施形态，系隔既定更换时期将测量台MTB更换成新的测量台。
就进行测量台MTB之更换的时期而言，从欲良好地维持各种测量之测量精度、且极力减少因该测量台MTB之更换所伴随之装置停机时间的观点来看，最好系在拨水被膜劣化之前一刻进行(劣化超过既定容许范围之前一刻)。
因此，本实施形态，系预先藉由实验，根据拨水被膜之劣化与设于测量台MTB之各种测量器之测量结果之变化的关系，求出拨水被膜劣化前一刻之各种测量器的测量值，以各种测量器之测量结果超过容许值之边界的值作为临限值，预先储存于内存MEM(参照图7)。接着，在装置之使用中，使用测量台MTB来进行测量时，主控制装置20，即藉由比较其测量结果与储存于内存MEM之临限值，来判断是否已到更换时期。又，当主控制装置20判断已到更换时期时，即于显示器DIS(参照图7)显示其要旨。因此，操作者即可停止曝光装置100之运转，参阅说明书来执行测量台之更换。亦即，本实施形态中，系构成藉由主控制装置20及内存MEM来检测板体101之更换时期的检测装置。
此外，当具备用于进行测量台MTB之更换的机器人等时，主控制装置20，亦可在将更换时期显示于显示器DIS之同时停止装置之运转，并使用该机器人等将测量台MTB搬出至外部，且将新的测量台搬入测量载台本体81c。
又，进行测量台MTB更换之时期的检测，例如亦可使用光纤等将与曝光用光不同、波长与曝光用光相同的光(检测光)导至投影单元PU附近，对用于测量台MTB之板体101各种测量之部分以外的部分，以与测量时间相同(或较其略长)之时间照射检测光，并藉由设置成更换时期检测专用之光传感器来测量此时之检测光的照度(光量)等，再根据该测量结果算出劣化程度，藉此来判断更换时期之来临。此外，亦可根据透过模拟等预先求出之劣化时间来预测劣化程度。扼要言之，只要可使用某种方法侦测拨水被膜之劣化程度，并能检测出已到更换时期的话，即不论该手法为何皆可。
如以上之详细说明，根据本实施形态之曝光装置100，系具有被供应水(液体)之板体101，且在透过投影光学系统及水来进行与曝光相关之测量的测量载台MST中，包含板体101之测量台MTB系可进行更换。因此，在水供应至板体101表面之状态下，即使系使用测量载台MST反复进行透过投影光学系统PL及水之与曝光相关的测量，亦可藉由在板体101表面因与水接触而劣化前更换测量台MTB，而能随时以高精度进行与曝光相关之测量，进而维持高精度之曝光。
又，本实施形态之曝光装置，系预先透过实验等求出设于测量台MTB之各种测量器之测量精度开始降低前一刻的时期，将该时期预先设定为测量台MTB之更换时期，主控制装置20即以前述方式检测出该时期之来临。因此，可根据该检测结果更换测量台MTB，藉此可在设于测量台MTB之各种测量器之测量精度降低前之最佳时期更换测量台MTB。亦即，可高精度维持测量台MTB之与曝光相关之测量的测量精度，同时极力抑制测量台MTB之更换频度。因此，可长期以高精度维持曝光精度，同时能有效地防止因测量台更换所伴随之停机时间增加而导致装置运转效率降低。
又，根据曝光装置100，可透过液浸曝光来进行高分辨率且焦深与在空气中相较为较大的曝光，藉此能以良好精度将标线片R之图案转印至晶片上，而例如作为组件规则(Device rule)可实现70～100nm左右之微细图案的转印。
此外，上述实施形态中，虽说明了测量载台MST具备可更换之测量台MTB的情形，但本发明并不限于此，亦可采用测量载台MST本身可更换之构成，亦即将测量载台驱动于Y轴方向之Y轴线性马达之可动件与固定件间之卡合可解除的构成。
此外，上述实施形态中，虽说明了测量台MTB可自由拆装于构成测量载台MST之调平台52的情形，但本发明并不限于此，例如亦可将测量台锁固于测量载台MST之一部分。在此种情形下亦可藉由放松螺丝来更换测量台。
又，上述实施形态中，虽说明了采用调平台52具有六自由度、测量台MTB具有三自由度之构成的情形，但并不限于此，例如亦可采用调平台52具有三自由度、测量台MTB具有三自由度之构成。又，亦可不设置调平台52，而采用测量台MTB具有六自由度之构成。扼要言之，只要系包含板体101之测量部的至少一部分为可更换之构成即可。又，上述实施形态中，虽说明了采用活塞状之自重消除器58来作为消除调平台52之自重的机构，但并不限于此，亦能采用伸缩状之自重消除器等。又，亦可藉由自重消除器58来消除晶片载台本体28之自重。《第2实施形态》其次，根据图11，图12说明本发明之第2实施形态。此处，系对与前述第1实施形态相同或同等之部分使用相同符号，来简化或省略其说明。此第2实施形态之曝光装置，在作为测量部之测量载台之构成等系与前述第1实施形态相异，其它部分之构成等则与前述第1实施形态相同。因此，以下就避免重复说明之观点，以相异点为中心进行说明。图11，系以立体图显示本第2实施形态之测量载台MST’。比较此图11与图3(A)，可知本第2实施形态之测量载台MST’，系设有作为测量单元之测量台MTB’来代替前述第1实施形态之测量台MTB。此测量台MTB’，具备其构成与前述测量台本体59仅些许相异的测量台本体159、以及安装成可自由拆装于该测量台本体159上的板体101’。因此，除上述各点以外，基本上与前述测量台MTB相同之构成，且具有相同之功能。
前述板体101’，系与上述第1实施形态同样地，例如由Zerodur(首德股份有限公司之商品名称)、石英玻璃等之玻璃材料构成，于其表面之大致全面涂布有铬，并于各处设有测量器用区域或基准标记区域。又，于测量器用区域施有图案化，形成有与前述第1实施形态相同之空间像测量用开口图案(例如狭缝状开口图案)、照明不均测量用针孔开口图案、照度测量用开口图案、以及波面像差测量用开口图案等之测量用开口图案。
又，板体101’之-Y侧端面及-X侧端面，系施以镜面加工而形成有反射面(相当于第1实施形态中测量台MTB上之移动镜117X，117Y的反射面)。又，本第2实施形态中，由于亦在将水供应至板体101’上之状态下进行各种测量，因此系对板体101’表面施有拨水被膜。
本第2实施形态中，板体101’，系透过设于测量台本体159之未图示真空夹具来吸附保持于测量台本体159。当然，不限于真空吸附，亦可使用机械机构来将板体101’固定于测量台本体159。
于前述测量台本体159内部设有分别对应前述各种测量用开口图案之多个受光系统，此点系与前述第1实施形态相同。不过，于该测量台本体159上面，在+X侧端面之Y轴方向中央部形成有沿X轴方向延伸至装载板体101’之区域下方的槽21a，于-X侧端面之Y轴方向一侧与另一侧的端部附近，分别形成有沿X轴方向延伸至装载板体101’之区域下方的槽21b，21c。
于图11中之测量载台MST’上方，设有用以搬出入板体101’之搬出入机构24。此搬出入机构24，实际上系设于底座12之-Y方向端部附近上方。
搬出入机构24，具备：本体部27，系能进行在Y轴方向之滑动动作及在Z轴方向之升降动作；以及从+Y方向观看时呈大致L字形的手部25a，25b，系安装于该本体部27，能往在X轴方向上为相反之方向移动(往彼此接近、分离之方向移动)。
一手部25a，在其+X侧端部突出本体部27外侧之状态下，以悬吊支撑之状态安装于本体部27，于+X侧端部设有钩部26a。又，另一手部25b，在其-X侧端部突出本体部27外侧之状态下，以悬吊支撑之状态安装于本体部27，于-X侧端部设有延伸于Y轴方向之延设部，于该延设部之+Y侧端部及-Y侧端部设有钩部26b，26c。钩部26a，26b，26c系设于大致相同高度位置。
手部25a，25b，可藉由设于本体部27内之未图标驱动机构，沿X轴方向自由滑动于彼此相反的方向。(亦即可自由开关)。该搬出入机构24，系由主控制装置20控制。
其它部分之构成等，系与前述第1实施形态相同。因此，本第2实施形态之曝光装置，亦以与前述第1实施形态相同之程序进行曝光动作及测量动作。
本第2实施形态，亦与上述第1实施形态同样地，预先藉由实验，根据拨水被膜之劣化与设于测量台MTB’之各种测量器之测量结果之变化的关系，求出拨水被膜劣化前一刻之各种测量器的测量值，以各种测量器之测量结果超过容许值之边界的值作为临限值，预先储存于内存MEM。接着，在使用测量台MTB’来进行测量时，主控制装置20，即藉由比较其测量结果与储存于内存MEM之临限值，来判断是否已到板体101’之更换时期。亦即，本第2实施形态中，系包含主控制装置20及内存MEM来构成用以检测板体101’之更换时期的检测装置。
又，亦可使用揭示于前述第1实施形态之其它手法来进行板体101’之更换时期的检测。
无论如何，主控制装置20，当检测出(判断已到更换时期)板体101’之更换时期时，系将已到更换时期之情形显示于显示器DIS，并等待来自操作者之指示。或者，当检测出(判断已到更换时期)板体101’之更换时期时，主控制装置20，系将已到更换时期之情形显示于显示器DIS，且以下述方式进行板体101’的更换。
亦即，主控制装置20，在使搬出入机构24移动至图11所示位置后，即将本体部27驱动至下方，在手部25a，25b开启之状态下将钩部26a，26b，26c从上方插入前述槽21a，21b，21c内部。接着，主控制装置20，即透过本体部27内之驱动机构，关闭手部25a，25b既定量。藉此使手部25a驱动至-X侧，使手部25b驱动至+X侧，使手部25a之钩部26a与手部25b之钩部26b，26c分别位于板体101’下方。图12即显示此时之状态。此实，钩部26b，26c并未接触于板体101’之-X侧端面。
接着，在该图12之状态下，主控制装置20，在停止测量台本体159之真空夹具以解除板体101’的真空吸附后，藉由使本体部27驱动于+Z方向来以钩部26a～26c将板体101’往上抓起。其后，主控制装置20在使本体部27上升驱动既定高度后，藉由使其驱动至-Y侧，来将板体101’移交至未图标搬送系统。藉此，以该搬送系统将板体101’搬出至曝光装置外部，并以前述搬送系统将新的板体101’搬送至曝光装置内部之既定位置，移交至于该位置待机之搬出入机构24的手部25a，25b。
其后，主控制装置20藉由进行与上述相反之动作，将新的板体101’搬入测量台本体159上。不过，在搬入此新的板体101’时，主控制装置20，系将该新的板体101’之+X侧端面等按压抵接于设在测量台本体159之未图示定位销，藉此进行粗略之定位。接着，在定位结束后，主控制装置20，系使未图示之真空夹头启动来将新的板体101’吸附保持于测量台本体159上。
此时，由于如前述般板体101’之端面系经镜面加工，因此如上所述，即使将板体101’粗略地定位，亦可在其后进行之使用测量载台MST’的各种测量时，使用干涉仪来正确地测量板体101’的位置，因此就其结果而言，在板体更换后，亦可以高精度进行使用测量载台MST’的各种测量。
如以上所说明般，根据本第2实施形态之曝光装置，可预先透过实验等求出测量台MTB’上之各种测量器之测量精度开始降低前一刻的时期，并将此时期预先设定为板体101’之更换时期，而可藉由作为检测装置之主控制装置20在检测出更换时期时进行板体101’之更换，来在测量台MTB’上之各种测量器之测量精度降低以前的最佳时期更换板体。亦即，能以高精度维持测量台MTB’上之各种测量器之与曝光相关之测量的测量精度，且能极力抑制板体之更换频度。藉此，可长期以高精度维持曝光精度，同时能有效地防止因板体更换所伴随之停机时间增加而导致装置运转效率降低。
又，本第2实施形态中，由于板体101’之两个端面经镜面加工，因此在将板体101’更换成新品时，即使粗略地定位该更换后之板体，亦能透过板体之经镜面加工的端面，使用干涉仪16，46来正确地测量板体位置。承上所述，由于即使在进行更换时粗略地定位板体，亦能在进行测量时将构成测量部之测量台WTB正确地定位于所欲位置，因此不需花费长时间进行更换，能有效地防止因更换所伴随之停机时间增加而导致装置运转效率降低。
又，由于本第2实施形态之曝光装置亦进行液浸曝光，因此能以良好精度将标线片R之图案转印至晶片上。
此外，上述第2实施形态中，虽将板体101’作成可更换者，但本发明并不限定于此，只要包含板体之测量部(上述第2实施形态之测量台即相当于此)之至少一部分构成为可更换即可。
又，上述第2实施形态中，虽对板体101’之端面进行镜面加工，以在更换板体101’时进行粗略之定位即足够，但并不限于此，亦可于前述第1实施形态同样地，于测量台本体159上设置移动镜117X，117Y。
又，上述第2实施形态中，由于只要系板体为可更换之构成即可，因此测量载台之其它部分的构成，并不限于图11所示之构成。例如亦可采用如图2之晶片载台WST之构成的测量载台，并将该测量载台所具备之板体构成为可更换。
又，上述第2实施形态中，虽说明了采用图11所示之搬出入机构24来作为用以更换板体101’的机构，但亦可代替该搬出入机构24，将用于晶片卸载器等之机器人采用为搬出入机构。此时，亦可采用板体端部超出测量台MTB’之X轴方向两侧之构成，并藉由该机器人之臂从下方将板体举起以进行板体更换，或亦可将用以使板体从测量台本体159上升既定高度之上下动机构设于测量台MTB’，在以该上下动机构举起板体的状态下，将机器人之臂插入板体下方再举起臂来进行板体更换。
此外，上述各实施形态中，虽说明了将本发明适用于液浸曝光装置之情形，但并不限于此，即使系进行非液浸曝光之曝光装置，亦可与上述第1实施形态同样地使测量部之至少一部分为可更换(例如设置可更换之测量台(或测量载台))、或与上述第2实施形态同样地设置可更换之板体、或对该板体端面进行镜面加工、进而设置用以检测包含板体之测量部至少一部分之更换时期的检测装置，此等方式均为有效。此时，虽无须于板体施以拨水被膜，但可藉由更换包含板体之测量部的一部分，来有效地防止因高能量曝光用光之照射使板状体劣化、而导致之各种测量精度的降低。
此外，上述各实施形态中，虽与晶片载台WST分别独立地设置具有测量台MTB，MTB’之构成测量部的测量载台，但测量部亦可设于晶片载台WST。此时，只要包含构成测量部之测量单元之板体的至少一部分，作成可拆装于(可更换)晶片载台WST即可。
又，上述各实施形态中，虽说明载台装置具备一个晶片载台、具备一个测量载台的情形，但本发明并不限于此，亦可设置多个晶片载台来提升曝光动作的产能。
此外，上述各实施形态中，虽使用超纯水(水)作为液体，但本发明当然并不限定于此。亦可使用化学性质稳定、照明用光IL之透射率高的安全液体来作为液体，例如氟系惰性液体。作为此氟系惰性液体，例如能使用氟洛黎纳特(Fluorinert，美国3M公司之商品名称)。此氟系惰性液体亦具优异冷却效果。又，作为液体，亦能使用具有对照明用光IL之透射性、且折射率尽可能较高者，或使用对涂布于投影光学系统或晶片表面之光阻稳定者(例如杉木油等、cedar oil)来作为液体。又，在以F2激光为光源时，只要选择全氟聚醚油(Fomblin Oil)即可。
又，上述各实施形态中，亦可再利用回收之液体，此时，最好将用以从所回收液体除去杂质的过滤器设置于液体回收装置或回收管等。
又，上述各实施形态中，虽投影光学系统PL之最靠像面侧之光学组件为前端透镜91，但该光学组件并不限于透镜，亦可系用于调整投影光学系统PL之光学特性例如像差(球面像差、彗形像差)的光学板(平行平面板等)，或可系单纯之盖玻片。投影光学系统PL之最靠像面侧之光学组件(在上述各实施形态中为前端透镜91)，有时会因透过照明光IL之照射而从光阻产生之飞散粒子或液体中杂质之附着等，而接触于液体(在上述各实施形态中为水)使其表面受污染。因此，该光学组件亦可以拆装(更换)自如之方式固定于镜筒40最下部，并定期进行更换。
在此种情形下，当接触于液体之光学组件为透镜时，其更换零件之成本高且更换所需花费时间较长，因此会导致维修成本(运转成本)上升或产能降低。因此，可将与液体接触之光学组件例如作成较透镜91廉价的平行平面板。
又，上述实施形态中，虽说明本发明适用于步进扫描式等之扫描型曝光装置，但本发明之适用范围当然不限定于此。亦即，本发明亦可适用于步进重复式之投影曝光装置、步进接合方式之曝光装置、或近接方式的曝光装置。
曝光装置之用途并不限定于半导体制造用之曝光装置，亦可广泛适用于例如用来制造将液晶显示组件图案转印于方型玻璃板之液晶用曝光装置，或用以制造有机EL、薄膜磁头、摄影组件(CCD等)、微型机器及DNA芯片等的曝光装置。又，除了制造半导体组件等微型组件以外，为了制造用于光曝光装置、EUV(极远紫外线)曝光装置、X射线曝光装置及电子光束曝光装置等的标线片或光罩，亦能将本发明适用于用以将电路图案转印至玻璃基板或硅晶片等之曝光装置。
又，上述实施形态之曝光装置的光源，不限于ArF准分子激光光源，亦能使用KrF准分子激光光源(输出波长248nm)、F2激光(输出波长157nm)、Ar2激光(输出波长126nm)、Kr2激光(输出波长146nm)等脉冲激光光源，或发出g线(波长436nm)、i线(波长365nm)等发射亮线之超高压水银灯等。又，亦可使用YAG激光之谐波产生装置等。另外，可使用例如谐波，其系以涂布有铒(或铒及镱两者)之光纤放大器，将从DFB半导体激光或纤维激光射出之红外线区或可见区的单一波长激光光放大，并以非线形光学结晶将其转换波长成紫外光。又，投影光学系统可不仅为缩小系统，亦可为等倍或放大系统的任一种。
又，上述实施形态中，作为曝光装置之照明光IL，并不限于波长大于100nm之光，亦可使用波长未满100nm之光。例如，近年来，为了使70nm以下之图案曝光，已进行了一种EUV曝光装置之开发，其系以SOR或电浆激光为光源来产生软X线区域(例如5～15nm之波长域)之EUV(Extreme Ultra Violet)光，且使用根据其曝光波长(例如13.5nm)所设计之全反射缩小光学系统及反射型光罩。此装置中，系使用圆弧照明同步扫描光罩与晶片来进行扫瞄曝光之构成。
此外，半导体组件，系经由下述步骤所制造，即：进行微组件之功能、性能设计的步骤、根据此设计步骤制作标线片之步骤、以上述各实施形态之曝光装置将形成于光罩之图案转印至涂布有光阻(感光剂)之晶片上的光刻步骤、组件组装步骤(包含切割步骤、接合步骤、封装步骤)、检查步骤等。此时，光刻步骤，由于使用上述各实施形态之曝光装置，因此能长期实现高精度之曝光。因此能提升形成有微细图案之高积体度的微组件生产性。如以上所说明般，本发明之曝光装置及曝光方法、以及组件制造方法，系适于制造半导体组件(集成电路)、液晶显示组件等电子组件。

Claims (37)

1.一种曝光装置，经过投影光学系统使基板曝光，其特征在于，具备：
基板载台，能装载该基板并移动；以及
测量部，具有被供应液体的板体，透过该投影光学系统及该液体进行与该曝光相关的测量；
包含构成该测量部的该板体的至少一部分构成为能更换。
2.如权利要求1所述的曝光装置，其中，该测量部，由其至少一部分设于该基板载台一部分的测量单元构成，至少包含构成该测量单元的该板体的一部分构成构件，以可拆装自如的方式安装于该基板载台。
3.如权利要求1所述的曝光装置，其中，该测量部，具备能与该基板载台分别独立在二维面内移动的测量载台本体、以及用以保持该板体的测量台本体。
4.如权利要求3所述的曝光装置，其中，该板体保持成可拆装于该测量台本体。
5.如权利要求4所述的曝光装置，其进一步具备安装于该测量载台本体上的调平台；
该测量台本体被支撑成能在该调平台上微动。
6.如权利要求5所述的曝光装置，其中，该调平台能驱动于六自由度方向；
该测量台本体能驱动于水平面内的三自由度方向。
7.如权利要求3所述的曝光装置，其具备用以补偿该测量台本体的自重的自重补偿机构。
8.如权利要求1所述的曝光装置，其中，在该板体形成有至少一个基准标记与至少一个测量用图案；
该测量部具有一受光系统，该受光系统透过该测量用图案来承受透过该投影光学系统照射于该板体的曝光用光。
9.如权利要求8所述的曝光装置，其中，在该板体形成有多种测量用图案；
该测量部对应该测量用图案而具有多个该受光系统。
10.如权利要求9所述的曝光装置，其中，该多种测量用图案，包含空间像测量用开口图案、照明不均测量用针孔开口图案、照度测量用开口图案、以及波面像差测量用开口图案中的至少一个。
11.如权利要求1所述的曝光装置，其进一步具备至少一个与装载该基板的该基板载台不同的基板载台。
12.如权利要求1所述的曝光装置，其进一步具备控制装置，该控制装置根据基板在该基板载台上的更换时间来执行该测量部的测量。
13.如权利要求12所述的曝光装置，其中，该控制装置根据该基板的更换时间将特定种类的测量分多次执行。
14.一种曝光装置，透过投影光学系统使基板曝光，其特征在于，具备：
基板载台，能装载该基板移动；以及
测量部，具有至少一个端面经镜面加工的板体，透过该投影光学系统进行与该曝光相关的测量；
包含构成该测量部的该板体的至少一部分构成为能更换。
15.如权利要求14所述的曝光装置，其中，该测量部，由其至少一部分设于该基板载台一部分的测量单元构成，至少包含构成该测量单元的该板体的一部分构成构件，以可拆装自如的方式安装于该基板载台。
16.如权利要求14所述的曝光装置，其中，该测量部，具备与该基板载台分别独立且能在二维面内移动的测量载台本体、以及用以保持该板体的测量台本体。
17.如权利要求16所述的曝光装置，其中，该板体保持成可拆装于该测量台本体。
18.如权利要求17所述的曝光装置，其进一步具备安装于该测量载台本体上的调平台；
该测量台本体被支撑成能在该调平台上微动。
19.如权利要求18所述的曝光装置，其中，该调平台能驱动于六自由度方向；
该测量台本体能驱动于水平面内的三自由度方向。
20.如权利要求17所述的曝光装置，其具备用以补偿该测量台本体的自重的自重补偿机构。
21.如权利要求14所述的曝光装置，其中，在该板体形成有至少一个基准标记与至少一个测量用图案；
该测量部具有一受光系统，该受光系统透过该测量用图案来接收透过该投影光学系统而照射于该板体的曝光用光。
22.如权利要求21所述的曝光装置，其中，在该板体形成有多种测量用图案；
该测量部，对应该测量用图案而具有多个该受光系统。
23.如权利要求22所述的曝光装置，其中，该多种测量用图案，包含空间像测量用开口图案、照明不均测量用针孔开口图案、照度测量用开口图案、以及波面像差测量用开口图案中的至少一个。
24.如权利要求14所述的曝光装置，其进一步具备至少一个与装载该基板的该基板载台不同的基板载台。
25.如权利要求14所述的曝光装置，其进一步具备控制装置，该控制装置根据基板在该基板载台上的更换时间来执行使用该测量部的测量。
26.如权利要求25所述的曝光装置，其中，该控制装置根据该基板的更换时间分成多次来执行特定种类的测量。
27.一种曝光装置，透过投影光学系统使基板曝光，其特征在于，具备：
基板载台，能装载该基板移动；
测量部，具有可更换的板体，透过该投影光学系统进行与该曝光相关的测量；以及
检测装置，检测该板体的更换时期。
28.如权利要求27所述的曝光装置，其中，在该板体形成有至少一个基准标记与至少一个测量用图案；
该测量部具有一受光系统，该受光系统透过该测量用图案来接收透过该投影光学系统而照射于该板体的曝光用光。
29.如权利要求28所述的曝光装置，其中，在该板体形成有多种测量用图案；
该测量部，对应该测量用图案具有多个该受光系统。
30.如权利要求29所述的曝光装置，其中，该多种测量用图案，包含空间像测量用开口图案、照明不均测量用针孔开口图案、照度测量用开口图案、以及波面像差测量用开口图案中的至少一个。
31.如权利要求27所述的曝光装置，其进一步具备至少一个与装载该基板的该基板载台不同的基板载台。
32.如权利要求27所述的曝光装置，其进一步具备控制装置，该控制装置根据基板在该基板载台上的更换时间来执行使用该测量部的测量。
33.如权利要求32所述的曝光装置，其中，该控制装置根据该基板的更换时间分成多次来执行特定种类的测量。
34.一种组件制造方法，其特征在于：
包含光刻步骤，使用权利要求1至33中任一项所述的曝光装置来将组件图案转印于基板上。
35.一种曝光方法，使基板曝光，其特征在于，包含：
用以更换测量部中包含该板体的至少一部分的步骤；该测量部透过被供应液体的板体来进行与该曝光相关的测量；以及
在该更换后使用该测量部进行与该曝光相关的测量，并反映该测量结果使该基板曝光的步骤。
36.一种曝光方法，使基板曝光，其特征在于，包含：
用以更换测量部中包含该板体的至少一部分的步骤；该测量部透过至少一个端面经镜面加工的板体来进行与该曝光相关的测量；
透过该端面测量该更换后的该板体位置，并使用该测量部进行该测量的步骤；以及
反映该测量结果以使该基板曝光的步骤。
37.一种曝光方法，使基板曝光，其特征在于，包含：
使用透过该板体进行与该曝光相关的测量的测量部来进行该测量的步骤；
检测该板体的更换时期并更换该板体的步骤；以及
反映该测量结果以使该基板曝光的步骤。
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