CN1576392A - 用多缝隙天线的表面波等离子体处理装置 - Google Patents

用多缝隙天线的表面波等离子体处理装置 Download PDF

Info

Publication number
CN1576392A
CN1576392A CNA2004100637707A CN200410063770A CN1576392A CN 1576392 A CN1576392 A CN 1576392A CN A2004100637707 A CNA2004100637707 A CN A2004100637707A CN 200410063770 A CN200410063770 A CN 200410063770A CN 1576392 A CN1576392 A CN 1576392A
Authority
CN
China
Prior art keywords
plasma processing
mentioned
plasma
microwave
slit
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2004100637707A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1322793C (zh
Inventor
铃木伸昌
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of CN1576392A publication Critical patent/CN1576392A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1322793C publication Critical patent/CN1322793C/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H01L21/3065—Plasma etching; Reactive-ion etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/34—Nitrides
    • C23C16/345—Silicon nitride
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/401—Oxides containing silicon
    • C23C16/402—Silicon dioxide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges

Abstract

提供一种用多缝隙天线的表面波等离子体处理装置。该表面波等离子体处理装置，包括：其一部分形成为可使微波透过的介电体窗的等离子体处理室、在该等离子体处理室内设置的被处理基体支撑体、向该等离子体处理室内导入等离子体处理用气体的等离子体处理用气体导入单元、使该等离子体处理室内排气成真空的排气单元、和采用了与上述被处理基体支撑体对置且配置在上述介电体窗的外侧的多缝隙天线的微波导入单元，其特征在于：作为缝隙并设有向周边方向上传播表面波的放射状缝隙和在径向上传播表面波的圆弧状缝隙。

Description

用多缝隙天线的表面波等离子体处理装置
技术领域
本发明涉及微波等离子体处理装置。更具体地，本发明尤其涉及径向的等离子体分布可调整的微波等离子体处理装置。
背景技术
作为使用微波作等离子体生成用的激励源的等离子体处理装置，已知有CVD装置、蚀刻装置、灰化装置等。
在微波等离子体处理装置中，由于作为气体的激励源使用微波，可以用具有高频率的电场加速电子，可以有效地电离、激发气体分子。因此，在微波等离子体处理装置中，具有气体的电离效率、激发效率和分解效率高，可以比较容易地形成得到高密度的等离子体，可以在低温下高速进行高品质处理的优点。另外，由于微波具有透过介电体的性质，等离子体处理装置可以构成无电极放电型，因此具有可进行高清洁的等离子体处理的优点。
为了使这样的微波等离子体处理装置更加高速化，利用电子同步回旋共振(ECR)的等离子体处理装置也正在实用化。ECR指磁场强度为87.5mT时，电子绕磁力线旋转的电子同步回旋频率与微波的一般频率2.45GHz一致，电子共振吸收微波而被加速，产生高密度等离子体的现象。在这样的ECR等离子体处理装置中，微波导入单元和磁场产生单元的结构有以下四种代表性的结构。
即，(i)通过导波管搬运的微波从被处理基体的对置面通过透过窗导入圆筒状的等离子体发生室，通过在等离子体发生室的周边设置的电磁线圈导入与等离子体发生室的中心轴同轴的发散磁场而构成(NTT方式)；(ii)通过导波管搬运的微波从被处理基体的对置面导入吊钟状的等离子体发生室，通过在等离子体发生室的周边设置的电磁线圈导入与等离子体发生室的中心轴同轴的磁场而构成(日立方式)；(iii)通过作为圆筒状缝隙天线的一种的Lisitano线圈从周边向等离子体发生室导入微波，通过在等离子体发生室的周边设置的电磁线圈导入与等离子体发生室的中心轴同轴的发散磁场而构成(Lisitano方式)；(iv)通过导波管传送的微波从被处理基体的对置面通过平板状的缝隙天线导入圆筒状的等离子体发生室，通过在平面天线的背面上设置的永磁体导入与天线平面平行的环状磁场而构成(平面缝隙天线方式)。
作为微波等离子体处理装置的例子，近年来提出了作为均匀有效地导入微波的装置采用在H面上形成有多个缝隙的无终端环状导波管的装置(USP5487875、US5538699、USP6497783)。该微波等离子体处理装置示于图4A，其等离子体发生机构示于图4B。501是等离子体处理室，502是被处理基体，503是被处理基体502的支撑体，504是基板温度调整单元，505是在等离子体处理室501的周边设置的等离子体处理用气体导入单元，506是排出的气体，507是使等离子体处理室501和大气侧分离的平板状介电体窗，508是用来使微波通过平板状介电体窗507导入等离子体处理室501的带缝隙无终端环状导波管，511是把微波导入带缝隙无终端环状导波管508的导入口的E分支；512是在带缝隙无终端环状导波管508内产生的驻波，513是缝隙，514是传送于平板状介电体窗507表面的表面波，515是从相邻的缝隙513来的表面波514之间相干涉而产生的表面驻波，516是由表面驻波515产生的产生部等离子体，517是由于产生部等离子体516的扩散而生成的体(bulk)等离子体。
通过使用这样的微波等离子体处理装置，由于可以产生微波功率≥1kW、在直径300mm左右的大口径空间中有±3％以内的均匀性、电子密度≥1012cm-3、电子温度≤2eV、等离子体电位≤10V的高密度低电子温度的等离子体，所以可以以充分反应且活性的状态向基板供给气体，且可以减少入射离子对基板表面的损伤，从而即使在低温下也能够进行高品质、均匀且高速的处理。
但是，在采用上述的微波等离子体处理装置时，由于表面波在与缝隙垂直的方向即周边方向上传播于介电体窗表面，所以内侧的表面波电场强度比缝隙位置弱，有时中央部的等离子体处理速度低。
发明内容
本发明涉及一种强化内侧的表面波电场强度、调整径向的分布，尤其是改善了均匀性的等离子体处理装置。
本发明的表面波等离子体处理装置，包括：其一部分形成为可使微波透过的介电体窗的等离子体处理室、在该等离子体处理室内设置的被处理基体支撑体、向该等离子体处理室内导入等离子体处理用气体的等离子体处理用气体导入单元、使该等离子体处理室内排气成真空的排气单元、和采用了与上述被处理基体支撑体对置且配置在上述介电体窗的外侧的多缝隙天线的微波导入单元，其特征在于：作为缝隙并设有向周边方向上传播表面波的放射状缝隙和在径向上传播表面波的圆弧状缝隙。
上述微波导入单元可以是在无终端环状导波管的H面上形成有缝隙的多缝隙天线。
上述放射状缝隙的中心之间的间隔可以是表面波半波长的奇数倍。
上述圆弧状缝隙的把圆弧连起来形成的圆的直径可以是表面波半波长的偶数倍。
可以通过使上述放射状缝隙和上述圆弧状缝隙的各自的微波放射率相对地变化来调整径向上的等离子体分布。
可以通过改变上述放射状缝隙的长度和上述圆弧状缝隙的开角来进行上述等离子体分布调整。
可以通过改变上述放射状缝隙和上述圆弧状缝隙的宽度来进行上述等离子体分布调整。
可以通过改变上述放射状缝隙和上述圆弧状缝隙的厚度来进行上述等离子体分布调整。
因此，在本发明的表面波等离子体处理装置中，通过并设放射状缝隙和圆弧状缝隙作为缝隙，可以提供一种强化内侧的表面波电场强度、调整径向的分布，尤其是改善了均匀性的等离子体处理装置。
本发明的其它特征和优点通过下面的结合附图的详述会显而易见，其中相同或相似的附图标记在全部附图中表示相同或相似的部件。
附图说明
附图结合在并构成说明书的一部分，用来详述本发明的实施方式，并与详述部分一起解释本发明的原理。
图1A和1B是本发明的实施方式的微波等离子体处理装置的示意图；
图2A、2B和2C是用来说明本发明的、通过电磁波模拟得到的表面波电场强度分布的图；
图3A和3B是用来说明本发明的、通过探针测量得到的等离子体密度分布的图；
图4A和4B是现有例的微波等离子体处理装置的示意图。
具体实施方式
下面，结合附图描述本发明的优选实施方式。
用图1说明本发明的实施方式的微波等离子体处理装置。101是等离子体处理室，102是被处理基体，103是被处理基体102的支撑体，104是基板温度调整单元，105是在等离子体处理室101的周边设置的等离子体处理用气体导入单元，106是排出的气体，107是使等离子体处理室101和大气侧分离的平板状介电体窗，108是用来使微波通过平板状介电体窗107导入等离子体处理室101的带缝隙无终端环状导波管，111是把微波导入带缝隙无终端环状导波管108的导入口的E分支；113a是放射状缝隙，113b是圆弧状缝隙。
如下进行等离子体处理。通过排气系统(未图示)把等离子体处理室101内排气成真空。然后，通过在等离子体处理室101的周边设置的气体导入单元105把处理用气体以预定的流量导入到等离子体处理室101内。然后调整在排气系统(未图示)中设置的传导阀(未图示)，使等离子体处理室101内保持预定的压力。从微波电源(未图示)通过无终端环状导波管108、放射状缝隙113a和圆弧状缝隙113b向等离子体处理室101内供给所希望的电力。此时，导入到无终端环状导波管108内的微波被E分支111左右二分配，具有比自由空间长的管内波长并被传送。被分配的微波之间相干涉，生成在每个管内波长的1/2处具有“腹谷”的驻波。通过以横切表面电流的方式设置的放射状缝隙113a和圆弧状缝隙113b透过介电体窗107把微波导入等离子体处理室101。由导入到等离子体处理室101内的微波在放射状缝隙113a和圆弧状缝隙113b附近产生初期高密度等离子体。在该状态下，入射到介电体窗107和初期高密度等离子体的界面上的微波不能在初期高密度等离子体中传送，介电体窗107和初期高密度等离子体的界面作为表面波传送。从相邻的放射状缝隙113a和圆弧状缝隙113b导入的表面波之间相互干涉，生成在表面波的每个波长的1/2处有“腹谷”的表面驻波。由该表面驻波生成表面等离子体。而且通过表面等离子体的扩散生成体等离子体。由被产生的表面波干涉等离子体激励处理用气体，对载置在支撑体103上的被处理基体102的表面进行处理。
图2A-2C分别示出了只设置放射状缝隙113a时(图2A)、只设置圆弧状缝隙113b时(图2B)、并设两种缝隙(图2C)时的通过电磁波模拟得到的表面波电场强度分布。在只有放射状缝隙113a时，表面波向周边方向传播，并在外侧附近分布表面驻波，中央部的表面波电场弱，但是通过并设表面波在径向上传播并在中央部上也可以产生表面驻波的圆弧状缝隙113a，可以使表面波电场大致分布在整个表面上。
图3A和3B示出分别改变放射状缝隙113a的长度和圆弧状缝隙113b的开角时的等离子体密度分布。放射状缝隙113a十分短时，与只有圆弧状缝隙113b时的分布相似，呈向上凸的分布。相反，在圆弧状缝隙113b的开角十分小时，与只有放射状缝隙113a时的分布相似，呈向下凸的分布。随着放射状缝隙113a的长度增加，外侧的等离子体密度增加，从向上凸到平坦进而到向下凸变化。相反，随着圆弧状缝隙113b的开角增加，内侧的等离子体密度增加，从向下凸到平坦进而到向上凸变化。
这样，通过改变放射状缝隙113a的长度和圆弧状缝隙113b的开角，可以调整径向的分布，可得到均匀的分布。通过不仅改变长度也改变宽度和厚度，使导入率变化，也可以实现这一点。
本发明的微波等离子体处理装置中采用的放射状缝隙，环状导波路内驻波的节的位置以由导波路一周的长度/管内半波长得到的个数等角度间隔形成，且长度为管内波长的1/8～1/2，更优选为3/16～3/8。
本发明的微波等离子体处理装置中采用的圆弧状缝隙，环状导波路内驻波的腹谷的位置以由导波路一周的长度/管内半波长得到的个数等间隔形成，且开角为360°×管内半波长/导波路一周的长度的1/2～9/10，更优选为3/5～4/5。
在本发明的微波等离子体处理装置中采用的微波的频率可使用300MHz～3THz，但波长与介电体窗107尺寸差不多，1～10GHz特别有效。
在本发明的微波等离子体处理装置中采用的介电体窗109的材料，只要机械强度足够、介电损失小到微波的透射率足够高，就能适用。例如石英、氧化铝(兰宝石)、氮化铝、氟化碳聚合物(特弗隆)等是最合适的。
在本发明的微波等离子体处理装置中采用的带缝隙无终端环状导波管108的材料，只要是导电体就能使用，但为了尽可能抑制微波的传输损失，电镀了导电率高的Al、Cu、Ag/Cu的SUS等是最合适的。本发明中采用的带缝隙无终端环状导波管108的导入口的方向，只要能把微波有效地导入带缝隙无终端环状导波管108内的微波传输空间，是与H面平行的传输空间的接线方向也可以，在与H面垂直的方向上用导入部在传输空间的左右方向上二分配也可以。
在本发明的微波等离子体处理装置和处理方法中，为了在更低的压强下处理，也可以使用磁场产生单元。作为在本发明的等离子体处理装置和处理方法中使用的磁场，只要是与在缝隙的宽度方向上产生的电场垂直的磁场，就可以适用。作为磁场产生单元，除了线圈以外还可以使用永磁体。在使用线圈时为了防止过热还可以采用水冷机构、空冷等的其它冷却手段。
另外，为了使处理品质更高，也可以向基体表面照射紫外线。作为光源，可适用使在被处理基体或基体上附着的气体中吸收的光放射的光源，可使用激态激光器、激态灯、稀有气体共振线灯、低压水银灯等。
在本发明的微波等离子体处理方法中等离子体处理室内的压力为0.1毫乇～10乇，更优选为10毫乇～5乇。
本发明的微波等离子体处理方法中的淀积膜的形成，通过根据使用的气体适当选择，可以有效地地形成Si3N4、SiO2、SiOF、Ta2O5、TiO2、TiN、Al2O3、AlN、MgF2等的绝缘膜，α-Si、多晶硅、SiC、GaAs等的半导体膜，Al、W、Mo、Ti、Ta等的金属膜等各种淀积膜。
由本发明的微波等离子体处理方法处理的被处理基体102可以是半导体、可以是导电性的，也可以是电绝缘的。
作为导电性基体，可以举出Fe、Ni、Cr、Al、Mo、Au、Nb、Ta、V、Ti、Pt、Pb等的金属或其合金，例如黄铜、不锈钢等。
作为绝缘性基体，可以举出SiO2系的石英或各种玻璃、Si3N4、NaCl、KCl、LiF、CaF2、BaF2、Al2O3、AlN、MgO等的无机物、聚乙烯、聚酯、聚碳酸酯、乙酸纤维素、聚丙烯、聚氯乙烯、聚偏氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亚胺等的有机物的膜、薄板等。
优选地，本发明的等离子体处理装置中用的气体导入单元105的方向为，气体经在介电体窗108附近产生的等离子体区后被充分供给到中央附近，然后以从中央到周边的方向在基板表面上流动，具有向介电体窗108吹附气体的结构。
作为通过CVD法在基板上形成薄膜时使用的气体，一般可使用公知的气体。
在形成α-Si、多晶硅、SiC等的Si系半导体薄膜时，作为通过处理用气体导入单元105向等离子体处理室101导入的含有Si原子的原料气体，可使用SiH4、Si2H6等的无机硅烷类，四乙基硅烷(TES)、四甲基硅烷(TMS)、二甲基硅烷(DMS)、二甲基二氟硅烷(DMDFS)、二甲基二氯硅烷(DMDCS)等的有机硅烷类，SiF4、Si2F6、Si3F8、SiHF3、SiH2F2、SiCl4、Si2Cl6、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、SiCl2F2等的卤化硅烷类等在常温常压下是气体状态或容易气化的物质。另外，作为与此时的Si原料气体混合导入的添加气体或载体气体，可举出H2、He、Ne、Ar、Kr、Xe、Rn等。
在形成Si3N4、SiO2等的Si化合物系薄膜时，作为通过处理用气体导入单元105向等离子体处理室101导入的含有Si原子的原料气体，可使用SiH4、Si2H6等的无机硅烷类，四乙氧基硅烷(TEOS)、四甲氧基硅烷(TMOS)、八甲基环四硅烷(OMCT)、二甲基二氟硅烷(DMDFS)、二甲基二氯硅烷(DMDCS)等的有机硅烷类，SiF4、Si2F6、Si3F8、SiHF3、SiH2F2、SiCl4、Si2Cl6、SiHCl3、SiH2Cl2、SiH3Cl、SiCl2F2等的卤化硅烷类等在常温常压下是气体状态或容易气化的物质。另外，作为此时同时导入的氮原料气体或氧原料气体，可举出N2、NH3、N2H4、六甲基二硅氨烷(HMDS)、O2、O3、H2O、NO、N2O、NO2等。
在形成Al、W、Mo、Ti、Ta等的金属薄膜时，作为通过处理用气体导入单元105导入的含有金属原子的原料，可以举出三甲基铝(TMAl)、三乙基铝(TEAl)、三异丁基铝(TiBAl)、二甲基铝氢化物(DMAlH)、羰化钨(W(CO)6)、羰化钼(Mo(CO)6)、三甲基镓(TMGa)、三乙基镓(TEGa)、四异丙氧基钛(TiPOTi)、五乙氧基钽(PEOTa)等的有机金属，AlCl3、WF6、TiCl3、TaCl5等的金属卤化物等。另外，另外，作为与此时的Si原料气体混合导入的添加气体或载体气体，可举出H2、He、Ne、Ar、Kr、Xe、Rn等。
在形成Al2O3、AlN、Ta2O5、TiO2、TiN、WO3等的金属化合物薄膜时，作为通过处理用气体导入单元105导入的含有金属原子的原料，可以举出三甲基铝(TMAl)、三乙基铝(TEAl)、三异丁基铝(TiBAl)、二甲基铝氢化物(DMAlH)、羰化钨(W(CO)6)、羰化钼(Mo(CO)6)、三甲基镓(TMGa)、三乙基镓(TEGa)、四异丙氧基钛(TiPOTi)、五乙氧基钽(PEOTa)等的有机金属，AlCl3、WF6、TiCl3、TaCl5等的金属卤化物等。另外，作为此时同时导入的氧原料气体或氮原料气体，可举出O2、O3、H2O、NO、N2O、NO2、N2、NH3、N2H4、六甲基二硅氨烷(HMDS)等。
在蚀刻基体表面时，作为从处理用气体导入口105导入的蚀刻用气体，可举出F2、CF4、CH2F2、C2F6、C3F8、C4F8、CF2Cl2、SF6、NF3、Cl2、CCl4、CH2Cl2、C2Cl6等。
在灰化除去光刻胶等基体表面上的有机成分时，作为从处理用气体导入口105导入的灰化用气体，可举出O2、O3、H2O、NO、N2O、NO2、H2等。
另外，在表面改质中也使用本发明的微波等离子体处理装置和处理方法时，通过适当选择使用的气体，可以用Si、Al、Ti、Zn、Ta等作为例如基体或表面层，进行这些基体或表面层的氧化处理或氮化处理，还可以进行B、As、P等的掺杂处理等。而且，在本发明中采用的成膜技术也可在清洗技术中使用。也可以在此时的氧化物或有机物和重金属等的清洗中使用。
在对基体进行氧化表面处理时，作为通过处理用气体导入口105导入的氧化性气体可举出O2、O3、H2O、NO、N2O、NO2等。另外，在对基体进行氮化表面处理时，作为通过处理用气体导入口105导入的氮化性气体可举出N2、NH3、N2H4、六甲基二硅氨烷(HMDS)等。
在清洗基体表面的有机物时，或在灰化除去光刻胶等基体表面上的有机成分时，作为从处理用气体导入口105导入的灰化用气体，可举出O2、O3、H2O、NO、N2O、NO2、H2等。在清洗基体表面的无机物时，作为从等离子体发生用气体导入口导入的清洗气体，可举出F2、CF4、CH2F2、C2F6、C3F8、C4F8、CF2Cl2、SF6、NF3等。
下面，举出以下实施例对本发明的微波等离子体处理装置及处理方法进行更具体的说明，但本发明不仅限于这些实施例。
(实施例1)
使用图1A和图1B所示的微波等离子体处理装置，进行光刻胶的灰化。
作为基体102，使用了刚刚蚀刻层间SiO2膜而形成了通路孔后的硅(Si)基板(ψ300mm)。首先，在基体支撑体103上设置Si基板102后，用加热器104加热到≤250℃，通过排气系统(未图示)把等离子体处理室101内排气成真空，减压到≤10-4乇。通过等离子体处理用气体导入口105以2slm的流量向等离子体处理室101内导入氧气。然后，调整在排气系统(未图示)中设置的传导阀(未图示)，使等离子体处理室101内保持在1.5乇。从2.45GHz的微波电源通过带缝隙无终端环状导波管108向等离子体处理室101内供给2.5kW的电力。从而在等离子体处理室101内产生等离子体。此时，通过等离子体用处理用气体导入口105导入的氧气在等离子体处理室101内被激发、分解、反应而成为氧原子，向硅基板102的方向输送，使基板102上的光刻胶氧化，被气化和除去。灰化后，评价了栅绝缘破坏、灰化速度和基板表面电荷密度等。
得到的灰化速度的均匀性为±3.4％(6.2μm/min)，很好；表面电荷密度是0.5×1011cm-2，是足够低的值；而且未观测到栅绝缘破坏。
(实施例2)
使用图1A和图1B所示的微波等离子体处理装置，进行光刻胶的灰化。
作为基体102，使用了刚刚蚀刻层间SiO2膜而形成了通路孔后的硅(Si)基板(ψ12英寸)。首先，在基体支撑体103上设置Si基板102后，用加热器104加热到≤250℃，通过排气系统(未图示)把等离子体处理室101内排气成真空，减压到≤10-5乇。通过等离子体处理用气体导入口105以2slm的流量向等离子体处理室101内导入氧气。然后，调整在排气系统(未图示)中设置的传导阀(未图示)，使等离子体处理室101内保持在2乇。从2.45GHz的微波电源通过带缝隙无终端环状导波管108向等离子体处理室101内供给2.5kW的电力。从而在等离子体处理室101内产生等离子体。此时，通过等离子体用处理用气体导入口105导入的氧气在等离子体处理室101内被激发、分解、反应而成为氧原子，向硅基板102的方向输送，使基板102上的光刻胶氧化，被气化和除去。灰化后，评价了栅绝缘破坏、灰化速度和基板表面电荷密度等。
得到的灰化速度的均匀性为±4.4％(8.2μm/min)，很好；表面电荷密度是1.1×1011cm-2，是足够低的值；而且未观测到栅绝缘破坏。
(实施例3)
使用图1A和图1B所示的微波等离子体处理装置，进行极薄氧化膜的表面氮化。
作为基体102，使用了带有16埃厚的表面氧化膜的硅(Si)基板(ψ8英寸)。首先，在基体支撑体103上设置Si基板102后，用加热器104加热到≤150℃，通过排气系统(未图示)把等离子体处理室101内排气成真空，减压到≤10-3乇。通过等离子体处理用气体导入口105以氮气50sccm和氦气450sccm的流量向等离子体处理室101内导入。然后，调整在排气系统(未图示)中设置的传导阀(未图示)，使等离子体处理室101内保持在0.2乇。从2.45GHz的微波电源通过带缝隙无终端环状导波管108向等离子体处理室101内供给1.5kW的电力。从而在等离子体处理室101内产生等离子体。此时，通过等离子体用处理用气体导入口105导入的氮气在等离子体处理室101内被激发、分解、反应而成为氮离子或原子，向硅基板102的方向输送，使硅基板102的氧化膜表面氮化。氮化后，评价了栅绝缘破坏、氮化速度和基板表面电荷密度等。
得到的氮化速度的均匀性为±2.2％(6.2埃/min)，很好；表面电荷密度是0.9×1011cm-2，是足够低的值；而且未观测到栅绝缘破坏。
(实施例4)
使用图1A和图1B所示的微波等离子体处理装置，进行硅基板的直接氮化。
作为基体102，使用了裸硅(Si)基板(ψ8英寸)。首先，在基体支撑体103上设置Si基板102后，用加热器104加热到≤150℃，通过排气系统(未图示)把等离子体处理室101内排气成真空，减压到≤10-3乇。通过等离子体处理用气体导入口105以氮气500sccm的流量向等离子体处理室101内导入。然后，调整在排气系统(未图示)中设置的传导阀(未图示)，使等离子体处理室101内保持在0.1乇。从2.45GHz的微波电源通过带缝隙无终端环状导波管108向等离子体处理室101内供给1.5kW的电力。从而在等离子体处理室101内产生等离子体。此时，通过等离子体用处理用气体导入口105导入的氮气在等离子体处理室101内被激发、分解、反应而成为氮离子或原子，向硅基板102的方向输送，使硅基板102的表面直接氮化。氮化后，评价了栅绝缘破坏、氮化速度和基板表面电荷密度等。
得到的氮化速度的均匀性为±1.6％(22埃/min)，很好；表面电荷密度是1.7×1011cm-2，是足够低的值；而且未观测到栅绝缘破坏。
(实施例5)
使用图1A和图1B所示的微波等离子体处理装置，进行半导体元件保护用氮化硅膜的形成。
作为基体102，使用了形成有Al布线图案(线和间隔为0.5μm)的、带有层间SiO2膜的ψ300mm的P型单晶硅基板(晶面方位<100>，电阻率10Ωcm)。首先，在基体支撑台103上设置Si基板102后，通过排气系统(未图示)把等离子体处理室101内排气成真空，减压到≤10-7乇。然后对加热器104通电，把Si基板102加热到≤300℃，并在该温度下保持该基板。通过等离子体处理用气体导入口105向等离子体处理室101内以600sccm的流量导入氮气，以200sccm的流量导入单硅烷气体。然后，调整在排气系统(未图示)中设置的传导阀(未图示)，使等离子体处理室101内保持在20毫乇。然后，从2.45GHz的微波电源(未图示)通过带缝隙无终端环状导波管108向等离子体处理室101内供给3.0kW的电力。从而在等离子体处理室101内产生等离子体。此时，通过等离子体用处理用气体导入口105导入的氮气在等离子体处理室101内被激发、分解、反应而成为氮原子，向硅基板102的方向输送，与单硅烷气体反应，在硅基板102上形成1.0μm厚的氮化硅膜。形成膜后，对栅绝缘破坏、成膜速度、应力等的膜质量进行了评价。用激光干涉仪Zygo(商品名)测量成膜前后的基板的翘曲量的变化求得应力。
得到的氮化硅膜的成膜速度均匀性为±2.8％(530nm/min)，很大；膜的应力为0.9×109达因·cm-2(压缩)；泄露电流为1.1×10-10A·cm-2，绝缘耐压为10.7MV/cm，确认是质量很好的膜；且未观测到栅绝缘破坏。
(实施例6)
使用图1A和图1B所示的微波等离子体处理装置，进行塑料透镜反射防止用氧化硅膜和氮化硅膜的形成。
作为基体102，使用了直径50mm的塑料凸透镜。首先，在基体支撑体103上设置透镜102后，通过排气系统(未图示)把等离子体处理室101内排气成真空，减压到≤10-7乇。通过等离子体处理用气体向等离子体处理室101内导入口105以150sccm的流量导入氮气，以70sccm的流量导入单硅烷气体。然后，调整在排气系统(未图示)中设置的传导阀(未图示)，使等离子体处理室101内保持在5毫乇。从2.45GHz的微波电源通过带缝隙无终端环状导波管108向等离子体处理室101内供给3.0kW的电力。从而在等离子体处理室101内产生等离子体。此时，通过等离子体用处理用气体导入口105导入的氮气在等离子体处理室101内被激发、分解成为氮原子等的活性种，在透镜102的方向上输送，与单硅烷气体反应，在透镜102上形成20nm厚的氮化硅膜。
然后，通过等离子体处理用气体导入口105向等离子体处理室101内以200sccm的流量导入氧气，以100sccm的流量导入单硅烷气体。然后，调整在排气系统(未图示)中设置的传导阀(未图示)，使等离子体处理室101内保持在2毫乇。从2.45GHz的微波电源通过带缝隙无终端环状导波管108向等离子体处理室101内供给2.0kW的电力。从而在等离子体处理室101内产生等离子体。此时，通过等离子体用处理用气体导入口105导入的氧气在等离子体处理室101内被激励、分解而成为氧原子等的活性种，在透镜102的方向上输送，与单硅烷气体反应，在透镜102上形成85nm厚的氧化硅膜。成膜后，评价了栅绝缘破坏、成膜速度、反射特性。
已确认，得到的氮化硅膜和氧化硅膜的成膜速度均匀性分别为±2.6％(390nm/min)、±2.8％(420nm/min)，良好；500nm附近的反射率为0.14％，光学特性极好。
(实施例7)
使用图1A和图1B所示的微波等离子体处理装置，进行半导体元件层间绝缘用氧化硅膜的形成。
作为基体102，使用了最上部形成有Al图案(线和间隔为0.5μm)的ψ300mm的P型单晶硅基板(晶面方位<100>，电阻率10Ωcm)。首先，在基体支撑体103上设置Si基板102后，通过排气系统(未图示)把等离子体处理室101内排气成真空，减压到≤10-7乇。然后对加热器104通电，把Si基板102加热到≤300℃，并在该温度下保持该基板。通过等离子体处理用气体导入口105向等离子体处理室101内以400sccm的流量导入氧气，以200sccm的流量导入单硅烷气体。然后，调整在排气系统(未图示)中设置的传导阀(未图示)，使等离子体处理室101内保持在20毫乇。然后，通过2MHz的高频施加单元向基板支撑体102施加300W的电力，同时，从2.45GHz的微波电源通过带缝隙无终端环状导波管108向等离子体处理室101内供给2.5kW的电力。从而在等离子体处理室101内产生等离子体。此时，通过等离子体用处理用气体导入口105导入的氧气在等离子体处理室101内被激发、分解而成为活性种，向硅基板102的方向输送，与单硅烷气体反应，在硅基板102上形成0.8μm厚的氧化硅膜。此时，用RF偏压加速离子种，入射到基板上，削去图案上的膜，提高平坦性。处理后，评价了成膜速度、均匀性、绝缘耐压和台阶覆盖性。通过用扫描电子显微镜(SEM)观测在Al布线图案上形成的氧化硅膜的断面，观测空穴来评价台阶覆盖性。
得到的氧化硅膜的成膜速度均匀性为±2.6％(320nm/min)，良好；膜的绝缘耐压为9.8MV/cm，没有空穴，确认是质量很好的膜；且未观测到栅绝缘破坏。
(实施例8)
使用图1A和图1B所示的微波等离子体处理装置，进行半导体元件层间SiO2膜的蚀刻。
作为基体102，使用了在Al图案(线和间隔为0.35μm)上形成有1μm厚的层间SiO2膜的ψ300mm的P型单晶硅基板(晶面方位<100>，电阻率10Ωcm)。首先，在基体支撑台103上设置Si基板102后，通过排气系统(未图示)把等离子体处理室101内排气成真空，减压到≤10-7乇。通过等离子体处理用气体导入口105向等离子体处理室101内以80sccm的流量导入C4F8、以120sccm的流量导入Ar、以40sccm的流量导入O2。然后，调整在排气系统(未图示)中设置的传导阀(未图示)，使等离子体处理室101内保持在20毫乇。然后，通过2MHz的高频施加单元向基板支撑体102施加280W的电力，同时，从2.45GHz的微波电源通过带缝隙无终端环状导波管108向等离子体处理室101内供给3.0kW的电力。从而在等离子体处理室101内产生等离子体。此时，通过等离子体用处理用气体导入口105导入的C4F8气在等离子体处理室101内被激发、分解而成为活性种，向硅基板102的方向输送，借助于被自偏压加速的离子蚀刻层间SiO2膜。由于带静电吸盘的冷却器107基板温度仅上升到30℃。蚀刻后，评价了栅绝缘破坏、蚀刻速度、选择比和蚀刻形状。用扫描电子显微镜(SEM)观测了蚀刻后的氧化硅膜的断面，评价了蚀刻形状。
已确认，蚀刻速度均匀性为±2.8％(620nm/min)，对多晶硅的选择比是23，良好；蚀刻形状基本垂直，微加载效果也少。也没有观察到栅绝缘破坏。
(实施例9)
使用图1A和图1B所示的微波等离子体处理装置，进行半导体元件栅极间多晶硅膜的蚀刻。
作为基体102，使用了在最上部形成有多晶硅膜的ψ300mm的P型单晶硅基板(晶面方位<100>，电阻率10Ωcm)。首先，在基体支撑台103上设置Si基板102后，通过排气系统(未图示)把等离子体处理室101内排气成真空，减压到≤10-7乇。通过等离子体处理用气体导入口105向等离子体处理室101内以300sccm的流量导入CF4、以20sccm的流量导入O2。然后，调整在排气系统(未图示)中设置的传导阀(未图示)，使等离子体处理室101内保持在2毫乇。然后，通过2MHz的高频施加单元向基板支撑体102施加300W的电力，同时，从2.45GHz的微波电源通过带缝隙无终端环状导波管108向等离子体处理室101内供给2.0kW的电力。从而在等离子体处理室101内产生等离子体。此时，通过等离子体用处理用气体导入口105导入的CF4气在等离子体处理室101内被激发、分解而成为活性种，向硅基板102的方向输送，借助于被自偏压加速的离子蚀刻多晶硅膜。由于带静电吸盘的冷却器104基板温度仅上升到30℃。蚀刻后，评价了栅绝缘破坏、蚀刻速度、选择比和蚀刻形状。用扫描电子显微镜(SEM)观测了蚀刻后的多晶硅膜的断面，评价了蚀刻形状。
已确认，蚀刻速度均匀性为±2.8％(780nm/min)，对SiO2的选择比是25，良好；蚀刻形状基本垂直，微加载效果也少。也没有观察到栅绝缘破坏。

Claims (8)

1.一种表面波等离子体处理装置，包括：其一部分形成为可使微波透过的介电体窗的等离子体处理室、在该等离子体处理室内设置的被处理基体支撑体、向该等离子体处理室内导入等离子体处理用气体的等离子体处理用气体导入单元、使该等离子体处理室内排气成真空的排气单元、和采用了与上述被处理基体支撑体对置且配置在上述介电体窗的外侧的多缝隙天线的微波导入单元，其特征在于：
作为缝隙并设有向周边方向上传播表面波的放射状缝隙和在径向上传播表面波的圆弧状缝隙。
2.如权利要求1所述的表面波等离子体处理装置，其特征在于：上述微波导入单元是在无终端环状导波管的H面上形成有缝隙的多缝隙天线。
3.如权利要求1所述的表面波等离子体处理装置，其特征在于：上述放射状缝隙的中心之间的间隔是表面波半波长的奇数倍。
4.如权利要求1所述的表面波等离子体处理装置，其特征在于：上述圆弧状缝隙的把圆弧连起来形成的圆的直径是表面波半波长的偶数倍。
5.如权利要求1所述的表面波等离子体处理装置，其特征在于：通过使上述放射状缝隙和上述圆弧状缝隙的各自的微波放射率相对地变化来调整径向上的等离子体分布。
6.如权利要求1所述的表面波等离子体处理装置，其特征在于：通过改变上述放射状缝隙的长度和上述圆弧状缝隙的开角来进行上述等离子体分布调整。
7.如权利要求1所述的表面波等离子体处理装置，其特征在于：通过改变上述放射状缝隙和上述圆弧状缝隙的宽度来进行上述等离子体分布调整。
8.如权利要求1所述的表面波等离子体处理装置，其特征在于：通过改变上述放射状缝隙和上述圆弧状缝隙的厚度来进行上述等离子体分布调整。
CNB2004100637707A 2003-07-08 2004-07-07 用多缝隙天线的表面波等离子体处理装置 Expired - Fee Related CN1322793C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP271876/2003 2003-07-08
JP2003271876A JP2005033055A (ja) 2003-07-08 2003-07-08 放射状スロットに円弧状スロットを併設したマルチスロットアンテナを用いた表面波プラズマ処理装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1576392A true CN1576392A (zh) 2005-02-09
CN1322793C CN1322793C (zh) 2007-06-20

Family

ID=33562681

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2004100637707A Expired - Fee Related CN1322793C (zh) 2003-07-08 2004-07-07 用多缝隙天线的表面波等离子体处理装置

Country Status (5)

Country Link
US (1) US20050005854A1 (zh)
JP (1) JP2005033055A (zh)
KR (1) KR100554116B1 (zh)
CN (1) CN1322793C (zh)
TW (1) TWI242246B (zh)

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8188468B2 (en) 2007-05-25 2012-05-29 National University Corporation Tohoku University Compound-type thin film, method of forming the same, and electronic device using the same
CN101529997B (zh) * 2006-10-06 2014-07-02 朗姆研究公司 利用具有改良的光学访问的双区域气体注射器来访问工艺室的方法和设备
CN107112190A (zh) * 2015-01-07 2017-08-29 应用材料公司 具有含有开槽式螺旋波导的旋转微波等离子体天线的工件处理腔室
CN107454732A (zh) * 2016-05-16 2017-12-08 三星电子株式会社 天线、包括天线的微波等离子体源、和等离子体处理装置
CN108717995A (zh) * 2018-04-19 2018-10-30 东南大学 一种超小型ulf/vlf旋转电荷天线及信号幅频调制方法
CN109121276A (zh) * 2017-06-22 2019-01-01 东京毅力科创株式会社 天线及等离子体处理装置
CN111034358A (zh) * 2018-05-21 2020-04-17 松下知识产权经营株式会社 微波处理装置
CN116390320A (zh) * 2023-05-30 2023-07-04 安徽农业大学 一种电子回旋共振放电装置及应用

Families Citing this family (172)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20090011146A1 (en) * 2005-04-06 2009-01-08 Toyo Seikan Kaisha, Ltd. Method of Forming Vapor Deposited Layer by Surface-Wave Plasma and Apparatus Therefor
US7838347B2 (en) * 2005-08-12 2010-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method of display device
JP5235051B2 (ja) * 2005-08-31 2013-07-10 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US7485827B2 (en) * 2006-07-21 2009-02-03 Alter S.R.L. Plasma generator
JP2008059991A (ja) * 2006-09-01 2008-03-13 Canon Inc プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
US8415884B2 (en) * 2009-09-08 2013-04-09 Tokyo Electron Limited Stable surface wave plasma source
US8980047B2 (en) * 2010-07-02 2015-03-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Microwave plasma processing apparatus
JP5698563B2 (ja) * 2011-03-02 2015-04-08 東京エレクトロン株式会社 表面波プラズマ発生用アンテナおよび表面波プラズマ処理装置
US9155183B2 (en) * 2012-07-24 2015-10-06 Tokyo Electron Limited Adjustable slot antenna for control of uniformity in a surface wave plasma source
US9113347B2 (en) 2012-12-05 2015-08-18 At&T Intellectual Property I, Lp Backhaul link for distributed antenna system
US10009065B2 (en) 2012-12-05 2018-06-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Backhaul link for distributed antenna system
JP2014160557A (ja) * 2013-02-19 2014-09-04 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理装置
US9525524B2 (en) 2013-05-31 2016-12-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Remote distributed antenna system
US9999038B2 (en) 2013-05-31 2018-06-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Remote distributed antenna system
US8897697B1 (en) 2013-11-06 2014-11-25 At&T Intellectual Property I, Lp Millimeter-wave surface-wave communications
US9209902B2 (en) 2013-12-10 2015-12-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Quasi-optical coupler
JP6356415B2 (ja) * 2013-12-16 2018-07-11 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ源およびプラズマ処理装置
US9692101B2 (en) 2014-08-26 2017-06-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Guided wave couplers for coupling electromagnetic waves between a waveguide surface and a surface of a wire
US9768833B2 (en) 2014-09-15 2017-09-19 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for sensing a condition in a transmission medium of electromagnetic waves
US10063280B2 (en) 2014-09-17 2018-08-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Monitoring and mitigating conditions in a communication network
US9628854B2 (en) 2014-09-29 2017-04-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for distributing content in a communication network
US9615269B2 (en) 2014-10-02 2017-04-04 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus that provides fault tolerance in a communication network
US9685992B2 (en) 2014-10-03 2017-06-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Circuit panel network and methods thereof
US9503189B2 (en) 2014-10-10 2016-11-22 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for arranging communication sessions in a communication system
US9762289B2 (en) 2014-10-14 2017-09-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for transmitting or receiving signals in a transportation system
US9973299B2 (en) 2014-10-14 2018-05-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for adjusting a mode of communication in a communication network
US9780834B2 (en) 2014-10-21 2017-10-03 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for transmitting electromagnetic waves
US9627768B2 (en) 2014-10-21 2017-04-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Guided-wave transmission device with non-fundamental mode propagation and methods for use therewith
US9564947B2 (en) 2014-10-21 2017-02-07 At&T Intellectual Property I, L.P. Guided-wave transmission device with diversity and methods for use therewith
US9520945B2 (en) 2014-10-21 2016-12-13 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for providing communication services and methods thereof
US9769020B2 (en) 2014-10-21 2017-09-19 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for responding to events affecting communications in a communication network
US9577306B2 (en) 2014-10-21 2017-02-21 At&T Intellectual Property I, L.P. Guided-wave transmission device and methods for use therewith
US9312919B1 (en) 2014-10-21 2016-04-12 At&T Intellectual Property I, Lp Transmission device with impairment compensation and methods for use therewith
US9653770B2 (en) 2014-10-21 2017-05-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Guided wave coupler, coupling module and methods for use therewith
US9654173B2 (en) 2014-11-20 2017-05-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for powering a communication device and methods thereof
US9742462B2 (en) 2014-12-04 2017-08-22 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium and communication interfaces and methods for use therewith
US9997819B2 (en) 2015-06-09 2018-06-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium and method for facilitating propagation of electromagnetic waves via a core
US10340573B2 (en) 2016-10-26 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher with cylindrical coupling device and methods for use therewith
US9544006B2 (en) 2014-11-20 2017-01-10 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission device with mode division multiplexing and methods for use therewith
US9461706B1 (en) 2015-07-31 2016-10-04 At&T Intellectual Property I, Lp Method and apparatus for exchanging communication signals
US9954287B2 (en) 2014-11-20 2018-04-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for converting wireless signals and electromagnetic waves and methods thereof
US9800327B2 (en) 2014-11-20 2017-10-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for controlling operations of a communication device and methods thereof
US10243784B2 (en) 2014-11-20 2019-03-26 At&T Intellectual Property I, L.P. System for generating topology information and methods thereof
US10009067B2 (en) 2014-12-04 2018-06-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for configuring a communication interface
US9680670B2 (en) 2014-11-20 2017-06-13 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission device with channel equalization and control and methods for use therewith
US10144036B2 (en) 2015-01-30 2018-12-04 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for mitigating interference affecting a propagation of electromagnetic waves guided by a transmission medium
US9876570B2 (en) 2015-02-20 2018-01-23 At&T Intellectual Property I, Lp Guided-wave transmission device with non-fundamental mode propagation and methods for use therewith
US9749013B2 (en) 2015-03-17 2017-08-29 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for reducing attenuation of electromagnetic waves guided by a transmission medium
US9705561B2 (en) 2015-04-24 2017-07-11 At&T Intellectual Property I, L.P. Directional coupling device and methods for use therewith
US10224981B2 (en) 2015-04-24 2019-03-05 At&T Intellectual Property I, Lp Passive electrical coupling device and methods for use therewith
US9948354B2 (en) 2015-04-28 2018-04-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Magnetic coupling device with reflective plate and methods for use therewith
US9793954B2 (en) 2015-04-28 2017-10-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Magnetic coupling device and methods for use therewith
US9490869B1 (en) 2015-05-14 2016-11-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium having multiple cores and methods for use therewith
US9871282B2 (en) 2015-05-14 2018-01-16 At&T Intellectual Property I, L.P. At least one transmission medium having a dielectric surface that is covered at least in part by a second dielectric
US9748626B2 (en) 2015-05-14 2017-08-29 At&T Intellectual Property I, L.P. Plurality of cables having different cross-sectional shapes which are bundled together to form a transmission medium
US10679767B2 (en) 2015-05-15 2020-06-09 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium having a conductive material and methods for use therewith
US10650940B2 (en) 2015-05-15 2020-05-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium having a conductive material and methods for use therewith
US9917341B2 (en) 2015-05-27 2018-03-13 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and method for launching electromagnetic waves and for modifying radial dimensions of the propagating electromagnetic waves
US9912381B2 (en) 2015-06-03 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, Lp Network termination and methods for use therewith
US10103801B2 (en) 2015-06-03 2018-10-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Host node device and methods for use therewith
US9866309B2 (en) 2015-06-03 2018-01-09 At&T Intellectual Property I, Lp Host node device and methods for use therewith
US10154493B2 (en) 2015-06-03 2018-12-11 At&T Intellectual Property I, L.P. Network termination and methods for use therewith
US10812174B2 (en) 2015-06-03 2020-10-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Client node device and methods for use therewith
US10348391B2 (en) 2015-06-03 2019-07-09 At&T Intellectual Property I, L.P. Client node device with frequency conversion and methods for use therewith
US9913139B2 (en) 2015-06-09 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, L.P. Signal fingerprinting for authentication of communicating devices
US10142086B2 (en) 2015-06-11 2018-11-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Repeater and methods for use therewith
US9608692B2 (en) 2015-06-11 2017-03-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Repeater and methods for use therewith
US9820146B2 (en) 2015-06-12 2017-11-14 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for authentication and identity management of communicating devices
US9667317B2 (en) 2015-06-15 2017-05-30 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for providing security using network traffic adjustments
US9865911B2 (en) 2015-06-25 2018-01-09 At&T Intellectual Property I, L.P. Waveguide system for slot radiating first electromagnetic waves that are combined into a non-fundamental wave mode second electromagnetic wave on a transmission medium
US9509415B1 (en) 2015-06-25 2016-11-29 At&T Intellectual Property I, L.P. Methods and apparatus for inducing a fundamental wave mode on a transmission medium
US9640850B2 (en) 2015-06-25 2017-05-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Methods and apparatus for inducing a non-fundamental wave mode on a transmission medium
US9836957B2 (en) 2015-07-14 2017-12-05 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for communicating with premises equipment
US10341142B2 (en) 2015-07-14 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for generating non-interfering electromagnetic waves on an uninsulated conductor
US10320586B2 (en) 2015-07-14 2019-06-11 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for generating non-interfering electromagnetic waves on an insulated transmission medium
US9722318B2 (en) 2015-07-14 2017-08-01 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for coupling an antenna to a device
US10148016B2 (en) 2015-07-14 2018-12-04 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for communicating utilizing an antenna array
US10170840B2 (en) 2015-07-14 2019-01-01 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for sending or receiving electromagnetic signals
US10044409B2 (en) 2015-07-14 2018-08-07 At&T Intellectual Property I, L.P. Transmission medium and methods for use therewith
US9853342B2 (en) 2015-07-14 2017-12-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Dielectric transmission medium connector and methods for use therewith
US9628116B2 (en) 2015-07-14 2017-04-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for transmitting wireless signals
US10033108B2 (en) 2015-07-14 2018-07-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for generating an electromagnetic wave having a wave mode that mitigates interference
US9847566B2 (en) 2015-07-14 2017-12-19 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for adjusting a field of a signal to mitigate interference
US10205655B2 (en) 2015-07-14 2019-02-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for communicating utilizing an antenna array and multiple communication paths
US9882257B2 (en) 2015-07-14 2018-01-30 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for launching a wave mode that mitigates interference
US10033107B2 (en) 2015-07-14 2018-07-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for coupling an antenna to a device
US10090606B2 (en) 2015-07-15 2018-10-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna system with dielectric array and methods for use therewith
US9793951B2 (en) 2015-07-15 2017-10-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for launching a wave mode that mitigates interference
US9608740B2 (en) 2015-07-15 2017-03-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for launching a wave mode that mitigates interference
US10784670B2 (en) 2015-07-23 2020-09-22 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna support for aligning an antenna
US9871283B2 (en) 2015-07-23 2018-01-16 At&T Intellectual Property I, Lp Transmission medium having a dielectric core comprised of plural members connected by a ball and socket configuration
US9749053B2 (en) 2015-07-23 2017-08-29 At&T Intellectual Property I, L.P. Node device, repeater and methods for use therewith
US9912027B2 (en) 2015-07-23 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for exchanging communication signals
US9948333B2 (en) 2015-07-23 2018-04-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for wireless communications to mitigate interference
US9735833B2 (en) 2015-07-31 2017-08-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for communications management in a neighborhood network
US10020587B2 (en) 2015-07-31 2018-07-10 At&T Intellectual Property I, L.P. Radial antenna and methods for use therewith
US9967173B2 (en) 2015-07-31 2018-05-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for authentication and identity management of communicating devices
US9904535B2 (en) 2015-09-14 2018-02-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for distributing software
US10051629B2 (en) 2015-09-16 2018-08-14 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system having an in-band reference signal
US10079661B2 (en) 2015-09-16 2018-09-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system having a clock reference
US9705571B2 (en) 2015-09-16 2017-07-11 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system
US10009901B2 (en) 2015-09-16 2018-06-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Method, apparatus, and computer-readable storage medium for managing utilization of wireless resources between base stations
US10136434B2 (en) 2015-09-16 2018-11-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system having an ultra-wideband control channel
US10009063B2 (en) 2015-09-16 2018-06-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system having an out-of-band reference signal
US9769128B2 (en) 2015-09-28 2017-09-19 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for encryption of communications over a network
US9729197B2 (en) 2015-10-01 2017-08-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for communicating network management traffic over a network
US10074890B2 (en) 2015-10-02 2018-09-11 At&T Intellectual Property I, L.P. Communication device and antenna with integrated light assembly
US9882277B2 (en) 2015-10-02 2018-01-30 At&T Intellectual Property I, Lp Communication device and antenna assembly with actuated gimbal mount
US9876264B2 (en) 2015-10-02 2018-01-23 At&T Intellectual Property I, Lp Communication system, guided wave switch and methods for use therewith
US10051483B2 (en) 2015-10-16 2018-08-14 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for directing wireless signals
US10665942B2 (en) 2015-10-16 2020-05-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for adjusting wireless communications
US10355367B2 (en) 2015-10-16 2019-07-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna structure for exchanging wireless signals
US9912419B1 (en) 2016-08-24 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for managing a fault in a distributed antenna system
US9860075B1 (en) 2016-08-26 2018-01-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and communication node for broadband distribution
US10291311B2 (en) 2016-09-09 2019-05-14 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for mitigating a fault in a distributed antenna system
US11032819B2 (en) 2016-09-15 2021-06-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for use with a radio distributed antenna system having a control channel reference signal
US10135146B2 (en) 2016-10-18 2018-11-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching guided waves via circuits
US10340600B2 (en) 2016-10-18 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching guided waves via plural waveguide systems
US10135147B2 (en) 2016-10-18 2018-11-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching guided waves via an antenna
US10811767B2 (en) 2016-10-21 2020-10-20 At&T Intellectual Property I, L.P. System and dielectric antenna with convex dielectric radome
US10374316B2 (en) 2016-10-21 2019-08-06 At&T Intellectual Property I, L.P. System and dielectric antenna with non-uniform dielectric
US9876605B1 (en) 2016-10-21 2018-01-23 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher and coupling system to support desired guided wave mode
US9991580B2 (en) 2016-10-21 2018-06-05 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher and coupling system for guided wave mode cancellation
US10312567B2 (en) 2016-10-26 2019-06-04 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher with planar strip antenna and methods for use therewith
US10224634B2 (en) 2016-11-03 2019-03-05 At&T Intellectual Property I, L.P. Methods and apparatus for adjusting an operational characteristic of an antenna
US10498044B2 (en) 2016-11-03 2019-12-03 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for configuring a surface of an antenna
US10291334B2 (en) 2016-11-03 2019-05-14 At&T Intellectual Property I, L.P. System for detecting a fault in a communication system
US10225025B2 (en) 2016-11-03 2019-03-05 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for detecting a fault in a communication system
US10178445B2 (en) 2016-11-23 2019-01-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Methods, devices, and systems for load balancing between a plurality of waveguides
US10340603B2 (en) 2016-11-23 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna system having shielded structural configurations for assembly
US10090594B2 (en) 2016-11-23 2018-10-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna system having structural configurations for assembly
US10535928B2 (en) 2016-11-23 2020-01-14 At&T Intellectual Property I, L.P. Antenna system and methods for use therewith
US10340601B2 (en) 2016-11-23 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Multi-antenna system and methods for use therewith
US10305190B2 (en) 2016-12-01 2019-05-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Reflecting dielectric antenna system and methods for use therewith
US10361489B2 (en) 2016-12-01 2019-07-23 At&T Intellectual Property I, L.P. Dielectric dish antenna system and methods for use therewith
US9927517B1 (en) 2016-12-06 2018-03-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for sensing rainfall
US10755542B2 (en) 2016-12-06 2020-08-25 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for surveillance via guided wave communication
US10382976B2 (en) 2016-12-06 2019-08-13 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for managing wireless communications based on communication paths and network device positions
US10637149B2 (en) 2016-12-06 2020-04-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Injection molded dielectric antenna and methods for use therewith
US10694379B2 (en) 2016-12-06 2020-06-23 At&T Intellectual Property I, L.P. Waveguide system with device-based authentication and methods for use therewith
US10326494B2 (en) 2016-12-06 2019-06-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus for measurement de-embedding and methods for use therewith
US10727599B2 (en) 2016-12-06 2020-07-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher with slot antenna and methods for use therewith
US10439675B2 (en) 2016-12-06 2019-10-08 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for repeating guided wave communication signals
US10819035B2 (en) 2016-12-06 2020-10-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Launcher with helical antenna and methods for use therewith
US10020844B2 (en) 2016-12-06 2018-07-10 T&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for broadcast communication via guided waves
US10135145B2 (en) 2016-12-06 2018-11-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for generating an electromagnetic wave along a transmission medium
US10168695B2 (en) 2016-12-07 2019-01-01 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for controlling an unmanned aircraft
US9893795B1 (en) 2016-12-07 2018-02-13 At&T Intellectual Property I, Lp Method and repeater for broadband distribution
US10446936B2 (en) 2016-12-07 2019-10-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Multi-feed dielectric antenna system and methods for use therewith
US10359749B2 (en) 2016-12-07 2019-07-23 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for utilities management via guided wave communication
US10027397B2 (en) 2016-12-07 2018-07-17 At&T Intellectual Property I, L.P. Distributed antenna system and methods for use therewith
US10389029B2 (en) 2016-12-07 2019-08-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Multi-feed dielectric antenna system with core selection and methods for use therewith
US10243270B2 (en) 2016-12-07 2019-03-26 At&T Intellectual Property I, L.P. Beam adaptive multi-feed dielectric antenna system and methods for use therewith
US10139820B2 (en) 2016-12-07 2018-11-27 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for deploying equipment of a communication system
US10547348B2 (en) 2016-12-07 2020-01-28 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for switching transmission mediums in a communication system
US9911020B1 (en) 2016-12-08 2018-03-06 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for tracking via a radio frequency identification device
US10389037B2 (en) 2016-12-08 2019-08-20 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for selecting sections of an antenna array and use therewith
US10777873B2 (en) 2016-12-08 2020-09-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for mounting network devices
US10411356B2 (en) 2016-12-08 2019-09-10 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for selectively targeting communication devices with an antenna array
US10069535B2 (en) 2016-12-08 2018-09-04 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching electromagnetic waves having a certain electric field structure
US10916969B2 (en) 2016-12-08 2021-02-09 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for providing power using an inductive coupling
US10326689B2 (en) 2016-12-08 2019-06-18 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and system for providing alternative communication paths
US9998870B1 (en) 2016-12-08 2018-06-12 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for proximity sensing
US10103422B2 (en) 2016-12-08 2018-10-16 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for mounting network devices
US10938108B2 (en) 2016-12-08 2021-03-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Frequency selective multi-feed dielectric antenna system and methods for use therewith
US10601494B2 (en) 2016-12-08 2020-03-24 At&T Intellectual Property I, L.P. Dual-band communication device and method for use therewith
US10530505B2 (en) 2016-12-08 2020-01-07 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for launching electromagnetic waves along a transmission medium
US10264586B2 (en) 2016-12-09 2019-04-16 At&T Mobility Ii Llc Cloud-based packet controller and methods for use therewith
US10340983B2 (en) 2016-12-09 2019-07-02 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for surveying remote sites via guided wave communications
US9838896B1 (en) 2016-12-09 2017-12-05 At&T Intellectual Property I, L.P. Method and apparatus for assessing network coverage
US9973940B1 (en) 2017-02-27 2018-05-15 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus and methods for dynamic impedance matching of a guided wave launcher
US10298293B2 (en) 2017-03-13 2019-05-21 At&T Intellectual Property I, L.P. Apparatus of communication utilizing wireless network devices

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2993675B2 (ja) * 1989-02-08 1999-12-20 株式会社日立製作所 プラズマ処理方法及びその装置
US5134965A (en) * 1989-06-16 1992-08-04 Hitachi, Ltd. Processing apparatus and method for plasma processing
WO2004089046A1 (ja) * 1991-11-05 2004-10-14 Nobumasa Suzuki 無端環状導波管を有するマイクロ波導入装置及び該装置を備えたプラズマ処理装置
JP3205127B2 (ja) * 1993-06-22 2001-09-04 キヤノン株式会社 通信制御方法及びその装置
US5698036A (en) * 1995-05-26 1997-12-16 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
CN1164125A (zh) * 1996-02-20 1997-11-05 株式会社日立制作所 等离子体处理方法和装置
JP3774965B2 (ja) * 1996-12-18 2006-05-17 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置
EP1189493A3 (en) * 1997-05-22 2004-06-23 Canon Kabushiki Kaisha Plasma processing apparatus provided with microwave applicator having annular waveguide and processing method
TW409487B (en) * 1998-04-10 2000-10-21 Sumitomo Metal Ind Microwave plasma treatment apparatus and microwave plasma treatment method
US6870123B2 (en) * 1998-10-29 2005-03-22 Canon Kabushiki Kaisha Microwave applicator, plasma processing apparatus having same, and plasma processing method
JP4303350B2 (ja) * 1999-03-26 2009-07-29 忠弘 大見 レーザ発振装置、露光装置及びデバイスの製造方法
US6388632B1 (en) * 1999-03-30 2002-05-14 Rohm Co., Ltd. Slot antenna used for plasma surface processing apparatus
JP2001203097A (ja) * 2000-01-17 2001-07-27 Canon Inc プラズマ密度計測装置および方法並びにこれを利用したプラズマ処理装置および方法
JP4441038B2 (ja) * 2000-02-07 2010-03-31 東京エレクトロン株式会社 マイクロ波プラズマ処理装置
JP2001267305A (ja) * 2000-03-17 2001-09-28 Hitachi Ltd プラズマ処理装置
JP3874726B2 (ja) * 2001-01-18 2007-01-31 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ生成方法
JP2003046327A (ja) * 2001-07-31 2003-02-14 Canon Inc プラズマ処理装置におけるラジアルラインスロットアンテナの構造

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101529997B (zh) * 2006-10-06 2014-07-02 朗姆研究公司 利用具有改良的光学访问的双区域气体注射器来访问工艺室的方法和设备
US8188468B2 (en) 2007-05-25 2012-05-29 National University Corporation Tohoku University Compound-type thin film, method of forming the same, and electronic device using the same
CN101681817B (zh) * 2007-05-25 2012-11-14 国立大学法人东北大学 化合物系薄膜及其形成方法、以及使用该薄膜的电子装置
CN107112190A (zh) * 2015-01-07 2017-08-29 应用材料公司 具有含有开槽式螺旋波导的旋转微波等离子体天线的工件处理腔室
US10685812B2 (en) 2015-01-07 2020-06-16 Applied Materials, Inc. Workpiece processing chamber having a rotary microwave plasma antenna with slotted spiral waveguide
CN107454732A (zh) * 2016-05-16 2017-12-08 三星电子株式会社 天线、包括天线的微波等离子体源、和等离子体处理装置
CN109121276A (zh) * 2017-06-22 2019-01-01 东京毅力科创株式会社 天线及等离子体处理装置
CN108717995A (zh) * 2018-04-19 2018-10-30 东南大学 一种超小型ulf/vlf旋转电荷天线及信号幅频调制方法
CN108717995B (zh) * 2018-04-19 2020-10-02 东南大学 一种超小型ulf/vlf旋转电荷天线及信号幅频调制方法
CN111034358A (zh) * 2018-05-21 2020-04-17 松下知识产权经营株式会社 微波处理装置
CN111034358B (zh) * 2018-05-21 2022-02-01 松下知识产权经营株式会社 微波处理装置
CN116390320A (zh) * 2023-05-30 2023-07-04 安徽农业大学 一种电子回旋共振放电装置及应用

Also Published As

Publication number Publication date
TW200509247A (en) 2005-03-01
KR100554116B1 (ko) 2006-02-21
KR20050006080A (ko) 2005-01-15
JP2005033055A (ja) 2005-02-03
CN1322793C (zh) 2007-06-20
TWI242246B (en) 2005-10-21
US20050005854A1 (en) 2005-01-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1576392A (zh) 用多缝隙天线的表面波等离子体处理装置
CN1082569C (zh) 微波等离子体处理装置及其处理方法
CN103270578B (zh) 使用微波等离子体的薄膜沉积
TW490497B (en) Method of processing substrate
TW202111148A (zh) 包括介電層之結構、其形成方法及執行形成方法的反應器系統
KR100220132B1 (ko) 마이크로파 플라즈마 처리 장치 및 마이크로파 플라즈마 처리 방법
KR20150103227A (ko) 고밀도 플라즈마를 구현하는 실리콘 질화물 갭필
US20080173402A1 (en) Microwave plasma processing apparatus
JP2003109941A (ja) プラズマ処理装置および表面処理方法
CN1799127A (zh) 等离子体处理装置和等离子体处理方法
CN1788104A (zh) 薄膜形成装置及薄膜形成方法
JP2005093737A (ja) プラズマ成膜装置，プラズマ成膜方法，半導体装置の製造方法，液晶表示装置の製造方法及び有機ｅｌ素子の製造方法
US20150140833A1 (en) Method of depositing a low-temperature, no-damage hdp sic-like film with high wet etch resistance
US6749717B1 (en) Device for in-situ cleaning of an inductively-coupled plasma chambers
CN1682357A (zh) 形成半导体基体上的绝缘膜的方法
JP2001308071A (ja) Ｅ面分岐を有する導波管を用いたプラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP4478352B2 (ja) プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法並びに構造体の製造方法
JPH07161489A (ja) 有磁場誘導結合プラズマ処理装置
JP3530788B2 (ja) マイクロ波供給器及びプラズマ処理装置並びに処理方法
JP4298049B2 (ja) 誘電体窓を用いたマイクロ波プラズマ処理装置
KR20210097044A (ko) 에칭 방법, 기판 처리 장치, 및 기판 처리 시스템
WO2011105163A1 (ja) プラズマ成膜装置及び方法
JPH10233295A (ja) マイクロ波導入装置及び表面処理方法
JP2008282947A (ja) プラズマ発生装置、プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JPH0978244A (ja) プラズマｃｖｄ方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20070620

Termination date: 20200707

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee