CN1574233A - 晶片背表面处理方法以及切割片粘附装置 - Google Patents

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Abstract

提供了一种便于半导体芯片的拾取以及防止被切割片污染的半导体晶片处理方法。晶片背表面处理方法的特征在于，在研磨或者抛光步骤中被活化的半导体晶片的研磨或者抛光表面被钝化，其中在晶片上形成有半导体电路。在所述方法中，优选使用氧化剂进行激活处理。此外，激活处理优选通过将臭氧吹送到晶片的研磨或者抛光表面、利用臭氧水以及利用紫外线(UV)对晶片的研磨或者抛光表面进行照射来施行。优选在钝化处理之后粘附切割片。

Description

晶片背表面处理方法以及切割片粘附装置
技术领域
本发明涉及半导体晶片(此后称为晶片)的处理方法，所述方法作为应用到包括将切割片粘附到晶片的步骤的过程的处理方法时尤其有用，所述将切割片粘附到晶片的步骤是在将电路形成到晶片上之后使晶片变薄的研磨步骤(或者各种抛光步骤中的一种)之后进行的；本发明还涉及使用晶片处理方法的装置。
背景技术
由硅、镓、砷化物等制造的半导体晶片的传统使用方式是将电路形成在晶片上，此后应用使晶片变薄的研磨步骤，然后将切割片粘附到其上，接着将带有所述片的晶片切割成小器件片，接着进行安装步骤(例如参看JP-A No.2003-7646)。在这样的过程中，由于在图案形成过程之后的包括抛光或者晶片的背表面的背面研磨的步骤在半导体制造中被认为是前端过程，将背面研磨步骤从把切割片粘附到晶片的背表面的步骤分开；由此，通常在抛光或者背面研磨(back grinding)结束之后直到切割片被粘附到晶片上之前，一天甚至更长的时间已经过去。
但是，晶片抛光步骤在近年来被认为是后端过程。在抛光之后数小时之内就将切割片粘附，或者可选地，自晶片抛光装置至切割片粘附装置的过程被集成到单个系统中；由此，紧随抛光之后将切割片粘附到晶片的情况增加。
这样，在抛光结束之后几个小时之内切割片被粘附的情况下，或者在从晶片抛光装置到切割片粘附装置的过程被集成到单个系统中，从而切割片在抛光结束之后被立即粘附到晶片上的情况下，切割片和晶片的背表面之间的粘附力增加，这可能导致的问题是：当通过分离为多个小片而获得的半导体芯片在切割步骤之后被拾取时，就不能拾取或者即使在能够拾取时来自切割片的污染也比较严重。
发明内容
本发明注意到这些问题而作成。本发明的一个目标是提供一种处理方法和装置，所述方法和装置能够制造半导体器件而不会由于切割片和晶片的背表面中间的粘附力增加而造成在切割晶片之后半导体芯片无法拾取(picking-up)，或者即使在能够拾取时也不会导致晶片受到切割片的严重污染。
本发明人对研磨步骤之后的晶片切割步骤进行了认真的研究，结果发现上述目标可以通过下述方法实现，这也致使本发明的产生。
即，本发明是一种晶片背表面处理方法，其中在研磨或者抛光步骤中被活化的半导体晶片的研磨表面或者抛光表面被钝化，其中在所述半导体晶片上形成有半导体电路。使用这样的处理，切割片和晶片背表面之间的粘附力减小，由此使得半导体芯片拾取容易并防止了被切割片污染。
在此方法中，钝化处理优选地使用氧化剂来实现。使用氧化剂的氧化处理可以在任何条件下稳定并钝化晶片的不稳定背表面，所述不稳定背表面在研磨或者抛光过程中产生。
钝化处理优选地通过将臭氧吹送到晶片的研磨或者抛光表面来执行。通过进行臭氧的吹送，晶片的研磨或者抛光表面的氧化处理可以在干燥的条件下迅速均匀地进行。
钝化处理优选使用臭氧水进行。通过使用臭氧水进行处理，可以对多个晶片的研磨或者抛光表面进行均匀的氧化处理。也通过臭氧水施加了清洗的效果，所述处理也可以作为清洗步骤。
钝化处理优选地通过使用紫外线(UV)对晶片的研磨或者抛光表面的照射来进行。通过UV照射，晶片的研磨或者抛光表面上的氧化处理可以在干燥的条件下适度和均匀地进行。
优选在钝化处理之后粘附切割片。使用上述处理，切割片被粘附到晶片的背表面，其中切割片和晶片的背表面之间的粘附力减小，这使得提供一种能够促进半导体芯片的拾取并防止被切割片污染的半导体部件的处理方法成为可能。
本发明是一种切割片粘附装置，所述装置具有将臭氧吹送到晶片的研磨或者抛光表面的装置。在使用臭氧进行臭氧处理以减小切割片和晶片的背表面之间的粘附力的状态下，切割片被粘附到晶片的背表面，这使得提供一种能够促进半导体芯片的拾取并防止切割片的污染的半导体部件的处理方法成为可能。通过吹送臭氧，晶片的研磨或者抛光表面上的氧化处理可以在干燥的条件下迅速均匀地进行。
切割片粘附装置优选地具有：UV照射机构，所述UV照射机构照射晶片的研磨或者抛光表面上的UV-固化(UV-setting)保护带；以及将冷却UV灯后的废气吹送到晶片的研磨或者抛光表面的机构，通过这样的方式将冷却UV灯后的废气吹送到晶片的研磨或者抛光表面，就有可能使用臭氧而不用额外的臭氧发生器对晶片的研磨或者抛光表面进行氧化处理，其中将臭氧吹送到晶片的研磨或者抛光表面预定的时间，由此能够进行适度的钝化处理。
附图说明
图1是本发明的切割片粘附装置的第一示例结构的示意图。
图2是本发明的切割片粘附装置的第二示例结构的示意图。
图3是本发明的切割片粘附装置的第三示例结构的示意图。
图4是本发明的切割片粘附装置的第四示例结构的示意图。
图5是本发明的切割片粘附装置的第五示例结构的示意图。
图6是本发明的切割片粘附装置的第六示例结构的示意图。
具体实施方式
下面将对本发明的实施例进行说明。
本发明是晶片背表面的处理方法，其特征在于，钝化处理应用到在研磨或者抛光步骤中被活化的半导体晶片的研磨表面或者抛光表面上，其中半导体电路形成在半导体晶片上。本发明人发现在研磨或者抛光步骤中被活化的晶片的研磨或者抛光表面的钝化是减小切割片和晶片背表面之间的粘附力的非常有效的处理方法，基于该知识并发现：在切割步骤中，事先减小切割片与晶片的背表面之间的粘附力使得半导体芯片的拾取更方便并可防止被切割片所污染。由此，切割步骤和后续步骤可以顺利地进行，而不需要添加步骤或者对现有步骤进行修改，这是很有意义的。
即，本发明是用后面将要说明的臭氧等来氧化在在研磨或者抛光中产生的晶片的非稳定背表面，并由此实现晶片表面的稳定化。此处术语“晶片的非稳定表面”表达的是这样的表面：在该表面中富含金属的、单价的、二价的和/或者三价的状态，但缺乏SiO2(四价硅)的状态，而SiO2是天然的氧化物薄膜。
钝化处理优选使用氧化剂进行。由于发明人发现使用氧化剂进行氧化处理对于在研磨或者抛光中所产生的晶片的不稳定背表面的稳定化是有效的，这样的处理减小了切割片与晶片的背表面之间的粘附力，由此使得半导体芯片的拾取容易，此外，可以防止被分割片污染。
作为用于执行钝化处理的介质，由于其清洁效果和在钝化处理之后清洁的简单性和方便性，优选使用过氧化氢水(双氧水)。
过氧化氢水通常作为浓度等级为3％的溶液进行使用。注意如果提供额外的只用于清洗的步骤，也可以使用其它氧化介质，并且也有可能使用大量的空气，但是效率较低。通过任意选择一种氧化介质和氧化条件，晶片的背表面得以稳定化并在最优的条件下钝化。
钝化处理优选通过将臭氧吹到研磨或者抛光的晶片的表面来执行。由于发明人发现在利用了臭氧的氧化能力的晶片的研磨或者抛光表面的氧化处理中，吹送臭氧迅速并均匀地实现了氧化，吹送臭氧有效的另外的原因是由于在较干的条件中施行。在臭氧吹送处理应用于研磨或者抛光晶片之后的清洗步骤中的情况下，不仅臭氧可以被清洗晶片分散，而且也可以获得除去清洗水的效果。臭氧浓度也可以被改变，钝化处理可以在研磨或者抛光方法中的最佳条件下执行。
臭氧可以使用常用的臭氧发生器制造。在清洗后的吹送可以使用装配到研磨或者抛光装置上的排气装置执行。使用臭氧的氧化处理可以在研磨或者抛光步骤之后在下列独立步骤中的任何一个步骤中执行：(1)将臭氧吹到每个盒(cassette)中的步骤，(2)将臭氧一次吹送到一个盒中的步骤，(3)将其中具有晶片的闭合容器中的空气替换为具有臭氧的空气的步骤，以及(4)用装配到切割带粘附装置上的排气装置吹送的步骤。考虑到晶片制备的过程，在处理中所使用的臭氧浓度优选在范围0.1至10ppm之间，尽管在0.1至10000ppm范围中的等级的臭氧浓度可以由具有这种容量的臭氧发生器中来获得。
可以注意到在本发明中，对臭氧源没有设置特别的限制，例如，在装配有用于UV硬化保护带的UV照射机构(将在下面说明)的情况下，冷却空气中的部分氧气通过UV灯被转换为臭氧，这样钝化处理可以通过将在UV灯冷却中所使用的废气吹送至晶片的研磨或者抛光的表面一段预定的时间来执行。
活化处理优选使用臭氧水处理。晶片的研磨或者抛光表面的氧化处理不是使用干燥状态的臭氧来进行，而是使用湿状态下的臭氧水来执行，这使得氧化能够迅速和均匀地进行。具体而言，处理方法可以是将臭氧水喷洒到晶片，或者将晶片浸入臭氧水中。臭氧水处理具有清洗的效果，由此可以用于清洗步骤以及氧化步骤，在浸入方法的情况下，所述方法的优点在于可一次处理多个晶片。
所使用的臭氧水可以通过常用的臭氧水产生装置制造，实际上，臭氧水可以在研磨或者抛光装置中用作清洗水。作为选择，晶片可以在容纳在盒中的状态下浸入臭氧水中，在研磨或者抛光步骤之后的附加步骤中一次一个地个别地浸入臭氧水中，或者个别地或成组地喷洒臭氧水。在晶片研磨的过程中臭氧水也被用作冷却水的情况下，可以施加更多的效果。臭氧水中的臭氧浓度优选在大约3至15ppm的范围中。
钝化处理优选采用对晶片的研磨或者抛光表面的UV照射来进行。由于通过UV照射晶片而在晶片的表面由氧转换为臭氧所取得的直接的处理效果，以及通过施加UV由相邻区域中的氧转换的臭氧的间接的吹送效果，UV照射可以在较宽的范围中均匀地实施，这样对晶片的研磨表面或者抛光表面的氧化处理可以在干燥的条件下均匀执行。此外，由于UV的强度可以被改变，在研磨或者抛光方法中钝化处理可以在最优的条件下实施。特别是在清洗后干燥的步骤中，干燥的空气吹向晶片的情况下，UV照射的效果可以更有效地实施。
尽管在上述说明中阐述了多个钝化处理，所述处理通常单独执行。但是，一些但是不是所有的所述处理可以组合使用，通过顺序应用组合的方法，钝化可以均匀稳定地执行。例如，可以引用一种方法，其中清洗和第一次钝化处理可以通过浸入臭氧水中进行，接着通过吹送臭氧进行干燥和最终的钝化处理。
优选在上述钝化处理之后将切割片粘附到晶片上。在本发明中，通过对在研磨或者抛光步骤中被活化的研磨或者抛光表面进行钝化处理之后，将切割片粘附到半导体晶片的研磨或者抛光表面，切割可以在其间的粘附力减小的状态下进行。相应地，可以提供一种半导体部件处理方法，其中被粘附切割片的半导体芯片的拾取更容易并防止了通过切割片而受到污染。
本发明是一种切割片粘附装置，其特征在于，具有一种机构，所述机构将臭氧吹到晶片的研磨或者抛光表面上。如上所述，使用臭氧进行的氧化处理可以产生极好的效果，使半导体芯片的拾取更容易并防止了切割片的污染。由此，使用这样的装配到切割片粘附装置上的机构，提供了一种能够在半导体器件上进行处理的装置。一些具体的结构将在后续示例中进行说明。
切割片粘附装置优选具有用于照射晶片的研磨或者抛光表面中的UV固化保护带的UV照射机构和将已经冷却UV灯后的废气吹向晶片的研磨或者抛光表面的机构。该切割片粘附装置的一个特征在于：吹送UV照射机构中所产生的加热空气(所述装置包括在切割片粘附装置中)，从而吹送冷却UV灯后的废气(废气此后称为UV照射机构废气)，而不用使用额外的臭氧发生器，这使得有可能利用臭氧在研磨或者抛光表面进行氧化处理，以及通过吹送预定的时间而进行非常适当的钝化处理。具体而言，由于空气中的臭氧含量非常小，所以效果有限，优选在研磨或者抛光之后将晶片放置在空气中至少2至6小时的时间期间。
尽管对晶片(晶片是将被粘附的物体)表面进行的处理进行了描述，优选地，除了在晶片的表面上进行上述处理之外还施加预定的处理。切割片通常在切割完成后从晶片除去。由此优选减小晶片表面对切割片的粘附，所述晶片是将被粘附的物体以及减小切割片的粘附力的物体。当晶片和所述切割片之间的粘附达到更好的平衡时，获得的优点是所述切割片的粘附或者移除可以稳定地执行。
例如，此处引用的一个方法是，UV处理预先施加到UV固化粘附片的表面上。当施加了UV处理后，粘合剂稍微凝固，由此使得粘附力减小。此处引用了一种方法，其中对片表面进行了起泡处理。当在片表面上进行起泡处理之后，与晶片的接触面积减小，由此使得其间的粘附力减小。此外，此处引用了一种方法，其中波纹状态或者方形矩阵状的凹凸形成在片表面上。利用片表面上所形成的凹凸，与晶片的接触面积减小，由此使得粘附力减小。
[示例]
下面将以具体的方式对显示本发明的结构和效果的例子进行说明。对示例中的评估项的测量如下进行。注意，毋庸置言本发明不限于所述示例和评估方法。
<评估方法>
为了评估钝化处理的效果，使用DISCO公司所制造的Back GrinderDFG-840将各个晶片研磨至400μm的厚度，对晶片施行钝化处理，单独制备的UV固化粘附片在钝化处理的1小时内被粘附到晶片上。晶片之一在使用UV照射装置UM-810(所述装置由Nitto Denko公司制造)粘附所述片之后使用UV照射了30分钟，UV固化粘附片只被粘附到钝化处理后使用UV照射机构废气处理3个小时的一个晶片上。在如上处理的晶片上进行粘附力的测量。在钝化处理过程中，除了UV照射机构废气之外的气体以流速1L/min吹向晶片。只有UV照射机构废气以速率3L/min吹向晶片。一个晶片使用DISCO公司制造的Dicer DFD-651切割成5mm×7mm的块，UV照射使用UV照射机构UM-810(Nitto Denko公司生产)施加到各块，接着进行拾取评估。
(1)粘附力的测量
粘附带的释放力使用拉伸试验机以15度的拉伸角度进行测量，其中拉伸角度可以任意调节并保持常数。
(2)拾取的评估
拾取使用Dibonder CPS-100(NEC Machinery公司制造)在4个销和500um的顶起量(plunge-up)的条件下进行。
<评估片的准备>
用于评估的UV安装粘附片如下进行准备：
包括70份重量的异丁烯酸盐、30份重量的丙烯酸丁酯和5份重量的丙烯酸的混合复合物被聚合以获得丙烯基共聚物，数量平均分子重量为800,000。添加到共聚物溶液的是70份重量的二季戊四醇六丙烯酸酯(dipentaerythritolhexaacrylate)(NIPPON KAYAKU公司制造，商标名KAYARAD DPHA)，5份重量的自由基聚合引发剂(Chiba SpecialtyChemicals公司，商标名Irgacure 651)和聚亚安酯复合物(NIPPONPOLYURETHANE INDUSTRY CO.，LTD.公司制造，商标名CORONATE L)以制备丙烯基UV固化粘和溶液。所述溶液涂敷到厚度为80μm的聚乙烯薄膜的一个电晕放电处理表面上，带涂层的聚乙烯薄膜通过加热干燥来形成厚度为10μm的UV固化粘附层。然后隔离层(separator)被粘附到粘附层的表面以获得UV固化粘附片。此处所使用的隔离层是聚酯薄膜(TorayIndustries公司制造，商标名Lumirror S-10#50)，厚度为38μm，并施以防粘剂，所述防粘剂粘附到粘附层粘附表面上。
下面将对示例1至6以及比较示例结合附图进行说明，所述示例是本发明的实施例。
<示例1>
图1是与本发明相关的研磨或者抛光装置的晶片背表面清洗部分的示例。在图1中，在背面研磨带2保持粘结在其上的状态下，晶片1通过设置在其间的吸附垫3的真空抽吸而固定到转动轴11上，并使用清洗水喷嘴5清洗，同时围绕转动轴11转动，此后，使用臭氧吹管4同时执行水的移除以及臭氧的钝化处理。臭氧通过单独设置的臭氧发生器产生。考虑到在打开装置时减小臭氧浓度所需要的时间，臭氧的浓度优选处于范围0.1至10ppm之间。使用诸如吹风机等的常用排气装置来实现排气。在空气通过空气供给端口供给并容纳在预定的盒中时，在臭氧浓度减小到0.1ppm或者更少之后，晶片通过机器人臂通过晶片取出端口卸载，机器人臂具有晶片吸附装置。
<示例2>
图2是与本发明相关的臭氧处理的晶片盒的示例。在图2中，晶片1容纳在晶片盒6中，每个晶片处于背面研磨带2保持粘附在其上的状态。晶片盒6放置在具有臭氧供给部分和排气部分的容器中。晶片1在与示例1相似的条件下进行钝化处理。盒从闭合容器中取出，在空气通过空气供给端口供给的同时臭氧浓度减小到0.1ppm或者更少之后打开其顶部部分。
<示例3>
图3是与本发明相关的片供给(sheet-fed)晶片臭氧处理的示例。在图3中，在背面研磨带2没有粘附到其上的状态下，晶片1被固定到卡盘台7上。臭氧吹管4被安装到可移动轴上，这样吹送方向可以指向晶片1上的任何位置，臭氧可以通过吹管的适当运动而吹过全部表面。处理条件和取出方法与示例1中的相似。
<示例4>
图4是与本发明相关的切割带粘附装置的背表面处理部分的示例。此例基本与示例1相似，但没有喷洒清洗水。臭氧吹管4被安装到可移动轴上，这样吹送方向可以指向晶片1上的任何位置，臭氧可以通过吹管的适当运动而吹过全部表面。为了减小空间，将校准器(aligner)设置到切割带粘附装置以及将臭氧吹送部分包括在校准器中通常是有利的。处理条件和晶片处理与示例1中的相似。
<示例5>
图5是与本发明相关的分割带粘附装置的晶片背表面UV装置废气吹送部分的示例。由于吹送供给充足，优选以切口形状提供废气吹送部分或者覆盖全部表面，部分为了增加吹送量。由于来自UV装置的废气通常处于10℃，优选废气在23℃附近的室温中活性增加。另一方面，如果晶片1被加热到大约80℃温度或者更高，尽管根据衬底的种类而有所不同，但是容易造成这样的不便：背面研磨带的基部部件通常被软化从而弯曲晶片或者收缩以使得背面研磨带被释放，因此将被粘附的物体的温度优选通过使用单独的吹送装置控制吹送量而控制到大约70℃或者更低的温度。
<示例6>
图6是与本发明相关的研磨或者抛光装置的晶片背表面清洗部分的示例。在图6中，晶片1在背面研磨带2保持粘附在其上的状态下通过吸附垫3的真空吸附被固定到转动轴11上，吸附垫3设置在其间并使用清洗水喷射嘴9喷以臭氧水同时围绕转动轴11转动，在清洗后，水通过空气吹管10移除。注意此示例可以作为独立的装置安装。臭氧水可以自普通发生器供给，臭氧浓度优选在大约3至15ppm的范围中。也有可能使用过氧化氢水代替臭氧水。通常使用大约3％浓度等级的过氧化氢水。
<比较示例>
在没有进行如上所述的钝化处理的情况下粘附切割带并进行评估测试。
<测试结果>
上述示例和比较示例的评估结果显示在表1中。
[表1]
处理 浓度(ppm) 处理时间(sec)  粘附力(N/cm) 所有试验拾取的成功次数 对应示例
臭氧吹送 0.3  21  1.8  20/20  1-4
臭氧吹送 7  7  1.6  20/20
臭氧水 3  25  1.7  20/20  6
臭氧水 12  25  1.5  20/20
过氧化氢水 3(％)  25  1.5  20/20  1-4
UV照射机构废气 -  30  2.0  20/20  5
没有进行钝化处理 -  -  2.7  13/20 比较示例
能够被拾取的芯片的背表面在光学显微镜下观察，放大倍率50X。
在没有进行钝化处理的情况中，在一些但不是所有的芯片的背表面的拐角上发现了处于凝结和破碎状态的粘结剂。
另一方面，在进行钝化处理的芯片的背表面上没有发现粘结剂粘附。
根据本发明，如上所述，在形成半导体电路后的晶片上，通过对在研磨或者抛光步骤中被活化的半导体晶片的研磨或者抛光表面进行钝化处理，切割片与晶片背表面之间的粘附力减小，由此使得半导体芯片的拾取方便并防止切割片的污染。
在通过使用氧化剂进行钝化处理中，在研磨或者抛光中所产生的晶片的不稳定背表面可在任意的条件下稳定并钝化。
在通过臭氧吹送所进行的钝化处理中，晶片的研磨或者抛光表面的氧化处理可以在干燥的条件中迅速均匀地执行。
在使用臭氧水所进行的钝化处理中，多个晶片的研磨或者抛光表面上的氧化处理可以迅速均匀地执行。在处理中，也施加了臭氧水的清洗效果，这使得有可能额外地用作清洗步骤。
在对晶片的研磨或者抛光表面进行UV照射的钝化处理中，晶片的研磨或者抛光表面上的氧化处理可以在干燥条件中适度和均匀地执行。
在切割片和晶片的背表面之间的粘附力在如上所述的钝化处理之后减小的状态下，通过将切割片粘附到晶片的背表面，可以提供一种半导体部件的处理方法，其中半导体芯片的拾取变得容易并且防止了切割片的污染。
在具有将臭氧吹送到晶片的研磨或者抛光表面的机构的切割片粘附装置中，在切割片和晶片的背表面之间的粘附力在使用臭氧进行氧化处理之后减小的状态下，通过将切割片粘附到晶片的背表面，可以提供一种半导体部件的处理装置，其中半导体芯片的拾取变得容易并防止了切割片的污染。通过进行臭氧吹送，晶片的研磨或者抛光表面上的氧化处理可以在干燥的条件下迅速均匀地进行。
在具有用于对晶片表面上的UV固化保护带进行照射的UV照射机构和用于将冷却UV灯后的废气吹送到晶片的研磨或者抛光表面上的机构的切割片粘附装置中，不用使用额外的臭氧发生器，就能对晶片的研磨或者抛光表面进行氧化处理，并且，废气被吹送预定的时间，由此能够进行非常适度的钝化处理。

Claims (8)

1、一种晶片背表面处理方法，其中在研磨或者抛光步骤中被活化的半导体晶片的研磨或者抛光表面被钝化，在所述晶片上形成有半导体电路。
2、根据权利要求1所述的晶片背表面处理方法，其特征在于，钝化处理使用氧化剂施行。
3、根据权利要求1所述的晶片背表面处理方法，其特征在于，钝化处理通过将臭氧吹送到研磨或者抛光表面上而施行。
4、根据权利要求1所述的晶片背表面处理方法，其特征在于，钝化处理通过臭氧水施行。
5、根据权利要求1所述的晶片背表面处理方法，其特征在于，钝化处理通过使用紫外线(UV)对研磨或者抛光表面进行照射来施行。
6、根据权利要求1-5任一项所述的晶片背表面处理方法，其特征在于，切割片在钝化处理之后粘附到研磨或者抛光的表面上。
7、一种具有用于将臭氧吹送到晶片的研磨或者抛光表面上的机构的切割片粘附装置。
8、一种具有用于利用紫外线对晶片的研磨或者抛光表面上的UV-固化保护带进行照射的UV照射机构和将冷却UV灯后的废气吹送到晶片的研磨或者抛光表面上的机构的切割片粘附装置。
CNB2004100335656A 2003-05-29 2004-04-06 晶片背表面处理方法以及半导体器件的制造方法 Expired - Fee Related CN100411105C (zh)

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