CN1552958A - 硼酸镁晶须的制备工艺 - Google Patents

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李武
张治宏
聂峰
魏明
雷亚川
李中
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Abstract

本发明涉及一种硼酸镁晶须的制备工艺,包括配料、烧结、溶浸、干燥等工艺步骤。利用该工艺所生产的硼酸镁晶须产品,质量好、长径比大、纯度可达99.55%高、收率为90%;由于采用盐湖资源中极为丰富的氯化镁为原料,生产成本低;同时副产品可回收锂盐,提高了资源的利用率和生产的经济效益。

Description

硼酸镁晶须的制备工艺
技术领域
本发明涉及硼酸镁晶须的制备工艺。
背景技术
晶须是在人工控制下以单晶形式生长的一种纤维,其直径为几微米、长度为几十微米,有长径比大、无晶界等特点。由于晶须这种内在的完整性,其强度不受表面完整性的限制,与单晶纤维和玻璃相比,非常坚韧。硼酸镁晶须作为一种新型的晶须材料,具有良好的力学性能(耐热、耐磨、耐腐蚀、质轻等),在汽车、塑料工业、复合材料等领域广泛应用。
目前,硼酸镁晶须的制备方法主要有熔融法,它是以氧化镁、硼酸为原料,经均匀混合后,在助溶剂存在下进行反应,得到不含块状物的晶须。熔融法得到的硼酸镁产品晶须,质量较差、纯度较低、收率也低,且成本高。
发明内容
本发明的目的是提供一种成本低、产品质量好、纯度高、收率高的硼酸镁晶须的制备工艺。
本发明的目的可以通过以下措施实现:
一种硼酸镁晶须的制备工艺,包括以下工艺步骤:
1、配料工序:将氯化镁、硼酸及助溶剂按一定的摩尔比配料,加入水形成料浆,再将料浆经喷雾干燥制成干料;
2、烧结工序:将上述干料在高温下培烧若干小时,形成烧结物;
3、溶浸工序:将上述培烧所得的烧结物用水浸泡,得到悬浊液;
4、干燥工艺:将上述悬浊液过滤、洗涤、烘干得到硼酸镁晶须。
所述硼酸镁晶须的制备工艺还包括回收工序和副产品的回收工续:经过滤的母液可回收利用,并到一定的时间可回收富集的锂盐。
所述助熔剂为氯化钠、氯化钾中的任何一种或氯化钠、氯化钾分别与氢氧化钠共同作为助溶剂。
所述氯化镁与硼酸的摩尔比为1∶1-1∶1.05。
所述助熔剂的摩尔配比比为(氯化镁+硼酸∶助熔剂)1∶1-1∶3.5。
所述培烧温度为700°-1200℃。
所述培烧时间为5-12小时。
本发明的反应方程式为:
            
本发明与现有技术相比具有如下优点:
1、本发明采用盐湖资源中极为丰富的氯化镁为原料,成本低,同时由于副产品可回收锂盐,提高了盐湖资源的利用率和生产的经济效益。
2、本发明产品质量好(晶须形貌好、长度较长且长径比大)、纯度高(可达99.55%)、收率高(可达90%)。
3、本发明工序易于控制,操作简便,对设备的性能要求适中,易于实现规模化生产。
具体实施方式
实施例1:一种制备硼酸镁晶须的工艺:将145.5g氯化镁与3.1g硼酸及209.1g氯化钠混合均匀,加入适量水配制成料浆;料浆静置若干时间后,经喷雾干燥制成干粉,再将干粉放入坩埚,送入高温反应炉,并在700°-1200℃的高温下烧结1-50小时后,将培烧所得的烧结物用水溶浸,得到悬浊液;将上述悬浊液过滤、洗涤、烘干得到硼酸镁晶须。
实施例2:一种制备硼酸镁晶须的工艺:将145.5g氯化镁与3.1g硼酸及209.1g氯化钾混合均匀,加入适量水配制成料浆;料浆静置若干时间后,经喷雾干燥制成干粉,再将干粉放入坩埚,送入高温反应炉,并在700°-1200℃的高温下烧结1-50小时后,将培烧所得的烧结物用水溶浸,得到悬浊液;将上述悬浊液过滤、洗涤、烘干得到硼酸镁晶须。
实施例3:一种制备硼酸镁晶须的工艺:将145.5g氯化镁与3.1g硼酸及209.1g氯化钠、氢氧化钠混合均匀,加入适量水配制成料浆;料浆静置若干时间后,经喷雾干燥制成干粉,再将干粉放入坩埚,送入高温反应炉,并在700°-1200℃的高温下烧结1-50小时后,将培烧所得的烧结物用水溶浸,得到悬浊液;将上述悬浊液过滤、洗涤、烘干得到硼酸镁晶须。
实施例4:一种制备硼酸镁晶须的工艺:将145.5g氯化镁与3.1g硼酸及209.1g氯化钾、氢氧化钠混合均匀,加入适量水配制成料浆;料浆静置若干时间后,经喷雾干燥制成干粉,再将干粉放入坩埚,送入高温反应炉,并在700°-1200℃的高温下烧结1-50小时后,将培烧所得的烧结物用水溶浸,得到悬浊液;将上述悬浊液过滤、洗涤、烘干得到硼酸镁晶须。
硼酸镁晶须产品经X-射线衍射鉴定为纯相,平均直径为0.2-0.5um,平均长度为20-50um,收率为90%。
原料的来源  本发明的主要原料氯化镁来源于盐湖资源。
工艺条件的选择
1、原料的配比:根据硼酸镁生成的化学反应方程式,氯化镁与硼酸的摩尔比为1∶1,在实际生产和实验中,应保持硼酸适当过量,以便使反应完全,过量的硼酸在高温下分解挥发,对产品晶须的质量无影响,但硼酸量过大,在烧结过程中就不能完全挥发而残留在烧结块中,导致产品晶须中杂相增多,影响产品晶须的质量;如果反应中氯化镁过量,则不但影响晶须的形貌,同时会使产品晶须中粉体含量增大。故氯化镁与硼酸的摩尔比一般选在1∶1-1∶1.05。表1为氯化镁与硼酸配比实验对照表:
表1
  序号  原料     摩尔比 晶须显微观察结果 晶须纯度
1  MgCl2·6H2O   45gH3BO3         13.7g     11 生成晶须形貌好,有极少量粉末,基本无非须状单晶、三晶等杂质。 99.51%
2  MgCl2·6H2O   30gH3BO3         9.59g     11.05 生成晶须形貌很好,晶须长度均匀,镜头清晰、无粉末、无碎晶、断晶。 99.55%
3  MgCl2·6H2O   30gH3BO3         10.04g     11.1 生成晶须形貌很好,晶须长度均匀,镜头清晰、无粉末、无碎晶、断晶。 99.54%
  4  MgCl2·6H2O   30gH3BO3         10.94g     11.2 生成晶须形貌一般,无粉末、有极少量非须状单晶、三晶等杂质。 99.45%
  5  MgCl2·6H2O   49.5gH3BO3         13.7g     10.9 生成物中须状晶体含量低,大部分为粉末、镜头浑浊,无碎晶、断晶。 98.65%
2、助熔剂的选择:氯化钠、氯化钾、氢氧化钠均可作为本发明的助熔剂,它们对产品晶须的纯度和化学组成无影响,但晶须的外观形貌有一定差别,所以应根据晶须产品的用途选择助熔剂,以产生不同长径比的晶须产品。表2为助熔剂筛选实验对照表:
表2
  序号   助熔剂 晶须显微观察结果 浸溶状况
  1   KCl 生成晶须形貌好,晶须长度较长。 凉水浸溶时,烧结物不易从坩埚剥离,热水浸溶时,困难程度一般。
  2   NaCl 生成晶须形貌好,较KCl作助熔剂时晶须长度稍短,晶须直径稍粗。 凉水浸溶烧结物不易从坩埚剥离,热水浸溶较KCl作助熔剂容易。
  3   NaClNaOH 生成晶须形貌好,长径比较KCl、NaCl单独作助熔剂时稍大。 凉水浸溶时,烧结物不易从坩埚剥离,热水浸溶时,困难程度一般。
  4   KClNaOH 生成晶须形貌好,长径比较KCl、NaCl单独作助熔剂时稍大。 凉水浸溶时,烧结物不易从坩埚剥离,热水浸溶时,也很困难。
  5   NaOH 几乎全部为粉末,无须状硼酸镁生成。 凉水浸溶容易。
  6   不加助熔剂 显微镜下无须状硼酸镁生成。 凉水浸溶容易。
3、助熔剂配比的选择:助熔剂的配入量高,晶须的长度较大,反之,晶须的长度较短。实验表明,助熔剂的配比量以(氯化镁+硼酸∶助熔剂)1∶1-1∶3.5为最佳。
4、反应温度的选择:经正交实验表明,最佳反应温度在800-950℃;升温速度以10℃/分钟为宜,升温速度过快,易造成炉内喷溅,升温速度过慢,则影响加热炉的生产能力;降温速度在降温初期对晶须形貌有一定影响,当温度将至700℃后,降温速度则无特殊限制,应视坩埚质量,可采取强制降温措施。反应温度对晶须产品的影响的实验见表3:
表3
    序号   反应温度(℃) 晶须显微观察结果
    1   600 无晶须生成,只有不规则大块杂晶存在。
    2   650 无晶须生成,只有不规则大块杂晶存在。
    3   700 有一定量晶须生成,有大量的杂晶存在,还有少量粉体。
    4   750 有大量晶须生成,但有少量杂晶存在。
    5   800 晶须形貌好,须长且完整,无杂晶、断晶,无粉末、镜头清爽。
    6   850 晶须形貌好,须长且完整,无杂晶、断晶,无粉末、镜头清爽。
    7   900 晶须形貌好,须长且完整,无杂晶、断晶,无粉末、镜头清爽。
    8   950 晶须形貌好,须长且完整,无杂晶、断晶,无粉末、镜头清爽。
    9   1000 晶须中有极少量的不规则杂晶存在。
    10   1050 晶须中有少量的不规则杂晶存在。
5、反应时间的确定:表4的实验结果表明,反应时间控制在6-10小时,可生成高质量的晶须产品,反应时间对晶须质量的影响见表4的实验结果:
表4
    序号   反应时间(小时) 晶须显微观察结果
    1   4 晶须短且有一定量的粉体存在。
    2   5 晶须较短,有少量的粉体存在
    3   6 晶须形貌好且较长,无断晶等杂相存在,无粉末。
    4   7 晶须形貌好且较长,无断晶等杂相存在,无粉末。
    5   8 晶须形貌好且较长,无断晶等杂相存在,无粉末。
    6   9 晶须形貌好且较长,无断晶等杂相存在,无粉末。
    7   10 晶须形貌好且较长,无断晶等杂相存在,无粉末。
    8   11 有少量杂相晶体存在。
    9   12 晶须中不规则杂相晶体含量明显升高。
6、设备性能的要求:硼酸镁晶须的制备工艺中最主要的设备有三种:
(1)、喷雾干燥机:必须满足浆料粘度的要求,同时应能满足相应生产规模的蒸发水量要求。
(2)加热炉:应有良好的排气装置,以减少原料在烧结过程中分解挥发的HCl气体对炉内可能造成的腐蚀。
(3)气体吸收装置:回收利用挥发的HCl气体,不仅可减轻环境污染,还可附产盐酸。

Claims (7)

1、一种硼酸镁晶须的制备工艺,包括以下工艺步骤:
①配料工序:将氯化镁、硼酸及助熔剂按一定的摩尔比配料,加入水形成料浆,再将料浆经喷雾干燥制成干料;
②烧结工序:将上述干料在高温下培烧若干小时,形成烧结物;
③溶浸工序:将上述培烧所得的烧结物用水浸泡,得到悬浊液;
④干燥工艺:将上述悬浊液过滤、洗涤、烘干得到硼酸镁晶须。
2、如权利要求1所述的硼酸镁晶须的制备工艺,其特征在于:它还包括回收工序和副产品回收工序:经过滤的母液可回收利用;到一定的时间可回收富集的锂盐。
3、如权利要求1所述的硼酸镁晶须的制备工艺,其特征在于:所述助熔剂为氯化钠、氯化钾中的任何一种或氯化钠、氯化钾分别与氢氧化钠共同作为助熔剂。
4、如权利要求1-3所述的任何一种硼酸镁晶须的制备工艺,其特征在于:所述氯化镁与硼酸的摩尔比为1∶1-1∶10。
5、如权利要求1-3所述的任何一种硼酸镁晶须的制备工艺,其特征在于:所述助熔剂的摩尔配比比为(氯化镁+硼酸∶助熔剂)1∶1-1∶3.5。
6、如权利要求1-3所述的任何一种硼酸镁晶须的制备工艺,其特征在于:所述培烧温度为700-1200℃ 。
7、如权利要求1-3所述的任何一种硼酸镁晶须的制备工艺,其特征在于:所述培烧时间为5-12小时。
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