CN1494057A - 在写入器间隙具有高磁矩材料的写入磁头写入器及相关工艺 - Google Patents

Abstract

在间隙下实现具有整体平面设计和开口高度以及凹口宽度的严密尺寸控制的磁记录头。写入器磁极包括在写入器间隙两侧上的高磁极材料。此外，定型磁极梢来提供用于最佳写入条件的具有良好的空间梯度的高磁场，由此扩展用于高密度和高频率应用中的纵向记录头的能力。

Description

在写入器间隙具有高磁矩材料的写入磁头写入器及相关工艺

相关申请的参照

本申请要求2002年9月11日提交的美国临时申请60/409,917，V.A.法斯科、F.E.斯特奇伯格、王峰、V.S.孔、D.J.达默和M.L.普卢默的“在写入器间隙具有高磁矩材料的写入磁头写入器及相关工艺”的优先权，该申请全文在此引用作为参考。

发明背景

本发明一般涉及在磁介质中存储和检索数据。本发明尤其涉及在写入器磁极梢(tip)的高磁矩材料的放置、一种引入磁极梢高磁矩材料的新型写入器磁头设计以及用于制造该新型写入器磁头的方法。

磁头一般包括两个部分：用于将磁编码的信息存储到诸如磁盘等磁介质的写入器部分，以及用于从磁盘检索磁编码信息的读出器部分。该读出器部分通常由两个屏蔽体组成，在两个屏蔽体之间设有磁阻(MR)传感器。来自磁盘表面的磁通量引起MR传感器的检测层的磁化矢量旋转，进而引起MR传感器的电阻发生变化。这种MR传感器的电阻变化可以通过使电流流过MR传感器并测量MR传感器的电压来探测。随后，外部电路将电压信息转换为适当的格式并根据需要处理该信息。

磁盘或其它磁介质通常被划分成磁道，而磁道进一步被划分为位段。MR传感器保持接近于磁盘的表面，使其可以接受来自磁盘内每个位段的磁通量作用。当MR传感器沿磁盘的磁道行进时，MR传感器探测位段之间的磁通量的方向变化。从一个位段进到另一个位段时磁化矢量的旋转导致相应的阻抗变化，结果从MR传感器输出的电压也发生变化。由于所探测的是从一个位段到另一个位段的变化，并产生数据输出，因此急剧过渡是至关重要的，即，过渡要尽可能的短。换句话说，具有相反的磁化矢量的位段之间畴壁面积要尽可能的小。急剧过渡以及有利于顺利读出的其它特性不是由读出器控制的，而是由写入器以及用于在磁介质内对数据进行编码的方法控制的。

写入器通常由两个在写入磁头的空气轴承(air bearing)表面由写入间隙彼此分开的磁极组成。此外，两个磁极在远离空气轴承表面的区域由后通路(back ria)彼此连接。由两个磁极和后通路产生的磁通路线通常称为磁芯。位于两个磁极之间的是一个或多个由电绝缘层包裹的导电线圈。为了将数据写到磁介质上，产生流过导电线圈的随时间变化的电流，即写入电流。该写入电流在磁极中产生随时间变化的磁场并穿过写入间隙。磁介质以预定的距离通过写入器的空气轴承表面以使介质的磁表面通过间隙场。当写入电流变化时，写入间隙场的密度和方向会改变。

写入器间隙产生的磁边缘场(fringe field)启动并控制写入过程。写入器间隙的截面积是至关重要的，它确定了磁场强度。写入器间隙的截面积由两个参数确定，开口高度(throat height)和凹口宽度(notch width)。开口高度很短则减少间隙面积并有效地增加边缘场。场增大则使写入器得以活化进行高线密度记录所必需的更高矫顽磁性的介质。开口高度的控制对于磁场控制是十分重要的。过短的开口高度会在间隙内产生过量的磁通密度，并产生边缘场的畸变。由于开口高度控制所描述的类似原因，凹口宽度的尺寸控制也很重要。

近年来在数据存储密度方面有了很大的提高。通常，通过增加磁介质的面密度来增加磁数据存储和检索装置的存储容量。面密度是在介质的单位面积上存储的单位数据量。面密度由磁介质的两个部分确定：磁道密度(磁介质的单位宽度上的数据磁道数量)和线密度(数据磁道的单位长度上存储的单位数据量)。为了增加磁介质的面密度，就必须增加磁介质的线密度和/或磁道密度。

面密度的增加通过以下方法实现：增加写入间隙场的强度，降低在空气轴承(air bearing)表面的磁极之间的间隙厚度，降低在空气轴承表面的写入器磁极的宽度以及增加磁介质的矫顽磁性。这些改进要求磁芯材料能传导较高的磁通密度。磁软度(magnetic softness)和明确的各向异性是与容易传导磁通量相关的材料性质。

材料具有磁饱和度，超过它材料就不能传导额外的磁通量。因此，每种材料对能传导的磁通量密度有固有的限制。所以，就需要引入高磁矩(HMM)材料，因为这些材料在达到磁饱和点之前可以传导更多的磁通量。传导相对高的磁通密度的能力在那些邻近间隙的磁芯或磁极的部分是特别需要的。这些部分，通常称为磁极梢(pole tip)，对于进入介质的磁通量的受控的和有效的方向是决定性的。

除了传导高磁通密度的能力，写入器极还需要避免形成涡电流。每次写入间隙场改变方向时，涡电流由磁芯诱发。涡电流抵消来自写入间隙场方向改变的电流，这会对传感头的性能产生负面影响。第一，涡电流起到屏蔽体作用来阻止外场穿过磁芯，由此降低传感头的效率。第二，增加的涡电流增加了倒转通过磁芯的磁通量方向所需的时间，由此对写入器的数据速度产生负面影响。通常，涡电流效应可以通过增加形成磁芯的材料的阻抗来最小化。但是，阻抗越高的材料通常具有更低的饱和磁矩而高磁矩材料普遍具有低阻抗。

由于很难发现具有高磁矩、高导磁率/低矫顽磁性和高阻抗的组合特性的材料，比较多的最新现有技术的写入器使用多种材料来对写入器提供这些特性的组合。现有技术的设计通常关注于改善记录器性能的某一方面，例如，降低涡电流。现有技术中的一种方法是形成两层磁芯。一层由高磁矩的材料形成，而另一层由具有高阻抗的材料形成。但是，使用多层芯必然降低由单个高磁矩材料形成的写入器可能具有的整体磁矩。

第二种现有技术方法是形成两片式磁芯的上磁极：一片高磁矩材料和第二片高阻抗材料。为进行光处理(photo-processing)，从构成与磁轭相分离的磁极梢的需要出发，设计了这种“两片式磁极”(TPP)。此外，磁芯的下(或共享)磁极可以是类似地由两片形成的凹磁极。在上下磁道都由两片形成的情况中，写入器的构造过程将如下进行：沉积平面的第二下磁极片；将平面的第一下磁极片沉积于第二下磁极片的一个部分上；将写入间隙层沉积于第二下磁极片和第一下磁极片的外露的部分上，将平面的第一上磁极片沉积于写入间隙层；定型由第一下磁极片、写入间隙层和第一上磁极片形成的三层叠片以便确定磁极梢区域；沉积绝缘层和线圈；以及，最后，将第二上磁极片沉积于第一上磁极片以及绝缘层和线圈上。必须进行这样的构造过程，因为第一下磁极片和第二下磁极片都需要构造于平表面上以使磁极梢适当定型。因此，现有的TPP结构都需要将第一磁极片叠到第二磁极片上，这除了增加制造过程的成本和复杂性，对于磁通量的输运也是低效率的。

因此，需要一种采用很高磁矩材料与高密度磁数据存储介质一起使用的高效写入器。

发明内容

磁传感头包括具有整体平面设计的磁写入元件，包括基本平面的上磁极，包括在写入器间隙两端的很高磁矩的材料的写入器磁极。很高磁矩的材料还耦合到具有中磁矩至高磁矩的软磁材料。此外，在间隙下通过成型来提供用利于最佳写入条件的空间梯度良好的高磁场，从而实现开口高度和凹口宽度的严格尺寸控制，由此，扩展了纵向记录磁头的在高密度、高频率应用中的能力。

附图概述

图1是现有技术的传感头沿垂直于传感头的空气轴承表面的平面的截面图。

图2是说明图1所示的传感头的多个重要磁元件沿传感头的ABS呈现的分层图。

图3是依照本发明的传感头的截面图，该截面图是沿平行于传感头的空气轴承表面得到的。

图4是依照本发明具有合成芯的传感头的截面图，该截面图是沿垂直于传感头的空气轴承表面得到的。

图5是依照本发明的传感头的透视图。

图6-17是说明形成本发明的传感头的写入器部分的方法的截面图。

图18-19是依照本发明的传感头的写入器部分的截面图，该截面图是沿平行于传感头的空气轴承表面得到的，并示出了上磁极的定义。

具体实施方式

图1是沿垂直于传感头20的空气轴承表面(ABS)的平面得到的现有技术的传感头20的截面图。传感头20的ABS朝向磁盘21的盘表面23。磁盘21以相对传感头20由箭头A表示的方向行进或旋转。在防止传感头20和磁盘21接触的同时，最好使传感头20的ABS和磁盘表面23之间的间距最小。传感头20包括读出器部分22和写入器部分24。图2是说明传感头20的多个重要磁元件沿传感头的ABS呈现的位置的分层图。为了清楚，省去了间距和绝缘层。

传感头20的读出器部分包括下屏蔽体(bottom shield)26、第一间隙层(gaplayer)28、磁阻(MR)读出元件30、第二间隙层33、接触层32和共享磁极(sharedpole)34。在下屏蔽体26和共享磁极34的终端之间的ABS上定义读出间隙。MR读出元件30位于第一间隙层28和第二间隙层33的终端之间。第一和第二间隙层28和33位于下屏蔽体26和共享磁极34之间。下屏蔽体26和共享磁极34可以分层在分开的籽晶层(未显示)上。可选择籽晶层(seed layer)来改善下屏蔽体26和共享磁极34各自的所需磁性质。

传感头20的写入器部分24包括共享磁极34、写入间隙层36、导电线圈38、绝缘层39、上磁极籽晶层40和上磁极42。通过共享磁极34和上磁极42的终端之间的写入间隙层36在ABS处界定写入间隙。导电线圈38位于共享磁极34和上磁极42之间的绝缘层39，从而使通过导电线圈38的电流产生穿过写入间隙的磁场。

传感头20的写入器部分24的性能与上磁极42和共享磁极34的磁性质密切相关，并且也是用于构建上磁极42和共享磁极34的材料和工艺的函数。特别地，现有技术指出上磁极42和共享磁极34都具有软磁性质，诸如用于增加写入器24效率的高磁导率，用于增加写入间隙场的高饱和磁化强度，用于增加写入器24寿命的高耐腐蚀性以及用于使在共享和上磁极34和42的涡电流最小的高阻抗。

在现有技术的传感头中，上磁极42和共享磁极34通常由下列一些材料形成，诸如坡莫合金(Ni₈₁Fe₁₉)，它在10MHz时具有约2500的相对导磁率和约1特斯拉的饱和磁化强度；铝硅铁粉(FeSiAl)，它在10MHz时具有约1000的磁导率和约1.1特斯拉的饱和磁化强度；或Ni₄₅Fe₅₅，它在10MHz时具有约1500的磁导率和约1.6特斯拉的饱和磁化强度。虽然这些材料被证明在现有技术的传感头中是有用的，但近来由于增加数据存储密度的需要，要求写入器中的磁极具有由坡莫合金或铝硅铁粉形成的磁极所能达到的饱和磁化强度。在形成磁极中使用更高的磁矩材料来增加写入器磁极的饱和磁化强度的现有尝试对写入器的其它必要性质产生了负面影响，诸如降低了磁极的磁导率和/或耐腐蚀性，或导致构造传感头所必需的制造过程的不稳定。

图3是依照本发明具有合成磁极和平面构造的传感头100的截面图。图3的截面图是沿垂直于传感头100的空气轴承表面ABS的平面得到的。图4是在空气轴承表而的平面得到的截面图。为了清楚，从图4中省去了全部间距和绝缘层。图5是传感头100的透视图，它包括写入器和读出器部分，其中为了清楚省去了全部间隔和绝缘层。

传感头100的ABS朝向磁盘101的盘表面103。磁盘101以相对传感头100由箭头A表示的方向行进或旋转。在防止传感头100和磁盘101接触的同时，最好使传感头100的ABS和盘表面103之间的间距最小。

图3示出包括读出器部分105和写入器部分113的传感头100的截面。读出器部分105包括下屏蔽体102、第一半间隙104、读出元件106、金属接触层108、第二半间隙110和上屏蔽体112。读出元件106靠近ABS，并位于下屏蔽体102和上屏蔽体112之间。更特别地，读出元件106位于第一半间隙104和金属接触层108的终端之间。金属接触层108位于第一半间隙104和第二半间隙110之间。读出元件106具有两个定义为靠近金属接触108的读出元件106的部分的无源区域。读出元件106的有源区域定义为位于读出元件106的两个无源区域之间的读出元件106部分。读出元件106的有源区域确定读出传感器宽度。

通常，读出元件106是磁阻(MR)传感器。在传感头100的运作中，来自磁盘101的盘表面103的磁通量使得MR传感器106的传感层的磁化矢量旋转，这反过来使MR传感器106的电阻变化。使电流沿金属接触层108通过MR传感器106并测量MR传感器106的电压就可以探测MR传感器106内的电阻变化。随后，外部电路将电压信息转换为合适的格式并根据需要处理该信息。

传感头100的写入器部分113和读出器部分105常常以合并的结构没置，如图3和5所示，其中共享磁极112既作为读出器部分105的上屏蔽体还作为写入器部分113的下磁极。传感头100的写入器和读出器部分还可以以分段控制的(piggyback)结构排列，其中的上屏蔽体和下磁极可以是两个由绝缘层分开的层。可供选择地，可以没有读出器部分而只形成写入器部分。

传感头100的写入器部分113包括下电极115、写入间隙层118、绝缘层119和120、导电线圈112、后通路124和复合上磁极128。下磁极115包括共享磁极112、共享磁极延伸段104和消光层(frosting layer)106。复合上磁极128和下磁极115在传感头100的ABS通过写入间隙层118彼此分开，而在远离ABS的区域通过后通路124和后通路的第二部分117来彼此连接。下磁极115的消光层116、共享磁极延伸段114、共享磁极112，后通路124，第二部分117和复合上磁极128的上磁极籽晶层126和上磁极层130形成磁通量传导的通路，总称为磁芯。导电线圈112通过使用写入间隙层118和绝缘层119和120来保持在复合上磁极128和下磁极115之间。提供导电线圈122来产生穿过写入间隙的磁场。导电线圈122在图3和5中示出的是一层线圈，但如磁读出/写入头设计领域内已知的，还可以是更多层线圈。

为将数据写到诸如磁盘101的磁媒介，要产生随时间变化的电流即写入电流流过导电线圈122。写入电流引起在芯内传导并聚焦于写入间隙的磁通量。磁场跨接形成写入间隙场的写入间隙。磁盘以预定的距离通过磁记录头100的ABS以使磁盘101的磁表面103通过间隙场。当写入电流变化时，写入间隙场的强度和方向也发生改变。

磁极材料的磁软度和明确的各向异性是有利于改善写入器性能的重要特性。这些特性与在高面密度写入头中采用具有很高的磁矩的材料的需要相冲突。磁矩很高的材料通常是具有低磁导率和高矫顽磁性的坚硬铁磁材料。但是，当复合结构由很高磁矩的材料和其它磁材料组合形成时，很高磁矩材料的矫顽磁性和磁导率取决于耦合系统的特性。

在本发明中，消光层116和上磁极籽晶层126都由具有很高磁矩的材料形成。这种很高磁矩的材料(下文称为VHMM材料)应该具有2.4T或更大的饱和磁矩。这些材料还具有高矫顽磁性和低磁导率的特性，这些特性在以前被认为对于写入器磁矩结构而言是不良磁特性。选择用于上磁极籽晶层的VHMM材料可以是选择用于消光层116的相同材料或不同材料。合适的材料包括FeCo合金。合适的FeCo合金中的Co的原子百分比约在30至50的范围内，较佳地，在37至50的范围内，而约为40是最佳的。Fe₆₀Co₄₀具有约为2.45特斯拉(T)的很高的饱和磁矩。通过采用具有更低的饱和磁矩的软磁膜来耦合VHMM材料，例如1.8T的CoNiFe，则矫顽磁性可以从50-80奥斯特下降至1-3奥斯特。VHMM层的初始磁导率受到类似影响，作为单层，从10-100大体增至约1400-1600。

消光层116的VHMM材料和用于形成共享磁极延伸段114的材料耦合。通常，共享磁极延伸段114和后通路124由具有相对VHMM材料更低的饱和磁矩的磁材料形成(下文中称为第二磁材料)。该第二磁材料相比通常具有1.6-2.2T范围内的值的磁材料将具有中到高的饱和磁矩。第二材料通常还具有比VHMM材料更高的阻抗、更高的磁导率和更低的矫顽磁性。Ni₇₈Fe₂₂、Ni₄₅Fe₅₅和Co₆₅Ni₂₀Fe₁₅是用于共享磁极延伸段和后通路的合适材料的实例。

上磁极籽晶层126也同样和用于形成上磁极层130的材料耦合。类似地，共享磁极112和共享磁极延伸段114以及后通路124耦合。上磁极层130和共享磁极112都由一层软磁材料或由非磁材料层分开的几层软磁材料构成。上磁极层130可以由与共享磁极112同样的或不同的材料和/或层结构构成。上磁极层130的饱和磁矩和共享磁极112的饱和磁矩相对低于上磁极籽晶层126和消光层116的饱和磁矩。适用于共享磁极112和上磁极130的实例材料为坡莫合金(Ni₇₈Fe₂₂和其它类似的组分)。

本发明的写入器部分113可以用几个常规的工艺步骤来构建。图6-17是垂直于ABS得到的截面图，它说明形成传感头100的写入器部分113的方法。图18-19是从ABS得到的截面图，它进一步说明了形成的方法。该方法更加以下步骤来描述：

图6示出部分形成的写入器部分113。图6示出的平面化结构包括共享磁极112、共享磁极延伸段114、后通路124、写入器线圈122和写入器线圈绝缘体119。图6的结构可以用已知的掩膜和电镀方法构成。使用任选的化学机械抛光的绝缘体119的后续的沉积来产生图6中示出的平面构造。导电线圈通常由电导体但是非磁材料，诸如铜或金，构成。绝缘体119必须是不导电的以便防止线圈短路。

用于消光层116的VHMM材料沉积于图6的平面构造上来产生图7中示出的结构。接下来，进行剥离成图(liftoff patterning)。该过程的实例是将双层光阻材料132，例如PMGI-Novolac沉积到VHMM层116上，接着进行曝光和冲洗来实现图8中示出的图形。应用减法过程(subtractive process)，例如离子铣削，来除去部分VHMM层，并由此露出电线圈122周围的绝缘体119。通过减法过程的操作，VHMM层变成两个分开的区域，靠近ABS的消光层116和与后通路124一起工作的第二部分117。在消光层116的形成期间，图8和9中显示的剥离成图通过方位控制来控制写入器部分113的开口高度，h。

如图10所示，绝缘材料的另一层120涂敷在剩余的光阻材料和露出的绝缘体119上。绝缘体120可以是和用于绝缘体119的材料不同的材料或同一材料。绝缘层120的厚度应该等于消光层116的厚度。

在图11中，示出在抗蚀层132和沉积于抗蚀层132上的绝缘体层120一起除去后的部分形成的写入器部分113。光阻材料132和部分绝缘体层120的除去产生了平面构造。在图12中示出的以下步骤中，相当于写入器间隙层118的绝缘体层贯穿结构沉积。该层材料可以是导电的但应该是无磁性的。合适的实例包括氧化铝和铜。

图13中，写入器间隙层118通过减法过程形成图形，该步骤中抗蚀层121的保护层用于贯穿结构，并随后曝光和显影来利用蚀刻或研磨在除去光阻材料之前除去后通路124上的部分写入器间隙层118。进行减法过程，由此除去多余的材料。图14中示出最终结构，其中露出后通路124的区域上的VHMM。随后，除去抗蚀层材料121，剩余的结构如图15所示。

接着，在整体结构上沉积上磁极籽晶层126的VHMM材料，以形成如图16所示的最终结构。上磁极籽晶层126与先前沉积于后通路124上的VHMM材料相接触，由此连通磁芯。上磁极籽晶层126基本上是平面的，有助于精确地掩膜上磁极层130的沉积。光刻工艺用于产生确定凹口宽度的掩膜。上磁极层130随后通过在掩膜上的开孔(opening)电镀，接着除去抗蚀层，形成如图17所示的结构。

图17的相同结构如图18中的ABS被示出。随后，凹口研磨到上磁极籽晶层126、写入间隙层118和消光层116。希望研磨终止于消光层116内，产生图19的结构。上磁极层130的平面有助于图19所示的写入器的凹口宽度w的精确研磨。

传感头100的复合芯写入器给出相对现有技术的写入器在写入器效率上重大的改进。写入器部分113的基本平面的设计易于通过当前技术来制造。此外，复合上磁极128的平面形状允许降低芯的高度和长度，由此由于缩短了磁通路径而提高了写入器的效率。复合上磁极128的呈平面的另一个优点是对ABS上的磁极梢的凹口宽度的更好的控制，由此允许写到磁介质的数据的磁道宽度的更好的控制。

本设计的另一个优点是将开口高度的尺寸控制从复合上磁极128和共享磁极延伸段114的尺寸控制分开。位于共享磁极延伸段上的写入器间隙下的消光层116的尺寸和形状确定磁开口高度。当消光层116以式薄膜片的形式沉积，随后，剥离成图用于确定开口高度，接着通过非磁材料沉积使开口高度边界均夷(planarization)。开口高度短则降低间隙面积并有效地增加允许写入器活化用于高线密度记录的更高矫顽磁性的介质的边缘场。但是，开口高度的控制对磁场控制是很重要的，因为过短的开口高度会引起在间隙的过量的磁通密度并产生边缘场畸变。

此外，共享电极112及共享电极延伸段114与消光层116分开来界定使各部分分别具有不同的截面积(体积)。饱和磁矩越低的磁材料需要的材料体积(截面积)越大来传导和较小体积且具有更高磁矩材料的磁通量相同的磁通量。因此，下磁极结构分开来界定就可以通过独立地结合有关结构中材料的磁通密度容量来控制每个结构的截面积(体积)从而有效地把磁通量引导到消光层116。这样避免了过量磁通密度泄漏以及其它在磁通量传输中的低效问题。

总之，本发明的传感头采取了在复合磁芯内的写入器间隙两侧使用VHMM材料，该复合磁芯由高磁矩材料和一个或多个磁矩较低的材料构成，实现比单独使用VHMM材料所能得到的更高的磁饱和度。本发明的结构和VHMM材料的使用增加了传感头的写入间隙场强度，该传感头具有用于使用最小的交叉磁道曲率和明显的介质过渡的高场梯度。这导致在高矫顽磁性介质上的重写(OVW)增加、探测的信号的脉冲宽度变窄。因此，本发明的传感头相比现有技术的传感头将具有增加的潜在面密度和改善的潜在频率响应。

虽然已参考较佳的实施例描述了本发明，但本技术领域内的熟练的技术人员将意识到，可以进行形式和细节上的变化而不背离本发明的精神和范围的。

Claims (17)

1.一种具有磁开口高度的磁写入元件，其特征在于，所述元件包含：下磁极，它包括：

    由第一材料形成的下磁极层，

    由第二材料形成的下磁极层延伸段，

    在下磁极延伸段上由第三材料形成的第一高磁矩层，其中，第一高磁矩层具有确定磁开口高度的外形；

复合上磁极，它包括：

    由第四材料形成的第一磁层，

    由第五材料形成的第二高磁矩层，其中，第二高磁矩层和第一高磁矩层一起确定写入间隙。

2.如权利要求1所述的磁写入元件，其特征在于，导电线圈位于下磁极和复合上磁极之间。

3.如权利要求1所述的磁写入元件，其特征在于，后间隙闭合连接下磁极和复合上磁极。

4.如权利要求1所述的磁写入元件，其特征在于，第三材料和第五材料具有大于或等于2.4T的饱和磁矩。

5.如权利要求1所述的磁写入元件，其特征在于，第二材料具有在约1.6至约2.2之间的饱和磁矩。

6.如权利要求1所述的磁写入元件，其特征在于，第一材料和第四材料是软磁材料。

7.如权利要求1所述的磁写入元件，其特征在于，复合上磁极基本是平面的。

8.一种具有空气轴承表面的磁传感头，其特征在于，包含：

下屏蔽体；

共享磁极；

读出元件，它位于下屏蔽体和共享磁极之间；

共享磁极延伸段，它位于邻近空气轴承表面的共享磁极上；

消光层，它位于共享磁极延伸段上；

基本上平面的复合上磁极，它由上磁极籽晶层和上磁极层构成，其中，上磁极籽晶层在空气轴承表面通过写入间隙和消光层分开；

后通路，它连接空气轴承表面对面的复合上磁极和共享磁极；以及

导电线圈，它使导电线圈的至少一部分位于共享磁极和上磁极之间。

9.如权利要求8所述的磁传感头，其特征在于，消光层由高磁矩材料构成，上磁极籽晶层由高磁矩材料构成，共享磁极延伸段和后通路由具有第二磁矩的材料构成，以及共享磁极由软磁材料构成和上磁极层由软磁材料构成。

10.如权利要求8所述的磁传感头，其特征在于，消光层和上磁极籽晶层都由具有2.4T或更高的饱和磁矩的高磁矩材料构成。

11.如权利要求8所述的磁传感头，其特征在于，共享磁极延伸段和后通路由具有约1.6T至约2.2T的饱和磁矩的软磁材料构成。

12.一种具有空气轴承表面的磁头，其特征在于，它包含：

非磁写入间隙层；以及

一对磁极，由写入间隙层于邻近空气轴承表面处分开，其中每个磁极具有邻近写入间隙层的高磁矩材料层。

13.如权利要求12所述的磁头，其特征在于，所述高磁矩材料具有等于或大于2.4T的饱和磁矩。

14.如权利要求12所述的磁头，其特征在于，所述高磁矩材料是CoFe合金。

15.如权利要求14所述的磁头，其特征在于，所述CoFe合金包含在约30％至50％之间的Co。

16.如权利要求14所述的磁头，其特征在于，所述高磁矩材料与第二磁材料相耦合，所述第二磁材料相比高磁矩材料具有更低的矫顽磁性和更低的磁矩的特性。

17.如权利要求16所述的磁头，其特征在于，第二磁材料具有在约从1.6T至约2.2T范围内的饱和磁矩，且矫顽磁性少于100奥斯特，以及在10MHz超过1000的导磁率，和明确的各向异性。

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