JPH03157801A - 磁気記録再生方法 - Google Patents

磁気記録再生方法

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JPH03157801A
JPH03157801A JP1298390A JP29839089A JPH03157801A JP H03157801 A JPH03157801 A JP H03157801A JP 1298390 A JP1298390 A JP 1298390A JP 29839089 A JP29839089 A JP 29839089A JP H03157801 A JPH03157801 A JP H03157801A
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magnetic
layer
magnetic head
recording
resins
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JP1298390A
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Kenji Yokoyama
横山　研二
Akinori Nishizawa
明憲 西沢
Junichi Sato
純一 佐藤
Keiji Koga
啓治 古賀
Yasumichi Tokuoka
保導 徳岡
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TDK Corp
Original Assignee
TDK Corp
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    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
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    • G11B5/1877—"Composite" pole pieces, i.e. poles composed in some parts of magnetic particles and in some other parts of magnetic metal layers including at least one magnetic thin film
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    • G—PHYSICS
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    • G11B5/82—Disk carriers

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本発明は、浮上型磁気ヘッドによりハードタイプの磁気
ディスクに記録再生を行なう方法に関する。
〈従来の技術〉 計算機等に用いられる磁気ディスク駆動装置には、剛性
基板上に磁性層を設層したハードタイプの磁気ディスク
が用いられている。　ハードタイプの磁気ディスクに記
録再生を行なう磁気ヘッドとしては、各種浮上型磁気ヘ
ッドが用いられている。
従来、ハードタイプの磁気ディスクは、磁性粉とバイン
ダとを含有する磁性塗料を塗布して形成される塗布型磁
性層を有する塗布型磁気ディスクが一般的であった。
塗布型磁気ディスク用の磁性粉としては、信頼性が高い
ことからγ−ｐ８２０ｓ系磁性粉末が多く用いられてい
る。
また、このような塗布型磁気ディスクに組み合わされる
浮上型磁気ヘッドとしては、モノリシックタイプやコン
ポジットタイプのフェライト型磁気ヘッドや浮上型磁気
ヘッドが用いられている。
しかし、γ−Ｆｅ２ｅｓ系磁性粉末は保磁性粉末００〜
８００Ｏｅ程度と低いため、高性能な薄膜型浮上型磁気
ヘッドと組み合わせても、記録密度を顕著に向上させる
ことは困難であった。
そこで、電磁変換特性に優れ高密度記録が可能であるこ
とから、スパッタ法やめっき法等により設層される連続
薄膜型の磁性層を有する薄膜型磁気ディスクが用いられ
るようになっている。
薄膜型磁気ディスクとしては、Ａｊ２系のディスク状金
属板にＮ１−Ｐ下地層をめっきにより設層するか、ある
いはこの金属板表面を酸化してアルマイトを形成したも
のを基板とし、この基板上にＣｒ層、Ｃｏ−Ｎｉ等の金
属磁性層、さらにＣ等の保護潤滑膜をスパッタ法により
順次設層して構成されるものが一般的である。
〈発明が解決しようとする課題〉 薄膜型磁気ディスクは電磁変換特性に優れ、高密度記録
が可能であるが、磁性層の表面エネルギーが高く、硬度
が低（、かつ潤滑層の形成が困難なため耐久性が低く、
Ｃ３Ｓ　（コンタクト・スタート・ストップ）の繰り返
しにより磁性層に傷が発生し易い。
また、ディスクと磁気ヘッドとの間の摩擦が大きいため
吸着が生じ易く、信頼性が十分ではない。
そして、これらの問題は、浮上型磁気ヘッドの浮上量（
Ｍｉ気ディスク表面と浮上型磁気ヘッド浮揚面との距離
）が小さくなるほど顕著となる。
さらに、薄膜型磁気ディスクは、磁性層構成材料が一般
に高価であり、しかも磁性層形成に真空槽などの高価な
装置を必要とするため、安価に製造することが困難であ
る。　例えば、Ｃｏ−Ｎｉ薄膜型磁気ディスクの材料お
よび設備に要する費用は塗布型磁気ディスクと比較して
２〜１０倍程度以上と高価である。　また、薄膜型磁気
ディスクは多層膜構造であるために、成膜工程が複雑で
かつ時間がかかるため、生産性および量産性が低く、こ
のためさらにコストが高くなる。
例えば、スパッタ法による薄膜型磁性層の形成は、スピ
ンコード法による塗布型磁性層の形成のｉｏ倍程度以上
の時間を要する。
本発明は、このような事情からなされたものであり、生
産性が高（低コストで得られる磁気ディスクを用いて、
高密度記録および高信頼性を実現する磁気記録再生方法
を提供することを目的とする。
く課題を解決するための手段〉 このような目的は、下記（１）〜（３）の本発明により
達成される。
（１）剛性基板上に強磁性金属微粒子を含有する磁性塗
料を塗布して形成される磁性層を有する磁気ディスクに
対し、浮上型磁気ヘッドにより磁気記録再生を行なう方
法であって、前記磁性層が、保磁力１１００Ｏｅ以上で
、かつ厚さ０．５−以下であり、 前記浮上型磁気ヘッドの少なくともギャップ部付近が飽
和磁束密度０．７７以上の軟磁性材料で形成されている
ことを特徴とする磁気記録再生方法。
（２）前記浮上型磁気ヘッドの浮上量が０．２戸以下で
ある上記（１）に記載の磁気記録再生方法。
（３）前記浮上型磁気ヘッドが、メタル・イン・ギャッ
プ型の磁気ヘッドまたは薄膜型の磁気ヘッドである上記
（１）または（２）に記載の磁気記録再生方法。
〈作用〉 本発明に用いられる磁気ディスクは、塗布型磁性層を有
するため、低コストかつ生産性が高（、また、Ｃ８Ｓ耐
久性が高く、さらに浮上型磁気ヘッドとの吸着が生じる
ことがない。
そして、本発明では、このような塗布型磁性層の保磁力
および厚さを上記範囲とし、上記構成の浮上型磁気ヘッ
ドを上記範囲の浮上量にて用いるので、高密度記録が可
能となり、また、良好なオーバーライド特性が得られる
。
なお、オーバーライド特性とは、重ね記録を行なったと
きの前信号の消え残りの程度で評価され、例えば、ＩＦ
倍信号１．６５Ｍｆ（ｚ）に２Ｆ信号（３，３ＭＨｚ）
を重ね書きしたときのＩＦ倍信号減衰量である。
く具体的構成〉 以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
第１図に、本発明に用いる磁気ディスクの好適例を示す
。
第１図において、磁気ディスク１０１は、剛性基板１０
２上に塗布型の磁性層１０３を有する。
本発明には、剛性基板１０２の片面だけに磁性層１０３
を有する片面記録型の磁気ディスクおよび剛性基板１０
２の両面に磁性層１０３を有する両面記録型の磁気ディ
スクのいずれを用いてもよい。
本発明に使用されるディスク状の剛性基板１０２は、例
えば、アルミニウム、アルミニウム合金等の金属、ガラ
ス、セラミックス、エンジニアリングプラスチックス等
の各種非磁性材料により構成すればよい。　これらの中
では、機械的剛性、加工性等が良好なアルミニウム、ア
ルミニウム合金等を用いることが好ましい。
剛性基板の寸法は目的に応じて選定すればよいが、通常
、厚さ０．８〜１．９ｍｍ程度、直径６０〜１３０ｍ１
１１程度である。
磁性層１０３は、強磁性金属微粒子を含有する磁性塗料
を塗布して形成される。
本発明では、この磁性層１０３の保磁力を１１００Ｏｅ
以上とする。　保磁力がこの値未満であると十分な電磁
変換特性が得られず高密度記録が困難となる他、高い再
生出力が得られない。
磁性層の保磁力は、組み合わせる磁気ヘッドの性能を考
慮し、十分なオーバーライド特性が得られる範囲とすれ
ばよいので、その上限は特にないが、通常、２０００Ｏ
ｅ以下とすることが好ましい。
なお、磁性層の保磁力の好ましい範囲は、１２００〜１
５００Ｏｅである。
本発明において、磁性層の厚さは０．５ｐ以下とする。
　磁性層の厚さがこの範囲を超えると、十分なオーバー
ライド特性が得られなくなる。　また、特に短波長記録
において飽和記録が困難となり厚み損失が増大するため
、高密度記録が困難となる。
磁性層の厚さの下限は特にないが、十分な再生出力およ
びＳ／Ｎ比を確保するためには０．０５μ以上とするこ
とが好ましい。
なお、磁性層厚さの好ましい範囲は、 ０．０８〜０．３−である。
磁性層に用いる強磁性金属微粒子は、上記のような磁気
特性が得られるように選択されればよく、特に制限はな
い。
例えば、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉの単体、これらの合金、また
はこれらの単体および合金に、Ｃｒ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｎｉ
、さらにはＺｎ。
Ｃｕ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ａｇ、Ｐｔ等を添加し
た強磁性金属微粒子が使用できる。
また、これらの金属にＢ、Ｃ，Ｓｉ、Ｐ、Ｎなどの非金
属元素を少量添加したものであってもよく、Ｆ　ｅ　４
Ｎ等、一部室化されたものであってもよい。
さらに、強磁性金属微粒子は、耐食性、耐候性の向上の
ために、表面に酸化物の被膜を有するものであってもよ
い。　このような酸化物としては、強磁性金属微粒子を
構成する金属の酸化物、Ａβ、０３等の各種セラミック
スが好ましい。
強磁性金属微粒子の形状に特に制限はないが、形状磁気
異方性を利用できることから針状形態のものを用いるこ
とが好ましい。
また、強磁性金属微粒子の寸法は目的とする磁性層の構
成に応じて選定すればよいが、通常、長径０．１５〜０
．３０戸程度、針状比６〜１０程度のものを用いること
が好ましい。
強磁性金属微粒子は、α−ＦｅＯＯＨ （ＧｏｅｔＭｔｅ）を還元する方法など、公知の各種方
法により製造すればよ（、また、市販のものを用いても
よい。
磁性層形成に用いる磁性塗料は、上記した強磁性金属微
粒子とバインダと溶剤とを混練して調製される。
用いるバインダに特に制限はな（、熱硬化性樹脂、反応
型樹脂、放射線硬化性樹脂等から目的に応じて選択すれ
ばよいが、薄層で十分な膜強度を確保し、高い耐久性を
得る必要があることから熱硬化性樹脂あるいは放射線硬
化性樹脂を用いることが好ましい。
熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノール樹脂、エポ
キシ樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、ブチラ
ール樹脂、ホルマール樹脂、メラミン樹脂、アルキッド
樹脂、シリコン樹脂、アクリル系反応樹脂、ポリアミド
樹脂、エポキシ−ポリアミド樹脂、飽和ポリエステル樹
脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂などの縮重合系の樹脂あ
るいは高分子量ポリエステル樹脂とイソシアネートプレ
ポリマーの混合物、メタクリル酸塩共重合体とジイソシ
アネートプレポリマーの混合物、ポリエステルポリオー
ルとポリイソシアネートの混合物、低分子量グリコ−１ ル／高分子量ジオール／トリフェニルメタントリイソシ
アネートの混合物など、上記の縮重合系樹脂とイソシア
ネート化合物などの架橋剤との混合物、塩化ビニル−酢
酸ビニル、塩化ビニル−ビニルアルコール−酢酸ビニル
、塩化ビニル−塩化ビニリデン、塩化ビニル−アクリロ
ニトリル、ビニルブチラール、ビニルホルマール等のビ
ニル共重合系樹脂と架橋剤との混合物、ニトロセルロー
ス、セルロースアセトブチレート等の繊維素系樹脂と架
橋剤との混合物、ブタジェン−アクリロニトリル等の合
成ゴム系と架橋剤との混合物、さらにはこれらの混合物
が好適である。
そして、特に、エポキシ樹脂とブチラール樹脂とフェノ
ール樹脂との混合物、米国特許第３．０５８，８４４号
に記載のエポキシ樹脂とポリビニルメチルエーテルとメ
チロールフェノールエーテルとの混合物、また特開昭４
９−１３１１０１号に記載のビスフェノールＡ型エポキ
シ樹脂とアクリル酸エステルまたはメ２ タクリル酸エステル重合体との混合物が好ましい。
放射線硬化性化合物の具体例としては、ラジカル重合性
を有する不飽和二重結合を示すアクリル酸、メタクリル
酸、あるいはそれらのエステル化合物のようなアクリル
系二重結合、ジアリルフタレートのようなアリル系二重
結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和結合等
の放射線照射による架橋あるいは重合する基を熱可塑性
樹脂の分子中に含有または導入した樹脂である。　その
他放射線照射により架橋重合する不飽和二重結合を有す
る化合物であれば用いることができる。
放射線照射による架橋あるいは重合乾燥する基を熱可塑
性樹脂の分子中に含有する樹脂としては次の様な不飽和
ポリエステル樹脂がある。
分子鎖中に放射線硬化性不飽和二重結合を含有するポリ
エステル化合物、例えば下記（２）の多塩基酸と多価ア
ルコールのエステル結合から成る飽和ポリエステル樹脂
で多塩基酸の一部をマレイン酸とした放射線硬化性不飽
和二重結合を含有する不飽和ポリエステル樹脂を挙げる
ことができる。　放射線硬化性不飽和ポリエステル樹脂
は多塩基酸成分１種以上と多価アルコール成分１種以上
にマレイン酸、フマル酸等を加え常法、すなわち触媒の
存在下で、１８０〜２００℃、窒素雰囲気下、脱水ある
いは脱アルコール反応の後、２４０〜２８０℃まで昇温
し、０．５〜ｂ 応により得ることができる。　マレイン酸やフマル酸等
の含有量は、製造時の架橋、放射線硬化性等から酸成分
中１〜４０モル％、好ましくは１０〜３０モル％である
。
放射線硬化性樹脂に変性できる熱可塑性樹脂の例として
は、次のようなものを挙げることができる。
（１）塩化ビニール系共重合体 塩化ビニール−酢酸ビニール−ビニールアルコール共重
合体、塩化ビニール−ビニールアルコール共重合体、塩
化ビニール−ビニールアルコール−プロピオン酸ビニー
ル共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニール−マレイン酸
共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニール−ビニルアルコ
ール−マレイン酸共重合体、塩化ビニール−酢酸ビニー
ル−末端ＯＨ側鎖アルキル基共重合体、例えばＵＣＣ社
製ＶＲＯＨ，ＶＹＮＣｌＶＹＥＧＸ、ＶＥＲＲ，ＶＹＥ
Ｓ、ＶＭＣＡ、ＶＡＧＨ等が挙げられ、このものにアク
リル系二重結合、マレイン酸系二重結合、アリル系二重
結合を導入して放射線感応変性を行う。
（２）飽和ポリエステル樹脂 フタル酸、イソフタル酸、テレフタル酸、コハク酸、ア
ジピン酸、セバシン酸のような飽和多塩基酸と、エチレ
ングリコール、ジエチレングリコール、グリセリン、ト
リメチロールプロパン、１，２プロピレングリコール、
１．３ブタンジオール、ジプロピレングリコール、ｌ。
４ブタンジオール、１．６ヘキサンジオール、ペンタエ
リスリット、ソルビトール、グリセリ５ ン、ネオペンチルグリコール、１．４シクロヘキサンジ
メタツールのような多価アルコールとのエステル結合に
より得られる飽和ポリエステル樹脂またはこれらのポリ
エステル樹脂をＳＯ３Ｎａ等で変性した樹脂（例えばバ
イロン５３Ｓ）が例として挙げられ、これらも放射線感
応変性を行う。
（３）ポリビニルアルコール系樹脂 ポリビニルアルコール、ブチラール樹脂、アセタール樹
脂、ホルマール樹脂およびこれらの成分の共重合体で、
これら樹脂中に含まれる水酸基に対し放射線感応変性を
行う。
（４）エポキシ系樹脂、フェノキシ系樹脂ビスフェノー
ルＡとエピクロルヒドリン、メチルエピクロルヒドリン
の反応によるエポキシ樹脂、例えばシェル化学製（エピ
コート１５２゜１５４　、８２８　、１００１．１００
４．１００７）　、ダウケミカル製（Ｄ　Ｅ　Ｎ　４３
１％ＤＥＲ７３２、ＤＥＲ５１１。
ＤＥＲ３３１）、大日本インキ製（エビクロン４００　
、８００）、さらに上記エポキシの高重合度樹　６ 脂であるＵＣＣ社製フェノキシ樹脂（ＰＫＨＡ％　ＰＫ
ＨＣ，ＰＫＨＨ）、臭素化ビスフェノールＡとエピクロ
ルヒドリンとの共重合体、大日本インキ化学工業製（エ
ビクロン１４５．１５２　、１５３　、１１２０１等が
あり、またこれらにカルボン酸基を含有するものも含ま
れる。　これら樹脂中に含まれるエポキシ基を利用して
放射線感応変性を行う。
（５）繊維素誘導体 各種のものが用いられるが、特に効果的なものは硝化綿
、セルローズアセトブチレート、エチルセルローズ、ブ
チルセルローズ、アセチルセルローズ等が好適である樹
脂中の水酸基を活用して放射線感応変性を行う。
その他、放射線感応変性に用いることのできる樹脂とし
ては、多官能ポリエステル樹脂、ポリエーテルエステル
樹脂、ポリビニルピロリドン樹脂および誘導体（ｐｖｐ
オレフィン共重合体）、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹
脂、フェノール樹脂、スピロアセクール樹脂、水酸基を
含有するアクリルエステルおよびメタクリルエステルを
重合成分として少なくとも一種含むアクリル系樹脂等も
有効である。
以下にエラストマーもしくはプレポリマーの例を挙げる
。
（１）ポリウレタンエラストマーもしくはプレポリマー ポリウレタンの使用は耐摩耗性、および基体フィルム、
例えばＰＥＴフィルムへの接着性が良い点で特に有効で
ある。　ウレタン化合物の例としては、イソシアネート
として、２．４トルエンジイソシアネート、２．６−ト
ルエンジイソシアネート、１．３−キシレンジイソシア
ネート、１．４−キシレンジイソシアネート、１．５−
ナフタレンジイソシアネート、ｍ−フェニレンジイソシ
アネート、ｐ−フェニレンジイソシアネート、３．３′
−ジメチル＝４．４′−ジフェニルメタンジイソシアネ
ート、４．４′−ジフェニルメタンジイソシアネート、
３．３′−ジメチルビフェニレンジイソシアネート、４
．４′−ビフェニレンジイソシアネート、ヘキサメチレ
ンジイソシアネート、インフォロンジイソシアネート、
ジシクロヘキシルメタンジイソシアネート、デスモジュ
ールし、デスモジュールＮ等の各種多価イソシアネート
と、線状飽和ポリエステル（エチレングリコール、ジエ
チレングリコール、グリセリン、トリメチロールプロパ
ン、１．４−ブタンジオール、１．６−ヘキサンジオー
ル、ペンタエリスリット、ソルビトール、ネオペンチル
グリコール、１．４−シクロヘキサンジメタツールの様
な多価アルコールと、フタル酸、イソフタル酸、テレフ
タル酸、コハク酸、アジピン酸、セバシン酸の様な飽和
多塩基酸との縮重合によるもの）、線状飽和ポリエーテ
ル（ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコー
ル、ポリテトラメチレングリコール）やカプロラクタム
、ヒドロキシル含有アクリル酸エステル、ヒドロキシル
含有メタクリル酸エステル等の各種ポリエステル類の縮
重合物により成るボ　９ リウレタンエラストマー、プレポリマーが有効である。
これらのウレタンエラストマーの末端のイソシアネート
基または水酸基と、アクリル系二重結合またはアリル系
二重結合等を有する単量体とを反応させることにより、
放射線感応性に変性することは非常に効果的である。　
また、末端に極性基としてＯＨ，Ｃ０ＯＨ等を含有する
ものも含む。
さらに、不飽和二重結合を有する長鎖脂肪酸のモノある
いはジグリセリド等、イソシアネート基と反応する活性
水素を持ち、かつ放射線硬化性を有する不飽和二重結合
を有する単量体も含まれる。
（２）アクリロニトリル−ブタジェン共重合エラストマ
ー シンクレアペトロケミカル社製ポリＢＤリタイッドレシ
ンとして市販されている末端水酸基のあるアクリロニト
リルブタジェン共重合体プレポリマーあるいは日本ゼオ
ン社製ハイカー　０ １４３２Ｊ等のエラストマーは、特にブタジェン中の二
重結合が放射線によりラジカルを生じ架橋および重合さ
せるエラストマー成分として適する。
（３）ポリブタジエンエラストマー シンクレアベトロケミカル社製ポリＢＤリタイッドレジ
ンＲ−１５等の低分子量末端水酸基を有するプレポリマ
ーが特に熱可塑性樹脂との相溶性の点で好適である。　
Ｒ−１５プレポリマーにおいては分子末端が水酸基とな
っている為、分子末端にアクリル系不飽和二重結合を付
加することにより放射線感応性を高めることが可能であ
り、バインダーとしてさらに有利となる。
またポリブタジェンの環化物、日本合成ゴム製ＣＢＲ−
Ｍ９０１も熱可塑性樹脂との組合せによりすぐれた性質
を有している。
その他、熱可塑性エラストマーおよびそのプレポリマー
の系で好適なものとしては、スチレン−ブタジェンゴム
、塩化ゴム、アクリルゴム、インブレンゴムおよびその
環化物（日本合成ゴム製ＣｌＲ７０１）があり、エポキ
シ変性ゴム、内部可塑化飽和線状ポリエステル（東洋紡
バイロン＃３００）等のエラストマーも放射線感応変性
処理を施すことにより有効に利用できる。
オリゴマー、モノマーとして本発明で用いられる放射線
硬化性不飽和二重結合を有する化合物としては、スチレ
ン、エチルアクリレート、エチレングリコールジアクリ
レート、エチレングリコールジメタクリレート、ジエチ
レングリコールジアクリレート、ジエチレングリコール
ジメタクリレート、１．６−ヘキサングリコールジアク
リレート、１，６−ヘキサングリコールジアクリレート
、Ｎ−ビニルピロリドン、ペンタエリスリトールテトラ
アクリレート（メタクリレート）、ペンタエリスリトー
ルトリアクリレート（メタクリレート）、トリメチロー
ルプロパントリアクリレート、トリメチロールプロパン
トリメタクリレート、多官能オリゴエステルアクリレー
トげロニックスＭ−７１００、Ｍ−５４００，５５００
，５７００等、東亜合成）、ウレタンエラストマーにッ
ポンラン４０４０）のアクリル変性体、あるいはこれら
のものにＣ０ＯＨ等の官能基が導入されたもの、トリメ
チロールプロパンジアクリレート（メタクリレート）フ
ェノールエチレノキシド付加物のアクリレート（メタク
リレート）、下記一般式で示されるペンタエリスリトー
ル縮合環にアクリル基（メタクリル基）またはεカプロ
ラクトン−アクリル基のついた化合物、 ３ 式中、ｍ＝１、ａ＝２、ｂ＝４の化合物（以下、特殊ペ
ンタエリスリトール縮合物Ａという）、 ｍ＝１、ａ＝３、ｂ＝３の化合物（以下、特殊ペンタエ
リスリトール縮合物Ｂという）、ｍ＝ｌ、ａ＝６、ｂ＝
ｏの化合物（以下、特殊ペンタエリスリトール縮合物Ｃ
という）、ｍ＝２、ａ−６、ｂ＝ｏの化合物（以下、特
殊ペンタエリスリトール縮合物りという）、および下記
式一般式で示される特殊アクリレート類等が挙げられる
。
　４ １） ２） ３） （ＣＨ２＝ＣＨＣ０ＯＨ２）３−ＣＣＨ２０Ｈ（特殊ア
クリレートＡ） （ＣＨ２＝ＣＨＣ０ＯＨ２）３−ＣＣ８２０Ｈ３（特殊
アクリレートＢ） ［ＣＨ２＝ＣＨ０Ｃ（ＯＣ３Ｈ８）　１ｌ−ＯＣＨ２）
　３−ＣＣＨ２ＣＨ３（特殊アクリレートＣ） （特殊アクリレートＤ） （特殊アクリレートＥ） （特殊アクリレートＦ） （ｎ中１６） （特殊アクリレートＧ） ＣＨ２＝ＣＨＣＯＯ−（ＣＨ２ＣＨ２０）４−ＣＯＣＨ
＝ＣＨ２（特殊アクリレートＨ） （特殊アクリレート■） （特殊アクリレートＪ） Ａニアクリル酸、 Ｙ：多塩基酸 Ｘ：多価アルコール （特殊アクリレートＫ） なお、高分子には、放射線照射により崩壊するものと分
子間に架橋を起こすものが知られている。　分子間に架
橋を起すものとしては、ポリエチレン、ポリプロピレン
、ポリスチレン、ポリアクリル酸エステル、ポリアクリ
ルアミド、ポリ塩化ビニル、ポリエステル、ポリビニル
ピロリドンゴム、ポリビニルアルコール、ポリエチレン
がある。　このような架橋型ポリマーであれば、上記の
ような変性を特に施さな（でも、架橋反応が起こるので
、前記変性体の他に、これらの樹脂はそのまま放射線架
橋用樹脂として使用可能である。
磁性塗料中のバインダの含有量に特に制限はないが、強
磁性金属微粒子１００重量部に対し、２０〜５０重量部
程度とすることが好ましい。
用いる溶剤に特に制限はなく、シクロヘキサノン、イソ
ホロン等の各種溶剤を目的に応じて選択すればよい。
磁性塗料中の溶剤の含有量に特に制限はない　７ が、強磁性金属微粒子１００重量部に対し、４００〜７
００重量部程度とすることが好ましい。
磁性塗料中には、必要に応じα−Ａρ２０３等の研磨剤
、シリコーンオイル等の潤滑剤、その他の各種添加物を
添加してもよい。
このような磁性塗料は、ポリッシングにより表面平滑化
された剛性基板表面に塗布される。
磁性塗料の塗布方法に特に制限はないが、均一な塗布が
容易にできることから、スピンコード法を用いることが
好ましい。　スピンコードの際の回転数や回転時間等は
、磁性層の厚さに応じて適宜設定すればよい。
磁性塗料を塗布後、強磁性金属微粒子の配向を行なう。
磁性塗料は、その磁化容易軸がディスク周方向に向くよ
うに配向されることが好ましい。
このような配向を行なうためには、磁性層を挟んで同極
同士が対向するように一対の磁石を設け、これらの磁石
間で磁気ディスクを回転させ　８ ることか好ましい。
配向後、磁性塗料硬化のために硬化処理を行なう。　バ
インダが熱硬化性樹脂の場合、熱処理温度、熱処理時間
等の各種条件はバインダの種類に応じて適宜設定すれば
よいが、通常１５０〜３００℃程度にて１〜５時間程度
である。　また、放射線硬化性樹脂の場合には、常温に
おいて、３〜１０　Ｍｒａｄの線量に設定すればよい。
　硬化処理時の雰囲気は不活性ガス雰囲気中、特に窒素
雰囲気中であることが好ましい。
磁性塗料の硬化後、磁性層表面のポリッシングを行なう
ことが好ましい。　ポリッシングは研磨テープ等の各種
研磨材により行なえばよい。　このポリッシングにより
磁性層の表面粗さを所望の値とすることができ、また、
これにより磁性層の厚さを調整することもできる。
磁性層を研磨後、磁性層表面に液体潤滑剤を塗布し、磁
性層中に含浸させることが好ましい。
用いる液体潤滑剤に特に制限はないが、潤滑性が良好で
あることから、フッ素を含む有機化合物を含有する液体
潤滑剤を用いることが好ましい。
液体潤滑剤の塗布方法に制限はなく、例えば、デイツプ
法、スピンコード法等を用いればよい。
液体潤滑剤の含浸後、バニッシングを行なうことにより
、磁気ディスク表面の平滑性をさらに向上させることが
好ましい。
なお、このような液体潤滑剤は、磁性塗料に含有させて
もよい。
本発明に用いる浮上型磁気ヘッドは、少なくともギャッ
プ部付近が飽和磁束密度０．７Ｔ以上の軟磁性材料で形
成されていればよく、その他の構成に特に制限はない。
このような構成を有する浮上型磁気ヘッドとしては、メ
タル・イン・ギャップ（Ｍ　Ｉ　Ｇ）型の磁気ヘッドま
たは薄膜型の磁気ヘッドが好適である。
ＭＩＧ型磁気ヘッドは、一対のコアの少な（とも一方の
ギャップ部対向面に、これらのコアよりも飽和磁束密度
の高い軟磁性薄膜を有する磁気ヘッドである。　ＭＩＧ
型磁気ヘッドでは、軟磁性薄膜から強力な磁束を磁性層
に印加できるため、高い保磁力を有する磁性層に有効な
記録を行なうことができる。
本発明に用いるＭＩＧ型磁気ヘッドの好適例を、第２図
および第３図に示す。
第２図に示される磁気ヘッドは、第１コア１と、ギャッ
プ部対向面に軟磁性薄膜４が形成されている第２コア２
とを有し、両コアがギャップ５を介して接合され、溶着
ガラス３により溶着一体化されている。　なお、第２図
に示されるように軟磁性薄膜を一方のコアだけに設ける
場合、トレーリング側のコアに設けることが好ましい。
また、第３図に示される磁気ヘッドは、軟磁性薄膜４を
第１コア１、第２コア２の双方のギャップ部対向面に形
成したタイプのものであ３す る。
第１コア１および第２コア２は、フェライトから構成さ
れることが好ましい。
この場合、用いるフェライトに特に制限はないが、Ｍ　
ｎ　−Ｚ　ｎフェライトまたはＮｉ−Ｚｎフェライトを
、目的に応じて用いることが好ましい。
第１コア１および第２コア２の直流での飽和磁束密度Ｂ
ｓは、好ましくは０．３Ｔ〜０．６Ｔであることが好ま
しい。　飽和磁束密度が前記範囲未満であると、オーバ
ーライド特性が低下する他、このような飽和磁束密度の
組成ではキュリー温度が低くなるため、熱的安定性が低
下してしまう。　前記範囲を超えると、磁歪が増加して
磁気ヘッドとしての特性が悪化したり、着磁され易くな
る。
第１コア１および第２コア２の直流での初透磁率は１，
０００以上、保磁力は０．３Ｏｅ以下であることが好ま
しい。
また、第１コア１および第２コア２のギヤツ２ ブ部対向面を鏡面研磨等により平滑化し、後述する軟磁
性薄膜４等を形成し易くすることが好ましい。
このようなＭＩＧ型磁気ヘッドにおいて、軟磁性薄膜４
の飽和磁束密度は０．７Ｔ　（テスラ）以上とされる。
　飽和磁束密度がこの範囲未満となると、前記したよう
な保磁力を有する磁性層に飽和記録を行なうことが困難
となり、また、良好なオーバーライド特性を得ることが
困難となる。
なお、軟磁性薄膜４の飽和磁束密度Ｂｓの好ましい範囲
は０．８Ｔ以上である。　また、軟磁性薄膜４のＢｓの
上限は特にないが、材料組成および製造上の困難さから
、通常２，８Ｔ以下とされる。
このような軟磁性薄膜４の材料に特に制限はないが、セ
ンダスト等のＦｅ−Ａβ−３ｉ系合金、スーパーセンダ
スト等のＦｅ−Ａ℃−８ｉ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−６ｉ系
合金、パーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ系合金、Ｆｅ−Ｎ系合
金などから適宜選択すればよい。　また、軟磁性薄膜４
を、これらの各種Ｆｅ系合金の多層膜構造としてもよい
。
軟磁性薄膜４の膜厚に特に制限はないが、０．２〜５−
１特に０．５〜３−とすることが好ましい。　膜厚がこ
の範囲未満であると、軟磁性薄膜４全体の体積が不足し
て飽和し易くなり、ＭＩＧ型磁気ヘッドの機能を十分に
果たすことが困難となる。　また、上記範囲を超えると
、軟磁性薄膜４の摩耗が太き（なる他、渦電流損失が増
大してしまう。
ギャップ５は、非磁性材質から形成される。
用いる材質としては、酸化ケイ素、例えばＳｉＯ□等が
好適である。
ギャップ５の形成方法に制限はないが、特にスパッタ法
を用いることが好ましい。
ギャップ長は、目的とする記録波長等に応じて決定すれ
ばよいが、通常、０．２〜２．０−程度である。
ギャップ５を介しての第１コアｌと第２コア２との接合
一体化は、例えば溶着ガラス３を流し込むことにより行
う。
溶着ガラス３の組成は、必要とされる各種条件に応じて
適宜選択すればよいが、作業温度を低くできることから
鉛ケイ酸ガラス等の低融点ガラスを用いることが好まし
い。
このようなＭＩＧ型磁気ヘッドは、第１コアまたは第２
コアをスライダとしたモノリシックタイプの浮上型磁気
ヘッドとして使用されてもよく、あるいはこのようなＭ
ＩＧ型磁気ヘッドをＡｌ２１０．−Ｔｉｃ等の各種非磁
性セラミックスのスライダと一体化し、コンポジットタ
イプの浮上型磁気ヘッドとして用いてもよい。
また、本発明では、いわゆるエンハンスト・デュアルギ
ャップ・レングス（ＥＤＧ）型の磁気ヘッドを用いても
よい。
ＥＤＧ型の磁気ヘッドはＭＩＧ型の磁気ヘッドの１種で
あり、第４図に示されるように、第２コア２に前述した
軟磁性薄膜４を形成したＭＩＧ型磁気ヘッドにおいて、
第１コア１にコ５ アより飽和磁束密度の低い低飽和磁束密度合金薄膜６を
形成した磁気ヘッドである。
ＥＤＧ型の磁気ヘッドは、前述したＭＩＧ型磁気ヘッド
と同様の効果を得ることができ、さらに、低飽和磁束密
度合金薄膜により高い感度を得ることができる。
この場合、低飽和磁束密度合金薄膜６には、例えば、特
願昭６３−３１１５９１号に示される低飽和磁束密度非
晶質合金薄膜等を用いればよい。
次に、薄膜型磁気ヘッドについて説明する。
薄膜型磁気ヘッドは、高密度記録や高速データ転送が可
能である等の優れた緒特性を有する。
第５図に、本発明に用いる浮上型の薄膜型磁気ヘッドの
好適例を示す。
第５図に示される薄膜磁気ヘッドは、スライダ７上に、
絶縁層８１、下部磁極層９１、ギャップ層１０、絶縁層
８３、コイル層１１、６ 絶縁層８５、上部磁極層９５および保護層１２を順次有
する。
本発明において、スライダ７の材料は従来公知の種々の
ものを用いればよく、例えばセラミックス、フェライト
等により構成すればよい。
この場合、セラミックス、特にＡｌ２２０．−ＴｉＣを
主成分とするセラミックス、Ｚ　ｒ　Ｏ＊を主成分とす
るセラミックス、ＳｉＣを主成分とするセラミックスま
たはＡβＮを主成分とするセラミックスが好適である。
　なお、これらには、添加物としてＭｇ、Ｙ、ＺｒＯ□
、Ｔ　ｉ　Ｏ＊等が含有されていてもよい。
スライダ７の形状やサイズ等の諸条件は公知の何れのも
のであってもよく、用途に応じ適宜選択すればよい。
スライダ７上には、絶縁層８１が形成される。
絶縁層８１の材料としては従来公知のものは何れも使用
可能であり、例えば、薄膜作製をスバッタ法により行な
うときには、Ｓ　ｉ　Ｏｘ　、ガラス、ＡＩ２．Ｏ，等
を用いることができる。
絶縁層８１の膜厚やパターンは公知の何れのものであっ
てもよく、例えば膜厚は５〜４０）Ｉｍ程度とする。
磁極は、通常、図示のように、下部磁極層９１と、上部
磁極層９５として設けられる。
本発明では、下部磁極層９１および上部磁極層９５には
、前述のＭＩＧ型磁気ヘッドやＥＤＧ型磁気ヘッドの場
合と同様に、０．７Ｔ以上の飽和磁束密度を有する軟磁
性薄膜を用いる。　これらの磁極層の構成材料は、ＭＩ
Ｇ型磁気ヘッドの説明において述べた各種軟磁性材料か
ら選択すればよい。
なお、下部磁極層９１と、上部磁極層９５の組成は、同
一でも異なっていてもよい。
下部および上部磁極層９１．９５のパターン、厚さ等は
公知のいずれのものであってもよい。　例えば、磁極層
の厚さは１〜５−程度とすればよい。
下部磁極層９１および上部磁極層９５の間にはギャップ
層１０が形成される。
ギャップ層１０には、ＳｉＯ２，Ａρ２０Ｘ等の公知の
種々の材料を用いればよい。
また、ギャップ層１０のパターン、厚さ等は公知の何れ
のものであってもよい。　例えば、ギャップ１０層の厚
さは０．２〜１．０−程度とすればよい。
コイル層１１の材質には特に制限はなく、通常用いられ
るＡβ、Ｃｕ等の金属を用いればよい。
コイルの巻回パターンや巻回密度についても制限はなく
、公知のものを適宜選択使用すればよい。　例えば巻回
パターンについては、図示のスパイラル型の他、積層型
、ジグザグ型等何れであってもよい。
また、コイル層１１の形成にはスパッタ法、めっき法、
蒸着法等の各種被着法を用いればよい。
図示例ではコイル層１１は、いわゆるスパイ９ ラル型としてスパイラル状に下部磁極層９１および上部
磁極層９５間に配設されており、コイル層１１は、絶縁
層８３．８５により磁極層から絶縁されている。
絶縁層８３．８５の材料としては従来公知のものは何れ
も使用可能であり、例えば、薄膜作製をスパッタ法によ
り行なうときには、ＳｉＯヨ、ガラス、ＡＡ意Ｏｓ等を
用いることができる。
また、上部磁極層９５上には保護層１２が設層される。
　保護層１２の材料としては従来公知のものは何れも使
用可能であり、例えばへβ２０１等を用いることができ
る。
この場合、保護層１２のパターンや厚さ等は従来公知の
ものはいずれも使用可能であり、例えば厚さは１０〜５
０−程度とすればよい。
なお、本発明ではさらに各種樹脂コート層等を積層して
もよい。
このような薄膜型磁気ヘッドの製造工程は、通常、薄膜
作製とパターン形成とによって行な　０ われる。
各層の薄膜作製には、上記したように、従来公知の技術
である気相被着法、例えば真空蒸着法、スパッタ法、あ
るいはめっき法等を用いればよい。
薄膜型磁気ヘッドの各層のパターン形成は、従来公知の
技術である選択エツチングあるいは選択デポジションに
より行なうことができる。
エツチングとしてはウェットエツチングやドライエツチ
ングにより行なうことができる。
このような薄膜型磁気ヘッドは、アーム等の従来公知の
アセンブリと組み合わせて使用される。
本発明では、以上説明したような磁気ディスクおよび浮
上型磁気ヘッドにより、記録再生を行なう。
本発明において、浮上型磁気ヘッドの浮上量は、０．２
−以下とすることが好ましい。　浮上量がこの範囲を超
えるとオーバーライド特性が不十分となり、また、高い
記録密度を得ることが困難となる。
なお、浮上量のより好ましい範囲は、 ０．１７−以下である。
また、浮上量の下限は特になく、浮上型磁気ヘッドの浮
揚面と磁気ディスク表面とが単接触状態となるまで浮上
量を小さくすることができる。
なお、浮上量とは浮上型磁気ヘッドの浮揚面と磁気ディ
スク表面との距離である。
浮上量は、スライダの形状変更、ジンバル、サスペンシ
ョン等の荷重変更、磁気ディスクの回転数の変更などに
より種々の値に設定することができる。
記録再生時の磁気ディスクの回転数に特に制限はなく、
目的とする転送レート、浮上量、記録密度等に応じて適
宜設定すればよいが、例えば１５００〜４０００ｒｐ１
１程度である。
本発明では通常、デジタル信号を記録するので、飽和記
録を行なう。
また、飽和記録を行なうので、オーバーライド記録が可
能である。
本発明で実現する記録密度は、磁性層の保磁力および厚
さ、浮上型磁気ヘッドのギャップ長および浮上量等の各
種条件によっても異なるが、Ｄ、。で表わしたとき、３
０　ｋＦＲＰＩ（ｋｉｌ。
Ｆｌｕｘ　Ｒｅｖｅｒｓｅ　Ｐｅｒ　Ｉｎｃｈ）以上、
特に３２ｋＦＲＰ１以上が得られる。　なお、Ｄ６゜と
は、再生出力が孤立波再生出力の５０％となるときの記
録密度である。
また、本発明では、−３０ｄＢ以下の実用上十分なオー
バーライド特性が得られる。
３ 〈実施例〉 以下、本発明の具体的実施例を挙げ、本発明をさらに詳
細に説明する。
デ　スフの 磁性層の異なる磁気ディスクＤ、Ｅ、Ｆ、Ｇ、Ｈ１工、
Ｊ、Ｋを作製した。
各磁気ディスクに用いた磁性粉を下記表１に示す。
表　　１ ら−γ−ＦｅｒＯｓ α−Ｆｅ α−Ｆｅ α−Ｆｅ （Ｏｅ） （μ） 　４ これらの磁性粉を用い、以下のようにして磁性塗料を調
製した。
磁性粉　　　　　　　　１００重量部 α−ＡＡ２０ｇ　　　　　　１０重量部エポキシ樹脂　
　　　　　２８重量部 （エピコート１００４、シェル化学社製）フェノール樹
脂　　　　　１２重量部 （スミラックＰＣ２５、住友ベークライト社製）シリコ
ーンオイル　　　０．４重量部 シクロへキサノン　　　２８５重量部 イソホロン　　　　　　２８５重量部 上記組成物をボールミル中にて１４０時間混合、分散さ
せた。
このようにして得られた磁性塗料を３．５″径のディス
ク状アルミ基板の両面にスピンコード法により塗膜厚１
．０戸となるように塗設し、対向磁石を配した配向装置
によりディスク円周方向に配向処理を行なった。
次に窒素気流中、２００℃で３時間硬化処理を行なった
後、テープ研磨装置により研磨テーブＷＡ４０００　（
日本ミクロコーティング社製）を用いて表２に示す厚さ
になるまで研磨を行なった。
なお、磁性層の厚さは、あらかじめ被測定ディスクに磁
性層の無い領域を設け、触針式段差針（タリーステップ
）を用いてその場所の段差から求めた。
研磨後、ディスクを洗浄し、濃度０．１％のフルオロカ
ーボン（にＲＹＴＯＸ　１４３ＣＺ：デュポン社製）の
フロン溶液をデイツプ法により塗布し、含浸させた。
デ　スフの 磁性層の保磁力が異なる薄膜型磁気ディスクＬ、Ｍを、
下記のようにして作製した。
まず、３．５″径のディスク状アルミ基板上に、無電解
メツキ法により膜厚２０−のＮ１−Ｐ下地層を形成し、
砥粒研磨装置により表面平滑化したあと洗浄を行なった
。
この下地層上に、マグネトロンスパッタ装置により膜厚
０．２戸のＣｒ層を形成した後、膜厚０．０５−のＣｏ
−Ｎｉ−Ｃｒ合金磁性層を形成した。　なお、保磁力の
変更は、基板加熱条件およびＡｒガス圧を変えることに
より行なった。
この磁性層上に、ＲＦマグネトロンスパッタ法により膜
厚０．０４）Ｉｌｌのカーボン保護膜を形成した。
さらに、カーボン保護膜上に、上記フルオロカーボンの
フロン溶液を塗布し、保護潤滑膜を形成した。
モノリシック　イブ　　　　　ヘッドの飽和磁化０．３
６ＴのＭｎ−Ｚｎ焼結フェライトブロックを切削加工し
、低融点ガラスにより溶融接着してギャップを形成し、
磁気へラドコアを作製した。　ギャップは５ｉＯ−によ
り形成し、ギャップ長は０．６ＰＭとした。
この磁気へラドコアにターン数２４のＣｕコイルを形成
し、モノリシックタイプの浮上型磁気ヘッドとした。　
これにジンバルおよびアームを取り付けて、磁気ヘッド
Ｃとした。
　７ 次に上記Ｍｎ−Ｚｎ焼結フェライトにＶ形状の溝加工を
行なった後、マグネトロンスパッタ法により飽和磁束密
度１．１Ｔ、膜厚２戸のセンダスト膜を形成し、さらに
これを切削加工して、上記磁気ヘッドＣと同様にして、
第２図に示すようなＭＩＧ型の磁気ヘッドＡを作製した
。
また、スライダ部となるコアの形状を変更した他は磁気
ヘッドＡと同様にして、ＭＩＧ型の磁気ヘッドＡ１、Ａ
２を作製した。
これらの磁気ヘッドのギャップ部近傍の飽和磁束密度Ｂ
ｓを、表２に示す。
へ　　　の 第５図に示されるようなスライダ７上に順次、絶縁層８
１、下部磁極層９１、ギャップ層１０、絶縁層８３、コ
イル層１１、絶縁層８５、上部磁極層９５および保護層
１２を有する薄膜型磁気ヘッドを製造した。　各層の形
成にはスパッタ法を用い、パターン形成には、ドライエ
ツチングを用いた。
　８ スライダ７には、Ａｌ２ｔ　Ｏｓ　−Ｔ　ｉ　Ｃを用い
た。
絶縁層８１には、Ａｇ２Ｏ３を用い、膜厚は３０−とし
た。
下部および上部磁極層９１．９５は、厚さ１．７戸およ
び２．０）Ｉｌｌで飽和磁束密度０．８Ｔのパーマロイ
膜とし、マグネトロンスパッタ法により形成した。
ギャップ層１０には、５ｉＯａを用い、ギャップ長は０
．６５μとした。
コイル層１１には、Ｃｕを用い、図示のようにスパイラ
ル状に形成した。
絶縁層８３．８５には、Ａ　１２　ｍ　Ｏｎを用いた。
また、保護層１２には、Ａｌ２ｔｏｓを用い、膜厚は４
０＃１１１とした。
これらの磁気ディスクおよび浮上型磁気ヘッドを下記表
２に示すように組み合わせ、下記の評価を行なった。
旺ｊＬ贋迭 （保磁力） 振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を用い、最大印加磁界１０
ｋＧで測定した。
（Ｄａ。およびオーバーライド特性） 磁気ディスフサ−ティファイアを用いて測定した。　記
録周波数を変更することにより記録密度を変化させた。
表２に示すＤ６゜とは再生出力のＰ−Ｐ（ｐｅａｋｔｏ
　ｐｅａｋ）値が孤立波再生出力Ｐ−Ｐ値の５０％まで
減少したときの記録密度である。　なお、測定時のディ
スク回転数は３６００　ｒｐｍとした。
また、オーバーライド特性（０／Ｗ）は、ＩＦ倍信号１
．６５ＭＨｚ）に２Ｆ信号（３，３ＭＨｚ）を重ね書き
したときのＩＦ倍信号減衰量で評価し、これはスペクト
ラムアナライザ（ヒユーレットバラカード社製）で測定
した。
このときの磁気ディスク回転数は３６００ｒｐｍとした
。
なお、記録電流は、■、。×２とした。　　■９゜とけ
飽和記録特性の再生出力の最大値の９０％に相当する記
録電流値である。
（摩擦係数） 摩擦係数μはＡＮＳＩ規格に基づき測定した。　ヘッド
荷重は１５ｇ、相対速度は５ｍｍ／ｓｅｃとした。
（Ｃ３Ｓ耐久性） ＣＳＳ　（コンタクト・スタート・ストップ）耐久性の
測定には、プラス社製３．５“磁気ディスクドライブを
用いた。
Ｃ８Ｓの１サイクルは、静止時間１０秒−立ち上がり時
間５秒一定常回転の時間１０秒−立ち下がり時間３０秒
とし、定常状態のディスクの回転数は３６００　ｒｐｍ
とした。　また、Ｃ８Ｓはディスク中心から２２ｍｎ＋
の位置で行なった。
そして、ディスクの磁性層に傷が発生したときのＣ８Ｓ
サイクル数で評価した。
上記各評価の結果を、表２に示す。
１ なお、表２に示す浮上量は、磁気ディスク表面と磁気ヘ
ッド浮揚面のギャップ部との距離である。
浮上量の測定は、下記のようにして行なった。
測定用の石英製ディスクを上記各測定と同様な条件にて
回転させてディスク表面に各浮上型磁気ヘッドを浮上さ
せ、そのとき石英製ディスクの裏面側から白色光を浮上
型磁気ヘッドのギャップ部に照射し、その反射光とディ
スク表面からの反射光との干渉を検出して浮上量を算出
した。
なお、測定は自動浮上量テスタ（ＰＰＬ社製）を用いて
行なった。
２ ５４ 以上の実施例の結果から、本発明の効果が明らかである
。
すなわち、本発明の組み合わせＮ００１〜８では３０　
ｋＦＲＰＩ以上の高ｔ＋’Ｄｓｏと一３０ｄＢ以下の十
分なオーバーライド特性が得られ、Ｃ８Ｓ耐久性も十分
である。
これに対し、Ｃｏ−γ−Ｆｅａｒｓを含有する塗布型磁
性層を有する磁気ディスクを用いた組み合わせＮｏ、　
９．１０では、Ｃ８Ｓ耐久性およびオーバーライド特性
は良好であるがＤ６゜が低い。
また、浮上型磁気ヘッドの飽和磁束密度Ｂｓが不足して
いる組み合わせＮｏ、１１では、Ｄ６゜およびオーバー
ライド特性のいずれもが不十分である。
また、磁性層の厚さが０．５戸を超えている組み合わせ
Ｎｏ、１２．１３では、オーバーライド特性が不十分で
ある。
そして、薄膜型磁気ディスクを用いた組み合わせＮｏ、
１４．１５では、摩擦係数が大きくＣ８Ｓ耐久性が極め
て低い。
なお、浮上量を０．２０μ超とした他は組み合わせＮｏ
、　　１〜８と同様な組み合わせにて上記測定を行なっ
たところ、Ｄ、。およびオーバーライド特性の低下がみ
られた。
〈発明の効果〉 本発明によれば、高密度記録が可能で高い信頼性を有す
る磁気記録再生方法が、低コストで実現する。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明に用いる磁気ディスクの好適例を示す
部分断面図である。 第２図、第３図および第４図は、本発明に用いるＭＩＧ
型磁気ヘッドの好適例を示す部分断面図である。 第５図は、本発明に用いる薄膜型磁気ヘッドの好適例を
示す部分断面図である。 符号の説明 １０１・・・磁気ディスク １０２・・・剛性基板 １０３・・・磁性層 １・・・第１コア ２・・・第２コア ３・・・溶着ガラス ４・・・軟磁性薄膜 ５・・・ギャップ ６・・・低飽和磁束密度合金薄膜 ７・・・スライダ ８１．８３．８５・・・絶縁層 ９１・・・下部磁極層 ９５・・・上部磁極層 ｌＯ・・・ギャップ層 １１・・・コイル層 １２・・・保護層 Ｆ ■ − ■ 一 ■ Ｇ。 ■ Ｇ。 １ ］２

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）剛性基板上に強磁性金属微粒子を含有する磁性塗
    料を塗布して形成される磁性層を有する磁気ディスクに
    対し、浮上型磁気ヘッドにより磁気記録再生を行なう方
    法であって、 前記磁性層が、保磁力１１００Ｏｅ以上で、かつ厚さ０
    ．５μｍ以下であり、 前記浮上型磁気ヘッドの少なくともギャップ部付近が飽
    和磁束密度０．７Ｔ以上の軟磁性材料で形成されている
    ことを特徴とする磁気記録再生方法。
  2. （２）前記浮上型磁気ヘッドの浮上量が０．２μｍ以下
    である請求項１に記載の磁気記録再生方法。
  3. （３）前記浮上型磁気ヘッドが、メタル・イン・ギャッ
    プ型の磁気ヘッドまたは薄膜型の磁気ヘッドである請求
    項１または２に記載の磁気記録再生方法。
JP1298390A 1989-11-16 1989-11-16 磁気記録再生方法 Pending JPH03157801A (ja)

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