JP3288136B2 - 磁気記録再生方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気ヘッドにより磁気
記録媒体に記録再生を行う方法に関し、特にデジタル信
号の高密度記録再生を行う方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】コンピュータ機器やビデオ機器等に用い
られる磁気記録装置では、磁気記録媒体の表面に近接な
いし接触して磁気ヘッド等の電磁誘導型変換素子を移動
させ情報の記録・再生を行う方法が広く使用されてい
る。

【０００３】近年、これらの磁気記録装置は大容量化、
高速転送化、小型化にともない高記録密度化が急速に進
展している。このような高密度化に対応するために、磁
気記録媒体では磁性層の高保磁力化、薄層化、平滑化が
進められている。

【０００４】また磁気ヘッドではギャップ部の狭間隙
化、高飽和磁束密度化が行われている。

【０００５】従来、磁気記録媒体としては、磁性粉とバ
インダーとを含有する磁性塗料を塗布して形成される磁
性塗膜層を有する塗布型磁気記録媒体が一般的であっ
た。

【０００６】塗布型磁気記録媒体は、磁性膜の表面エネ
ルギーが小さく、かつ磁性膜内部に多量の潤滑油を含浸
させることができるため、ヘッドとの摩擦が小さく、か
つヘッドとの摺動接触による耐久性も良好であり、磁気
テープ、磁気ディスクに広く用いられている。

【０００７】しかし、塗布型媒体は磁気記録層内にバイ
ンダーや研磨剤等の非磁性部分を多く含有するために残
留磁化量が小さく、再生出力を上げられない欠点を有し
ていた。

【０００８】また、この種の磁気記録媒体は磁性粉とし
てγ- Ｆｅ₂ Ｏ₃ やコバルト含有γ- Ｆｅ₂ Ｏ₃ などが
使用されている。しかし、これら磁性粉末は保磁力がせ
いぜい１０００ Ｏｅ程度と低く、高密度記録には十分
ではない。

【０００９】そこで、電磁変換特性に優れ高密度記録が
可能であることから、連続薄膜型の磁性層を有す連続薄
膜型磁気記録媒体が用いられるようになっている。

【００１０】連続薄膜型磁気記録媒体の製法としては、
電気メッキ、化学メッキ、無電解メッキ等のメッキ法、
真空蒸着、スパッタリング、ゾルゲル法等の方法がよく
知られている。

【００１１】連続薄膜型磁気ディスクの磁性材料として
は、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＮｉＰ等の金属薄膜やγ- Ｆｅ
₂ Ｏ₃ 等の金属酸化物薄膜が開発されてきたが、残留磁
化量が大きいために再生出力が大きい金属薄膜媒体が用
いられるようになった。

【００１２】しかし、金属薄膜型媒体は、ヘッドとの接
触により媒体表面に傷が発生し易く耐久性が悪い。ま
た、磁気記録媒体と磁気ヘッドとの間の摩擦が大きいた
めヘッド吸着が生じ易く、信頼性が十分ではない。

【００１３】さらに、長時間の保存において、磁性膜が
酸化され易いために、磁性膜のピンホールの発生や、磁
化量の低下による出力の低下やエラーの発生などの問題
がある。

【００１４】そのため磁性層の表面にカーボン膜やセラ
ッミック膜、酸化珪素膜、潤滑油膜などの保護層を設け
る事が一般に行われているが、いまだ十分でない。

【００１５】近年、さらに記録密度を向上させ、かつ記
録データの転送速度を早めるために、記録周波数を高周
波数化することが要求されている。記録周波数が高周波
数化されると、ヘッドのインダクタンスにより出力が減
衰すると言う問題が生じる。

【００１６】そのためヘッドのコイル巻線数を減少させ
る等の方法が行われているが、かえって再生出力が減少
し、記憶容量を増加させる事が困難となっている。

【００１７】これらの問題点を解決するために、ヘッド
のインダクタンスを低下させる方法が行われている。例
えば、非磁性基板上に高飽和磁束密度材料と非磁性膜を
交互に積層した積層型ヘッドが用いられる。さらにイン
ダクタンスを小さくするためには再生効率の優れた薄膜
型ヘッドが用いられる。

【００１８】またさらに、再生ヘッドにＭＲ素子を用い
たインダクティブ−ＭＲ複合型薄膜ヘッドの使用が提案
されている。再生ヘッドにＭＲ素子を用いることにより
再生出力を大幅に向上させることができるため、残留磁
化量の小さい磁気記録媒体でも高密度の記録再生ができ
る。

【００１９】このようにヘッドのインダクタンスが小さ
く、ＭＲ素子を再生ヘッドに用いた薄膜型磁気ヘッドを
用いることにより、高周波数の記録および高密度の記録
が可能となる。

【００２０】しかし、このような薄膜型磁気ヘッドと、
スパッタ型やメッキ型等の金属薄膜型磁気記録媒体とを
用いて、高周波数の記録を行う場合、金属薄膜型媒体に
特有の変調ノイズが発生するために、記録密度を増大さ
せることができない。

【００２１】すなわち、スパッタ法やメッキ法により製
造される金属薄膜型磁気記録媒体は、均一で連続な磁性
薄膜が形成されており、残留磁化量が大きく、高い再生
出力が得られるが、前記のように高記録密度かつ高速転
送を行うために記録周波数を高くすると、変調ノイズが
急激に増加し、高密度記録ができないと言う問題が生じ
る。

【００２２】金属薄膜型磁気記録媒体においてこのよう
な変調ノイズが発生する原因は、記録された磁性薄膜の
磁化反転領域で、反転した境界の磁壁が移動することに
より不均質な境界が生じ、磁化反転遷移領域が広がるた
めであると説明されている。

【００２３】金属薄膜媒体において上記の磁壁によるノ
イズを小さくするためには、非磁性材料の添加により磁
壁の成長を抑制するなどの方法が提案されている。しか
し、かえって残留磁化量が減少し、さらには保磁力角形
比が低下するなどの問題が生じる。そのため、再生出力
や線記録密度が低下し、記録密度の向上が難しい。

【００２４】従って、高周波数の記録を行い、高密度、
高転送速度の記録方法を実現するためには、ヘッドのイ
ンダクタンスを小さくし、かつ再生出力を高すると同時
に、記録媒体のノイズを小さくし、線記録密度を高くし
なければならない。

【００２５】このような事情から、記録密度が高く、か
つ高速データ転送が可能で、くわえて耐久性や信頼性が
高い、磁気ヘッドと磁気記録媒体による記録方法につい
て鋭意研究を行った。

【００２６】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情からなされたものであり、耐久性や信頼性が優れ、
かつ高密度記録を実現する磁気記録再生方法を提供する
ことを目的とする。

【００２７】上記の実状から、本発明者等は先に、特開
平３−１５７８０１号において、「剛性基板上に強磁性
金属微粒子を含有する磁性塗料を含有する磁性塗料を塗
布して形成される磁性層を有する磁気ディスクに対し、
浮上型磁気ヘッド磁気記録再生を行う方法であって、前
記磁性層が、保磁力１１００ Ｏｅ以上で、かつ厚さ
０．５μｍ以下であり、前記浮上ヘッドの少なくともギ
ャップ付近が飽和磁束密度０．７Ｔ以上の軟磁性材料で
形成されていることを特徴とする磁気記録再生方法。」
を提案している。

【００２８】そして、この提案によれば、生産性が高く
製造コストの低い磁気ディスクを用いることができる。
そして、高密度記録が可能で、良好なオーバーライト特
性を示し、しかも信頼性に優れた磁気記録再生を行うこ
とができる。

【００２９】上記媒体と、インダクティブ−ＭＲ複合薄
膜ヘッドを用いたシステムでは、短波長記録において金
属薄膜媒体に見られる様な磁壁によるノイズは発生せ
ず、記録密度を大きくできる。しかし、上記媒体に用い
られるαＦｅ金属等の針状微粒子の磁気異方性は、形状
磁気異方性により発現しており、形状（粒子径）のバラ
ツキがそのまま保磁力のバラツキに反映される。一方、
塗布型磁性層の変調ノイズの原因の一つである保磁力分
布を小さくし、媒体のノイズを小さくするには、磁性粒
子の粒径分布を小さくする必要がある。しかしながら、
粒径分布を小さくするには限界が有り、従って上記構成
の磁気記録媒体を用いても媒体のノイズを小さくするこ
とには限界が有る。さらに、保磁力角形比を大きくでき
ないため、線記録密度も向上できない等の問題がある。

【００３０】

【課題を解決するための手段】このような目的は、下記
（１）〜（６）の本発明により達成される。 （１）非磁性基体上に、六方晶系フェライト磁性体を含
有する磁性層を有する磁気記録媒体に対し、薄膜型磁気
ヘッドにより磁気記録再生を行う方法であって、前記磁
性層の膜厚が０．５μm 以下であり、かつ前記磁性層の
記録面と垂直方向の角形比（Ｓ⊥）が０．７０以上であ
り、前記薄膜型磁気ヘッドが、少なくともギャップ部付
近が飽和磁束密度０．７Ｔ以上の軟磁性材料で形成され
ている記録ヘッドと磁気抵抗効果（ＭＲ）を有する軟磁
性材料で形成された再生ヘッドで構成され、前記磁気ヘ
ッドからの再生出力を微分回路を通すことなくゼロクロ
ス検出を行うことを特徴とする磁気記録再生方法。 （２）前記六方晶系フェライト磁性体がバリウムフェラ
イト系磁性体であり、かつ磁性層の記録面と垂直方向の
保磁力角形比（Ｓ⊥＊）が０．９０以上である上記
（１）に記載の磁気記録再生方法。 （３）前記薄膜型磁気ヘッドのインダクタンスが２μＨ
以下である上記（１）または（２）に記載の磁気記録再
生方法。 （４）前記磁気記録媒体が磁性塗料を塗布して形成され
た磁性層を有する塗布型媒体である上記（１）ないし
（３）のいずれかに記載の磁気記録再生方法。 （５）前記磁性層の表面粗さ（Ｒａ）が５ｎｍ以下であ
る上記（１）ないし（４）のいずれかに記載の磁気記録
再生方法。 （６）前記磁性層のヘッド走行方向の保磁力（Ｈｃ）が
１１００ Ｏｅ以上である上記（１）ないし（５）のい
ずれかに記載の磁気記録再生方法。

【００３１】

【作用】本発明の磁気記録媒体は、六方晶フェライト磁
性材料を含有するため、薄膜ヘッドとの摩擦が小さく、
吸着が生じることがない。さらに様々な環境での安定性
が良好であり、耐久性および信頼性が非常に優れた記録
媒体を提供できる。

【００３２】そして、本発明の記録再生方法では、磁気
記録媒体の磁性層の厚さ、、およびヘッド走行方向すな
わち記録面と垂直方向の角形比を上記範囲とし、上記構
成の薄膜磁気ヘッドを用いるので、高周波数の信号を低
いノイズで記録再生できる。しかしながら、磁気記録媒
体の上記垂直方向の角形比を上記範囲とすると、ＭＲヘ
ッドでの再生出力は垂直磁化成分の影響により、波形歪
が生じる。そのために、ゼロクロス点の位相がずれ、ビ
ットシフトが著しく悪化し、実用的なデータの読出しが
できなくなるという問題が生じる。しかし、本発明で
は、再生出力を微分回路を通すことなくゼロクロス検出
を行うため、ビットシフトの悪化を防止でき、線記録密
度を大きくできる。

【００３３】従って、本発明の方法を用いる事により、
高密度、高転送速度、高信頼性の記録システムとするこ
とが可能となる。

【００３４】前記の記録再生方法によって、このような
効果が生じるのは、ノイズが小さく、かつ線記録密度の
高い前記構成の媒体と、インダクタンスが小さく、かつ
再生出力が大きいインダクティブ−ＭＲ複合薄膜ヘッド
とを組み合わせ、さらに再生出力を微分回路を通すこと
なくゼロクロス検出を行うことによって達成される。

【００３５】この様な低ノイズ媒体は、六方晶フェライ
ト系磁性材料を磁性体として用いた、前記構成の磁気記
録媒体により得る事ができる。六方晶フェライト系磁性
材料の磁気異方性は結晶磁気異方性により発現している
ため、磁性粒子や結晶粒塊の形状による保磁力分布への
影響は針状磁性粒子と比較して非常に小さい。結晶構造
の揃った六方晶系微粒子や薄膜の製造は比較的容易にで
き、この磁性体を用いれば、保磁力分布の小さい磁気記
録媒体を作製する事が可能となる。

【００３６】さらに、六方晶フェライト系媒体において
は非磁性元素や非磁性のバインダー等により結晶粒塊や
磁性微粒子が隔てられているために、金属薄膜型媒体に
見られるような磁壁によるノイズは発生せず、本発明の
構成の磁気記録媒体は非常にノイズの小さい媒体とする
ことができる。

【００３７】また、ＭＲヘッドはセンス電流を印加する
必要があり、そのためヘッドと媒体の間は絶縁されてい
なければならない。前記構成の磁気記録媒体の磁性膜の
電気抵抗は非常に大きくすることができるため、インダ
クティブＭＲ複合ヘッドヘッドとの安定なインターフェ
ースを可能とし、さらにヘッド側の絶縁保護膜を薄くす
ることにより、スペーシングによるロスを防止し、高記
録密度の記録再生システムを可能とする。

【００３８】本発明の記録再生方法では、高周波数の記
録を可能とし、かつ高周波数で記録を行っても媒体ノイ
ズが発生せず、かつ高い出力が得られ、さらには高い線
記録密度で記録できるため、高密度、高転送速度の記録
再生を行うことができる。

【００３９】

【具体的構成】以下、本発明の具体的構成について詳細
に説明する。

【００４０】本発明の磁気記録媒体は非磁性基体上に、
六方晶フェライト系磁性材料により形成された磁性層を
有する。

【００４１】本発明の磁性層の記録面と垂直な方向の角
形比（Ｓ⊥）はＯ．７０以上１以下とする。

【００４２】従来のインダクティブ型リングヘッドで
は、記録面と垂直な方向の角形比が０．３〜０．７の磁
気記録媒体において、最も良好な記録再生が行え、波形
歪も生じないとされていた（特公昭６２−４９６５６号
公報）。また、現在実用化されているバリウムフェライ
ト磁性粉を用いたフロッピーディスクにおいても、記録
面と垂直方向の角形比は０．５〜０．６程度であり、リ
ングヘッドを用いて記録再生が行われている。

【００４３】しかし、ＭＲヘッドを再生ヘッドとして用
い、垂直方向の角形比が０．５以上の磁気記録媒体にお
いて記録再生を行った場合、出力波形が歪み、良好な記
録再生特性を得ることができない。これは、ＭＲ再生ヘ
ッドがヘッド走行方向と垂直に磁化された成分への感度
がインダクティブ型リングヘッドと比較して高いためで
あると考えられる。

【００４４】また、単磁極型ヘッドを記録再生ヘッドと
して用いた場合は、十分な再生出力およびオーバーライ
ト特性が得られない等の問題があり、そのため磁性膜の
下地層に軟磁性を設ける等の対策が必要とされる。

【００４５】しかし、ＭＲヘッドを再生ヘッドとして用
い、再生出力を微分回路を通さず信号処理を行うと、垂
直残留磁化成分による波形歪の影響を防ぐことができ、
垂直方向の角形比が０．７以上になると、線記録密度お
よびオーバーライト特性が臨界的に向上する。

【００４６】角形比がこの値未満であると、面内方向の
残留磁化成分の影響により、再生波の対称性が悪化し、
記録再生特性が悪化する。さらに、線記録密度およびオ
ーバーライト特性も悪化する。

【００４７】本発明において、磁性層の厚さは０．５μ
ｍ以下とすることが望ましい。このため磁性層の厚さが
この範囲を超えたときの、十分なオーバーライト特性が
得られにくくなることや、特に短波長記録において飽和
記録が困難となり厚み損失が増大するため、高密度記録
が困難となることが解消する。

【００４８】磁性層の厚さの下限は特にないが、十分な
再生出力およびＳ／Ｎ比を確保するためには０．０５μ
ｍ以上とすることが好ましい。なお、磁性層厚さの好ま
しい範囲は０．０８〜０．３μｍである。

【００４９】本発明において、磁性層の表面粗さ（Ｒ
ａ：ＪＩＳ Ｂ０６０１）は５ｎｍ以下検出限界まで低
下させることが望ましい。Ｒａを上記の値とすることに
より、高密度記録時の媒体のノイズを小さくすることが
でき、記録再生時のＳ／Ｎ比およびＣ／Ｎが臨界的に向
上する。

【００５０】磁性層の記録面と垂直方向の保磁力角形比
（Ｓ⊥＊）は０．９以上にすることが望ましい。この保
磁力角形比が上記範囲内であれば、高い記録密度と高い
再生出力および非常にノイズの低い媒体が得られる。上
記保磁力角形比が０．９未満であれば、媒体ノイズが増
大するばかりでなく、線記録密度も低下する。上記保磁
力角形比は、原理上１．０を越えることはないが、好ま
しくは０．９〜１．０であり、できる限り１．０に近い
方がよい。

【００５１】磁性層のヘッド走行方向の保磁力（Ｈｃ）
は１１００ Ｏｅ以上であることが望ましい。保磁力
（Ｈｃ）が、この値未満であると十分な電磁変換特性が
得られず、高密度記録が困難となる他、高い再生出力が
得られない。

【００５２】磁性層の保磁力（Ｈｃ）は、組み合わせる
磁気ヘッドの性能を考慮し、十分なオーバーライト特性
が得られる範囲とすればよいので、その上限は特にない
が、通常、２０００ Ｏｅ以下とする。

【００５３】なお、磁性層の保磁力（Ｈｃ）の特に望ま
しい範囲は、１４００〜２０００Ｏｅである。

【００５４】磁性膜に用いる六方晶フェライト系強磁性
材料に特に制限はないが、前記のような磁気特性が得ら
れるように選択することが好ましい。

【００５５】六方晶系フェライト材料としては、バリウ
ムフェライトやストロンチウムフェライト等の酸化物が
ある。バリウムフェライトとしてはＢａＦｅ₁₂Ｏ₁₉等の
六方晶系バリウムフェライトやバリウムフェライトのＢ
ａ，Ｆｅの一部をＣａ，Ｓｒ，Ｐｂ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｔ
ｉ，Ｃｒ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｍｎ，Ｃｕ，Ｇｅ，Ｎｂ，Ｚ
ｒ，Ｓｎその他の金属から選ばれる一種以上で置換した
もの等が挙げられる。また、ストロンチウムフェライト
としては、六方晶系ストロンチウムフェライトＳｒＦｅ
₁₂Ｏ₁₉、あるいはこれを上記に準じて置換したものであ
っても良い。

【００５６】磁性膜の形状には特に制限はないが、結晶
粒塊が薄膜状に形成された薄膜型磁性膜や強磁性微粒子
とバインダーを含む塗布形磁性膜などが好ましい。

【００５７】薄膜型磁性膜は、前記組成のフェライト材
料をターゲットとしたスパッタ法で成膜する方法やソル
ゲル法等の成膜方法が用いられる。

【００５８】塗布形磁性膜に用いる六方晶系フェライト
微粒子は前記組成のものが用いられるが、磁化量増大や
温度特性改善のため、六方晶系フェライトの表面をスピ
ネル型フェライトで変性したものでも良い。さらに、耐
候性・分散性向上のために、これらの粒子の表面に酸化
物や有機化合物の皮膜を有するものであっても良い。六
方晶系フェライト微粒子の寸法は、目的とする磁性層の
構成に応じて選定すればよいが、電磁変換特性上、平均
粒径が０．１５μm 以下、特に０．０２〜０．１０μm
程度、板状比２以上、特に３〜１０程度であるものが好
ましい。

【００５９】なお、六方晶系フェライト微粒子の製法と
しては、セラミック法、共沈−焼成法、水熱合成法、フ
ラックス法、ガラス結晶化法、アルコキシド法、プラズ
マジェット法等があり、本発明ではいずれの方法を用い
てもよい。これらの方法の詳細については小池吉康、久
保修共著、“セラミックス１８（１９８３）Ｎｏ. １
０”等を参照することができる。

【００６０】磁性層形成に用いる磁性塗料は、上記した
磁性微粒子とバインダーと溶剤とを混練して調整され
る。

【００６１】用いるバインダーに特に制限はなく、熱硬
化性樹脂、反応型樹脂、放射線硬化性樹脂等から目的に
応じて選択すればよいが、薄層で十分な膜強度を確保
し、高い耐久性を得る必要があることから熱硬化性樹脂
あるいは放射線硬化性樹脂を用いることが好ましい。

【００６２】熱硬化性樹脂としては、例えば、フェノー
ル樹脂、エポキシ樹脂、ビニル共重合系樹脂、ビニルフ
ェノール系樹脂、ポリウレタン硬化型樹脂、尿素樹脂、
ブチラール樹脂、ホマール樹脂、メラミン樹脂、シリコ
ン樹脂、アクリル系反応樹脂、ポリアミド樹脂、エポキ
シーポリアミド樹脂、飽和ポリエステル樹脂、尿素ホル
ムアルデヒド樹脂などの縮重合系の樹脂あるいは高分子
量ポリエステル樹脂とイソシアネートプレポリマーの混
合物、メタクリル酸塩共重合体とジイソシアネートプレ
ポリマーの混合物、ポリエステルポリオールとポリイソ
シアネートの混合物、低分子量グリコール／高分子量ジ
オール／ポリフェニルメタントリイソシアネートの混合
物など、上記の縮重合系樹脂とイソシアネート化合物な
どの架橋剤との混合物、ニトロセルロース、セルロース
アセトブチレートなどの繊維素系樹脂と架橋剤との混合
物、ブタジエン−アクリロニトリル等の合成ゴム系と架
橋剤との混合物、さらにはこれらの混合物が好適であ
る。

【００６３】そして、特に、エポキシ樹脂とフェノール
樹脂との混合物、米国特許第３，０５８，５４４号に記
載のエポキシ樹脂とポリビニルメチルエーテルとメチロ
ールフェノールエーテルとの混合物、また特開昭４９−
１３１１０１号に記載のビスフェノールＡ型エポキシ樹
脂とアクリル酸エステルまたはメタクリル酸エステル重
合体との混合物、ポリパラビニルフェノール樹脂、ポリ
パラビニルフェノール樹脂とエポキシ樹脂との混合物な
どが好ましい。

【００６４】放射線硬化性樹脂としては、ラジカル重合
性を有する不飽和二重結合を持つアクリル酸、メタクリ
ル酸、あるいはそれらのエステル化合物のようなアクリ
ル系二重結合、ジアクリルフタレートのようなアリル系
二重結合、マレイン酸、マレイン酸誘導体等の不飽和結
合等の放射線照射による架橋あるいは重合する基を熱可
塑性樹脂の分子中に含有または導入した樹脂である。そ
の他、放射線照射により架橋重合する不飽和二重結合を
有する化合物、または放射線の照射によりラジカルが発
生し架橋する化合物であれは用いることができる。

【００６５】放射線硬化性ハインダとして用いられる樹
脂としては、上記不飽和二重結合を樹脂の分子鎖中や末
端、側鎖に含有する飽和、不飽和ポリエステル樹脂、ポ
リウレタン樹脂、塩化ビニル系樹脂、ポリビニルアルコ
ール系樹脂、ポリビニルブチラール系樹脂、エポキシ樹
脂、フェノキシ樹脂、繊維素系樹脂、アクリロニトリル
−ブタジエン共重合体、ポリブタジエンなどが好適であ
る。

【００６６】さらに、オリゴマー、モノマーとして本発
明で用いられる放射線硬化性化合物としては、単官能ま
たは多官能のトリアジン系アクリレート、ベンタニノス
リトール系アクリレート、エステル系アクリレート、ウ
レタン系アクリレートおよび上記系の単官能または多官
能のメタクリレート化合物等が好適である。

【００６７】磁性塗料中のバインダーの含有量は特に制
限はないが、磁性粒子１００重量部に対し、１０〜５０
重量部程度とすることが好ましい。

【００６８】用いる溶剤に特に制限はなく、メチルエチ
ルケトン、シクロヘキサノン、イソホロン等のケトン
系、イソプロピルアルコール、ブチルアルコール等のア
ルコール系、エチルセロソルブ、酢酸セロソルブ等のセ
ロソルブ系、トルエン等の芳香族系等の各種溶剤を目的
に応じて選択すればよい。

【００６９】磁性塗料中の溶剤の含有率に特に制限はな
いが、磁性微粒子１００重量部に対し、４００〜７００
重量部程度とする事が好ましい。

【００７０】磁性層には、非磁性無機微粒子が含まれて
いても良い。非磁性無機微粒子としては例えば、α−Ａ
ｌ₂ Ｏ₃ 、α−Ｆｅ₂ Ｏ₃ 、Ｃｒ₂ Ｏ₃ 、ＴｉＯ₂ 、Ｓ
ｉＯ₂ 等の金属酸化物や、、カーボンブラック、グラフ
ァイト、フッ化黒鉛等の黒鉛類や、ＳｉＣ、ＳｉＮ、Ｚ
ｎＳ、ＭｎＳ₂ 等の化合物が用いられる。

【００７１】磁性層中の非磁性無機微粒子の含有量は、
磁性粉１００重量部に対して１〜５重量部が適当であ
る。１重量部以下ではヘッドとの接触による摩耗が大き
くなり、さらに走行時の摩擦係数も大きく信頼性が悪化
する。

【００７２】５重量部以上では、磁性層の表面粗度が悪
化し、またＳ／Ｎ比やＣ／Ｎ比などが悪化するため記録
密度を増大でず、かえってエラーなどが増加するという
欠点がある。

【００７３】磁性層には分散剤が含まれていても良い。
分散剤としてはシランカップリング剤、チタンカップリ
ング剤等のカップリング剤：ステアリン酸、ベヘン酸、
オレイン酸、リノール酸等の脂肪酸類、スルホン酸、リ
ン酸、硫酸エステル類、リン酸エステル類等のアニオン
系界面活性剤、アルキレンオキサイド類、グリセリン
類、グリシドール類等のノニオン系界面活性剤：高級ア
ルキルアミン類、第４級アンモニウム塩類、ピリジンそ
の他の複素環類、ホスホニウムまたはスルホニウム類等
のカチオン系界面活性剤：アミノ酸類、アミノスルホン
酸類、アミノアルコールの硫酸またはリン酸エステル類
等の両性界面活性剤類等が使用される。

【００７４】さらに磁性層には潤滑剤が含まれてもよ
い。潤滑剤としては、ステアリン酸、ベヘン酸、オレイ
ン酸、リノール酸等の脂肪酸類、ステアリン酸ブチル、
オレイン酸オレイル等の脂肪酸エステル類、ステアリン
酸ナトリウム、オレイン酸ナトリウム等の脂肪酸のアル
カリまたはアルカリ土類金属塩類、パーフルオロポリエ
ーテル等のフッソオイル類、シリコーンオイル類、フッ
ソ樹脂類、パラフィン類、グラファイト類、二硫化モリ
ブデン等用いることができる。

【００７５】本発明の磁気記録媒体を製造するには常法
に従って行えばよく、磁性粉をバインダー、有機溶剤、
各種添加剤等とともに、ボールミル、スパーサンドミ
ル、加圧ニーダー等の分散装置により混合分散して磁性
塗料を調製する。

【００７６】このような磁性塗料は、磁気テープやフロ
ッピーディスク等のフレキシブル媒体ではポリエステル
フィルム等の基体上にグラビアコート、リバースロール
コート、ノズルコート、ブレードコート等の方法を用い
て塗布し、直流または交流磁界により配向処理を行って
乾燥する。

【００７７】配向方法としては永久磁石による磁界、ソ
レノイドによる直流磁界、交流磁界が用いられる。これ
らの磁界は磁性層と平行な方向に水平または垂直または
垂直、水平を適宜組み合わせ、例えば磁性層に対して垂
直方向と水平方向の磁界を交互に印可する方法等が用い
られる。また、磁性層の角形比を大きくするために、配
向用磁界を印可した状態で塗膜の乾燥を行う、乾燥炉内
配向方法を用いることが好ましい。配向に用いる磁界強
度としては、２０００〜１００００ Ｇが好ましい。ま
た、磁界による配向と併せて機械的な配向方法も組み合
わせることができる。

【００７８】その後、カレンダーロール等により表面平
滑化処理を行い、磁性塗料硬化のために硬化処理を行な
う。バインダーが熱硬化性樹脂の場合、熱処理温度、熱
処理時間等の各種条件はバインダーの種類に応じて適宜
設定すればよいが、フレキシブル媒体の場合、基体の軟
化温度以下の温度で硬化を行う。通常５０〜８０ ℃程
度にて２４〜４８時間程度である。また、放射線硬化性
樹脂の場合には、常温において、３〜１０Ｍｒａｄの線
量で硬化処理を行う。

【００７９】そして必要に応じてアンダーコート、トッ
プコート、バックコートを設ければよい。

【００８０】ハードディスク等のリジッド媒体では、ポ
リッシングにより表面平滑化されたアルミニウム合金等
の基体表面にスピンコート、スプレーコート、ディップ
コート等の方法で塗布される。

【００８１】スピンコートの際の回転数や回転時間等
は、磁性層の厚さに応じて適宜設定すればよいが、振り
切り時の回転数は１０００ｒｐｍ以上、より好ましくは
２０００〜１００００ｒｐｍが好ましい。回転数が小さ
すぎると、０．５μm 以下の磁性層を形成するのが困難
となってくる。また、回転時間は２秒以上、より好まし
くは５〜３０秒が好ましい。短すぎると、厚さ０．５μ
m 以下の磁性層を形成するのが困難となってくる。ただ
し、あまり長すぎると塗膜表面の特にディスク内周部が
乾燥し、十分なレベリング効果が得られなくなってくる
ばかりでなく、磁性粒子の配向性も悪くなる。また振り
切り時には、磁界を印可しても良く、磁性塗料の粘度は
１００〜１０００ｃｐｓ程度となることが好ましい。

【００８２】磁性塗料を塗布した後は、溶剤蒸気中に
て、磁界を印加した状態で、基板を回転させて塗膜のレ
ベリングを行なうことが好ましい。なお、レベリング用
の装置とスピンコート用の装置とを兼用し、スピンコー
トとレベリングとを溶剤蒸気中にて行ってもよい。

【００８３】各配向工程における磁界の印加方法は特に
限定されないが、垂直配向工程において磁性膜に垂直な
方向に磁界を印加するためには、例えば、磁性塗膜を挟
んで異極同士が対向するように少なくとも一対の配向用
磁石を設け、これらの磁石間で基板を回転させることが
好ましい。また、垂直方向の磁界に併せて、面内方向の
磁界を印加してもよい。

【００８４】配向用磁石による磁界は、塗膜中にて１０
００〜１００００ Ｇ程度、基板の回転数は１００〜５
００ｒｐｍ程度、配向時間は１０秒間〜１０分間程度と
することが好ましい。配向時の雰囲気中には、前述した
溶剤蒸気を存在させてもさせなくてもよい。

【００８５】その後、磁性塗料硬化のために硬化処理を
行なう。バインダーが熱硬化性樹脂の場合、熱処理温
度、熱処理時間等の各種条件はバインダーの種類に応じ
て適宜設定すればよいが、通常１５０〜３００℃程度に
て１〜５時間程度である。また、放射線硬化性樹脂の場
合には、常温において、３〜１０Ｍｒａｄの線量に設定
すればよい。硬化処理時の雰囲気は不活性ガス雰囲気
中、特に窒素雰囲気中であることが好ましい。磁性塗膜
硬化後の磁性層の膜厚は、０．５μm 以下、特に０．３
μm 以下とすることが好ましい。

【００８６】磁性塗料の硬化後、磁性層表面のポリッシ
ングを行なうことが好ましい。ポリッシングは研磨テー
プ等の各種研磨材により行なえばよい。このポリッシン
グにより磁性層の表面粗さを所望の値とすることがで
き、また、これにより磁性層の厚さを調整することもも
ちろん可能である。

【００８７】磁性層を研磨後、磁性層表面に液体潤滑剤
を塗布し、磁性層中に含浸させることが好ましい。用い
る液体潤滑剤に特に制限はないが、潤滑性が良好である
ことから、フッ素を含む有機化合物を含有する液体潤滑
剤を用いることが好ましい。液体潤滑剤の塗布方法に制
限はなく、例えば、ディップ法、スピンコート法等を用
いればよい。

【００８８】液体潤滑剤の含浸後、バニッシングを行な
うことにより、磁気ディスク表面の平滑性をさらに向上
させることが好ましい。なお、このような液体潤滑剤
は、磁性塗料に含有させてもよい。

【００８９】次に、本発明の磁気記録再生方法に使用す
る薄膜型磁気ヘッドについて説明する。

【００９０】本発明に用いる薄膜型磁気ヘッドは、リン
グ型の記録ヘッドとＭＲ再生ヘッドより構成されてい
る。記録ヘッドの少なくともギャップ部付近は飽和磁束
密度０．７Ｔ以上４程度以下の軟磁性材料で形成されて
おり、また、インダクタンスが２μＨ以下であることが
必要となる。なお、インダクタンスの下限値は、０．１
μＨ程度である。

【００９１】薄膜型磁気ヘッドは、高密度記録や高速デ
ータ転送が可能である等の優れた諸特性を有する。

【００９２】図１に、本発明に用いる薄膜型磁気ヘッド
の好適例を示す。

【００９３】図１に示される薄膜型磁気ヘッドは、スラ
イダ１上に、絶縁下地層２、下部シールド層３が設けら
れ、上記下部シールド層３上にＭＲ素子４がギャップ絶
縁層５に挟まれるように形成され、さらに上記ギャップ
絶縁層５の上に上部シールド層６が形成されている。

【００９４】上記下部シールド層３、ＭＲ素子４、ギャ
ップ絶縁層５および上部シールド層６により、再生用の
ＭＲヘッド部が構成される。

【００９５】ＭＲヘッド部の上に絶縁層７および下部磁
性層８が形成され、絶縁ギャップ層９に挟まれてコイル
導体１０が形成されている。さらにその上に上部磁性層
１１および保護層１２が形成され、記録用インダクティ
ブヘッド部を形成する。

【００９６】本発明において、スライダ１の材料は従来
公知の種々のものを用いればよく、例えばセラミック
ス、フェライト等により構成すればよい。

【００９７】この場合、セラミックス、特にＡｌ₂ Ｏ₃
−ＴｉＣを主成分とするセラミックス、ＺｒＯ₂ を主成
分とするセラミックス、ＳｉＣを主成分とするセラミッ
クスまたはＡｌＮを主成分とするセラミックスが好適で
ある。なお、これらには、添加物としてＭｇ、Ｙ、Ｚｒ
Ｏ₂ 、ＴｉＯ₂ 等が含有されていてもよい。

【００９８】スライダ１の形状やサイズ等の諸条件は公
知の何れのものであってもよく、用途に応じて適宜選択
すればよい。

【００９９】上記絶縁下地層２の材料としては従来公知
のものは何れも使用可能であり、例えば、薄膜作成をス
パッタ法により行なうときには、ＳｉＯ₂ 、ガラス、Ａ
ｌ₂Ｏ₃ 等を用いることができる。

【０１００】上記下部シールド層３は、従来公知の材料
が使用できるが、パーマロイ等のＮｉ−Ｆｅ系合金等が
好適であり、スパッタ法やメッキ法等により形成され
る。

【０１０１】上記ＭＲ素子４は、下部シールド層３の上
にスパッタ法等により形成された下部ギャップ絶縁層５
上にスパッタ法等により成膜、パターンニングをするこ
とにより形成される。ＭＲ素子４には、Ｃｕ等によるリ
ード部がメッキ法等によって形成される。

【０１０２】また、ＭＲ素子４にバイアスを与えるため
のシャント層、ソフト・フィルム・バイアス層がスパッ
タ法等により必要に応じて設けられてもよい。

【０１０３】ＭＲ素子４の材料は磁気抵抗効果の大きい
材料であれば良く、特に制限はないが、パーマロイ等の
Ｎｉ−Ｆｅ系合金等が好適である。

【０１０４】上記ギャップ絶縁層５には、ＳｉＯ₂ 、Ａ
ｌ₂ Ｏ₃ 等を用いることができる。

【０１０５】上記上部シールド層６の材料としては、従
来公知の材料が使用できるが、パーマロイ等のＮｉ−Ｆ
ｅ系合金等が好適であり、スパッタ法やメッキ法等によ
り形成される。

【０１０６】上記絶縁層７の材料としては従来公知のも
のが何れも使用可能であり、例えば、薄膜作成をスパッ
タ法により行なうときには、ＳｉＯ₂ 、ガラス、Ａｌ₂
Ｏ₃等を用いることができる。絶縁層７の膜厚やパター
ンは公知の何れのものであってもよく、例えば膜厚は５
〜４０μｍ程度とする。

【０１０７】磁性層は、図示のように、上記下部磁極層
８と、上部磁極層１１として設けられる。本発明では、
下部磁極層８および上部磁極層１１には、０．７Ｔ以上
の飽和磁束密度を有する軟磁性薄膜を用いる。これらの
磁極層の構成材料に特に制限はないが、センダスト等の
Ｆｅ−Ａｌ−Ｓｉ系合金、スーパーセンダスト等のＦｅ
−Ａｌ−Ｓｉ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｓｉ系合金、パーマ
ロイ等のＮｉ−Ｆｅ系合金、Ｆｅ−Ｎ系合金などの各種
軟磁性材料から選択すればよい。また、軟磁性薄膜を、
これらの各種Ｆｅ系合金の多層膜構造としてもよい。

【０１０８】なお、下部磁極層８と、上部磁極層１１の
組成は、同一でも異なっていてもよい。

【０１０９】下部および上部磁極層８、１１のパター
ン、厚さ等は公知の何れのものであってもよい。例え
ば、磁極層の厚さは１〜５μｍ程度とすればよい。

【０１１０】上記ギャップ層９には、ＳｉＯ₂ 、Ａｌ₂
Ｏ₃ 等の公知の種々の材料を用いればよい。

【０１１１】また、ギャップ層９のパターン、厚さ等は
公知の何れのものであってもよい。例えば、ギャップ層
９の厚さは０．２〜１．０μｍ程度とすればよい。

【０１１２】コイル層１０の材質には特に制限はなく、
通常用いられるＡｌ、Ｃｕ等の金属を用いればよい。コ
イルの巻回パターンや巻回密度についても制限はなく、
公知のものを適宜選択使用すればよい。例えば巻回パタ
ーンについては、図示のスパイラル型の他、積層型、ジ
グザグ型等何れであってもよい。また、コイル層１０の
形成にはスパッタ法、めっき法、蒸着法等の各種被着法
を用いればよい。

【０１１３】図示例ではコイル層１０は、いわゆるスパ
イラル型としてスパイラル状に下部磁極層８および上部
磁極層１１間に配設されており、そして絶縁層９により
磁極層から絶縁されている。

【０１１４】また、上記保護層１２のパターンや厚さ等
は従来公知のものが何れも使用可能であり、例えば厚さ
は１０〜５０μｍ程度とすればよい。

【０１１５】なお、本発明ではさらに各種樹脂コート層
などを積層してもよい。

【０１１６】このような薄膜型磁気ヘッドの製造工程
は、通常、薄膜作成とパターン形成とによって行なわれ
る。

【０１１７】各層の薄膜作成には、上記したように、従
来公知の技術である気相被着法、例えば真空蒸着法、ス
パッタ法、あるいはめっき法等を用いればよい。

【０１１８】薄膜型磁気ヘッドの各層のパターン形成
は、従来公知の技術である選択エッチングあるいは選択
デポジションにより行なうことができる。

【０１１９】エッチングとしてはウェットエッチングや
ドライエッチングにより行なうことができる。

【０１２０】以上説明したような薄膜型磁気ヘッドは、
アーム等の従来公知のアセンブリと組み合わせて使用さ
れる。浮上量は、スライダの形状変更、ジンバル、サス
ペンション等の荷重変更、磁気ディスクの回転数の変更
などに種々の値に設定することができる。

【０１２１】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を挙げ本発明を
さらに詳細に説明する。

【０１２２】塗布型磁気ディスクの作製 磁性層の異なる磁気ディスクＥ、Ｆ、Ｇ、Ｈ、Ｉ、Ｊ、
Ｋを作製した。各磁気ディスクに用いた磁性粉を下記に
示す。

【０１２３】 磁気ディスク 磁性粉 組成 保磁力(Oe) Ｅ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉ Ｂａフェライト １７５０ Ｊ α−Ｆｅ １８００ Ｋ Ｃｏ−γ−Ｆｅ₂ Ｏ₃ ７７０

【０１２４】これらの磁性粉を用い、磁性塗料を以下の
組成に調製した。

【０１２５】 磁性粉 １００重量部 α−Ａｌ₂ Ｏ₃ ３重量部 ポリビニルフェノール樹脂 ８重量部 （マルカリンカＳ２Ｐ、丸善石油化学社製） エポキシ樹脂 ８重量部 （エピコート１００４、シェル化学社製） リン酸エステル ７量部 （フォスファロール６１０Ｅ） シクロヘキサノン／イソホロン（１／１混合溶剤） ３２５重量部

【０１２６】上記組成物をボールミル中にて１４０時間
混合、分散させた。塗料の粘度は１５０〜９００cps で
あった。

【０１２７】このようにして得られた磁性塗料を３．５
インチ径のディスク状アルミ基板の両面にスピンコート
法により塗設した。磁気ディスクＥ，Ｆ，Ｇ，Ｈ，Ｉに
ついては、振り切り時の回転数３５００〜４５００ｒｐ
ｍ、時間１０〜２０秒にて塗布を行い、硬化後の平均塗
膜厚が０．３０μｍとなるように塗設した。磁気ディス
クＪについては、振り切り時の回転数２５００〜３５０
０ｒｐｍ、時間１０〜２０秒にて塗布を行い、硬化後の
平均塗膜厚が０．４０μｍとなるように塗設した。

【０１２８】なお、用いたアルミ基板の表面粗さＲｍａ
ｘは０．０３８μｍであった。そして、空気中にシクロ
ヘキサノン蒸気を存在させた雰囲気中にて、棒状のＮＳ
対向磁石を配したレベリング装置を用いてディスクを回
転させ、室温２３℃にて塗膜のレベリングを行なった。

【０１２９】次に、対向磁石を配した配向装置によりデ
ィスク円周方向に配向処理を行なった後、塗料を乾燥さ
せた。配向磁界は、磁気ディスクＥ，Ｆ，Ｇについては
異極の対向磁石を用い、塗料にて１０００〜７０００Ｇ
の範囲の磁界とした。磁気ディスクＨ，Ｉ，Ｊ，Ｋにつ
いては同極の対向磁石を用い、塗料にて５００〜４００
０Ｇの範囲の磁界とした。配向時の回転数は２００ｒｐ
ｍ、配向時間は４５秒とした。

【０１３０】次に窒素気流中、２００℃で３時間硬化処
理を行なった後、テープ研磨装置により研磨テープWA60
00またはWA8000（日本ミクロコーティング社製）を用い
て、膜厚の微調整と磁性層の平滑化処理を行なった。

【０１３１】次いで、ディスクを洗浄し、濃度０．１％
のフルオロカーボン（FOMBLIN AM2001 :モンテカチー社
製）のフロン溶液をディップ法により塗布し、含浸さ
せ、上記の塗布型磁気ディスクを作製した。

【０１３２】上記磁気ディスクの全てにつき、ＪＩＳ
Ｂ ０６０１ に記載されている方法で磁性層の表面粗
さ（Ｒａ）を測定したところ、全て５ｎｍ以下であっ
た。

【０１３３】薄膜型磁気ディスクの作製 磁性層の保磁力が異なる薄膜型磁気ディスクのサンプル
Ｌ，Ｍ，Ｎを下記のようにして作製した。

【０１３４】まず、３．５インチ径のディスク状アルミ
基板上に、無電解メッキ法により膜厚２０μｍのＮｉ−
Ｐ下地層を形成し、砥粒研磨装置により表面平滑化を行
なった。

【０１３５】この下地層上に、マグネトロンスパッタ装
置により膜厚０．２μｍのＣｒ層を形成した後、膜厚
０．０５μｍのＣｏ−Ｎｉ−ＣｒまたはＣｏ−Ｎｉ−Ｔ
ａ合金磁性層を形成した。なお、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｔａ合金
磁性層における保持力等の変更は、基板加熱条件および
Ａｒガス圧を変えることにより行った。

【０１３６】この磁性層上に、ＲＦマグネトロンスパッ
タ法により膜厚０．０４μｍのカーボン保護膜を形成し
た。

【０１３７】さらに、カーボン保護膜上に、前記フルオ
ロカーボンのフロン溶液を塗布し、保護潤滑膜を形成し
て、上記薄膜型磁気ディスクを作製した。

【０１３８】薄膜型浮上型磁気ヘッドの作製 インダクティブ薄膜型磁気ヘッド 図１に示されるように、スライダ１上に順次、絶縁下地
層２、下部シールド層３、ＭＲ素子４、ギャップ絶縁層
５および上部シールド層６を形成し、ＭＲ再生ヘッド部
を形成した。

【０１３９】更に、ＭＲ再生ヘッド部の上に、絶縁層
７、下部磁性層８、ギャップ絶縁層９、コイル導体１
０、上部磁極層１１および保護層１２を有するインダク
ティブヘッド部を形成し、インダクティブＭＲ複合薄膜
ヘッドを製造した。各層の形成には、スパッタ法および
メッキ法を用い、パターン形成には、ドライエッチング
を用いた。

【０１４０】スライダ１には、Ａｌ₂ Ｏ₃ −ＴｉＣを用
いた。絶縁層２にはＡｌ₂ Ｏ₃ を用いた。下部および上
部シールド層３、６は飽和磁束密度０．８Ｔのパーマロ
イ膜とし、メッキ法により形成した。

【０１４１】ギャップ層５には、Ａｌ₂ Ｏ₃ を用い、Ｍ
Ｒ素子４は下部ギャップ絶縁層上にパーマロイをスパッ
タ法により形成し、ドライエッチングでパターンニング
することにより形成し、その上に上部ギャップ絶縁層を
形成し、ギャップ絶縁層を形成した。

【０１４２】ＭＲ素子４の厚み（ギャップ長）は、０．
３５μｍとした。絶縁層７には、Ａｌ₂ Ｏ₃ を用い、膜
厚は３０μｍとした。下部および上部磁性層８、１１
は、厚さがそれぞれ１．７μｍおよび２．０μｍで飽和
磁束密度０．８Ｔのパーマロイ膜とし、マグネトロンス
パッタ法により形成した。

【０１４３】ギャップ絶縁層９にはＳｉＯ₂ を用い、ギ
ャップ長は０．３５μｍとした。

【０１４４】コイル層１０には、Ｃｕを用い、スパイラ
ル状に形成した。また、保護膜１２には、Ａｌ₂ Ｏ₃ を
用い、膜厚は４０μｍとした。

【０１４５】図３に示されるように、スライダーブロッ
クを形成し、ジンバルおよびアームを取り付けて浮上型
磁気ヘッドとした。これを磁気ヘッドＡとした。

【０１４６】インダクティブ薄膜型磁気ヘッドの作製 図２に示されているように、スライダ１３上に順次、絶
縁層１４、下部磁性層１５、ギャップ絶縁層１６、コイ
ル導体１７、ギャップ絶縁層１６、上部磁性層１８およ
び保護層１９を形成し、インダクティブ薄膜型磁気ヘッ
ドを製造した。各層の形成にはスパッタ法を用い、パタ
ーン形成には、ドライエッチングを用いた。

【０１４７】スライダ１３には、Ａｌ₂ Ｏ₃ −ＴｉＣを
用いた。絶縁層１４には、Ａｌ₂ Ｏ₃ を用い、膜厚は３
０μｍとした。下部および上部磁性層１５、１８は、厚
さがそれぞれ１．７μｍおよび２．０μｍで飽和磁束密
度０．８Ｔのパーマロイ膜とし、マグネトロンスパッタ
法により形成した。

【０１４８】ギャップ絶縁層１６にはＳｉＯ₂ を用い、
ギャップ長は０．６５μｍとした。コイル層１７には、
Ｃｕを用い、スパイラル状に形成した。また、保護膜１
２には、Ａｌ₂ Ｏ₃ を用い、膜厚は４０μｍとした。こ
れを上記と同様に図３に示されるように、スライダーブ
ロックを形成し、ジンバルおよびアームを取り付けて浮
上型磁気ヘッドとした。これを磁気ヘッドＢとした。

【０１４９】ＭＩＧ型磁気ヘッド（図４参照）、フェラ
イト磁気ヘッドの作製 飽和磁化０．３６ＴのＭｎ−Ｚｎ焼結フェライトブロッ
クを切削加工によりＶ形状の溝を成形した後、マグネト
ロンスパッタ法により、飽和磁束密度１．１Ｔ、膜厚２
μｍのセンダスト膜２２を形成した。さらにこれを切削
加工して、低融点ガラス２３により溶融接着してギャッ
プ２４を形成し、磁気ヘッドコア２１を作製した。ギャ
ップはＳｉＯ₂ により形成し、ギャップ長は０．３μｍ
とした。

【０１５０】この磁気ヘッドコアにターン数２４のＣｕ
コイルを形成し、ＭＩＧ型の磁気ヘッドとした。これに
ジンバルおよびアームを取り付けて、浮上型の磁気ヘッ
ドとした。これを磁気ヘッドＣとした。

【０１５１】一方、飽和磁化０．３６ＴのＭｎ−Ｚｎ焼
結フェライトブロックを切削加工し、前記ＭＩＧヘッド
と同様にしてフェライト磁気ヘッドを作製した。これを
磁気ヘッドＤとした。

【０１５２】評価方法 まず、磁気ディスクのサンプルの磁性層の平均膜厚
（ｔ）を求めた。磁性層の厚さ（ｔ）は、あらかじめ被
測定ディスクに磁性層の無い領域を設け、触針式表面粗
さ計（タリステップ）を用いてその場所の段差から求め
た。

【０１５３】また、ヘッド走行方向の保磁力（Ｈｃ）、
記録面と垂直方向の角形比（Ｓ⊥）および保磁力角形比
（Ｓ⊥＊）を測定した。保磁力（Ｈｃ）、角形比（Ｓ
⊥）および保磁力角形比（Ｓ⊥＊）は、振動試料型磁力
計（ＶＳＭ）を用い、最大印加磁界１０ＫＧの条件下で
求めた。なお、垂直方向の特性は、反磁界補正を行い求
めた。

【０１５４】次に、上記の各磁気ヘッドについて、ギャ
ップ部付近の飽和磁束密度（Ｂｓ）およびインダクタン
ス（Ｉ）を測定した。飽和磁束密度については、磁性膜
を成膜した後、振動試料型磁力計（ＶＳＭ）を用い測定
した。インダクタンスはインピーダンスアナライザ（ヒ
ューレットパッカード社製）を用い測定した。

【０１５５】また、各磁気ディスクに対して、各浮上型
磁気ヘッドを搭載した磁気ディスク装置にて記録・再生
を行なって下記の測定を行なった。組合せは、表１に示
す通りとした。

【０１５６】測定に使用したインダクティブ−ＭＲ複合
薄膜磁気ヘッドは、記録ギャップ長０．７μｍ、再生ギ
ャップ長０．３μｍである。そして、記録・再生時のヘ
ッド浮上量は０．１３μｍとした。ヘッド浮上量は、磁
気ディスク表面と磁気ヘッド浮揚面のギャップ部との距
離である。

【０１５７】浮上量の測定は、下記のようにして行なっ
た。測定用の石英製ディスクを上記各測定と同様な条件
にて回転させてディスク表面に各浮上型磁気ヘッドを浮
上させ、そのとき石英製ディスクの裏面側から白色光を
浮上型磁気ヘッドのギャップ部に照射し、その反射光と
ディスク表面からの反射光との干渉を検出して浮上量を
算出した。

【０１５８】記録密度Ｄ₇₀を測定した。すなわち、記録
周波数を変化させ、再生出力のＰ−Ｐ（ｐｅａｋ ｔｏ
ｐｅａｋ）値が孤立波再生出力Ｐ−Ｐ値の７０％まで
減少したときの記録周波数から記録密度Ｄ₇₀を求めた。

【０１５９】次に、変調ノイズ特性（Ｃ／Ｎ）を測定し
た。Ｃ／Ｎ比は、１９ＭＨｚの信号を記録し、スペクト
ルアナライザー（ヒューレットパッカード社製）によ
り、１９ＭＨｚの再生出力と６ＭＨｚでの変調ノイズと
の差より求めた。

【０１６０】さらに、オーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）を
測定した。Ｏ／Ｗは、１Ｆ信号（９ＭＨｚ）に２Ｆ信号
（２．２５ＭＨｚ）を重ね書きしたときの１Ｆ信号の減
衰量で評価し、これはスペクトルアナライザー（ヒュー
レットパッカード社製）で測定した。

【０１６１】ビットシフト（ＢＳ）の評価は、１−７変
調コードにより周波数１３．５ＭＨｚで最悪パターン
（３Ｅ１Ｅ）を記録し、サンプリング数１０Ｅ９回での
ビットシフト量（ＢＳ）をタイムインターバルアナライ
ザー（ＩＴＩ社製）で測定した。なお、バリウムフェラ
イト磁性粒子を用いた塗布型媒体の評価では、微分回路
を省略して測定した。

【０１６２】結果を表１に示す。

【０１６３】

【表１】

【０１６４】表１に示した結果から、本発明の効果が明
らかである。

【０１６５】すなわち、本発明の組合せ No.１〜３では
７７ＫＦＣＩ以上の高い線記録密度（Ｄ₇₀）と、４５ｄ
Ｂ以上の変調ノイズ特性（Ｃ／Ｎ）と、−４１ｄＢ以上
の充分なオーバーライト特性（Ｏ／Ｗ）と、９．１ｎｓ
の以下のビットシフト（ＢＳ）とが得られた。

【０１６６】これに対し、磁性層の記録面と垂直方向の
角形比（Ｓ⊥）および保持力角形比（Ｓ⊥＊）がそれぞ
れ０．７０未満、０．９０未満の組合せ No.４および５
では、変調ノイズ特性は良好であったが、オーバーライ
ト特性およびビットシフト特性が悪化した。

【０１６７】また、α−ＦｅまたはＣｏ−γ−Ｆｅ₂ Ｏ
₃ を含有する塗布型磁性層を有する磁気ディスクを用い
た組合せ No.６および７では、ビットシフトの評価に従
来の回路を用いているが、線記録密度、変調ノイズ特性
が悪く、また、ビットシフト特性も十分ではなかった。

【０１６８】また、薄膜型磁性層を有する磁気ディスク
を用いた組合せ No.８、９および１０では、ビットシフ
トの評価に従来の回路を用いているが、線記録密度が悪
く、また、ビットシフト特性も十分ではなかった。

【０１６９】また、薄膜型磁気ヘッドを用いた組合せ N
o.１１では、線記録密度は良好であったが、変調ノイズ
特性、オーバーライト特性およびビットシフト特性が悪
化した。

【０１７０】更にまた、また、ＭＩＧ型磁気ヘッドまた
はフェライト磁気ヘッドを用いた組合せ No.１２および
１３では、線記録密度、変調ノイズ特性、オーバーライ
ト特性およびビットシフト特性が悪化した。

【０１７１】上記の実施例のみならず、フレキシブルな
基体を用いた磁気テープやフロッピーディスクについて
も同様の効果が認められた。すなわち、本発明は媒体や
ヘッドの形態はどのようなものにでも適用することがで
きる。

【０１７２】

【発明の効果】本発明によれば、高密度記録が可能で高
い信頼性を有する磁気記録再生方法が、低コストで実現
する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に用いられる塗布型磁気ヘッド
の１例を示す断面図である。

【図２】比較例に用いられる薄膜型磁気ヘッドの１例を
示す断面図である。

【図３】図１に示された塗布型磁気ヘッドにおけるスラ
イダブロックの１例を示す図である。

【図４】比較例に用いられるＭＩＧ型磁気ヘッドの１例
を示す断面図である。

【符号の説明】 １ スライダ ２ 絶縁下地層 ３ 下部シールド層 ４ ＭＲ素子 ５ ギャップ絶縁層 ６ 上部シールド層 ７ 絶縁層 ８ 下部磁性層 ９ ギャップ絶縁層 １０ コイル導体 １１ 上部磁性層 １２ 保護層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 福田 一正 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (72)発明者 酒井 正則 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 テ ィーディーケイ株式会社内 (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G11B 5/09 G11B 5/02

Claims (6)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 非磁性基体上に、六方晶系フェライト磁
   性体を含有する磁性層を有する磁気記録媒体に対し、薄
   膜型磁気ヘッドにより磁気記録再生を行う方法であっ
   て、 前記磁性層の膜厚が０．５μm 以下であり、かつ前記磁
   性層の記録面と垂直方向の角形比（Ｓ⊥）が０．７０以
   上であり、 前記薄膜型磁気ヘッドが、少なくともギャップ部付近が
   飽和磁束密度０．７Ｔ以上の軟磁性材料で形成されてい
   る記録ヘッドと磁気抵抗効果（ＭＲ）を有する軟磁性材
   料で形成された再生ヘッドで構成され、 前記磁気ヘッドからの再生出力を微分回路を通すことな
   くゼロクロス検出を行うことを特徴とする磁気記録再生
   方法。
2. 【請求項２】 前記六方晶系フェライト磁性体がバリウ
   ムフェライト系磁性体であり、かつ磁性層の記録面と垂
   直方向の保磁力角形比（Ｓ⊥＊）が０．９０以上である
   請求項１に記載の磁気記録再生方法。
3. 【請求項３】 前記薄膜型磁気ヘッドのインダクタンス
   が２μＨ以下である請求項１または２に記載の磁気記録
   再生方法。
4. 【請求項４】 前記磁気記録媒体が磁性塗料を塗布して
   形成された磁性層を有する塗布型媒体である請求項１な
   いし３のいずれかに記載の磁気記録再生方法。
5. 【請求項５】 前記磁性層の表面粗さ（Ｒａ）が５ｎｍ
   以下である請求項１ないし４のいずれかに記載の磁気記
   録再生方法。
6. 【請求項６】 前記磁性層のヘッド走行方向の保磁力
   （Ｈｃ）が１１００Ｏｅ以上である請求項１ないし５の
   いずれかに記載の磁気記録再生方法。