CN1446028A

CN1446028A - 配线基板、电子装置、电光学装置，及电子仪器

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Publication number: CN1446028A
Application number: CN03107244.5A
Authority: CN
Inventors: 宫泽贵士
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: BOE Technology Group Co Ltd; BOE Technology HK Ltd
Priority date: 2002-03-20
Filing date: 2003-03-19
Publication date: 2003-10-01
Anticipated expiration: 2023-03-19
Also published as: TWI259575B; KR20030079684A; JP2004004610A; KR100574261B1; JP4015044B2; TW200306661A; CN1285242C

Abstract

一种减小由导电性部位产生的寄生容量等，获得稳定的性能。在基板(15)上配置(4)以下低介电率的部件(18)，同时，设置由低介电率部件(18)区分的功能膜(140)。

Description

配线基板、电子装置、电光学装置，及电子仪器

技术领域

本发明是关于电光学装置和半导体装置等电子装置、适于电子装置的配线基板、适于显示装置的电光学装置电子仪器。

技术背景

作为显示装置，有具有液晶元件、有机电致发光(以下称有机EL)元件的液晶显示装置和有机EL显示装置等电光学装置。特别是有机EL显示装置以高辉度自发光，可直流低压驱动，可高速应答等，所以显示性能优良。而且，显示装置可薄型化、轻量化、低耗电化(例如，特许文献1)。

[特许文献1]国际公开第WO98/36406号小册子

然而已知在电光学装置中，由于配线间等产生寄生容量，会对数据重写动作带来障碍。这种配线间的容量取决于配线长度等，随着配线增长而加大，例如，将电光学装置用作显示装置时，成为妨碍大画面的原因。

近年来的现状是在存储器等半导体装置中，要求高度集成化，同时也要求动作高速化，在配线等导电性部位之间产生的容量就成了问题。

发明内容

本发明的目的就是鉴于上述问题，而提供一种适于性能稳定化的配线基板，能形成大画面的，而且长期工作稳定的电光学装置，以及使用它们的电子仪器。

为了达到上述目的，本发明的第1种配线基板，其特征在于包括含有配线的基体，和配置在基体上面的具有4以下介电率的部件，在上述上面上设有未形成上述部件的区域。

通常的硅氧化膜介电率为4.2，所以上述部件具有低于该值的介电率。根据本发明的配线基板，由于配置了具有4以下低介电率的部件，例如，在没有形成上述部件的区域内配置电光学材料，在其上方形成电极等导电性部位时，通过该导电性部位和上述配线可减小生成的寄生存容量。

本发明的第2种配线基板，其特征在于包括含有绝缘基板和配线的基体，和配置在基体上面的部件，在上述基体的上面设有未形成上述部件的区域，上述配线配置在上述绝缘基板和上述上面之间，上述部件的介电率比上述绝缘基板的介电率低。

将上述绝基板用于显示装置等时，最好将石英或玻璃等用作上述绝缘基板，这种情况下，上述部件的介电率最好在4以下。

上述配线基板中，上述部件的介电率在3以下，更好在2.5以下。也可在基体上设置多个上述区域。

在上述配线基板中，例如，上述基体中含有有源元件时，通过减小寄生容量，可利用更高频率或高速驱动信号使有源元件工作。作为有源元件，例如有晶体管等半导体元件，和M1M等2个端子的元件等。

在上述基板中，上述部件，例如是包括氧化硅玻璃、烷基硅氧烷聚合物、烷基硅倍半环氧乙烷聚合物、氢化烷基硅倍半环氧乙烷聚合物、聚芳基醚中的任何一种的旋装玻璃膜、金刚石膜、及氟化非晶碳素膜等。

上述部件也可以由多孔质形成。

具体有气凝胶、多孔质氧化硅、分散了氟化镁微粒的凝胶、氟系聚合物、多孔性聚合物、及规定材料含有微粒的物品等。

本发明的电子装置，其特征在于与上述记载基板的上述区域相对应配置功能膜。

上述电子装置中，由于上述功能膜间配置了介电率比较低的上述部件，所以可降低上述功能膜间产生的寄生容量。

在上述电子装置中，在上述功能膜的上方配置电极等导电膜时，上述配线和上述电极由上述部件隔离，所以可降低上述电极和上述配线间产生的寄生容量。特别是上述配线供给信号时，可减轻信号延迟，变弱等问题。作为形成导电膜的材料，例如包括有机导电材料、无机导电材料(金属等)、及它们的混合物等。

上述电子装置中，并不仅限于在上述功能膜的整个周围配置上述部件。

本发明的第1种电光学装置，其特征在于包括含有绝缘基板和配线的基体、配置在上述基体上面的多个像素电极、配置在上述像素电极上方的对电极、在上述多个像素电极和各对电极之间配置的含有电光学材料的功能膜、和设置在上述功能膜周围、配置在上述对电极和上述上面之间的部件，上述部件的介电率比上述绝缘基板的介电率低。

上述电光学装置中，作为上述绝缘基板最好使用石英和玻璃。这种情况下，上述部件的介电率最好在4以下。

本发明的第2种电光学装置，其特征在于包括含有配线的基体、配置在上述基体上面的多个像素电极、配置在上述像素电极上方的对电极、上述多个像素电极和各对电极之间配置的含有电光材料的功能膜、和设有上述功能膜周围、配置在上述对电极和上述上面之间的部件，上述部件的介电率在4以下。

上述的电光学装置中，上述部件的介电率最好在3以下，更好在2.5以下。

作为上述电子光学材料，除了有机电致发光材料外，例如还有液晶元件、电泳动元件或电子释出元件中使用的材料。

上述电光学装置中，上述基体还含有与上述像素电极连接的有源元件，上述配线也包括向上述有源元件供给信号的信号配线。作为上述有源元件，例如有晶体管等半导体元件和M1M等2个端子的元件等。

上述电光学装置中，上述部件，例如是含有氧化硅玻璃、烷基硅氧烷聚合物、烷基硅倍半环氧乙烷聚合物、氢化烷基硅倍半环氧乙烷聚合物、聚芳基醚中的任何一种的旋装玻璃膜、金刚石膜，及氟化非晶碳素膜等。

上述部件也可由多孔质形成。

具体有气凝胶、多孔质氧化硅、分散了氟化镁微粒的凝胶、氟系聚合物、多孔性聚合物，及规定材料中含有微粒的物质等。

上述电光学装置，在上述部件和上述有源元件中间，也可设置抑制物质透过的屏障层。

作为上述部件，使用低介电率材料时，低介电率材料一般多数是多孔质材料、或低密度材料，金属和氧等物质很容易透过，透过的物质很容易产生有源元件劣化、配线等受腐蚀等问题。对此，在上述部件和有源元件之间，通过设置上述屏障层，可抑制引起劣化、腐蚀等原因的物质透过。

上述电光学装置中，上述部件，至少一部分由防止物质透过的保护膜所覆盖。

上述部件由于物质容易透过，所以上述部件至少一部分，用上述保护膜覆盖，可抑制止介于上述部件间的物质扩散。由此，可降低电光学装置内部配线或有源元件的腐蚀和劣化。低介电率材料，一般讲多数是机械性易脆，所以，通过在上述部件上设置保护膜，起到了增强机械性的效果。

本发明的电子仪器，其特征在于作为显示装置，具有上述记载的电子装置。

根据本发明的电子仪器，通过降低寄生容量，例如，对于高频或高速的输入信号，可进行良好、稳定的追踪性显示工作。

附图说明

图1是本发明电光学装置及基板的断面结构示意图。

图2是本发明实施形态例的有机EL显示装置构成模式图。

图3是一例有源矩阵型的有机EL显示装置电路。

图4是像素区域(有机EL装置)断面结构模式示意图，(a)表示高放射型、(b)反向放射型。

图5是隔离件的平面结构形态实例。

图6是高放射型像素区域(有机EL装置)断面结构的放大示意图。

图7是使用制造具有有机EL元件的显示装置工艺实施例，说明本发明电光学装置的制造方法图。

图8是使用制造具有有机EL元件的显示装置工艺实施例，说明本发明电光学装置的制造方法图。

图9是使用制造具有有机EL元件的显示装置工艺实施例，说明本发明电光学装置的制造方法图。

图10是使用制造具有有机EL元件的显示装置工艺实施例，说明本发明电光学装置的制造方法图。

图11是使用制造具有有机EL元件的显示装置工艺实施例，说明本发明电光学装置的制造方法图。

图12有机EL装置的另一形态例示意图。

图13是有机EL装置的另一形态例示意图。

图14是有机EL显示装置电路的另一例示意图。

图15是本发明电子仪器实施例的示意图。

图16是本发明电子仪器另一实施例的示意图。

图17是本发明电子仪器另一实施例的示意图。

图18是本发明电子仪器另一实施例的示意图。

图19是本发明电子仪器另一实施例的示意图。

图20是本发明电子仪器另一实施例的示意图。

图中，10、100-有机EL显示装置；15，121-基质材料；16，142，143-TFT(有源元件)；17，102-发光区域；18，281-隔离件；20，271-屏障层；21，271-保护膜；140-有机EL元件(功能膜)。

具体实施方式

以下对本发明作详细说明。

图1是从概念上表示本发明电光学装置和基板的断面结构，符号10是电光学装置、符号11是配线基板。配线基板11是由含有设在基质材料15上的薄膜晶体管(TFT：Thin Film Transistor，以下称作TFT)等有源元件和绝缘层的多层配线型所构成。电光学装置10，在配线基板11上，设置作为功能膜的含发光层的多个发光区域17，其发光状态，通过有源元件16进行控制。在多个发光区域17的边界，设有作为绝缘层的隔离件(储存件)18。

本发明的电光学装置10，其特征在于隔离件18由低介电率材料形成。隔离件18通过由低介电率材料形成，可降低配线等导电性部位间产生的寄生容量。

低介电率材料的介电率(比介电率)，例如最好在4以下，3以下，更好在2.5以下。低介电率材料，通过由空隙率高的多孔质(有孔体)形成，可得到上述低介电率的低介电率材料。

作为利用低介电率材料形成隔离件18的方法，例如，使用各种涂布法和CVD法(化学气相成长法)等，形成层后，再利用腐蚀和光刻蚀法等，形成图案，得到规定形状的隔离件18。

作为低介电率材料，例如有含有氧化硅玻璃、烷基硅氧烷聚合物、烷基硅倍半环氧乙烷聚合物、氢化烷基硅倍半环氧乙烷聚合物、聚芳基醚中的任何一种的旋装玻璃膜、金刚石膜、及氟化非晶碳素膜等。

进而，作为低介电率材料，例如也可以使用气凝胶、多孔质氧化硅、分散了氟化镁微粒的凝胶、氟系聚合物、多孔性聚合物、及规定材料中含有微粒的物品，等。

作为气凝胶，例如可使用氧化硅气凝胶、以氧化铝为基质的气凝胶。氧化硅气凝胶是利用硅醇盐的溶胶凝胶反应，形成的湿润凝胶，利用超临界干燥，得到的具有均匀超细微结构的多孔质体。氧化硅气凝胶的空隙占体积的90％以上，其余是由凝聚成树枝状的数十nm细微SiO₂微粒构成的材料。而且，通过改变空隙率可调整介电率。

氧化硅气凝胶的制造，是经过利用溶胶－凝胶法制作湿润凝胶的过程、将湿润凝胶熟化的过程、及利用超临界干燥法将湿润凝胶干燥得到气凝胶的超临界干燥过程而制造。超临界干燥法，是将由固相和液相形成的胶体状凝胶物质中的液体，通过置换、去除超临界流体，使凝胶不进行收缩，将凝胶物质进行干燥的适宜方法，可得到具有高空隙率的气凝胶。

另外，形成上述旋装玻璃膜(Spin on glass)时，也可以使用上述超临界干燥法。通过使用超临界干燥法，可进一步提高被覆性和膜质量。

在利用氧化硅气凝胶形成隔离件18时，利用涂布法将湿润的凝胶涂布在基质材料上后，进行超临界干燥，也可以在湿润的凝胶中混合合成树脂(有机物)。这时的合成树脂，是其热变性温度比超临界流体，例如使用醇时，作为其热变性温度比醇的临界温度高的合成树脂，有羟丙基纤维素(HPC)、聚乙烯丁缩醛(PVB)、乙基纤维素(EC)等(其中PVB和EC溶于醇，而不溶于水)。作为溶剂，使用醚时，作为树脂，可选择氯系聚乙烯等，使用CO₂作溶剂时，最好选择HPC等。

多孔质氧化硅(具有多孔性的SiO₂膜)，可利用等离子体CVD法(等离子体化学气相成长法)形成，作为反应气体，使用SiH₄和N₂O。进而，在该SiO₂膜上，形成具有多孔性的SiO₂膜。该SiO₂膜可利用常压CVD法(常压化学气相成长法)形成，使用含有TEOS(四乙氧硅烷)、O₂(氧)和低浓度O₃(臭氧)的反应气体。所谓低浓度O₃，是说比上述TEOS的氧化所需浓度的O₃浓度。

作为氟系聚合物或含它的材料，例如，有全氟烷基-聚醚、全氟烷基胺、或全氟烷基-聚醚-全氟烷基胺的混合膜等。

进而，在规定的聚合物粘合剂中，也可混入可溶性或分散性的碳氟化合物。

作为聚合物粘合剂，有聚乙烯醇、聚丙烯酸、聚乙烯吡咯烷酮、聚乙烯磺酸钠盐、聚乙烯甲基醚、聚乙二醇、聚α-三氟甲基丙烯酸、聚乙烯甲醚-共-马来酸酐、聚乙二醇-共-丙二醇、聚甲基丙烯酸等。

作为碳氟化合物，有全氟辛酸-铵盐、全氟辛酸-四甲基铵盐、C-7和C-10的全氟烷基磺酸铵盐、C-7和C-10的全氟烷基磺酸四甲基铵盐、氟化烷基4级铵碘化物，全氟己二酸、和全氟己二酸的4级铵盐等。

低介电率材料，也可用微粒在微粒间或微粒内，以微孔形成空隙。作为微粒，可使用无机微粒或有机微粒。无机微粒最好是非晶质的。无机微粒最好由金属的氧化物、氮化物、硫化物或卤化物形成，更好是由金属氧化物或金属卤化物形成，尤其好是由金属氧化物或金属氟化物形成。作为金属原子，最好是Na、K、Mg、Ca、Ba、Al、Zn、Fe、Cu、Ti、Sn、In、W、Y、Sb、Mn、Ga、V、Nb、Ta、Ag、Si、B、Bi、Mo、Ce、Cd、Be、Pb和Ni，更好是Mg、Ca、B和Si。也可使用含有二种金属的无机化合物。特别好是二氧化硅，即SiO₂。

无机微粒内的微孔，例如，通过交联形成微粒的氧化硅分子，形成，当交联氧化硅分子时，体积缩小，微粒形成多孔质。具有微孔(多孔质)的无机微粒，利用溶胶-凝胶法(特开昭53-112732号、特公昭57-9051号的各公报记载)或析出法(APPLIEDOPTICS、27、3356页(1988)记载)，可以分散物直接合成。用干燥·沉淀法得到的粉体进行机械粉碎，也可得到分散物。也可使用市售的多孔质无机微粒(例如，二氧化硅熔胶)。具有微孔的无机微粒最好是分散在适当介质中进行使用。作为分散剂，最好是水、醇(例如甲醇、乙醇、异丙醇)和酮(例如，甲基乙酮、甲基异丁酮)。

有机微粒最好也是非晶质的。有机微粒最好是利用单体的聚合反应(例如，乳化聚合法)合成的聚合物微粒。有机微粒的聚合物最好含有氟原子，为了合成含氟聚合物，所使用的含氟原子的单体实例，包括氟烯烃类(例如，氟乙烯、乙烯叉氟化物、四氟乙烯、六氟丙烯、全氟-2，2-二甲基-1，3-二噁茂)、丙烯酸或甲基丙烯酸的氟化烷基酯类、和氟化乙烯醚类。也可以使用含氟原子单体和不含氟单体的共聚物。不含氟原子单体的实例，包括烯烃类(例如，乙烯、丙烯、异丁烯、氯乙烯、氯乙烯叉)、丙烯酸酯类(例如，丙烯酸甲酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸2-乙基己基酯)、甲基丙烯酸酯类(例如，甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸丁酯)、苯乙烯类(苯乙烯、乙烯甲苯、α-甲基苯乙烯)、乙烯醚类(例如，甲基乙烯醚)、乙烯酯类(例如，醋酸乙烯酯、丙酸乙烯酯)、丙烯酸酰胺类(例如，N-tert-丁基丙烯酸酰胺、N-环己基丙烯酸酰胺)、甲基丙烯酸酰胺类和丙烯腈类。

有机微粒内微孔，例如，可通过交联形成微粒的聚合物形成。当交联聚合物时体积缩小，微粒形成多孔质。为了交联形成微粒的聚合物，为了合成聚合物的单体，最好20％摩尔以上形成多官能单体。多官能单体的比率，更好为30-80摩尔％，尤其好为35-50摩尔％，多官能单体的实例，包括二烯类(例如，丁二烯、戊二烯)、多元醇和丙烯酸的酯(例如，乙烯乙二醇二丙烯酸酯、1，4-环己烷二丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯)、多元醇和甲基丙烯酸的酯(例，乙烯乙二醇二甲基丙烯酸酯、1，2，4-环己烷四甲基丙烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯)、二乙烯化合物(例如，二乙烯环己烷、1，4-二乙烯苯)、二乙烯砜、二丙烯酸酰胺类(例如，甲撑二丙烯酸酰胺)和二甲基丙烯酸酰胺类。微粒间的微孔，至少通过重叠2个以上微粒形成。

作为低介电率材料，也可使用具有细微空孔和微粒状无机物的材料。这时，利用涂布形成上述材料层后，进行活化气体处理，通过使气体从层中脱离，形成细微空孔。

也可混入2种以上的超微粒(例如MgF₂和SiO₂)。这时，超微粒，由乙基硅酸酯的热分解生成的SiO₂接合。在乙基硅酸酯的热分解中，利用乙基部分的燃烧，生成二氧化碳和水蒸汽。通过二氧化碳和水蒸汽从层中的脱离，在超微粒间形成空隙。

也可以形成含有由多孔质氧化硅的无机微粉末和粘合剂的层，通过将由含氟聚合物形成的微粒，2个以上进行重叠，也可形成微粒间形成空隙的层。

作为低介电率材料，也可使用在分子结构水平上能提高空隙率的物质，例如，具有树枝状等分支结构的聚合物。

在隔离件18和有源元件16之间，最好设置防金属通过的屏障层20。由低介电率材料形成的隔离部件18，多数情况是由多孔质形成，而且金属等物质很容易透过，透过隔离件18的金属会侵入有源元件16，进行化学反应，导致有源元件16劣化。在隔离件18和有源元件16之间，通过设置上述屏障层20，从而抑制住有源元件16的劣化，并抑制住元件性能的降低。

作为屏障层20的形成材料、例如，除了陶瓷和氮化硅、氧化氮化硅、氧化硅等含硅化合物外，还可使用具有放热效果的材料，例如，铝的氮化物、硅的碳化物、硅的氮化物、硼的氮化物、硼的磷化物等。屏障层20，除了屏障金属外，通过具有放热效果，可减轻由低介电率材料形成的隔离件18受热收缩的影响。

另外，也可使用，例如含有一种稀土元素(如，铈、镱、钐、铒、钇、镧、镉、镝、和钕中的至少一种元素)、和氮、硅、铝、及氧的材料。也可形成氮化钛、氮化钽等具有导电性的层。形成具有导电性的屏障层时，确定民屏障层的厚度和形状，不要使配线实际电阻升高。

由这种材料形成的屏障层，例如可用CVD法，各种涂布法、溅射法、蒸镀法等形成。屏障层20可以是单层结构，也可以是复层结构。

隔离件18，至少一部分由防止液体成分和气体、或金属等物质通过的保护膜21覆盖。由于由低介电率材料形成的隔离件18，很容易被物质侵入，所以在制造过程等中，由于物质的侵入，会降低隔离件18的低介电率性能。隔离件18，至少一部分由上述保护膜21覆盖住，确实能保持隔离件18的低介电性，并获得配线的低容量化。一般讲，低介电率材料的机械特性易脆，上述保护膜在机械特性方面也起到了增强的效果。由于抑制住介于隔离件18间物质的扩散，所以避免了通过隔离件18的物质对其他区域的影响。

作为保护膜21的形成材料，例如有陶瓷和氮化硅、氧化氮化硅、氧化硅等。在隔离件18的棱角处形成膜时，除了无机旋装玻璃系、有机旋装玻璃系、PSG(phosphate glass)外，最好使用柔软性高的无机聚合物和有机聚合物等。

形成旋装玻璃系膜时，可使用上述的超临界干燥法。通过使用超临界干燥法，可进一步提高被覆性和膜质量。

由这种材料形成的保护膜21，可通过使用旋转涂布法、浸渍法、分配器涂布法、回流法等各种涂布法形成。保护膜21可以是单层结构，也可以是复层结构。

也可以形成保护膜21代替上述的屏障层20。即，包括面向有源元件16侧在内，用保护膜21覆盖住隔离件18，可省去屏障层20。此时，可用形成上述屏障层20的材料形成保护膜21。

这样，本发明的电光学装置10，通过利用低介电率材料形成隔离件18，降低了导电性部位间产生的寄生容量，并获得了工作速度的高速化。在工作速度高速化时，除了考虑寄生容量外，还必须考虑配线电阻的降低化，需要整体设计配线结构。本发明的配线基板11，也包括将低介电率材料用于隔离件以外的其他部分时的情况。

以下对将本发明的电光学装置和配线基板适用于使用有机EL元件的有效矩阵(active matrix)型显示装置的实施例进行说明。在参照的各图中，为了在图面上可识别的层和部件的大小，有时将尺寸缩小，与实际的不同。

图2是本发明实施例有机EL显示装置构成的模式示意图，这种有机EL显示装置100，作为有源元件，采用了使用TFT的有效型驱动方式。

显示装置100的结构是在基质材料121上，依次形成以下叠层，即，作为有源元件含有TFT的有源元件部分146、发光层、正孔输送层、及作为含有电子输送层等功能膜的有机EL元件140、阴极154、及封闭部分147等。

作为基质材料121，本例中使用了玻璃基板。除此之外，还可使用硅基板、石英基板、陶瓷基板、金属基板、塑料基板、塑料膜基板等，电光学装置和配线基板中使用的各种公知基质材料。

在基质材料121上，作为发光区域的多个像素区域102以矩阵状配列，进行彩色显示时，例如，与红(Red)、绿(Green)、兰(Blue)各色对应的像素区域102，按规定并行配列。

在各像素区域102中，配置像素电极141，在其旁边，配置信号线132、共同给电线133、扫描线131和未图示的其他像素电极用的扫描线等。像素区域102的平面形状，除了图示的矩形外，也可以是圆形、长圆形等其他形状。例如，使用墨水喷射法等液相工艺形成构成有机EL元件的发光层，和电子或正孔输送层等电荷输送层时，为了在像素电极上方形成均匀的上述层，最好是去掉角的圆形或椭圆形等形状。

封闭部分147是预防水和氧的侵入，防止阴极154或有机EL元件140氧化的部分，包括涂布在基质材料121上的封闭树脂，及贴合在基质材料121上的封闭基板(封闭罐)148。作为封闭树脂的材料，例如，使用热硬化树脂或紫外线硬化树脂等，最好使用热硬化树脂的1种环氧树脂。封闭板148可由玻璃或金属等形成，通过密封剂将基质材料121和封闭基板148封合。在基质材料121的内侧配置干燥剂。两者之间形成的空间形成填充了N₂气的N₂气填充层149。

图3是表示显示装置100的电路结构。

图3中，在基质材料121上配置了多条扫描线131、在相对扫描线131交叉方向上延伸的多条信号线132、和与信号线132并列延伸的多条共同给电线133。与扫描线131和信号线132的各交点相对应，形成上述像素区域102。

信号线132，例如与含有移位寄存器、电位移位器、视频线路和模拟开关的数据侧驱动电路103相连接。扫描线131与含有移位寄存器和电位移位器的扫描侧驱动电路104相连接。

在像素区域102中，设有通过扫描线131将扫描信号供给门电极开关用的第1个TFT142、通过该TFT142保持由信号线132供给图像信号的保持容量145、将由保持容量145保持的图像信号供给门电极的驱动用第2个TFT143、通过该TFT143，与共同给电线133电连接时，由共同共给电线133流入驱动电流的像素电极141(阳极)、和像素电极141和对电极154(阴极)之间夹持的有机EL元件140。有机EL元件140是作为电光学材料含有有机电致发光材料的层，有机EL装置的构成，包括像素电极141、阴极154、及有机EL元件140等。

在像素区域102内，驱动扫描线131打开第1个TFT142时，此时信号线132的电位保持在保持容量145中，根据该保持容量145的状态，确定第2个TFT 143的导通状态。根据当时TFT导通状态的电流量，通过像素电极141，从共同给电线133供给有机EL元件140。根据此时供给的电流量确定有机EL元件140的发光强度。

图4(a)、(b)是有机EL装置的像素区域102断面结构模式示意图，(a)表示所谓的高放射(TOP emission)型、(b)表示所谓的反向放射型。

图4(a)中，在高放射型的有机EL装置的构成是，从与设有TFT143的基质材料121相反侧，射出有机EL元件140发出的光。由此，作为基质材料121，可以是透明的，也可以是不透明的。

作为不透明的基质材料，例如，除了对氧化铝等陶瓷、不锈钢等金属片实施表面氧化等绝缘处理的外，有热硬化性树脂、热可塑性树脂等。像素电极141最好由金属膜等具有反射性的膜构成。图4(a)和(b)中，本实例中，将像素电极141作为阳极，将对电极154作为阴极，也可以将阳极和阴极交换的构成。

图4(b)中，反向放射型的有机EL装置的构成是从设有TFT143的基质材料121侧射出有机EL元件140发出的光。为此，作为基质材料121使用透明或半透明的材料。作为透明或半透明的基质材料，例如有玻璃基板，石英基板、树脂基板(塑料基板、塑料膜基板)等，最好使用廉价的钠钙玻璃基板。使用钠钙玻璃基板时，通过对它实施氧化硅涂布，可保护耐酸碱性弱的钠钙玻璃，同时，可提高基质材料的平坦性。在基质材料上配置滤色膜和含有发光性物质的变色膜、或介电体反射膜，也可控制射出光的波长。

符号281是设在像素区域102边界的隔离件(储存件)。隔离件281在形成有机EL元件140时，具有防止相邻有机EL元件140的材料彼此混合的作用。在该图中，隔离件281的结构是顶边长度小于底边长度呈锥体状，也可以形成顶边长度大于底边长度或相等的结构。

在反向放射型的有机EL装置中，由于其构成是发光层286发出的光，从设有TFT143的基质材料121一侧射出，所以将有效射出光作为目的，所以避免直接在有机EL元件140下配置TFT143，最好将TFT143配置在隔离件281之下。

图5示出了隔离件281平面结构的实施例。

隔离件281位于多个像素区域102的边界，对应多个像素区域102配列形成，并具有开口。

图5(a)中，隔离件281对应于以矩阵状配列的多个像素区域102，设置成格子状。图5(b)中，隔离件281对应于以矩阵状配列的多个像素区域102，设置成线条状。本例中，隔离件281形成图5(a)所示格子状的平面结构。像素区域102的配列和隔离件281的平面形状并不仅限于此，例如，也可以形成每一列分离的配列，所谓三角配列的像素区域及与其对应的形状。也可以根据上图2所示像素电极154的形状。也可以根据上图2所示像素电极154的形状，确定隔离件281的形状。例如，像素电极为去掉角的圆形或椭圆形等形状时，隔离件281与其相吻合也形成无角的形状。

图6是高放射型有机EL装置的放大断面结构图。

图6中，有机EL装置具有基质材料121、由铟锡氧化物(ITO)等透明电极材料形成的像素电极141(阳极)、可由像素电极141输送正孔的正孔输送导285、含有电光物质之一有机EL物质的发光层286(有机EL层)、设在发光层286上面的电子输送层287、设在电子输送层287上面的阴极154(对电极)、和在基质材料121上形成的TFT142、143。阴极154的形成是覆盖整个元件，和像素电极141形成对，起到向有机EL元件140注入电子的作用。该阴极154可是单层结构，也可是复层构件。作为阴极154的形成材料，例如有铝(Al)、镁(Au)、银(Ag)、钙(Ca)，此外还有氟化锂等。这些材料可单独使用，也可使这些单体材料形成叠层膜或形成合金后使用。

TFT142、143，在本例中，双方都形成n道型。另外，TFT142、143并不限于双方都为n道型，也可以使用双方或任一方为P道型的TFT。

TFT142、143，例如具有通过将SiO₂作为主体的底层保护膜201设在基质材料121表面上，由在底层保护膜201上层形成的硅等形成的半导体膜204、205、覆盖半导体膜204、205，设在底层保护膜201上层的门绝缘膜220、在门绝缘膜220的上面内部，在与半导体膜204、205相对部分设置的门电极229、230，覆盖门电极229、230的，设在门绝缘膜220上层的第1层间绝缘膜250、在整个门绝缘膜220和第1层间绝缘膜250上进行开孔，通过接触孔，与半导体膜204、205连接的源电极262、263、在夹持门电极229、230，与源电极262、263相对的位置上设置的，在整个门绝缘膜220和第1层间绝缘膜250上进行开孔，通过接触孔与半导体膜204、205连接的漏电极265、266、和覆盖源电极262、263和漏电极265、266，设在第1层间绝缘膜250上层的第2层间绝缘膜270。

高放射型时，最好将第2层间绝缘膜270形成平坦化膜，由此可抑制光的乱反射。

在第2层间绝缘膜270的上面配置像素电极141，通过设在第2层间绝缘膜270上的接触孔275与像素电极141和漏电极266连接。

另外，第1层间绝缘膜250和第2层间绝缘膜270的材质互为不同时，如图所示，设在第1层间绝缘膜250上的接触孔和设在第2层间绝缘膜270上的接触孔275，形成时最好不要重合。

半导体膜204、205内，夹持门绝缘膜220，与门电极229、230重叠区域，作为道区域246、247。半导体膜204、205内，在道区域246、247的源侧。设置源区域233、236，在道区域246、247的漏侧，设置漏区域234、235。其内，源区域233、236，通过在门绝缘膜220和第1层间绝缘膜250上形成开孔的接触孔，与源电极262、263连接。另一方面，漏区域234、235，通过在门绝缘膜220和第1层间绝缘膜250上形成开孔的接触孔，与和源电极262、263同一层形成的漏电极265、266连接。像素电极141，通过漏电极266与半导体膜205的漏区域235形成电连接。

第2层间绝缘膜270表面内设置有机EL装置以外的部分和阴极154之间，作为利用上述氧化硅气凝胶等低介电率材料形成的第3绝缘层，而设置隔离件281。隔离件281，因为用低介电率材料形成，所以能将寄生容量抑制到很低。

在隔离件281和第2层间绝缘膜270之间，设置由氮化硅、氧化氮化硅、或氮化钛、氮化钽等形成的屏障层271。该屏障层271对于通过隔离件281的金属(例如，碱金属(可动离子))侵入TFT142、143起到了防止作用。

隔离件281的侧面和上面，由无机聚合物或有机聚合物等形成的保护膜272所覆盖。保护膜273可防止液体成分和气体、或金属等物质侵入隔离件281内。利用该保护膜272抑制住了介于隔离件281间的物质扩散。隔离件281内，由保护膜272形成的被覆区域，不限图示的，例如，可用保护膜272全面覆盖隔离件281。

以下参照图7-图11，关于适用制造具有上述有机EL装置的显示装置工艺实施例，说明本发明电光学装置的制造方法(包括配线基板的制造方法)。其中，对上述的含有TFT142、143的有机EL装置，和制造N型和P型驱动电路用TFT的工艺同时进行说明。

首先，如图7(a)所示，对于基质材料121，根据需要，将FEOS(四乙氧硅烷)和氧气等作为原料，利用等离子体CVD法形成由200-500nm厚的硅氧化膜形成的底层保护膜201。作为底层保护膜，除了硅氧化膜外，也可设置硅氮化膜或硅氧化氮化膜。

接着，将基质材料121的温度设定在约350℃，在底层保护膜的表面上，利用ICVD法、等离子体CVD法，形成由30-70nm厚非晶硅膜形成的半导体膜200。作为半导体膜200，并不限于非晶硅膜，也可以是微结晶半导体膜等的含非晶结构半导体膜。也可以是非晶硅锗膜等含有非晶质结构的化合物半导体膜。

接着，对该半导体膜200，利用激光退火法或急速加热法(灯退火法和热退火法等)进行结晶化过程，使半导体膜200结晶化形成聚硅膜。在激光退火法中，例如，用准分子激光时，使用射线束长度尺寸为400mm的线束，其输出强度，例如取为200mJ/cm²。也可以使用YAG激光的第2高频或第3高频。关于线束，其短尺寸方向上的激光强度相当于峰值的90％部分，在各区域每次重叠，使线束进行扫描。

接着，如图7(b)所示，通过使用光刻法等形成图案，除去半导体膜(聚硅膜)200的不需要部分，形成与TFT各形成区域相对应的岛状半导体膜202、203、204、205。

接着，将TEOS和氧气等作为原料，利用等离子体CVD法，形成由60-150nm厚的硅氧化膜或氮化膜(硅氧化氮化膜等)形成的门绝缘膜220。并覆盖住半导体膜200。门绝缘膜220可以是单层结构。也可以是叠层结构。并不仅限于等离子体CVD法，也可使用热氧化法等其他方法。利用热氧化法形成门绝缘膜220时，半导体膜200也进行结晶化，这些半导体膜也可形成聚硅膜。

接着，如图7(c)所示，在整个门绝缘膜220的表面上，形成掺杂硅、硅化物的膜和，含有铝、钽、钼、钛、钨等金属的形成门电极用的导电膜221。该导电膜221的厚度，例如为200nm。接着，在形成门电极用的导电膜221表面上形成制作图案用的屏蔽膜222，在此状态下，进行制作图案，如图7(d)所示，在形成P型驱动电路用晶体管一侧上形成门电极223。此时，在N型像素电极用晶体管和N型的驱动电路用晶体管侧，由于形成门电极用的导电膜221被制作图案用的屏蔽膜222所覆盖，所以形成门电极用的导电膜221不会形成图案。门电极可由单层导电膜形成，也可形成叠层结构。

接着，如图7(e)所示，将在P型驱动电路用晶体管的门电极223、和形成N型像素电极用晶体管的区域和形成N型驱动电路用晶体管的区域上，残留的形成门电极用的导电膜221作屏蔽膜，注入P型杂质元素离子(本例中为硼)。剂量，例如约为1×10¹⁵cm^-2。其结果，杂质浓度，如1×10²⁰cm^-2高浓度的源·漏区域224、225，对于门电极223会形成自身匹配。因此，由门电极223覆盖，没有导入杂质的部分，形成道区域226。

接着，如图8(a)所示，形成由抗蚀膜等形成的制作图案用的屏蔽膜227，安全覆盖P型驱动电路用晶体管侧，而且，覆盖N型像素电极用TFT10和N型驱动电路用晶体管侧形成门电极的区域。

接着，如图8(b)所示，使用制作图案用的屏蔽膜227，将形成门电极用的导电膜221图案化，形成N型像素电极用晶体管和N型驱动电路用晶体管的门电极228、229、230。

接着，将残留的制作图案用屏幕膜227，原状注入n型杂质元素离子(本例中为磷)。剂量，例如为1×10¹⁵cm^-2。结果，对于制作图案用的屏蔽膜227，可自身匹配地导入杂质，在半导体膜203、204、205中形成高浓度源·漏区域231、232、233、234、235、236。此处，在半导体膜203、204、205内，没有导入高浓度磷的区域，比由门电极228、229、230覆盖的区域宽。即，半导体膜203、204、205内，在与门电极228、229、230相对区域的两侧，与高浓度源·漏区域231、232、233、234、235、236之间形成没有导入高浓度磷的区域(下述的低浓度源·漏区域)。

接着，除去制作图案用的屏蔽膜227，在此状态下，注入n型杂质元素离子(本例中为磷)。剂量，例如为1×10¹³cm^-2。

结果如图8(c)所示，在半导体膜203、204、205中，对于门电极228、229、230，自身匹配地导入低浓度的杂质，形成低浓度源·漏区域237、238、239、240、241、242。在与门电极228、229、230重叠的区域内，不导入杂质，形成道区域245、246、247。

接着，如图8(d)所示，在门电极228、229、230的表面侧，形成第1层间绝缘膜250，利用光刻法形成图案，在规定的源电极位置和漏电极位置上，形成接触孔。作为第1层间绝缘膜250，例如，可使用硅氧化氮化膜氧化膜等含硅的绝缘膜。可以是单层，也可是叠层膜。进而，在含氢的气氛中，进行热处理，使半导体膜的不成对键处形成氢的终端(氢化)。也可使用由等离子体激励的氢进行氢化。

接着，由其上，使用铝膜、铬膜或钽膜等金属膜，形成源电极、漏电极的导电膜251。导电膜251的厚度，例如为200-300nm左右。导电膜可为单层，也可为叠层膜。

接着，在源电极、漏电极的位置上形成制作图案用的屏幕膜252，同时，进行图案化，同时形成图8(e)所示的源电极260、261、262、263、及漏电极264、265、266。

接着，如图9(a)所示，形成由氮化硅等形成的第2层间绝缘膜270。该第2层间绝缘膜270的厚度，例如1-2μm。作为形成第2层间绝缘膜270的材料，使用硅氧化膜和有机树脂等可透光的材料。作为有机树脂，可使用丙烯酸、聚酰亚胺、聚酰胺、BCB(苯基环丁烯)等。

接着，如图9(b)所示，腐蚀去除第2层间绝缘膜270，形成达到漏电极266的接触孔275。

接着，如图9(c)所示，例如，将ITO和掺氟形成的SnO₂埋入到接触孔275内，进一步由ZnO和聚苯胺等透明电极材料形成膜，形成与源·漏区域235、236电连接的像素电极141。将该像素电极141作为EL元件的阳极。

接着，如图10(a)所示，形成屏障层271。形成屏障层271的位置，是以后形成的隔离件281的位置，是与第2层间绝缘膜270上的像素电极141相邻接的位置。屏障层271的材料，例如可使用氮化硅、氧化氮化硅、氮化钛、氮化钽等。屏障层271的形成方法，可根据材料适当选择，例如用CVD法、涂布法、溅射法、蒸镀法等。屏障层271，例如将材料膜形成在第2层间绝缘膜270和像素电极141的整个画上，随后，将材料膜利用光刻法形成图案。屏障层271的开口部分与像素电极141的形成位置对应设置。形成时也可使屏障层271的一部分与像素电极141的周边部分重叠。

接着，如图10(b)所示，利用氧化硅气凝胶、多孔质氧化硅等低介电率材料，在屏障层271上形成隔离件281。例如，使用氧化硅气凝胶时，如上述，经过利用溶胶-凝胶法制作湿润凝胶的过程、使湿润凝胶熟化的过程、和利用超临界干燥法将湿润凝胶干燥得到气凝胶的超临界干燥过程，在基质材料121上形成氧化硅气凝胶层，之后，利用腐蚀和光刻蚀法等形成图案，得到规定形状的隔离件281。而且，形成图案时最好使隔离件281的底装入在屏障层271之内。

接着，如图10(c)所示，使用无机聚合物和有机聚合物等材料，形成保护膜272。此时形成的保护膜272，可覆盖住隔离件281的上面和侧面。保护膜272。也可只部分涂布隔离件281形成，或者，在元件的整个面上形成被膜后，再利用光刻法等形成图案。利用该保护膜272可增强隔离件281的机械性能，同时在以后的过程中，能防止物质侵入隔离件281内。当隔离件281的底面形成的比屏障层271狭小时，隔离件281的整个壁面会由保护膜272和屏障层271覆盖住，可有效地防止物质侵入隔离件281内和介于隔离件281间的物质扩散。接着说明的正孔输送层形成材料等，在将液状材料配置在隔离件281的开口位置时，也可将对该液状材料具有疏液性或亲液性的材质用作保护膜272。或者，利用等离子体处理等表面处理，对该液体材料付与所要的亲和力，通过控制保护膜对液体材料的亲和力，很容易配置液体材料，并能提高由该材料形成膜的平坦性。

接着，如图11(a)所示，形成正孔输送层285，覆盖住像素电极141。在正孔输送层285的形成过程中，作为喷出液滴，例如使用墨水喷射装置，可将形成材料喷射到像素电极141上。之后，进行干燥处理和热处理，在像素电极141上形成正孔输送层285。在使用墨水喷射方式形成层中，例如，将墨水喷射头上形成的喷咀H1与像素电极141相对配置，由喷咀H1喷出材料。在像素电极141的周围形成隔离件281，使喷咀H1和基质材料121一边作相对移动，一边向像素电极141喷射，并控制喷咀H1喷出每1滴的液量。

作为墨水喷射方式的喷射技术，有带电控制方式，加压振动方式、电机械变换式、电热变换方式、静电吸引方式等。带电控制方式是由带电电极将电荷付与材料，在偏向电极下控制材料的飞行方向，以喷咀中喷出。加压振动方式是对材料施加30kg/cm²的超高压，使材料由喷咀端都喷出。不加控制电压时，材料直接进行从喷咀中喷出，施加控制电压时，在材料间引起静电的排斥，使材料飞散，不能从喷咀喷出。另外，电机械变换方式，是利用压电元件接受脉冲电信号变形的性质，通过压电元件变形，由可挠曲物质向储存材料的空间付与压力，使材料从该空间挤压出，并从喷咀喷出。电热变换方式，是利用设在储存材料的空间内的加热器，使材料急剧气化，形成气泡，利用气泡的压力将空间内的材料喷出。静电吸引方式是向储存材料的空间内施加微小压力，使材料在喷咀处形成弯月面，在此状态下，通过施加静电引力，将材料抽出。除此之外，利用电场使流体发生粘性变化的方式，和用放电火花飞溅的方式等技术，都可使用。

利用喷射液滴形成正孔输送层285和下述的发光层286、电子输送层287时，最好使用等离子体处理等，预先对像素电极141表面进行亲液化处理，和对隔离件281表面(保护膜272表面)进行疏液化处理。

包括该正孔输送层形成过程在内的以后过程，最好形成无水、无氧的气氛。例如，最好在氮气气氛，氩气气氛等惰性气体气氛中进行。

作为形成正孔输送层285的材料没有特殊限定，可使用公知的材料，例如有吡唑啉衍生物、芳基胺衍生物、二苯乙烯衍生物、三苯基二胺衍生物等。具体示例有特开昭63-70257号、同63-175860号公报、特开平2-135359号、同2-135361号、同2-209988号、同3-37992号、同3-152184号公报中记载的等等，但最好是三苯基二胺，其中，4，4’-二(N(3-甲苯基)-N-苯基按基)联苯最好用。

也可形成正孔注入层，取代正孔输送层，也可同时形成正孔注入层和正孔输送层。此时作为正孔注入层的形成材料，例如有铜酞花菁(CuPc)和聚四氢硫代苯基苯撑乙烯撑、1，1-二-(4-N，N-二甲苯氨基苯基)环己烷、三倍(8-羟基喹啉)铝等，最好使用铜酞花菁(CuPc)。在同时形成正孔注入层和正孔输送层时，例如，在形成正孔输送层之前，先在像素电极侧形成正孔注入层，再在其上形成正孔输送层。这样通过使正孔注入层与正孔输送层一起形成，可控制驱动电压上升，同时可延长驱动寿命(半减期)。

接着，如图11(b)所示，在正孔输送层285上形成发光层286。在形成发光层286的过程中，和正孔输送层285一样，作为喷出液滴，例如，通过使用墨水喷射装置，将形成材料喷射到像素电极141上。之后，进行干燥处理和热处理，在像素电极141上形成发光层286。在对应彩色时，以规定配列形成与兰(B)、红(R)、和绿(G)各色对应的发光层286。

作为发光层286的形成材料，没有特殊限定，可使用低分子的有机发光色素和高分子发光体，即，由各种荧光物质和烯光物质形成的发光物质。在形成发光物质的共轭系高分子中，最好含有芳稀乙烯撑结构的。在低分子荧光体中，例如可使用萘的衍生物、蒽的衍生物、北的衍生物、聚甲炔系、占吨系、香豆素系、花菁系等色素类、8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物、芳香族胺、四苯基环戊二烯衍生物等，或者特开昭57-51781、同59-194393号公报等中记载的公知荧光体。

接着，如图11(c)所示，在发光层286上形成电子输送层287。在电子输送层287的形成过程中，和正孔输送层285及发光层286一样，作为喷出液滴，例如使用墨水喷射装置，将形成材料喷射到像素电极141上。之后，进行干燥处理和热处理，在像素电极上141上形成电子输送层287。

作为电子输送层287的形成材料，没有特殊限定，示例有噁二唑衍生物、蒽醌二甲烷及其衍生物、苯醌及其衍生物、萘醌及其衍生物、蒽醌及其衍生物、四氰基蒽醌二甲烷及其衍生物、芴酮衍生物、二苯基二氰基乙烯及其衍生物、苯酚合苯醌衍生物、8-羟基喹啉及其衍生物的金属络合物等。具体讲，和上述正孔输送层的形成材料一样，示例有特开昭63-70257号、同63-175860号公报、特开平2-135359号、同2-135361号、同2-209988号、同3-37992号、同3-152184号公报中记载的等，最好是2-(4-联苯基)-5-(4-t-丁基苯)-1，3，4-恶二唑、苯醌、蒽醌、三倍(8-羟基喹啉)铝。

将正孔输送层285的形成材料和电子输送层287的形成材料与发光层286的形成材料进行混合，也可用作发光层形成材料。这时，正孔输送层形成材料和电子输送层形成材料的用量，根据使用化合物的种类而不同，考虑它们时，在不损害充分成膜性和发光特性的量范围内，适当确定。通常对于发光层形成材料，取为1-40重量％，最好取为2-30重量％。

接着，如图11(d)所示，在整个基质材料(121)表面上，形成线条状阴极154(对电极)。阴极可以是Al、Mg、Li、Ga等单体材料的单层结构，也可以是叠层结构。或者，可以是Mg∶Ag(10∶1合金)等合金材料的单层结构，也可以是含有合金材料形成层的叠层结构。具体有Li₂O(0.5nm)/Al或LiF(0.5nm)/Al、MgF₂/Al的叠层膜。例如最好在发光层侧形成功函数小的材料，例如，可使用Ga、Ba等，根据材料，有时在下层上形成很薄的一层LiF等。在上部侧(封闭侧)上，使用功函数比下部侧高的材料，例如Al。

这些阴极154，例如最好用蒸镀法、溅射法、CVD法等形成，就防止因热损伤发光层286考虑，最好用蒸镀法形成。

在阴极154的上部，最好使用由蒸镀法、溅射法、CVD法等形成的Al膜、Ag膜。其厚度最好100-1000nm的范围，更好200-500。为了防止氧化，在阴极154上也可设置SiO₂、SiN等的保护层。

利用以上工艺完成有机EL装置、及N型和P型驱动电路用的TFT。

最后，利用封闭树脂，将形成有机EL装置的基质材料121和封闭基板148(参照图6)进行封闭。封闭过程最好在氮、氩、氦等惰性气体气氛中运行。在大气中进行时，阴极154上会产生气孔等缺陷，由于该缺陷部分，水分和氧会侵入阴极154，造成阴极154氧化，很不理想。

将阴极154与基质材料121的配线连接，同时，将电路元件部分146(参照图6)的配线，与设在基质材料121上或外部的驱动IC(驱动电路)连接，得到本实施形态的显示装置100。

图12示出有机EL装置的其他形态例。

图12中示出的有机EL装置与上述实例不同，具有隔断气体和金属离子侵入的封闭层(第1封闭层300、第2封闭层301、及第3封闭层302中的至少一种)。

第1封闭层300形成在第1层间绝缘膜250和第2层间绝缘膜270之间，覆盖住源电极262、263和漏电极265、266，膜厚，例如为50-500nm。作为构成第1封闭层300的材料，例如可用陶瓷和氮化硅、氧化氮化硅、氧化硅等材料。第1封闭层300对于TFT142、143，可防止水分和来自发光层286(EL层)等碱金属(钠)的侵入。

作为构成第1封闭层300的材料，除了封闭碱金属的效果外，可使用具有放热效果的材料。作为这样的材料，例如含有B(硼)、C(碳)、N(氮)中的至少一种元素，和Al(铝)、Si(硅)、P(磷)中的至少一种元素的绝缘膜。例如，可使用铝的氮化物、硅的碳化物、硅的氮化物、硼的氮化物、硼的磷化物等。进而还可使用含有Si、Al、N、O、M的绝缘膜(M是稀土元素中的至少一种，最好是Ce(铈)、Yb(镱)、Sm(钐)、Er(铒)、Y(钇)、La(镧)、Gd(钆)、Dy(镝)、Nd(钕)、中的至少一种元素)。

第2封闭层301形成在第2层间绝缘膜270和像素电极141之间，膜厚，例如50-500nm。作为构成第2封闭层301的材料，例如可用陶瓷、氮化硅、氧化氮化硅、氧化硅等材料。第2封闭层301，对于TFT142、143，可防止水分和来自发光层286(EL层)等的碱金属(钠)的侵入。

作为构成第2封闭层301的材料，可使用上述第1封闭层中作用的材料。除了具有封闭碱金属的效果外，还具有放热效果。

形成该第2封闭层301时，也可省去上述的屏障层271。

第3封闭层302，形成为覆盖阴极154，膜厚，例如50-500nm。作为构成第3封闭层302的材料，例如可用陶瓷、氮化硅、氧化氮化硅、氧化硅等材料。第3封闭层302可防止水分从外部侵入。作为构成第3封闭层302的材料，也可使用上述第1封闭层中使用的材料。除了具有上述封闭碱金属的效果，还具有放热效果。另外，图18的有机EL装置是高放射型的，第3封闭层302最好以较厚的透光材料形成。

另外，取代这种封闭层，或者，除此之外，为提高光射出效率，也可形成低折射率层。低折射率层是透光折射率从基质材料121低的层，例如，可由上述的氧化硅气凝胶构成。

基质材料121的折射率，如玻璃为1.54、石英为1.45。作为低折射率层，也可使用具有多孔性的SiO₂膜和聚合物等其他材料。还可在构成低折射层的材料中，分散干燥剂或化学吸附剂。由此可对低射折率层付与封闭效果。

图13示出了有机EL装置的另一形态实例。

在上述各例中，开关用的TFT142是以所谓的单门结构示出的，但本发明并不仅限于此。即，如图13所示，可以形成由未图示的门线将2个门电极310、311进行电连接的双门结构，或者三门结构等等，也可以形成所谓的多门结构(包括具有直列连接2个以上道区域半导体膜的结构)。多门结构有利于降低关闭电流值，也有利于画面大型化。

图14(a)和(b)示出了有机EL显示装置的其他电路实例。

图14(a)和(b)所示电路，是通过控制电流进行EL元件的通电控制，所谓电流程序方式的电路。图14(a)采用了所谓流行的米勒电路。通过采用这样的电路，可使EL保持恒定的导通状态，并能使EL层稳定地发光。也有利于构成大画面有显示装置。

作为发光层的形成材料，使用高分子发光材料时，可使用侧链上具有发光基的高分子材料，最好是主链上含有共轭系结构的，最好是聚噻吩、聚-p-苯撑、聚芳稀乙烯撑、聚芴及其衍生物。其中，最好是聚芳稀乙烯撑及其衍生物。作为聚芳稀乙烯撑及其衍生物，最好是含有以下述化学式(1)表示的重复单元，总重复单元在50摩尔％以上的聚合物。根据重复单元的结构，更好是含有以化学式(1)表示的重复单元，总重复单元的70％以上聚合物。

-Ar-CR＝CR’-……(1)

[其中，Ar表示芳稀基或杂环化合物基、R，R’分别表示氢、1-20个碳的有机基、过氟烷基、氰基中的基。]

该高分子发光材料，作为除化学式(1)表示的重复单元以外的重复单元，还包括芳香族化合物基或其衍生物、杂环化合物基或其衍生物，以及将它们组合得到的基等。化学式(1)表示的重复单元和其他重复单元，例如，可以由具有醚基、酯基、酰胺基、亚胺基等的非共轭单位进行连接，在重复单元上也可含有这些非共轭部分。

作为聚芳稀乙烯撑类，例如有式(2)所示的PPV(聚(对苯撑乙烯撑))、Mo-PPV(聚(2，5-二甲氧-1，4-苯撑乙烯撑))、CN-PPV(聚(2，5-二己氧-1，4-苯撑-(1-氰基乙烯撑)))、MEH-PPV(聚[2-甲氧-5-(2’-(乙基己氧))]一对苯撑乙烯撑)等的PPV衍生物等。

除上述所示材料之外，例如有聚(对苯撑)、聚烷基芴等，最好是化学式(3)表示的聚烷基芴(具体有如化学式(4)表示的聚烷基芴系共聚物)。[化1][化2]

上述高分子发光材料可以上无规、块状或接枝的共聚物，具有这些的中间结构的高分子，例如可以是带有块状性的无规共聚物。从获得发光量子收率高的高分子发光材料考虑，最好是由完全的无规共聚物带有块状性的无规共聚物和块状或接枝共聚物，因此，形成的有机EL元件，从利用薄膜发光考虑，最好使用固体状态的具有良好发光量子收率的高分子发光材料。

上述材料中，形成发光层时，可使用在形成发光层时的温度下呈液体的材料，或者对所要溶剂呈现良好溶解性的材料，适于墨水喷射法的液体材料等等。作为该溶剂，例如最好用氯仿、二氯甲烷、二氯乙烷、四氢呋喃、甲苯、二甲苯等。根据高分子发材料的结构和分子量，通常在这些溶剂中溶解0.1wt％以上。

作为上述高分子发光材料，分子量以聚苯乙烯换算，最好为10³-10⁷，也可使用分子量在10³以下的低聚物。

通过根据所要高分子发光材料采用合成法，可得到所要的高分子发光材料。例如由在芳稀基上结合2个醛基的二醛化合物、在芳稀基上结合2个卤化甲基的化合物、和三苯基磷化氢得到的二磷盐，由该盐进行的Wittig反应示例。作为其他合成方法，有在芳稀基上结合2个卤化甲基的化合物，从该化合物脱除卤化氢的方法示例。进而，有在芳稀基上结合2个卤化甲基的化合物，将该化合物的磷盐在碱中聚合得到的中间体，再通过热处理得到高分子发光材料的磷盐分解法示例。

具体对上述高分子发光材料之一示例的合成芳稀乙烯撑系共聚物的方法方法进行说明。例如，在利用Wittig反应得到的高分子发光材料时，例如，首先，将二(卤化甲基)化合物，更具体讲，例如将2，5-二辛氧-P-苯撑二甲基二溴化物，在N，N-二甲基甲酰胺溶剂中，与三苯基磷化氢反应，合成磷盐，将该盐和二甲醛化合物，更具体讲，例如和对酞酸甲醛，例如在乙醇中，使用锂乙氧化物进行缩合，通过这种Wittig反应，得到含有苯撑乙烯撑基和2，5-二辛氧-P-苯撑乙烯撑基的高分子发光材料。此时，为了得到共聚物，也可使2种以上的二磷盐和/或2种以上的二甲醛化合物进行反应。[化3]聚芴系共聚物[化4]

将这些高分子发光材料用作形成发光层的材料时，由于其纯度对发光特性有影响，所以合成后，例如，最好利用再沉淀精制，色谱法等分别进行精制处理。

高分子材料为溶解性低的材料时，例如，涂布对应的前驱体后，可通过化学式(5)所示的加热硬化，得到发光层。例如，由聚苯撑-乙烯撑构成发光层的高分子发光材料时，将对应前驱体的磷盐配置在形成发光层的部位后，通过加热处理使锍基脱离，得到以发光层发挥功能的聚苯撑-乙烯撑。

作为可形成发光层的低分子材料，只要是显示可见发光的物质，基本上就可以使用。其中，具有芳香族系置换基的材料最好用。例如，一般使用铝羟基喹啉络合物(Alq₃)和二苯乙烯基联苯，进而可使用化学式(6)表示的BeBq₂和Zn(O×Z)₂等。除此之外，还有吡唑啉二聚物、喹嗪羧酸、苯吡喃翁全氯酸盐、苯吡喃喹嗪、红英烯、菲绕啉铕络合物等。

从以上述为代表的高分子材料和低分子材料中适当选择兰色、绿色、及红色发光的材料，配置在规定位置上就可以进行彩色显示。以规定位置配置时，可使用屏蔽蒸镀法、印刷法、或墨水喷射法等。[化5]

将宿主(host)分散在作为介值发挥功能的客主(guest)中，所谓宿主/客主型发光层。

在宿主/客主型发光层中，决定该发光层发光色的，基本上是客主材料，可根据所要的发光色选择客主材料。一般使用发射荧光效率好的材料。宿主材料，基本上讲，具有能量基准比与客主材料发光有关激励状态基准高的材料，最适宜作宿主材料。有时也要求是载体移动度高的材料，这种情况下，也可从上述高分子体中选择。

作为呈现兰色发光的客主材料，例如，有六苯并苯类、二苯乙烯基联苯类等，作为呈现绿色发光的客主材料，例如有喹酮类、红荧烯等，作为呈现红色发光的客主材料，作为荧光色素，作为呈现红色发光的客主材料，例如有罗丹明类。

宿主材料，可根据客主材料适宜选择。若列举数例，将宿主材料和客主材料，分别形成Zn(O×Z)₂和六苯并苯的发光层，得到呈现兰色发光的发光层。

作为客主材料，也可使用磷光材料。例如，最好使用化学式(7)表示的Ir(ppy)₃、Pt(thpy)₂、PtOEP等。[化6]

将上述以化学式(7)表示的磷光物质作为客主材料时，作为宿主材料，例如最好使用化学式(8)示出的CBP、DCTA、TCPB、或Alq₃等。

宿主/客主型发光层，可利用共蒸镀法，或者将宿主材料和客主材料或它们的前驱体形成液体化物，进行涂布法，形成。[化7]

在上述例中，作为发光层的下层形成正孔输送层，作为上层形成电子输送层，但本发明并不仅限于此，例如，也可只形成正孔输送层和电子输送层中的一种，也可形成正孔注入层代替正孔输送层，也可可只单独形成发光层。

进而，除了正孔注入层、正孔输送层、发光层、电子输送层外，例如，在发光层的相对电极侧形成封孔层，以获得发光层的长寿命化。作为形成这种封孔层的材料，例如可使用化学式(9)所示的BCP和化学式(10)所示的BAIq，就长寿命化考虑，最好是BAIq。[化8][化9]

如以上制作的电光学装置，很明显，使用有源方式和无源方式中的任何一种方式都可驱动。

图15-20示出了本发明电子仪器的实施例。

本例的电子仪器，作为显示装置，具有上述有机EL显示装置等本发明的电光学装置。

图15是一例显示影视图像和计算机输送文字和图像的显示装置。图15中，符号1000表示使用了本发明电光学装置的显示装置。显示装置主体1000，通过使用上述有机EL显示装置，也可也大画面相对应。

图16示出了一例车载用的导航装置。图16中，符号1010表示导航装置主体，符号1011表示使用了本发明电学装置的显示部分(显示装置)。

图17示出了一例携带型图像记录装置(视频摄像机)。图17中，符号1020表示记录装置主体、符号1021表示使用了本发明电学装置的显示部分。

图18示出一例携带电话。图18中，符号1030表示携带电话主体，符号1031表示使用本发明电光学装置的显示部分(显示装置)。

图19示出了一例文字处理机、个人计算机等信息处理装置。图19中，符号1040表示信息处理装置，符号1041表示信息处理装置主体，符号1042表示键盘等输入部分，符号1043表示使用了本发明电光学装置的显示部分。

图20示出一例手表型电子仪器。图20中，符号1050表示手表主体、符号1051表示使用了本发明电光学装置的显示部分。

图15-20中示出的电子仪器，作为显示装置，具有本发明的电光学装置，所以可实现耐久性和质量优良的显示。

以上一边参照附图，一边说明了本发明的最佳实施例，但也不能说，本发明仅限于此例，上述例中，所示的各构成部件的各形状和组合等仅是一例，在不脱离本发明要点的范围内，根据设计要求等，可作种种变化。

根据本发明的基板及其制造方法，例如，可减小由导电性部位产生的寄生容量等，实现了基板的稳定性能。

根据本发明的电子装置及其制造方法，功能膜能发挥良好的性能，由于适宜工作的高速化，所以可大画面化，而且实现了电光学装置能长期稳定地工作。

根据本发明的电子仪器，作为显示装，具有本发明的电子装置，所以可进行追踪性优良稳定地显示工作。

Claims

1.一种配线基板，其特征在于：包括含有配线的基板、和配置在基体上面的具有4以下介电率的部件，在上述上面上设置未形成上述部件的区域。

2.一种配线基板，其特征在于：包括含有绝缘基板和配线的基板、和在基体上面配置的部件，在上述基体的上面设有未形成上述部件的区域，上述配线配置在上述绝缘基板和上述上面之间，上述部件的介电率比上述绝缘基板的介电率低。

3.根据权利要求1或2所述的配线基板，其特征在于：上述部件的介电率在3以下。

4.根据权利要求1或2所述的配线基板，其特征在于：上述部件的介电率在2.5以下。

5.根据权利要求1-4中任意一项所述的配线基板，其特征在于：上述基体中含有有源元件。

6.根据权利要求5所述的配线基板，其特征在于：上述有源元件和上述部件之间，至少设有抑制物质透过的屏障层。

7.根据权利要求1-6中任意一项所述的配线板，其特征在于：上述部件包括氧化硅玻璃、烷基硅氧烷聚合物、烷基硅倍半环氧乙烷聚合物、氢化烷基硅倍半环氧乙烷聚合物、聚芳基醚中的任何一种的旋装玻璃膜、金刚石膜、及氟化非晶碳素膜，中的至少一种。

8.根据权利要求1-6中任意一项所述的配线基板，其特征在于：上述部件由多孔质材料形成。

9.根据权利要求1-6中任意一项所述的配线基板，其特征在于：上述部件含有气凝胶、多孔质氧化硅、分散了氟化镁微粒的凝胶、氟系聚合物、多孔性聚合物、及在规定材料中含有微粒的物品，中的至少1种。

10.一种电子装置，其特征在于：与权利要求1-9中任意一项记载配线基板的上述区域，相对应配置功能膜。

11.一种电光学装置，其特征在于：包括含有绝缘基板和配线的基板、配置在上述基体上面的多个像素电极、配置在上述像素电极上方的对电极、在上述多个像素电极和各对电极之间配置的含有电光学材料的功能膜和设置在上述功能膜周围，配置在上述对电极和上述上面之间的部件，上述部件的介电率比上述绝缘基板的介电率低。

12.一种电光学装置，其特征在于：包括含有配线的基体、在该基体上面多个像素电极、配置在上述像素电极上方的对电极、在上述多个像素电极和各对电极之间配置的含有电光学材料的功能膜和设在上述功能膜周围，配置在上述对电极和上述上面之间的部件，上述部件的介电率在4.3以下。

13.根据权利要求11或12所述的电光学装置，其特征在于：上述电子光学材料是有机电致发光材料。

14.根据权利要求11-13中任意一项所述的电光学装置，其特征在于：上述基体还含有与上述像素电极连接的有源元件，上述配线含有向上述有源元件供给信号的信号配线。

15.根据权利要求11-14中任意一项所述的电光学装置，其特征在于：上述部件包括氧化硅玻璃、烷基硅氧烷聚合物、烷基硅倍半环氧乙烷聚合物、氢化烷基硅倍半环氧乙烷聚合物、聚芳基醚中的任何一种的旋装玻璃膜、金刚石膜、及氟化非晶碳素膜，中的至少一种。

16.根据权利要求11-14中任意一项所述的电光学装置，其特征在于：上述部件由多孔质形成。

17.根据权利要求11-14中任意一项所述的电光学装置，其特征在于：上述部件含有气凝胶、多孔质氧化硅、分散了氟化镁微粒的凝胶、氟系聚合物、多孔性聚合物、及在规定材料含有微粒的物品，中的至少1种。

18.根据权利要求14所述的电光学装置，其特征在于：在上述部件和上述有源元件之间，设有能抑制物质透过的屏障层。

19.根据权利要求11-18中任意一项所述的电光学装置，其特征在于上述部件，至少一部分由防止物质通过的保护膜所覆盖。

20.一种电子仪器，其特征在于：作为显示装置，具有权利要求11-19中任意一项所述的电光学装置。