CN1378244A - 自动对准接触窗开口的制造方法 - Google Patents

Abstract

一种自动对准接触窗开口的制造方法,系以复晶硅材质保护导线上方的顶盖层,或甚至保护至导线侧壁的间隙壁的角落,之后利用传统的氧化硅蚀刻配方蚀刻氧化硅层,以形成自动对准接触窗开口,而此种传统的氧化硅蚀刻配方除了氧化硅对氮化硅有高的选择蚀刻比外,在氧化硅对复晶硅的选择蚀刻比上可以有极高的值。

Description

自动对准接触窗开口的制造方法

本发明是有关于一种自动对准接触窗开口(Self-aligned Contact；SAC)的制造方法，且特别是有关于一种通过复晶硅材质的使用，提高接触窗开口的自动对准的效果，以减少字符线(Word Line)上方的顶盖层和侧壁之间隙壁的损耗。

在深次微米(Deep Sub-micron)的集成电路制造过程中，常利用自动对准接触窗开口的工艺来形成较小尺寸的开口，而通过SAC工艺的利用并可因此而缩小芯片的尺寸，其原因在于SAC工艺可以间接缩小光阻微影的程序裕度(Process Window)。

而传统的SAC工艺系在字符线上方形成氮化硅顶盖层和侧边形成氮化硅间隙壁，之后覆盖一层氧化硅层，接着于氧化硅层上方涂布一层光阻，并通过微影工艺将光阻层图案化后，以此光阻层为蚀刻罩幕，使用具有高的氧化硅-氮化硅蚀刻选择比的氧化硅蚀刻配方(Oxide Etching Recipe)蚀刻此氧化硅层，而在此蚀刻的过程中，字符线上方的氮化硅顶盖层和侧边的氮化硅间隙壁可以做为辅助罩幕，以于氧化硅层中形成自动对准的接触窗开口，之后于此接触窗开口填入钨或者复晶硅，以形成插塞(Plug)。

然而，在利用此传统的氧化硅蚀刻剂在蚀刻氧化硅层的过程中，会有部份氧原子自氧化硅层释放至蚀刻的环境中，当蚀刻剂中氧原子的含量增加时，会增加氮化硅顶盖层和氮化硅间隙壁损耗的程度，亦即降低氧化硅对氮化硅的蚀刻选择比，进而使字符线和插塞之间的寄生电容效应更为严重，而影响到字符线和其邻近的插塞的电性品质。严重时，还有可能造成插塞和其邻近的字符线之间的短路。而在目前组件缩小的趋势下，字符线侧壁的氮化硅间隙壁的底部宽度亦根据设计规则(Design Rule)而缩小，因此更增加SAC工艺的困难度。

因此，在不改变传统的氧化硅蚀刻配方的情况下，本发明提供一种可增加氧化硅对氮化硅的蚀刻选择比的方法，以形成品质较佳的自动对准接触窗开口。

综上所述，本发明提供一种自动对准接触窗开口的制造方法，此制造方法包括于基底上形成导线，而导线被其上方的含氮的顶盖层和侧壁的含氮的间隙壁所包覆，之后于导线间的空间填充一氧化硅层，而含氮的顶盖层的表面呈裸露状，之后于所暴露出的含氮的顶盖层上选择性的形成复晶硅层，接着于复晶硅层和氧化硅层上形成光阻图案层，并以此光阻图案层为蚀刻罩幕，并佐以复晶硅层为罩幕，进行蚀刻工艺，在此蚀刻工艺中系利用氧化硅对含氮的材质有高的蚀刻选择比的氧化硅蚀刻配方，以于氧化硅层中形成自动对准接触窗开口，之后将光阻图案层予以剥除。

依据本发明的较佳实施例，其中在进行蚀刻工艺的步骤中，若氧化硅层的表面大致与含氮的顶盖层齐平，则更包括佐以含氮的间隙壁为罩幕；若氧化硅层的表面低于含氮的顶盖层，则此复晶硅层更包括延伸至含氮的间隙壁的角落，而呈一突块状。

此外，本发明提供另一种自动对准接触窗开口的制造方法，此制造方法包括于基底上依序形成导电层、含氮的绝缘层和复晶硅层，之后将其图案化，以分别形成导线、含氮的顶盖层和复晶硅保护层，接着在导线、含氮的顶盖层和复晶硅保护层的侧壁形成含氮的间隙壁，使导线为含氮的顶盖层和含氮的隙壁所包覆，续于复晶硅保护层和含氮的间隙壁上覆盖一层氧化硅层，并将此氧化硅层平坦化，再于其上形成光阻图案层，之后以此光阻图案层为蚀刻罩幕，并佐以复晶硅保护层为罩幕，进行一蚀刻工艺，在此蚀刻工艺中系利用氧化硅对含氮的材质有高的蚀刻选择比的氧化硅蚀刻配方，以于氧化硅层中形成自动对准接触窗开口，最后将光阻图案层予以剥除。

依据本发明的较佳实施例，其中将氧化硅层平坦化后，氧化硅层的表面会高于复晶硅保护层的表面，或者与该复晶硅保护层的表面大致齐平。

此外，本发明提供另一种自动对准接触窗开口的制造方法，此制造方法包括于基底上依序形成导电层、含氮的绝缘层和复晶硅层，之后将其图案化，以分别形成导线、含氮的顶盖层和复晶硅保护层，并在导线、含氮的顶盖层和复晶硅保护层的侧壁形成含氮的间隙壁，之后于导线间的空间填充一氧化硅层，而含氮的顶盖层的表面和含氮的间隙壁的角落呈裸露状，接着将含氮的间隙壁所裸露的部份通过复晶硅间隙壁而加以保护，续于氧化硅层、复晶硅保护层和复晶硅间隙壁上形成光阻图案层，并以此光阻图案层为蚀刻罩幕，并佐以复晶硅保护层和复晶硅间隙壁为罩幕，进行一蚀刻工艺，在此蚀刻工艺中系利用氧化硅对含氮的材质有高的蚀刻选择比的氧化硅蚀刻配方，以于氧化硅层中形成自动对准接触窗开口，最后将光阻图案层予以剥除。

通过上述的自动对准接触窗开口的制造方法，可以利用传统的氧化硅蚀刻配方，配合复晶硅材质的使用，以减少甚至避免导线周围的含氮的顶盖层和含氮的间隙壁的损耗。而此种氧化硅蚀刻配方具有对氧化硅-复晶硅有极高的选择蚀刻比，故本发明利用复晶硅材质做为保护层。

为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举较佳实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：

图面说明：

图1A至图1E系根据本发明第一较佳实施例的一种自动对准接触窗开口的制造流程剖面图；

图2A至图2D系根据本发明第二较佳实施例的一种自动对准接触窗开口的制造流程剖面图；

图3A至图3G系根据本发明第三较佳实施例的一种自动对准接触窗开口的制造流程剖面图；以及

图4A至图4E系根据本发明第四较佳实施例的一种自动对准接触窗开口的制造流程剖面图。

其中，各附图标记与构件名称的关系如下：

100、200、300、400：基底

302：氧化层

102、202、302a、402：栅极氧化层

104、204、304、304a、404：复晶硅层

106、206、306、306a、406：硅化金属层

107、207、307a、407：字符线

307：导电层

108、208、308a、408：含氮的顶盖层

308：含氮的绝缘层

110、210、314、414：含氮的间隙壁

112、112a、212、212a、316、316a、316b、416、416a、416b：氧化硅层

116、216、312、318、418：光阻图案层

118、218、320、420：接触窗开口

322、422：导电层

120、220、322a、422a：导电插塞

213、417：距离

114、214、310：复晶硅层

310a、410：复晶硅保护层

426：复晶硅间隙壁

第一实施例

图1A至图1E所示，为根据本发明一较佳实施例的一种自动对准接触窗开口的制造流程剖面图，可以减少栅极电极和导电插塞之间发生短路的机会。在此实施例的导线系以字符线为例。

首先，请参照图1A，提供一基底100，例如是P型半导体硅基底，于基底100中形成组件隔离结构(未绘示于图中)以定义出组件的主动区后，续于主动区上形成场效应晶体管。此场效应晶体管包括栅极氧化层102、字符线107和源极/漏极区(未绘示于图中)，其中此场效应晶体管的字符线107比如是由复晶硅层104和硅化金属层106的堆栈结构所构成，而硅化金属层106的材质比如是硅化钨(WSi)。此外，在字符线107的上方有一含氮的顶盖层108，其材质比如是氮化硅，且在字符线107和含氮的顶盖层108的侧壁有含氮的间隙壁110，其材质比如是氮化硅。

接着请参照图1B，覆盖一层氧化硅，其方法比如是化学气相沉积法，再利用化学机械研磨法磨除部份的氧化硅，直至暴露出含氮的顶盖层108和含氮的间隙壁110，以形成如图所示的氧化硅层112，其中氧化硅层112的表面大致与含氮的顶盖层108齐平。

接着请参照图1C，在含氮的顶盖层108和含氮的间隙壁110暴露出的部份，形成选择性的复晶硅层114，其厚度比如是约介于2nm和200nm之间，而在此步骤中氧化硅层112的表面并不会长出复晶硅。

接着请参照图1D，在复晶硅层114和氧化硅层112上形成光阻图案层116。之后，以此光阻图案层116为蚀刻罩幕，并佐以复晶硅层114为罩幕，进行蚀刻工艺，以形成暴露出基底100的自动对准接触窗开口118。其中，蚀刻氧化硅层112的蚀刻剂包括含碳氟的蚀刻剂，比如C₄F₈、CH₂F₂、C₅F₈等，另外还包括氩(Ar)、氧气(O₂)和一氧化碳(CO)等。

利用此传统的蚀刻剂在蚀刻氧化硅层112的过程中，会有部份氧原子自氧化硅层112释放至蚀刻的环境中，当蚀刻剂中氧原子的含量增加时，会降低氧化硅对含氮材质的选择蚀刻比，因而增加含氮材质损耗的机会。而在本发明中，由于复晶硅层114可以保护含氮的顶盖层108和含氮的间隙壁110，因此在非等向性的蚀刻环境下，可避其直接与蚀刻剂接触，故可以减少含氮的顶盖层108和含氮的间隙壁110的损耗，而增加字符线107和后续将形成的导电插塞的电性隔离的可靠度。

接着请参照图1E，利用传统的方法剥除光阻图案层116后，于复晶硅层114和氧化硅层112上覆盖一层导电材质，并填入接触窗开口118中与基底100接触，之后剥除含氮的顶盖层110上的复晶硅层114和多余的导电材质，使其仅填充于接触窗开口118中，形成如图所示的导电插塞120。其中，导电材质比如是复晶硅、钨或其它类似此性质者。第二实施例

图2A至图2D所示，为根据本发明一第二较佳实施例的一种自动对准接触窗开口的制造流程剖面图，可以避免导线和导电插塞之间发生短路的机会，并加强导线和导电插塞之间的绝缘效果。在此实施例的导线系以字符线为例。

首先，请参照图2A，图中的大部份组件与图1A相同，仅附图标记不同，其中基底为200、闸极氧化层为202、字符线为207、复晶硅层为204、硅化金属层为206、含氮的顶盖层为208、含氮的间隙壁为210，其余的说明请参照第一实施例的部份。

之后，覆盖一层氧化硅，其方法比如是化学气相沉积法，再利用等向性蚀刻法，比如湿式蚀刻或等向性干式蚀刻，剥除多余的氧化硅层，直至暴露出含氮的顶盖层208和含氮的间隙壁210，以形成如图所示的氧化硅层212，其中氧化硅层212的表面低于含氮的顶盖层208的表面一距离213，此距离213比如是约介于10nm至200nm之间。

接着请参照图2B，在含氮的顶盖层208和含氮的间隙壁210暴露出的部份，形成选择性的复晶硅层214，其厚度比如是约介于2nm和200nm之间，值得注意的是在此步骤中氧化硅层212的表面并不会长出复晶硅。而由于氧化硅层212的表面低于含氮的顶盖层208的表面，故所形成的复晶硅层214呈突块状(Bump)，且可以较完全地保护含氮的间隙壁210的角落。

接着请参照图2C，在复晶硅层214和氧化硅层212上形成光阻图案层216。之后，以此光阻图案层216为蚀刻罩幕，并佐以复晶硅层214为罩幕，进行蚀刻工艺，使氧化硅层212转为如图所示的氧化硅层212a，以于其中形成暴露出基底200的自动对准接触窗开口218，其中，蚀刻氧化硅层212的蚀刻剂如第一实施例所述。而在形成接触窗开口218的过程中，由于复晶硅层214为突块状，故使得位于含氮的间隙壁210侧壁且复晶硅层214下方的氧化硅层212a并不会被剥除。而余留于含氮的间隙壁210侧壁的氧化硅层212a，除了可避免含氮的间隙壁210裸露于蚀刻的环境中而造成损耗外，并更可进一步加强字符线207和后续将形成的导电插塞的电性隔离程度。

接着请参照图2D，利用传统的方法剥除光阻图案层216后，于复晶硅层214和氧化硅层212a上覆盖一层导电材质，并填入接触窗开口218中与基底200接触，之后剥除含氮的顶盖层210上的复晶硅层214和多余的导电材质，使其仅填充于接触窗开口218中，形成如图所示的导电插塞220。其中，导电材质比如是复晶硅、钨或其它类似此性质者。第三实施例

图3A至图3G所示，为根据本发明一第三较佳实施例的一种自动对准接触窗开口的制造流程剖面图，可以减少导线和导电插塞之间发生短路的机会。

首先，请参照图3A，于基底300上依序形成氧化层302、导电层307、含氮的绝缘层308和复晶硅层310，其中导电层307比如是由复晶硅层304和硅化金属层306的堆栈结构所构成，而硅化金属层306的材质比如是硅化钨，而含氮的绝缘层308的材质比如是氮化硅，而复晶硅层310的厚度比如约介于2nm至200nm之间。之后于复晶硅层310上形成一光阻图案层312。

接着请参照图3B，以此光阻图案层312为蚀刻罩幕，进行非等向性蚀刻工艺，以分别形成栅极氧化层302a、字符线307a、含氮的顶盖层308a和复晶硅保护层310a。

接着请参照图3C，利用传统的方法剥除光阻图案层312后，在栅极氧化层302a、字符线307a、含氮的顶盖层308a和复晶硅保护层310a的侧壁形成含氮的间隙壁314，其材质比如是氮化硅，此含氮的间隙壁314的底部的宽度约介于10nm至80nm之间。

接着请参照图3D，覆盖一层已经平坦化的氧化硅层316，其平坦化的方法比如是化学机械研磨法，而此氧化硅层316的表面可以大致与复晶硅保护层310a的表面齐平，或高于复晶硅保护层310a的表面，在此实施例系以前者为例。

接着请参照图3E，在氧化硅层316上形成光阻图案层318。之后，以此光阻图案层318为蚀刻罩幕，并佐以复晶硅保护层310a为罩幕，进行蚀刻工艺，使氧化硅层316转为如图所示的氧化硅层316a，以形成暴露出基底300的自动对准接触窗开口320，其中，蚀刻氧化硅层316的蚀刻剂如第一实施例所述。而在形成接触窗开口320的过程中，由于复晶硅保护层310a的保护，故可以避免含氮的顶盖层308a的损耗，而未被复晶硅保护层310a所保护的含氮的间隙壁314，虽然会有部份的损耗，而形成如图所示的含氮的间隙壁314a，但与公知的结果相较，此损耗几乎可以忽略。故可以增加字符线307a和后续将形成的导电插塞的电性隔离的可靠度。

接着请参照图3F，利用传统的方法剥除光阻图案层318后，于氧化硅层316a上覆盖一层导电层322，并填入接触窗开口320中与基底300接触，其中导电层322的材质比如是复晶硅、钨或其它类似此性质者。

接着请参照图3G，比如利用化学机械研磨法或回蚀刻法，剥除含氮的顶盖层308a上的复晶硅保护层310a、氧化硅层316a和多余的导电层322，以于接触窗开口320中形成如图所示的导电插塞322a。其中，氧化硅层316a并转为如图所示的氧化硅层316b。第四实施例

图4A至图4E所示，为根据本发明一第四较佳实施例的一种自动对准接触窗开口的制造流程剖面图，可以避免导线和导电插塞之间发生短路的机会，并加强导线和导电插塞之间的绝缘效果。

首先，请参照图4A，图中大部份组件与图3A相同，仅标记不同，其中基底为400、闸极氧化层为402、字符线为407、复晶硅层为404、硅化金属层为406、含氮的顶盖层为408、复晶硅保护层为410、含氮的间隙壁为414，其余的说明请参照第三实施例的部份。

之后，覆盖一层氧化硅，其方法比如是化学气相沉积法，再利用化学机械研磨法将氧化硅层平坦化，之后利用干式或湿式蚀刻法，剥除多余的氧化硅层，直至暴露出含氮的顶盖层408和含氮的间隙壁414，以形成如图所示的氧化硅层416，其中氧化硅层416的表面低于复晶硅保护层410的表面一距离417，此距离417比如是约介于10nm至150nm之间。其中，在蚀刻氧化硅层416的期间，含氮的间隙壁414会有部份损耗，而使其顶端略低于复晶硅保护层410的表面。

接着请参照图4B，在复晶硅保护层410侧边和含氮的间隙壁414暴露出的部份，形成复晶硅间隙壁426。其形成方法比如是于基底100上形成一层厚度约为5nm至80nm的共形的复晶硅层，之后进行回蚀刻步骤至暴露出氧化硅层416。因此，复晶硅保护层410和复晶硅间隙壁414可以完全地保护含氮的顶盖层408和含氮的间隙壁210的角落。

接着请参照图4C，在复晶硅保护层410、复晶硅间隙壁426和氧化硅层416上形成光阻图案层418。之后，以此光阻图案层418为蚀刻罩幕，并佐以复晶硅保护层410和复晶硅间隙壁426为罩幕，进行蚀刻工艺，使氧化硅层416转为如图所示的氧化硅层416a，以形成暴露出基底400的自动对准接触窗开口420，其中，蚀刻氧化硅层416的蚀刻剂如第一实施例所述。而在形成接触窗开口420的过程中，由于复晶硅间隙壁426之故，使其下方且位于含氮的间隙壁414侧壁的氧化硅层416a并不会被剥除。而余留于含氮的间隙壁414侧壁的氧化硅层416a，除了可避免含氮的间隙壁414裸露于蚀刻的环境中而造成损耗外，并更可进一步加强字符线407和后续将形成的导电插塞的电性隔离程度。

接着请参照图4D，利用传统的方法剥除光阻图案层418后，于氧化硅层416a、复晶硅保护层410和复晶硅间隙壁426上覆盖一层导电层422，并填入接触窗开口420中与基底400接触，其中导电层422的材质比如是复晶硅、钨或其它类似此性质者。

接着请参照图4E，比如利用化学机械研磨法或回蚀刻法，剥除含氮的顶盖层408a上的复晶硅保护层410a、复晶硅间隙壁426、氧化硅层416a和多余的导电层422，以于接触窗开口420中形成如图所示的导电插塞422a。其中，氧化硅层416a并转为如图所示的氧化硅层416b。

在上述第一至第四实施例中，导线亦可以是复晶硅、复晶硅化金属(Polycide)或金属导线等等。而含氮的顶盖层亦可是含氮的材质/氧化硅的堆栈层。此外，在含氮的间隙壁形成后且做为内层介电层的氧化硅层形成之前，还可以形成一层材质比如为氮化硅的衬层。

综上所述，本发明的优点如下：

(1)传统的氧化硅蚀刻配方，对氧化硅-复晶硅有极高的选择蚀刻比，故本发明利用复晶硅材质做为保护层，以减少或避免氮化硅材质于氧化硅蚀刻制程中的损耗。此外，亦可以其它对传统氧化硅蚀刻配方有几乎可以忽略的蚀刻速率的材质来替代复晶硅材质。

(2)应用本发明所提供的方法，在不改变既有的蚀刻方法下，可以减少甚至避免导线周围的氮化硅顶盖层和氮化硅间隙壁的损耗。

(3)由于本发明可以减少导线周围的氮化硅顶盖层和氮化硅间隙壁的损耗，故可以提高导线与导电插塞的电性隔离。

虽然本发明已以一较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的改进与变型，因此本发明的保护范围当以权利要求书界定的范围为准。

Claims (17)

1.一种自动对准接触窗开口的制造方法，其特征在于：包括：

于一基底上形成一导线，该导线的上方有一含氮的顶盖层，该导线和该含氮的顶盖层的侧壁有一含氮的间隙壁；

覆盖一氧化硅层，并剥除部份该氧化硅层，至暴露出该含氮的顶盖层；

于所暴露出的该含氮的顶盖层上选择性的形成一复晶硅层；

于该复晶硅层和该氧化硅层上形成一光阻图案层；

以该光阻图案层为蚀刻罩幕，并佐以该复晶硅层为罩幕，进行一蚀刻工艺，以形成该自动对准接触窗开口；以及

剥除该光阻图案层。

2.如权利要求1所述的自动对准接触窗开口的制造方法，其特征在于：其中该含氮的顶盖层和该含氮的间隙壁的材质包括氮化硅。

3.如权利要求1所述的自动对准接触窗开口的制造方法，其特征在于：其中在进行该蚀刻工艺的步骤中，更包括佐以该含氮的间隙壁为罩幕。

4.如权利要求1所述的自动对准接触窗开口的制造方法，其特征在于：其中该复晶硅层更包括延伸至该含氮的间隙壁的角落，而呈一突块状。

5.如权利要求4所述的自动对准接触窗开口的制造方法，其特征在于：其中该自动对准接触窗开口与该含氮的间隙壁之间更包括部份该氧化硅层。

6.如权利要求1所述的自动对准接触窗开口的制造方法，其特征在于：其中该蚀刻工艺的蚀刻剂包括含碳氟的蚀刻剂。

7.如权利要求6所述的自动对准接触窗开口的制造方法，其特征在于：其中该含碳氟的蚀刻剂包括C₄F₈、CH₂F₂或C₅F₈。

8.一种自动对准接触窗开口的制造方法，其特征在于：包括：

于一基底上形成一导电层和一含氮的绝缘层；

于该含氮的绝缘层上形成一复晶硅层；

将该导电层、该含氮的绝缘层和该复晶硅层图案化，以分别形成一导线、一含氮的顶盖层和一复晶硅保护层；

在该导线、该含氮的顶盖层和该复晶硅保护层的侧壁形成一含氮的间隙壁；

覆盖一氧化硅层于该复晶硅保护层和该含氮的间隙壁上；

将该氧化硅层平坦化；

于已经平坦化的该氧化硅层上形成一光阻图案层；

以该光阻图案层为蚀刻罩幕，并佐以该复晶硅保护层为罩幕，进行一蚀刻工艺，以于该氧化硅层中形成该自动对准接触窗开口；以及

剥除该光阻图案层。

9.如权利要求8所述的自动对准接触窗开口的制造方法，其特征在于：其中该含氮的绝缘层和该含氮的间隙壁的材质包括氮化硅。

10.如权利要求8所述的自动对准接触窗开口的制造方法，其特征在于：其中将该氧化硅层平坦化后，该氧化硅层的表面高于该复晶硅保护层的表面。

11.如权利要求8所述的自动对准接触窗开口的制造方法，其特征在于：其中将该氧化硅层平坦化后，该氧化硅层的表面大致与该复晶硅保护层的表面齐平。

12.如权利要求8所述的自动对准接触窗开口的制造方法，其特征在于：其中该蚀刻工艺的蚀刻剂包括含碳氟的蚀刻剂。

13.如权利要求12所述的自动对准接触窗开口的制造方法，其特征在于：其中该含碳氟的蚀刻剂包括C₄F₈、CH₂F₂或C₅F₈。

14.一种自动对准接触窗开口的制造方法，其特征在于：包括：

于一基底上形成一导电层和一含氮的绝缘层；

于该含氮的绝缘层上形成一复晶硅层；

将该导电层、该含氮的绝缘层和该复晶硅层图案化，以分别形成一导线、一含氮的顶盖层和一复晶硅保护层；

在该导线、该含氮的顶盖层和该复晶硅保护层的侧壁形成一含氮的间隙壁；

覆盖一氧化硅层，并剥除部份该氧化硅层，直至暴露出该复晶硅保护层和部份该含氮的间隙壁；

于该含氮的间隙壁的侧壁形成一复晶硅间隙壁；

于该氧化硅层、该复晶硅保护层和该复晶硅间隙壁上形成一光阻图案层；

以该光阻图案层为蚀刻罩幕，并佐以该复晶硅保护层和该复晶硅间隙壁为罩幕，进行一蚀刻工艺，以于该氧化硅层中形成该自动对准接触窗开口；以及

剥除该光阻图案层。

15.如权利要求14所述的自动对准接触窗开口的制造方法，其特征在于：其中该含氮的绝缘层和该含氮的间隙壁的材质包括氮化硅。

16.如权利要求14所述的自动对准接触窗开口的制造方法，其特征在于：其中该蚀刻工艺的蚀刻剂包括含碳氟的蚀刻剂。

17.如权利要求16所述的自动对准接触窗开口的制造方法，其特征在于：其中该含碳氟的蚀刻剂包括C₄F₈、CH₂F₂或C₅F₈。

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