CN1357550A - 用于化学汽相淀积的有机金属化合物及其制造方法,贵金属膜及贵金属化合物膜的化学汽相淀积法 - Google Patents

用于化学汽相淀积的有机金属化合物及其制造方法,贵金属膜及贵金属化合物膜的化学汽相淀积法 Download PDF

Info

Publication number
CN1357550A
CN1357550A CN01135444A CN01135444A CN1357550A CN 1357550 A CN1357550 A CN 1357550A CN 01135444 A CN01135444 A CN 01135444A CN 01135444 A CN01135444 A CN 01135444A CN 1357550 A CN1357550 A CN 1357550A
Authority
CN
China
Prior art keywords
film
ruthenium
cyclopentadienyl
formula
iridium
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN01135444A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1185241C (zh
Inventor
冈本浩治
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
Original Assignee
Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tanaka Kikinzoku Kogyo KK filed Critical Tanaka Kikinzoku Kogyo KK
Publication of CN1357550A publication Critical patent/CN1357550A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1185241C publication Critical patent/CN1185241C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F17/00—Metallocenes
    • C07F17/02—Metallocenes of metals of Groups 8, 9 or 10 of the Periodic System

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

第一种有机金属化合物是用于通过化学汽相淀积法制造钌膜或钌化合物膜的有机金属化合物,它是有一个正丙基、异丙基、正丁基、异丁基或叔丁基取代基的烷基环戊二烯基(环戊二烯基)钌。第二种有机金属化合物是用于通过化学汽相淀积法制造铱膜或铱氧化物膜的有机金属化合物,用于化学汽相淀积的有机金属化合物是有任何一个正丙基、异丙基、正丁基、异丁基或叔丁基取代基的烷基环戊二烯基(1,5－环辛二烯)铱。

Description

用于化学汽相淀积的有机金属化合物及其制造方法， 贵金属膜及贵金属化合物膜的化学汽相淀积法
发明背景
发明领域
本发明涉及通过化学汽相淀积法制造贵金属膜或贵金属化合物膜的有机金属化合物。具体而言，本发明涉及制造钌和铱的贵金属和它们化合物膜的有机金属化合物。此外，还涉及使用这些有机金属化合物制造贵金属膜或贵金属化合物膜的方法。
相关工艺的描述
近年来，一直存在对高性能半导体器件的需要，对DRAM(动态RAM)，为将其容量从Mbit增加到Gbit进行了研究。随着这种趋势，迅速提出半导体器件的密集和高度集中的技术，为提高它们的容量，不仅尝试改进其结构，还改善用于这些器件的材料。
这些情况下，作为DRAM的膜电极材料引起人们注意的是贵金属或贵金属氧化物，其中，有钌或铱或它们的氧化物。原因是这些物质的低电阻率，当制造电极时具有优良的电性能。结果，这些材料开始成为未来膜电极用的重要材料之一而引起人们注意。具体说，上述DRAM中，例如考察这些用作电容器的蓄电电极的材料，认为主要贡献是将使其密集化。
一般采用化学汽相淀积法(以后称作CVD法)作为制造贵金属或贵金属膜的方法。这是由于根据CVD法，易制造均匀的膜，同时在分步覆盖(step coverage)(覆盖水平差异的能力)方面优良。另外，CVD法很可能是未来制造适用于将目前的线路和电子元件高度密集的膜电极的主要方法。
就钌而论，作为钌膜和钌化合物膜的原料，对使用下式所示的二(乙基环戊二烯基)钌进行了研究。二(乙基环戊二烯基)钌是在二(环戊二烯基)钌(通常称作二茂(络)钌)的两个环戊二烯环中各有一个氢原子被乙基取代的化合物。
                             式1
另一方面，研究了由下式所示的乙基环戊二烯基(1，5-环辛二烯)铱(ethylcyclopentadienyl(1，5-cyclooctadiene)iridium)作为铱膜的原料。乙基环戊二烯基(1，5-环辛二烯)铱是环戊二烯基(1，5-环辛二烯)铱中的环戊二烯环上的一个氢原子被乙基取代的化合物。
Figure A0113544400052
                             式2
这些有机贵金属化合物的熔点低，室温下为液体，因此易于加工。此外，这些化合物有高的蒸汽压，能以高效率制造膜。所以，认为这些有机贵金属化合物能够作为CVD的原料。
然而，上述二(乙基环戊二烯基)钌和乙基环戊二烯基(1，5-环辛二烯)铱具有作为CVD原料的优良性能，但在空气中的稳定性差，尤其会和氧反应，因此在空气中与氧发生反应，导致生成各种衍生物，例如氧化物、氢氧化物等作为杂质。因此，对这些有机氧化物，存在的问题是制造期间条件的很小差异都会对其纯度产生影响，并容易导致不同制造批料间的不均衡。如果使用这样的各批料纯度不同的原料制造膜，膜的性能也很可能随这些原料而变化。
另外，即使将全部制造过程设计成不与空气接触，这些化合物很可能在基材转移过程发生氧化，因为在制造膜时为加速成膜反应使用了氧气作为反应气体。
这种情况下，这些化合物的各种衍生物充当杂质，会对膜的纯度和电性能产生影响，认为较大影响是形态如表面粗糙度等。由于这些杂质对形态的影响是在纳米级别，似乎是很小的数值。然而，在目前要求密集化的DRAM领域，即使这样小的值也决定了能否用作电极。
在上述背景下获得本发明，本发明的目的是提供用于化学汽相淀积的有机金属化合物，这种化合物具有二(乙基环戊二烯基)钌和乙基环戊二烯基(1，5-环辛二烯)铱作为CVD原料所具备的优良性能，并且对氧的稳定性高。
发明概述
发明人对解决上述问题的有机金属化合物进行广泛研究。结果，发现下面就钌和铱的有机金属化合物是合适的，从而完成本发明。
首先，说明本申请涉及的有机钌化合物。本申请涉及的第一个发明涉及通过化学汽相淀积法制造钌膜或钌化合物膜的有机金属化合物这里，用于化学汽相淀积的有机金属化合物是下式表示的烷基环戊二烯基(环戊二烯基)钌：
Figure A0113544400061
                              式3其中，取代基R1代表正丙基、异丙基、正丁基、异丁基和叔丁基中的任一烷基。
本发明涉及的有机钌化合物与常用的二(乙基环戊二烯基)钌相比，室温下的氧化稳定性高，在空气中不易被氧化。所以，本发明涉及的有机钌化合物不会由于部分氧化而被杂质污染，即使在制备时和在制备后引入CVD设备时与空气接触。这方面，可以说本发明涉及的有机钌化合物较过去能够更容易制造均匀的膜。
这些烷基环戊二烯基(环戊二烯基)钌化合物可以和氧反应，并在升温环境中分解，因此，这些化合物在引入CVD设备并在基材上加热之前不会分解。在高温时的分解速度和常用二(乙基环戊二烯基)钌几乎相同，成膜时不会出现问题。
另外，这些烷基环戊二烯基(环戊二烯基)钌，类似于二(乙基环戊二烯基)钌，熔点低，因此易于处理，蒸汽压高，能有效制造膜，因此这些化合物具有作为CVD原料所需要的性能。
且，这些烷基环戊二烯基(环戊二烯基)钌化合物相对容易合成，使式4表示的二(环戊二烯基)钌与式5表示的醇反应制备：
Figure A0113544400071
                                 式4
                     R1-OH    式5其中，R1代表正丙基、异丙基、正丁基、异丁基和叔丁基中的任一烷基。
该反应中，宜使用催化剂，以促进二(环戊二烯基)钌和不同醇的反应。这种情况下，较好的使用氯化铝作为催化剂。
下面说明本申请涉及的有机铱化合物。本发明的第二个发明涉及通过化学汽相淀积法制造铱膜或铱化合物膜的有机金属化合物，其中，用于化学汽相淀积的有机金属化合物是下式表示的烷基环戊二烯基(1，5-环辛二烯)铱：
Figure A0113544400072
                           式6
该式中，本发明涉及的烷基环戊二烯基(1，5-环辛二烯)铱中的取代基R2是丙基或丁基，丙基包括正丙基、异丙基，丁基包括正丁基、异丁基和叔丁基中的任一种。本发明中，列举了这些取代基，因为本发明人的研究结果表明烷基环戊二烯基(1，5-环辛二烯)铱中，其烷基有5个或更多个碳原子，提高其熔点，因此不适合作为CVD的原料。另一方面，在引入两个碳原子的乙基情况下，如上所述，乙基环戊二烯基(1，5-环辛二烯)铱是已知的用于铱膜的原料，而且现有技术对空气的稳定性差。
本发明涉及的这些有机铱化合物室温下对氧的稳定性较高，在空气中不会氧化，因此，即使在引入CVD设备之前与空气接触，不会被杂质污染。
此外，本发明涉及的有机铱化合物与常用的乙基环戊二烯基(1，5-环辛二烯)铱类似，具有低熔点和高蒸汽压。所以，本发明涉及的有机铱化合物易于处理，能有效制造膜。因此，可以说这些有机铱化合物具有作为CVD原料所需的性能。
而且，可以相对容易地制备本发明涉及的烷基环戊二烯基(1，5-环辛二烯)铱。即，由下式表示的二(1，5-环辛二烯)铱与下式表示的烷基环戊二烯钠(sodiumalkylcyclopentadienide)反应制备这些化合物：
Figure A0113544400081
                             式7
Figure A0113544400082
                             式8其中，取代基R2的定义如上所述。
如上面说明的，本发明涉及的有机钌化合物和有机铱化合物可以说是作为通过CVD法制造钌和铱以及它们的化合物膜的原料的合适物质。CVD法中，使用这些有机贵金属化合物能够稳定制造具有良好形态的膜。结果，使用本发明涉及的化学汽相淀积法作为贵金属或贵金属化合物膜的化学汽相淀积法，这些有机贵金属化合物被蒸发、转移到基材上，并通过加热基材分解，层叠贵金属。
对这种情况下的温度，根据各化合物，温度宜控制在200-300℃，以分解有机贵金属化合物。并且，在这CVD步骤，反应器内最好处于减压气氛。降低反应器内压力可以改善膜厚度分布和分步覆盖(覆盖水平差异的能力)的均匀性。反应器内压力的较好范围为140-1400Pa。
如上所述，本发明涉及的任何有机贵金属化合物，都具有通过在反应系统混入氧气而易发生分解的性能。所以，在使用这些化合物的CVD步骤中，在含氧气的气氛中蒸发的有机贵金属化合物宜分解。
较佳实施方案的说明
结合比较例描述本发明的较好实施方案。在该部分，制备本发明涉及的丁基环戊二烯基(环戊二烯基)钌和烷基环戊二烯基(1，5-环辛二烯)铱，采用CVD法，使用这些有机金属化合物，制造钌和铱膜。然后，将这些膜与用常用原料制造的膜比较。
A.钌化合物
第一实施方案：8.0克二(环戊二烯基)钌、3.0克氯化铝和80克多磷酸进行混合。在氮气氛下该混合溶液加热至100℃，耗时30分钟，在其中滴加3.0克叔丁醇，然后，该混合物加热至120℃，反应4小时。反应后，在溶液中加入热水，除去多磷酸，之后蒸馏处理，得到2.0克叔丁基环戊二烯基(环戊二烯基)钌。采用这种方法制备五批叔丁基环戊二烯基(环戊二烯基)钌，并按照下面所述制备膜。
比较例1：为与第一实施方案中制备的叔丁基环戊二烯基(环戊二烯基)钌进行比较，制备二(乙基环戊二烯基)钌。在通过真空下取代的氩气氛的烧瓶中，放入200ml乙醇，在其中溶解25.0克氯化钌三水合物，该溶液冷却至-30℃。然后，在该溶液中加入40克乙基环戊二烯，随后，在10分钟的间隔下分7份加入9.55克锌粉(纯度：99.999％，200目)。完成反应后，收集液相，用己烷从中萃取二(乙基环戊二烯基)钌。如第一实施方案，采用这种方法制备五批二(乙基环戊二烯基)钌，并制成膜。
之后，采用CVD法，使用五批制备的叔丁基环戊二烯基(环戊二烯基)钌和二(乙基环戊二烯基)钌制成钌膜，并考察这些批料间制成钌膜的性能。制造膜的条件如下：
蒸发温度：100℃
基材温度：250℃
反应室压力：200Pa
载气/反应气体：氩气/氧气
气体流速：200/200sccm
用AFM(原子显微镜)测定制得的膜的粗糙度(Rm)，结果列于表1。
                               表1
                         批号
  1   2   3   4   5
  第一实施方案   1.0nm   1.2nm   1.0nm   1.1nm   1.0nm
  比较例1   2.0nm   1.2nm   3.0nm   1.0nm   2.0nm
由这些结果可以确定，第一实施方案的叔丁基环戊二烯基(环戊二烯基)钌具有优良的粗糙度，与原料的各批无关。另一方面，在比较例情况，二(乙基环戊二烯基)钌的表面膜粗糙度的值随批料变化。据信这是由于各批料间纯度的微小差异，因为即使以同样步骤进行制造，这些步骤期间，制备的二(乙基环戊二烯基)钌与空气接触时间的微小变化，或作为反应气体的氧气，都会在其转移到基材上制备膜期间导致氧化。
第二实施方案：8.0克二(环戊二烯基)钌、3.0克氯化铝和80克多磷酸进行混合。在氮气氛下该混合溶液加热至100℃，耗时30分钟，在其中滴加4.0克正丙醇，然后，该混合物加热至120℃，反应4小时。完成反应后，在溶液中加入热水，除去多磷酸，之后蒸馏处理，得到1.8克正丙基环戊二烯基(环戊二烯基)钌。
采用这种方法制备五批正丙基环戊二烯基(环戊二烯基)钌，并在和第一实施方案相同的条件下制备膜。结果，确定和第一实施方案一样，可以稳定地制造表面粗糙度性能优良的膜，而与原料的各批料无关。
B.铱化合物
第三实施方案：在氮气氛下，在350ml四氢呋喃溶剂中溶解17克二(1，5-环辛二烯基氯铱)。溶液冷却至-80℃，在该溶液中加入8克溶解在35ml四氢呋喃的正丙基环戊二烯钠。然后，该混合溶液在-80℃反应30分钟，从反应溶液蒸馏出溶剂后，随后用己烷萃取并真空蒸馏，获得18克正丙基环戊二烯基(1，5-环辛二烯)铱。以这种制备方法，制备五批正丙基环戊二烯基(1，5-环辛二烯)铱，并按照后面所述制造膜。
第四实施方案：使用8.5克异丙基环戊二烯钠代替第三实施方案中的正丙基环戊二烯钠，按照和第二实施方案相类似的方法制造20克异丙基环戊二烯基(1，5-环辛二烯)铱。并且，制备五批异丙基环戊二烯基(1，5-环辛二烯)铱。
第五实施方案：使用8.2克叔丁基环戊二烯钠代替第三实施方案中的正丙基环戊二烯钠，按照和第二实施方案相类似的方法制造17克叔丁基环戊二烯基(1，5-环辛二烯)铱，并且，制备五批叔丁基环戊二烯基(1，5-环辛二烯)铱。
比较例2：为比较上述实施方案3-5中制备的有机铱化合物，制备乙基环戊二烯基(1，5-环辛二烯)铱。此比较例中，使用8.5克乙基环戊二烯钠代替第一实施方案中的正丙基环戊二烯钠，按照和第二实施方案相类似的方法制造乙基环戊二烯基(1，5-环辛二烯)铱。
之后，采用CVD法，使用在第三至第五实施方案以及比较例中制备的各五批有机铱化合物，制造铱膜，考察这些批料间铱膜的性能。制造膜的条件和第一实施方案所设定的条件相同。
用AFM(原子显微镜)测定制造的膜的平均粗糙度(Rm)，结果列于表2。
                        表2
                         批号
  1   2   3   4   5
  第三实施方案   1.0nm   1.2nm   1.1nm   1.0nm   1.2nm
  第四实施方案   0.9nm   1.0nm   1.1nm   0.9nm   1.2nm
  第五实施方案   1.0nm   1.0nm   1.2nm   1.1nm   1.0nm
  比较例2   2.0nm   1.5nm   1.0nm   0.8nm   2.5nm
这些结果表明，使用第三至第五实施方案制备的有机铱化合物制造的铱膜具有优良的表面粗糙度，而与原料的各批料无关。与此相反，确定了使用比较例的乙基环戊二烯基(1，5-环辛二烯)铱制造的铱膜的表面粗糙度各批料互不相同，结果，难以稳定制造均匀的膜。

Claims (6)

1.一种用于通过化学汽相淀积法制造钌膜或钌化合物膜的有机金属化合物，其中用于化学汽相淀积的有机金属化合物是下式1表示的烷基环戊二烯基(环戊二烯基)钌：
                           式1其中，取代基R1代表正丙基、异丙基、正丁基、异丁基和叔丁基中任一烷基。
2.一种制造如权利要求1所述的用于化学汽相淀积的有机金属化合物的方法，该方法包括使式2表示的二(环戊二烯基)钌与式3表示的醇反应：
Figure A0113544400022
                           式2
               R1-OH    式3其中，取代基R1代表正丙基、异丙基、正丁基、异丁基和叔丁基中任一烷基。
3.一种用于通过化学汽相淀积法制造铱膜或铱化合物膜的有机金属化合物，其中：用于化学汽相淀积的有机金属化合物是下式4表示的烷基环戊二烯基(1，5-环辛二烯)铱：
Figure A0113544400023
                        式4其中，取代基R2代表正丙基、异丙基、或正丁基、异丁基和叔丁基中的任何烷基。
4.一种制造如权利要求3所述的用于化学汽相淀积的有机金属化合物的方法，该方法包括使下式5表示的二(1，5-环辛二烯氯铱)与下式6表示的烷基环戊二烯钠反应：
Figure A0113544400031
                             式5
Figure A0113544400032
                             式6其中，取代基R2的定义和上面所述相同。
5.一种用于贵金属膜或贵金属化合物膜的化学汽相淀积的方法，该方法包括下列步骤：将如权利要求1或3所述的有机金属化合物蒸发，将其转移到基材上，并通过加热分解该有机金属化合物。
6.如权利要求5所述的用于贵金属膜或贵金属化合物膜的化学汽相淀积的方法，其特征在于在含氧气的气氛中蒸发的所述有机金属化合物分解。
CNB011354445A 2000-10-11 2001-09-28 用于化学汽相淀积的有机金属化合物及其制造方法,钌膜及钌化合物膜的化学汽相淀积法 Expired - Fee Related CN1185241C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000310503A JP4759126B2 (ja) 2000-10-11 2000-10-11 化学気相蒸着用の有機金属化合物及び化学気相蒸着用の有機金属化合物の製造方法並びに貴金属薄膜及び貴金属化合物薄膜の化学気相蒸着方法
JP310503/00 2000-10-11
JP310503/2000 2000-10-11

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1357550A true CN1357550A (zh) 2002-07-10
CN1185241C CN1185241C (zh) 2005-01-19

Family

ID=18790455

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB011354445A Expired - Fee Related CN1185241C (zh) 2000-10-11 2001-09-28 用于化学汽相淀积的有机金属化合物及其制造方法,钌膜及钌化合物膜的化学汽相淀积法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US6420582B1 (zh)
JP (1) JP4759126B2 (zh)
CN (1) CN1185241C (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1317286C (zh) * 2003-04-24 2007-05-23 东曹株式会社 新有机金属铱化合物，其制备方法和制备薄膜的方法
CN100390186C (zh) * 2003-08-19 2008-05-28 东曹株式会社 有机金属铱化合物,制备它的方法,以及制备薄膜的方法
CN101048853B (zh) * 2004-09-28 2012-12-19 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 用于膜形成的前驱体和用于形成含钌膜的方法
CN105542563A (zh) * 2015-12-28 2016-05-04 广西师范学院 γ-环糊精和双核有机金属钌化合物及其在微接触印刷技术中的应用
CN110431253A (zh) * 2017-03-24 2019-11-08 田中贵金属工业株式会社 由铱配合物构成的化学气相沉积用原料及使用该化学气相沉积用原料的化学气相沉积法

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100423913B1 (ko) * 2001-12-28 2004-03-22 삼성전자주식회사 루테늄 함유 박막 형성 방법
KR100389913B1 (ko) * 1999-12-23 2003-07-04 삼성전자주식회사 공정조건을 변화시키면서 화학기상 증착법으로 루테늄막을형성하는 방법 및 그에 의해 형성된 루테늄막
JP3507417B2 (ja) * 2000-08-03 2004-03-15 田中貴金属工業株式会社 Ｍｏｃｖｄ用の有機金属化合物のリサイクル方法
WO2002088153A1 (en) * 2001-04-30 2002-11-07 Boulder Scientific Company Synthesis of bis (cyclopendadienyl) and bis (indenyl) ruthenium complexes
US6521772B1 (en) * 2001-09-27 2003-02-18 Praxair Technology, Inc. Synthesis of substituted ruthenocene complexes
US7927658B2 (en) * 2002-10-31 2011-04-19 Praxair Technology, Inc. Deposition processes using group 8 (VIII) metallocene precursors
TWI274082B (en) * 2002-10-31 2007-02-21 Praxair Technology Inc Methods for making metallocene compounds
WO2004050947A1 (ja) 2002-12-03 2004-06-17 Jsr Corporation ルテニウム化合物および金属ルテニウム膜の製造法
JP4696454B2 (ja) * 2003-04-24 2011-06-08 東ソー株式会社 新規有機イリジウム化合物、その製造方法、及び膜の製造方法
JP4639686B2 (ja) 2004-07-27 2011-02-23 Ｊｓｒ株式会社 化学気相成長材料及び化学気相成長方法
DE602006020470D1 (de) * 2006-12-22 2011-04-14 Air Liquide Neue organische Rutheniumverbindung, Herstellungsverfahren dafür und Verwendung als Rutheniumvorläufer zur Herstellung von filmbeschichteten Metallelektroden auf Rutheniumbasis
JP5293930B2 (ja) 2007-03-22 2013-09-18 Ｊｓｒ株式会社 化学気相成長材料及び化学気相成長方法
KR101502185B1 (ko) * 2007-05-21 2015-03-12 레르 리키드 쏘시에떼 아노님 뿌르 레？드 에렉스뿔라따시옹 데 프로세데 조르즈 클로드 반도체 적용을 위한 신규 금속 전구체
US20090205968A1 (en) * 2008-01-24 2009-08-20 Thompson David M Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof
US20090205538A1 (en) * 2008-01-24 2009-08-20 Thompson David M Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof
US20090202740A1 (en) * 2008-01-24 2009-08-13 Thompson David M Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof
US20090203928A1 (en) * 2008-01-24 2009-08-13 Thompson David M Organometallic compounds, processes for the preparation thereof and methods of use thereof
EP2339048B1 (en) * 2009-09-14 2016-12-07 Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. Method for depositing organometallic compounds
WO2011052453A1 (ja) 2009-10-29 2011-05-05 Jsr株式会社 ルテニウム膜形成用材料及びルテニウム膜形成方法
EP4215649A1 (en) 2022-01-24 2023-07-26 Ivan Timokhin Preparation of shaped crystalline layers by use of the inner shape/surface of the ampule as a shape forming surface

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4992305A (en) * 1988-06-22 1991-02-12 Georgia Tech Research Corporation Chemical vapor deposition of transistion metals
US6002036A (en) * 1997-07-17 1999-12-14 Kabushikikaisha Kojundokagaku Kenkyusho Process for producing bis(alkyl-cyclopentadienyl)ruthenium complexes and process for producing ruthenium-containing films by using the same
JP3371328B2 (ja) * 1997-07-17 2003-01-27 株式会社高純度化学研究所 ビス（アルキルシクロペンタジエニル）ルテニウム錯 体の製造方法およびそれを用いたルテニウム含有薄膜 の製造方法
JP4162366B2 (ja) * 2000-03-31 2008-10-08 田中貴金属工業株式会社 Ｃｖｄ薄膜形成プロセス及びｃｖｄ薄膜製造装置
JP4512248B2 (ja) * 2000-09-26 2010-07-28 田中貴金属工業株式会社 ビス（アルキルシクロペンタジエニル）ルテニウムの製造方法及びその方法により製造されるビス（アルキルシクロペンタジエニル）ルテニウム並びにルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1317286C (zh) * 2003-04-24 2007-05-23 东曹株式会社 新有机金属铱化合物，其制备方法和制备薄膜的方法
CN100390186C (zh) * 2003-08-19 2008-05-28 东曹株式会社 有机金属铱化合物,制备它的方法,以及制备薄膜的方法
CN101048853B (zh) * 2004-09-28 2012-12-19 乔治洛德方法研究和开发液化空气有限公司 用于膜形成的前驱体和用于形成含钌膜的方法
CN105542563A (zh) * 2015-12-28 2016-05-04 广西师范学院 γ-环糊精和双核有机金属钌化合物及其在微接触印刷技术中的应用
CN105542563B (zh) * 2015-12-28 2018-12-11 广西师范学院 γ-环糊精和双核有机金属钌化合物及其在微接触印刷技术中的应用
CN110431253A (zh) * 2017-03-24 2019-11-08 田中贵金属工业株式会社 由铱配合物构成的化学气相沉积用原料及使用该化学气相沉积用原料的化学气相沉积法
CN110431253B (zh) * 2017-03-24 2022-02-25 田中贵金属工业株式会社 由铱配合物构成的化学气相沉积用原料及使用该化学气相沉积用原料的化学气相沉积法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1185241C (zh) 2005-01-19
JP2002114795A (ja) 2002-04-16
US6420582B1 (en) 2002-07-16
JP4759126B2 (ja) 2011-08-31
US20020065427A1 (en) 2002-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1185241C (zh) 用于化学汽相淀积的有机金属化合物及其制造方法,钌膜及钌化合物膜的化学汽相淀积法
CN101981226B (zh) 含有钌和碱土金属的三元氧化物膜的沉积
CN1262342A (zh) 钌薄膜
JP3598055B2 (ja) ビス（アルキルシクロペンタジエニル）ルテニウムの製造方法及びその製造方法により製造されるビス（アルキルシクロペンタジエニル）ルテニウム並びにルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜の製造方法
CN113166931B (zh) 由钌配合物构成的化学蒸镀用原料及使用该化学蒸镀用原料的化学蒸镀法
TW201317245A (zh) 具有優良階梯覆蓋性之釕化合物以及藉由沈積該具有優良階梯覆蓋性之釕化合物所形成之薄膜
TWI801355B (zh) 化合物、薄膜形成用原料、原子層堆積法用之薄膜形成用原料及薄膜之製造方法
TWI496761B (zh) Cyclopentadienyl tricarbonyl ruthenium-based complex and its production method, and a method for producing the film of the raw material as a raw material
KR101569447B1 (ko) 지르코늄 산화물 박막 형성용 전구체 화합물, 이의 제조방법 및 이를 이용한 박막의 제조방법
JP5732772B2 (ja) ルテニウム錯体混合物、その製造方法、成膜用組成物、ルテニウム含有膜及びその製造方法
US20030124267A1 (en) Method for manufacturing metal film having high purity
CN111253433B (zh) 胺钛化合物及其制备方法
JP4672897B2 (ja) ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウム誘導体の製造方法
KR101159073B1 (ko) 새로운 유기금속 전구체 물질 및 이를 이용한 금속박막의제조방법
JP4512248B2 (ja) ビス（アルキルシクロペンタジエニル）ルテニウムの製造方法及びその方法により製造されるビス（アルキルシクロペンタジエニル）ルテニウム並びにルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法
JP3620645B2 (ja) ビス（シクロペンタジエニル）ルテニウム誘導体の製造方法及びその製造方法により製造されるビス（シクロペンタジエニル）ルテニウム誘導体並びにルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜の製造方法
US6555701B2 (en) CVD material compound and method for manufacturing the same and CVD method of ruthenium or ruthenium compound thin film
JP6321252B1 (ja) イリジウム錯体からなる化学蒸着用原料及び該化学蒸着用原料を用いた化学蒸着法
JP3830785B2 (ja) Ｃｖｄ用の有機ルテニウム化合物の製造方法及びｃｖｄ用の有機ルテニウム化合物
CN1798866A (zh) 用氨基铝前体形成含铝薄膜的方法
KR100704464B1 (ko) 구리 아미노알콕사이드 화합물, 이의 합성 방법 및 이를이용한 구리 박막의 형성 방법
KR20220026269A (ko) 몰리브데넘 함유 박막의 제조방법 및 이에 따라 제조된 몰리브데넘 함유 박막.
JP2002114796A (ja) 化学気相蒸着用のルテニウム化合物並びにルテニウム薄膜又はルテニウム化合物薄膜の化学気相蒸着方法
CN116731085A (zh) 一种双(五甲基环戊二烯基)钌(ⅱ)的制备方法
KR20050040244A (ko) Ｃｖｄ용의 유기 루테늄 화합물

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20050119

Termination date: 20150928

EXPY Termination of patent right or utility model