CN1309088C - 一种互补金属氧化物半导体图像传感器及其驱动方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种CMOS图像传感器，其是将复位数据先于信号数据输出。该CMOS图像传感器包括一产生信号数据和复位数据的像素传感器、一传输信号数据和复位数据的数据I/O线、一个双取样电路和一个输出电路；其中，信号数据的电压值依赖于由响应所接收到的外来能量而产生的光电荷总量；复位数据在复位模式下产生；双取样电路由数据I/O线先采集信号数据，再采集复位数据，并驱动一个输出终端。本发明还公开了该图像传感器的驱动方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种图像传感器，尤其是指一种由互补金属氧化物半导体(CMOS)像素构成的图像传感器及其驱动方法。
背景技术
图像传感器通过利用半导体材料的能量响应特性摄取图像，以探测能量(例如光)。一般说来传感器可以分成两类：一类为CMOS图像传感器，另一类为电荷耦合器件(CCD)图像传感器。CMOS图像传感器可以由单一电源驱动，因此，与CCD图像传感器相比，CMOS图像传感器具有耗电省及体积小的优点。所以CMOS图像传感器较为常用。
图1显示了一种传统的图像传感器。传统的CMOS图像传感器含有一个像素传感器101及一个双取样电路103。根据传统的图像传感器，当复位信号RS达到逻辑“高”时，则复位晶体管101a导通，节点N101上的电压升高。然后经由驱动晶体管101c和选择晶体管101d，复位数据(此时电压约为VDD)传输至数据输入/输出(I/O)线DIO。如果当复位信号RS达到逻辑“低”以及控制信号TX达到逻辑“高”，则复位晶体管101a断开，而传输晶体管101b导通。经由驱动晶体管101c和选择晶体管101d，光电二极管101e中的信号数据传输至数据I/O线DIO。然后，传输至数据I/O线DIO的复位数据和信号数据被与数据I/O线DIO连接的双取样电路103完成取样。
传统的图像传感器中，信号数据完成取样和输出是在复位数据被取样和输出之后，所以信号数据往往在数据I/O线DIO中留存下来。
根据传统的CMOS图像传感器，双取样电路103包括取样晶体管103a、辅助电容103b、耦合电容103c及预充电晶体管103d。取样晶体管103a将被取样的信号数据从数据I/O线DIO中清除掉，从而通过输出终端DQ就能产生一个电压稳定的输出信号Vout。辅助电容103b用来防止节点N103成为悬浮电压。如果辅助电容103b未设置，则当取样晶体管103a断开时，节点N103处就成了悬浮电压。辅助电容103b和耦合电容103c产生的有效电容量大约等于输出电路105中的输出电容105a的电容量。预充电晶体管103d使侧端耦合电容103c以参考电压VR预充电，该电压低于(VDD-Vth)。
不过传统的CMOS图像传感器也存在一个问题，即需要很大的配置面积。也就是说，其配置面积要容得下安装取样晶体管103a、辅助电容103b和产生参考电压VR的参考电压产生电路(图中未画出)。
发明内容
为解决上述问题，本发明的主要目的在于提供一种CMOS图像传感器，使其配置面积减小。
本发明的另一个目的是提供一种该CMOS图像传感器的驱动方法。
为实现头一个目标，本发明提供了一种信号数据输出先于复位数据输出的CMOS图像传感器，该CMOS图像传感器包括：一个像素传感器，产生信号数据和在复位模式下产生复位数据，该像素传感器包括：一个公共节点；一个复位晶体管，其源极连接公共节点，漏极连接外部输入电压；该复位晶体管门电路化，以响应复位信号；一个接收外来能量的光电二极管，依据所接收的能量产生一定量的光电荷，光电二极管将此光电荷转化为信号数据，信号数据的电压取决于感生光电荷的总量；一个有门电极的驱动晶体管，门电极连接公共节点，而漏极连接外部输入电压；以及一个选择晶体管，将驱动晶体管的源电压传输至数据I/O线，以响应第一选择信号；一条数据I/O线，传输所产生的信号数据和复位数据；一个耦合到数据I/O线的双取样电路，完成对信号数据和复位数据的取样，并驱动输出终端，该双取样电路包括：一个第一级晶体管，将数据I/O线驱动至第一参考电压以响应读入指令，输出与信号数据相关的数值；一个第二级晶体管，将存贮节点驱动至第二参考电压以响应控制信号；以及一个第三级晶体管，将存贮节点的电压传输至输出终端，以响应第二选择信号；一个输出电路，用以输出与输出终端电压相关的数据；其特征在于：双取样电路先完成对信号数据的取样，然后才对复位数据取样。
为实现第二个目标，本发明提供了一种CMOS图像传感器的驱动方法，该方法至少包括：
(a)提供一CMOS图像传感器，其具备：一个以上以行列配置的像素传感器，在复位模式下产生复位数据，并依赖由响应所收到的外来能量而产生的光电荷总量产生信号数据，该像素传感器包括：一个公共节点；一个复位晶体管，其源极连接公共节点，漏极连接外部输入电压；该复位晶体管门电路化，以响应复位信号；一个接收外来能量的光电二极管，依据所接收的能量产生一定量的光电荷，光电二极管将此光电荷转化为信号数据，信号数据的电压取决于感生光电荷的总量；一个有门电极的驱动晶体管，门电极连接公共节点，而漏极连接外部输入电压；以及一个选择晶体管，将驱动晶体管的源电压传输至数据I/O线，以响应第一选择信号；一条数据I/O线，传输所产生的信号数据和复位数据；一个耦合到数据I/O线的双取样电路，完成对信号数据和复位数据的取样，并驱动输出终端，该双取样电路包括：一个第一级晶体管，将数据I/O线驱动至第一参考电压以响应读入指令，输出与信号数据相关的数值；一个第二级晶体管，将存贮节点驱动至第二参考电压以响应控制信号；以及一个第三级晶体管，将存贮节点的电压传输至输出终端，以响应第二选择信号；一个输出电路，用以输出与输出终端电压相关的数据；(b)产生一个读入信号，并触发一个行选择信号以选取一行；(c)触发一个数据输出信号；(d)响应数据输出信号，输出信号数据；(e)在步骤(d)之后驱动复位模式；(f)输出复位数据。
附图说明
有关本发明的上述目标及进一步的目标、特点和优点等，会由于以下的描述及相伴的附图而变得更为清晰。附图中的数码标号与文中相同，表示相关的部件。
图1表示传统的CMOS图像传感器；
图2为根据本发明优先实施例而画出的介绍CMOS图像传感器的电路图；
图3为解释本发明中CMOS图像传感器启动后所提供或产生的主信号和节点电压的同步信号图。
具体实施方式
图2为根据本发明优先实施例考虑而画出的介绍CMOS图像传感器的电路图。参照图2，CMOS图像传感器包括一个像素传感器201、数据I/O线DIO、双取样电路203和输出电路205。
像素传感器201包括复位晶体管201a、光电二极管201b、驱动晶体管201c、选择晶体管201d、以及一个公共连接点201e。光电二极管201b在响应外来能量(例如电磁能量光)时产生光电荷，从而产生取决于感生光电荷总量的信号数据。复位晶体管201a是对复位信号RS作出响应的门电路，它将公共节点201e的电压驱动至电压(VDD-Vta)，这里VDD和Vta分别表示外电源电压和阈值电压。复位晶体管201a的源极和漏极分别连接至外电源电压VDD和公共节点201e。复位晶体管201a优先考虑采用N通道金属氧化物半导体(NMOS)晶体管。
驱动晶体管201c是一个NMOS晶体管，其门极和漏极分别连接至公共节点201e和外电源电压VDD。因此，驱动晶体管201c的源节点201f的电压将公共节点201e的电压降低了Vtc，这里Vtc为该驱动晶体管201c的阈值电压。
源节点201f的电压通过选择晶体管201d传输到数据I/O线DIO。该选择晶体管201d是门电路化的，以响应行选择信号RSEL。行选择信号RSEL选取出像素阵列(图中未画出)中的一行。这就是说，像素传感器201根据行选择信号的考虑作行编排，其每一列的信号和复位数据传输至数据I/O线DIO。然后，像素传感器201的信号数据再传输至双取样电路203完成取样。在本优先实施例中，选择晶体管201d是一个NMOS晶体管。此后，像素传感器201的复位数据传输至双取样电路203，并在此完成取样。这就是说在本发明中，信号数据先于复位数据完成取样。
双取样电路203包括第一级晶体管203a、电流源203b、耦合电容203c、第二级晶体管203d和第三级晶体管203e。当产生一个读入指令时，第一级晶体管203a响应读入指令信号READ而导通。数据I/O线DIO被驱动至第一参考电压(例如地电位VSS)。在读入指令下，CMOS图像传感器受控输出与已贮存在像素传感器201中的信号数据相关的值。耦合电容203c配置在数据I/O线DIO与存贮节点NSTO之间，将存贮节点NSTO与数据I/O线DIO耦合起来。在本实施例中，耦合电容203c的一端直接连接至数据I/O线DIO。因此在本发明中均无必要配置传统CMOS图像传感器的取样晶体管103a和辅助电容103b。
第二级晶体管203d门电路化，以响应第一控制信号PC1，并将存贮节点NSTO驱动至第二参考电压(例如地电位VSS)。当输入读入指令时，就以脉冲形式生成第一控制信号PC1。第三级晶体管203e门电路化，以响应列选择信号CSEL，并将存贮节点NSTO的电压值传输至输出终端DQ，然后经由输出终端DQ输出信号Vout。列选择信号CSEL选取出像素阵列中的一列。即贮存在由列选择信号CSEL所选出的一列中的输出信号和复位数据被传输至输出终端DQ。
像很多列选择晶体管那样，该像素传感器的各列被连接至输出终端DQ。所以，由与输出终端DQ相连接的列选择晶体管203e产生的电容量，可以借助存贮电容205b模拟产生。
第四级晶体管205a门电路化，以响应第二控制信号PC2，并将输出终端DQ驱动至地电位VSS。在列选择信号CSEL激活之前，第二控制信号PC2先予激活，以便使输出终端DQ预充电。
当列选择信号CSEL达到逻辑“高”时，贮存在存贮节点NSTO中的电荷将分送至耦合电容203c和存贮电容205b，其电荷量之比，等于耦合电容203c和存贮电容205b的电容量之比。此后，存贮节点NSTO上的电压变为输出终端DQ上的电压值。
图3是同步信号图，显示本发明中的主要信号和CMOS图像传感器驱动电路中的各节点。
首先，当第一控制信号PC1在时刻t1为逻辑“高”时，存贮节点NSTO以地电位VSS预充电。在时刻t1之前就已复位的光电二极管201b此时处于累积光充电的状态。
然后，当行选择信号RSEL和读入指令信号READ在时刻t2为逻辑“高”时，由第一级晶体管203a、驱动晶体管201c和选择晶体管201d构成的源跟随电路就被驱动。随后光信号电压Vsig和复位数据电压Vrst之间的电压差V1被提供给数据I/O线DIO。在此情况下，由于第二级晶体管203d已导通，所以存贮节点NSTO维持在地电位VSS，因而电压差V1被存贮在耦合电容203c的两极之间。
当第一控制信号PC1在时刻t3为逻辑“低”时，存贮节点NSTO处于悬浮电位。此后，当复位信号在时刻t4变为逻辑“高”时，数据I/O线D1O被驱动至复位数据电压Vrst。然后耦合电容203c驱动存贮节点NSTO的电压，升至光信号电压Vsig(此处，Vsig＝Vrst-V1＝Vrst-Vrst+Vsig)。
当读入指令信号READ在时刻t5为逻辑“低”时，电流源203b被切断，在此状态时，与特定行相关的所有列的数据被贮存在存贮节点NSTO，然后各列的数据被相继读出。
此种情况下，每一列数据的读取过程详细描述如下。如果第二控制信号PC2在时刻t6达到逻辑“高”，则输出终端DQ就以地电位VSS预充电。此后第二控制信号PC2重新回到逻辑“低”。然后，如果选取一列的列选择信号CSEL和读入指令信号READ在时刻t7以脉冲形式产生，则存储在每一列中的数据就被读出。
按照CMOS图像传感器的驱动方法，复位数据的输出是在信号数据之后，所以数据I/O线DIO和输出终端DQ保持在复位数据的电压。于是本发明的CMOS图像传感器及其驱动方法有如下优点：
1)本发明不需要传统技术中的取样晶体管103a(图1)。
2)本发明也不需要传统技术中的辅助电容103b。而且，其耦合电容203c的电容量可以减小至传统耦合电容103c的1/4。
3)由于本发明不需要传统技术中的参考电压VR，所以本发明不需要产生参考电压的电路。
综上所述，由于本发明CMOS图像传感器中的信号数据先于复位数据输出，故维持信号数据电压所需的元器件数目减少了。因此与传统的CMOS图像传感器相比，本发明可以显著减小其配置面积。
上面对本发明连同优先实施例已作了特别的展示与描述，业内专家将能理解。对本发明也许还能作出各种改动而不违背本发明的精神和范围。比如，在上面提及的配置中，第二级晶体管203d和第四级晶体管205a的电源是连接到地电位VSS的，但按照另一种配置，第二级晶体管203d和第四级晶体管205a可以连接到预先设定电压不同于地电位VSS(例如供电电源电压VDD的一半)的电压线上。所以本发明的范围只应参照所附权利要求来确定。
Claims (9)
1、一种CMOS图像传感器，包括：
一个像素传感器，产生信号数据和在复位模式下产生复位数据，该像素传感器包括：
一个公共节点；
一个复位晶体管，其源极连接公共节点，漏极连接外部输入电压；该复位晶体管门电路化，以响应复位信号；
一个接收外来能量的光电二极管，依据所接收的能量产生一定量的光电荷，光电二极管将此光电荷转化为信号数据，信号数据的电压取决于感生光电荷的总量；
一个有门电极的驱动晶体管，门电极连接公共节点，而漏极连接外部输入电压；以及
一个选择晶体管，将驱动晶体管的源电压传输至数据I/O线，以响应第一选择信号；
一条数据I/O线，传输所产生的信号数据和复位数据；
一个耦合到数据I/O线的双取样电路，完成对信号数据和复位数据的取样，并驱动输出终端，该双取样电路包括：
一个第一级晶体管，将数据I/O线驱动至第一参考电压以响应读入指令，输出与信号数据相关的数值；
一个第二级晶体管，将存贮节点驱动至第二参考电压以响应控制信号；以及
一个第三级晶体管，将存贮节点的电压传输至输出终端，以响应第二选择信号；
一个输出电路，用以输出与输出终端电压相关的数据；
其特征在于：双取样电路先完成对信号数据的取样，然后才对复位数据取样。
2、根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于：复位晶体管、驱动晶体管和选择晶体管均为N通道金属氧化物半导体晶体管。
3、根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于：第一选择信号是从像素阵列中选取出一行的行选择信号。
4、根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于：第一参考电压为地电位。
5、根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于：第二参考电压为地电位。
6、根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于：第一、第二级晶体管均为N通道金属氧化物半导体晶体管。
7、根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于：第二选择信号是从像素阵列中选取出一列的列选择信号。
8、根据权利要求1所述的CMOS图像传感器，其特征在于：耦合电容的一端直接连接至数据I/O线。
9、一种图像传感器的驱动方法，其特征在于该方法至少包括：
(a)提供一CMOS图像传感器，其具备：一个以上以行列配置的像素传感器，在复位模式下产生复位数据，并依赖由响应所收到的外来能量而产生的光电荷总量产生信号数据，该像素传感器包括：一个公共节点；一个复位晶体管，其源极连接公共节点，漏极连接外部输入电压；该复位晶体管门电路化，以响应复位信号；一个接收外来能量的光电二极管，依据所接收的能量产生一定量的光电荷，光电二极管将此光电荷转化为信号数据，信号数据的电压取决于感生光电荷的总量；一个有门电极的驱动晶体管，门电极连接公共节点，而漏极连接外部输入电压；以及一个选择晶体管，将驱动晶体管的源电压传输至数据I/O线，以响应第一选择信号；一条数据I/O线，传输所产生的信号数据和复位数据；一个耦合到数据I/O线的双取样电路，完成对信号数据和复位数据的取样，并驱动输出终端，该双取样电路包括：一个第一级晶体管，将数据I/O线驱动至第一参考电压以响应读入指令，输出与信号数据相关的数值；一个第二级晶体管，将存贮节点驱动至第二参考电压以响应控制信号；以及一个第三级晶体管，将存贮节点的电压传输至输出终端，以响应第二选择信号；一个输出电路，用以输出与输出终端电压相关的数据；
(b)产生一个读入信号，并触发一个行选择信号以选取一行；
(c)触发一个数据输出信号；
(d)响应数据输出信号，输出信号数据；
(e)在步骤(d)之后驱动复位模式；
(f)输出复位数据。
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Families Citing this family (32)
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| US20040113151A1 (en) * | 2002-10-11 | 2004-06-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | CMOS image sensor |
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| US7038259B2 (en) * | 2003-10-22 | 2006-05-02 | Micron Technology, Inc. | Dual capacitor structure for imagers and method of formation |
| KR100588731B1 (ko) * | 2004-04-26 | 2006-06-12 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 고속 아날로그 신호 처리를 위한 ｃｍｏｓ 이미지센서 |
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| KR100494100B1 (ko) * | 2004-07-01 | 2005-06-10 | 엠텍비젼 주식회사 | Cmos 이미지 센서 |
| CN100433197C (zh) * | 2005-03-17 | 2008-11-12 | 北京思比科微电子技术有限公司 | 低噪声相关双取样电路 |
| JP4328327B2 (ja) * | 2005-12-14 | 2009-09-09 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びその駆動方法 |
| US7791010B2 (en) * | 2006-11-01 | 2010-09-07 | International Business Machines Corporation | CMOS image sensor having a third FET device with the gate terminal coupled to the diffusion region of a first FET device, the second terminal coupled to a column signal line, and the first terminal coupled to a row select signal |
| US7692130B2 (en) | 2006-11-01 | 2010-04-06 | International Business Machines Corporation | CMOS imaging sensor having a third FET device with a gate terminal coupled to a second diffusion region of a first FET device and a first terminal coupled to a row select signal |
| JP4385059B2 (ja) | 2007-05-16 | 2009-12-16 | シャープ株式会社 | イメージセンサ |
| US7924333B2 (en) * | 2007-08-17 | 2011-04-12 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus providing shared pixel straight gate architecture |
| US7989749B2 (en) * | 2007-10-05 | 2011-08-02 | Aptina Imaging Corporation | Method and apparatus providing shared pixel architecture |
| US20090237540A1 (en) * | 2008-03-20 | 2009-09-24 | Micron Technology, Inc. | Imager method and apparatus having combined gate signals |
| JP5006281B2 (ja) * | 2008-07-24 | 2012-08-22 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置、カメラ |
| KR101156445B1 (ko) * | 2010-05-14 | 2012-06-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 광검출 픽셀의 구동방법 및 이 광검출 픽셀을 포함하는 엑스레이 검출기의 구동방법 |
| CN102769721B (zh) * | 2011-05-03 | 2016-06-22 | 联咏科技股份有限公司 | 影像传感器的相关双重取样装置及其方法 |
| KR102127100B1 (ko) | 2012-07-26 | 2020-06-29 | 디퍼이 신테스 프로덕츠, 인코포레이티드 | 광 부족 환경에서 ycbcr 펄싱된 조명 수법 |
| BR112015001555A2 (pt) | 2012-07-26 | 2017-07-04 | Olive Medical Corp | vídeo contínuo em ambiente com deficiência de luz |
| AU2014223163A1 (en) | 2013-02-28 | 2015-08-20 | Olive Medical Corporation | Videostroboscopy of vocal chords with CMOS sensors |
| EP2967301B1 (en) | 2013-03-15 | 2021-11-03 | DePuy Synthes Products, Inc. | Scope sensing in a light controlled environment |
| US9641815B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-05-02 | DePuy Synthes Products, Inc. | Super resolution and color motion artifact correction in a pulsed color imaging system |
| US9777913B2 (en) | 2013-03-15 | 2017-10-03 | DePuy Synthes Products, Inc. | Controlling the integral light energy of a laser pulse |
| CN106102559A (zh) | 2014-03-21 | 2016-11-09 | 德普伊新特斯产品公司 | 用于成像传感器的卡缘连接器 |
| CN103927982B (zh) * | 2014-03-24 | 2016-08-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素电路及其驱动方法、显示装置 |
| KR102307376B1 (ko) * | 2015-06-09 | 2021-10-06 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 및 그의 리드아웃 방법 |
| CN108063905B (zh) * | 2016-11-09 | 2020-04-14 | 京东方科技集团股份有限公司 | 像素感应电路及其驱动方法、图像传感器、电子设备 |
| KR102552277B1 (ko) * | 2018-06-21 | 2023-07-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 인터페이스 시스템 및 이를 포함하는 표시 장치 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1148454A (zh) * | 1994-05-19 | 1997-04-23 | 宝丽来公司 | 具有有源像素的cmos成像阵列 |
| WO1998056168A1 (en) * | 1997-06-02 | 1998-12-10 | Sarnoff Corporation | Cmos image sensor with reduced fixed pattern noise |
| US5892540A (en) * | 1996-06-13 | 1999-04-06 | Rockwell International Corporation | Low noise amplifier for passive pixel CMOS imager |
| US6040570A (en) * | 1998-05-29 | 2000-03-21 | Sarnoff Corporation | Extended dynamic range image sensor system |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6021172A (en) * | 1994-01-28 | 2000-02-01 | California Institute Of Technology | Active pixel sensor having intra-pixel charge transfer with analog-to-digital converter |
| JPH09284658A (ja) * | 1996-04-10 | 1997-10-31 | Sony Corp | 固体撮像素子 |
| JPH10126695A (ja) * | 1996-10-18 | 1998-05-15 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその駆動方法並びにカメラ |
| EP0928103A3 (en) * | 1997-12-31 | 2000-08-02 | Texas Instruments Incorporated | CMOS imaging sensors |
| US6201572B1 (en) * | 1998-02-02 | 2001-03-13 | Agilent Technologies, Inc. | Analog current mode assisted differential to single-ended read-out channel operable with an active pixel sensor |
| US6388241B1 (en) * | 1998-02-19 | 2002-05-14 | Photobit Corporation | Active pixel color linear sensor with line—packed pixel readout |
| KR20000000938A (ko) * | 1998-06-05 | 2000-01-15 | 윤종용 | 디지털 영역에서의 이중 상관 샘플링을 위한 병렬구조의 아날로그/디지털 변환장치 및 그의 디지털 영상신호 발생방법 |
| US6532040B1 (en) * | 1998-09-09 | 2003-03-11 | Pictos Technologies, Inc. | Low-noise active-pixel sensor for imaging arrays with high speed row reset |
| KR100339248B1 (ko) * | 1998-09-15 | 2002-07-18 | 박종섭 | 씨모스이미지센서 |
| US6753912B1 (en) * | 1999-08-31 | 2004-06-22 | Taiwan Advanced Sensors Corporation | Self compensating correlated double sampling circuit |
| US6727946B1 (en) * | 1999-12-14 | 2004-04-27 | Omnivision Technologies, Inc. | APS soft reset circuit for reducing image lag |
| US6710804B1 (en) * | 2000-01-18 | 2004-03-23 | Eastman Kodak Company | CMOS active pixel image sensor with extended dynamic range and sensitivity |
-
2000
- 2000-06-23 KR KR10-2000-0034912A patent/KR100397663B1/ko active IP Right Grant
-
2001
- 2001-05-23 JP JP2001154545A patent/JP2002044524A/ja active Pending
- 2001-05-25 TW TW090112680A patent/TW506217B/zh not_active IP Right Cessation
- 2001-06-01 US US09/870,943 patent/US6933974B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-06-19 CN CNB011292695A patent/CN1309088C/zh not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1148454A (zh) * | 1994-05-19 | 1997-04-23 | 宝丽来公司 | 具有有源像素的cmos成像阵列 |
| US5892540A (en) * | 1996-06-13 | 1999-04-06 | Rockwell International Corporation | Low noise amplifier for passive pixel CMOS imager |
| WO1998056168A1 (en) * | 1997-06-02 | 1998-12-10 | Sarnoff Corporation | Cmos image sensor with reduced fixed pattern noise |
| US6040570A (en) * | 1998-05-29 | 2000-03-21 | Sarnoff Corporation | Extended dynamic range image sensor system |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6933974B2 (en) | 2005-08-23 |
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