CN1307326A - 液晶显示装置的制造装置和液晶显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

可以得到能够防止起因于与外部气氛接触的化学性污染的液晶显示装置的制造装置和液晶显示装置的制造方法。具备清洗处理室(1a、1b)、在清洗处理室内清洗完毕的层的上边进行成膜处理的成膜处理室(2)、从清洗处理室向成膜处理室移动基板(11)而不会暴露于外气中的外气隔断移送装置(3、4)。

Description

液晶显示装置的制造装置 和液晶显示装置的制造方法
本发明涉及液晶显示装置的制造装置和液晶显示装置的制造方法，特别是涉及驱动电路一体式液晶显示装置及该驱动电路一体式液晶显示装置的制造方法。
在使用薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)的驱动电路一体式液晶显示装置中，象素区的TFT仅仅起着向象素电极充电和电荷保持开关这2个作用。为此，对象素区的TFT所要求的性能，不需要象对一般的半导体装置所要求的那样精确的阈值电压的控制。因此，在象素区的TFT中使用的薄膜半导体使用非晶硅就足够了。
近些年来，人们开发出了使用采用对非晶硅进行激光退火的办法形成的多晶硅TFT的技术，积极地制造使用该多晶硅TFT的液晶显示装置。这种类型的液晶显示装置，采用一体性地形成驱动电路区和象素区的办法，具有使得低价格化或显示象素的高精细化成为可能的优点。该多晶硅TFT，由于必须具有驱动电路的器件所要求的特性，故必须保持高精度的阈值电压。为此就产生了新的课题。
在使用非晶硅的现有液晶显示装置的制造工序中，通常，在非晶硅的成膜处理的前工序中，为了除去异物或提高非晶硅膜的贴紧力，要进行清洗处理。图12示出了现有的从清洗工序到成膜处理工序为止的路径的气氛环境。在清洗处理工序中有物理清洗工序110和化学清洗工序120。装载于基板盒106内的基板111用自动搬运车(AFV:Automatic Guided Vehicle)140搬运到装载机143内，再用搬运机器人104运进物理清洗室，实施物理清洗处理。在这里，在说‘基板’时，除去石英基板等的基板本身之外，还包括已施行过处理的基板。首先，用UV灯泡151照射紫外光除去有机物，接着用刷洗或机械清洗等的物理清洗单元152进行清洗，经水洗处理单元154和干燥处理单元155后，被送出至卸载机145。此外，在化学清洗工序120中，虽然具备实施用药液进行的化学清洗的化学清洗单元53，但是入口和出口的基板的处理与物理清洗工序是一样的。这些清洗结束后的基板，在超净房间的气氛中被收纳于开放的基板盒107内，用AGV搬运至成膜处理室102的装载机/卸载机146上。在这里，基板111被搬运机器人104从基板盒106中取出来，在成膜处理室内实施非晶硅的成膜处理。接着，再次暴露于超净房间气氛内进行搬运，在激光退火处理室内进行以非晶硅的结晶化为目的的激光退火处理。这些基板按照与成膜处理装置的空闲时间之间的关系，在保管库130内进行保管，基底膜也有时候长期地暴露于超净房间气氛中。到此为止，在该搬运或保管之间，对于微粒子一直都在进行高等级的防止附着管理。
但是，就如从上述的基板对于超净房间气氛是开放的这一点可以明白的那样，对于基板表面的化学污染来说，没有进行充分的管理。象这样的化学性的污染的影响，对于仅仅在象素区使用的非晶硅TFT来说，是完全不成问题的等级的污染。但是，对于构成驱动电路的多晶硅TFT来说，则将会产生由金属等的污染引起的掺杂效应或由有机污染引起的影响多晶硅TFT的晶粒生长的影响。为此，将使阈值电压发生变动、在基板内发生不均一，在驱动电路中产生误动作，因而使得生产成品率下降。
于是，本发明的目的在于，提供可以防止起因于与超净房间气氛进行接触的化学性的污染，不产生阈值电压的变动等的液晶显示装置的制造装置和液晶显示装置的制造方法。
本发明的液晶显示装置的制造装置，具备对基板进行清洗的清洗处理室、对于在清洗处理室中清洗完毕的基板进行成膜处理的成膜处理室、和从清洗处理室向成膜处理室移送基板而不暴露于外气中的外气隔断移送装置。
倘采用该构成，由于在清洗后不会暴露于超净房间气氛内，故可以防止化学性的污染。为此，将消除起因于因金属等的污染引起的掺杂效应或由有机污染引起的影响多晶硅TFT的晶粒生长不均一的发生等而引起的阈值电压的变动。其结果是，可以避免起因于驱动电路的误动作等而使生产成品率降低的事态。另外，上述的基板，指的是先前定义的基板。
在上述本发明的液晶显示装置的制造装置中，外气隔断移送装置具备既是从清洗处理室到成膜处理室移送基板的通路，又隔断外气的外气隔断通路、和在该外气隔断通路内搬运基板的搬运机。
倘采用该构成，自动地搬运基板而不会暴露于外气中，将变得容易起来。此外，采用进行自动化的办法，缩短等待时间或搬运时间变得容易起来，因而制造的高效率化是可能的。
在上述本发明的液晶显示装置的制造装置中，外气隔断移送装置具备把在清洗处理室内清洗完毕的基板搬运至可以与外气隔断的密闭基板盒内而不会暴露于外气中的基板搬入装置、和在成膜处理室中从密闭基板盒内取出基板的基板取出装置。
倘采用该构成，由于可以保持存放在密封基板盒内而不会暴露于外气中的状态不变地搬运基板，故可以避免化学污染和清洗后的微粒子附着。另外，从清洗处理室的卸载机部分向成膜处理室的装载机部分进行的密封基板盒的搬运，既可以用AGV之类的搬运机进行，也可以用手动进行。
在上述本发明的液晶显示装置的制造装置中，还具备基板盒装载室、和具有搬运机器人的搬运机器人室(load-lock室)，基板盒装载室、清洗处理室和成膜处理室都被配置在搬运机器人的周围，并与搬运机器人室进行连络以便可以用搬运机器人送入送出基板。
倘采用该构成，就可以从基板盒装载室经由清洗处理室到成膜处理室，用搬运机器人连续地搬运基板而不会暴露于外气中。其结果是，除去可以防止化学性的污染或清洗后的微粒子的附着之外，还可以实现成膜处理的短时间化和高效率化。此外，还可以使装进上述各个室内的装置小型化以在超净房间内实现节省空间。在以上所说的本发明的第1～4种液晶显示装置的制造装置中，外气隔断通路或密封基板盒的内部，理想的是外气是减压到103Pa以下的气氛、氮气气氛或干燥空气气氛。由于基板在上述气氛中不会受到化学性的污染或清洗后的微粒子的附着，此外这些气氛可以廉价地实现，故不会提高造价。
在上述本发明的液晶显示装置的制造装置中，还具备既是与外气隔断通路进行连络且已与外气隔断的处理室，又对基板施行退火处理的退火处理室。
倘采用该构成，可以对成膜后的膜进行退火处理而不会暴露于外气中。为此，可以在防止化学性的污染的状态下使成膜后的非晶硅膜经退火处理后变成为多晶硅膜。
在上述本发明的液晶显示装置的制造装置中，具备可以在退火处理室中对基板进行激光退火处理的光学调整单元。
倘采用该构成，就可以在低温下使非晶硅膜变成为晶粒直径大的多晶硅膜。为此，除去可以防止化学性的污染之外，还可以制造具有可以在驱动电路中使用的性能的TFT。
在上述本发明的液晶显示装置的制造装置中，成膜处理室具备与外气隔断通路进行连络的第1成膜处理室和与外气隔断通路进行连络的第2成膜处理室。
倘采用该构成，那些在第1成膜室内成膜的怕化学性污染的膜，例如多晶硅膜，就可以从基底膜一侧或上侧就是说从栅极绝缘膜一侧防止化学性污染。其结果是，可以得到稳定的阈值电压，可以实现成品率的提高。
在上述本发明的液晶显示装置的制造装置中，外气隔断通路或密封基板盒具有与外气大体上隔断的那种程度的不严密的密封构造，在外气隔断通路或密封基板盒的内部，对基板呈现惰性的惰性气体，对于外气保持正压力。在这种情况下，理想的是还具备化学过滤器，氮气或干燥空气通过该化学过滤器被导入外气隔断通路或密封基板盒内。
该构成可以更为廉价地实现严密的密闭构造。为此，可以廉价地防止化学性污染或微粒子附着，可以更进一步地享受成品率提高的效果。
本发明的液晶显示装置的制造方法，具备：把在玻璃基板的上边具有基底膜的基板装入清洗处理室内进行清洗处理的工序，从上述清洗处理室内取出清洗完毕的基板不暴露于外气中地装入成膜处理室内的工序，和在成膜处理室中在基板的上边形成非晶硅膜的工序。
倘采用该构成，由于怕化学性污染的非晶硅膜不会从下侧受到化学性污染或微粒子的附着，故不会引起误动作，可以维持高的生产成品率。
在上述本发明的液晶显示装置的制造方法中，具备在形成了非晶硅膜之后，接着，不暴露于外气中地使已形成了非晶硅膜的基板进行退火，以使之变成为多晶硅膜的工序。
倘采用该构成，则在象素区内可以实现高精细化，在驱动电路区的驱动晶体管中，则可以廉价且稳定地确保高精度阈值电压。此外，还可以一体性地形成象素区和驱动电路区，可以实现在液晶显示装置中受到重视的小型化。
在上述本发明的液晶显示装置的制造方法中，在形成多晶硅膜的工序之后，还具备接着不暴露于外气中地移送到另外的成膜处理室中去的工序，和在该另外的成膜处理室内，在多晶硅膜的上边形成栅极绝缘膜的工序。
倘采用该构成，则多晶硅无论从基底膜一侧还是从栅极绝缘膜一侧都不会受到化学性污染或清洗后的微粒子的附着。其结果是，可以更进一步地抑制阈值电压的变动，可以更为确实地避免生产成品率的降低。
图1是实施例1的清洗-成膜处理一体式的液晶显示装置的制造装置的概略构成图。
图2是图1的UV照射单元的模式性的剖面图。
图3是图1的旋转式湿法清洗单元的模式性的剖面图。
图4是实施例1的LPCVD装置的概略构成图。
图5是实施例1的PCVD装置的概略构成图。
图6是对在实施例2中从清洗处理室向成膜处理室搬运基板的机构进行说明的说明图。
图7是对在实施例2中从清洗处理室向成膜处理室搬运基板的另外一种机构进行说明的说明图。
图8是在实施例3中，在玻璃基板的上边形成了基底膜、形成了非晶硅膜之后，进行退火使之结晶化，使晶体管部分图形化的阶段的剖面图。
图9是形成栅极绝缘膜，向源/漏区内注入杂质离子形成了栅极布线的阶段的剖面图。
图10是形成了层间绝缘膜、源/漏电极和保护绝缘膜的阶段的剖面图。
图11是液晶显示装置的驱动电路区和显示象素区的剖面图。
图12示出了从清洗工序向成膜处理工序的现有的搬运工序的气氛。
其次，用附图说明本发明的实施例。
(实施例1)
参看图1，本装置具有基板盒装载机5、设置有旋转式的湿法清洗单元(以下，叫做‘清洗单元’)9的清洗单元室1a、UV照射单元室1b和CVD装置室2，基板11在各个室之间的移动，用设置在中央部分的搬运机器人室(load-lock室)3中的搬运机器人4对基板按块进行搬运。搬运机器人室3、UV照射单元室1b、清洗单元室1a和CVD装置室2不论哪一个都变成为大体上密闭的不严密的密闭构造，各自都具有可以用管道(未画出来)引导气体的构造，可以导入用化学过滤器7除去了污染物质的氮气或干燥空气。在各个室内，进行引导气体的流量控制使得相对于本装置外的气氛变成为正压，使本装置外的气氛不得混入进来。在通往搬运机器人室3的各个室的入口处，设置开闭自由的门8，变成为在各个室内的基板处理期间中可以与搬运机器人室进行气氛隔离的构成。在基板盒装载机室5与搬运机器人室8之间，也设置开闭自由的门8，除基板的授受时以外该门8就关闭起来。特别是在把清洗完毕的基板向CVD装置室搬运时，必须对搬运机器人室3的气氛进行控制。在进行成膜处理的CVD装置室内，当然，与通常的真空装置一样，用泵抽成真空或使之减压。
其次，对各个单元(装置)进行说明。参看图2，与基板11的尺寸相吻合的UV照射单元21，以0.2个/cm的密度具备150W左右的低输出式的UV灯泡22。此外，把载物台作成为可动构造，以灯泡节距的一半的振幅，摇动基板1使得可以均一地进行UV照射。还可以采用用波长172nm的准分子UV灯泡来取代该UV灯泡的办法提高有机物的除去效率。参看图3，这里所具备的清洗处理装置，只要是与在液晶显示装置的制造中一般使用的(生产)线内照相制版装置的清洗单元或显影单元同等性能的装置即可。该清洗单元9具备利用基板的旋转机构、悬臂的刷洗清洗机构12和可以进行机械清洗机构等的物理清洗和利用可以放出药液或润洗液的喷嘴的化学清洗这两者的悬臂机构13。理想的是根据在清洗中所使用的药液，使基板支持载物台或防止药液飞散的杯子的材质变成为耐药液性。在这里，可以使用被覆上聚四氟乙烯的不锈钢，以便作为药液可以使用氟酸系药液。在物理清洗机构与药液之间的组合之间产生了不合适的情况下，也可以另外设置旋转式的物理清洗单元。在这种情况下，也可以使用氧化性的药液。
其次，示出CVD装置的例子。这些CVD装置，不论在哪一种的CVD装置中，都可以是与在一般的液晶显示装置中使用的CVD装置同样的装置。参看图4，该LPCVD装置30，具有在室内支持基板的石英舟23，可用泵(未画出来)等进行减压的排气机构和具备导入成膜气体的质量流控制器(MFC)32和阀门31的管道系统。此外，如图5所示，在等离子体CVD装置中，把具备导入成膜气体的MFC32和阀门31等的管道连接到带有等离子体发生机构的成膜处理室39上。此外，还具备搬运机器人室36和设置有机器人38的预备室37这么2个室，以便可以在低压状态下进行基板11的预备加热或冷却和与成膜处理室之间进行基板的授受。此外，成膜处理室39分别独立地具有借助于泵抽成低压的排气机构。除去带有该CVD装置之外，也可以配置激光退火室，用来在同样的气氛内由非晶硅结晶化为多晶硅。作为激光退化装置，可以是在300℃左右的低温下生成多晶硅的一般的装置。
用上述装置得到的作用如下。从清洗处理到成膜处理进而到激光退火处理的工序可以自动地连续进行处理而不会接触外气。其结果是，可以减轻对基板的化学污染或微粒子附着。此外，采用向这样的不严密的密闭构造内导入控制气氛的气体的办法可以进一步地减轻污染附着。作为要使用的气体，只要是象氮气或干燥空气那样的安全且比较廉价的气体即可，理想的是导入通过化学过滤器除去了污染物质的气体。由于各室都采用了不严密的密闭构造，故在对液晶显示装置用的大型的玻璃基板进行处理的情况下，与作成为完全密闭构造的情况比较，可以实现装置成本的大的降低。此外，本装置，在成膜装置内使用LPCVD装置的情况下，效果特别高。其理由是：在令使用LPCVD法成膜的非晶硅结晶化以形成多晶硅的情况下，LPCVD的成膜速度特别慢，基底的污染的影响大大地表现出来的缘故。起因于该污染的影响，多晶硅的结晶性易于变动，其结果是完成后的TFT的特性强烈地受污染的影响。倘采用本实施例的装置，则可以抑制上述的变动从而可以制作稳定的特性的TFT。
此外，作为装置构成，采用以搬运机器人为中心来配置各个单元的办法，装置将变得非常紧凑，使装置的省空间化成为可能。此外，在本实施例中，由于使用了UV照射单元和另外的湿法清洗装置这两方，故可以确实地防止有机物和金属的污染。此外，当使用氧化性的处理液时，将会进一步提高有机物的除去效果。但是，特别是在可以把污染限定为有机物的情况下，作为清洗单元可以仅仅使用UV照射单元。在这种情况下，装置的大小，可以作成为在现有的成膜装置的搬运机器人与成膜室之间仅仅安装上UV照射单元的非常紧凑的装置，可以改善节省空间的效果。
(实施例2)
参看图6，清洗装置可以是在液晶显示装置的制造中一直使用的现有的清洗装置，具备UV照射单元51、灯泡清洗或机械清洗等的物理清洗单元52、用药液进行清洗的化学清洗单元53、水洗单元54和干燥单元55。在成膜处理室2内具备与在实施例1中说明的CVD装置同等性能的CVD装置。在清洗处理室44的卸载机43中，具备把基板放入到具备带有可以密闭的橡胶衬垫的门的基板盒18内，借助于使基板盒的门闭合的办法把基板密封封入到基板盒内的机构(未画出来)。此外，在成膜处理室2的装载机46中，具备打开密闭基板盒的门的机构(未画出来)。该密闭基板盒18，既可以用AGV等从清洗处理室搬运至成膜处理室，从清洗处理室到成膜处理室也可以用传送带自动搬运。
此外，清洗处理室的卸载机45和成膜处理室的装载机46，在入口和出口这两方都设有开闭自由的门8，在门关闭的状态下具有大体上变成为密闭构造的不严密的密闭构造。更详细地说变成为这样的构造：把通过化学过滤器的氮气或干燥空气引导至这些卸载机45和装载机46内，借助于流量控制对外气保持正压，不让外气混入进来。
作为密闭基板盒内的气氛，也可以照原样不加变动地封入作为清洗处理室的卸载机45的气氛的干燥空气。或者，也可以把与卸载机45的气氛无关的已除去了污染物质的氮气或干燥空气直接送进基板盒内后进行封入，这样做可以确实地实施基板盒内的气氛管理。此外，由于即便是在密闭之后把基板盒内抽成103Pa以下的真空，仍可以使气氛的污染物质降低到1/100这种程度，故可以充分地降低附着于基板上的污染物质。
作为另外的方法，如图7所示，也可以作成为这样：把清洗室的卸载机45和成膜室的装载机46之间当作大体上的密闭构造的通路48，对该不严密的密闭构造48进行气氛控制。倘采用该构成，则可以省略上述的密闭基板盒18中的密闭机构和对密闭基板盒的开闭机构。在这种情况下，也象在实施例1中说明的那样，在液晶显示装置用的大型玻璃基板的处理中，与完全密闭的构造比较起来，可以大大地降低装置成本。
另外，实施例1和实施例2虽然说明的都是作为成膜装置使用CVD装置的情况，但对于清洗后的微粒子附着会导致成品率降低的溅射装置，不言而喻，也可以应用本发明。
(实施例3)
其次，用给实施例1或2所示的制造装置附加上激光退火室的本发明的装置，说明制造液晶显示装置的驱动电路部分的多晶硅TFT的方法。首先，如图8所示，在玻璃基板11的表面上，例如，用PECVD作为基底膜连续形成硅氮化膜和硅氧化膜这二者的2层膜62。其次，用上述的清洗·成膜·退火一体式的装置，连续地进行清洗处理和用LPCVD装置实施的成膜处理和激光退火处理。作为清洗处理，进行UV照射处理、刷洗清洗和机械清洗，然后，用臭氧水或HF系清洗液进行药液清洗。之后，不使之接触外气那样地把基板搬运至成膜处理室内进行成膜处理。作为成膜处理，用图4所示的LPCVD装置形成60nm左右的非晶硅膜。再在不暴露于外气中地用附加到上述装置上设置的激光退火装置使非晶硅进行退火变成为多晶硅之后，如图8所示，用干法刻蚀使之图形化后形成晶体管区域64。其次，如图9所示，作为栅极绝缘膜，例如借助于TEOS(原硅酸四乙酯)PECVD，形成70nm左右的硅氧化膜65。然后，设置光刻胶，向n型晶体管76的沟道区69的两端低浓度地注入磷离子形成n-型杂质区的LDD(LightlyDoped Domain，轻掺杂区)75。其次，例如形成Cr膜，使之图形化形成栅极电极66。然后依次注入磷离子、硼离子形成将成为源/漏区的n+型杂质区67和p型杂质区，分别制作成n型晶体管76和p型晶体管77。在注入磷离子和硼离子时，要向n型晶体管内注入磷离子，向p型晶体管内注入硼离子。
其次，如图10所示，在作为保护膜用TEOS PECVD形成了硅氧化膜71之后，在400℃下进行激光退火。用干法刻蚀在保护膜上形成接触孔的开口，再用溅射器连续地淀积100nm的Cr膜、400nm的Al系合金膜和100nm的Cr膜，使之图形化，形成源/漏电极72。之后，以沟道部分为对象，在氢等离子体中进行多晶硅的氢化处理，在进行了特性的提高或稳定化之后，用硅氮化膜等形成绝缘膜74。把用这样的工艺制作的n型晶体管76和p型晶体管77组合起来，构成具备驱动电路的CMOS电路。
在上述的驱动电路区的制作中，对于在同一玻璃基板上制作的显示象素区，同一种类的层也可以用与驱动电路区同一定时进行成膜处理。如图11所示，在显示象素区内形成的器件部分，除去形成象素用的由2个n型晶体管构成的象素晶体管89和具有上部电极86、下部电极85的电容88这一点之外，驱动电路区的器件部分没有什么变动。显示象素区的成膜步骤与驱动电路区的成膜平行地一体性地进行。在下部玻璃基板一侧，在形成了绝缘膜74之后，在显示象素区内，通过接触孔把象素电极连接到显示象素区的n型晶体管上，然后再在其上边形成配向膜84。在显示象素区的上部玻璃基板81上，叠层彩色滤色片82、相向电极83，在其上边形成配向膜84。然后保持间隙间隔地把经过上述处理的上部和下部的玻璃基板粘接起来，向其间隙内注入液晶78，完成液晶显示装置(图11)。
若用上述的方法制造的液晶显示装置，则可以防止由来自多晶硅的上层和下层的有机物或金属形成的对沟道部分的污染。为此，就不会发生归因于由于在激光退火后金属杂质向多晶硅中的混入而产生的阈值电压Vth的变动或归因于由于基底的杂质的影响而形成的结晶化时的晶体生长的变动等的TFT特性劣化。此外，TFT的阈值电压的波动，电容绝缘膜的耐压也都不成问题，产品的生产成品率、耐久性、可靠性等的一切方面的改善成为可能。在本实施例中，特别是在特性方面效果高的沟道部分的成膜工序和激光退火工序中，导入了给实施例1的装置附加上激光退火装置的装置。但是，由于具有降低清洗后的微粒子再附着的效果，故借助于应用到其它的溅射成膜等中去的办法，可以提高溅射成膜的生产成品率。
(实施例4)
对于实施例3所示的液晶显示装置，由于采用使用实施例2中的装置的办法，可以用药液槽等清洗处理基板，故可以对强酸性的药液或高温的药液实施温度控制的办法进行清洗。例如，可以使用在半导体装置的制造中经常使用的RCA清洗液、就是说可以使用由H2SO4+H2O2+H2O构成的清洗液或NH3+H2O2+H2O、HCl+H2O2+H2O、HF+H2O等的清洗液。这些清洗液，根据除去对象物或对玻璃基板表面的损伤情况等适当地进行组合，各自的处理，在常温～100℃左右的适当的温度下进行。借助于这些清洗处理，就可以除去污染物质，然后，不使之附着污染物质地进行成膜或退火。在用上述的方法形成的液晶显示装置中，由于在沟道部分的上层或下层中不存在由有机物或金属形成的污染，不存在激光退火后的由多晶硅中的金属引起的Vth的变动或对结晶化的结晶性的影响，故不会发生TFT的特性劣化。此外，还可以减轻各次成膜前的微粒子的再附着。其结果是，TFT的阈值电压Vth的波动、电容绝缘膜的耐压都不成问题、在生产成品率、耐久性、可靠性的一切方面都可以得到改善。

Claims (14)

1．一种液晶显示装置的制造装置，具备：
对液晶显示装置的基板(11)进行清洗的清洗处理室(1a、1b、44)；
对于在上述清洗处理室中清洗完毕的上述基板进行成膜处理的成膜处理室(2)；
从上述清洗处理室向上述成膜处理室移送上述基板而不暴露于外气中的外气隔断移送装置(3、4、18、48)。
2．权利要求1所述的液晶显示装置的制造装置，上述外气隔断移送装置(3、4、18、48)，具备既是从上述清洗处理室(1a、1b、44)到上述成膜处理室(2)移送上述基板的通路，又隔断外气的外气隔断通路(48)、和在该外气隔断通路内搬运上述基板的搬运机。
3．权利要求1所述的液晶显示装置的制造装置，上述外气隔断移送装置具备把在上述清洗处理室内清洗完毕的上述基板搬运至可以与外气隔断的密闭基板盒(18)内而不会暴露于外气中的基板搬入装置(4、45)，和在上述成膜处理室中从上述密闭基板盒内取出上述基板的基板取出装置(4、46)。
4．权利要求1所述的液晶显示装置的制造装置，还具备基板盒装载室(5)和具有搬运机器人(4)的搬运机器人室(3)，上述基板盒装载室(5)、上述清洗处理室(1a、1b、44)和上述成膜处理室(2)都被配置在上述搬运机器人(4)的周围，并与上述搬运机器人室(3)进行连络以便可以用上述搬运机器人(4)送入送出上述基板(11)。
5．权利要求2所述的液晶显示装置的制造装置，还具备既是与上述外气隔断通路进行连络且已与外气隔断的处理室，又对上述基板施行退火处理的退火处理室。
6．权利要求5所述的液晶显示装置的制造装置，在上述退火处理室中，具备可以对上述基板进行激光退火处理的光学调整单元。
7．权利要求2所述的液晶显示装置的制造装置，上述成膜处理室(2)具备与上述外气隔断通路进行连络的第1成膜处理室和与上述外气隔断通路进行连络的第2成膜处理室。
8．权利要求2所述的液晶显示装置的制造装置，上述外气隔断通路(48)具有与外气大体上隔断的那种程度的不严密的密封构造，在上述外气隔断通路的内部，对上述基板呈现惰性的惰性气体，对于外气保持正压力。
9．权利要求3所述的液晶显示装置的制造装置，上述密封基板盒(18)具有与外气大体上隔断的那种程度的不严密的密封构造，在上述密封基板盒的内部，对上述基板呈现惰性的惰性气体，对于外气保持正压力。
10．权利要求8所述的液晶显示装置的制造装置，还具备化学过滤器(7)，通过该化学过滤器把上述惰性气体导入上述外气隔断通路(48)。
11．权利要求9所述的液晶显示装置的制造装置，还具备化学过滤器(7)，通过该化学过滤器把上述惰性气体导入上述密闭基板盒(18)。
12．一种液晶显示装置的制造方法，具备：
把在玻璃基板(11)的上边具有基底膜(62)的基板装入清洗处理室(1a、1b、44)内进行清洗处理的工序；
从上述清洗处理室内取出上述清洗完毕的基板，不暴露于外气中地装入成膜处理室(2)内的工序；
在上述成膜处理室中在上述基板的上边形成非晶硅膜的工序。
13．权利要求12所述的液晶显示装置的制造方法，具备在形成了上述非晶硅膜之后，接着，不暴露于外气中地使已形成了上述非晶硅膜的基板进行退火，使之变成为多晶硅膜的工序。
14．权利要求13所述的液晶显示装置的制造方法，在形成上述多晶硅膜的工序之后，具备接着不暴露于外气中地移送到另外的成膜处理室中去的工序，和在该另外的成膜处理室内，在上述多晶硅膜的上边形成栅极绝缘膜(65)的工序。
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