CN1304905C - 电摄影光电导体用基体以及使用该基体的电摄影光电导体 - Google Patents

电摄影光电导体用基体以及使用该基体的电摄影光电导体 Download PDF

Info

Publication number
CN1304905C
CN1304905C CNB981175740A CN98117574A CN1304905C CN 1304905 C CN1304905 C CN 1304905C CN B981175740 A CNB981175740 A CN B981175740A CN 98117574 A CN98117574 A CN 98117574A CN 1304905 C CN1304905 C CN 1304905C
Authority
CN
China
Prior art keywords
sealer
photoconductor
matrix
formaldehyde condensation
nickel acetate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
CNB981175740A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1206852A (zh
Inventor
矢萩秀隆
田村幸久
坂口雅章
中岸丰
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fuji Electric Co Ltd
Original Assignee
Fuji Electric Device Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fuji Electric Device Technology Co Ltd filed Critical Fuji Electric Device Technology Co Ltd
Publication of CN1206852A publication Critical patent/CN1206852A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1304905C publication Critical patent/CN1304905C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
    • C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
    • C25D11/00—Electrolytic coating by surface reaction, i.e. forming conversion layers
    • C25D11/02—Anodisation
    • C25D11/04—Anodisation of aluminium or alloys based thereon
    • C25D11/18—After-treatment, e.g. pore-sealing
    • C25D11/24—Chemical after-treatment
    • C25D11/246—Chemical after-treatment for sealing layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
    • G03G5/102—Bases for charge-receiving or other layers consisting of or comprising metals
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/10—Bases for charge-receiving or other layers
    • G03G5/104—Bases for charge-receiving or other layers comprising inorganic material other than metals, e.g. salts, oxides, carbon
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
    • G03G5/00—Recording members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat, to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
    • G03G5/14—Inert intermediate or cover layers for charge-receiving layers
    • G03G5/142—Inert intermediate layers
    • G03G5/144—Inert intermediate layers comprising inorganic material

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Photoreceptors In Electrophotography (AREA)

Abstract

一种用于电摄影光电导体的基体，其可达到容许值(Y20)为70μS或更低，且膜在垂直方向上的生长受到抑制，并具有均匀的高可湿性的表面。该基体是通过下述方法制得的，即用于在其表面上具有铝阳极氧化膜的电摄影光电导体铝基体，在形成铝阳极氧化膜后，用混合有磷酸酯(盐)型表面活性剂、萘磺酸盐(酯)型甲醛缩合物或双酚A磺酸盐(酯)型甲醛缩合物的封闭剂进行封闭处理。将如此制得用于电摄影光电导体的基体用于电摄影光电导体中。

Description

电摄影光电导体用基体以及使 用该基体的电摄影光电导体
本发明涉及一种用于电摄影光电导体的铝基体，其表面覆盖有阳极化的铝膜。本发明还涉及使用该铝基体的电摄影光电导体。
到现在为止，在电摄影术方面的技术进步已经在复印机领域，并且近来已经在激光打印机等领域中采用。与那些常规的击打式打印机相比，该激光打印机可提供优质的图像质量并允许高速而安静的打印操作。因此，大多数现存的记录设备如打印机和复印机采用电摄影技术。安装在那些记录设备的每种电摄影光电导体(下文，也简称为光电导体)是通过在导电基体上形成光电导层而制备的。在大多数光电导体中，每种光电导体具有由有机材料组成的光电导层，因此该光电导体是特指有机光电导体。另外，现在通常的做法是将每种光电导体制成功能上独立的层的结构(即该光电导体被分成两个不同的层)，其中一层底涂层、一层电荷生成层和一层电荷迁移层按此顺序叠加在基体上。该底涂层可以通过两种不同方法中的一种来制备。在第一种方法中，将一种一般为聚酰胺或蜜胺树脂基材料涂覆于基体表面。另一方面，在第二种方法中，通过阳极氧化法在铝基体的表面上形成阳极化膜(下文，简称为膜)。一般地，该第二种方法在高温和高湿度环境下的可靠性方面具有优势。
典型地，将有机材料作为光电导层材料使用的有机光电导体是通过湿法涂覆技术形成的，该方法包括将基体漫渍于含有溶解于或分散于溶剂中的有机材料的涂料浴液中的步骤。应满足光电导体的质量标准为涂膜应当均匀(即无粗糙或凸凹不平)且无任何类型的缺陷。因此，所涂膜的均匀性主要取决于基体的表面状况(即均匀性)，特别是在使用湿法涂覆的情况下。
当使用其表面上具有膜的基体时，光电导体自身的质量几乎完全取决于阳极氧化处理后经封闭处理的基体的表面状况。表面状况此处是指表面均匀的可湿性，因此该涂膜应在其整个表面上具有均匀的可湿性。现已明白，当可湿性不均匀时，该光敏层的厚度(特别是，该电荷生成层的厚度)变得不均匀，导致在打印质量评估时的缺陷如“密度不均匀”。
在涂覆该光敏层的步骤之前，如果在基体的表面上残余有杂质诸如氧化物和离子，则将造成成像缺陷如“黑点”和“雾翳”。因此，杂质一般通过用碱或酸对基体进行洗涤而去除。然而，当膜的封闭状态不充分时，杂质在该洗涤步骤中不能得以充分的去除，所以经常导致“黑点”或“雾翳”。为了确定该封闭状态是否充分，其标准是容许值(Y20)。根据本发明，认为该值(Y20)最好是小于70μS。为减少容许值(Y20)，需要在较高温度下封闭处理较长时间。因此，可以在至少80℃温度下处理10分钟以得到小于70μS的值。
在此描述下，根据由日本工业标准委员会(Japanese IndustrialStandards Committee)制定的“铝和铝合金上的阳极氧化涂层的密封质量的测试方法(Test methods for sealing quality of anodic oxidecoatings on aluminum and alumihum alloys)”，JIS日本工业标准(Japanese Industrial Standard)H8683(1994)，该容许值(admittancevalue，Y20)是膜厚度为20μm的换算值。
对涉及经过阳极氧化后经过封闭处理的膜的表面状态的任何因素的各种研究的结果表明，表面微结构的改变实质上影响可湿性。一般地，刚刚进行完阳极氧化处理后的表面结构为六方柱状微晶粒结构，其中心部分存在直径约为100埃的微小砂孔。封闭这些砂孔的处理是指封闭处理，其中该膜在沸水或蒸汽中发生水合以使膜膨胀从而将砂孔封闭，或通常使用醋酸镍溶液，该砂孔通过膜的水合反应和醋酸镍的水解所产生的氢氧化镍的填充相结合而得以封闭。
然而，发现在任何上述处理中，在水合反应的作用下该膜在水平和垂直方向(膜厚度方向)上呈网状地出现异常地生长，导致凸凹不平表面，其特别影响的光敏层中的浸渍涂覆法可湿性，并且当膜在高温下处理时，该影响尤为显著。而且，对网状表面的封闭处理在整个表面上是不均匀的，因此趋于产生不均匀性。
那么，本发明的一个目的是提供一种用于电摄影光电导体的基体，容许值(Y20)可达到70μS或更低，沿垂直方向膜的生长受到抑制，并且具有均匀而光滑的高可湿性表面并具有高封闭度，以及使用该基体的电摄影光电导体。
为解决上述现有技术中的问题，发明人进行了深入的研究并发现通过向现有技术的封闭剂中加入一种特定的表面活性剂和类似物可以抑制膜沿垂直方向生长并可获得均匀而光滑的表面，该表面具有良好的可湿性和高封闭度，在此基础上完成了本发明。
在本发明的第一种情况下，提供了一种制备用于电摄影光电导体的基体的方法，包括下述步骤：
在铝基体的表面上形成阳极氧化膜；
向封闭剂中加入选自磷酸酯(盐)型表面活性剂、萘磺酸盐(酯)型甲醛缩合物以及双酚A磺酸盐(酯)型甲醛缩合物的添加剂以制备封闭剂混合物；和
用该封闭剂混合物对基体施以封闭处理。
此处，该封闭剂可以是醋酸镍。
该封闭剂可以是纯水。
在本发明的第二种情况下，提供了一种用于电摄影光电导体的基体，包括：
一个铝基体；和
一个形成于该基体上的阳极氧化膜；
其中用封闭剂混合物对该铝基体进行封闭处理，该封闭剂混合物是通过向封闭剂中加入选自磷酸酯(盐)型表面活性剂、萘磺酸盐(酯)型甲醛缩合物以及双酚A磺酸盐(酯)型甲醛缩合物的添加剂制备的。
此处，该封闭剂可以是醋酸镍。
该封闭剂可以是纯水。
容许值可以为70μS或更低。
在本发明的第三种情况下，提供了一种电摄影光电导体，其至少具有一个导电基体和层压在该导电基体上的光导电膜，其中
该导电基体是由铝基体制备的，该基体具有一层阳极氧化膜并且进一步用封闭剂混合物进行封闭处理，该封闭剂混合物是通过向封闭剂中加入选自磷酸酯(盐)型表面活性剂、萘磺酸盐(酯)型甲醛缩合物以及双酚A磺酸盐(酯)型甲醛缩合物的添加剂而制备的。
此处，该封闭剂可以是醋酸镍。
该封闭剂可以是纯水。
该导电基体的容许值可以为70μS或更低。
本发明的上述和其它目的、效果、特点和优势将结合附图通过对实施方案的下述描述而变得更加清楚。
图1为根据本发明一个实施方案中的负电荷功能分离层压型电摄影光电导体的截面示意图。
在下面，将详细描述根据本发明的用于电摄影光电导体的基体和使用上述基体的电摄影光电导体。
根据本发明用于电摄影光电导体的基体可以通过在铝的阳极氧化膜形成后，对其实施封闭处理而获得，其中使用与一定量选自磷酸酯(盐)型表面活性剂、萘磺酸盐(酯)型甲醛缩合物以及双酚A磺酸盐(酯)型甲醛缩合物的物质进行混合的封闭剂。
其次，将描述根据本发明的使用上述用于电摄影光电导体基体的电摄影光电导体的详细结构。
光电导体一般包括负电荷功能分离层压型光电导体、正电荷功能分离层压型光电导体以及正电荷单层型光电导体。此处，作为本发明优选结构的该负电荷功能分离层压型光电导体将作为实施例详细描述。
在图1所示的该负电荷功能分离层压型光电导体中，光敏层5层压在底层2的上面，而该底层2层压在导电基体1上。在光敏层5中，电荷传导层4层压在电荷生成层3上以形成功能上相互独立的层。
该导电基体1的作用是作为光电导体的电极，另一个作用是作为其它相关层的基体。基体1可以是圆柱状、片状和薄膜形状的铝基体。该铝基体具有在其表面上的铝阳极氧化膜。
该电荷生成层3是通过真空沉积一种有机光电导体物质或通过涂覆含有分散于树脂粘合剂中的有机光电导体物质颗粒的材料而形成的，它接收光线以产生静电荷。重要的是，该电荷生成层3具有高电荷生成效率，同时具有将生成的电荷注入到电荷迁移层4中的注入性能，以及优选的很少依赖于电场并且即使在低电场中也具有良好的注入性能。电荷生成层使用的电荷生成物质可以用各种酞菁化合物、偶氮化合物、多环醌化合物及其衍生物，如下列化学式所示(实施例I-1至4)。
作为电荷生成层的粘合剂可以使用聚碳酸酯、聚酯、聚酰胺、聚氨酯、环氧、聚乙烯醇缩丁醛、聚乙烯醇缩乙醛、苯氧基树脂、聚硅氧烷树脂、丙烯酸类树脂、聚氯乙烯树脂、聚1，1-二氯乙烯树脂、聚乙酸乙烯酯树脂、甲缩醛树脂、纤维素树脂或其共聚物，及其卤化物或氰乙基化合物。由于该电荷生成层3仅具有电荷生成功能就足够了，因此该膜的厚度一般在可以获得所需光敏性的范围内并设计为尽可能的薄，一般膜厚为0.1-5μm，优选为0.1-1μm。
这些酞菁化合物的含量相对于10重量份的树脂粘合剂为5-500重量份，优选为10-100重量份。
该电荷迁移层4是含有分散于树脂粘合剂中的有机电荷迁移物质的材料的涂膜，它在黑暗处作为保持光电导体电荷的绝缘层，而当接收光线时，其功能是迁移由电荷生成层注入的电荷。在电荷迁移层中作为电荷迁移的物质可以使用如下列化学式所示(实施例II-1至7)，各种腙、苯乙烯基化合物、二元胺、丁二烯、吲哚化合物及其混合物。
Figure C9811757400081
Figure C9811757400091
作为电荷迁移层的粘合剂，聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚苯醚丙烯酸类树脂等被认为是公知的物质，而聚碳酸酯是广泛用于实际应用中，是目前在膜强度和耐反复印刷阻力方面的最佳材料组。此种聚碳酸酯包括双酚A型和双酚Z型，如下列化学式所示(实施例III-1至2)，和各种共聚物。
Figure C9811757400101
该聚碳酸酯树脂的最佳平均分子量在10000-100000范围内。另外，加入该电荷迁移层的抗氧化剂可以使用单一体系或适当的抗氧化剂的结合体，如下列化学式所示(实施例IV-1至4)。该电荷迁移层优选具有的厚度为10-50μm。
为了提高灵敏性、降低残余电位、改进耐候性或抗有害光线的稳定性等，可以根据需要向该底层、电荷生成层和电荷迁移层加入电子接收物质、抗氧化剂、光稳定剂或类似物。
而且，在上述光敏层上可以提供表面保护层以提高耐候性和机械强度。希望该表面保护层基本上不会妨碍光的透射。
实施例
下面，本发明将参照实施例进行详细描述。
比较例1
在将圆柱状铝基体切割成所需尺寸后，用除油剂(TOPALCLEAN101：Okuno Chemical Industries Co.，Ltd./60℃/2分钟)进行除油，并用水充分洗涤以除去除油剂。而后，在硫酸中(180g/l，20℃)，对该铝基体进行电解处理(1.0A/dm2/12V/21分钟)以获得厚度为7μm的阳极氧化膜，然后用水洗涤。以醋酸镍(6g/l)为封闭剂，在60、70、80和90℃(即四种不同温度条件)温度下，分别进行5和10分钟(即两种不同的时间条件)的封闭处理。
比较例2
用与比较例1相同的方法进行封闭处理，所不同的是以纯水(离子交换水)代替醋酸镍。
实施例1
(1)在封闭处理中，进行与比较例1相同的处理，所不同的是将磷酸酯(盐)型表面活性剂(PHOSPHANOL RS-610：Toho ChemicalIndustry Co.，Ltd.)以含量为0.01、0.02、0.05、0.1、1.0、2.0和2.2g/l(7种条件)加入到醋酸镍(6g/l)中。该处理在90℃下进行10分钟。
(2)在封闭处理中，进行与比较例1相同的处理，所不同的是磷酸酯(盐)型表面活性剂(TOPSEAL E110：Okuno Chemical industriesCo.，Ltd.)以0.2、0.5、1.0、5.0、10.0、20.0和22.0ml/l(即七种条件)的量加入到醋酸镍(6g/l)中。而后，该处理在90℃下进行10分钟。
实施例2
在封闭处理中，使用与实施例1相同的处理方法，所不同的是用纯水代替醋酸镍。
实施例3
在封闭处理中，进行与比较例1相同的处理，所不同的是将萘磺酸盐(酯)型甲醛缩合物(DEMOL N：Kao Corporation)以0.1、0.2、3.0、8.0、10.0和12.0g/l(即六种条件)的量加入到醋酸镍(6g/l)中，并且该处理在90℃下进行10分钟。
实施例4
在封闭处理中，使用与实施例3相同的处理方法，所不同的是用纯水代替醋酸镍。
实施例5
在封闭处理中，进行与比较例1相同的处理，所不同的是将双酚A磺酸盐(酯)型甲醛缩合物(AMN-01：Senka Co.，Ltd.)以0.1、0.2、1.0、5.0、10.0、20.0和22.0g/l(印七种条件)的量加入到醋酸镍(6g/l)中，并且该处理在90℃下进行10分钟。
实施例6
在封闭处理中，使用与实施例5相同的处理方法，所不同的是用纯水代替醋酸镍。
将按照上述比较例1和2以及实施例1-6生产的砂孔被封闭的圆柱状铝基体用碱性洗涤剂(2％CASTROL 450：Castrol Co.，Ltd.)洗涤1分钟，并在60℃下干燥。将所得到的基体按顺序涂覆电荷生成层和电荷迁移层，作为光敏层。该电荷生成层包括分散于比例为4∶6的氯乙烯-醋酸乙烯酯共聚物中的X型无金属酞菁，其平均粒径为200nm。该电荷迁移层是通过涂覆丁二烯型电荷电荷迁移剂和聚碳酸酯型树脂(分子量：约30000)混合物，而后在80℃下干燥2小时而制得的。
评估上述比较例和实施例中的样品在涂覆光敏层后的容许值(Y20)和所涂覆膜的均匀性。该容许值由JIS H 8683(1994)确定。而且，所涂覆膜的均匀性由目测评估。其结果示于表1-5中。对涂膜均匀性的评估以“++”表示好，“+”表示一般，或以“-”表示均匀性差。注意到，一般的均匀性的意思是与比较例相比是有效的，然而不能满足产品质量的需要。当砂孔被封闭的膜具有凸凹不平的网状表面状态时，涂覆了光敏层的涂膜的均匀性被评为差“-。当砂孔被封闭的膜不是网状的而是光滑和均匀的，则涂膜被评为好“++”。
表1
  砂孔封闭剂   磷酸酯(盐)型表面活性剂        封闭条件   涂膜均匀性   Y20(μS)   总评估
  温度(℃)   时间(分钟)
 比较例1   醋酸镍(6g/l)   无   60   5   ++   123   -
  70   ++   100   -
  80   -   65   -
  90   -   60   -
  60   10   ++   100   -
  70   ++   95   -
  80   -   50   -
  90   -   40   -
 比较例2   纯水   无   60   5   ++   130   -
  70   ++   110   -
  80   -   70   -
  90   -   60   -
  60   10   ++   120   -
  70   ++   95   -
  80   -   62   -
  90   -   45   -
表2
  砂孔封闭剂      磷酸酯(盐)型表面活性剂        封闭条件   涂膜均匀性   Y20(μS)   总评估
  类型   浓度   温度(℃)   时间(分钟)
  实施例1(1)   醋酸镍(6g/l)   PHOSPHANOL RS-610   0.01g/l   90   10   +   42   +
  0.02   ++   43   ++
  0.05   ++   50   ++
  0.10   ++   55   ++
  1.00   ++   60   ++
  2.00   ++   55   ++
  2.20   ++   74   -
  实施例1(2)   topSEAL E110   0.2ml/l   90   10   +   45   -
  0.50   ++   53   ++
  1.00   ++   54   ++
  5.00   ++   62   ++
  10.0   ++   67   ++
  20.0   ++   66   ++
  22.0   ++   73   -
表3
  砂孔封闭剂       磷酸酯(盐)型表面活性剂        封闭条件   涂膜均匀性   Y20(μS)   总评估
  类型   浓度   温度(℃)   时间(分钟)
  实施例2(1)   纯水   PHOSPHANOL RS-610   0.01G/L   90   10   -   50   -
  0.02   ++   53   ++
  0.05   ++   S8   ++
  0.10   ++   65   ++
  1.00   ++   66   ++
  2.00   ++   67   ++
  2.20   ++   75   -
  实施例2(2)   纯水   topSEAL E110   0.2ml/l   90   10   -   55   -
  0.50   ++   54   ++
  1.00   ++   54   ++
  5.00   ++   59   ++
  10.0   ++   60   ++
  20.0   ++   66   ++
  22.0   ++   75   -
表4
  砂孔封闭剂   萘磺酸盐(酯)型甲醛缩合物        封闭条件   涂膜均匀性   Y20(μS)   总评估
  类型   浓度(g/l)   温度(℃)   时间(分钟)
 实施例3   醋酸镍(6g/l)   DEMOL N   0.1   90   10   +   45   +
  0.2   ++   44   ++
  3.0   ++   46   ++
  8.0   ++   46   ++
  10.0   ++   48   ++
  12.0   ++(着色)   43   +
 实施例4   纯水   DEMOL N   0.1   90   10   -   47   -
  0.2   ++   50   ++
  3.0   ++   51   ++
  8.0   ++   48   ++
  10.0   ++   48   ++
  12.0   ++(着色)   49   +
表5
  砂孔封闭剂   双酚A磺酸盐(酯)甲醛缩合物        封闭条件   涂膜均匀性   Y20(μS)   总评估
  类型   浓度(g/l)   温度(℃)   时间(分钟)
 实施例5   醋酸镍(6g/l)   AMN-01   0.1   90   10   +   45   +
  0.2   ++   46   ++
  1.0   ++   46   ++
  5.0   ++   45   ++
  10.0   ++   43   ++
  20.0   ++   43   ++
  22.0   ++(着色)   47   +
 实施例6   纯水   AMN-01   0.1   90   10   +   50   +
  0.2   ++   51   ++
  1.0   ++   48   ++
  5.0   ++   48   ++
  10.0   ++   50   ++
  20.0   ++   47   ++
  22.0   ++(着色)   48   +
可以从上述评估结果中看到，在封闭处理时通过加入特定的表面活性剂和类似物，可以获得容许值(Y20)为70μS或更低的均匀表面。当该光电导体是由那些用于本发明的电荷生成层和电荷迁移层以外的其他材料制备时，也能注意到此结果。
在比较例1和2中，涂膜的均匀性在Y20为70μS或更低的条件下遭受破坏。即使在使用醋酸镍或纯水的情况下，这一趋势也是极其类似的。在实施例1和2中，当表面活性剂的浓度增加时，在Y20变得大于70μS处发生封闭干扰。在实施例3-6中，当加入过量的缩合物时发生着色。
如上所述，根据本发明，容许值(Y20)被减少至70μS或更低，并且膜在垂直方向上的生长受到抑制，从而获得具有均匀的可湿性和高封闭度的用于电摄影光电导体的基体。因此，使用本发明基体的电摄影光电导体可以提供优异的成像性能。
本发明通过优选的实施例进行了详细描述，并且通过上述描述显然本领域的熟练人员可以在较宽范围内进行一些改变和变形而不超出本发明，因此，覆盖所有此种改变和变形的权利要求均落入本发明的真实精神内。

Claims (9)

1、一种制备用于电摄影光电导体的基体的方法，包括下列步骤：
在铝基体的表面上形成阳极氧化膜；
向封闭剂中加入选自磷酸酯型表面活性剂、萘磺酸盐型甲醛缩合物和双酚A磺酸盐型甲醛缩合物的添加剂以制备封闭剂混合物，所述封闭剂选自醋酸镍或纯水；以及
用所述封闭剂混合物向所述基体提供封闭处理。
2、根据权利要求1的制备方法，其中所述封闭剂为醋酸镍。
3、根据权利要求1的制备方法，其中所述封闭剂为纯水。
4、用于电摄影光电导体的基体，包括：
铝基体；和
形成于所述基体上的阳极氧化膜；
其中将所述铝基体用封闭剂混合物进行封闭处理，所述封闭剂混合物是通过向封闭剂中加入选自磷酸酯型表面活性剂、萘磺酸盐型甲醛缩合物和双酚A磺酸盐型甲醛缩合物的添加剂而制备的，其中所述封闭剂选自醋酸镍或纯水。
5、根据权利要求4的用于电摄影光电导体的基体，其中所述封闭剂为醋酸镍。
6、根据权利要求4的用于电摄影光电导体的基体，其中所述封闭剂为纯水。
7、一种具有至少一个导电基体和一层层压在所述导电基体上的光敏膜的电摄影光电导体，其中
所述导电基体是由铝基体制得，所述基体具有阳极氧化膜并进一步用封闭剂混合物进行封闭处理，所述封闭剂混合物是通过向封闭剂中加入选自磷酸酯型表面活性剂、萘磺酸盐型甲醛缩合物和双酚A磺酸盐型甲醛缩合物的添加剂而制备的，其中所述封闭剂选自醋酸镍或纯水。
8、根据权利要求7的电摄影光电导体，其中所述封闭剂为醋酸镍。
9、根据权利要求7的电摄影光电导体，其中所述封闭剂为纯水。
CNB981175740A 1997-07-15 1998-07-15 电摄影光电导体用基体以及使用该基体的电摄影光电导体 Expired - Lifetime CN1304905C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP189448/97 1997-07-15
JP18944897A JP3406191B2 (ja) 1997-07-15 1997-07-15 電子写真用感光体基板および電子写真用感光体

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1206852A CN1206852A (zh) 1999-02-03
CN1304905C true CN1304905C (zh) 2007-03-14

Family

ID=16241426

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB981175740A Expired - Lifetime CN1304905C (zh) 1997-07-15 1998-07-15 电摄影光电导体用基体以及使用该基体的电摄影光电导体

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6037089A (zh)
JP (1) JP3406191B2 (zh)
KR (1) KR100525326B1 (zh)
CN (1) CN1304905C (zh)
DE (1) DE19831780B4 (zh)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002258504A (ja) 2001-03-06 2002-09-11 Fuji Denki Gazo Device Kk 電子写真感光体用基板、電子写真感光体および電子写真装置
DE10327315B4 (de) * 2003-06-16 2007-08-16 Eastman Kodak Co. Verfahren zur Aufbereitung eines Trägers für einen Fotoleiter zur Ausbildung eines elektrofotografischen Aufzeichnungselementes und demgemäß ausgebildetes Aufzeichungselement
CN104185365B (zh) 2013-05-23 2018-06-26 比亚迪股份有限公司 一种线路板及其制备方法
WO2019077706A1 (ja) * 2017-10-18 2019-04-25 富士電機株式会社 電子写真用感光体、その製造方法および電子写真装置
KR102210641B1 (ko) * 2020-09-09 2021-02-03 한국표면화학 주식회사 아노다이징 알루미늄 부재용 실링 조성물

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63134693A (ja) * 1986-11-25 1988-06-07 Matsushita Refrig Co 熱交換器用アルミニウムフイン材の製造方法
JPS6436792A (en) * 1987-04-20 1989-02-07 Fujita Shoji Kk Decoloring preventive of aluminum-base metal having oxidized film and coloring method for aluminum-base metal used therewith
JPH02242264A (ja) * 1989-03-15 1990-09-26 Fuji Electric Co Ltd 電子写真用感光体の製造方法
CN1060118A (zh) * 1990-09-17 1992-04-08 东南大学 铝及铝合金低温封孔法

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3615405A (en) * 1968-05-10 1971-10-26 Honeywell Inc Composite image plate
AU8323982A (en) * 1981-05-15 1982-11-18 Polychrome Corp. Improved anodized supports
GB8309571D0 (en) * 1983-04-08 1983-05-11 Albright & Wilson Accelerated sealing of anodised aluminium
JPH0727266B2 (ja) * 1986-11-04 1995-03-29 ミノルタ株式会社 積層型感光体
US5132196A (en) * 1989-08-29 1992-07-21 Minolta Camera Kabushiki Kaisha Photosensitive member having a colored aluminum oxide layer
JP3037196B2 (ja) * 1997-05-01 2000-04-24 新潟日本電気株式会社 電子写真感光体およびその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63134693A (ja) * 1986-11-25 1988-06-07 Matsushita Refrig Co 熱交換器用アルミニウムフイン材の製造方法
JPS6436792A (en) * 1987-04-20 1989-02-07 Fujita Shoji Kk Decoloring preventive of aluminum-base metal having oxidized film and coloring method for aluminum-base metal used therewith
JPH02242264A (ja) * 1989-03-15 1990-09-26 Fuji Electric Co Ltd 電子写真用感光体の製造方法
CN1060118A (zh) * 1990-09-17 1992-04-08 东南大学 铝及铝合金低温封孔法

Also Published As

Publication number Publication date
DE19831780B4 (de) 2012-11-08
KR100525326B1 (ko) 2005-12-21
KR19990013851A (ko) 1999-02-25
US6037089A (en) 2000-03-14
JPH1138662A (ja) 1999-02-12
CN1206852A (zh) 1999-02-03
DE19831780A1 (de) 1999-02-11
JP3406191B2 (ja) 2003-05-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US3511661A (en) Lithographic printing plate
CN1304905C (zh) 电摄影光电导体用基体以及使用该基体的电摄影光电导体
CN112083634A (zh) 电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备
US3836437A (en) Surface treatment for aluminum plates
US6410197B1 (en) Methods for treating aluminum substrates and products thereof
CN1174287C (zh) 电摄影光电导体用基体以及使用该基体的电摄影光电导体
CN1218223C (zh) 含有用于提高电性能的简单醌的电子照相光电导体
CN1132863A (zh) 电子照像光敏材料
JP4244500B2 (ja) 電子写真用感光体基板の製造方法
JP2000035687A (ja) 電子写真用感光体基板および電子写真用感光体
CN1186262A (zh) 电子照相光电导体
CN1885172A (zh) 在电荷产生层中包含电子传输材料的电子照相感光体
CN1061787A (zh) 消除由于阴极电沉积过程中氢的释放所产生的薄膜缺陷
JP3189563B2 (ja) 電子写真感光体用支持体の製造方法
JPH0882946A (ja) 電子写真用感光体およびその製造方法
JP2006072046A (ja) 電子写真感光体用支持体の製造方法および電子写真感光体
JP2718066B2 (ja) 電子写真感光体
JP4445354B2 (ja) 電気めっき、電気鋳造、電子写真感光体基体の製造に関する装置、方法、および電子写真感光体基体、電子写真感光体、電子写真装置
JP2980107B1 (ja) 電子写真感光体用の導電性基体およびその製造方法
JPH10288850A (ja) 電子写真用感光体基板および電子写真用感光体
JPH0782242B2 (ja) 電子写真感光体
JP2687532B2 (ja) 電子写真感光体
CN1246657A (zh) 用于电子照相术的光电导体
JPH06114358A (ja) 洗浄装置
KR100864301B1 (ko) 환경 안정성 및 경시 안정성이 우수한 전자 사진 감광체 드럼, 이를 위한 조성물 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: FUJI ELECTRIC TECHNOLOGY CO., LTD.

Effective date: 20100415

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20100415

Address after: Tokyo, Japan

Patentee after: Fuji Electric Systems Co., Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Fuji Electronic Device Technol

ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: FUJI ELECTRIC CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD.

Effective date: 20110902

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20110902

Address after: Kanagawa, Japan

Patentee after: Fuji Electric Co., Ltd.

Address before: Tokyo, Japan

Patentee before: Fuji Electric Systems Co., Ltd.

CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20070314

CX01 Expiry of patent term