CN1296284A - 绘制图形校验方法 - Google Patents

绘制图形校验方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1296284A
CN1296284A CN00133555A CN00133555A CN1296284A CN 1296284 A CN1296284 A CN 1296284A CN 00133555 A CN00133555 A CN 00133555A CN 00133555 A CN00133555 A CN 00133555A CN 1296284 A CN1296284 A CN 1296284A
Authority
CN
China
Prior art keywords
variable
rule
scanning
zone
contacts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN00133555A
Other languages
English (en)
Inventor
小日向秀夫
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Publication of CN1296284A publication Critical patent/CN1296284A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/20Masks or mask blanks for imaging by charged particle beam [CPB] radiation, e.g. by electron beam; Preparation thereof
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T7/00Image analysis
    • G06T7/0002Inspection of images, e.g. flaw detection
    • G06T7/0004Industrial image inspection
    • G06T7/0006Industrial image inspection using a design-rule based approach
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023Programme control
    • H01J37/3026Patterning strategy
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06TIMAGE DATA PROCESSING OR GENERATION, IN GENERAL
    • G06T2207/00Indexing scheme for image analysis or image enhancement
    • G06T2207/30Subject of image; Context of image processing
    • G06T2207/30108Industrial image inspection
    • G06T2207/30148Semiconductor; IC; Wafer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Computer Vision & Pattern Recognition (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Image Analysis (AREA)
  • Image Processing (AREA)

Abstract

以一种方式根据预定规则把除掩模孔之外的提取区域分割为多个部分,使得掩模孔被设置为变量{a2},这样分割的除掩模孔之外的部分被设置为变量{a0}或{a1},从而指定变量a={a0},{a1},{a2}。之后,在X轴和Y轴方向上执行扫描,以把变量{a1}的一部分分割为多个部分,对于每个部分设置变量{a0},{a1},{a2}中的任何一个,这是基于它自己发生缺陷的可能性决定的,随后在其出现缺陷的可能性基础上再查看变量{a1}的部分的变量。

Description

绘制图形校验方法
本发明涉及用于校验掩模的绘制图形的绘制图形校验方法,以绘制作为一组精细图形的半导体器件的电路图形,并且尤其涉及使用部分和全部的批量转印(transfer)的绘制图形校验方法,其中批量转印采用了模版(stencil)掩模。
本申请要求以1999年11月12日申请的日本专利申请No.平11-323382为优先权,在这里将其引入作为参考。
在制造半导体器件的步骤中,这种微光刻技术已经投入实际应用,其使用充电的粒子束的聚焦束作为电子束(EB)、离子束等,以绘制集成电路图形。例如,通过这种技术之一,相关的电子束曝光装置通过应用EB掩模对涂覆有对电子束敏感的抗蚀剂的晶片照射电子束,以直接把集成电路图形投影到晶片,为的是通过利用电子束获得需要的绘制图形。在部分批量曝光方法或全部批量曝光方法中通过掩模图形被降低和投影到给定的批量绘制单元区如存储器单元而使用电子束的这种电子束绘制技术。这两种方法通常都使用两个掩模,以通过应用第一掩模把电子束整形为矩形束,然后把这个矩形电子束应用于第二掩模。第二掩模原来具有大量的矩形蜂窝孔,其上形成从要投影到晶片的绘制图形切割出的部分图形,从而这些蜂窝孔经电子光学系统被缩减几十分之一,并且然后以批量曝光方式被转印到晶片。这些部分和全部的批量曝光方法优于变量整形的束方法之处,不仅在于需要的投影数目降低而可以提高生产量方面,而且还在于交互投影连接精度、倾斜图形图像质量和图形数据压缩性的提高方面,这种压缩性对例如晶片绘制时间没有直接的影响,甚至对更精细的图形也没有影响。
另外,可作为采用离子束的光刻装置例如是离子束转印曝光装置,通过该装置利用象电子束光刻装置的离子束,把掩模图形投影以转印到晶片上。这种方法可通过利用离子束在转印中提供所有芯片图形的批量投影来实现更高的产量,同时保持离子束曝光的高分辨率。离子束转印方法是在晶片附近设置带有形成于其上的掩模从而把大直径的离子束应用于掩模的方法,使得转印的离子束可把这些图形或应用该离子束的缩小投影曝光方法转印到1/5或1/10大小的掩模,从而在晶片上执行图形的缩小投影曝光。
上述电子束绘图技术在批量曝光(其将电路图形集中投影到晶片上)中使用两种类型的掩模:即其中具有孔的模版掩模,电子束通过这些孔来绘制电路图形;和膜片型掩模,其具有用于阻挡电子束照射的膜片。
在模版掩模的情况下,任何整个被掩模孔包围的区域都没有支持其自身的部分,从而不能制造这种模版掩模,这一点作为环形问题后面将涉及。另一方面,在除其少量的周围支持部分外大部分被掩模孔包围的区域中,因为整体被掩模孔包围的部分远大于支持部分,少量的周围支持部分具有低强度,从而在制作转印掩模时,这个内部部分被卷曲或变形,此后将其称为叶片(leaf)问题。对此,为避免在制造绘制图形所用的转印掩模的过程中的这种环形问题和叶片问题,必须检查掩模以人工检测这种问题或通过利用图形连续性来进行,从而具有这种检测出的问题的任何区域可用于膜片型掩模或图形分割。
但是,人工检测有一个问题是可能由于人的失误产生大规模的图形缺陷。另一方面,通过检查图形连续性来检测隔离的图形的方法有一个问题是它仅能检测有环形问题的区域,从而它需要使用独立的程序来解决叶片问题。
考虑上述问题,本发明的一个目标是提供一种绘制图形校验方法,用于校验在模版掩模上生成的绘制图形,其可使用相同的算法来检测有环形问题或叶片问题的图形。
根据本发明的一个方面,提供一种绘制图形校验方法,用于校验形成在要在电子束曝光或离子束曝光中使用的模版掩模上的绘制图形,包括如下步骤:
从器件设计数据中提取绘制图形;
把一个区域分为许多部分,其中在该区域中除掩模孔之外都设置了提取的绘制图形;
对每个分割的部分设置许多种变量中的一种变量,这些变量是基于该部分出现缺陷的可能性确定的;
基于其出现缺陷的可能性再检查该部分的特定变量。
对于前面所述的方面,由于除了用于在安置绘制图形的区域中提供开口的掩模孔之外的区域被分为许多部分,所以各个分割的部分可具有基于它自己的缺陷发生可能性而设置的变量,这种当这些变量被再检查时具有最终设置的特定变量的部分可被识别为缺陷部分,从而原来的检测区域会发生图形缺陷。
在前面所述的方面中,第一优选模式是一种这样的模式,其中再检查步骤包括步骤:
进一步把带有特定变量的部分分割为多个部分;及
对每个部分设置变量,该变量是基于其出现缺陷的可能性确定的;进一步分割的步骤和设置步骤被重复一次或多次。
对于第一优选模式,如果在再检查时特定变量的部分不被指定为图形发生部分,可重新设置变量以校验该部分中更复杂的绘制图形。
第二优选模式是一种这样的模式,其中最终设置的特定变量的部分是由掩模孔整个包围的第一缺陷部分和/或由掩模孔部分地包围的第二缺陷部分。
对于第二优选模式,可以用相同的算法提取带有环形问题的第一缺陷部分和带有叶片问题的第二缺陷部分。
第三优选模式是一种这样的模式,其中变量设置步骤根据规则特别设置变量a={0,1,2},该规则包括:
第一规则,用于把由与最靠近设置在绘制图形中的区域的掩模孔接触,并且与该区域的侧边平行的直线所包围的内部部分设置为第三部分,还用于把第三部分的外部设置为变量{0},把掩模孔设置为变量{2},把剩余部分设置为变量{1}。
第二规则,用于在该区域上在X轴和Y轴方向执行第一扫描,以把变量{1}的一部分设置为变量{0},该部分是在变量{1}的部分中观察到的变量排列{0}→{1}→{2}、{2}→{1}→{0}和{0}→{1}→{0}中选择出的任何一个,并且把其两侧部分接合起来作为两个方向扫描的结果;及
第三规则,用于在该区域上在X轴和Y轴方向执行第二扫描,以把变量{1}的一部分设置为变量{0},该部分是在变量{1}的部分中观察到的变量排列{0}→{1}→{0},并且把其两侧部分接合起来作为X轴和Y轴方向中的一个或两个上扫描的结果,然后在X轴和Y轴方向执行第三扫描,来以与第二扫描相同的方式进行设置;及
特定变量是{1}。
第四优选模式是一种这样的模式,其中变量设置步骤根据规则特别设置变量a={0},{1},{2},该规则包括:
第五规则,用于把设置了绘制图形的区域的侧边设置为变量{0},把掩模孔设置为变量{2},其余设置为变量{1};
第二规则,用于在该区域上在X轴和Y轴方向执行第一扫描,以把变量{1}的一部分设置为变量{0},该部分是在变量{1}的部分中观察到的变量排列{0}→{1}→{2}、{2}→{1}→{0}和{0}→{1}→{0}中选择出的任何一个,并且把其两侧部分接合起来作为两个方向扫描的结果;及
第三规则,用于在该区域上在X轴和Y轴方向执行第二扫描,以把变量{1}的一部分设置为变量{0},该部分是在变量{1}的部分中观察到的变量排列{0}→{1}→{0},并且把其两侧部分接合起来作为X轴和Y轴方向中的一个或两个上扫描的结果,然后在X轴和Y轴方向执行第三扫描,来以与第二扫描相同的方式进行设置;及
特定的变量是{1}。
第五优选模式是一种这样的模式,其中规则还包括:
第四规则,用于在应用了第三规则后,执行在X轴和Y轴方向的最终的扫描,以检测变量{1}的一部分作为第一缺陷部分,该部分是在变量{1}的部分中观察到的变量排列{2}→{1}→{2},并且把其两侧部分接合起来作为X轴和Y轴方向扫描的结果,以检测变量{1}的这一部分作为第二缺陷部分,该部分是在变量{1}的该部分中观察到的变量排列{2}→{1}→{2},并且把其两侧部分接合起来作为X轴和Y轴方向之一扫描的结果,把变量排列{0}→{1}→{2}或{2}→{1}→{0}作为其它方向扫描的结果,从而检测变量{1}的该部分作为第一缺陷部分或第二缺陷部分。
对于第五优选模式,可以不仅提取环形问题或叶片问题发生区域,而且仅其相互面对的两侧与掩模孔接触而其它两侧不与掩模孔接触的这样的部分太短而不能支持这一变量{1}部分,从而在制造模版掩模期间产生缺陷。
第六优选模式是一种这样的模式,其中当第二缺陷部分的宽高比小于第一阈值时,第二缺陷部分的变量从{1}重新设置为{0}。
对于第六优选模式,即使事先不知道产生叶片问题的形状,也可提供第一阈值,从而可任意设置是否作为叶片问题发生部分来提取相关部分。
第七优选模式是一种这样的模式,其中第二缺陷部分的宽高比是L2/L1的值,其中L1代表与变量{0}的一部分接触的第二缺陷部分的一个侧边的长度,L2代表通过该侧边的直线与第二缺陷部分和变量{2}的该部分在垂直于该直线的方向上离开最远的接触点之间的距离。
第八优选模式是一种这样的模式,其中按照第二规则和3,如果L4/L3的值大于第二阈值,变量{1}的该部分保持仍属于变量{1}并被检测为第四缺陷部分,该部分是在变量{1}的部分中观察到的变量排列{0}→{1}→{0},并且把其两侧部分接合起来作为X轴和Y轴方向之一扫描的结果,把变量排列{2}→{1}→{2}作为其它方向扫描的结果,其中L4代表与变量{2}接触的变量{1}的部分的一个侧边的长度,L3代表与变量{0}接触的变量{1}的部分的一个侧边的长度。
第九优选模式是一种这样的模式,其中变量设置步骤根据规则特别设置变量a={0},{1},{2},该规则包括:
第一规则,用于把由与最靠近于设置绘制图形中的区域的侧边的掩模孔接触的、并且与该区域的侧边平行的直线包围的部分设置为第三部分,还用于把第三部分的外部设置为变量{0},把掩模孔设置为变量{2},把剩余部分设置为变量{1}。
第六规则,用于提取与变量{0}的该部分接触的并且包含一部分变量{2}的变量{1}的部分;
第七规则,用于形成与变量{2}的该部分的侧边接触的并具有预定宽度的图形,从而对图形设置变量;和
第八规则,用于基于图形分割变量{1}的提取的部分的变量,从而设置变量;
特定变量是{1}。
对于第九优选模式,由于图形可沿着掩模孔的侧边形成并且设置为变量,设置绘制图形的区域通常变为矩形,从而即使在由于例如相对于那一边倾斜布置而导致绘制图形复杂的时候,也可校验并提取缺陷部分。
第十优选模式是一种这样的模式,其中执行第六规则到8的次数与提供的变量{2}一样多。
第十一优选模式是一种这样的模式,其中根据第七规则形成的图形特别是以第一图形、第二图形和第三图形的优先顺序形成,该第一图形与变量{2}的该部分接触并具有预定宽度,其相对两端与变量{0}的该部分接触;第二图形与变量{2}的该部分的一边接触并具有预定宽度,其一端与变量{0}的该部分接触,另一端与第一图形接触;第三图形与变量{2}的该部分的一边接触并具有预定宽度,其相对两端与第一图形或第二图形接触。
第十二优选模式是一种这样的模式,其中形成的第一到第三图形仅是与变量{2}的该部分的一边接触而没有角部这样的图形,或是用其一个角与变量{2}的该部分的一边接触这样的图形,在形成时没有角部的图形优先于有角部的图形。
第十三优选模式是一种这样的模式,其中第一到第三图形的角部相对于变量{2}的该部分的角度小于270度。
对于第十三优选模式,即使其两边被掩模孔夹住的三角区域也可被提取,作为缺陷发生部分。
第十四优选模式是一种这样的模式,其中还包括第九规则,用于检测不与第一到第三图形的任何一个接触的变量{1}的该部分,作为第五区域,与第一到第三图形的任何一个接触的变量{1}的该部分作为第六区域,从而检测变量{1}的部分作为第五部分或第六部分。
第十五优选模式是一种这样的模式,其中如果第六部分的宽高比小于第三阈值,则把变量{1}重新设置到变量{0}。
第十六优选模式是一种这样的模式,其中第六部分的宽高比被定为L6/L5,其中L5代表与第一到第三图形中的任何一个接触的第六部分的一个侧边的长度,L6代表通过该侧边的直线与变量{1}的该部分和变量{2}的该部分的在垂直于该直线的方向上离开该直线最远的接触点之间的距离。
以上述这些结构,能够事先检测最终把特定变量设置为环形问题或叶片问题发生位置的这些部分,以在具有这种绘制图形的掩模上执行特殊的处理,从而以稳定的方式形成图形。
尽管应用设置变量的规则,器件图形可以以不同种类的图形出现,并且通过视觉观察很难检测环形问题或叶片问题发生位置,它能够通过利用单一的处理算法同时检测环形问题和叶片问题发生位置,并且能够知道叶片问题发生位置。另外,它能够通过提前设置的阈值假定叶片问题发生位置。
本发明的上面的和其它的目的、优点与特征从下面的联系附图的描述中变得明显,其中:
图1是表示部分批曝光的情况和全部批曝光的情况下掩模的横截面图;
图2是环形图形的俯视图;
图3是叶片图形的俯视图;
图4是显示用于避免模版掩模中环形问题影响区域的方法的俯视图;
图5是显示用于避免模版掩模中环形问题影响区域的另一方法的俯视图;
图6A-6D是显示包括环形问题发生区域和叶片问题发生区域的提取影响区域的俯视图;
图7A-7C是显示包括环形问题发生部分和叶片问题发生部分的提取影响区域的俯视图;
图8是显示包括具有倾斜侧的掩模孔的提取影响区域的俯视图;
图9是显示形成包括图形缺陷发生部分的倾斜图形的提取影响区域的俯视图;
图10是显示形成包括图形缺陷发生部分的倾斜图形的提取影响区域的另一俯视图;
图11是其中具有凸状掩模孔的提取区域的俯视图;
图12是显示在具有凸状掩模孔的提取区域中产生第一到第三周围图形的优先顺序的俯视图;
图13包括三角形的叶片问题发生部分的提取区域的俯视图。
实施本发明的最佳方式将参考附图使用各个实施例进行进一步的描述。第一实施例
如图1所示,在部分批量曝光和全部批量曝光两种情况下,电子束3经掩模孔2施加于模版掩模1中,在下面形成的硅之类的衬底上的抗蚀剂(未示出)上形成图形。通常这种模版掩模1通过蚀刻堆积在硅衬底上的氧化硅膜之类中的掩模孔形成区域以形成掩模孔2而形成。在模版掩模1中,不能形成上面提到的发生环形问题或叶片问题的图形形状的掩模孔。
如图2所示,环形图形10由掩模孔组成,该掩模孔包括包围着一个矩形区域11的全部四个边。因此在这个图形中,没有部分来支撑矩形区域11,其中在掩模孔的中间形成不曝光部分,从而这种环形问题在形成模版掩模时发生,不能生成由这种掩模孔所完全包围的空白图形构成的这种环形图形10。
如图3所示,另一方面,叶片图形15由掩模孔构成,该掩模孔包括矩形区域16的整个的周边,除了一小部分。从而仅一部分用它的被掩模孔完全包围的其它周边支持矩形区域16,使得如果支持矩形区域16的这个部分显著小于矩形区域16,它不能完全支承矩形区域16的重量,这样就会在这个矩形区域16中产生模版掩模的脱落变形的叶片问题。因此,必须使用下面的方法中的任何一种方法来避免这个问题。
图4表示通过切断环形图形的一部分而提供柱桩(post)的架搁栅方法。如图4所示,矩形环形图形18有形成其中的一个承受矩形环形问题的部分19。在这种状态下,不能形成环形图形18,从而为防止这种情况,在环形图形18的4个边的每一个中提供柱桩20,以把环形图形18分割为4个掩模孔18a到18d。
另一方面,图5表示形成互补环形图形的掩模的方法。如图5所示,环形图形18在垂直于纵向的方向上被一分为二,把环形图形18分割为分别由互补掩模A和B而产生的掩模孔18e和18f。这样,执行这种特殊的处理以避免把图形分割为掩模孔18e和18f的独立的掩模A和B的环形问题,掩模A和掩模B组合起来以绘制环形图形18。根据本发明,扫描相关的区域以对这些区域的每一个设置变量,以执行特殊处理,如架搁栅或互补掩模形成,从而检测易于发生上述的要通过避免图形缺陷而解决的环形或叶片问题的这些区域的任何一个。
下面将描述根据本发明用于校验绘制图形的方法。
在这个实施例中,要由电子束曝光装置或离子束曝光装置在使用的模版掩模上形成的绘制图形从器件设计数据中提取,此后,根据后面说明的规则对图形设置变量a={a0},{a1},{a2}(其中,a0≠a1≠a2),例如在本实施例中为a={0},{1},{2},这样提前检测当生成模版掩模时会出现问题的任何区域。
下面将说明用于限定变量的规则。
图6A是要形成在从器件设计数据提取的模版掩模上的绘制图形的提取(extraction)区域100的俯视图。如图6A所示,提取区域100有形成在其中的以一个间距分开的称为掩模孔101和102的独立的部分,在该间距中要形成提供模版掩模中的开口的掩模孔,在这些部分之间形成具有相同的形状并且各自分别与掩模孔101和102在Y轴方向上分开的下掩模孔103和上掩模孔104。掩模孔101和102是与Y轴平行的矩形并具有相同的形状。
首先,根据第一规则,平行于提取区域的侧边的直线包围的内部区域被定义为第三部分,其中这些线是与最靠近提取区域的侧边的掩模孔接触的,从而提取区域中该第三部分外部例如在本实施例中被设置为变量{0},在除掩模孔之外的第三部分的内部例如被设置为变量{1},并且掩模孔例如被设置为变量{2}。
当第一规则被应用于图6A到6D时,如图6A所示,由分别通过掩模孔101的左侧和掩模孔102的右侧的直线以及分别通过下掩模孔103的下侧和上掩模孔104的上侧的直线包围的内部部分提供第三部分105。由此,在提取区域100中,根据第一规则,提取区域100内部的除第三部分105之外的部分被设置为变量{0},掩模孔101和104的部分被设置为变量{2},剩余部分被设置为变量{1}。
根据第二规则,在提取区域上沿着X轴和Y轴方向执行第一扫描,以检查在变量{1}的两侧上相互连接的部分。在这种情况下,如果在X轴扫描和Y轴扫描情况下变量{1}部分和它的连接的两侧部分中的变量排列相应于变量排列{0}→{1}→{2}、{2}→{1}→{0}和{0}→{1}→{0}中的任何一个,变量{1}部分被重新设置到变量{0}。在这种情况下,可以以任一顺序执行扫描,但是如果上述相应性仅在X轴或Y轴扫描中观察到,则相关变量保持为{1}。
当第二规则被应用于图6A到6D时,如图6A所示,通过经掩模孔101执行X轴扫描,获得变量排列{0}→{2}→{1}→{2}→{0},另一方面,通过经下掩模孔103来进行X轴扫描,获得变量排列{0}→{2}→{0}。因此,作为提取区域100的X轴扫描结果,在掩模孔101与102之间不包括间隙部分的变量{1}部分的这样一个部分被设置为变量{0},其中在变量{1}部分和它的连接的两侧部分中给出变量排列{2}→{1}→{2}。而且,如图6B所示,作为Y轴扫描以检查变量排列的结果,下掩模孔103与上掩模孔104之间的间隙部分被设置为变量{1},原来设置为变量{1}的其它部分重新设置为变量{0}。由此,仅在上述的提取区域100的X轴扫描和Y轴扫描中都形成为变量{0}的部分被设置为变量{0},从而下掩模孔103与上掩模孔104之间的间隙部分被设置为变量{1},形成为变量{1}的其它部分则被设置为变量{0}。
根据第三规则,经提取区域100在它的X轴和Y轴方向上执行第二扫描。证明在至少一个扫描操作中在变量{1}部分和它的连接的两侧部分中具有变量排列{0}→{1}→{0}的变量{1}部分的任何部分被重新设置为变量{0}。然后重复该扫描。即,经提取区域100在它的X轴和Y轴方向上执行第三扫描,从而证明在变量{1}部分和它的连接的两侧部分中具有变量排列{0}→{1}→{0}的变量{1}部分被重新设置到变量{0}。
在这种情况下,形成为在变量{1}部分和它的连接的两侧部分中在X轴或Y轴方向之一上的变量排列{0}→{1}→{0}以及在其它方向上具有变量排列{2}→{1}→{2}的变量{1}部分的任何部分应用第一规则0,按照该规则,如果L4/L3的比率大于它的预定阈值,变量{1}不重新设置到{0},而这个变量{1}部分被检测为第四部分,其中假设L3是与变量{0}部分接触的变量{1}部分的一个侧边的长度,L4是与变量{2}部分接触的变量{1}部分的一个侧边的长度。
根据第四规则,最终在X轴和Y轴方向上扫描提取区域,从而在变量{1}部分和它的连接的两侧部分中在X轴或Y轴扫描操作中作为具有变量排列{2}→{1}→{2}的变量{1}部分的任何部分被设置为第一部分,在X轴或Y轴方向之一上作为具有变量排列{2}→{1}→{2}和变量排列{2}→{1}→{0}或{0}→{1}→{2}的变量{1}部分的任何部分被设置为第二部分。然后,确定检测为第二部分的变量{1}部分的宽高比,宽高比被确定为L2/L1的值,其中假设L1为与变量{0}的部分接触的变量{1}部分的一个侧边的长度,假设L2为通过该侧边的直线与变量{1}和变量{2}的在垂直于该直线且离开最远的接触点之间的距离,从而如果L2/L1比率小于它的预定第一阈值,第二部分的变量{1}被重新设置到变量{0}。由此,检测到变量{1}的第四、第一和第二部分。
在此情况下,提供第一和第二阈值来检验掩模强度是否不足,并可任意设置这些值以根据掩模材料、掩模孔密度等提供预定强度。
当把第三规则应用于图6B时,如图6C所示,经提取区域100在X轴和Y轴方向上执行第二扫描。在这种情况下,也以任一顺序执行扫描,类似于第一扫描的情况下。例如,如果首先在Y轴方向执行扫描,即,如果在变量{1}部分上执行扫描,也就是经下掩模孔103和上掩模孔104来进行扫描,提取区域100有变量排列{0}→{2}→{1}→{2}→{0},从而该变量{1}部分保持为变量{1}的一部分。接着,当在提取区域100中在X轴方向上经掩模孔101执行扫描时,变量{1}部分保持变量{1},而在X轴方向上当经掩模孔101与上掩模孔104之间的间隙执行扫描时,变量{1}部分和它的连接的两侧的部分具有变量排列{0}→{1}→{1},从而变量{1}部分的变量被重新设置为变量{0}。接着,经提取区域100在X轴和Y轴方向上执行第三扫描。第三扫描也可以以任一顺序执行,与第一和第二扫描操作的情况中一样。例如,经掩模孔101与102之间的间隙执行Y轴扫描,提取区域100具有变量排列{0}→{2}→{0}→{1}→{0}→{2}→{0},而经掩模孔101的X轴扫描使得提取区域100具有变量排列{0}→{2}→{1}→{2}→{0}。
在这种情况下,由于掩模孔101与102之间的间隙部分把变量排列{2}→{1}→{2}作为X轴扫描的结果,把{0}→{1}→{0}作为Y轴扫描的结果,使用第一规则0。由此,如图6D所示,在掩模孔101与102之间的间隙部分的任何变量{1}部分中,掩模孔101(或102)的较长的一个边以L4表示,掩模孔101与102之间的间隙宽度以L3代表,从而,如果L4/L3的比率小于预定第二阈值,变量{1}可被重新设置为变量{0},而如果L4/L3的比率大于预定第二阈值,变量{1}保持为{1},因此,相关部分被检测为缺乏掩模强度的第四部分。在这个实施例的提取区域100的情况下,把L4/L3的比率设置在预定第二阈值以下,对于掩模孔101与102之间的间隙部分,变量{1}被重新设置为变量{0}。由此,除变量{2}的那些即除掩模孔101和上掩模孔104之外的任何部分被设置为变量{0}。
然后,当应用第四规则时,发现提取区域100没有变量{1}部分,因此,可证实没有发生环形或叶片问题的第一或第二部分出现。
接着,校验提取区域100包括遇到环形或叶片问题这样的部分。图7A表示以环形图形111作为掩模孔的提取区域110。如图7A所示,当对提取区域110应用第一规则时,环形图形111和它的内部部分提供第三部分112。由此,提取区域110内除第三部分112之外的任何部分被设置为变量{0},环形图形111的内部部分113被设置为变量{1}。接着,当在X轴和Y轴方向根据第二规则执行第一扫描时,在两个方向上内部部分113和它的连接的两侧的部分形成为具有变量排列{2}→{1}→{2},从而没有变量改变。接着,执行第二和第三扫描操作,结果没有部分被改变。另外,没有出现应用第一规则0的部分。然后,根据第四规则执行最终的扫描,结果变量{1}部分被检测为遇到环形问题的第一部分。
图7B显示以叶片图形121作为掩模孔的提取区域120。如图7B所示,提取区域120包括仅在X轴下面部分不带有掩模孔但是在其下面部分设置有方形掩模孔122的叶片图形121。当第一规则被应用于这个提取区域120时,由通过叶片图形121的左侧、上侧和右侧的线和通过方形掩模孔122的下侧的线包围的部分提供第三部分123,从而根据第一规则设置变量。接着,当根据第二规则执行第一扫描时,方形掩模孔122与叶片图形121之间的Y轴间隙部分被设置为变量{1}。接着,当根据第三规则执行第二扫描时,方形掩模孔122与叶片图形121之间的变量{1}部分的X轴间隙通过X轴扫描被设置为变量{0}。接着,在X轴和Y轴两个方向上执行第三扫描,但是提取区域120的变量保持不变。此后,当在X轴和Y轴两个方向上执行最终的扫描以应用第四规则时,在变量{1}部分和它的连接的两侧的部分中的变量排列证明为{2}→{1}→{2},作为这两个扫描之一的结果,并且把{0}→{1}→{2}作为其它扫描操作的结果。该变量{1}部分以这样一种方式来设置,使得如果它的宽高比L2/L1小于预定的第一阈值,变量{1}被重新设置为{0},从而它不被检测为叶片问题发生部分。由此,仅具有大于阈值的宽高比值的部分被检测为叶片问题发生部分。
图7C是具有两个叶片图形的提取区域130的简图。如图7C所示,提取部分130有一个上叶片图形131和一个下叶片图形132,其在提取区域130中具有相同的形状。上叶片图形131和下叶片图形132的各个叶片问题发生部分131a和132a都没有形成于X轴下侧部分中的掩模孔。当对这个提取区域130应用第一规则时,由通过上叶片图形131的左侧、上侧和右侧的直线和通过下叶片图形132的下侧的直线包围的内部部分提供第三部分133,从而根据第一规则对相应的部分设置变量。当在X轴和Y轴方向执行第一扫描以把第二规则应用于上述内部部分时,包含在下叶片图形132中的叶片问题发生部分132a在变量{1}部分和它的连接两侧的部分中有变量排列{0}→{1}→{2},作为Y轴扫描的结果,从而提供变量{0}。另一方面,作为X轴扫描的结果,上叶片图形131和下叶片图形132之间的间隙部分,即变量{1}部分和它的连接两侧的部分具有变量排列{0}→{1}→{0},从而把变量{0}提供给该间隙部分的变量{1}部分。但是,在这种情况下,是甚至带有作为一个方向扫描结果的变量{0}的这种部分都提供来把变量设置为{1},作为另一个方向扫描的结果,因此,除上叶片图形131和下叶片图形132之外的部分的变量都被设置为变量{1}。即,甚至在应用第二规则时,不改变各个部分的变量。接着,当根据第三规则执行第二扫描时,上叶片图形131和下叶片图形132之间的X轴间隙部分的变量被设置为{0},结果甚至在执行第三扫描时,不改变提取区域130的变量。当执行最终的扫描以应用第四规则时,变量{1}部分和它的连接两侧的部分具有变量排列{2}→{1}→{2},作为X轴扫描结果,{0}→{1}→{2}作为Y轴扫描结果,从而基于L2/L1的值重新设置变量,以确定是否检测第二部分。
通过第一实施例,当根据第一规则、2和3顺序对于提取区域设置变量a={0},{1},{2}时,不发生图形缺陷的部分在最后阶段有变量{0},有问题的其它部分有未变的变量{1}。因此,可以把最终被设置为变量{1}的这种部分检测为图形缺陷发生部分。还可以使用第四规则来进一步把遇到图形缺陷的这些变量{1}部分分类为两种类型的环形问题发生部分和叶片问题发生部分,从而在检测中使用相同的算法来区分这两种类型。
在第一实施例的变形中,作为把第一规则到4应用于提取区域的替代方案,可使用第五规则和第二规则到4。通过第五规则,设置变量,而不分割第三部分,从而把提取区域中的掩模孔设置为变量{2},其它部分为变量{1},并且提取区域的侧边为变量{0}。然后,应用第二规则到4,与第一实施例中的情况一样,以设置变量。由此,可以避免分割第三区域的步骤。第二实施例
下面将描述本发明的第二实施例。如果掩模孔有相对于掩模部分倾斜的侧边,单独执行X轴或Y轴扫描操作不足以防止变量{1}也被设置为不发生图形缺陷的部分,相反,防止了把变量{0}设置为发生图形缺陷的部分。在这个实施例中,通过形成具有恒定宽度的图形,使得它与掩模孔的倾斜侧边接触,变量a={0},{1},{2}象第一实施例的情况一样被设置,从而任何变量{1}部分可被检测为图形缺陷发生部分。这里注意可提前自动检测掩模孔是否有倾斜侧边。
在图8中,提取区域200有三排设置在那里的向右上方向倾斜的平行圆木状掩模孔(此后称为倾斜图形)。第一排包括一个形成于提取区域200的左上角部的倾斜的图形201,第二排包括3个倾斜图形202、203和204,第三排包括形成于提取区域200的右下角部的2个倾斜图形。
首先,与第一实施例一样,把第一规则应用于这个提取区域200。如图8所示,当由与最靠近提取区域200的侧边的倾斜图形接触的平行的并且也平行于提取区域200的侧边的直线包围的这样的部分根据第一规则被提取时,这个提取图形使它的上端与倾斜图形204接触,它的右端与倾斜图形206接触,它的下端与倾斜图形205接触,它的左端与倾斜图形202接触,并且被平行于提取区域200的各个侧边的直线包围。这个内部部分被设置为第三部分207,这个第三部分207的外部被设置为变量{0},第三部分207内的除形成于其中的倾斜图形之外的部分被设置为变量{1},倾斜图形201或206部分被设置为变量{2}。
接着,与使用第一规则到4的第一实施例比较,在这个实施例中,应用第六规则到8。首先,通过应用第六规则,与变量{0}部分接触的并包含单一变量{2}部分的这种变量{1}部分被提取。在这种情况下,可从提取区域200的任何地方提取变量{1}部分。例如,可提取通过以左上角为开始点顺时针扫描首先遇到的包含单一变量{2}的部分,即其中具有单一倾斜图形的变量{1}部分。
通过应用第七规则,在这样提取的{1}部分处,产生具有恒定宽度的并与作为变量{2}部分的倾斜图形的侧边接触的图形(此后称为周边图形)。在这种情况下,这个周边图形以两个优先次序产生。第一优先次序涉及周边图形的相对两端的位置,从而使它的相对两端与变量{0}部分接触的第一周边图形,使它的一端与变量{0}部分接触,另一端与第一周边图形接触的第二周边图形,以及使它的相对两端与第一或第二周边图形接触的第三周边图形以该顺序产生。这里注意任何与倾斜图形的侧边接触的周边图形如果其相对的两端不与变量{0}部分、第一周边图形或第二周边图形接触,则不能产生该周边图形。另一方面,第二优先次序涉及第一到第三周边图形的形状,从而对于与没有角部的变量[2]部分接触的这样的周边图形给予产生优先权,而不是对于仅有一个角部与它接触的周边图形、即四边形状的周边图形给予产生优先权。例如,对于仅一个接触侧边的而不是两个接触侧边的这种四边倾斜图形给出优先级。在这个实施例中,根据第一和第二优先权次序,对于以左上角为开始点较早遇到的周边图形给予较高的产生优先权。在这种情况中,这样产生的使它的相对两端与变量{0}部分接触的任何周边图形可被设置为变量{0}。
当在图8中应用第六规则时,提取变量{1}部分、部分210,在这里其具有设置在提取区域200中的左上部分处的倾斜的图形201。当第七规则被应用于它时,它的相对两端与变量{0}部分接触的第一周边图形以左上角为开始点顺时针产生。因此,作为第一周边图形,产生与左上侧边接触的周边图形S1,接着,产生与右下侧边接触的周边图形S2。随后,由于没有其一端与变量{0}部分接触而另一端与第一周边图形接触的第二周边图形出现,以左上角为开始点顺时针产生它的相对两端与第一或第二周边图形接触的第三周边图形,结果产生与右上侧边接触的周边图形S3,还产生与左下侧边接触的周边图形S4。这样,对于倾斜图形201的所有的侧边中的每一个,产生具有恒定宽度的周边图形。当对这些周边图形S1到S4以这一顺序设置变量时,它们都被设置为变量{0}。
下面将描述第八规则。在产生周边图形后,变量{1}部分被平行于X轴或Y轴的并且还通过变量{2}部分的每一个角部、即与周边图形接触的各个角部而不是第一到第三周边图形的直线定义。由此,这样定义的部分提供四边或三角形状。扫描这个定义的部分以把变量设置为其自身。如果是四边形,与变量{0}部分接触的一个侧边被检测到,从而如果从这个侧边的中间点到相对的侧边的中间点的扫描发现这些相互面对的侧边与变量{0}部分接触,那个四边形部分中的变量被设置为{0}。在另一方面,在三角形的情况下,如果它的两个侧边或更多的侧边与变量{0}部分接触,那个三角部分的变量被设置为{0}。
然后,反复对所有变量{2}部分的每一个应用第六规则到8,以设置变量,从而检测任何会成为图形缺陷发生部分的变量{1}部分。然后应用第九规则来扫描变量{1}部分,从而把与仅一个变量{2}部分接触的部分检测为发生环形问题的第五部分。同时,与第一实施例的情况一样,获得与变量{0}部分接触的变量{1}部分,即第一到第三周边图形的宽高比,从而根据这样获得的宽高比的大小,重新设置这一部分的变量。即,如果宽高比大于预定的阈值,这一部分被检测为发生卷叶问题的第六部分。可获得宽高比为L2/L1,其中L1是它的与变量{0}部分接触的侧边,L2是通过那一侧边的直线与变量{0}部分和变量{2}部分中离开那一直线最远的接触点之间的距离。
当在图8中使用第八规则时,如图中所示,提取的变量{1}部分、部分210被分为三角或四边部分,所有这些的变量被设置为变量{0}。尽管它仅被在Y轴方向分割,可使用X轴来分割。
而且,如上所述,第六规则到8被应用于这个提取区域的所有倾斜图形。例如,当包括倾斜图形的变量{1}部分以倾斜图形201为开始点被顺时针提取时,那么,根据第六规则,包括倾斜部分204的部分220可被提取。当第七规则被应用于这个部分220时,在倾斜图形的侧边接触并使它们的相对的各个端点与变量{0}部分接触的第一周边图形中,发现没有具有恒定宽度的不与倾斜图形的角部接触的周边图形。因此,产生具有角部的第一周边图形S5。接着,产生第二周边图形S6和S7,其每一个使它的一端与变量{0}部分接触,另一端与第一周边图形接触。然后这些周边图形S5到S7以这一顺序被设置为变量{0}。接着,应用第八规则以把变量{1}所有的部分设置为变量{0}。这样,以这一顺序提取包括倾斜图形206、205、202和203的部分,根据第六规则到8对其设置变量,结果没有变量{1}部分出现在提取区域200中,从而证实没有发生图形缺陷的部分。
图9和10是其中形成包括图形缺陷发生部分的倾斜图形的提取区域230的俯视图。提取区域230在右上方向上有三排研磨孔,这3排掩模孔的构成为:向其左上方向形成的第一排叶片图形231、第二排环形图形232、233和234以及第三排叶片图形235和236。对于具有这样的图形的提取区域,例如应用第六规则到8,如图9所示,第一规则首先被应用于定义第三部分237,从而设置一个变量。然后包含作为具有左上变量{2}的一部分的叶片图形231的变量{1}部分,产生第一到第三周边图形,从而设置变量a。然后,如图10所示,对所有的掩模孔应用第六规则到8以设置变量。在这种情况下,具有变量{1}的任何部分会发生图形缺陷的环形或叶片问题。
接着,当应用第九规则时,环形图形232和234的内部部分具有变量{1}并仅与变量{2}部分接触,从而它们被检测为环形问题发生部分。对于其它变量{1}部分,获得它们的L2/L1值。尤其,在获得L2/L1值之前可旋转叶片问题发生变量{1}部分与变量{0}部分接触的侧边以使其平行于X轴或Y轴。如果这样获得的L2/L1值超出预定阈值,相关部分被检测为叶片问题发生部分。
如图11所示,在提取区域中横向并排排列着凸状掩模孔241和242,它们的底部倾斜向右上方向。图11是表示第一规则被应用于提取区域以提取第三部分240的状态的简图。如图11所示,甚至在这种凸状掩模孔241和242倾斜设置的情况下,当应用第六规则到8时,产生与掩模孔241和242的侧边接触的第一到第三周边图形以设置变量,结果在这一部分没有观察到变量{1}部分,从而证实没有发生图形缺陷的部分。
下面将相对这些凸状掩模孔241和242描述要产生的第一到第三周边图形S11至S16和S17至S22。如图12所示,从形成于第三部分240中的凸状掩模孔241开始应用第六规则到8。首先,提取包含掩模孔241的变量{1}部分243。然后,使其相对的两端与变量{0}部分接触的第一周边图形S11和S12优选沿着掩模孔241的侧边从它的左上侧边开始顺时针产生,之后,使其一端与变量{0}部分接触而另一端与第一周边图形接触的第二周边图形S13和S14优选类似地从左上侧边开始顺时针产生,接着,使其相对的两端与第一周边图形S12或第二周边图形S13或S14接触的第三周边图形S15和S16优选类似地从左上侧边开始顺时针产生。当这些周边图形的第一周边图形S11和S12被设置为变量{0}时,第二周边图形S13和S14被设置为变量{0},第三周边图形S15和S16被设置为变量{0}。随后,当遵从第八规则时,变量{1}部分被设置为变量{0}。之后,相对于凸状侧掩模孔242产生第一到第三周边图形,顺序是使它们的相对两端与变量{0}部分接触的周边图形S17、S18和S19,随后是使其一端与变量{0}接触而另一端与一个周边图形S17接触的周边图形S20,最后是使它们的相对两端与一个周边图形S17、S18或S19、S20接触的周边图形S21和S22。之后,对这些周边图形设置变量,还对右侧部分设置变量。
对于根据第二实施例的结构,即使在模版掩模具有倾斜侧边的掩模孔的情况下,具有恒定宽度的图形也可沿着掩模孔的侧边形成,从而提取区域可根据这个图形被分割,以容易地设置变量a,从而以相同的算法检测环形问题或叶片问题图形缺陷发生部分。而且,与第一实施例的情况一样,基于潜在的叶片问题发生部分的宽高比的大小,可确定是否检测这一部分为叶片问题发生部分。
下面将描述第二实施例的变形。在第二实施例中,根据第七规则,第一到第三周边图形各自可仅以这样的方式具有一个角部,即第七规则产生的周边图形仅与没有角部或仅一个角部的变量{2}部分的侧边接触,从而如果该角部与变量{2}部分之间的角度小于270度,可以也检测叶片问题发生的三角部分。如图13所示,掩模孔251在其中具有一个叶片问题发生三角部分252,其具有锐角θ。尽管在提取包含这个掩模孔251的变量{1}部分时第一到第三周边图形可各自具有一个角部,那个角部在周边图形与掩模孔251之间有一个270度或更大的角,从而在沿着形成于掩模孔251中的三角部分252的锐角θ的侧边处不产生周边图形。因此,三角部分252的变量不被设置为变量{0},这样就能够检测叶片问题发生三角部分。
尽管上述第一实施例和第二实施例使用模版掩模来用于电子束曝光,甚至可使用类似的方法将用于离子束投影光刻的模版掩模用于检测环形问题或叶片问题发生位置。
此外,尽管上述实施例使用变量集{0}、{1}、{2}作为例子,但是显然也可以用任意的值{a0}、{a1}、{a2}(a0≠a1≠a2)作为变量。
因此,显然本发明并不限于上面的实施例,在不脱离本发明的范围和精神的情况下可进行改变或修改。

Claims (17)

1.一种绘制图形校验方法,用于校验形成在要在电子束曝光或离子束曝光中使用的模版掩模上的绘制图形,包括如下步骤:
从器件的设计数据中提取所述绘制图形;
把一个区域分为许多部分,其中在该区域中除掩模孔之外都设置了所述提取的绘制图形;
对每个所述分割的部分设置许多种变量中的一种变量,这些变量是基于所述部分出现缺陷的可能性确定的;
基于其出现缺陷的可能性再检查一个部分的特定变量。
2.根据权利要求1的绘制图形校验方法,其中所述检查步骤包括如下步骤:
进一步把带有所述特定变量的部分分割为多个部分;及
对每个所述部分设置变量,该变量是基于其出现缺陷的可能性确定的;所述进一步分割的步骤和所述设置步骤被重复一次或多次。
3.根据权利要求1或2的绘制图形校验方法,其中最终设置的特定变量的部分是由掩模孔整个包围的第一缺陷部分和/或由掩模孔部分包围的第二缺陷部分。
4.根据权利要求1的绘制图形校验方法,其中:所述变量设置步骤根据规则特别设置变量a={a0},{a1},{a2},其中a0≠a1≠a2,该规则包括:
第一规则,用于把由与最靠近设置在所述绘制图形中的区域的掩模孔接触的并且与所述区域的侧边平行的直线包围的内部部分设置为第三部分,还把所述第三部分的外部设置为变量{a0},把掩模孔设置为变量{a2},把其余的设置为变量{a1};
第二规则,用于在所述区域上在X轴和Y轴方向执行第一扫描,以把所述变量{a1}的一部分设置为所述变量{a0},该部分是在所述变量{a1}的所述部分中观察到的变量排列{a0}→{a1}→{a2}、{a2}→{a1}→{a0}和{a0}→{a1}→{a0}中选择出的任何一个,并且把其两侧部分接合起来作为两个方向扫描的结果;及
第三规则,用于在所述区域上在X轴和Y轴方向执行第二扫描,以把所述变量{a1}的一部分设置为所述变量{a0},该部分是在所述变量{a1}的所述部分中观察到的变量排列{a0}→{a1}→{a0},并且把其两侧部分接合起来作为X轴和Y轴方向中的一个或两个上扫描的结果,然后在X轴和Y轴方向执行第三扫描,来以与所述第二扫描相同的方式进行设置;及
所述特定的变量是{a1}。
5.根据权利要求1的绘制图形校验方法,其中所述变量设置步骤根据规则特别设置变量a={a0},{a1},{a2},所述规则包括:
第五规则,用于把设置了所述绘制图形的区域的侧边设置为变量{a0},把掩模孔设置为变量{a2},其余设置为变量{a1};
第二规则,用于在所述区域上在X轴和Y轴方向执行第一扫描,以把所述变量{a1}的一部分设置为所述变量{a0},该部分是在所述变量{a1}的所述部分中观察到的变量排列{a0}→{a1}→{a2}、{a2}→{a1}→{a0}和{a0}→{a1}→{a0}中选择出的任何一个,并且把其两侧部分接合起来作为两个方向扫描的结果;及
第三规则,用于在所述区域上在X轴和Y轴方向执行第二扫描,以把所述变量{a1}的一部分设置为所述变量{a0},该部分是在所述变量{a1}的所述部分中观察到的变量排列{a0}→{a1}→{a0},并且把其两侧部分接合起来作为X轴和Y轴方向中的一个或两个上扫描的结果,然后在X轴和Y轴方向执行第三扫描,来以与所述第二扫描相同方式进行设置;及
所述特定的变量是{a1}。
6.根据权利要求4的绘制图形校验方法,其中所述规则还包括:
第四规则,用于在应用了所述第三规则后,执行在X轴和Y轴方向的最终的扫描,以检测所述变量{a1}的一部分作为第一缺陷部分,该部分是在所述变量{a1}的所述部分中观察到的变量排列{a2}→{a1}→{a2},并且把其两侧部分接合起来作为两个方向扫描的结果,并且以检测所述变量{a1}的这样一个部分作为第二缺陷部分,该部分是在所述变量{a1}的所述部分中观察到的所述变量排列{a2}→{a1}→{a2},并且把其两侧部分接合起来作为X轴和Y轴方向之一扫描的结果,把{a0}→{a1}→{a2}或{a2}→{a1}→{a0}的变量排列作为其它方向扫描的结果,从而检测所述变量{a1}的所述部分作为所述第一缺陷部分或所述第二缺陷部分。
7.根据权利要求6的绘制图形校验方法,其中当所述第二缺陷部分的宽高比小于第一阈值时,所述第二缺陷部分的变量从{a1}重新设置为{a0}。
8.根据权利要求7的绘制图形校验方法,其中所述第二缺陷部分的所述宽高比是L2/L1的大小,其中L1代表与变量{a0}的一部分接触的所述第二缺陷部分的一个侧边的长度,L2代表通过所述侧边的直线与所述第二缺陷部分和所述变量{a2}的所述部分在垂直于所述直线的方向上离开最远的接触点之间的距离。
9.根据权利要求4的绘制图形校验方法,其中按照所述第二规则和3,如果L4/L3的值大于第二阈值,所述变量{a1}的一部分保持为所述变量{a1}的并被检测为第四缺陷部分,该部分是在所述变量{a1}的所述部分中观察到的变量排列{a0}→{a1}→{a0},并且把其两侧部分接合起来作为X轴和Y轴方向之一扫描的结果,把所述变量排列{a2}→{a1}→{a2}作为其它方向扫描的结果,其中L4代表与变量{a2}接触的所述变量{a1}的所述部分的一个侧边的长度,L3代表与所述变量{a0}接触的变量{a1}的所述部分的一个侧边的长度。
10.根据权利要求1到3中任一项的绘制图形校验方法,其中所述变量设置步骤根据规则特别设置变量a={a0},{a1},{a2},所述规则包括:
第一规则,用于把由与最靠近于设置所述绘制图形中的区域的侧边的掩模孔接触的并且与所述区域的侧边平行的直线包围的部分设置为第三部分,还用于把所述第三部分的外部设置为变量{a0},把掩模孔设置为变量{a2},把其余设置为变量{a1};
第六规则,用于提取与所述变量{a0}的一部分接触的并且包含所述变量{a2}的一部分的所述变量{a1}的一部分;
第七规则,用于形成与所述变量{a2}的所述部分的一侧接触的并具有预定宽度的图形,从而对所述图形设置变量;和
第八规则,用于基于所述图形分割所述变量{a1}的所述提取的部分的变量,从而设置变量;
所述特定的变量是{a1}。
11.根据权利要求10的绘制图形校验方法,其中执行所述第六规则到8的次数与提供的所述变量{a2}一样多。
12.根据权利要求10的绘制图形校验方法,其中根据所述第七规则形成的图形特别是以第一图形、第二图形和第三图形的优先的顺序形成,该第一图形与所述变量{a2}的所述部分接触并具有预定宽度,其相对两端与所述变量{a0}的所述部分接触;第二图形与所述变量{a2}的所述部分的一边接触并具有预定宽度,其一端与所述变量{a0}的所述部分接触,另一端与所述第一图形接触;第三图形与所述变量{a2}的所述部分的一边接触并具有预定宽度,其相对两端与所述第一图形或所述第二图形接触。
13.根据权利要求12的绘制图形校验方法,其中形成的所述第一到第三图形仅是与所述变量{a2}的所述部分的一边接触而没有角部这样的图形,或是用其一个角与所述变量{a2}的所述部分的一边接触这样的图形,在形成时没有角部的所述图形优先于有角部的所述图形。
14.根据权利要求13的绘制图形校验方法,其中所述第一到第三图形的所述角部相对于所述变量{a2}的一部分的角度小于270度。
15.根据权利要求9的绘制图形校验方法,其中还包括第九规则,用于检测不与所述第一到第三图形的任何一个接触的所述变量{a1}的所述部分,作为第五区域,与所述第一到第三图形的任何一个接触的所述变量{a1}的所述部分作为第六区域,从而检测所述变量{a1}的部分作为第五部分或第六部分。
16.根据权利要求15的绘制图形校验方法,其中如果所述第六部分的宽高比小于第三阈值,则把所述变量{a1}重新设置为所述变量{a0}。
17.根据权利要求16的绘制图形校验方法,其中所述第六部分的所述宽高比被给定为L6/L5,其中L5代表与所述第一到第三图形中的任何一个接触的所述第六部分的一个侧边的长度,L6代表通过所述侧边的直线与所述变量{a1}的一部分和所述变量{a2}的一部分的在垂直于所述直线的方向上离开所述直线最远的接触点之间的距离。
CN00133555A 1999-11-12 2000-11-10 绘制图形校验方法 Pending CN1296284A (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP323382/1999 1999-11-12
JP32338299A JP3360666B2 (ja) 1999-11-12 1999-11-12 描画パターン検証方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN1296284A true CN1296284A (zh) 2001-05-23

Family

ID=18154133

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN00133555A Pending CN1296284A (zh) 1999-11-12 2000-11-10 绘制图形校验方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US6741733B1 (zh)
JP (1) JP3360666B2 (zh)
KR (1) KR100393922B1 (zh)
CN (1) CN1296284A (zh)
TW (1) TW543096B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101133362B (zh) * 2005-01-03 2013-07-17 英特尔公司 用于修补交替相移掩模的方法

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100931552B1 (ko) * 2002-03-26 2009-12-14 도판 인사츠 가부시키가이샤 회로 패턴의 분할 방법, 스텐실 마스크의 제조 방법, 스텐실 마스크, 및 노광 방법
JP2008244374A (ja) * 2007-03-29 2008-10-09 Nec Lcd Technologies Ltd 半導体薄膜の製造方法、半導体薄膜及び薄膜トランジスタ
JP5403603B2 (ja) * 2009-05-28 2014-01-29 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置の描画エラー検証方法及び描画装置の描画エラー検証用データの作成装置

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2602287B2 (ja) * 1988-07-01 1997-04-23 株式会社日立製作所 X線マスクの欠陥検査方法及びその装置
JP2702183B2 (ja) * 1988-11-04 1998-01-21 富士通株式会社 半導体製造装置
US5130213A (en) * 1989-08-07 1992-07-14 At&T Bell Laboratories Device manufacture involving lithographic processing
JP3192157B2 (ja) * 1990-09-17 2001-07-23 株式会社東芝 電子ビーム描画方法及び描画装置
US5717204A (en) * 1992-05-27 1998-02-10 Kla Instruments Corporation Inspecting optical masks with electron beam microscopy
JPH08124833A (ja) * 1994-10-26 1996-05-17 Nikon Corp 荷電粒子線転写用マスク
US5892224A (en) * 1996-05-13 1999-04-06 Nikon Corporation Apparatus and methods for inspecting wafers and masks using multiple charged-particle beams
JP3796317B2 (ja) * 1996-06-12 2006-07-12 キヤノン株式会社 電子ビーム露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法
KR0165524B1 (ko) * 1996-07-16 1999-03-20 김광호 포토리소그래피 공정의 노광방법
KR100192549B1 (ko) * 1996-07-31 1999-06-15 구본준 마스크의 구조 및 제조방법
JPH10135111A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Fujitsu Ltd 露光用マスク、露光方法、露光データ作成方法、マスク作成データ作成方法、及び、記憶媒体
JP2000089448A (ja) * 1998-09-11 2000-03-31 Fujitsu Ltd 露光用パターン表示・検査・修正方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101133362B (zh) * 2005-01-03 2013-07-17 英特尔公司 用于修补交替相移掩模的方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3360666B2 (ja) 2002-12-24
JP2001143996A (ja) 2001-05-25
KR100393922B1 (ko) 2003-08-09
US6741733B1 (en) 2004-05-25
TW543096B (en) 2003-07-21
KR20010051637A (ko) 2001-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1191610C (zh) 半导体集成电路器件、其制造方法和掩模的制作方法
CN1428656A (zh) 用于在印刷布线板上形成图案的曝光方法和装置
CN1215531C (zh) 掩模的制造方法
JPH05198485A (ja) 形状分解システム及びその方法
JP4149676B2 (ja) フォトマスクの修正方法
JP2021009829A (ja) マルチ荷電粒子ビーム画像取得装置およびマルチ荷電粒子ビーム画像取得方法
JP2009141263A (ja) 露光方法、フォトマスクおよびレチクルステージ
CN1174402A (zh) 带电束曝光掩模及带电束曝光方法
KR100256832B1 (ko) 전자빔 노광장치용 마스크 데이터 작성방법 및 마스크
CN1041665C (zh) 分割窗孔图形布图的方法
CN1296284A (zh) 绘制图形校验方法
USRE47272E1 (en) Methods of determining quality of a light source
JP3054765B2 (ja) マスク製造のための近接効果補正方法
JP2006032755A (ja) 荷電粒子線マスクの設計方法及び設計データ構造、荷電粒子線マスク、並びに荷電粒子線転写方法。
US10410824B2 (en) Electron beam inspection apparatus and electron beam inspection method
JP7344706B2 (ja) 電子ビーム検査装置
JP2008226905A (ja) 電子線描画方法、マスクデータの生成方法及び電子線描画用マスクの形成方法
JP2009282386A (ja) フォトマスクと半導体チップの製造方法
CN1284740A (zh) 用于电子束曝光的方法以及用于制造半导体器件的方法
CN1302081A (zh) 电子束掩膜、掩膜制造方法和曝光方法
JP2003273001A (ja) 電子線描画データ作成方法、マスク製造方法および描画装置
US7721247B2 (en) Side lobe image searching method in lithography
CN111834384B (zh) 图像传感器金属栅格版图的生成方法及金属栅格光罩图形
JP2000058413A (ja) 電子ビーム露光方法と電子ビーム描画装置
JP2003142439A (ja) ウェハの研磨方法及びマスク

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: NEC ELECTRONICS TAIWAN LTD.

Free format text: FORMER OWNER: NIPPON ELECTRIC CO., LTD.

Effective date: 20030403

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TA01 Transfer of patent application right

Effective date of registration: 20030403

Address after: Kanagawa, Japan

Applicant after: NEC Corp.

Address before: Tokyo, Japan

Applicant before: NEC Corp.

C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication