CN111834384B - 图像传感器金属栅格版图的生成方法及金属栅格光罩图形 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种图像传感器金属栅格版图的生成方法及金属栅格光罩图形。生成方法包括：获取原始金属栅格版图的数据信息，并绘制第一金属栅格版图，所述第一金属栅格版图中包含多个金属栅格，所述各个金属栅格为直角矩形；基于版图逻辑运算文件中的版图运算规则，对所述第一金属栅格版图进行逻辑运算，得到第二金属栅格版图，所述第二金属栅格版图中的各个金属栅格的边角形状为多边形角或者圆角。由于在金属栅格为矩形形状的金属栅格版图的基础上，对其进行一系列的版图逻辑运算，生成边角为特殊形状的金属栅格版图；因此，版图设计工程师无需手工绘制复杂的特殊形状的金属栅格版图，从而提高了版图设计和生成的效率，降低了版图设计的成本。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路制造技术领域，特别涉及一种图像传感器金属栅格版图的生成方法及金属栅格光罩图形。
背景技术
目前，在CMOS图像传感器的制造工艺中，入射光被微透镜捕捉到之后，经过滤光镜过滤，除去不相关光，形成单色光，入射光到达半导体衬底被其吸收，产生光生载流子。现有在入射光到达半导体衬底之前，会发生光学串扰，影响成像效果。为降低CMOS图像传感器件接收到的入射光的光学串扰，需要在半导体衬底的表面形成金属栅格(Metal Grid)以隔离入射光。
随着图像传感器技术的发展，以及对图像传感器性能的要求的提升，金属栅格的版图形状也趋向于多样化。金属栅格的形状以及栅格角落的形状对版图的排布、光学临近修正效果、滤光镜的填充、入射光的反射以及微透镜的形成都有着一定程度的影响。因此，金属栅格的版图形状并不局限于标准的矩形，也有如多边形，圆角矩形等其他形状。
目前，对于特殊形状的金属栅格版图，传统的绘制方法为：版图设计工程师人工绘制特殊形状的金属栅格版图，并生成原始版图数据信息；版图生成软件根据所述原始版图数据信息生成光罩版图。由于现有技术中特殊形状的金属栅格版图的绘制，首先需要版图设计工程师人工绘制复杂的特殊形状版图，然后，再通过主要支持标准图形的版图绘制软件经过复杂的绘制操作步骤进行绘制；显然，现有技术生成特殊形状的金属栅格版图的增加了版图设计工程师的设计时间和成本，造成了降低了版图的设计和生成效率，且在研发过程中不方便实现版图的多样性的问题。
发明内容
本发明的目的在于提供一种图像传感器金属栅格版图的生成方法及金属栅格光罩图形，以解决现有的形成方法中在生成特殊形状的金属栅格的版图时，成本高的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供一种图像传感器金属栅格版图的生成方法，所述方法包括以下步骤：
获取原始金属栅格版图的数据信息，并绘制第一金属栅格版图，所述第一金属栅格版图中包含多个金属栅格，所述各个金属栅格为直角矩形；
基于版图逻辑运算文件中的版图运算规则，对所述第一金属栅格版图进行逻辑运算，得到第二金属栅格版图，所述第二金属栅格版图中的各个金属栅格的边角形状为多边形角或者圆角。
可选的，所述第一金属栅格版图中还可以包含多个第一像素格子；
在所述基于版图逻辑运算文件中的版图运算规则，对所述第一金属栅格版图进行逻辑运算，得到第二金属栅格版图的步骤之前，还可以包括：
判断所述第一金属栅格版图中的所述第一像素格子的图层属性；
若所述第一像素格子的图层属性为制图层，则确定所述第一金属栅格版图中的待处理第一像素格子；
若所述第一像素格子的图层属性为非制图层，则基于所述版图运算规则，将所述第一像素格子的图层属性调整为制图层。
可选的，所述原始金属栅格版图的数据信息可以包括各个金属栅格的长宽比；
所述得到第二像素格子图层的步骤可以包括：
基于所述各个金属栅格的长宽比和所述版图逻辑运算文件中的版图运算规则，对所述第一金属栅格版图进行逻辑运算，得到第二金属栅格版图，以使所述第二金属栅格版图中的各个金属栅格的长宽比与所述原始金属栅格版图的数据信息包括的所述各个金属栅格的长宽比相同。
可选的，基于版图逻辑运算文件中的版图运算规则，对所述第一金属栅格版图进行逻辑运算，得到第二金属栅格版图的步骤可以包括：
针对所述待处理第一像素格子，基于所述版图运算规则中像素格子的运算规则，对所述待处理第一像素格子进行逻辑运算，得到第二像素格子，并生成包含多个第二像素格子的第二像素格子图层；
获取标志图层的数据信息，并绘制标志图层；
从所述标志图层中扣除所述第二像素格子图层，得到第二金属栅格版图。
可选的，将所述第一像素格子的图层属性调整为制图层的步骤包括：
获取标志图层的数据信息，并绘制标志图层；
从所述标志图层中扣除所述第一金属栅格版图，得到第一金属栅格版图对应的第一像素格子图层，所述第一像素格子图层中包含的第一像素格子的图层属性为制图层。
可选的，所述得到第二像素格子图层的步骤可以包括：
针对所述第一像素格子图层中的每个待处理第一像素格子，将所述待处理第一像素格子缩小a倍，a≥0，得到呈直角矩形的第二像素格子，以及包含所述多个第二像素格子的第三像素格子图层；
针对所述每个第二像素格子，将所述第二像素格子放大b倍，b>0，得到呈直角矩形的第三像素格子，并生成包含所述多个第三像素格子的第四像素格子图层；
针对所述每个第三像素格子，对所述第三像素格子的各个边角进行处理，得到边角为多边形角或者圆角的第四像素格子，并生成包含所述多个第四像素格子的第二像素格子图层。
可选的，所述对所述第三像素格子的边角进行处理的步骤可以包括：
针对所述每个第三像素格子，将所述第三像素格子的各个边角进行N等分处理，N≥1，以将所述第三像素格子的各个边角转换成由N个相同线段依次连接而形成的多边形角，进而得到对应的第四像素格子。
可选的，当N为无穷大时，所述第三像素格子的各个边角被转换成圆角，进而得到对应的第四像素格子。
基于如上所述的生成方法，本发明还提供了一种金属栅格光罩，其图形通过上述图像传感器金属栅格版图的生成方法所生成的第二金属栅格版图来形成。
基于如上所述的金属栅格光罩，本发明还提供了一种图像传感器的制造方法，包括：通过上述的金属栅格光罩，在一半导体衬底上形成金属栅格。
与现有技术相比，本发明的技术方案至少具有以下有益效果之一：
在本申请提供的图像传感器金属栅格版图的生成方法中，由于在金属栅格为矩形形状的金属栅格版图的基础上，对其进行一系列的版图逻辑运算，从而生成边角为特殊形状的金属栅格版图；因此，版图设计工程师无需手工绘制复杂的特殊形状的金属栅格版图，从而提高了版图设计和生成的效率，降低了版图设计的成本。
进一步的，本申请中版图设计软件只需要按照实际需要来设置相应的参数a、b、n，就可以按照设置的逻辑运算规则对矩形形状的金属栅格版图进行调整，得到所需要的特殊形状的金属栅格版图，对版图设计工程师来说操作简单，因此大大提高了特殊形状的金属栅格版图的生成效率。
进一步的，由于本申请是通过调整逻辑运算规则中参数的数值，从而改变像素格子边角的形状，进而调整了矩形金属栅格的边角，因此，通过调整所述逻辑运算规则中参数的数值，可以生成不同形状效果的金属栅格，为金属栅格的版图绘制工作及研发阶段对金属栅格版图多样性的需求提供便利。
附图说明
图1为一种图像传感器金属栅格版图的生成方法流程示意图；
图2a～图2h为本发明一实施例中的金属栅格版图的生成方法流程中的版图结构示意图；
图3a～图3f为本发明一实施例中的像素格子图层中像素格子调整的流程中的版图结构示意图。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的具体实施方式进行更详细的描述。根据下列描述，本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
承如背景技术所述，由于在目前的图像传感器的特殊形状的金属栅格版图的生成方法中，需要版图设计工程师利用主要支持标准图形的版图绘制软件经过复杂的绘制操作步骤进行绘制，因此，增加了版图设计工程师的设计时间和成本，造成了降低了版图的设计和生成效率，且在研发过程中不方便实现版图的多样性的问题。
为此，本发明提供了一种图像传感器金属栅格版图的生成方法，以解决现有的版图生成方法中在生成特殊形状的金属栅格的版图时，成本高的问题。
参见图1，本发明提供了一种图像传感器金属栅格版图的生成方法，该方法包括以下步骤：
步骤S100，获取原始金属栅格版图的数据信息，并绘制第一金属栅格版图。
本实施例中，如图2a所示，所述第一金属栅格版图可以包含多个金属栅格B和多个像素格子A。其中，所述第一金属栅格版图中包含的金属栅格为直角矩形；示例性的，所述像素格子的形状可以为正四边形(如，正方形或直角矩形)和/或多边形。
步骤S200，基于版图逻辑运算文件中的版图运算规则，对所述第一金属栅格版图进行逻辑运算，得到第二金属栅格版图。
本实施例中，在步骤S100生成第一金属栅格版图之后，可以根据用于生成光罩版图的版图逻辑运算文件中记录的版图运算规则，对所述包含金属栅格为直角矩形的原始金属栅格版图进行版图逻辑运算，即，通过修改金属栅格版图中像素格子的边角形状或整体形状，从而实现调整金属栅格的形状，达到本发明的目的。
其中，所述第二金属栅格版图中的各个金属栅格的边角为多边形角或者圆角。
进一步的，在所述基于版图逻辑运算文件中的版图运算规则，对所述第一金属栅格版图进行逻辑运算，得到第二金属栅格版图的步骤之前，还可以包括：
判断所述第一金属栅格版图中的所述第一像素格子的图层属性；若所述第一像素格子的图层属性为制图层，则确定所述第一金属栅格版图中的待处理第一像素格子；若所述第一像素格子的图层属性为非制图层，则基于所述版图运算规则，将所述第一像素格子的图层属性调整为制图层。
本实施例中，如图2a所示，金属栅格版图中可以包含用于接收入射光线的像素格子区域，也可以包含用于隔离入射光线的金属栅格。当版图设计工程师在设计第一金属栅格版图时，可以将像素格子区域作为制图层，也可以将金属栅格作为制图层。在对版图进行逻辑运算时，属性为制图层的版图区域可以进行逻辑运算。
需要说明的是，由于本发明实施例中的版图逻辑运算规则是对所述像素格子进行调整，因此，在对第一金属栅格版图进行版图逻辑运算之前，可以判断所述第一金属栅格版图中包含的像素格子的图层属性，若其图层属性为制图层，则可以直接进行版图逻辑运算；若所述像素格子的图层属性为非制图层，则需要将其进行属性转换，再进行版图逻辑运算。
进一步的，将所述第一像素格子的图层属性调整为制图层的步骤可以包括：
获取标志图层的数据信息，并绘制标志图层C，如图2a所示；从所述标志图层中扣除所述第一金属栅格版图，得到第一金属栅格版图对应的第一像素格子图，所述第一像素格子图中包含的第一像素格子的图层属性为制图层。
本实施例中，版图生成软件根据获取的第一金属栅格版图信息数据中的标志图层的数据信息，可以生成标志图层，如图2b所示。将所述标志图层和所述第一金属栅格版图进行逻辑运算，即，从所述标志图层中扣除所述第一金属栅格版图，获得第一像素格子图层，如图2c所示。
可选的方案中，在所述判断所述第一金属栅格版图中包含的像素格子区域的属性，得到如图2c所示的第一金属栅格版图对应的第一像素格子图层之后，还可以确定所述第一像素格子图层中包含的多个像素格子是否为待进行形状调整的像素格子。示例性的，若所述第一像素格子图层中包含的所述多个像素格子的形状都是正四边形，即，所述第一金属栅格版图中的金属栅格为直角矩形，则将所述第一像素格子图层中包含的多个像素格子作为待处理的第一像素格子，并进行如图2d～图2f所示的调整过程，或如图2d到图2g到图2h所示的调整过程。若所述第一像素格子图层中包含的所述部分数目个像素格子的形状都是正四边形，即，所述第一金属栅格版图中的部分数目个金属栅格为直角矩形，则将所述第一像素格子图层中包含的部分数目个像素格子作为待处理的第一像素格子，并进行如图2d～图2f所示的调整过程，或如图2d到图2g到图2h所示的调整过程。
其中，附图2a～图2h中的阴影区域的属性为制图层。
在本发明实施例中，通过判断第一金属栅格版图中待处理的金属栅格区域，避免了对第一金属栅格版图中无需进行逻辑运算的像素格子进行调整，从而提高金属栅格版图的设计效率。
进一步的，基于版图逻辑运算文件中的版图运算规则，对所述第一金属栅格版图进行逻辑运算，得到第二金属栅格版图的步骤可以包括：
针对所述待处理第一像素格子，基于所述版图运算规则中像素格子的运算规则，对所述待处理第一像素格子进行逻辑运算，得到第二像素格子，并生成包含多个第二像素格子的第二像素格子图层；获取标志图层的数据信息，并绘制标志图层；从所述标志图层中扣除所述第二像素子图层，得到第二金属栅格版图。
进一步的，所述基于所述版图运算规则中像素格子的运算规则，对所述待处理第一像素格子进行逻辑运算，得到第二像素子的方法可以包括：
针对所述第一像素格子图层中的每个待处理第一像素格子，将所述待处理第一像素格子缩小a倍，a≥0，得到呈直角矩形的，以及包含所述多个第二像素格子的第三像素格子图层；针对所述每个第二像素格子，将所述第二像素格子放大b倍，b>0，得到呈直角矩形的第三像素格子，并生成包含所述多个第三像素格子的第四像素格子图层；针对所述每个第三像素格子，对所述各个第三像素格子的边角进行处理，得到边角为多边形角或者圆角的第四像素格子，并生成包含所述多个第四像素格子的第二像素格子图层。
本实施例中，具体参见图3a～图3f所示，可以先将如图3a所示的第一像素格子的沿X轴方向的边长减小a，且将第一像素格子的沿Y轴方向的边长减小a，得到如图3b所示的呈直角矩形的第二像素格子A1。将所述图3b所示的第二像素格子的沿X轴方向的边长增加b，且将所述图3b所示的第二像素格子的沿Y轴方向的边长增加b，即，将第二像素格子放大b倍，得到如图3c所示的呈直角矩形的第三像素格子A1’。将如图3c所述的第三像素格子，对所述第三像素格子的边角进行处理，得到边角为多边形角或者圆角的第四像素格子，如图3e或图3f所示。此外，作为本发明的另一个实施例，所述如图3c至图3e对应的操作步骤可以同时执行；可以理解的是，所述如图3c至图3f对应的操作步骤也可以同时进行，本发明对此不做具体限定。
其中，图3a～图3f中阴影部分为本发明实施例的当前目标层。
进一步的，对所述第三像素格子的边角进行处理的方法可以包括：
针对每个第三像素格子，将第三像素格子的各个边角进行N等分处理，N≥1，以将第三像素格子的各个边角转换成由N个相同线段依次连接而形成的多边形角，进而得到对应的第四像素格子。
本实施例中，将如图3c所示的第三像素格子的各个边角(如图3d中虚线标识的边角)进行N等分，形成N段相同的线段；之后，将所述N段相同的线段依次连接，从而形成边角位多边形角的第四像素格子。例如，若N＝1，则生成的第四像素格子如图3e所示；若N＝8，则生成的第四像素格子如图3f所示。
需要说明的是，当N＝1的时候，相当于对矩形的第三像素格子进行切角，形成八角形的第四像素格子，达到了修改金属栅格版图中像素格子的整体形状的效果，当N为无穷大时，第三像素格子的各个边角可以被转换成圆角，进而得到对应的第四像素格子，此时达到了仅修改金属栅格版图中像素格子的边角形状的效果。
同时，将所述第一像素格子图中多个待处理的第一像素格子进行版图逻辑处理之后，得到的多个第四像素格子整合，形成第二像素格子如图2f所示和如图2h所示。
需要说明的是，上述图3e和图3f所示的第四像素格子，只是本参数N不同取值下的举例示意图，即，参数N的取值范围可以为不小于1的任何整数，本发明不做具体限定。
在本发明实施例中，可以在各个金属栅格的长宽比固定不变的情况下，对所述第一金属栅格版图中包含的多个金属栅格进行缩放，从而实现调整金属栅格的形状，达到本发明的目的。具体的，可以基于所述各个金属栅格的长宽比和所述版图逻辑运算文件中的版图运算规则，对所述第一金属栅格版图进行逻辑运算，得到第二金属栅格版图，以使所述第二金属栅格版图中的各个金属栅格的长宽比与所述原始金属栅格版图的数据信息包括的所述各个金属栅格的长宽比相同。其中，所述原始金属栅格版图的数据信息可以包括各个金属栅格的长宽比。同理，也可以在各个金属栅格的长宽比可变的情况下，对所述第一金属栅格版图中包含的多个金属栅格进行缩放，从而实现调整金属栅格的形状，达到本发明的目的。
基于如上所述的形成方法，本实施例中还提供了一种金属栅格光罩，其图形通过上述的图像传感器金属栅格版图的生成方法所生成的第二金属栅格版图来形成。
基于如上所述的金属栅格光罩，本实施例中还提供了一种图像传感器的制造方法，包括：通过上述的金属栅格光罩，在一半导体衬底上形成金属栅格。
综上所述，在本申请提供的图像传感器金属栅格版图的生成方法中，由于在金属栅格为矩形形状的金属栅格版图的基础上，对其进行一系列的版图逻辑运算，从而生成边角为特殊形状的金属栅格版图；因此，版图设计工程师无需手工绘制复杂的特殊形状的金属栅格版图，从而提高了版图设计和生成的效率，降低了版图设计的成本。
进一步的，本申请中版图设计软件只需要按照实际需要来设置相应的参数a、b、n，就可以按照设置的逻辑运算规则对矩形形状的金属栅格版图进行调整，得到所需要的特殊形状的金属栅格版图，对版图设计工程师来说操作简单，对版图设计软件而言计算量少，因此大大提高了特殊形状的金属栅格版图的生成效率。
进一步的，由于本申请是通过调整逻辑运算规则中参数的数值，从而改变像素格子边角的形状，进而调整了矩形金属栅格的边角，因此，通过调整所述逻辑运算规则中参数的数值，可以生成不同形状效果的金属栅格，为金属栅格的版图绘制工作及研发阶段对金属栅格版图多样性的需求提供便利。
需要说明的是，虽然本发明已以较佳实施例披露如上，然而上述实施例并非用以限定本发明。对于任何熟悉本领域的技术人员而言，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围。
还应当理解的是，除非特别说明或者指出，否则说明书中的术语“第一”、“第二”、“第三”等描述仅仅用于区分说明书中的各个组件、元素、步骤等，而不是用于表示各个组件、元素、步骤之间的逻辑关系或者顺序关系等。
此外还应该认识到，此处描述的术语仅仅用来描述特定实施例，而不是用来限制本发明的范围。必须注意的是，此处的以及所附权利要求中使用的单数形式“一个”和“一种”包括复数基准，除非上下文明确表示相反意思。例如，对“一个步骤”或“一个装置”的引述意味着对一个或多个步骤或装置的引述，并且可能包括次级步骤以及次级装置。应该以最广义的含义来理解使用的所有连词。以及，词语“或”应该被理解为具有逻辑“或”的定义，而不是逻辑“异或”的定义，除非上下文明确表示相反意思。此外，本发明实施例中的方法和/或设备的实现可包括手动、自动或组合地执行所选任务。
Claims (9)
1.一种图像传感器金属栅格版图的生成方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
获取原始金属栅格版图的数据信息，并绘制第一金属栅格版图，所述第一金属栅格版图中包含多个金属栅格，所述各个金属栅格为直角矩形；
所述第一金属栅格版图中还包含多个第一像素格子；
基于版图逻辑运算文件中的版图运算规则，对所述第一金属栅格版图进行逻辑运算，得到第二金属栅格版图，所述第二金属栅格版图中的各个金属栅格的边角形状为多边形角或者圆角；
基于版图逻辑运算文件中的版图运算规则，对所述第一金属栅格版图进行逻辑运算，得到第二金属栅格版图的步骤包括：
针对待处理第一像素格子，基于所述版图运算规则中像素格子的运算规则，对所述待处理第一像素格子进行逻辑运算，得到第二像素格子，并生成包含多个第二像素格子的第二像素格子图层，其中，所述待处理第一像素格子为所述第一金属栅格版图中选出的待进行逻辑运算的第一像素格子；
获取标志图层的数据信息，并绘制标志图层；
从所述标志图层中扣除所述第二像素格子图层，得到第二金属栅格版图。
2.如权利要求1所述的图像传感器金属栅格版图的生成方法，其特征在于，
在所述基于版图逻辑运算文件中的版图运算规则，对所述第一金属栅格版图进行逻辑运算，得到第二金属栅格版图的步骤之前，还包括：
判断所述第一金属栅格版图中的所述第一像素格子的图层属性；
若所述第一像素格子的图层属性为制图层，则确定所述第一金属栅格版图中的待处理第一像素格子；
若所述第一像素格子的图层属性为非制图层，则基于所述版图运算规则，将所述第一像素格子的图层属性调整为制图层。
3.如权利要求1所述的图像传感器金属栅格版图的生成方法，其特征在于，所述原始金属栅格版图的数据信息包括各个金属栅格的长宽比；
所述得到第二像素格子图层的步骤包括：
基于所述各个金属栅格的长宽比和所述版图逻辑运算文件中的版图运算规则，对所述第一金属栅格版图进行逻辑运算，得到第二金属栅格版图，以使所述第二金属栅格版图中的各个金属栅格的长宽比与所述原始金属栅格版图的数据信息包括的所述各个金属栅格的长宽比相同。
4.如权利要求2所述的图像传感器金属栅格版图的生成方法，其特征在于，将所述第一像素格子的图层属性调整为制图层的步骤包括：
获取标志图层的数据信息，并绘制标志图层；
从所述标志图层中扣除所述第一金属栅格版图，得到第一金属栅格版图对应的第一像素格子图层，所述第一像素格子图层中包含的第一像素格子的图层属性为制图层。
5.如权利要求1所述的图像传感器金属栅格版图的生成方法，其特征在于，所述得到第二像素格子图层的步骤包括：
针对所述第一像素格子图层中的每个待处理第一像素格子，将所述待处理第一像素格子缩小a倍，a≥0，得到呈直角矩形的第二像素格子，以及包含所述多个第二像素格子的第三像素格子图层；
针对所述每个第二像素格子，将所述第二像素格子放大b倍，b>0，得到呈直角矩形的第三像素格子，并生成包含所述多个第三像素格子的第四像素格子图层；
针对所述每个第三像素格子，对所述第三像素格子的各个边角进行处理，得到边角为多边形角或者圆角的第四像素格子，并生成包含所述多个第四像素格子的第二像素格子图层。
6.如权利要求5所述的图像传感器金属栅格版图的生成方法，其特征在于，所述对所述第三像素格子的边角进行处理的步骤包括：
针对所述每个第三像素格子，将所述第三像素格子的各个边角进行N等分处理，N≥1，以将所述第三像素格子的各个边角转换成由N个相同线段依次连接而形成的多边形角，进而得到对应的第四像素格子。
7.如权利要求6所述的图像传感器金属栅格版图的生成方法，其特征在于，当N为无穷大时，所述第三像素格子的各个边角被转换成圆角，进而得到对应的第四像素格子。
8.一种金属栅格光罩图形，其特征在于，其图形通过权利要求1-7中任一项所述的图像传感器金属栅格版图的生成方法所生成的第二金属栅格版图来形成。
9.一种图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：通过权利要求8所述的金属栅格光罩图形，在一半导体衬底上形成金属栅格。
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|---|---|---|---|---|
| CN104167420A (zh) * | 2013-05-16 | 2014-11-26 | 采钰科技股份有限公司 | 背照式cmos图像传感器及其形成方法 |
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Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104167420A (zh) * | 2013-05-16 | 2014-11-26 | 采钰科技股份有限公司 | 背照式cmos图像传感器及其形成方法 |
| CN108695346A (zh) * | 2017-03-29 | 2018-10-23 | 三星电子株式会社 | 图像传感器 |
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