CN1288507C

CN1288507C - 能束曝光方法和曝光装置

Info

Publication number: CN1288507C
Application number: CNB031366694A
Authority: CN
Inventors: 佐佐木纪昭; 中杉哲郎
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 2002-05-24
Filing date: 2003-05-23
Publication date: 2006-12-06
Anticipated expiration: 2023-05-23
Also published as: CN1460896A; US6897454B2; TWI226656B; TW200407962A; US20040011966A1; KR20030091754A; JP2003347192A; KR100537127B1

Abstract

是用在XY方向上束的模糊量不同的CP方式的曝光装置，高精度地把图形复制到试样上。取入由在XY方向上的电子束的模糊量(S2)之差得到的形状修正以制作CP孔径掩模(S9)，用该CP孔径掩模在试样上使图形进行CP曝光。

Description

能束曝光方法和曝光装置

技术领域

本发明涉及在半导体器件的制造中使用的能束曝光方法和曝光装置。

背景技术

近些年来，随着大规模半导体集成电路(LSI)的高密度化，使用电子束的曝光(EB曝光)已开始在实际上使用。作为EB曝光之一，有本身为一种部分一揽子曝光的特征投影(Character Projection)曝光(CP曝光)。这是一种用具有多个特征投影图形(CP图形)的孔径掩模(CP孔径掩模)，选择所希望的CP图形，使透过了该被选中的CP图形后的电子束缩小照射到试样的所希望的部分上的方式(CP方式)。

但是，在现有的CP曝光方式中存在着如下的问题。使用一般的旋转对称透镜的电子束曝光装置，在曝光前的电子束调整中，规定要进行像散调整，使得XY方向的电子束模糊量变成为相同。然而，如图27所示，如果把XY方向的电子束模糊量设置为不同，则可以提高特定的方向的分辨率。

此外，最近也有人正在研究使用被设计为使得把XY方向的电子束通过各自的轨道的多极子透镜的带电电子束曝光装置。在使用多极子透镜的情况下，由于XY方向的电子束轨道不同，故不会形成产生电子束模糊量的交叉(电子束收敛的点)。为此，虽然具有可以减小电子束模糊量的优点，但是，从原理上说XY方向的电子束模糊量是不同的。在这样的情况下，若用现有的CP曝光，则不可能把CP图形忠实地复制到试样上。

此外，最近，在45度或135度方向上形成布线的方法的有效性已得到确认。就是说，相对于现有的布线在垂直或水平方向上进行布线，斜向布线由于直线性地把元件间连接起来，故可以提高半导体器件的动作速度。

但是，如果用现有的曝光技术来形成斜向布线，则存在着如下那样的问题。

首先，为了形成与斜向布线对应的斜向CP图形，如图28所示，就必须在孔径掩模上形成对X方向或Y方向倾斜的开口部分200。图28(a)的开口部分200，示出的是斜向倾斜的一个长方形的开口部分，图28(b)的开口部分200示出的是斜向地形成多个矩形形状的开口部分而得到的开口部分。但是，这种斜向倾斜的开口部分200，和与X方向或Y方向平行的开口部分比，存在着难于制作这样的问题。

此外，在用三角形或矩形形状的CP图形，如图29所示，把三角形或矩形形状的电子束201斜向地连接起来，形成斜向曝光图形的情况下，则存在着电子束曝光次数增加，曝光时间变长的问题。这将成为LSI制造中的制造期间拉长的原因。

另一方面，在使用可变成形电子束(VSB)形成斜向布线的情况下，如果XY方向的电子束模糊量不同，则图形尺寸就有可能会改变。就是说，在在XY方向上用电子束模糊量不同的曝光装置形成斜向布线的情况下，存在着难于高精度地复制斜向布线的图形的问题。

然而，在EB曝光的情况下，要把应曝光的区域分割成多个电子束偏转区域进行曝光。在这里，由于最大电子束大小只有几个微米见方，故应曝光图形必须全都分割成几个微米见方的曝光。为此，在要对比最大电子束尺寸还大的图形进行曝光的情况下，由于结果就变成为用多个曝光图形形成该大的图形，故必定要产生曝光连接(曝光连接部分)。

在这里，在在现有的XY方向上电子束的模糊量不同的电子束曝光装置中，在曝光的位置和视域(field)间将分别存在几个nm和几十个nm的位置偏移。为此，当图形的微细化进展时，由于在XY方向上的电子束模糊量的差的影响变大，故将产生在设计上要进行连接的图形间不进行连接，或者，反过来，在设计上不进行连接的图形间却连接起来这样的缺陷。具体地说，将产生易于产生布线的开路缺陷或短路缺陷这样的问题。这将成为招致器件的可靠性降低或成品率的降低的根由。

此外，在LSI的制造中，晶片内的尺寸的均一性是重要的。伴随着近些年来的图形的微细化，对尺寸精度的要求将变得日益严格起来。产生图形的尺寸变动的原因之一，是在刻蚀时产生的图形的局部性的变动尺寸。用图30说明该现象。

在图30中，300是衬底，301是被加工膜，302是光刻胶图形，302a和302b是光刻胶图形块。如图30(a)所示，在光刻胶图形块302a和302b之间已经展宽。

如果在这样的状态下刻蚀被加工膜301，则如图30(b)所示，光刻胶图形块302a的右端部的被加工膜的刻蚀图形301a的尺寸将变粗。同样，光刻胶图形块302b的左端部的被加工膜的刻蚀图形301b的尺寸也将变粗。就是说，在图形被覆率低的一侧，将产生被加工膜301的图形尺寸变大这样的局部性的尺寸变动。

作为对这种局部性的尺寸变动的对策，可以考虑在设计数据阶段预先对要产生尺寸变动的地方的图形尺寸进行修正。

但是，在应用这样的方法的情况下，将产生如下的新的问题。

刻蚀图形的尺寸变动量，依赖于刻蚀条件。为此，每当改变刻蚀条件时，都必须进行设计数据的修正。在该情况下，就必须重新制作EB曝光中的描画数据。此外，在进行部分一揽子曝光(CP曝光)或一揽子复制曝光的情况下，就必须重新制作部分一揽子掩模(CP掩模)或复制掩模等的孔径掩模。这些，在加长曝光工序所需要的时间，因而拉长在LSI制造中的制造期间的同时，还将产生制造成本上升的问题。

此外，在现有的CP方式的电子束曝光装置中，还存在着如下那样的问题。电子束模糊量(Blur)，如式(1)所示，将与电子束电流成比例地增大。

Blur＝(I·L)/(α·V^1.5)(1)

其中，I：电子束电流，L：光路长度(从电子枪到晶片为止的距离)，α：张角，V：加速电压。

为此，例如，总的电子束电流大的L/S图形的电子束模糊量，将变得比总的电子束电流小的孤立图形的电子束模糊量大，因而产生分辨率劣化的问题。

如上所述，在在现有的XY方向上使用电子束模糊量不同的曝光装置的情况下，有时候在XY方向上的电子束模糊量的差的影响增大，因而难于形成高精度的图形。

此外，为了防止由图形被覆率的差引起的刻蚀图形的尺寸变动，可以考虑对与产生尺寸变动的地方对应的EB曝光中的描画数据进行修正。但是，由于刻蚀图形的尺寸变动量，依赖于刻蚀条件，故就必须在每次改变刻蚀条件(工艺条件)时都要重新制作EB曝光的描画数据或孔径掩模，就会加长曝光工序所需要的时间。

此外，在用现有的CP方式的电子束曝光装置，在第2孔径掩模上形成电子束电流大的图形的情况下，电子束模糊量就将变大，分辨率就将劣化。

发明内容

本发明就是考虑到上述情况而发明的，本发明的第1目的在于提供即便是用能束的束模糊量因方向而异的曝光装置，也可以把图形高精度地复制到试样上的曝光装置。

此外，本发明的第2目的在于提供即便是在形成同一图形时，改变其工艺条件，也可以防止曝光工序所需要的时间的增加的曝光方法。

此外，本发明的第3目的在于提供可以改善使用CP图形的能束曝光装置的分辨率的曝光方法和曝光装置。

在本申请中所公开的发明中，简单地说来，代表性的发明如下。

就是说，为了实现上述目的，本发明的曝光方法，是一种使用可以控制第1方向上的能束的模糊量和与上述第1方向不同的第2方向上的上述能束的模糊量之间的大小关系的能束曝光装置，在把上述第1和第2方向的一方的方向的能束的模糊量设定得比另一方向上的能束的模糊量小的状态下，使图形曝光到该能束曝光装置内的试样上的曝光方法，其特征在于具备如下工序：调整上述第1和第2方向上的上述能束的模糊量的大小关系的工序；根据要在上述试样上曝光的上述图形，和上述第1和第2方向上的上述能束的模糊量的大小关系，调整上述能束曝光装置内的上述试样的朝向的工序；采用由上述第1和第2方向上的上述能束的模糊量的不同得到的上述图形的形状修正，和在上述试样上曝光上述图形的工序。

本发明的另外的曝光方法，是一种使用可以控制第1方向上的能束的模糊量和与上述第1方向不同的第2方向上的上述能束的模糊量之间的大小关系的能束曝光装置，在把上述第1和第2方向的一方的方向的能束的模糊量设定得比另一方向上的能束的模糊量小的状态下，使由多个曝光图形构成的图形在上述能束曝光装置内的试样上曝光的曝光方法，其特征在于：根据在把上述多个曝光图形连接起来的方向上的上述能束的模糊量，决定彼此相邻的2个上述曝光图形的重叠量，在上述试样上曝光上述图形。

倘采用本发明的这些曝光方法，由于可以减轻能束所具有的能束模糊量的方向性的依赖性，故可以高精度地把图形复制到试样上。

本发明的另外的曝光方法，是一种把既是多个图形，且其每一个图形都由子图形构成的图形曝光到试样上的曝光方法，其特征在于：包括：在上述试样上以规定的曝光量曝光上述多个图形，以规定尺寸在试样上形成与上述多个图形对应的多个曝光图形时，判断与不能以规定尺寸形成的曝光图形对应的图形的有无的工序；在有与不能以规定尺寸形成的曝光图形对应的图形的情况下，就在构成该图形的多个子图形中，检测在上述试样上不能以规定尺寸形成的子图形的工序；和在上述多个图形中，对于那些可以形成规定尺寸的曝光图形的，以上述规定的曝光量进行曝光，对于那些不能形成规定尺寸的曝光图形的，以比上述规定的曝光量小的曝光量进行曝光，而且，用修正曝光量选择性地对被检测为不能用上述规定尺寸形成的上述子图形进行曝光的工序。

本发明的另外的曝光方法，是一种使用包含多个特征投影图形，这些多个特征投影图形中的每一者都使用用多个图形构成的孔径掩模的曝光方法，其特征在于具备如下的工序：在在上述试样上以规定的曝光量使上述多个特征投影图形曝光，以规定尺寸形成与上述多个特征投影图形相对应的多个曝光图形时，判断与不能以规定尺寸形成的曝光图形对应的特征投影图形的有无的工序；在有与不能以规定尺寸形成的曝光图形对应的特征投影图形的情况下，就在构成该特征投影图形的多个图形中，检测在上述试样上不能以规定尺寸形成的图形的工序；和在上述多个特征投影图形中，对于那些可以形成规定尺寸的曝光图形的，以上述规定的曝光量进行曝光，对于那些不能形成规定尺寸的曝光图形的，以比上述规定的曝光量小的曝光量进行曝光，而且，用修正曝光量选择性地对被检测为不能用上述规定尺寸形成的上述图形进行曝光的工序。

倘采用本发明的曝光方法，由于在形成相同图形时，即便是改变其工艺条件，也可以采用修正曝光量的办法进行应对，故不需要每次都重新制作描画数据或孔径掩模，因而结果就变成为可以防止曝光工序所需要的时间的增加。

本发明的另外的曝光方法，是一种使用包含特征投影图形的孔径掩模的曝光方法，其特征在于：以规定的曝光量曝光，对于在试样上形成规定尺寸的曝光图形的特征投影图形的设计数据，进行使上述设计数据变细的处理，再次构成上述特征投影图形，使其包含比上述设计数据中最细部分的尺寸还细的宽度的线状开口部分，

用比上述规定的曝光量还多的曝光量，曝光以包含上述线状的开口部分而再次构成的上述特征投影图形，在上述试样上形成上述规定尺寸的曝光图形。

本发明的曝光装置，其特征在于：具备：包含把多个开口部分周期地配置起来构成的第1图形开口部分的第1孔径掩模；包含多个图形开口部分的第2孔径掩模；向上述第2孔径掩模上的上述多个图形开口部分的所希望的位置上选择性地照射透过了上述第1孔径掩模的上述第1图形开口部分的能束的照射装置；和把透过了上述第2孔径掩模上的上述多个图形开口部分的所希望位置的上述能束缩小复制到试样上的复制装置。

本发明的另外的曝光方法，是一种使用上述本发明的曝光装置的曝光方法，其特征在于：在可以以规定的曝光量曝光与上述第2孔径掩模上的上述多个图形开口部分中的所希望的图形(图形图案)对应的图形开口部分，在试样上形成规定尺寸的曝光图形的情况下，用包含比在上述所期望图形(图形图案)相对应的上述图形开口部分中最细的部分的尺寸还细的宽度的线状的开口部分的开口部分，构成与上述图形(图形图案)对应的图形开口部分，用比上述规定的曝光量还多的曝光量，曝光用包含上述线状的开口部分的开口部分构成的图形开口部分，在上述试样上形成上述规定尺寸的曝光图形。

本发明的另外的曝光方法，是一种使用包含特征投影图形的孔径掩模的曝光方法，其特征在于：在可以以规定的曝光量曝光与所希望的图形(图形图案)对应的特征投影图形，在试样上形成规定尺寸的曝光图形的情况下，用包含比在上述特征投影图形中最细的部分的尺寸还细的宽度的线状的开口部分的开口部分，构成与上述图形(图形图案)对应的特征投影图形，用比上述规定的曝光量还多的曝光量，曝光用包含上述线状的开口部分的开口部分构成的特征投影图形，在上述试样上形成上述规定的图形的曝光图形。

倘采用这些本发明的曝光装置及曝光方法，由于可以使CP图形上的能束的量减少到比现有的技术更少，故结果就变成为可以改善分辨率。

本发明的上述以及其它的目的和新颖的特征，借助于本说明书的讲述和所附附图就会了解明白。

附图说明

图1示出了实施方案1的曝光装置的概略构成。

图2示出了实施方案1的形状修正方法的处理步骤。

图3是用来说明实施方案1的变形例的说明图。

图4是用来说明实施方案2的斜线图形的形成方法的说明图。

图5是用来说明实施方案3的曝光方法的说明图。

图6是用来说明实施方案4的曝光方法的说明图。

图7是用来说明实施方案5的曝光方法的说明图。

图8示出了实施方案6的CP布线图形的重叠量数据的制作方法的处理步骤。

图9是用来说明实施方案6的曝光方法的说明图。

图10是用实施方案6的曝光方法形成的光刻胶图形的平面图和剖面图。

图11模式性地示出了用来实施实施方案6的曝光方法的曝光装置系统。

图12是用来说明实施方案7的曝光方法的说明图。

图13是用实施方案7的曝光方法形成的光刻胶图形的平面图和剖面图。

图14示出了具有调整XY方向的束模糊量的机构的曝光装置的概略构成。

图15是用实施方案8的曝光方法形成的光刻胶图形的平面图和剖面图。

图16是用来说明实施方案9的曝光方法的说明图。

图17是用实施方案9的曝光方法形成的光刻胶图形的平面图和剖面图。

图18是用来说明对实施方案10的比较例的说明图。

图19模式性地示出了实施方案10的曝光装置系统。

图20是用来说明实施方案10的光刻胶图形的尺寸修正的说明图。

图21是用来说明对实施方案11的比较例的说明图。

图22示出了实施方案11的曝光装置的概略构成。

图23是用来说明实施方案11的曝光方法的说明图。

图24是用来说明实施方案11的变形例的说明图。

图25是用来说明实施方案11的另一变形例的说明图。

图26是用来说明实施方案11的再一变形例的说明图。

图27是用来说明现有的曝光方法的问题的说明图。

图28示出了现有的用来形成斜向布线的孔径掩模。

图29示出了现有的用来形成斜向布线的束曝光。

图30是用来说明在现有的刻蚀时产生的图形的局部性的变动尺寸的说明图。

具体实施方式

以下，边参看附图边说明本发明的实施方案。

实施方案1

图1示出了本发明的实施方案1的曝光装置的概略构成。另外，在本发明的实施方案的说明中，与前边出现的图同一的标号，表示同一部分，详细的说明则予以省略。

本实施方案的曝光装置，具体地说，是加速电压5keV的CP和可变成形型电子束曝光装置。但是，在加速电压5keV以外的曝光装置的情况下也可以同样地实施。

在图1中，1表示电子枪，从电子枪1产生的电子束2a，通过透镜3、第1孔径掩模4、透镜5，借助于偏转器6照射到第2孔径掩模7(CP孔径掩模)上的所希望的位置上。在CP孔径掩模7上，设置有图形用开口部分(CP图形)8。

本装置的CP图形8的个数是400个(在图中为了简化起见仅仅示出了其一部分)，各个CP图形8都用标准单元(SC)构成。在这里所说的SC，是构成电路的基本的部件，LSI图形则采用把多个该SC组合起来的办法，构成复杂的电路。

通过了CP孔径掩模7后的电子束2b，借助于透镜9、偏转器10，被缩小投影到晶片(试样)11上的所希望的位置上。偏转器10。在这里虽然作成为静电偏转器，但是，也可以是其它类型的偏转器。本装置的缩小率是1/10。最大束尺寸则变成为10微米。为此，CP图形8的大小将变成为100微米见方。

在本装置中使用的偏转器6、10，用众所周知的具有8极的电极的静电偏转器构成。此外，在本装置中使用的透镜3、5、9，用众所周知的具有8极的电极的静电透镜构成。再有，构成透镜3、5的静电透镜，被构成为众所周知的一般的旋转对称透镜，构成透镜9的静电透镜，被构成为众所周知的以2个电极为一组的4极子透镜。

上述4极子透镜，采用给相向的电极对施加同一电压+V，给垂直的电极对施加具有相反的极性的电压-V的办法，使X方向或Y方向中的任何一方的束轨道收敛。为此，结果就变成为为要控制XY方向的束轨道，就必须把2个透镜组合起来。

在这里，透镜9，具备缩小透镜和物镜的功能。为此，用未画出来的4级的4极子透镜构成。4极子透镜，为了使XY方向的束轨道不同，结果变成为从原理上说XY方向的束模糊量不同。

在该情况下，XY方向的束模糊量用施加到各个4极子透镜上的透镜电压进行调整。就是说，在使用4极子透镜的电子束光学系统中，虽然XY方向的束模糊量原本就不同，但是，在进行像散调整的情况下，可以给4级的4极子透镜中，1级的透镜一律施加同一修正电压。

其次，对本实施方案的CP孔径掩模7的形成方法进行说明。图2示出了本实施方案的形状修正方法的处理步骤。在这里，作为本实施方案可以应用的CP孔径掩模7的CP图形，以构成逻辑电路的图形之一的栅极图形为例进行说明。

(1)、首先，使用CP图形的设计数据，借助于计算机仿真分别设定XY方向的束模糊量(S1、S2)。在这里，要把X方向的束模糊量设定得小，把Y方向的束模糊量设定得大。

(2)、接着，进行栅极图形的坐标变换，使得栅极图形(设计数据)的线宽方向变成为仿真器上的X方向。

(3)、然后，对栅极图形(设计数据)，用在(1)中设定的XY方向的束模糊量，借助于高斯卷积处理，估计晶片上的光刻胶的吸收能量分布(S3)，用该吸收能量分布和工艺参数(S4)，预测晶片(试样)表面上的栅极图形形状(CP图形形状)(S5)。所谓工艺参数，是光刻胶膜厚、显影时间、显影时的气氛的温度等，在晶片上形成光刻胶图形时要进行控制的参数。

(4)、接着，判断所预测的CP图形形状是否处在允许范围内(S6)。在是的情况下(合格的情况下)，就向(8)的处理前进，在否的情况下(不合格的情况下)就向(5)的工序前进。

(5)、在在(4)中被判断为不合格的情况下，求所预测的CP图形形状和设计数据之间的偏差量，计算目的为使所预测的CP图形形状处于允许范围内的最佳曝光量。

(6)在原来的栅极图形(设计数据)上加上在(5)中所求出的修正量，进行栅极图形形状(CP图形形状)的修正(S7)。

(7)基于(6)中求出的栅极图形(设计数据)再次进行(1)到(4)的处理。

(8)使用(4)中判为合格的栅极图形(S8)，制成含栅极图形的孔径掩模7(S9)。

在这里，作为施行了为消除束模糊量XY方向的各向异性影响的形状修正的CP图形，虽以栅极图形为例进行了说明，但图1所示的曝光装置的CP孔径掩模7上的CP图形8，是经过所有上述从(1)到(8)的工序，施行了形状修正的。

其次，对使用本实施方案的曝光装置的曝光方法进行说明。在这里对逻辑电路的栅极图形的曝光进行说明。

(1)、首先，分别设定XY方向的束模糊量，使得可以得到更高的分辨率。在这里，要把X方向的束模糊量设定得小，把Y方向的束模糊量设定得大。

(2)、接着，使得在曝光装置中栅极线宽方向和X方向一致那样地，在曝光装置外，调整晶片11的朝向，然后把晶片11搬运到曝光装置内。

另外，在曝光装置内具备使栅极线宽方向和X方向一致的机构的曝光装置的情况下，也可以在曝光装置内调整晶片11的朝向。在这里，作为调整晶片11的朝向的机构，虽然可以考虑XY载物台，但是，通常的XY载物台，只能以微小范围的角度，调整晶片11的朝向(旋转角)。栅极线宽方向和X方向的朝向，在初始状态下，有时候大不相同。因此，在在曝光装置内调整晶片11的朝向的情况下，一般地说，必须另外设置朝向调整机构。这样一来，结果就变成为在装置中要花费额外的费用。因此，通常理想的是如上所述在曝光装置外调整晶片11的朝向。

(3)、用包含已实施了形状修正的栅极图形的CP孔径掩模7，在已搬运到曝光装置内的晶片上，使栅极图形曝光。

如上所述地进行曝光的结果，与现有技术比，栅极图形的分辨率提高了。此外，还可以得到所希望的栅极图形而与束模糊量在XY方向上不同无关。在这里，虽然说明的是栅极图形的曝光，但是，即便是对于其它的CP图形的曝光，采用包含使用本实施方案的形状修正的CP图形的CP孔径掩模7，也可以得到同样的效果。

如上所述，倘采用本实施方案，由于归因于使用考虑到XY方向的束模糊量后制作的CP孔径掩模7，而得以减轻电子束所具有的模糊量的方向依赖性，故变成为可以高精度地把图形复制到晶片11上。

图3示出了本实施方案的变形例。该变形例与本实施方案的不同之处在于：对CP图形的设计数据实施变细处理(S10)，用该数据进行从(1)到(8)的处理。

此外，在用在变形例中得到的CP孔径掩模，使栅极图形在已搬运到曝光装置内的晶片上曝光时，要把曝光量设定得比本实施方案的该曝光量大。这是因为已对CP图形实施了变细处理，必须把栅极线宽调整到合适的尺寸的缘故。另外，至于变细处理的效果，将在后边说明。

实施方案2

图4是用来说明本发明的实施方案2的斜线图形的形成方法的说明图。

在用矩形束形成45度斜线的情况下，要如图4(a)所示那样地进行曝光。就是说，要使得45度斜线的宽度变成为设计值那样地，在考虑到矩形束20的XY方向的束模糊量后，设定矩形束20的XY方向的纵横比，边使矩形束20在45度方向上步进边进行曝光。另外，X方向，是图的横向方向，Y方向是图的纵向方向而且是垂直于X方向的方向(在以下的说明中也与此同样)。

为了确实地防止矩形束20间的断开，在边使矩形束20重叠边进行步进的情况下，要也考虑到重叠量地设定矩形束20的XY方向的纵横比。

如上所述，归因于设定矩形束20的XY方向的纵横比，即便是在束模糊量中存在着XY方向的各向异性，也可以精度良好地形成45度方向的斜线。

在采用CP曝光形成45度方向的斜线的情况下，要使用图4(b)所示的那样的CP孔径掩模。就是说，要使用具有与图4(a)的矩形束20的曝光位置图形同样的图形配置的开口部分21的CP孔径掩模22。

归因于使用具有考虑到象这样的XY方向的束模糊量的开口部分21的CP孔径掩模22，故可以精度良好地形成45度方向的斜线。

在使用斜线孔径掩模的情况下，如图4(c)所示，采用考虑到XY方向的束模糊量，使用具有已对线宽进行了调整的开口部分23的斜线孔径掩模24的办法，就可以精度良好地形成45度方向的斜线。另外，在图4(c)中，虚线示出的是未考虑XY方向的束模糊量的开口部分。

在这里，虽然说明的是45度方向的斜线的情况，但是，对于45度以外的方向的斜线，也可以用同样的方法精度良好地形成。

实施方案3

图5是用来说明本发明的实施方案3的曝光方法的说明图。在这里。对使用已实施了变细处理的CP孔径掩模的EB曝光方法进行说明。

图5(a)示出了未进行变细处理地方的现有的CP图形(原图形)30和使用它的情况下的晶片(试样)上的束强度分布。

在本实施方案中，如图5(b)所示，使用已对CP图形(原图形)30实施了X方向变细处理的CP图形31。在该情况下，在用与现有技术同一曝光量进行图形形成的情况下，由于在晶片上的束强度要减弱与变细量对应的量，故晶片上的图形宽度变窄。

于是，在本实施方案中，如图5(c)所示，采用提高束强度的峰值，使曝光量增多到比现有技术还多的办法，在晶片上形成尺寸为设计值的图形32。

在这里，CP图形31的图形宽度，理想的是细到可以实现的极限，以使可照射到晶片上的EB束的电流(束电流)形成得充分地小。借助于此，就可以效果良好地减小束的模糊量。然后，采用加大曝光量的办法，把图形调整到适合尺寸。

结果是，即便是在图形密度高的情况下，由于束的分辨率提高，可以减小光刻胶图形的表面粗糙不平，故可以高精度地使图形在晶片上曝光。

在这里，虽然举出的是矩形形状的图形的例子，但是，即便是其它的图形，借助于同样的手法，也可以减小束模糊量。可以使图形在晶片上高精度地曝光。

实施方案4

图6是用来说明本发明的实施方案4的曝光方法的说明图。在这里，对已实施了变细处理的CP孔径掩模的另外的曝光方法进行说明。

图6(a)示出了用图5(b)CP图形31曝光时的晶片上的图形33和束强度分布。图形33的X方向的尺寸，比设计值小。

于是，在本实施方案中，如图6(b)所示，在晶片上用偏转器(例如，图1的偏转器6)，使CP图形31在X方向上扫描，使曝光量增多到比现有技术多。在这里所谓CP图形31，说的是用CP图形31形成的电子束。借助于此，如图6(c)所示，就可以在晶片上形成设计值那样的尺寸的图形32。

在本实施方案中，CP图形31的图形宽度，理想的也是细到可以实现的极限，以使可照射到晶片上的束电流形成得充分地小。借助于此，就可以效果良好地减小束的模糊量。然后，采用在X方向扫描电子束(变细方向)的办法，把图形调整到适当尺寸。

在本实施方案中，也可以得到与实施方案3同样的效果。此外，与实施方案3同样，本实施方案对矩形形状的图形以外的图形也是有效的。此外，在本实施方案中，为了使图形变成为适当尺寸，虽然使电子束在X方向(变细后的方向)上进行扫描，但是也可以使CP图形31在X方向上错开地进行多重曝光。

实施方案5

图7是用来说明本发明的实施方案5的曝光方法的说明图。在这里，对使用了已实施了变细处理的CP孔径掩模的另外的曝光方法进行说明。

在实施方案3和4中，说明的是仅仅用线段构成CP图形的形状的情况。在本实施方案中，说明用线段和矩形构成CP图形的形状的情况。

图7(a)示出了现有技术的CP图形35a到35c。CP图形35a到35c分别用1个开口部分构成。

在本实施方案中，如图7(b)所示，把要在晶片上形成的图形36a到36c分别分成为线部分(边沿部分)A1和矩形部分(中央部分)A2。

线部分A1，如图7(c)所示，用2条线状的CP图形(开口部分)37，或如图7(d)所示，用1条线状的CP图形(开口部分38)形成。CP图形37、38的图形宽度，与实施方案3或4的情况同样，理想的是细到可以实现的极限为止。另一方面，矩形部分A2，要用矩形形状的CP图形(开口部分)39形成。CP图形39的开口宽度比CP图形37、38的开口宽度大。

然后，用具备图7(c)或(d)所示的CP图形的CP孔径掩模，进行图形曝光。这时，CP图形37、38的曝光，要作成为使得用实施方案3或4的方法可以得到设计值的尺寸。

在象这样地进行曝光的情况下，在与线部分(边沿部分)A1对应的区域中，在晶片上的束电流减小，因而可以减小束的模糊量。借助于此，就可以改善束的分辨率，可以使图形高精度地曝光到晶片上。

实施方案6

在本实施方案中，对用CP曝光，把多个布线图形连接起来，形成一个所希望的尺寸的布线图形的方法进行说明。图8示出了本实施方案的布线图形的重叠量数据的制作方法的处理步骤。

(1)、首先，用CP图形的设计数据，借助于计算机仿真，分别设定XY方向的束模糊量(S1、S2)。

(2)、接着，用上述XY方向的束模糊量、预先决定的规定的曝光量、布线CP图形(设计数据)，借助于计算机仿真估计晶片上的光刻胶的吸收能量分布(S3)。上述预先决定的规定的曝光量，是未考虑XY方向的束模糊量的曝光量。

(3)、接着，用上述吸收能量分布(S3)和工艺参数(S4)，概算在晶片上的布线图形的形状和尺寸。在这里，所求得的图形形状和尺寸，由于是用上述预先决定的规定曝光量使光刻胶曝光的情况，故未必就会变成为所希望的图形形状和尺寸。

(4)、接着，估计可以得到所希望的图形形状和尺寸的曝光量(最佳曝光量)，用在(3)中求得的布线图形的形状和尺寸计算在使用该最佳曝光量的情况下的晶片上的布线图形的形状和尺寸(S5)。

另外，在估计在(2)之前的最佳曝光量，并从一开始就利用可以用最佳曝光量计算在晶片上的布线图形的形状和尺寸的仿真器的情况下，就不再需要(4)的处理，从(3)立即转移到以下的(5)的处理。

(5)、接着，根据在(4)中求得的布线图形的形状和尺寸，计算在晶片上的布线图形重叠量(S6)，制作在曝光时使用的CP布线图形的重叠量数据(S7)。

图9是用来说明使用上述重叠量数据的本实施方案的曝光方法的说明图。在这里，对把2个布线图形(第1和第2布线图形)连接起来，形成一个所希望的尺寸的布线图形(3条布线在上下方向上排列起来构成的布线图形)的情况进行说明。

(1)、首先，分别设定XY方向的束模糊量。借助于此，就可以得到高的分辨率。在这里，要把本身为布线图形的线宽方向的Y方向的束模糊量设定得小，把本身为曝光图形的连接方向的X方向的束模糊量设定得大。

(2)、接着，设定晶片的朝向，使得一个所希望的尺寸的布线图形的线宽方向与X方向一致，把上述晶片搬运到曝光装置内。

(3)、接着，根据描画数据和上述重叠量数据，形成与第1布线图形对应的电子束图形(第1电子束图形)，向晶片上的规定的位置上照射第1电子束图形。接着，根据描画数据和上述重叠量数据，形成与第2布线图形对应的电子束图形(第2电子束图形)，向晶片上的规定的位置上照射第2电子束图形。

这时，既可以作成为使得第1电子束图形和第2电子束图形用规定的重叠量进行连接，也可以作成为使得向晶片上照射与一个所希望尺寸的布线图形对应的电子束图形(第1电子束图形和第2电子束图形的合成电子束图形)。

具体地说，首先，如图9(a)左侧所示，向CP孔径掩模(第2开口)上的CP布线图形(开口部分)41上照射透过第1孔径掩模后的电子束40，形成第1电子束图形，

这时，要使得CP布线图形41上的电子束40的照射位置(束位置)，变成为以下那样地，可由未画出来的偏转器(具体地说例如图1的偏转器6、10)控制电子束40的偏转量，同时可以由图中未示的透镜(具体地说例如图1的透镜9)控制电子束40的尺寸。

就是说，对电子束40进行控制，使得电子束40的一方的端部(在这里为左端部)位于比CP布线图形41的一方的端部(在这里为左端部)更往外侧，而且，使电子束40的另一方的端部(在这里为右端部)，位于比CP布线图形41的另一方的端部(在这里为右端部)往内恰好规定量的内侧。

上述规定量，是由考虑到重叠量的第1电子图形束的长边方向(布线长边方向)的尺寸决定的量。此外，上述CP布线图形41的一方的端部，相当于一个所希望的布线图形的一方的端部，上述CP布线图形41的另一方的端部相当于2个布线图形的连接部分。

在这里，对左右方向(X方向)来说，在CP布线图形41的右端部上，将产生用第1电子图形束照射不到的区域。但是，对于上下方向(Y方向)来说，则不会产生用第1电子图形束照射不到的区域。

其次，如图9(a)的右侧所示，向CP孔径掩模上的CP布线图形41上照射透过第1孔径掩模后的电子束40，形成第2电子束图形。

这时，要使得CP布线图形41上的电子束40的照射位置，变成为以下那样地，与先前的情况下同样地，对电子束40进行控制。

就是说，对电子束40进行控制，使得电子束40的一方的端部(在这里为右端部)位于比CP布线图形41的一方的端部(在这里为右端部)更往外侧，而且，使电子束40的另一方的端部(在这里为左端部)，位于比CP布线图形41的另一方的端部(在这里为左端部)往内恰好规定量的内侧。

上述规定量，是由考虑到重叠量的第2电子图形束的长边方向(布线长边方向)的尺寸决定的量。此外，上述CP布线图形41的一方的端部，相当于一个所希望的布线图形的一方的端部，上述CP布线图形41的另一方的端部相当于2个布线图形的连接部分。

图9(b)，如上所述，示出了照射CP布线图形41产生电子束40的、第1和第2电子束图形的形状。如图9(b)所示，在相当于2个布线图形的连接部分的地方处虽然会产生电子束模糊量，但是在相当于1个所希望尺寸的布线图形的端部的地方处却几乎不会产生束模糊量。

图9(c)示出了照射到晶片上的第1电子束图形和第2电子束图形的合成图形。

图9(d)示出了照射到晶片上的第1电子束图形和第2电子束图形的束强度分布。第1和第2电子束图形的连接部分中的每一者的束强度，归因于束模糊量而变得比规定值低。

但是，合成图形的连接部分的束强度，由于变成为第1电子束图形的连接部分的强度和第2束图形的连接部分的强度之和，故将变成为规定值。反过来说，要选择连接部分中的每一者的束图形的束强度，使得连接部分中的每一者的束图形的束强度的和变成为规定值。

此外，在本实施方案中，由于束模糊量大的方向，和布线图形的连接方向(布线长边方向)一致，故对于布线长边方向来说，即便是产生了使第1电子束图形和第2电子束图形分离开那样的对准偏差，也难于产生断线。就是说，结果变成为曝光位置偏移可以确保宽的宽余量。

(4)、接着，使已用第1电子束图形和第2电子束图形曝光后的晶片(正确地说使晶片上的光刻胶曝光)显影，形成光刻胶图形。

图10(a)示出了上述光刻胶图形的平面图，图10(b)示出了其剖面图。由图10可以确认在端部处表现出清晰分明的边沿形状，在连接部分处则可以形成无图形遗漏的精度高的光刻胶图形。

实施方案7

在本实施方案中，对用CP曝光，把多个布线图形连接起来，形成一个所希望的尺寸的布线图形的方法进行说明。

在实施方案6中，说明的是把2个布线图形连接起来，形成一个所希望的尺寸的布线图形的方法，在本实施方案中，说明把3个布线图形(第1到第3布线图形)连接起来，形成一个所希望的尺寸的布线图形的方法。

另外，重叠量数据，由于可以用与实施方案6同样的方法求得，故在这里省略其制作方法。

图12是用来说明使用上述重叠量数据的本实施方案的曝光方法。

(2)、接着，设定晶片的朝向，使得一个所希望尺寸的布线图形的线宽方向与X方向一致，把上述晶片搬运到曝光装置内。

(3)、接着，根据描画数据51和上述重叠量数据，形成与第1布线图形对应的电子束图形(第1电子束图形)，向晶片上的规定的位置上照射第1电子束图形。接着，根据描画数据51和上述重叠量数据，形成与第2布线图形对应的电子束图形(第2电子束图形)，向晶片上的规定的位置上照射第2电子束图形。

具体地说，首先，如图12(a)左侧所示，向CP孔径掩模上的CP布线图形41上照射透过了第1孔径掩模后的电子束40，形成第1电子束图形。

这时，要使得CP布线图形41上的电子束40的照射位置，变成为以下那样地，可由未画出来的偏转器和透镜控制电子束40。

就是说，对电子束40的偏转量和束尺寸进行控制，使得电子束40的一方的端部位于比CP布线图形41的一方的端部更往外侧，而且，使电子束40的另一方的端部，位于比CP布线图形41的另一方的端部往内恰好规定量的内侧。

上述规定量，是由考虑到重叠量的第1电子图形束的长边方向(布线长边方向)的尺寸决定的量。此外，上述CP布线图形41的一方的端部，相当于一个所希望尺寸的布线图形的一方的端部，上述CP布线图形41的另一方的端部相当于彼此相邻的第1布线图形和第2布线图形的连接部分。

其次，如图12(a)的中央所示，向CP孔径掩模上的CP布线图形41上照射透过第1孔径掩模后的电子束40，形成第2电子束图形。

这时，要使得CP布线图形41上的电子束40的照射位置，变成为以下那样地，借助于未画出来的偏转器和透镜，使电子束40进行偏转。

就是说，对电子束40的偏转量和束尺寸进行控制，使得电子束40的一方的端部位于比CP布线图形41的一方的端部往内恰好规定量的内侧，而且，使电子束40的另一方的端部，位于比CP布线图形41的另一方的端部往内恰好规定量的内侧。

上述2个规定量，是由考虑到重叠量的第2电子图形束的长边方向(布线长边方向)的尺寸决定的量。此外，上述CP布线图形41的两端部，相当于与在其两侧相邻的第1和第3布线图形的连接部分。

在这里，对左右方向(X方向)来说，在CP布线图形41的左右端部上，将产生用第2电子图形束照射不到的区域。但是，对于上下方向(Y方向)来说，则不会产生用第2电子图形束照射不到的区域。

其次，如图12(a)的右侧所示，向CP孔径掩模上的CP布线图形41上照射透过第1孔径掩模后的电子束40，形成第3电子束图形。

这时，要使得CP布线图形41上的电子束40的照射位置，变成为以下那样地，用未画出来的偏转器和透镜对电子束40进行控制。就是说，对电子束40的偏转量和束尺寸进行控制，使得电子束40的一方的端部位于比CP布线图形41的一方的端部更往外侧，而且，使电子束40的另一方的端部位于比CP布线图形41的另一方的端部往内恰好规定量的内侧。

上述规定量，是由考虑到重叠量的第3电子图形束的长边方向(布线长边方向)的尺寸决定的量。此外，上述CP布线图形41的一方的端部，相当于一个所希望尺寸的布线图形的一方的端部，上述CP布线图形41的另一方的端部相当于彼此相邻的第2布线图形和第3布线图形的连接部分。

在这里，对左右方向(X方向)来说，在CP布线图形41的左端部上，将产生用第3电子图形束照射不到的区域。但是，对于上下方向(Y方向)来说，则不会产生用第3电子图形束照射不到的区域。

图12(b)，如上所述，示出了照射CP布线图形41产生电子束40的、第1到第3电子束图形的形状。如图12(b)所示，在相当于第1布线图形和第2布线图形的连接部分的地方处，和相当于第2布线图形和第3布线图形的连接部分处虽然会产生电子束模糊量，但是在相当于1个所希望尺寸的布线图形的端部的地方处却几乎不会产生束模糊量。

图12(c)示出了照射到晶片上的第1电子束图形和第2电子束图形和第3布线图形的合成图形。

图12(d)示出了照射到晶片上的第1到第3的束强度分布。第1到第3电子束图形的连接部分中的每一者的束强度，归因于束模糊量而变得比规定值低。

但是，合成图形的连接部分的束强度，由于变成为彼此相邻的2个束图形的连接部分的强度之和，故将变成为规定值。反过来说，要选择连接部分中的每一者的束图形的束强度，使得连接部分中的每一者的束图形的强度之和变成为规定值。

此外，在本实施方案中，由于束模糊量大的方向，和布线图形的连接方向(布线长边方向)一致，故对于布线长边方向来说，即便是产生了使彼此相邻的2个电子束图形分离开那样的对准偏差，也难于产生断线。就是说，结果变成为曝光位置偏移可以确保宽的宽余量。

(4)、接着，使已用第1到第3电子束图形曝光后的晶片(正确地说使晶片上的光刻胶曝光)显影，形成光刻胶图形。

图13(a)示出了上述光刻胶图形的平面图，图13(b)示出了其剖面图。由图13可以确认在把3个电子束图形连接起来形成比图10的布线图形还长的布线图形的情况下，在端部处表现出清晰分明的边沿形状，在连接部分处则可以形成无图形遗漏的精度高的光刻胶图形。

实施方案8

在本实施方案中，对使用CP曝光，把多个布线图形连接起来，形成一个所希望的尺寸布线图形的方法进行说明。图14相当于实施方案7的图12。另外，相当于图13的图，由于与图13相同，故在这里予以省略。

本实施方案，也与实施方案7同样，是把3个布线图形连接起来，形成一个所希望的尺寸的布线图形的方法，但是，在以下的点上，与实施方案7不同。

就是说，第2电子束图形，像散在连接方向(X方向)偏移，电子束模糊量被设定得比实施方案7还大(图14)。采用把第2电子束图形的束模糊量设定得大的办法，就可以使电子束40偏转为使得第1和第3电子束40的两端部位于比CP布线图形41的两端部更往外侧。

在本实施方案中，与实施方案7同样，也可以形成在端部处表现出清晰分明的边沿形状，在连接部分处则可以形成无图形遗漏的精度高的光刻胶图形。另外，第2电子束图形，一般地说，是除去了相当于一个所希望的尺寸的布线图形的两端部的2个电子束图形后剩下的电子束图形。

实施方案9

在本实施方案中，对使用CP曝光，把多个布线图形连接起来，形成一个所希望的尺寸布线图形的方法进行说明。图16、图17分别是相当于实施方案7的图12、图13的图。

本实施方案，也与实施方案7同样，是把3个布线图形连接起来，形成一个所希望的尺寸布线图形的方法，但是，在以下的点上，与实施方案7不同。

就是说，已把第1和第3电子束图形的形状作成为矩形形状(图16)。在该情况下，也可以形成在端部处表现出清晰分明的边沿形状，在连接部分处则可以形成无图形遗漏的精度高的光刻胶图形(图17)。另外，第1和第3电子束图形，一般地说，是相当于一个所希望的尺寸的布线图形的两端部的2个电子束图形。

图11模式性地示出了用来实施实施方案6-9所示的曝光方法的曝光装置系统。另外，本实施方案的曝光装置系统，由曝光控制程序进行控制。曝光控制程序，进行与曝光有关的所有的控制。也可以用与曝光有关的专用硬件置换曝光控制程序的一部分。

首先，把设计数据输入至包含数据变换程序的数据变换部分，变换成描画数据51。

在这里，所谓设计数据，就是用CAD工具制作的LSI图形的图形数据。一般地说，可使用被叫做GDS2形式的数据形式。此外，所谓描画数据51，就是由数据变换程序产生的电子束曝光装置专用的形式的数据。描画数据51，以与电子束曝光装置的技术规格对应的形式进行记述。

描画数据51和重叠量数据52，被存储在未画出来的存储部分内。存储部分，用例如DRAM等的半导体存储器件构成。在已存储在存储部分内的描画数据51中，由作业人员选中的描画数据51，以帧单位被读入到未画出来的数据读入部分内。描画数据51中的与曝光位置有关的数据，在被变换成与曝光装置有关的形式的数据形式后，被读入到上述数据读入部分内。

已读入到数据读入部分内的描画数据51和重叠量数据52，以帧单位被输入至曝光解析部分53。曝光解析部分53，解析所输入的描画数据51，分类为图形连接数据和图形端数据。

在曝光解析部分53中分类的图形连接数据54a，与重叠量数据52一起，被输入至图形连接处理部分55a。重叠量数据52，是用上所说的方法预先求得的数据。图形连接处理部分55a，根据图形连接数据54a和重叠量数据52，产生与要向图形的连接部分照射的束的尺寸有关的数据。

在曝光解析部分53中分类的图形端数据54b，与重叠量数据52一起，被输入至图形端处理部分55b。图形端处理部分55b，根据图形端数据54b和重叠量数据52，产生与要向图形的端部照射的束有关的数据。

例如，在实施方案6的情况下，在曝光解析部分53中，把图9(b)所示的2个束作为相当于图形端数据54b的数据进行处理。在该情况下，要使得在图形端部处不产生束模糊量那样地，把CP孔径掩模上的束位置分别设定为如图9(a)所示的那样。此外，根据重叠量数据52，如图9(b)所示的2个束的大小设定为如图9(c)所示，使得2个束可以在晶片上重叠地曝光。

在实施方案7的情况下，在曝光解析部分53中，在图12(b)所示的3个束中，左右的2个图形，作为相当于图形端数据54b的图形进行处理。此外，中央的图形，则作为相当于图形连接数据54a的图形进行处理。在该情况下，在相当于图形端数据54b的图形中要把CP孔径掩模上的束位置如在图12(a)的左右所示的那样分别设定为使得在端部处不产生束模糊量。此外，对于相当于图形连接数据54a的图形来说，如图12(a)的中央所示的那样，要设定CP孔径掩模上的束位置，使得束两端适度地模糊。此外，根据重叠量数据52，设定图12(b)所示的3个束的大小，使得如图12(c)所示使3个束在晶片上可以重叠地曝光。

在实施方案8中，进行与实施方案7同样的处理。就是说，在曝光解析部分53中，在图14(b)所示的3个束中，左右的2个图形，作为相当于图形端数据54b的图形进行处理。此外，中央的图形，则作为图形连接数据54a的图形进行处理。在该情况下，在相当于图形端数据54b的图形中，要把CP孔径掩模上的束位置如在图14(a)的左右所示的那样分别设定为使得在端部处不产生束模糊量。此外，对于相当于图形连接数据54a的图形来说，如图14(a)的中央所示的那样，设定CP孔径掩模上的束位置。此外，对于相当于图形连接数据54a的图形来说，则要把像散设定为使得束两端适度地模糊。

至于曝光时的像散调整，可以使之重叠到要施加到图1所示的偏转器10上的偏转电压上。例如，若把8极的电极分成XY方向的2组，对于X方向的电极使+5V，对于Y方向的电极使-5V重叠到束的偏转电压上，则可以高速地进行像散调整。作为另外的方法，也可以重叠到要施加到静电透镜上的透镜电压上。此外，要根据重叠量数据52，设定图14(b)所示的3个束的大小，使得如图14(c)所示可以使3个束在晶片上重叠地曝光。

在实施方案9的情况下，在曝光解析部分53中，把图16(c)所示的1个图形，分割成图形端数据54b和图形连接数据54a。此外，如图16(b)所示把分割后的图形作为相当于图形端数据54b的图形连接数据54a的图形进行处理。在该情况下，在相当于图形端数据54b的图形中，为在端部不产生束模糊那样地，如分别在图16(a)的左右所示的那样，把CP孔径掩模上的束位置设定为矩形束。此外，对于相当于图形连接数据54a的图形来说，要如图16(a)的中央所示那样地设定CP孔径掩模上的束位置。此外，根据重叠量数据52，对相当于图14(b)的中央所示的图形连接数据的束来说，设定束的大小，使得如图14(c)所示可以使3个束在晶片上重叠地曝光。

从图形连接处理部分55a向曝光分类部分56输入图形连接数据54a和束大小数据，从图形端处理部分55b输入图形端数据54b和束位置数据。曝光分类部分56，根据这些数据，产生在副偏转区域内的与曝光的顺序有关的数据(曝光顺序数据)。

包括这些曝光顺序数据，图形连接数据54a、图形端数据54b、束大小数据和束位置数据的曝光数据，被输入至控制电路57。控制电路57，在把上述曝光数据分割成主偏转量、副偏转量、载物台移动量、照射量等的数据的同时，把分割后的各个数据变换成适当的形式的数据。另外，也可以另外设置数据分割部分以进行数据分割。

然后，把已进行了上述分割等的曝光数据，转送给曝光装置58的各个部分，进行曝光。曝光装置58，例如是图1所示的曝光装置。

另外，在上述实施方案中，虽然把图1所示的透镜3、5作成为一般的旋转对称透镜，把透镜9作成为4极子透镜，但是，也可以在其它的形态的带电束曝光装置中使用。例如，也可以用以4极子透镜为代表的多极子透镜构成所有的透镜。此外，也可以用一般的旋转对称透镜构成所有的透镜。在该情况下，也可以得到同样的效果。此外，在上述实施方案中，虽然使用的是静电透镜，但是也可以使用磁场透镜。此外，对于偏转器6、10来说，也可以使用磁场偏转器。

此外，在上述实施方案中，作为XY方向的束模糊量调整方法，讲述的是施加静电透镜或静电偏转器的像散调整用修正电压的方法。但是，作为XY方向的束模糊量的调整方法，可以使用别的方法。例如，如图15所示，有使用把以往一直使用的不作为偏转器或静电透镜使用的像散调整电极12设置在透镜9的下游(透镜9和偏转器10之间)的曝光装置的方法。

另外，在图中，虽然把像散调整用电极12设置在透镜9的下游，但是，即便是设置在透镜9的上游(透镜9和第2孔径之间)也没有关系。此外，也可以把以往一直使用的像散调整用线圈而不是像散调整用电极12设置在透镜9的上游或下游。

实施方案10

其次，对本发明的实施方案10进行说明。在这里，作为曝光装置，以曝光方式为可变成形型和部分一揽子曝光(CP曝光)方式，载物台移动为连续移动方式，束偏转为主副2级偏转方式的电子束曝光装置为例进行说明。

首先，作为比较例，由现有技术用图18，对进行CP曝光的情况下的问题进行说明。

如图18(a)所示，考虑配置有CP曝光S51a到S51d，CP曝光S52a到S52b，CP曝光S53a到S53b的情况。如果着眼于CP曝光S51a到S51c，则CP曝光S51a和CP曝光S52b之间空的很宽。

图18(b)示出了与CP曝光S51b、S51c对应的光刻胶图形。这里，光刻胶图形的尺寸被充分控制。

图18(c)示出了以上述光刻胶图形为掩模进行刻蚀的情况下的刻蚀图形。若以上述光刻胶图形为掩模进行刻蚀，则CP曝光S51b的左侧将空得很宽。为此，与CP曝光S51b内的左侧图形对应的刻蚀图形的尺寸，如图18(c)所示，将变得很粗。

在现有技术中，用同一曝光量使CP曝光S51a到S51d内曝光。为此，为了进行尺寸控制，就只能使CP图形尺寸变化。

但是，作为尺寸变更的对象的CP图形的尺寸变化量，将取决于要配置在作为尺寸变更的对象的CP图形的周边的CP图形的如何而改变。为此，对于相同CP图形的尺寸修正，就必须准备多个CP孔径掩模。这将加长曝光工序所要的时间。

以下，对可以进行具有所希望的图形的光刻胶图形的制作而不改变CP图形的尺寸的本实施方案的曝光方法，进行说明。

图19模式性地示出了本实施方案的曝光装置系统。另外，本实施方案的曝光装置系统由未画出来的曝光控制程序进行控制。此外，数据产生部分63，还受曝光控制程序控制，进行以下要说明的曝光数据的解析和产生等的处理。数据产生部分63，作为控制程序的一部分，既可以用软件构成以便在计算机上实现，又可以用专用硬件置换变成为描画控制电路70的一部分。

首先，向包含数据变换程序的数据变换部分61输入设计数据60。设计数据60，借助于数据变换部分61，变换成描画数据62。

在这里，所谓设计数据60，是用CAD工具制作的LSI图形的图形数据。一般地说，可使用被叫做GDS2形式的数据形式。此外，所谓描画数据62，就是由数据变换程序产生的电子束曝光装置专用的形式的数据。描画数据62，以与电子束曝光装置的技术规格对应的形式进行记述。

描画数据62，被转送到数据产生部分63内，存储到存储部分64内。存储部分64，用例如DRAM等的半导体存储器件构成。在已存储在存储部分64内的描画数据中，由作业人员选中的描画数据62，被读入到数据读入部分65内。

这时，描画数据62，以帧单位读入到数据读入部分65内。在各个帧单位的描画数据62内，以子场单位记述有曝光坐标、曝光尺寸。此外，描画数据62中的与曝光位置有关的数据，在变换成与曝光装置有关的形式的数据后，读入到数据读入部分65内。

已读入到数据读入部分65内的描画数据62，送往曝光解析部分66。曝光量表67中的数据(表数据)，也送往曝光解析部分66。曝光量表67，已预先输入到数据产生部分63内。至于曝光量表67，将在后边讲述。

曝光解析部分66，根据描画数据62和表数据，产生曝光数据68。曝光数据68，包括主偏转量、副偏转量、载物台移动量、照射量等的与属性有关的数据(属性数据)。此外，还包括将在后边讲述的与属性(尺寸修正)有关的数据(属性数据)。

曝光数据68被送往曝光产生部分69。曝光产生部分69，根据曝光数据68的属性数据，产生修正曝光。

已进行了修正曝光的产生的曝光数据68被送往控制电路70，然后，再转送至曝光装置71的各个部分，进行曝光。

其次，对本实施方案的光刻胶图形的尺寸修正进行说明。在这里，用图18、图20进行说明。

在前边所说的曝光量表67中，记述有基准曝光量E1(不需要进行修正的情况下的曝光量)、对需要进行尺寸修正的CP曝光的曝光量E2、与需要进行尺寸修正的CP曝光和与之相邻的的CP曝光间的距离(rank，等级)对应的修正曝光量E3。

所谓需要进行尺寸修正的CP曝光，在这里，就是与相邻的CP曝光之间的距离在规定以上的曝光。例如，由于图18(a)的CP曝光S51b，和与之相邻的CP曝光S51a之间空的很宽，故变成为需要进行尺寸修正的CP曝光。

(1)、在向数据读入部分65内读入描画数据62时，要用未画出来的计算和判断部分，计算与处于预先设定的检索范围(距离)内的、相邻的CP曝光之间的距离(相邻的CP曝光间距离)，判断相邻的CP曝光间距离是否为规定值以上。在相邻CP曝光间距离的计算中，也可以使用描画数据62以外的描画数据。

如以图18(a)的CP曝光S51b为例，则可以计算CP曝光S51a和CP曝光S51b之间的距离。在这里把该距离定为规定值以上。

(2)、接着，在相邻CP曝光间距离被判断为规定以上的情况下，就把和与相邻CP曝光的方向、相邻CP曝光间距离对应的属性有关的数据(属性数据)，赋予在曝光解析部分66中产生的曝光数据68。就是说，除去主偏转数据、副偏转数据、载物台、基准曝光量E1等之外，作为属性数据，还赋予曝光量E2和修正曝光量E3。另一方面，在相邻CP曝光间距离被判断为小于规定的情况下，就赋予不需要进行尺寸修正的属性数据。

在图18(a)的CP曝光S51b的例子中，由于到CP曝光S51b的左侧的CP曝光S51a为止的距离为于规定值以上，故CP曝光S51b被判断为是修正对象。作为属性数据还要赋予曝光量E2和修正曝光量E3。

(3)、接着，对各个曝光数据68，根据所赋予的属性数据，对于需要进行修正的CP曝光，产生修正曝光数据。

上述修正曝光数据，使得可以产生选择性地使CP曝光内的规定的CP图形(要进行尺寸修正的CP图形)曝光的束。上述束的曝光量，要根据与相邻图形间的距离决定。与和相邻图形之间的距离有关的数据，包括在曝光量表67内。

(4)、已进行了上述(1)到(3)的处理的曝光数据和修正曝光数据，通过电子束曝光装置的控制电路70，被转送往电子束曝光装置71的偏转器的放大器。此外，向消隐脉冲放大器送入与是通常的曝光，还是修正对象曝光的属性对应的曝光量数据(照射时间数据)。

(5)、在曝光(描画)时，不需要对CP图形进行尺寸修正的CP曝光，要用基准曝光量E1进行曝光。需要对CP图形进行尺寸修正的CP曝光，则要用曝光量E2对全体CP图形进行曝光，此外，还要用修正曝光量E 3使CP图形内的需要进行尺寸修正的CP图形选择性地进行修正曝光。这要用图18、图20具体地进行说明。需要进行尺寸修正的CP曝光是CP曝光S51b，不需要进行尺寸修正的CP曝光是CP曝光S51c。

图20(a)示出了用曝光量E2进行CP曝光S51b的情况下的光刻胶上的曝光图形和用基准曝光量E1进行CP曝光S51c的情况下的光刻胶上的曝光图形。

在这里，曝光量E2，对于基准曝光量E1，变成为5％这么少的值。在该情况下，CP曝光S51b，比用基准曝光量E1曝光的情况下，尺寸将减小10％左右。如图20(a)所示，在用曝光量E2进行CP曝光S51b的情况下的曝光图形的宽度，变得比用基准曝光量E1进行CP曝光S51c的情况下的曝光图形的宽度还细。

在图20(b)中，示出了对需要进行CP曝光S51b内的尺寸修正的CP图形进行修正曝光的区域54。在区域54内，示出了应当用修正曝光量E3进行曝光的图形。在这里，应当用修正曝光量E3曝光的图形，指的是用曝光量E2进行曝光的结果，用比所设想的尺寸小的尺寸形成的图形。区域54可以用修正曝光量E3进行修正曝光。可在修正曝光中使用的束，可根据前边所说的修正曝光数据产生。

这时，应进行修正曝光的区域54的大小，将变成为从CP图形51b的大小，减去包含归因于在其周边存在的CP曝光图形(在这里，是图18的CP图形51a)，而受到图形尺寸的影响的CP图形51b中的图形(在这里，是图20(b)的左侧的图形)的区域的大小后的大小。

在图20(b)中，将变成为从包含CP图形51b中的3个图形的矩形形状的区域，减去仅仅包含要受到图形尺寸的影响的左侧的图形的横向方向(X方向)的尺寸为L的区域后的区域的大小。归因于在周边存在的CP曝光图形，图形尺寸受影响的区域的大小，由工艺决定，作为曝光参数(在这里为尺寸L)已在曝光量表中预先记载好了。

图20(c)，示出了使用以上的基准曝光量E1、曝光量E2和修正曝光量E3曝光的光刻胶显影后得到的光刻胶图形。在这里，在CP曝光S51b内的3个CP图形中，仅仅与左侧的CP图形对应的光刻胶图形，要加工得比与剩下的中央和右侧的2个CP图形对应的光刻胶图形更细。

图20(d)，示出了以上述光刻胶图形为掩模进行刻蚀的情况下的刻蚀图形。在与位于CP曝光S51b的左侧的CP图形的边沿部分对应的的光刻胶图形中，不会产生变粗现象。

以下说明本实施方案的作用效果。

第1、在进行曝光处理的阶段，从描画数据直接产生修正处理所需要的信息。就是说，在数据产生部分63中，在通常一直进行尺寸修正所必要的CP曝光检索的描画数据的读入处理中，产生修正处理所需要的信息。

此外，把与尺寸修正有关的属性赋予曝光数据68，根据其属性，求修正对象的CP曝光的曝光量、修正曝光的有无(位置)和修正曝光的曝光量。借助于此，即便是对于刻蚀条件已发生变化的情况下的尺寸变动，也可以灵活地应对而无须重新制作设计数据或描画数据。

此外，也可以采用以往由数据产生部分63进行的在进行描画数据的读入处理的同时进行目的为对尺寸进行修正的处理的办法，抑制尺寸修正处理所伴随的处理时间的增加。

第2、预先准备好记载有基准曝光量E1、对需要进行尺寸修正的CP曝光的曝光量E2、和与相邻图形之间的距离(rank，等级)对应的修正曝光量E3的曝光量表67。借助于此，就可以高精度地修正与相邻图形之间的距离对应的尺寸变动。即便是对于刻蚀条件发生了变动的情况下的尺寸变动，也可以灵活地应对而无须重新制作设计数据或描画数据。

第3、稍微调整修正对象的CP曝光的曝光量E2，对修正对象的CP曝光，用修正曝光量E3，使修正曝光重叠曝光。借助于此，就可以防止尺寸变粗而且可以防止不需要进行尺寸修正的CP图形的尺寸变细，而无须改变CP图形(开口部分)的尺寸。此外，由于可以采用对曝光量E2、修正曝光量E3进行控制的办法进行尺寸修正，故结果就变成为可以形成具有所希望的那样的图形的光刻胶图形，而预先准备或重新形成包含已进行了与对同一图形不同的多个刻蚀条件对应的多个尺寸修正的CP图形的多个CP孔径掩模。就是说，在形成同一图形时，即便是其工艺条件改变了，也可以实现可以防止曝光工序所需要的时间的增加的曝光方法。

在本实施方案中，采用调整应进行尺寸修正的CP曝光的曝光量E2，而且用修正曝光量E3使修正曝光重叠曝光的办法，虽然减少了尺寸变动，但是，上述修正曝光既可以用CP曝光进行，也可以用使用VSB的曝光(VSB曝光)进行。

此外，在本实施方案中，虽然用CP曝光进行与曝光量E2对应的曝光，但是，也可以用VSB曝光进行。在该情况下，也可以用在CP曝光的情况下同样的方法、装置实施。就是说，在不使用曝光量表67，而代之以使用记载有基准曝光量E1、对需要进行尺寸修正的VSB曝光的曝光量E2、需要进行尺寸修正的VSB曝光和与之相邻的VSB曝光之间的距离(等级)对应的修正曝光量E3的曝光量表这一点上，基本上与CP曝光的情况下是同样的。此外，对于修正曝光来说，CP曝光和VSB曝光中的任何一者都可以。

实施方案11

其次，对本发明的实施方案11进行说明。在这里，作为曝光装置，举出曝光方式为可变成型&部分一揽子曝光(CP曝光)方式电子束曝光装置的例子进行说明。

首先，作为比较例，用图21对现有的电子束曝光装置的概略构成进行说明。

从电子枪80产生的电子束81，在通过了CL透镜82后，借助于消隐偏转器83照射到第1孔径掩模84的矩形开口部分92上。透过了该矩形开口部分92后的电子束81，借助于CP偏转器86照射到第2孔径掩模(CP孔径掩模)87上的所希望的位置上。

在这里，第1孔径掩模84的矩形开口部分92的开口密度为100％。在第2孔径掩模87上，作为CP图形之一，设置有L/S图形形状的开口部分(L/S图形开口部分)93。通过了第2孔径掩模87后的电子束81，借助于透镜系统(缩小透镜88、物镜89)，被缩小投影到晶片(试样)91上。

该装置的缩小率为1/10，最大束尺寸变成为10微米。为此，孔径开口部分(矩形开口部分92)的大小变成为100微米见方。另外，85a、85b分别表示第1和第2PL透镜，90表示物镜偏转器。

图22示出了本实施方案的曝光装置的概略构成。本装置，是加速电压5keV的CP&可变成形型电子束曝光装置。载物台移动是连续移动方式，束偏转器、是主副2级偏转方式。

从电子枪80产生的电子束81，在通过了CL透镜82后，借助于消隐偏转器83’照射到第1孔径掩模84上的L/S图形形状的开口部分(L/S图形的开口部分)94上。

另外，在这里所说的消隐偏转器83’，是在进行束的通断的消隐偏转器上，加有具备用来选择第1孔径掩模84上的开口部分的束偏转功能的部件。既可以给现有的消隐偏转器83，加上用来选择第1孔径掩模84上的开口部分的束偏转功能，也可以作为另外的偏转器设置用来选择第1孔径掩模84上的开口部分的束偏转功能。

在现有的装置中，如上所述，可向矩形开口部分92上照射。透过了L/S图形开口部分94后的电子束81具有L/S图形形状。该L/S图形形状的电子束81，借助于CP偏转器86向第2孔径掩模(CP孔径掩模)87上的所希望的位置照射。

在这里，本实施方案的第1孔径掩模84的L/S图形开口部分94的开口密度，变成为现有装置的第1孔径掩模84的矩形开口部分92的开口密度的50％。借助于此，就可以使第1孔径掩模84和第2孔径掩模87之间的束电流变成为现有装置的束电流的50％以下。

在第2孔径掩模87上，设置有L/S图形开口部分93。第1孔径掩模84的L/S图形开口部分94的线方向，和第2孔径掩模87的L/S图形开口部分的线方向是相同的。

透过了第2孔径掩模87后的电子束81，借助于透镜系统(缩小透镜88、物镜89)，被缩小投影到晶片91上。

该装置的缩小率为1/10，最大束尺寸变成为10微米。为此，孔径开口部分(L/S图形开口部分94)的大小变成为100微米见方。

图23是用来说明使用本实施方案的电子束曝光装置的曝光方法的说明图。

图23(a)示出了透过了第1孔径掩模84的L/S图形开口部分94后的电子束(第1孔径透过束)81’，照射到第2孔径掩模87的L/S图形开口部分93上的样子。第1孔径透过束81’的形状，是L/S图形形状，其线方向和第2孔径掩模87的L/S图形开口部分93的线方向是相同的。

这时，如图23(b)所示，采用使第1孔径透过束81’和第2孔径掩模87的L/S图形开口部分93之间的重叠程度变化的办法，就可以得到大小不同的种种的L/S图形。

在这里，第1孔径透过束81’无不均匀地照射到第2孔径掩模87的L/S图形开口部分93上是重要的。为此，第1孔径透过束81’的线宽，如图23(b)所示，理想的是使第2孔径掩模87的L/S图形开口部分93的线宽更大。

透过了该第2孔径掩模87的L/S图形开口部分93后的第1孔径透过束81’的图形，被缩小投影到晶片91上。这样的曝光要进行必要的次数。然后，采用进行众所周知的显影等的图形加工的办法，就可以在晶片91上形成布线图形。采用进行例如4次这样的曝光的办法，就可以形成例如图23(c)所示的那样的布线图形。

以下对本实施方案的作用效果进行说明。

倘使用本实施方案的电子束曝光装置，与使用现有的电子束曝光装置的情况比较，则可把第2孔径掩模84和第2孔径掩模87之间的束电流减小到50％以下。

借助于此，就可以减小前边所说的Blur＝(I·L)/(α·V^1.5)的式(1)中的I，可以减小束模糊量。在本实施方案的情况下，特别是可以采用把因在第1孔径掩模84与第2孔径掩模87之间产生的库仑效应形成的束模糊量减小到一半以下的办法，来减小束模糊量。

因此，倘采用本实施方案，结果就变成为可以减小总的束电流大的L/S图形的束模糊量，可以提高束的分辨率。然后，如本实施方案那样，采用使第1孔径透过束81’的线方向与第2孔径掩模87的L/S图形开口部分93的线方向一致地进行照射、曝光的办法，就可以精度比现有技术更高地形成布线图形。

图24示出了本实施方案的变形例。

图24(a)示出了采用向第2孔径掩模87的矩形开口部分95上照射第1孔径透过束81’的办法，精度比现有技术更高地形成布线图形的方法。图24(b)示出了使第1孔径透过束81’的线宽变成为与第2孔径掩模87的L/S图形开口部分93的线宽大体上相同，精度比现有技术更高地形成布线图形的方法。

图24(c)和图24(d)，示出了接触孔图形的形成方法。图24(c)，示出了采用向第2孔径掩模87的L/S图形开口部分93上照射具有阵列状的接触孔图形的第1孔径透过束81’的办法，精度比现有技术更高地形成阵列状的接触孔图形的方法。

具有阵列状的接触孔图形的第1孔径透过束81’，可以采用使用具有阵列状的接触孔图形开口部分的第1孔径掩模84的办法形成。

在该情况下，阵列状的接触孔图形开口部分的开口密度，可以作成为L/S图形开口部分94的开口密度的一半。其结果是，可以把第1孔径掩模84和第2孔径掩模87之间的束电流减小到现有装置的束电流的25％以下。因此，可以进一步减小束模糊量。

另外，即便是向第2孔径掩模87的阵列状的接触孔图形开口部分上照射具有L/S图形形状的第1孔径透过束81’，也可以精度比现有技术更高地形成阵列状的接触孔图形。

图24(d)示出了采用使第1孔径透过束81’的线方向与第2孔径掩模87的L/S图形开口部分93的线方向垂直方向一致地进行照射、曝光的办法，精度比现有技术更高地形成阵列状的接触孔图形的方法。

作为其它的阵列状的接触孔图形的形成方法，有向第2孔径掩模87的矩形开口部分95上照射具有阵列状的接触孔图形的第1孔径透过束81’的方法。

图25示出了本实施方案的其它的变形例。如图25所示，在本变形例中，加长第1孔径掩模84上的L/S图形开口部分94’的线长边方向(布线长边方向)的尺寸，使束面积变得比矩形开口部分92更大。但是，L/S图形开口部分94’的开口密度，却变成为矩形开口部分92开口密度以下。

采用使用具有这样的L/S图形开口部分94’的第1孔径掩模84的办法，就可以用少的曝光次数，换句话说，就可以减少束连接处，以更高的精度形成同一长度的布线图形，而不会招致束模糊量的增大。

图26示出了本实施方案的再一个变形例。图26(a)示出了向第2孔径掩模上的L/S图形开口部分93’上，照射L/S图形形状的第1孔径透过束81’的样子。本变形例的L/S图形开口部分93’的宽度，比L/S图形开口部分93的宽度窄。

为此，如图26(b)所示，在向/LS图形开口部分93’上照射第1孔径透过束81’的情况下，在晶片上形成的曝光图形81p’的宽度，就将变成为比向/LS图形开口部分93上照射第1孔径透过束81’的情况下，在晶片上形成的曝光图形81p(现有技术)的宽度更窄。就是说，倘采用本变形例，则可以减小要在晶片上形成的束模糊量。

但是，为了把布线图形的宽度加工成设计尺寸，如图26(d)所示，就必须增大曝光量。在该情况下，作为增大曝光量的结果，如图26(d)所示，曝光图形81p’的束强度，就要提高到比在图中用虚线表示的阈值(为了使光刻胶感光所必须的最小束强度)充分地高。借助于此，与现有方法比就可以增大与曝光有关的工艺宽余量。

另外，本发明并不限定于上述实施方案。例如，在上述实施方案中，虽然是以电子束曝光装置为例进行的说明，但是本发明也可以在使用其它的带电束的曝光装置中应用。例如，也可以在离子束曝光装置等中应用。此外，除去带电束之外，在使用激光束等的能束的曝光装置中也可以应用。

此外，上述实施方案包括种种的阶段的发明，借助于所公开的多个构成要件的适宜的组合，就可以得到种种的发明。例如，即便是从在实施方案中所示的全部构成要件中削除若干个构成要件，在可以解决在发明要解决的课题那一栏中所述的课题的情况下，就可以把削除掉该构成要件的构成作为一个发明抽出来。

除此之外，在不脱离本发明的要旨的范围内，可进行种种变形后予以实施。

如上所述倘采用本发明，则可以用能束的束模糊量因方向而异的曝光装置，实现可以高精度地把图形复制到试样上的曝光方法。

此外，倘采用本发明，则在形成同一图形时，即便是其工艺条件改变，也可以实现可防止曝光工序所需要的时间的增加的曝光方法。

此外，倘采用本发明，则可以实现可以改善使用CP图形的能束曝光装置的分辨率的曝光方法和曝光装置。

Claims

1.一种能束曝光方法，是使用了包含特征投影图形的孔径掩模的曝光方法，其特征在于：

以规定的曝光量曝光，对于在试样上形成规定尺寸的曝光图形的特征投影图形的设计数据，进行使上述设计数据变细的处理，再次构成上述特征投影图形，使其包含比上述设计数据中最细部分的尺寸还细的宽度的线状开口部分，

2.根据权利要求1所述的能束曝光方法，其特征在于：上述线状的开口部分的宽度，是在上述孔径掩模上可以实现的最小宽度。

3.一种能束曝光装置，其特征在于：具备：

包含把多个开口部分周期地配置起来构成的第1图形开口部分的第1孔径掩模；

包含多个图形开口部分的第2孔径掩模；

向上述第2孔径掩模上的上述多个图形开口部分的所希望的位置上选择性地照射透过了上述第1孔径掩模的上述第1图形开口部分的能束的照射装置；

和把透过了上述第2孔径掩模上的上述多个图形开口部分的所希望的位置的上述能束缩小复制到试样上的复制装置，

以规定的曝光量曝光，对于在试样上形成规定尺寸的曝光图形的特征投影图形的设计数据，进行使上述设计数据变细的处理，以使其包含比上述设计数据中最细部分的尺寸还细的宽度的线状开口部分的方式，所再次构成的上述特征投影图形，包含于上述第2孔径掩模上的上述多个图形开口部分。

4.根据权利要求3所述的能束曝光装置，其特征在于：上述第2孔径掩模上的上述多个图形开口部分，包含把多个开口部分周期性地配置起来构成的第2图形开口部分。

5.根据权利要求3所述的能束曝光装置，其特征在于：选择上述第1和第2图形开口部分，使得上述第1孔径掩模上的上述第1图形开口部分的开口密度，比上述第2孔径掩模上的上述第2图形开口部分的开口密度大。

6.根据权利要求4或5所述的能束曝光装置，其特征在于：还具备用于使透过上述第1孔径掩模上的上述第1图形开口部分，照射到上述第2孔径掩模上的上述第2图形开口部分上的上述能束的位置周期，和上述第2孔径掩模上的上述第2图形开口部分的开口部分的位置周期一致的装置。

7.根据权利要求1所述的能束曝光方法，该方法中使用了能束曝光装置，该装置具有包含把多个开口部分周期地配置起来构成的第1图形开口部分的第1孔径掩模；包含多个图形开口部分的第2孔径掩模；向上述第2孔径掩模上的上述多个图形开口部分的所希望的位置上选择性地照射透过了上述第1孔径掩模的上述第1图形开口部分的能束的照射装置；和把透过了上述第2孔径掩模上的上述多个图形开口部分的所希望的位置的上述能束缩小复制到试样上的复制装置，该曝光方法的特征在于：

在以规定的曝光量曝光对与上述第2孔径掩模上的上述多个图形开口部分中的所希望的图形图案对应的特征投影图形曝光，在试样上形成规定尺寸的曝光图形时，用包含比与上述所希望的图形图案对应的上述特征投影图形中最细的部分的尺寸还细的宽度的线状的上述特征投影图形的开口部分，构成与上述图形图案对应的图形开口部分，

用比上述规定的曝光量还多的曝光量，曝光以包含上述线状的上述特征投影图形的开口部分构成的图形开口部分，在上述试样上形成上述规定尺寸的曝光图形。

8.根据权利要求7所述的能束曝光方法，其特征在于：上述线状的开口部分的宽度，是在上述孔径掩模上可以实现的最小宽度。