CN1270946C - 半导体基片加工系统以及提高其生产能力的方法 - Google Patents

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Abstract

一种半导体基片加工系统，所述半导体基片加工系统包括可以布置进反应器中的单基片反应器和多晶片支座。所述系统在运行方面还包括自动基片传送组件(144)，所述的自动基片传送组件(144)包括操作杆阵列，用于把相应的多个晶片从反应器传送进和传送出，还包括多晶片盒(100)，用于向多个操作杆阵列同时地提供多个晶片。所述的多晶片改装使之易于把现有的单个晶片反应器升级，并且显示出提高反应器的生产能力，同时保留单个晶片反应器系统的膜均匀性和淀积加工控制上的优点。

Description

半导体基片加工系统以及提高其生产能力的方法
技术领域
本发明一般涉及半导体制造加工系统，尤其是在单个晶片(single)反应器中加工半导体晶片的提高生产能力的方法和设备。
技术背景
在通过淀积薄膜材料制造半导体材料和器件结构时，现有技术使用各种淀积系统。这些淀积系统包括反应室，在反应室内在有气相源材料的情况下把所晶片基片加热到高温，以在晶片表面上淀积所要求的薄膜。
硅外延膜典型地在两种通用类型的反应器中淀积。老式的是批量反应器，这种反应器一次装入许多晶片。受提高生产能力的愿望所推动，批量反应器在体积上不断地增长。现有技术的批量反应器的状态是可以一次装料34个100毫米直径的晶片和18个150毫米直径的晶片。批量反应器的典型加工时间是几个小时；所以可以达到每个小时几十个晶片的生产能力。然而，装入这样多晶片所要求的大面积(在种大系统中的晶片架或者说基座的直径在30英寸的数量级)结果在所有的晶片上得不到所希望的均匀性。这种大系统中的基座典型地具有两排或者多排同心的晶片，并且在每排中的特性可能显著地不同。为了达到提高均匀性，特别是在大直径晶片上提高均匀性(150毫米或者以上)，开发了单个晶片反应器。
单个晶片反应器有仅稍大于晶片直径的加工室。这导致加工条件控制上的改善，并因此得到对产品薄膜均匀性的改善。产品薄膜中头等重要的特性是膜厚的均匀性和硅外延薄膜的膜电阻率的均匀性。对于相对薄(＜30微米厚度)的外延膜，单个晶片反应器的典型加工时间在10-20分钟的数量级，结果，每小时的生产能力是3-6个晶片。
对于大面积的基片，单个晶片反应室提供非常高的均匀性、再现性，和产出量。多晶片的反应室一般不能够达到同样程度的均匀性和再现性，并且随着基片直径的增加，多晶片反应室的性能显著地下降。
在单个晶片淀积系统中，表达为单位时间加工的基片数量的生产能力，不随着基片面积急剧地变化。从而，加工100毫米直径的基片所要求的时间几乎与加工200毫米直径的基片所要求的时间相同。在单基片反应器中较小基片的加工时间减少在5-15％的数量级。相反，在多基片反应器中，随着基片面积降低可以达到生产能力的大幅度提高。举例来说，典型的桶式反应器(例如，参见，1978年7月4日授与Berkman等的美国专利4,099,041“Susceptor for HeatingSemiconductor Substrates”)可以装入15个150毫米的基片、18个125毫米的基片，和28个100毫米的基片。从而对于较小直径的基片在生产能力上有大量的提高。
由于这种较高的生产效率，对于小直径的基片单个晶片淀积工具不能与多基片反应器进行成本竟争。但是这个缺点必须对单个晶片淀积室中加工较小直径的基片时可达到的较大均匀性和再现性加以权衡。另外还有安装单个晶片淀积系统的现存基础。
1999年1月5日授与Mayden等的美国专利5,855,681“Ultra HighThroughput Wafer Vacuum Processing System”揭示一种解决达到晶片高生产能力的问题的方法。该专利公开的全部内容收入本文作为参考。Mayden提供了一种复杂的设备，使用多个绕公共晶片加工系统(机器人)排列的双晶片加工室，连同用于向系统送进和取出晶片的装料器室。Mayden的系统是整体的、独立的晶片加工系统，包括多个复杂的辅助功能，所以需要错综复杂而且昂贵设备，相应地要求复杂而昂贵的支持系统。
因此在本领域内需要通过在单位时间加工非常大量晶片来提高工作效率的小直径基片的薄膜淀积系统，这种小直径基片的薄膜淀积系统同时还要保留单个晶片淀积室特有的用相对简单且经济的设备配置达到的均匀性和再现性的显著优势。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种改进的反应器系统，用于外延薄膜形成。
本发明的另一个目的是提供一种提高单个晶片反应器的生产能力和工作效率的装置和方法。
本发明的另一个目的是提供一种增加生产能力的薄膜淀积加工系统，用于小直径的晶片，所述薄膜淀积系统利用现有的单个晶片反应室及其相关(现有)晶片加工处理设备。
本发明的另一个目的是提供一种用于小直径晶片的增加生产能力的薄膜淀积加工系统，所述薄膜淀积系统以最小化新的成本要求、并且最大限度地利用半导体加工设备中的现有投资的方式，利用现有的单个晶片反应室及其相关(现有)的晶片处理和加工设备。
从下面的揭示的内容会更加充分地了解本发明的其它目的和优点。
本发明涉及一种用于单个晶片反应器中加工多个半导体晶片的提高生产能力的方法和设备。
因此本发明的方法和设备需要实施现有单个晶片反应器的翻新改造，以提高其生产能力。
在一个方面，本发明涉及一种半导体基片加工系统，所述半导体基片加工系统包括：反应器，含有单个基片淀积室；和晶片支座，在所述淀积室内可以定位，所述晶片支座是盘形的，并且具有：n个形成于其中的凹陷，n是大于1的整数，用于共面地支托所述n个晶片，并且相邻的晶片的中心至中心距离由支托所述相邻的晶片的凹陷之间中心至中心间隔确定，基片盒，在其中支托n个晶片阵列，其支托的方式为，每个阵列中各出一个晶片所组成的n个晶片由所述的基片盒共面地相互相邻支托，并且其中心至中心间隔等于在所述晶片支座中相邻晶片之间的中心至中心距离；和自动化基片传送组件，所述自动化传送组件含有n个共面的操作杆，其中共面地相互相邻的操作杆具有等于在所述晶片支座中相邻晶片之间的中心至中心距离的中心至中心间隔，其中，所述晶片支座，基片盒，和自动化基片传送组件构成和安排得用于同时共面地从基片盒向晶片支座中的所述n个凹陷中加载n个晶片、在单个基片淀积室中同时处理晶片支座中的所述n个晶片，并且从晶片支座中同时地传送所述n个晶片。
在另一个方面，本发明涉及一种提高半导体加工系统生产能力的方法，所述半导体基片加工系统包括：反应器，所述反应器含有单个基片淀积室，所述方法含有：在所述的淀积室内定位具有n个形成于其上的凹陷的盘形晶片支座，n是大于1的整数，用于共面地支托所述n个晶片，并且相邻的晶片的中心至中心距离由支托所述相邻的晶片的凹陷之间中心至中心间隔确定；提供一基片盒，在所述基片盒中支托n个晶片阵列，其支托的方式为，每个阵列中各出一个晶片所组成的n个晶片由所述的基片盒共面地相互相邻支托，并且其中心至中心间隔等于在所述晶片支座中相邻晶片之间的中心至中心距离；和提供一自动化基片传送组件，所述自动化传送组件含有n个共面的操作杆，其中共面地相互相邻的操作杆具有等于在所述晶片支座中相邻晶片之间的中心至中心距离的中心至中心间隔，操作所述晶片支座，基片盒，和自动化基片传送组件以同时共面地从基片盒向晶片支座中的所述n个凹陷中加载n个晶片、在单个基片淀积室中同时处理晶片支座中的所述n个晶片，并且从晶片支座中同时地共面传送所述n个晶片。
从下面的揭示内容中会更加充分地了解本发明的其它方面，特征及实施方式。
附图说明
图1A(现有技术)是现有技术的基片支座的示意性俯视平面图。
图1B是根据本发明的一个优选实施例的基片支座的示意性俯视平面图。
图1C是根据本发明的另一个优选实施例的基片支座的示意性俯视平面图。
图2A(现有技术)是现有技术的基片盒的示意性俯视平面图。
图2B是根据本发明的一个优选实施例的基片盒的示意性俯视平面图。
图3是根据本发明的一个优选实施例的传送装配单元的示意性俯视平面图
具体实施方式
本发明提供一种设备和方法，用于在原本是单个晶片加工系统的系统中一次加工两个或者多个晶片。在一个实施例中，本发明使用晶片支座(例如基座)支托多个基片，使用基片盒储存和批量传送多列基片，并且使用自动传送装置从基片盒向反应器传送基片，并且在其后(基片在反应器中淀积完毕后)从反应器向相同的或不同的基片盒传送基片。
所述自动传送装置优选地受计算机控制，并且不需要人员介入地工作。
所述基片盒可以用任何适当的方式构造，以向反应器提供基片源，优选地构造成容纳多列基片，以此作为晶片源，拾取所述晶片、将其传送到反应器的淀积室、在所述淀积室中涂覆，然后从反应器中取出，再传送到相同的或不同的基片盒传送到相同的基片盒，或者不同的基片盒，或者其它的用于涂覆了的基片物品的存放器皿中，在下文中还要充分地说明。
图1A是典型地用于单基片反应器的现有技术的基片支座10的示意性俯视平面图。现有技术基片支座10是圆板状元件，用适当的材料形成，譬如具有足够耐热特性的石墨。示出的支座10为具有形成于其中的凹陷18，所述凹陷18以凹陷侧壁20和凹陷底22为边界。相应地确定所述凹陷的尺寸，使得在其中可以放置大的基片，例如直径为200毫米的晶片。
图1B是根据本发明的一个实施例的基片支座30的示意性俯视平面图。基片支座30是圆板状的，其外部尺寸(外径)与单个晶片反应器兼容并且对应于如图1A所示的现有技术支座的外部尺寸。
如图1B所示，晶片支座30中形成有凹陷40和42，确定所述凹陷的每个的尺寸，使其可接纳小于图1A所示的相应单个晶片支座的基片。例如，多凹陷晶片支座可以有在其中容纳100毫米直径的晶片的凹陷。
图1C是根据本发明的另一个实施例的基片支座60的示意性俯视平面图。图示的晶片支座60中形成有四个凹陷62，每个都有适当的直径例如都是100毫米，以在其中支托相应尺寸的晶片。当然应当认识到，所述的凹陷典型地有稍大于支托在其中的晶片的尺寸特性，从而提供适当的配合，符合易于把晶片插入到所述凹陷中，并且易于从所述凹陷中取出的性能，不用粘接。
在一个实施例中，本发明提供新型的基片盒和传送装置，使之能够自动地把多个基片同时地传送进淀积室和从淀积室传送出。
图2A示出适用于单室反应器的现有技术的基片盒100。
基片盒100构造得在相应对置的侧壁104和106的开槽102中支托多个基片，典型地是25个基片。侧壁104和106在其相应的末端与端壁108和110连接以形成一种开底的盒状容器，基片在其中储存和传送。
图2B是根据本发明的一个实施例的基片盒120的示意性俯视平面图。盒120的特征是在侧壁124和128以及间壁126中的开槽122，这些壁都相互平行，并且如图所示，这些壁与端壁130、132、134和136连接。
从而所述的盒形成双隔间结构，包括第一隔间138和第二隔间140以把基片容纳在开槽122中。以此方式，第一列基片保留在盒的左部(隔间138，见图2B所示俯视平面图)，第二列基片保留在盒的右部(隔间140)(出于简明的目的，在图2B中未示出基片)。
图3是根据本发明的一个实施例的传送装配单元144的示意性俯视平面图。图示实施例的传送装配单元144含有两个操作杆(wand)辅助组件148和150，布置在机器人臂152上，并且借助于接有通向机器人臂的信号传输线154的处理器(CPU)156进行自动控制。
可以编程地安排处理器156，按照周期的时序或者其它预定的启动了的操作步骤序列，实现传送组合单元的移动和操作杆辅助组件148和150的抓取及释松。所述的处理器可以是任何适当类型的，例如微处理器或者微控制器单元，或者是计算机终端。
在运行中，基片盒加入到装料器站，传送装置(机器人)编程安排从所述盒中拾取基片然后把基片传送到淀积室，把所述基片放进晶片支座的凹陷中。在所述室内淀积了薄膜之后，由传送装置取出所述基片，再传送回或相同的或不同的盒。
在图2B所示的双基片列实施例中，在所述盒内的各个搁盘部分的相应基片的中心至中心的间隔(例如在左边搁盘部的第一开槽中的晶片中心、与在右搁盘部的第一开槽中的晶片中心之间)与基片支座中这些基片的容纳凹陷的中心至中心间隔相同，并且这样的中心至中心间隔还与自动基片传送组件的操作杆元件的中心至中心间隔相同。
自动基片传送组件有利地用作机器人装置，连接有多个“操作杆”或者晶片支座元件。在晶片传送的过程中，例如，可以通过真空把晶片固定到相应的操作杆上，如1988年10月4日授与Prentakis的美国专利4,775,281“Apparatus and Method for Loading and UnloadingWafers”所揭示，其内容本文全部引入作为参考。变通地可以采用其它适当的固定装置和/或方法进行晶片传送。
根据本发明，当按可运行的方式连接和应用多晶片支座、包括多个操作杆的自动基片传送组件、以及多基片盒时，在单个晶片反应器中加工较小的(例如100毫米)晶片，生产能力显著地高于在相同的反应器加工较大的(例如200毫米)晶片所能达到的生产能力。而且还保留了在单个晶片反应室中固有的淀积均匀性和再现性的显著优势。
本领域内普通技术人员会清楚，在本发明的广义范围和精神实质内可以有各种变形。例如可以在多基片支座的凹陷内同时加工两个晶片，同时用现有技术的操作杆传送系统进行把晶片传送进和传送出淀积室的工作，就是说，通过两个行程进行。在这样的安排中，通过适当地对传送装置(机器人)编程，可以把晶片取出和/或放进单个晶片支托盒，也可以把晶片放进如图2B描绘性所示的双基片盒内。
变通地，所述基片支座可以构造得在其中形成三个或者多个凹陷，用于同时地加工两个以上的基片。通过使用与图2B所示类型相似的多基片盒和与图3所示类型相似的多操作杆传送装置可以达到最大的生产能力。
使用不论是带有图2B所示的双盒型还是带有图2A所示的现有技术的单盒的现有技术的单操作杆传送装置，都在本发明的广义范围和精神实质之内，并且可以由本领域内普通技术人员不用太多的试验就可以实施。类似地，不论单个的还是双操作杆传送装置也不论单盒还是双盒都可以用于插入和取出用本发明的广义实践同时加工的奇数个基片。
作为另一个变形实施例，相同的系统可以扩展为同时传送和/或加工两个以上的晶片。
在本发明的一个实施例中采用双侧操作杆，用于晶片的装料和卸料，以一个晶片反向地布置在操作杆上，例如在其上面，而第二个晶片一般地放置在操作杆上在操作杆的下面。所述操作杆可以轴向转动把操作杆原来的底面转变成顶面位置，并且同时地把操作杆原来的顶面转变成底面位置，从而通过这样的操作杆轴向转动把关联的晶片卡定在位。
在另一个实施例中可以使用多部件盒，以完全地取代操作杆。所述盒部件会起操作杆的作用进行晶片的装料和卸料，并且在臂上的叉状附件(在其它的情况下是把操作杆组件安装于其上)拾取所述盒部件。所述的盒本身在实质上可以在系统的一个装料器内拆卸开，在另一个装料器再重新组装。
在另一个实施例中，可以按周期的方式把基座本身装入和卸下。如果有两个或者更多经淀积室旋转的基座，会降低淀积室蚀刻次数，从而在蚀刻一个基座时，另一个基座可以运行加工。
在另一个实施例中本发明设想把单个晶片传送进和传送出淀积室，同时用支托多个晶片的基座进行生长过程。例如可以把基座构成得在单个基座上支托两个125毫米直径的晶片，但是以顺序的(逐个的)方式加入和卸出晶片。
例如，可以改造单个晶片反应器，使其带有构成为在一般单个8英寸基座上支托两个4英寸的晶片的基座。
在另一个例子中，可以通过提供构成以支托五个4英寸晶片的基座改造单个晶片反应器系统。
在各种其它的实施例中，可以选择性地把系统安排得在装料器中只用单个晶片支座，以方便晶片的装料和卸料。
在本发明的实践中还可以改变和修改基座环。
在下面的非限制性举例中更加充分地显示本发明的特征和优点。
举例1
在ASM Epsilon一号，E2型硅化学气相淀积(CVD)系统中实施了根据本发明的提高生产能力的薄膜淀积加工安排。若不加改造，这种单个晶片反应器一次可以加工一个基片，这里基片的直径范围是100至200毫米。
根据本发明对系统改造后，系统运行以同时加工两个100毫米的晶片，带有全自动的晶片传送。
把该系统改造成包括以下的部件：
设计双盒以并排支托双列100毫米晶片，并且配置进现有的装料器
改装传送装置以在晶片传送臂上有双操作杆。
晶片支座上设有两个形成于其上的凹陷，形状和位置做得可支托两个100毫米的基片。
在现有旋转和晶片传送辅助系统中进行对工具和控制逻辑的伴随修改。
进行了200次以上的双晶片传送没有操作问题发生。在单基片反应器中同时地在两个基片上淀积的薄膜的能力比顺序地加工单个晶片有效地加倍了生产能力。这极大地降低了生产成本，同时保留了薄膜淀积均匀性和再现性的显著优点。
本领域内普通技术人员在本发明的揭示和描述的技术的基础上可以举一反三地把本发明扩展到包括其它特征、变形和变通的实施方式。因此所附权利要求书要被认为和解释为在其精神和范围内包括所有的这些特征、变形和变通的实施方式。

Claims (30)

1.一种半导体基片加工系统，所述半导体基片加工系统包括：
反应器，含有单个基片淀积室；和
晶片支座，在所述淀积室内可以定位，所述晶片支座是盘形的，并且具有：n个形成于其中的凹陷，n是大于1的整数，用于共面地支托所述n个晶片，并且相邻的晶片的中心至中心距离由支托所述相邻的晶片的凹陷之间中心至中心间隔确定，
基片盒，在其中支托n个晶片阵列，其支托的方式为，每个阵列中各出一个晶片所组成的n个晶片由所述的基片盒共面地相互相邻支托，并且其中心至中心间隔等于在所述晶片支座中相邻晶片之间的中心至中心距离；和
自动化基片传送组件，所述自动化传送组件含有n个共面的操作杆，其中共面地相互相邻的操作杆具有等于在所述晶片支座中相邻晶片之间的中心至中心距离的中心至中心间隔，
其中，所述晶片支座，基片盒，和自动化基片传送组件构成和安排得用于同时共面地从基片盒向晶片支座中的所述n个凹陷中加载n个晶片、在单个基片淀积室中同时处理晶片支座中的所述n个晶片，并且从晶片支座中同时地传送所述n个晶片。
2.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述自动化基片传送组件和基片盒构造和安排得：在把所述自动化基片传送组件移入到相对基片盒的拾取位置时，自动基片传送组件的所述的共面的n个操作杆接合n个晶片并且把它们从所述基片盒中取出，这里每个操作杆与所述n个晶片阵列中的一个接合并从中取出相应的晶片，从而在把所述自动化基片传送组件移入到相对基片盒的存放位置时，所述的n个共面的操作杆松开基片盒中的n个基片并且存放，这里每个操作杆各松开一个基片并且把它存放进所述n个阵列基片阵列中的一个。
3.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述自动化基片传送组件中的所述共面操作杆包含双侧共面操作杆。
4.如权利要求1所述的系统，其特征在于，还包括装料器室，用于容纳基片盒。
5.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述的n是2。
6.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述的n是4。
7.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述的晶片支座直径在约200毫米到约350毫米的范围。
8.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述的晶片支座直径在约200毫米到约300毫米的范围。
9.如权利要求1所述的系统，其特征在于，每个所述的晶片支座凹陷直径在约100毫米到约150毫米的范围。
10.如权利要求1所述的系统，其特征在于，每个所述的晶片支座凹陷直径在约100毫米到约125毫米的范围。
11.如权利要求1所述的系统，其特征在于，反应器含有单个晶片淀积室，用于处理单个基片，其尺寸做得可用于加工直径200毫米的单个基片。
12.如权利要求1所述的系统，其特征在于，所述晶片支座支托直径100毫米的基片。
13.如权利要求1所述的系统，其特征在于，每个形成在晶片支座上的凹陷都是圆形的。
14.如权利要求1所述的系统，其特征在于，还含有处理器用于按照周期的时序可编程地操作所述自动化基片传送组件。
15.一种提高半导体加工系统生产能力的方法，所述半导体基片加工系统包括：反应器，所述反应器含有单个基片淀积室，所述方法含有：
在所述的淀积室内定位具有n个形成于其上的凹陷的盘形晶片支座，n是大于1的整数，用于共面地支托所述n个晶片，并且相邻的晶片的中心至中心距离由支托所述相邻的晶片的凹陷之间中心至中心间隔确定；
提供一基片盒，在所述基片盒中支托n个晶片阵列，其支托的方式为，每个阵列中各出一个晶片所组成的n个晶片由所述的基片盒共面地相互相邻支托，并且其中心至中心间隔等于在所述晶片支座中相邻晶片之间的中心至中心距离；和
提供一自动化基片传送组件，所述自动化传送组件含有n个共面的操作杆，其中共面地相互相邻的操作杆具有等于在所述晶片支座中相邻晶片之间的中心至中心距离的中心至中心间隔，
操作所述晶片支座，基片盒，和自动化基片传送组件以同时共面地从基片盒向晶片支座中的所述n个凹陷中加载n个晶片、在单个基片淀积室中同时处理晶片支座中的所述n个晶片，并且从晶片支座中同时地共面传送所述n个晶片。
16.如权利要求15所述的方法，其特征在于，还包括把所述基片盒相对自动传送组件定位成基片拾取和基片传递的关系。
17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，还包括：
把自动传送组件移动到相对于所述基片盒的拾取位置，从而所述的n个共面操作杆与n个基片接合并且把它们从所述基片盒中取出，同时每个操作杆与所述基片盒的一个晶片阵列的相应晶片接合并且从中取出该基片；
把自动化其片传送组件移到相对于淀积室的淀积位置；
在所述的淀积室中从自动化基片传送组件的n个共面操作杆把n个共面晶片松开，放进晶片支座中的相应凹陷中；
在淀积室内向n个晶片上淀积薄膜材料，以得到n个涂覆的基片；
在淀积步骤完毕后把自动化传送组件移送到相对于淀积室的拾取位置，然后从晶片支座的相应凹陷中取出所述n个涂覆了的基片；
把承载取出的n个涂覆的基片的所述自动化基片传送组件移入到相对所述基片盒，或第二基片盒的存放位置；
然后松开所述n个涂覆的基片放进所述基片盒或第二基片盒。
18.如权利要求15所述的方法，其特征在于，自动化基片传送组件中的所述共面操作杆含有双侧共面操作杆。
19.如权利要求15所述的方法，其特征在于，含有顺序地使用n个晶片支座，包括把n个晶片支座之一布置进淀积室以，加工其上的晶片，并且在所述支架已经在淀积室中以后，同时再生另一个所述晶片支座。
20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，所述再生含有所述晶片支座的所述另一个的蚀刻加工。
21.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述的n是2。
22.如权利要求15所述的系统，其特征在于，所述n是4。
23.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述的晶片支座直径在约200毫米到约350毫米的范围。
24.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述的晶片支座直径在约200毫米到约300毫米的范围。
25.如权利要求15所述的方法，其特征在于，每个所述的晶片支座凹陷直径在约100毫米到约150毫米的范围。
26.如权利要求15所述的系统，其特征在于，每个所述的晶片支座凹陷直径在约100毫米到约125毫米的范围。
27.如权利要求15所述的方法，其特征在于，所述单个晶片淀积室的尺寸做得可加工直径200毫米的单个基片。
28.如权利要求15所述的方法，其特征在于，晶片支座支托直径100毫米的基片。
29.如权利要求15所述的方法，其特征在于，每个形成在晶片支座上的凹陷都是圆形的。
30.如权利要求15所述的方法，其特征在于，还含有提供处理器，用于按照周期的时序可编程地操作所述自动化基片传送组件。
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