CN1268974C - 树脂绝缘层的制造方法、电光装置用基板、电光装置的制造方法和电光装置 - Google Patents

树脂绝缘层的制造方法、电光装置用基板、电光装置的制造方法和电光装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种作为电光装置中使用的绝缘材料、又不会使显示特性降低的电光装置用绝缘层的制造方法。本发明的电光装置用绝缘层的制造方法，其特征在于包括对感光性树脂(绝缘层)的凸部形成层7，进行照度80mW/cm2或以上的曝光的曝光工序。通过这样的高照度的曝光对树脂进行脱色，制造的绝缘材料，对于波长400nm的色光显示出95%或以上的透过率。

Description

树脂绝缘层的制造方法、电光装置用基板、 电光装置的制造方法和电光装置
技术领域
本发明涉及树脂绝缘层的制造方法、电光装置用基板、电光装置的制造方法和电光装置，特别是涉及光透过性优异的绝缘层的制造方法。
背景技术
作为液晶装置、电致发光(EL)装置等的显示装置，为了按每个像素驱动矩阵状地配置的多个像素，已知有在各个像素中都设置有薄膜半导体器件的薄膜晶体管(TFT)的有源矩阵型的显示装置。在这样构成的显示装置中，在借助于层间绝缘膜使像素电极和TFT绝缘的同时，来自TFT的驱动信号则通过接触孔与像素电极导通。
作为这样的层间绝缘膜，例如可以使用以丙烯酸树脂为主体的感光性树脂，也已知有使用这样的感光性材料的液晶面板(例如，参照专利文献1、专利文献2)。
专利文献1：特开平8-211779号公报
专利文献2：特开平9-152625号公报
发明内容
但是，在感光性树脂中，易于发生着色(例如，着黄色)，特别是低波长的色光(例如，波长400nm左右)的透过率有时候会降低，因而存在着使显示特性降低的可能性。
本发明就是有鉴于这样的情况而发明的，目的在于提供用于电光装置等的的绝缘材料的，又不使显示特性降低的树脂绝缘层的制造方法、以及使用该方法的电光装置用基板、电光装置的制造方法和该电光装置。
为了实现上述目的，本发明的树脂绝缘层的制造方法，其特征在于包括：
在基板上形成感光性树脂层的工序；
对所形成的感光性树脂层进行曝光的第1曝光工序；
对已曝光的感光性树脂层进行显影的显影工序；
对显影后的感光性树脂层，使基板温度成为100℃～250℃，进行照度在80mW/cm2或以上，并且照射能量密度为5J/cm2～30J/cm2的曝光的第2曝光工序。
本发明人发现通过这样由感光性树脂构成树脂绝缘层，进一步在上述条件下对该感光性树脂进行曝光，会大大改善在制造的绝缘层中发生的着色。即，当将照度设定为80mW/cm2或以上进行曝光时，得知感光性树脂被脱色，在要制造的绝缘材料中，例如波长400nm的色光的透过率成为95％或以上。据推测这是因为通过照射高照度的光，促进了感光性树脂的交联反应，可见光波段的吸收减少的缘故。在曝光工序中，若将照度设为不到80mW/cm2，则不能进行充分的脱色，有时候还会发生要制造的材料着色的现象。另外，在本发明的曝光工序中，若将照度设为100mW/cm2或以上，则可以更为充分地进行脱色。
此外，在本发明中，由于将照射能量密度设为5J/cm2～30J/cm2，故热对感光性树脂的影响难于发生，例如因热使感光性树脂分解等的缺点也几乎难于发生。在这里，在将照射能量密度设为不到5J/cm2的情况下，有时候就不能进行充分的脱色，另一方面，在照射超过30J/cm2的能量的光的情况下，则有时会因对树脂施加过度的热，而导致其发生分解，另外，例如有时候会因热的影响使要成膜该树脂绝缘层的基板发生变形等。另外，在本发明的曝光工序中，照射能量优选为10J/cm2～20J/cm2。
此外，在本发明中，由于使基板温度成为100℃～250℃进行曝光，故可以通过加热促进树脂的脱色。在不到100℃的情况下，有时候得不到脱色的促进效果，有时候该曝光工序需要长时间。此外，当超过250℃时，有时候树脂会分解，此外，有时候还会因热的影响使要成膜该树脂的基板产生变形等。另外，例如，在在基板上成膜了感光性树脂之后进行上述曝光工序的情况下，要进行设定使得该基板温度成为上述温度范围。此外，在伴随因光照射而温度上升的情况下，可以通过采用规定的冷却装置，例如冷却用风扇等进行冷却，设定为上述温度范围。
作为上述感光性树脂，例如可以使用以丙烯酸树脂为主体的树脂。
即，丙烯酸树脂，由于具有高的透明性和绝缘性，故适合于将它作为电光装置的层间绝缘膜用绝缘材料来使用。
此外，上述第2曝光工序，可以使用在大约365nm处具备发光峰值的高压水银灯进行，在基板上可以使350～380nm的照度成为80mW/cm2。
这样的高压水银灯，具有比较低波长的发光峰值，可以进行高照度下的曝光。
此外，在第2曝光工序中，可以规定使用遮断从上述高压水银灯发出的光中的波长不到300nm的光的滤光片。
当进行波长不到300nm的光照射时，有时候树脂会发生分解，通过使用遮断这样的光的滤光片，就可以防止或抑制该树脂的分解。
本发明的电光装置用基板，其特征在于具备用上述的树脂绝缘层的制造方法得到的树脂绝缘层。
倘采用该电光装置用基板，则可以提供其树脂绝缘层如上所述那样的色光的透过率高、另外，特别是在短波长一侧的着色也不会成为问题、着色少的显示特性优异的电光装置。
此外，在上述电光装置用基板中，优选上述树脂绝缘层的对波长400nm的光的透过率为95％或以上。
这样，则可以提供着色更少、显示特性优异的电光装置。
此外，在上述电光装置用基板中，优选上述树脂绝缘层的膜厚3微米或以上。
这样，树脂绝缘层会成为不仅具有良好的绝缘性，而且作为平坦化膜也可以发挥作用。
此外，本发明的电光装置的制造方法，其特征在于具备上述树脂绝缘层的制造工序，或使用上述电光装置用基板。
根据这样的方法，由于树脂绝缘层如上所述成为透明性高的绝缘材料，故可以提供着色少的显示特性优异的电光装置。
此外，本发明的电光装置，其特征在于具备用上述制造方法形成的树脂绝缘层，或具备上述的电光装置用基板。
倘采用该电光装置，则可成为带色少且显示特性优异的显示装置。
根据本发明，在作为可用于电光装置的层间绝缘膜等的电光装置用绝缘层，采用对于感光性树脂进行照度80mW/cm2以上的曝光时，形成的绝缘材料被脱色，例如波长400nm的色光的透过率成为95％或以上，使用该绝缘层的电光装置，显示出着色少的优异的显示特性。
附图说明
图1是与各个构成要素一起从对向基板一侧看本发明的一个实施形态的液晶显示装置的平面图。
图2是沿着图1的H-H’线的剖面图。
图3是在同上液晶显示装置的图象显示区域中矩阵状地形成的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路图。
图4的平面图示出了同上液晶显示装置的TFT阵列基板的一个像素。
图5是图4的A-A’线处的像素的剖面图。
图6的工序剖面图示出了同上液晶显示装置的制造方法。
图7是图6后续的工序剖面图。
图8是图7后续的工序剖面图。
图9是图8后续的工序剖面图。
图10是图9后续的工序剖面图。
图11的立体图示出了使用本发明的电光装置的电子设备的一个例子。
图12的立体图示出了同上电子设备的另一个例子。
图13的立体图示出了同上电子设备的再一个例子。
符号说明
7 凸部形成层；
7a 感光性树脂；
10 TFT阵列基板；
100 液晶显示装置。
具体实施方式
以下参照附图说明本发明的实施形态。
电光装置
首先，参照图1-图5，对本发明的电光装置的液晶显示装置说明其一个例子。
在本实施形态中，举出元件基板上的像素电极具备反射显示区域和透过显示区域的、有源矩阵方式的半透过反射式液晶显示装置的例子进行说明。
图1是与各个构成要素一起从对向基板一侧看本实施形态的液晶显示装置的平面图，图2是沿着图1的H-H’线的剖面图。图3是在电光装置(液晶显示装置)的图象显示区域中矩阵状地形成的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路图。另外，在以下的说明中使用的各图中，为使各层或各个构件在图面上成为可以识别程度的大小，故各层或各个构件的缩小比例不尽相同。
在图1和图2中，本实施形态的液晶显示装置100，TFT阵列基板10和对向基板20用密封材料52粘贴起来，向由该密封材料52划分的区域内封入并保持液晶50。在密封材料52的形成区域的内侧的区域上，形成由遮光性材料构成的周边划分部分53。在密封材料52的外侧的区域上，沿着TFT阵列基板10的一边，形成有数据线驱动电路201和装配端子202，沿着与该边相邻的2边形成有扫描线驱动电路204。在TFT阵列基板10的剩下的一边上设置有用于将设置在图象显示区域的两侧上的扫描线驱动电路204之间连接起来的多条布线205。此外，在对向基板20的拐角部分的至少一处上，配设有用于使在TFT阵列基板10与对向基板20之间形成电导通的基板间导通材料206。
另外，代替在TFT阵列基板10的上边形成数据线驱动电路201和扫描线驱动电路204，例如，也可以使各向异性导电膜介于已装配上驱动用LSI的TAB(带载自动键合)基板和在TFT阵列基板10的周边部分上形成的端子群之间将它们电学性地和机械性地连接起来。
另外，在液晶显示装置100中，可以根据使用的液晶50的种类，即，TN(扭曲向列)模式、STN(超扭曲向列)模式等的动作模式，或常态白色模式/常态黑色模式等，将相位差板、偏振板等配置为规定的朝向，在这里省略图示。
此外，在将液晶显示装置100作为彩色显示用构成的情况下，在对向基板20中，在与TFT阵列基板10的后述的各个像素电极对向的区域上，与其保护膜一起形成例如红(R)、绿(G)、蓝(B)的滤色片。
在具有这样的构造的液晶显示装置100的图象显示区域中，如图3所示，在矩阵状地构成多个像素100a的同时，在这些像素100a的每一个中，都形成有像素开关用的TFT30，供给象素信号S1、S2、…、Sn的数据线6a电连到TFT30的源极上。要写入到数据线3上的象素信号S1、S2、…、Sn，既可以按照该顺序依次供给，也可以对相邻的多条数据线3间分组供给。此外，还可以构成为使得在TFT30的栅极上电连有扫描线3a，并以规定的定时，按照扫描信号G1、G2、…、Gm的顺序，按照线顺序给扫描线3a脉冲式地加上扫描信号。反射电极9，与TFT30的漏极电连接，通过使作为开关元件的TFT30仅在一定期间成为ON状态，以规定的定时，向各个像素内写入由数据线6a供给的象素信号S1、S2、…、Sn。这样通过反射电极9写入液晶内的规定的象素信号S1、S2、…、Sn，在与图2所示的对向基板20的对向电极21之间，可以保持一定期间。
另外，为了防止所保持的象素信号发生漏泄，与在反射电极9和对向电极之间形成的液晶电容并联地附加上存储电容60。例如，借助于该存储电容60，反射电极9的电压可以保持比加源极电压的时间1000倍的长时间。由此，就可以改善电荷的保持特性，实现对比度高的显示的液晶装置。另外，作为形成存储电容60的方法，如图3所示，在与作为用来形成电容的布线的电容线3b之间形成的情况，或在与前级的扫描线3a之间形成的情况中的不论哪一种情况均可以。
图4的平面图示出了本实施形态中所用的TFT阵列基板的一个像素。图5是图4的A-A’线处的像素的剖面图。另外，在图4和图5中，是以使用感光性树脂形成多个凸部的情况为例进行图示的。
在图4中，在TFT阵列基板10上，矩阵状地形成有用由铝或银、或者它们的合金，或上述的金属膜与钛、氮化钛、钼、钽等的金属膜的叠层膜构成的反射电极9，和与该反射电极9电连的由ITO等的透明导电膜构成的透明电极91形成的像素电极，对这些反射电极9分别电连上像素开关用的TFT30(参照图3)。此外，沿着形成有像素电极的区域的纵横的边界，形成数据线6a、扫描线3a和电容线3b，TFT30与数据线6a和扫描线3a连接。
即，数据线6a，通过接触孔8电连到TFT30的高浓度源极区1a上，反射电极9则通过接触孔15和漏极电极6b电连到TFT30的高浓度漏极区1d上。此外，扫描线3a延伸，使得与TFT30的沟道形成区1a’相对。另外，储存电容60(储存电容元件)，成为将用来形成像素开关用的TFT30的半导体膜1的延长部分1f导电化的部分作为下电极，将与扫描线3a同层的电容线3b作为上电极地的重叠构造。
另外，在本实施形态的情况下，由于在形成于反射电极9上的开口部分9d上形成有透明电极91，故在透过显示模式中，结果成为通过从上述开口部分9d区域内的透明电极向液晶供给图象信号，并通过该开口部分9d使来自背光源(未画出来)的光透过液晶层来用于显示。
如图5所示，在该反射区域的A-A’线处切断时的剖面，在作为TFT阵列基板10的透明的TFT阵列基板用的玻璃基板10’的表面上，形成由厚度100nm-500nm的硅氧化膜(绝缘膜)构成的基底保护膜11，在该基底保护膜11的表面上，形成有厚度30nm-100nm的岛状的半导体膜1。在半导体膜1的表面上，形成有厚度约50-150nm的由硅氧化膜构成的栅极绝缘膜2，在该栅极绝缘膜2的表面上作为栅极电极形成有厚度100nm-800nm的扫描线3a。在半导体膜1之内中间介入栅极绝缘膜2地与扫描线3a相对的区域成为沟道形成用区1a’。在该沟道区1a’的一侧形成有具有低浓度区1b和高浓度源极区1a的源极区，在其另一侧形成有具有低浓度区1b和高浓度漏极区1d的漏极区，在其中间形成有不属于源极、漏极中的任何一个区域的高浓度区域1c。
在象素开关用的TFT30的表面一侧，形成有厚度为300nm-800nm的由硅氧化膜构成的第1层间绝缘膜4，和厚度为100nm-800nm的由硅氮化膜构成的第2层间绝缘膜5(表面保护膜)(该第2层间绝缘膜5(表面保护膜)也可以不形成)。在第1层间绝缘膜4的表面上，形成厚度为100nm-800nm的数据线6a，该数据线6a通过在层间绝缘膜4上形成的接触孔8电连到高浓度源极区1a上。
在第2层间绝缘膜5的上层上，形成有以丙烯酸树脂为主体构成的由感光性树脂(硬化树脂)构成的凸部形成层(层间绝缘层)7，在凸部形成层7的表面上，形成有具有平缓的弯曲面的凸部图形。凸部形成层7，由高透明性树脂构成，具体地说，由波长400nm的光的透过率为95％以上的树脂构成。即，成为借助于规定的方法避免了在丙烯酸树脂中存在的黄色的着色的构成。
然后，在凸部形成层7的上层，形成有用由铝或银、或者它们的合金，或上述的金属膜与钛、氮化钛、钼、钽等的金属膜的叠层膜构成的反射电极9，在该反射电极9上按各个像素形成有开口部9d，在该反射电极9和该开口部9d上，形成有由ITO等的透明导电膜构成的透明电极。通过使来自未图示的背光源的光从上述开口部9d透过，可以进行透过显示。另外，在透明电极91的表面侧形成有聚酰亚胺膜构成的取向膜12，对该取向膜12的表面侧摩擦处理。
另外，TFT30优选如上所述具有LDD构造，但是也可以具有对相当于低浓度源极区1b的区域上不进行杂质离子注入的偏移(offset)构造。此外，TFT30，也可以是以栅极电极(扫描线3a的一部分)为掩模，以高浓度注入杂质离子，自我匹配地形成高浓度的源极区和漏极区的单元自对准型的TFT。
此外，在本形态中，虽然作成为在源极区-漏极区间配置了2个TFT30的栅极电极(扫描线3a)的双栅极(两个栅极)构造，但是既可以在它们之间配置1个的单个栅极构造，也可以是在它们之间配置3个或以上的栅极电极的三栅极或以上的构造。在配置多个栅极电极的情况下，要作成为对每一个栅极电极都加上同一信号。这样地用双栅极(两个栅极)或三栅极或以上来构成TFT30的话，则可以防止在沟道与源-漏区的接合部分处产生反向泄漏电流，可以降低OFF时的电流。如果将这些栅极电极中的至少一个作成为LDD构造或偏移构造，则可以进一步减小OFF电流，可以得到稳定的开关元件。
另一方面，在对向基板20中，在对向基板一侧的玻璃基板20’上，与TFT阵列基板10上的反射电极9的纵横的边界区域对向的区域上，形成有被称为黑色阵列或黑色条带的遮光膜23，在其上层侧形成由ITO膜构成的对向电极21。此外，在对向电极21的上层侧上，形成有由聚酰亚胺膜构成的取向膜22。此外，向TFT阵列基板10和对向基板20之间，封入液晶50。
液晶显示装置的制造方法
参照图6-图10具体地说明制造上述构成的液晶显示装置100的方法。图6-图10的剖面图按工序顺序示出了本实施形态的TFT阵列基板10的制造方法。
首先，如图6(A)所示，在准备好通过超声波清洗等清洗的TFT阵列基板用的玻璃基板10’后，在基板温度为150℃～450℃的温度条件下，在TFT阵列基板用的玻璃基板10’的整个面上，用等离子体CVD法形成厚度为100nm-500nm的由硅氧化膜构成的基底保护膜11。作为这时的原料气体，例如可以使用甲硅烷和笑气(一氧化二氮)之间的混合气体或TEOS(四乙氧基硅烷：Si(OC2H5)4)和氧，或乙硅烷与氨。
接着，在基板温度为150℃～450℃的温度条件下，在TFT阵列基板用的玻璃基板10’的整个面上，用等离子体CVD法形成厚度为30nm-100nm的由非晶质硅膜构成的半导体膜1。作为这时的原料气体，例如可以使用乙硅烷或甲硅烷。接着，对半导体膜1照射激光以施行激光退火。其结果是，非晶质的半导体膜1，暂时熔融，然后经由冷却固化工序进行结晶化。
接着，通过在半导体膜1的表面上用光刻技术其间介入光刻胶掩模551地刻蚀半导体膜，如图6(B)所示，将为了形成岛状的半导体膜1(有源层)的半导体膜形成为各自分离开来的状态。
接着，在350℃或以下的温度条件下，在含有半导体膜1的表面的TFT阵列基板用玻璃基板10’的整个面上，用CVD法等形成厚度为50nm-150nm的由硅氧化膜等构成的栅极绝缘膜2。作为这时的原料气体，例如可以使用TEOS与氧气的混合气体。该栅极绝缘膜2也可以是硅氮化膜而不使用硅氧化膜。
接着，未图示出，通过其间介入规定的光刻胶掩模向半导体膜1的延长部分1f内注入杂质离子，在与电容线3b之间形成用来构成储存电容60的下电极(参照图4和图5)。
接着，如图6(C)所示，用溅射法等，在在TFT阵列基板用的玻璃基板10’的整个面上，形成厚度为100nm-800nm的用来形成扫描线3a等的由铝、钽、钼等构成的金属膜或以这些金属中的任何一种为主成分的合金膜构成的导电膜3之后，用光刻技术形成光刻胶掩模552。
接着，其间介入光刻胶掩模地对导电膜3进行刻蚀，如图6(D)所示，形成扫描线3a(栅极电极)、电容线3b等。
接着，在像素TFT部分和驱动电路的N沟道TFT部分(未画出来)的一侧，以扫描线3a或栅极电极作为掩模，以约0.1×1013到约10×1013/cm2左右的剂量注入低浓度的杂质离子(磷离子)，对扫描线3a自我匹配地形成低浓度区域1b。在这里，位于扫描线3a的正下方，未导入杂质离子的部分成为保持半导体膜1的原状不变的沟道形成区1a’。
接着，如图7(A)所示，在像素TFT部分中，形成宽度比扫描线3a(栅极电极)的宽度还宽的光刻胶掩模553，以约0.1×1015到约10×1015/cm2左右的剂量注入高浓度的杂质离子(磷离子)，形成高浓度源极区1a、高浓度区域1c和高浓度漏极区1d。
也可以代替这些杂质导入工序，不进行低浓度的杂质导入在形成了宽度比栅极电极还宽的光刻胶掩模的状态下注入高浓度的杂质(磷离子)形成偏移构造的源极区和漏极区。此外，也可以以扫描线3a为掩模注入高浓度的杂质，形成自对准构造的源极区和漏极区。
接着，如图7(B)所示，用CVD法等在扫描线3a的表面一侧形成厚度为300nm-800nm的由硅氧化膜等构成的层间绝缘膜4。这时的原料气体，例如，可以使用TEOS与氧气的混合气体。其次，用光刻技术形成光刻胶掩模554。
接着，其间介入光刻胶掩模554进行层间绝缘膜4的干法刻蚀，如图7(C)所示，在层间绝缘膜4中在与源极区和漏极区对应的部分等上分别形成接触孔。
接着，如图7(D)所示，在在层间绝缘膜4的两侧，用溅射法等形成厚度100nm-800nm的用来构成数据线6a(源极电极)等的铝膜、钛膜、氮化钛膜、钽膜、钼膜或以这些金属的任一种为主要成分的合金膜或叠层膜构成的金属膜6之后，用光刻技术形成光刻胶掩模555。
接着，通过光刻胶掩模进行金属膜6的干法刻蚀，如图8(A)所示，形成数据线6a和漏极电极6b。金属膜6也可以用湿法刻蚀进行加工。
进一步，如图8(B)所示，在数据线6a和漏极电极6b的表面一侧用CVD法等形成膜厚为100nm-800nm的由硅氮化膜构成的第2层间绝缘膜5，形成为以后用来与像素电极电导通的接触孔15’。
接着，如图8(C)所示，例如用旋转涂敷法涂有3.0μm或以上厚度的丙烯酸树脂等的有机类透光性的感光树脂7a后，通过用光刻技术使感光性树脂7a图形化，如图9(A)所示，在表面上形成形成了多个凸部图形7g的凸部形成层7。
这时，虽然要使用具有与应形成的凸部图形7g对应的图形的光掩模，但是在使用正型的感光性树脂的情况下，只要使用凸部图形7g的地方成为遮光图形的光掩模即可。此外，在使用负型的感光性树脂的情况下，则可以使用凸部图形7g成为透光图形的光掩模。
接着，如图9(B)所示，利用光刻技术使在上述第2层间绝缘膜5上形成的接触孔15’上的凸部形成层7开口达到漏极电极6的表面，形成接触孔15。
进一步，对形成了接触孔15的凸部形成层7，实施用高压水银灯进行的脱色曝光。在该情况下，高压水银灯为在大约365nm处具备峰值，以其365nm处的照度成为80mW/cm2或以上进行曝光，此外，还使用遮挡在所发出的光中波长不足到300nm的光的滤光片进行曝光。
通过用这样的高照度的光进行曝光，可以消除在硬化后的树脂中易于产生的着色问题，特别是可以提高波长在400nm附近的光的透过率。另外，在上述曝光工序中，通过将照射能量设定为5J-30J，可以更为有效地进行树脂的脱色。此外，通过在温度100℃-250℃的气氛中进行曝光，可以进一步促进脱色。
在进行脱色曝光后，如图10(A)所示，在凸部形成层7和接触孔15的表面，用溅射法等形成铝、银或它们的合金或者与钛、氮化钛、钼、钽等的叠层膜那样的具备反射性的金属膜9a。
其次，如图10(B)所示，用光刻技术和刻蚀技术，使金属膜9a图形化以形成具备开口部分9d的反射电极9。这样形成的反射电极9，在与漏极电极6b进行电连接的同时，在其表面上还借助于凸部形成层7表面的凸部图形7g形成有没有平坦部分的、平缓的形状的凸部图形9g。
然后，在上述反射电极9和上述开口部分9d上，形成由ITO等的透明导电膜构成的透明电极91。接着，在该透明电极91上形成由聚酰亚胺构成的取向膜12。在形成了聚酰亚胺膜后，只要对其进行摩擦处理即可，经由以上工序后，TFT阵列基板10的制造完成。
另一方面，对于对向基板20来说，在准备由玻璃等构成的基板本体20’，并在与基板本体20’表面的像素间对应的区域上形成遮光膜23后，通过用溅射法等堆积ITO等的透明导电性材料，用光刻法进行图形化，在基板本体20’的几乎整个面上，形成公用电极21。进一步，在在公用电极21的整个面上涂布取向膜形成用的涂敷液之后，施行摩擦处理，形成取向膜22，制造对向基板20。
将如上所述制造的TFT阵列基板10和对向基板20通过密封材料粘贴起来，使得取向膜12、22彼此对向，用真空注入法等的方法向两基板间的空间内注入液晶，形成液晶层50。最后，根据需要在像这样形成的液晶单元的外侧粘贴上相位差板、偏振板等，完成本实施形态的液晶显示装置100。
在本实施形态的液晶显示装置100的制造工艺中，用脱色曝光进行作为绝缘材料的凸部形成层7的脱色，特别是使低波长(波长400nm附近)的光透过性提高。因此，具备用该方法形成的绝缘材料，即凸部形成层的液晶显示装置100，得益于该凸部形成层7而极其难于发生着色等的缺点。
电子设备
图11为表示移动电话的一个例子的立体图。在图11中，标号1000表示移动电话本体，标号1001表示使用上述的液晶显示装置的液晶显示部分。
图12的立体图示出了手表式电子设备的一个例子。在图12中，标号1100表示手表本体，标号1101表示使用上述的液晶显示装置的液晶显示部分。
图13的立体图示出了文字处理机、个人计算机等的便携式信息处理装置的一个例子。在图13中，标号1200表示信息处理装置，标号1202表示键盘等的输入部分，标号1204表示信息处理装置本体，标号1206表示使用上述的液晶显示装置的液晶显示部分。
图11-图13所示的电子设备，由于具备使用上述的液晶显示装置的液晶显示部分，故可以实现可以以宽广的视野角观看明亮的反射显示的液晶显示部分的电子设备。
另外，本发明的保护范围并不限定于上述实施形态，在不脱离本发明的宗旨的范围内进行各种变更是可能的。例如，在上述实施形态中，虽然示出的是在将TFT用做开关元件的有源矩阵方式的液晶显示装置中使用本发明的例子，但是，除此之外在将TFD用做开关元件的有源矩阵方式的液晶显示装置，或者在一对的基板中的每一者上都具备扫描电极、数据电极的无源矩阵方式的液晶显示装置中也可以应用本发明。此外，上述实施形态的像素电极，虽然成为在反射电极上形成透明电极的构成，但是，相反在透明电极上形成反射电极的构造中，也可以应用本发明。此外，在上述实施形态中，虽然示出的是在半透过反射式液晶显示装置中应用本发明的例子，但是在不形成反射板的透过式类型的液晶显示装置中，也可以应用本发明的电光装置用绝缘层。在该情况下，该绝缘材料例如可以构成为元件基板上的平坦化膜。
实施例
以下，对本发明的具体的实施例进行说明。
在上述实施形态中所示出的用高压水银灯进行的脱色曝光中，通过改变各种条件进行了实验，其结果如下实施例所示。
实施例1
如图9(C)所示，用照度80mW/cm2(波长365nm)、60秒、用高压水银灯进行脱色曝光。另外，该情况下的基板温度为约100℃，照射能量为4.8J。在该情况下的脱色曝光中，形成的凸部形成层(绝缘层)，对于波长400nm的色光显示出95％或以上的透过率。
实施例2
如图9(C)所示，用照度100mW/cm2(波长365nm)、300秒、用高压水银灯进行脱色曝光。另外，该情况下的基板温度为约120℃，照射能量为30J。在该情况下的脱色曝光中，形成的凸部形成层(绝缘层)，对于波长400nm的色光显示出95％或以上的透过率。
实施例3
如图9(C)所示，用照度200mW/cm2(波长365nm)、90秒、用高压水银灯进行脱色曝光。另外，在该情况下的基板温度为约250℃，照射能量为18J。在该条件的脱色曝光中，形成的凸部形成层(绝缘层)，对于波长400nm的色光显示出95％以上的透过率。
实施例4
将凸部形成层(绝缘层)形成为使得其厚度为3.0微米。对该凸部形成层(绝缘层)，用与实施例3同样的条件进行脱色曝光时，所得到的凸部形成层(绝缘层)，对于波长400nm的色光显示出95％或以上的透过率。此外，由膜厚为比较厚的3.0微米可知，该凸部形成层(绝缘层)具有良好的绝缘性，而且即便是作为平坦化膜也可以充分地发挥作用。
比较例1
如图9(C)所示，用照度50mW/cm2(波长365nm)、300秒、用高压水银灯进行脱色曝光。另外，在该情况下的基板温度为约100℃，照射能量为15J。在该条件的脱色曝光中，由于照度在本发明的范围之外，形成的凸部形成层(绝缘层)，对于波长400nm的色光显示出不到90％的透过率。
比较例2
如图9(C)所示，用照度300mW/cm2(波长365nm)、30秒、用高压水银灯进行脱色曝光。另外，在该情况下的基板温度为约300℃，照射能量为9J。在该条件的脱色曝光中，虽然可以进行脱色，但是有时候会产生树脂的分解。另外，边借助于冷却风扇对基板进行冷却，边用同一条件进行曝光时，发现形成的凸部形成层(绝缘层)，对于波长400nm的色光显示出95％或以上的透过率，而不伴有上述那样的树脂分解。
比较例3
如图9(C)所示，用照度80mW/cm2(波长365nm)、30秒、用高压水银灯进行脱色曝光。另外，在该情况下，边用冷却风扇把基板温度维持在约50℃，边进行照射，照射能量为2.4J。在该条件的脱色曝光中，由于温度低其结果脱色有些劣化。但是，当把照射时间变成300秒时(在该情况下，照射能量变成为24J)，形成的凸部形成层(绝缘层)，对于波长400nm的色光显示出95％或以上的透过率。
比较例4
如图9(C)所示，用照度300mW/cm2(波长365nm)、300秒、用高压水银灯进行脱色曝光。另外，在该情况下，照射能量为90J，且将基板温度设定为约200℃。在该条件的脱色曝光中，虽然可以进行脱色，但是对于树脂施加了过度的热，有时会发生该树脂的分解，此外，有时对于基板也会因热的影响而产生变形等。
由以上实施例和比较例的结果可知：通过采用照度80mW/cm2或以上的光照射进行曝光，可以进行脱色。此外，还可知特别是将光照射的能量设为5J-30J，将基板温度设定为100-250℃，将进一步提高脱色效率。

Claims (5)

1.一种树脂绝缘层的制造方法，其特征在于包括：
在基板上形成感光性树脂层的工序；
对所形成的感光性树脂层进行曝光的第1曝光工序；
对经曝光的感光性树脂层进行显影的显影工序；
对显影后的感光性树脂层，使基板温度为100℃～250℃，进行照度在80mW/cm2或以上，并且，照射能量密度为5J/cm2～30J/cm2的曝光的第2曝光工序。
2.根据权利要求1所述的树脂绝缘层的制造方法，其特征在于作为上述感光性树脂，使用以丙烯酸树脂为主体的树脂。
3.根据权利要求1或2所述的树脂绝缘层的制造方法，其特征在于上述第2曝光工序，使用在大约365nm处具备发光峰值的高压水银灯，350～380nm的照度在基板上为80mW/cm2或以上。
4.根据权利要求3所述的树脂绝缘层的制造方法，其特征在于在第2曝光工序中，使用遮断从上述高压水银灯发出的光中的波长不到300nm的光的滤光片。
5.一种电光装置的制造方法，它是在一对基板间封入液晶层，在上述一对基板的一方的基板上具有与扫描线和数据线连接的薄膜晶体管、设在上述薄膜晶体管上的树脂绝缘层、和经由设在上述树脂绝缘层上的接触孔与上述薄膜晶体管连接的像素电极的液晶显示装置的制造方法，其特征在于具备权利要求1所述的树脂绝缘层的制造方法。
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