CN1389752A - 电光装置、电子装置、以及电光装置的制造方法 - Google Patents

电光装置、电子装置、以及电光装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明的课题是,利用光刻技术,防止在透明基板上形成感光性树脂层时发生曝光异常,提供一种能显示显示品位高的图像的电光装置、电子装置、以及电光装置的制造方法。制造反射型或半透射半反射型的电光装置100的TFT阵列基板10时,涂敷了感光性树脂13后,在用吸附卡盘500保持着TFT阵列基板10的背面一侧的状态下,从TFT阵列基板的表面一侧对感光性树脂13进行曝光。这时,在感光性树脂层12的下层形成遮光膜1g,所以透过了TFT阵列基板10的光在吸附卡盘500上反射,能避免吸引孔501的痕迹等被复制在感光性树脂13上等的不良现象的发生。

Description

电光装置、电子装置、以及电光装置的制造方法
[发明的详细说明]
[发明所属的技术领域]
本发明涉及电光物质被保持在透明基板上的电光装置、使用它的电子装置、以及电光装置的制造方法。更详细地说，涉及在电光装置中使感光性树脂形成规定的图形用的技术。
[现有的技术]
液晶装置等电光装置被用作各种设备的直视型的显示装置。在这样的电光装置中，例如在有源矩阵型的液晶装置中，如图20所示，相向配置的TFT阵列基板10和对置基板20被用密封材料(图中未示出)贴合在一起，同时作为电光物质的液晶50被保持在基板之间用密封材料划分的区域内。
另外，关于半透射半反射型的液晶装置，有例如作为特愿2001-190293号专利申请的技术等。
一般说来，在反射型或半透射半反射型的液晶装置中，在像素电极9a的下层形成光反射膜8a，用来将从对置基板20一侧入射来的外部光朝向对置基板20一方反射，在TFT阵列基板10一侧反射从对置基板20一侧入射的光，利用从TFT阵列基板10一侧出射的光，在TFT阵列基板10的表面上显示图像。
在这样的反射型或半透射半反射型的液晶装置中，如果被光反射膜8a反射的光的方向性强，则在观察图像的角度内亮度不同等对视角的依赖性变得明显。因此，迄今在制造液晶装置时，如图21(A)所示，在第二层间绝缘膜5(表面保护膜)的表面上厚厚地涂敷了称为丙烯酸树脂等的感光性树脂13后，如图20及图21(B)所示，利用光刻技术对感光性树脂13进行构图，在光反射膜8a的下层与光反射膜8a呈平面重叠的区域中，通过有选择地使凹凸形成用树脂层13a保留规定的图形，在其上层形成的光反射膜8a的表面上形成凹凸图形8g。另外，如图21(C)所示，在凹凸形成用树脂层13a的上层侧涂敷了称为聚硅氨烷或丙烯酸树脂等的流动性材料7后，如图20及图21(D)所示，进行构图，形成上层绝缘膜7a，以便凹凸形成用树脂层13a的边缘等不出现在凹凸图形8g中，或者不形成上层绝缘膜，而在形成了凹凸形成用树脂层13a后，通过烘干工序，在某种程度上得以平滑。
在这样的制造方法中，如图21(A)所示，用在基板的整个表面上涂敷的感光性树脂13形成凹凸形成用树脂层13a时，例如，用吸附卡盘装置500吸附TFT阵列基板10的背面一侧、并在保持状态下，从TFT阵列基板10的表面一侧通过曝光掩模510，照射紫外线(UV)等后进行显影。这里，在吸附卡盘500上设有多个吸引孔501，在吸附卡盘500内一旦抽真空吸引，便用吸引孔501吸附TFT阵列基板10。
[发明要解决的课题]
可是，如果用现有的方法由感光性树脂13形成凹凸形成用树脂层13a，则不能像用曝光掩模510规定的那样对感光性树脂13进行曝光、显影，例如，存在用曝光掩模510规定的图形以外的图形被复制在凹凸形成用树脂层13a上的问题。例如，对感光性树脂13进行曝光时，即使在被曝光掩模覆盖的区域，有时透过了TFT阵列基板10的光被吸附卡盘装置500反射后从背面一侧照射到感光性树脂13a上，吸附孔501的痕迹被复制在凹凸形成用树脂层13a上。这样的曝光异常会直接影响光反射膜8a表面上的凹凸图形8g的形状，这样的影响例如成为使得像素之间凹凸图形8g的形状不均匀、显示的品位下降的原因，所以是不好的。
鉴于以上的问题，本发明的课题在于通过利用光刻技术，防止在透明基板上形成感光性树脂层时的曝光异常，提供一种能显示显示品位高的图像的电光装置、使用它的电子装置、以及电光装置的制造方法。
[解决课题用的方法]
为了解决上述课题，本发明是一种电光装置，其特征在于：在保持电光物质的透明基板上，有按照规定的配置图形形成了凹凸的感光性树脂层；以及在该感光性树脂层的上层与该感光性树脂层呈平面重叠的区域中形成的光反射膜，在该光反射膜的表面上形成对应于上述感光性树脂层的配置图形的凹凸，在上述透明基板上、且在上述感光性树脂层的下层，至少在与形成上述凹凸的区域呈平面重叠的区域中形成遮光膜。
另外，本发明是一种电光装置的制造方法，该电光装置在保持电光物质的透明基板上，有按照规定的配置图形形成了凹凸的感光性树脂层；以及在该感光性树脂层的上层与该感光性树脂层呈平面重叠的区域中形成的先反射膜，在该先反射膜的表面上形成对应于上述感光性树脂层的配置图形的凹凸，该电光装置的制造方法的特征在于：在上述透明基板上形成上述感光性树脂层之前，在该感光性树脂层的下层的规定区域中形成遮光膜，在形成上述感光性树脂层时，将感光性树脂涂敷在上述透明基板的表面一侧后，在用基板保持装置保持了该透明基板的背面一侧的状态下，从该透明基板的表面一侧对上述感光性树脂进行曝光。
这里，上述基板保持装置利用例如在上述透明基板的背面侧中形成上述遮光膜、而且在被曝光掩模遮盖的区域保持该透明基板。
作为这样的基板保持装置，能使用设有吸引上述透明基板的背面侧的吸引孔的吸附卡盘装置。
在本发明中，在透明基板上形成感光性树脂层时，将感光性树脂涂敷在透明基板的表面一侧后，在用基板保持装置保持了该透明基板的背面一侧的状态下，从透明基板的表面一侧对感光性树脂进行曝光，然后进行显影。这里，在透明基板上、且在感光性树脂层的下层形成遮光膜。因此，对感光性树脂进行曝光时，由于能利用遮光膜回避透过透明基板的光被基板保持装置反射后，基板保持装置的形态等被复制在感光性树脂上等不良现象，所以能高精度地形成感光性树脂层。因此，由于能高精度地控制光反射膜表面上的凹凸图形的形状，所以能进行品位高的显示。
在本发明中，上述遮光膜最好在与形成上述反射膜的区域呈平面重叠的大致全部区域中形成。如果这样构成，则形成遮光膜的部分和不形成遮光膜的部分的光的反射状态不同，不会对曝光结果产生影响。
在本发明中，在上述透明基板上对配置成矩阵状的各个像素形成由多层薄膜构成的薄膜元件、以及导电性地连接在该薄膜元件上的透明像素电极的情况下，最好由上述多层薄膜中与某一层为同一层的薄膜形成上述遮光膜。如果这样构成，则由于在电光装置的制造工序中，通过对上述透明基板分别多次进行薄膜的形成工序及构图工序，形成薄膜元件，所以利用该薄膜元件的形成工序，能同时形成上述遮光膜。因此，在透明基板上附加遮光膜的情况下，也不需要追加新的工序。
例如，上述薄膜元件是在上述透明基板上形成的薄膜晶体管的情况下，上述遮光膜最好由与上述薄膜晶体管的有源层为同一层的半导体膜、与上述薄膜晶体管的栅极为同一层的导电膜、以及与上述薄膜晶体管的源极为同一层的导电膜中的某层为同一层的薄膜形成。这里，在由与上述薄膜晶体管的有源层为同一层的半导体膜、与上述薄膜晶体管的栅极为同一层的导电膜、以及与上述薄膜晶体管的源极为同一层的导电膜中的某层为同一层的薄膜形成上述遮光膜的情况下，最好在使该薄膜和遮光膜呈电隔离的状态下形成。但是，在不存在上述遮光膜与另一导电膜构成寄生电容、或者短路的问题的情况下，也可以与上述薄膜晶体管的有源层为同一层的半导体膜、与上述薄膜晶体管的栅极为同一层的导电膜、以及与上述薄膜晶体管的源极为同一层的导电膜中的某层一体地形成上述遮光膜。
另外，上述薄膜元件是在上述透明基板上形成的蓄积电容元件的情况下，也可以由与上述蓄积电容元件的下电极或上电极为同一层的导电膜形成上述遮光膜。在此情况下，最好在使蓄积电容元件的下电极或上电极与作为遮光膜的导电膜呈电隔离的状态下形成。但是，在不存在上述遮光膜与另一导电膜构成寄生电容、或者短路的问题的情况下，也可以与上述蓄积电容元件的下电极或上电极一体地形成上述遮光膜。
在本发明中，在上述透明基板上、且在上述薄膜元件的下层形成基底保护膜的情况下，上述遮光膜也可以是在该基底保护膜的下层形成的结构。
在本发明中，能采用上述遮光膜与上述像素电极呈电隔离的结构。
与此不同，在对上述每个像素独立地形成上述遮光膜的情况下，在每个像素中也可以采用上述遮光膜和上述像素电极导电性连接的结构。
在本发明中，在上述透明基板上的各像素中，构成由上述反射膜反射从上述透明基板的表面一侧入射的光的反射区域、以及使从上述透明基板的背面一侧入射的光透射的透射区域的情况下，在上述反射区域形成上述遮光膜。
在本发明中，上述电光物质例如是液晶。在此情况下，将上述透明基板作为第一透明基板，相对于该第一透明基板相向地配置第二透明基板，将作为上述电光物质的液晶保持在该基板之间。
应用了本发明的电光装置可作为移动电话机、便携式计算机等电子装置的显示装置使用。
[附图的简单说明]
图1是从对置基板一侧看电光装置时的平面图。
图2是图1中的H-H’线的剖面图。
图3是在电光装置中呈矩阵状配置的多个像素中形成的各种元件、布线等的等效电路图。
图4是表示在本发明的实施例1的电光装置中，形成了TFT阵列基板的各像素的结构的平面图。
图5(A)、(B)是分别表示图4所示的电光装置中使用的TFT阵列基板中相对于各像素的光反射膜的形成区域的平面图、以及相对于各像素的遮光膜的形成区域的平面图。
图6是在相当于图4中的A-A’线的位置切断图4所示的电光装置的像素的一部分时的剖面图。
图7(A)～(D)是表示本发明的实施例1的电光装置的TFT阵列基板的制造方法的工序剖面图。
图8(A)～(D)是表示在本发明的实施例1的电光装置的TFT阵列基板的制造方法中，继图7所示的工序之后进行的各工序的剖面图。
图9(A)～(C)是表示在本发明的实施例1的电光装置的TFT阵列基板的制造方法中，继图8所示的工序之后进行的各工序的剖面图。
图10(A)～(D)是表示在本发明的实施例1的电光装置的TFT阵列基板的制造方法中，继图9所示的工序之后进行的各工序的剖面图。
图11(A)～(D)是表示在本发明的实施例1的电光装置的TFT阵列基板的制造方法中，继图10所示的工序之后进行的各工序的剖面图。
图12是在相当于图4中的A-A’线的位置切断本发明的实施例1的变例的电光装置的像素的一部分时的剖面图。
图13是在相当于图4中的A-A’线的位置切断本发明的实施例2的电光装置的像素的一部分时的剖面图。
图14是在相当于图4中的A-A’线的位置切断本发明的实施例2的变例的电光装置的像素的一部分时的剖面图。
图15是在相当于图4中的A-A’线的位置切断本发明的实施例3的电光装置的像素的一部分时的剖面图。
图16是在相当于图4中的A-A’线的位置切断本发明的实施例4的电光装置的像素的一部分时的剖面图。
图17是表示作为显示装置使用了本发明的电光装置的电子装置的电路结构框图。
图18是表示作为使用了本发明的电光装置的电子装置的一个实施例的便携式个人计算机的说明图。
图19是表示作为使用了本发明的电光装置的电子装置的一个实施例的移动电话机的说明图。
图20是现有的电光装置的像素的一部分的剖面图。
图21是表示在现有的电光装置的制造方法中，形成凹凸形成用树脂层及上层绝缘膜的工序的剖面图。
[发明的实施例]
参照附图，说明本发明的实施例。
[实施例1]
(电光装置的基本结构)
图1是从对置基板一侧与各构成要素一起观看应用了本发明的电光装置时的平面图，图2是图1中的H-H’线的剖面图。图3是在电光装置的图像显示区域中呈矩阵状形成的多个像素中的各种元件、布线等的等效电路图。另外，在说明本形态用的各图中，为了使各层或各构件达到在附图上能看到的程度的大小，所以各层或各构件的比例尺不同。
在图1及图2中，本形态的电光装置100利用密封材料52将TFT阵列基板10(第一基板)和对置基板20(第二基板)贴合在一起，作为电光物质的液晶50被夹持在用该密封材料52划分的区域(液晶封入区域)内。在密封材料52的形成区域的内侧区域形成由遮光性材料构成的周边区分部53。在密封材料52的外侧区域中，沿着TFT阵列基板10的一边形成数据线驱动电路101、以及安装端子102，沿着与该一边相邻的两边形成扫描线驱动电路104。在TFT阵列基板10的剩余的一边上设有多条布线105，用来将设置在图像显示区域两侧的扫描线驱动电路104之间连接起来，另外，有时利用周边区分部53的下方等，设置预充电电路或检查电路。另外，在对置基板20的角部的至少一个部位，形成基板间导通材料106，用来导电性地使TFT阵列基板10和对置基板20之间导通。
另外，也可以利用下述的方法来代替在TFT阵列基板10上形成数据线驱动电路101及扫描线驱动电路104：例如，通过各向异性导电膜，导电性地及机械性地将安装了驱动用LSI的TAB(带式自动键合)基板与在TFT阵列基板10的周边部形成的端子组连接起来。另外，在电光装置100中按照所使用的液晶50的种类、即TN(扭曲向列)模式、STN(超TN)模式等工作模式、或常白模式/常黑模式的区别，以规定的方向配置了偏振膜、相位差膜、偏振片等，在这里的图示中均被省略了。
另外，在作为彩色显示用构成电光装置100的情况下，在对置基板20中，且在TFT阵列基板10的与各像素电极(将在后面说明)相向的区域中与其保护膜一起形成RGB滤色片。
在具有这样的结构的电光装置100的图像显示区域10a中，如图3所示，多个像素100a呈矩阵状地构成，同时在各个像素100a上形成像素电极9a、以及驱动该像素电极9a用的像素开关用的TFT30，供给像素信号S1、S2…Sn的数据线6a导电性地连接在该TFT30的源极上。写入数据线6a的像素信号S1、S2…Sn可以按照该顺序及线顺序供给，也可以对相邻的多条数据线6a之间按照每一组供给。另外，扫描线3a导电性地连接在TFT30的栅极上，按照规定的时序，以脉冲形式将扫描信号G1、G2…Gm按照该顺序及线顺序加在扫描线3a上。像素电极9a导电性地连接在TFT30的漏极上，通过以一定的期间使作为开关元件的TFT30呈导通状态，按照规定的时序将从数据线6a供给的像素信号S1、S2…Sn写入各像素中。这样，通过像素电极9a被写入液晶中的规定电平的像素信号S1、S2…Sn在图2所示的对置基板20上的相对电极21之间保持恒定的期间。
这里，液晶50利用所施加的电压电平，改变分子集合的取向和向序，对光进行调制，能进行灰度显示。如果是常白模式，则对应于施加的电压，入射光通过该液晶50的部分的光量下降，如果是常黑模式，则对应于施加的电压，入射光通过该液晶50的部分的光量增加。其结果是，作为整体从电光装置100射出具有对应于像素信号S1、S2…Sn的对比度的光。
另外，为了防止被保持的像素信号S1、S2…Sn泄漏，有时与在像素电极9a和相对电极之间形成的液晶电容并联地附加蓄积电容60。例如，利用蓄积电容60能将像素电极9a的电压保持得比施加了源极电压的时间长3个数量级的时间。因此，能改善电荷的保持特性，实现对比度比高的电光装置100。另外，作为形成蓄积电容60的方法，如图3中的例示，在与作为形成蓄积电容60用的布线的电容线3b之间形成，或者在与前级的扫描线3a之间形成均可。
(TFT阵列基板的结构)
图4是本形态的电光装置中使用的TFT阵列基板上的相邻的多个像素组的平面图。图5(A)、(B)是分别表示在本形态的电光装置中使用的TFT阵列基板中相对于各像素的光反射膜的形成区域的平面图、以及相对于各像素的遮光膜的形成区域的平面图。图6是在相当于图4中的A-A’线的位置切断电光装置的像素的一部分时的剖面图。
在图4中，在TFT阵列基板10上呈矩阵状地形成由多个透明的ITO(Indium Tin Oxide，氧化铟锡)膜构成的像素电极9a，像素开关用的TFT30分别连接在这些像素电极9a上。另外，沿像素电极9a的纵横边界形成数据线6a、扫描线3a、以及电容线3b，TFT30连接在数据线6a及扫描线3a上。即，数据线6a通过接触孔导电性地连接在TFT30的高浓度源区1d上，像素电极9a通过接触孔导电性地连接在TFT30的高浓度漏区1e上。另外，延伸扫描线3a，以便与TFT30的沟道区1a’相向。另外，蓄积电容60(蓄积电容元件)这样构成：将形成像素开关用的TFT30用的半导体膜1的延伸部分1f被导电化了的部分作为下电极，与扫描线3b为同一层的电容线3b作为上电极重叠在该下电极41上。
在这样构成的各像素100a中，如图5所示，形成像素电极9a的区域中打有向右下方倾斜的斜线的区域成为按照透射模式进行显示的透射区域100b，如图5(A)所示，打有向左下方倾斜的斜线的区域成为利用后面所述的光反射膜按照反射模式进行显示的反射区域100c。
在这样构成的各像素100a中，反射区域100c在A-A’线处的剖面如图6所示，在作为TFT阵列基板10的基体的透明基板10’的表面上形成由厚度为300nm～500nm的氧化硅膜(绝缘膜)构成的基底保护膜11a，在该基底保护膜11a的表面上形成厚度为50nm～100nm的岛状的半导体膜1a。在半导体膜1a的表面上形成由厚度约为50nm～150nm的氧化硅膜构成的栅绝缘膜2a，在该栅绝缘膜2a的表面上作为栅极通过厚度为300nm～800nm的扫描线3a。半导体膜1a中通过栅绝缘膜2a与扫描线3a相对的区域成为沟道区1a’。与该沟道区1a’相对地在另一侧形成备有低浓度源区1b及高浓度源区1 d的源区，在另一侧形成备有低浓度漏区1c及高浓度漏区1e的漏区。
在像素开关用的TFT30的表面一侧形成由厚度为300nm～800nm的氧化硅膜构成的第一层间绝缘膜4、以及由厚度为100nm～300nm的氮化硅膜构成的第二层间绝缘膜5(表面保护膜)。在第一层间绝缘膜4的表面上形成厚度为300nm～800nm的数据线6a，该数据线6a通过在第一层间绝缘膜4上形成的接触孔，导电性地连接在高浓度源区1d上。在第一层间绝缘膜4的表面上形成与数据线6a同时形成的漏极6b，该漏极6b通过在第一层间绝缘膜4上形成的接触孔，导电性地连接在高浓度漏区1e上。
在第二层间绝缘膜5的上层上形成由丙烯酸树脂等感光性树脂构成的上层绝缘膜7a，在该上层绝缘膜7a的表面上形成由铝膜等构成的光反射膜8a。
在光反射膜8a的上层上形成由ITO膜构成的透明的像素电极9a。像素电极9a直接层叠在光反射膜8a的表面上，像素电极9a和光反射膜8a被导电性地连接。另外，像素电极9a通过在上层绝缘膜7a及第二层间绝缘膜5上形成的接触孔，导电性地连接在漏极6b上。
在像素电极9a的表面一侧形成由聚酰亚胺膜构成的取向膜12。该取向膜12是对聚酰亚胺膜进行了摩擦处理的膜。
另外，来自高浓度漏区1e的延伸部分1f(下电极)和与其相向的与扫描线3a为同一层的电容线3b作为上电极，两者之间夹着与栅绝缘膜2a同时形成的绝缘膜(电介质膜)，构成蓄积电容60。
另外，如上所述，TFT30最好具有LDD结构，但在相当于低浓度源区1b及低浓度漏区1c的区域中，也可以具有不进行杂质离子的掺入的偏移结构。另外，TFT30也可以是将栅极(扫描线3a的一部分)作为掩模，以高浓度注入杂质离子，自对准地形成了高浓度的源区及漏区的自对准型的TFT。
另外，在本形态中，虽然构成了只将一个TFT30的栅极(扫描线3a)配置在源-漏区之间的单栅结构，但也可以在它们之间配置两个以上的栅极。这时，同一信号被加在各个栅极上。这样，如果用两个栅极(双栅)或三个以上的栅极构成TFT30，则能防止沟道和源-漏区的接部的漏泄电流，能降低截止时的电流。如果将这些栅极中的至少一个构成LDD结构或偏移结构，则能进一步降低截止电流，获得稳定的开关元件。
(凹凸图形的结构)
如图6所示，在TFT阵列基板10的各像素100a的反射区域100c中，且在光反射膜8a的表面上除了TFT30的形成区以外的区域(光反射膜形成区/参照图4)中，形成备有凸部8b及凹部8c的凹凸图形8g。
在构成这样的凹凸图形8g时，在本形态的TFT阵列基板10中，在光反射膜8a的下层中与光反射膜8a呈平面重叠的区域中，在第二层间绝缘膜5的表面上厚厚地形成由丙烯酸树脂等感光性树脂构成的凹凸形成用树脂层13a，在该凹凸形成用树脂层13a的上层上层叠由聚硅氨烷或丙烯酸树脂等流动性材料形成的绝缘膜构成的上层绝缘膜7a。因此，在光反射膜8a的表面上利用由凹凸形成用树脂层13a的有无引起的凹凸，形成凹凸图形8g，在该凹凸图形8g中，利用上层绝缘膜7a，以使凹凸形成用树脂层13a的边缘等不出现。另外，有时不形成上层绝缘膜7a，而在形成了凹凸形成用树脂层13a后，通过执行烘干工序，使凹凸平滑。
(遮光膜的结构)
在这样构成的TFT阵列基板10中，在各像素100a的反射区域100c中，在凹凸形成用树脂层13a的下层中至少由凹凸形成用树脂层13a在光反射膜8a的表面上与形成凹凸图形的区域呈平面重叠的区域中，形成由构成TFT30的有源层的与半导体膜1a为同一层的半导体膜构成的遮光膜1g(参照图5(B))。在本形态中，遍及与光反射膜8a重叠的大致全部区域良好地形成半导体膜1a。这里，遮光膜1g是与半导体膜1a同时形成的半导体膜，具有遮光性。另外，遮光膜1g与来自蓄积电容60的高浓度漏区1e的延伸部分1f(下电极)为同一层。
另外，在与构成TFT30的有源层的半导体膜1a及蓄积电容60的下电极为同一层上，形成遮光膜1g，而且，由于杂质离子的导入而具有导电性，但如图5(B)及图6所示，由于间隙1”得到确保，所以这些半导体膜之间在电气上能完全被隔离。因此，遮光膜1g不会妨碍各像素100a的工作。另外，即使在遮光膜1g与其他导电膜(数据线6a等)重叠构成的情况下，也不会形成不必要的电容分量。
(对置基板的结构)
在图6中，在对置基板20中，在与在TFT阵列基板10上形成的像素电极9a的纵横边界区域相向的区域中，形成黑矩阵或称为黑带等的遮光膜23，在其上层形成由ITO膜构成的相对电极21。另外，在相对电极21的上层形成由聚酰亚胺膜构成的取向膜22，该取向膜22是对聚酰亚胺膜进行了摩擦处理的膜。
(本形态的电光装置的作用)
这样构成的电光装置100是反射型的液晶装置，在像素电极9a的下层形成由铝膜等构成的光反射膜8a。因此，使从对置基板20一侧入射的光在TFT阵列基板10一侧反射，能从对置基板20一侧出射，所以如果在其间利用液晶50在每个像素100a中进行光调制，则能利用外部光显示所希望的图像(反射模式)。
另外，在电光装置100中，形成光反射膜8a，以便避免形成图4中用两点点划线表示的区域8’，所以具有作为半透射半反射型的液晶装置的功能。即，从配置在TFT阵列基板10一侧的背光装置(图中未示出)射出的光入射到TFT阵列基板10一侧后，在各像素100a中形成像素电极9a的区域中，通过未形成光反射膜8a的透射区域100b，向对置基板20一侧透射。因此，如果利用液晶50对每个像素100a进行光调制，则利用从背光装置射出的光，能显示所希望的图像(透射模式)。
另外，在本形态中，在光反射膜8a的下层侧中与光反射膜8a呈平面重叠的区域中，按照规定的图形有选择地形成凹凸形成用树脂层13a，利用由该凹凸形成用树脂层13a的有无引起的台阶、凹凸，在光反射膜8a的表面上形成凹凸图形8g。而且，在凹凸图形8g中，利用上层绝缘膜7a，使凹凸形成用树脂层13a的边缘等不出现。因此，用反射模式显示图像时，使从对置基板20一侧入射的光在光反射膜8a上被反射时，由于光发生散射，所以图像上不容易发生与视角的依赖性。
[TFT的制造方法]
参照图7至图11，说明制造这样构成的TFT阵列基板10的方法。图7、图8、图9、图10及图11是表示本形态的TFT阵列基板11的制造方法的工序剖面图，在任何图中，都示出了TFT形成区域、以及光反射膜形成区域(反射区域)中在TFT形成区域以外的区域中形成凹凸形成用树脂层的区域的剖面。
首先，如图7(A)所示，准备了用超声波清洗等方法清洗过的玻璃等制的基板10’后，在基板温度为150℃～450℃的温度条件下，采用等离子体CVD法在基板10’的整个表面上形成厚度为300nm～500nm的由氧化硅膜构成的基底保护膜11。作为这时的原料气体，能使用例如甲硅烷和笑气的混合气体或TEOS和氧、或乙硅烷和氨。
其次，在基板温度为150℃～450℃的温度条件下，采用等离子体CVD法在基板10’的整个表面上形成厚度为300nm～500nm的由非晶硅膜构成的半导体膜1。作为这时的原料气体，能使用例如乙硅烷或甲硅烷。其次，用激光照射半导体膜1，进行激光退火。其结果是，非晶形的半导体膜1一度熔融，经过冷却固化过程而结晶。这时，对各区域照射激光的时间非常短，而且，照射区域相对于整个基板来说也是局部的，所以并非将整个基板同时加热到高温。因此，作为基板10’即使使用玻璃基板等，也不会发生由热引起的变形或裂纹等。
其次，利用光刻技术在半导体膜1的表面上形成抗蚀剂掩模551，通过该抗蚀剂掩模551对半导体膜1进行刻蚀，如图7(B)所示，以各自隔离的状态形成用来形成岛状的半导体膜1a(有源层)及遮光膜1g用的半导体膜。
其次，在350℃以下的温度条件下，采用CVD法等，在基板10’的整个表面上、并在半导体膜1a的表面上，形成厚度为50nm～150nm的由氧化硅膜等构成的栅绝缘膜2。作为这时的原料气体，能使用例如TEOS和氧的混合气体。这里形成的栅绝缘膜2也可以是氮化硅膜，以代替氧化硅膜。
其次，虽然图中未示出，但通过规定的抗蚀剂掩模，将杂质离子注入半导体膜1a的延伸部分1f中，形成在与电容线3b之间构成蓄积电容60用的下电极。
其次，如图7(C)所示，用溅射法等在基板10’的整个表面上，形成厚度为300nm～800nm的供形成扫描线3a等用的铝膜、钽膜、钼膜、或由这些金属中的某一种为主成分的合金膜构成的导电膜3，然后利用光刻技术形成抗蚀剂掩模552。
其次，通过抗蚀剂掩模552，对导电膜3进行干法刻蚀，如图7(D)所示，形成扫描线3a(栅极)、电容线3b等。
其次，在像素TFT部及驱动电路的N沟道TFT部(图中未示出)一侧，将扫描线3a和栅极作为掩模，按照约0.1×1013/cm2～约10×1013/cm2的剂量注入低浓度的杂质离子(磷离子)，对扫描线3a自对准地形成低浓度源区1b及低浓度漏区1c。这里，由于位于扫描线3a的正下方，所以未导入杂质离子的部分成为半导体膜1a的直接沟道区1a’。
其次，如图8(A)所示，在像素TFT部形成比扫描线3a(栅极)宽度宽的抗蚀剂掩模553，按照约0.1×1015/cm2～约10×1015/cm2的剂量注入高浓度的杂质离子(磷离子)，形成高浓度源区1b及漏区1d。
代替这些杂质导入工序，也可以不进行低浓度的杂质的注入，而是在形成了比栅极的宽度宽的抗蚀剂掩模的状态下，注入高浓度的杂质(磷离子)，形成偏移结构的源区及漏区。另外，当然也可以将扫描线3a作为掩模，注入高浓度的杂质，形成自对准结构的源区及漏区。
另外，虽然图中未示出，但利用这样的工序，形成外围驱动电路部的N沟道TFT部，但这时要用掩模覆盖P沟道TFT部。另外，形成外围驱动电路部的P沟道TFT部时，用抗蚀剂覆盖像素部及N沟道TFT部，进行保护，将栅极作为掩模，按照约0.1×1015/cm2～约10×1015/cm2的剂量注入硼离子，自对准地形成P沟道的源·漏区。这时，与N沟道TFT部的形成时相同，将栅极作为掩模，按照约0.1×1013/cm2～约10×1013/cm2的剂量导入低浓度的杂质(硼离子)，在多晶硅膜上形成了低浓度区域后，形成比栅极宽度宽的掩模，按照约0.1×1015/cm2～约10×1015/cm2的剂量注入高浓度的杂质(硼离子)，形成LDD结构(轻掺杂漏结构)的源区及漏区即可。另外，也可以不进行低浓度的杂质的注入，而是在形成了比栅极的宽度宽的掩模的状态下，注入高浓度的杂质(磷离子)，形成偏移结构的源区及漏区。利用这些离子注入工序，能实现CMOS化，安装在外围驱动电路的同一基板内。
其次，如图8(B)所示，用CVD法等在扫描线3a的表面一侧形成厚度为300nm～800nm的由氧化硅膜等构成的第一层间绝缘膜4。这时的原料气体能使用例如TEOS和氧的混合气体。
其次，用光刻技术形成抗蚀剂掩模554。
其次，通过抗蚀剂掩模554，对第一层间绝缘膜4干法刻蚀，如图8(C)所示，在第一层间绝缘膜4中，在与源区及漏区对应的部分等上分别形成接触孔。
其次，如图8(D)所示，用溅射法等在第一层间绝缘膜4的表面一侧，形成厚度为300nm～800nm的供构成数据线6a(源极)等用的铝膜、钽膜、钼膜、或由这些金属中的某一种为主成分的合金膜构成的导电膜6，然后利用光刻技术形成抗蚀剂掩模555。
其次，通过抗蚀剂掩模555，对导电膜6进行干法刻蚀，如图9(A)所示，形成数据线6a、以及漏极6b。
其次，如图9(B)所示，用DVD法等在数据线6a、以及漏极6b的表面一侧形成厚度为100nm～300nm的由氮化硅膜或丙烯酸树脂等构成的第二层间绝缘膜5，然后利用光刻技术，在第二层间绝缘膜5上形成用来形成接触孔等的抗蚀剂掩模556。
其次，通过抗蚀剂掩模556，对第二层间绝缘膜5进行干法刻蚀，如图9(C)所示，在第二层间绝缘膜5中，在与漏极14对应的部分上形成接触孔。
其次，如图10(A)所示，在第二层间绝缘膜5的表面上厚厚地涂敷丙烯酸树脂等感光性树脂13后，用光刻技术对感光性树脂13进行构图，如图10(B)所示，在光反射膜8a的下层中与光反射膜8a呈平面重叠的区域中(参照图6)，按照规定的图形有选择地保留凹凸形成用树脂层13a。
利用这样的光刻技术形成凹凸形成用树脂层13a时，如图10(A)所示，在该曝光工序中，用平台状的吸附卡盘装置500(基板保持装置)吸附涂敷了感光性树脂13的TFT阵列基板10的背面一侧，并在保持着的状态下，从TFT阵列基板10的表面一侧通过曝光掩模510照射紫外线(UV)等。在该吸附卡盘500上设有许多吸引孔501，在吸附卡盘500内一旦抽真空吸引，便用吸引孔501吸附TFT阵列基板10。
进行这样的工序时，作为感光性树脂13，可以使用负型及正型中的任意一种，但在图10(A)中，作为感光性树脂13，举例示出了正型的情况，通过曝光掩模510上的开口511，对欲除去感光性树脂13的部分照射紫外线。在这样的情况下，使吸附卡盘500上形成了吸引孔501的区域与遮光膜1g的形成区域重叠，而且，如果限定在被曝光掩模510遮挡的区域，则对感光性树脂13进行曝光时，至少紫外线不会到达吸附卡盘500上形成了吸引孔501的区域，所以能防止发生吸引孔501的痕迹被复制在感光性树脂13上等不良现象。
另外，虽然省略了图示，但在作为感光性树脂13使用负型的情况下，通过曝光掩模510上的开口511只对感光性树脂13中作为凹凸形成用树脂层13a欲保留的部分照射紫外线，对其他区域不照射紫外线。另外，照射到保留凹凸形成用树脂层13a的区域以外的区域上的光即使透过TFT阵列基板10，也会被遮光膜1g遮挡。因此，对感光性树脂13进行曝光时，透过了TFT阵列基板10的光在吸附卡盘500上反射，能防止发生吸引孔501的痕迹被复制在感光性树脂13上等不良现象。
而且，关于遮光膜1g，由于在与光反射膜8a呈平面重叠的大致全部区域上形成，所以有遮光膜1g的部分和没有遮光膜1g的部分的光的反射差异对曝光结果没有影响。
其次，如图10(C)所示，在第二层间绝缘膜5及凹凸形成用树脂层13a的表面侧涂敷了全氢聚硅氨烷或含有它的组成物后，进行烧制，或者在涂敷了由丙烯酸树脂制成的流动性材料7后，使其固化，接着，如图10(D)所示，利用光刻技术，形成备有接触孔的上层绝缘膜7a。
另外，所谓全氢聚硅氨烷是无机聚硅氨烷的一种，是通过在大气中进行烧制而转化为氧化硅膜的涂敷型涂料。例如，东燃(株)制的聚硅氨烷是以-(SiH2NH)-为单位的无机聚合物，能溶于二甲苯等有机溶剂中。因此，如果将该无机聚合物的有机溶剂溶液(例如，20％二甲苯溶液)作为涂敷液，用旋转涂敷法(例如，2000rpm、20秒)涂敷后，在450℃的温度下在大气中烧制，则与水或氧反应，能获得与用CVD法成膜的氧化硅膜同等以上致密的非晶质的氧化硅膜。
这里，由于通过涂敷具有流动性的材料形成上层绝缘膜7a，所以在上层绝缘膜7a的表面上适度地消除了由凹凸形成用树脂层13a的有无引起的台阶、凹凸，能形成没有棱边的平滑形状的凹凸图形。
其次，如图11(A)所示，利用溅射法等在上层绝缘膜7a的表面上形成铝膜等具有反射性的金属膜8后，用光刻技术形成抗蚀剂掩模557。
其次，通过抗蚀剂掩模557对金属膜8进行刻蚀，如图11(B)所示，在规定的区域保留光反射膜8a。在这样形成的光反射膜8a的表面上，利用由凹凸形成用树脂层13a和它们的非形成区域形成的台阶和凹凸，形成500nm以上、甚至800nm以上的凹凸图形8g，而且，该凹凸图形8g利用上层绝缘膜7a而变成没有棱边的平滑形状的凹凸图形。
其次，如图11(C)所示，用溅射法等在光反射膜8a的表面一侧形成了厚度为40nm～200nm的ITO膜9后，用光刻技术形成抗蚀剂掩模558。
其次，通过抗蚀剂掩模558对ITO膜9进行刻蚀，如图11(D)所示，形成导电性地连接在漏极6b上的像素电极9a。
然后，如图6所示，在像素电极9a的表面一侧规定的区域中形成聚酰亚胺膜(取向膜12)。在它上面将以5～10重量％的聚酰亚胺或聚酰胺酸溶解在丁基溶纤剂或n-甲基吡咯烷酮等的熔剂中而得到的聚酰亚胺·清漆进行胶印后进行加热·固化(烧制)。然后，用人造丝纤维构成的抛光布，沿着一定的方向摩擦形成了聚酰亚胺膜的基板，使聚酰亚胺分子在表面附近沿一定方向排列。其结果是，由于后来填充的液晶分子和聚酰亚胺分子的相互作用，液晶分子沿一定方向排列。
其结果是，制成TFT阵列基板10。这些制造工序中，在参照图10(A)说明的曝光工序中，在形成凹凸形成用树脂层13a之前，在其下层侧的规定区域形成遮光膜1g，对感光性树脂13进行曝光时，透过TFT阵列基板10的光在吸附卡盘500上反射，用遮光膜1g防止开口511的痕迹被复制在感光性树脂13上。因此，能高精度地形成凹凸形成用树脂层13a，所以能高精度地控制光反射膜8a表面上的凹凸图形8g的形状。因此，在使用该TFT阵列基板10的电先装置100中，能进行品位高的显示。
另外，在本形态中，由于与TFT30的半导体膜1a同时形成遮光膜1g，所以即使附加遮光膜1g时，也不需要追加新的工序。
[实施例1的变例]
图12是在相当于图4中的A-A’线的位置切断本发明的实施例1的变例的电光装置的像素的一部分时的剖面图。另外，本例的电光装置的基本结构与实施例1大致相同，所以对共同的部分标以相同的符号，示于图12中，它们的说明从略。
在实施例1中，在与构成TFT30的有源层的半导体膜1a、以及蓄积电容60的下电极为同一层上形成遮光膜1g，但用间隙1”进行了电隔离。可是，由于对每一像素独立地形成遮光膜1g，所以如果没有与其他导电膜构成电容的可能性或者短路的问题，则如图12所示，也可以没有图6所示的间隙1”，从构成TFT30的有源层的半导体膜1a或蓄积电容60的下电极直接延伸。
如果这样构成，则在各像素中，遮光膜1g通过TFT30的漏区导电性地连接在像素电极9a上。其结果是，遮光膜1g的电位被固定，所以能防止由遮光膜1g的电位变化引起的显示变差。
另外，如果按照蓄积电容60的下电极扩展后的部分，扩展蓄积电容60的上电极(电容线3b)，则能增大蓄积电容60的电容值。而且，如果这样构成，即使增大蓄积电容60的电容值，由于该区域在反射显示区域中只不过位于光反射膜8a的下层，所以不会降低有助于显示的光量。
[实施例2]
图13是在相当于图4中的A-A’线的位置切断本发明的实施例2的电光装置的像素的一部分时的剖面图。另外，本实施例以及以下说明的任意的实施例的基本结构都与实施例1相同，所以对共同的部分标以相同的符号进行图示，同时省略其说明。
在实施例1中，虽然将与TFT30的半导体膜1a为同一层的半导体膜作为遮光膜1g利用，但如图13所示，也可以将与源极(数据线6a)为同一层的导电膜6g作为遮光膜利用。在此情况下，也确保作为遮光膜的导电膜6g和源极(数据线6a)之间的间隙，使它们之间实现电隔离。
这里，如果在与光反射膜8a呈平面重叠的大致全部区域中形成遮光膜6g，则有遮光膜6g的部分和没有遮光膜6g的部分的光的反射对曝光结果没有影响。
[实施例2的变例]
图14是在相当于图4中的A-A’线的位置切断本发明的实施例2的变例的电光装置的像素的一部分时的剖面图。
在实施例2中，遮光膜6g虽然与漏极6b在同一层上形成，但电气上被隔离。可是，由于对每个像素独立地形成遮光膜6g，所以如果没有与其他导电膜构成电容的可能性或者短路的问题，则如图14所示，也可以从漏极6b直接延伸。
如果这样构成，则在各像素中，遮光膜6g通过漏极6b导电性地连接在像素电极9a上。其结果是，遮光膜6g的电位被固定，所以能防止由遮光膜6g的电位变化引起的显示变差。
另外，虽然省略了图示，但如果遮光膜6g没有与其他导电膜构成电容的可能性或者与其他布线等短路的可能性，则也可以从源极(数据线6a)延伸。
[实施例3]
图15是在相当于图4中的A-A’线的位置切断本发明的实施例3的电光装置的像素的一部分时的剖面图。
在实施例1中，虽然将与TFT30的半导体膜1a为同一层的半导体膜作为遮光膜1g利用，但如图13所示，也可以将与栅极(扫描线3a)为同一层的导电膜3g作为遮光膜利用。在此情况下，也可以说遮光膜3g与作为蓄积电容60的上电极的电容线3b为同一层。在这样构成的情况下，在作为遮光膜的导电膜3g与栅极(扫描线3a)之间确保间隙，使它们之间实现电隔离。
这里，如果在与光反射膜8a呈平面重叠的大致全部区域中形成遮光膜3g，则有遮光膜3g的部分和没有遮光膜3g的部分的光的反射对曝光结果没有影响。
另外，如果没有与其他导电膜构成电容的可能性或者与其他布线等短路的可能性，则遮光膜3g也可以从电容线3b延伸。
另外，在对每个像素独立地形成遮光膜3g的情况下，如果没有与其他导电膜构成电容的可能性或者短路的问题，则在各像素中也可以直接通过接触孔、或者通过其他导电膜将遮光膜3g导电性地连接在像素电极9a上。
[实施例4]
图16是在相当于图4中的A-A’线的位置切断本发明的实施例4的电光装置的像素的一部分时的剖面图。
在实施例1、2、3中，虽然利用与构成TFT3 0的薄膜为同一层的薄膜形成遮光膜，但在本形态中，如图16所示，在基底保护膜11的下层形成遮光膜15。如果是这样的遮光膜15，则由于没有与其他导电膜等短路的可能性，所以除了透射区域100b以外，能在整个表面上形成遮光膜15。
另外，在对每个像素独立地形成遮光膜15的情况下，在各像素中，也可以直接通过接触孔或通过其他导电膜，将遮光膜15导电性地连接在像素电极9a上。
[其他实施例]
上述的任意一种形态都是形成一层遮光膜的例子，但也可以将实施例1至实施例4中说明的遮光膜组合起来使用。
另外，在上述任意一种形态中，虽然在感光性树脂层的下层与该感光性树脂层呈平面重叠的区域中形成遮光膜，但在与吸附卡盘装置500的吸引孔501重叠的区域中形成遮光膜的情况下，也可以在与感光性树脂层呈平面重叠的区域以外的区域中形成。
另外，在上述任意一种形态中，虽然举例说明了作为像素开关元件使用TFT的有源矩阵型的液晶装置，但本发明也适用于作为像素开关元件使用TFD的有源矩阵型的液晶装置、或无源矩阵型的液晶装置、以及使用液晶以外的电光物质的电光装置。
[电光装置在电子装置中的应用]
这样构成的反射型、或半透射半反射型的电光装置100能作为各种电子装置的显示部使用，现参照图17、图18和图19，说明其一个例子。
图17是表示将本发明的电光装置作为显示装置用的电子装置的电路结构框图。
在图17中，电子装置有：显示信息输出源70、显示信息处理电路71、电源电路72、时序发生器73、以及液晶装置74。另外，液晶装置74有液晶显示面板75及驱动电路76。作为液晶装置74能使用上述的电光装置100。
显示信息输出源70备有ROM(只读存储器)、RAM(随机存取存储器)等存储器、各种盘等存储单元、以及调谐输出数字图像信号的调谐电路等，根据由时序发生器73生成的各种时钟信号，将规定格式的图像信号等显示信息供给显示信息处理电路71。
显示信息处理电路71备有串行-并行变换电路、放大·反相电路、旋转电路、灰度系数校正电路、箝位电路等众所周知的各种电路，进行输入的显示信息的处理，将其图像信号与时钟信号CLK一起供给驱动电路76。电源电路72将规定的电压供给各构成要素。
图18表示作为本发明的电子装置的一个实施例的便携式个人计算机。这里所示的个人计算机80有：备有键盘81的主机部82、以及液晶显示单元83。液晶显示单元83包括上述的电光装置100构成。
图19表示作为本发明的电子装置的另一实施例的移动电话机。这里所示的移动电话机90有多个操作按钮91、以及由上述的电光装置100构成的显示部。
[发明的效果]
如上所述，在本发明中，在透明基板上形成感光性树脂层时，将感光性树脂涂敷在透明基板的表面一侧后，在用基板保持装置保持着该透明基板的背面一侧的状态下，从透明基板的表面一侧对感光性树脂进行曝光，然后进行显影。这里，在透明基板上、且在感光性树脂层的下层形成遮光膜。即，在透明基板上形成感光性树脂层时，在其下层立刻形成遮光膜。因此，对感光性树脂进行曝光时，透过了透明基板的光在基板保持装置上反射，能避免基板保持装置的形态等被复制在感光性树脂上等不良现象的发生，所以能高精度地形成感光性树脂层。因此，能高精度地控制光反射膜表面的凹凸图形的形状，所以能进行品位高的显示。

Claims (19)

1.一种电光装置，其特征在于：
在保持电光物质的透明基板上，有按照规定的配置图形形成了凹凸的感光性树脂层；以及在该感光性树脂层的上层与该感光性树脂层呈平面重叠的区域中形成的光反射膜，在该光反射膜的表面上形成对应于上述感光性树脂层的配置图形的凹凸，
在上述透明基板上、且在上述感光性树脂层的下层，至少在与形成上述凹凸的区域呈平面重叠的区域中形成遮光膜。
2.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于：
在与形成上述反射膜的区域呈平面重叠的大致全部区域中形成上述遮光膜。
3.如权利要求1所述的电光装置，其特征在于：
在上述透明基板上对配置成矩阵状的各个像素形成由多层薄膜构成的薄膜元件、以及导电性地连接在该薄膜元件上的透明像素电极，
由上述多层薄膜中与某层为同一层的薄膜形成上述遮光膜。
4.如权利要求3所述的电光装置，其特征在于：
上述薄膜元件是在上述透明基板上形成的薄膜晶体管，
在与上述薄膜晶体管的有源层为同一层的半导体膜、与上述薄膜晶体管的栅极为同一层的导电膜、以及与上述薄膜晶体管的源极为同一层的导电膜中的某层为同一层上形成上述遮光膜。
5.如权利要求3所述的电光装置，其特征在于：
上述薄膜元件是在上述透明基板上形成的薄膜晶体管，
与上述薄膜晶体管的有源层为同一层的半导体膜、与上述薄膜晶体管的栅极为同一层的导电膜、以及与上述薄膜晶体管的源极为同一层的导电膜中的某层为同一层、而且呈电隔离的状态形成上述遮光膜。
6.如权利要求3所述的电光装置，其特征在于：
上述薄膜元件是在上述透明基板上形成的薄膜晶体管，
与上述薄膜晶体管的有源层为同一层的半导体膜、与上述薄膜晶体管的栅极为同一层的导电膜、以及与上述薄膜晶体管的源极为同一层的导电膜中的某层一体地形成上述遮光膜。
7.如权利要求3所述的电光装置，其特征在于：
上述薄膜元件是在上述透明基板上形成的蓄积电容元件，
由与上述蓄积电容元件的下电极或上电极为同一层的导电膜形成上述遮光膜。
8.如权利要求3所述的电光装置，其特征在于：
上述薄膜元件是在上述透明基板上形成的蓄积电容元件，
由与上述蓄积电容元件的下电极或上电极为同一层、而且呈电隔离的状态形成的导电膜构成上述遮光膜。
9.如权利要求3所述的电光装置，其特征在于：
上述薄膜元件是在上述透明基板上形成的蓄积电容元件，
由与上述蓄积电容元件的下电极或上电极一体地形成的导电膜形成上述遮光膜。
10.如权利要求3所述的电光装置，其特征在于：
在上述透明基板上、且在上述薄膜元件的下层形成基底保护膜，在该基底保护膜的下层形成上述遮光膜。
11.如权利要求3至10中的任意一项所述的电光装置，其特征在于：
上述遮光膜与上述像素电极被电隔离。
12.如权利要求3至10中的任意一项所述的电光装置，其特征在于：
对上述每个像素独立地形成上述遮光膜，同时在每个像素中导电性地与上述像素电极连接。
13.如权利要求1至10中的任意一项所述的电光装置，其特征在于：
在上述透明基板上的各像素中，构成用上述反射膜反射从上述透明基板的表面一侧入射的光的反射区域、以及使从该透明基板的背面一侧入射的光透过表面一侧的透射区域，
在上述反射区域形成上述遮光膜。
14.如权利要求1至10中的任意一项所述的电光装置，其特征在于：
将上述透明基板作为第一透明基板，相对于该第一透明基板相向地配置第二透明基板，将作为上述电光物质的液晶保持在该基板之间。
15.一种电子装置，其特征在于：
备有权利要求1至10中的任意一项规定的电光装置。
16.一种电光装置的制造方法，该电光装置在保持电光物质的透明基板上，有按照规定的配置图形形成了凹凸的感光性树脂层；以及在该感光性树脂层的上层与该感光性树脂层呈平面重叠的区域中形成的光反射膜，在该光反射膜的表面上形成对应于上述感光性树脂层的配置图形的凹凸，该电光装置的制造方法的特征在于：
在上述透明基板上形成上述感光性树脂层之前，在该感光性树脂层的下层的规定区域中形成遮光膜，
在形成上述感光性树脂层时，将感光性树脂涂敷在上述透明基板的表面一侧后，在用基板保持装置保持着该透明基板的背面一侧的状态下，从该透明基板的表面一侧对上述感光性树脂进行曝光。
17.如权利要求16所述的电光装置的制造方法，其特征在于：
上述基板保持装置在上述透明基板的背面一侧中形成上述遮光膜，而且将该透明基板保持在用曝光掩模遮挡的区域内。
18.如权利要求16或17所述的电光装置的制造方法，其特征在于：
上述基板保持装置是设有吸引上述透明基板的背面一侧的吸引孔的吸附卡盘装置。
19.如权利要求18所述的电光装置的制造方法，其特征在于：
通过分别进行多次薄膜的形成工序及构图工序，在上述透明基板上形成薄膜元件，同时利用该薄膜元件的形成工序，同时形成上述遮光膜。
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