JPH1195204A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】高画質の反射型カラー液晶表示装置を得る。 【解決手段】第１基板１１と第２基板１２によって液晶
層１５を挟持し、第１基板１１はアクテイブ素子３０と
画素電極１９と走査配線３２と信号配線を備え、第２基
板１２は反射層２４と共通電極２０とカラーフィルタ２
２を備え、反射層２４はサンドブラストで形成した凹凸
等による光散乱性を有し、アクテイブ素子３０は反射層
２４に面する側に遮光層４３を備え、アクテイブ素子３
０に接続された信号配線と走査配線３２は使用者に面す
る側に反射防止層４２を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する利用分野】本発明は、長時間の電池駆動
が要求される携帯型情報端末のインターフェイスに適す
る低消費電力の反射型カラー液晶表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】反射型カラー液晶表示装置は、視差を解
消するための反射層を液晶セル内に内蔵する必要があ
る。また、周囲の物体や使用者の顔が表示部に映り込む
のを防ぐために、前記反射層は光散乱性でなければなら
ない。更に、光の入射方向や使用者の観察方向の変化に
伴う反射率の変化が少なければ反射層は紙のような質感
になり、高い視認性が得られる。従って、紙のような質
感の反射層を液晶セル内に内蔵できれば理想的である。

【０００３】反射層は下側（２枚の基板のうち使用者の
位置と反対の側）基板上に形成しなければならないが、
この下側基板上にアクティブ素子と反射層を配置する場
合には、反射層の形成によりアクティブ素子の機能が低
下してはならない。反射層の材質やこれに散乱性を付与
する手段は、アクティブ素子の機能を低下させないもの
に限定されるため、紙のような質感の反射層を実現する
ことは困難であった。

【０００４】特開平8-254698号公報に開示された液晶表
示装置は、上側（使用者の位置側）基板に画素電極とア
クティブ素子を備え、下側の基板に反射層と共通電極を
備えている。反射層の材質やこれに散乱性を付与する手
段は限定されず、例えば反射層を酸化マグネシウムで形
成することにより紙のような質感の反射板が得られる。
しかし、この液晶表示装置は、アクティブ素子とこれに
接続された走査配線及び信号配線は、使用者側から見て
反射層の上側に露出し、周囲から入射する光と反射層で
反射される光に曝されることになる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】反射型液晶表示装置
は、周囲から入射する光を光源として利用する。これを
反射層で反射し、液晶層で反射層の見かけの反射率を変
調することにより表示を行う。反射層以外の構成要素が
光を反射すると、その見かけの反射率は液晶層により変
調できないために表示特性が低下する。下側の基板に反
射層を設け、上側の基板にアクティブ素子等を設けた場
合には、金属からなる走査配線と信号配線が光を反射す
るために表示特性が低下する。

【０００６】また、反射層で反射した光は反射層の光散
乱性によりアクティブ素子にも照射される。これが光電
流を生じ、アクティブ素子の電気特性を変えるために表
示特性が低下する。反射型液晶表示装置に周囲から入射
する光が直接アクティブ素子に照射する場合にも、同様
の問題が生じる。

【０００７】以上のような理由から、従来の技術では質
感が良好で且つ高い表示品質の反射型液晶表示装置を得
ることは困難であった。

【０００８】本発明の目的は、上側に位置する第１基板
に画素電極とアクティブ素子と走査配線及び信号配線を
設け、下側に位置する第２基板に光散乱性の反射層と共
通電極を設けた反射型液晶表示装置において、前記走査
配線と信号配線による光反射の低減と、アクティブ素子
の光電流の発生を防止することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は、走査配線及び
信号配線による光反射を低減するために、反射防止層を
設ける。この反射防止層は、走査配線及び信号配線の使
用者に面する側に位置するように形成し、その分布は走
査配線及び信号配線に対応し、使用者側から見て走査配
線及び信号配線を覆うように分布させる。反射防止層
は、金属酸化膜や染料あるいは顔料等の低反射率で光吸
収性の物質であれば良い。

【００１０】また、アクティブ素子の光電流の防止する
ために、アクティブ素子の両側（使用者側と使用者の反
対側）に遮光層を設ける。使用者側に位置する遮光層
は、反射型液晶表示装置の周囲から入射した光がアクテ
ィブ素子に直接照射するのを防ぐ。使用者と反対側に位
置する遮光層は、反射層で反射された光がアクティブ素
子に照射するのを防ぐ。

【００１１】アクティブ素子には薄膜トランジスタがあ
るが、これはコプレナー型と正スタガ型と逆スタガ型に
分類される。コプレナー型と正スタガ型では走査配線ま
たはこれから薄膜トランジスタ上に延長されたゲ−ト電
極が使用者と反対側の遮光層の役割を果たす。逆スタガ
型では走査配線またはゲ−ト電極が使用者側の遮光層の
役割を果たす。即ち、コプレナー型と正スタガ型では使
用者側のみに遮光層を設け、逆スタガ型では使用者側の
反対側のみに遮光層を設ければ良い。

【００１２】以上のように２つの課題を解決した上で高
い開口率を得、高輝度を実現するために、前述の反射防
止層と遮光層は最小限の大きさにする。例えば、走査配
線及び信号配線とその反射防止層は一括してエッチング
形成する。また、アクティブ素子の遮光層もチャネル部
の上もしくはアモルファスシリコン部の上のみに分布す
るように形成する。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を説明
する。

【００１４】「実施形態１」図１は、本発明の液晶表示
装置の第１の実施形態における液晶板の断面図である。
第１基板１１はホウケイサンガラス製であり、その厚さ
は０．７ｍｍである。この第１基板１１上には、液晶層
１５に近接する側より配向膜１６及び保護膜１８が積層
され、その下側に画素電極１９やアクティブ素子３０等
が配置される。配向膜１６は、側鎖にアルキル基を有す
る垂直配向性のポリイミド系高分子であり、その層厚は
１０００Åである。そして、この配向膜１６は、ラビン
グ法により配向処理されている。画素電極１９は、ｐ−
ＩＴＯ(インジウムチタンオキサイド)製であり、その層
厚は１０００Åである。アクティブ素子３０は、逆スタ
ガ型の薄膜トランジスタである。

【００１５】図２は、前記第１基板１１を法線方向から
見た図であり、１画素部分の拡大図である。図３はアク
ティブ素子部の断面図であり、図２における切断線III
−IIIに対応する。図４は走査配線部の断面図であり、
図２における切断線IV−IVに対応する。

【００１６】走査配線３２及び信号配線３１は共にクロ
ム製であり、その層厚は２０００Åである。アクティブ
素子３０はこの走査配線３２上に分布するために、周囲
から入射する光はこの走査配線３２によって遮られてこ
のアクティブ素子３０には入射しない。画素電極１９は
ドレイン線の上層に位置し、前段の走査配線３３の上層
まで分布しており、この前段の走査配線３３との間で保
持容量を形成している。ドレイン線及び走査配線との重
なり部分での画素電極１９の断線を防止するために、前
述したように、画素電極１９はｐ−ＩＴＯで形成した。

【００１７】クロムはエッチング精度が高いために、そ
の線幅を１５μｍまで短縮することが可能である。これ
に加えて、前述したように、アクティブ素子を走査配線
３２からはみ出ないように配置し、且つ画素電極１９を
前段の走査配線３３の上層まで分布させたことにより、
約８０％の開口率を得た。なお、３４はアモルファスシ
リコン部、３５はｎ＋シリコン部である。

【００１８】走査配線３２，３３及び信号配線３１は、
その下層に反射防止層４２を有する。酸化クロムを層厚
約５００Åに形成してエッチングした後に、その上にク
ロムを層厚約１５００Åに追加形成してエッチングし
た。この酸化クロム層が反射防止層４２である。クロム
の光反射率は約６０％であるのに対して、酸化クロムの
光反射率は約５％と低いために、走査配線３２，３３及
び信号配線３１による光の反射を大幅に低減することが
できる。

【００１９】第２基板１２もホウケイサンガラス製であ
り、その厚さは０．７ｍｍである。この第２基板１２上
には、配向膜１７と、共通電極２０と、第２平坦化層２
１と、カラーフィルタ２２と、第１平坦化層２３と、反
射層２４が順次に積層されている。配向膜１７は、前述
した第１基板側の配向膜１６と同様のものであり、ラビ
ング法により配向処理されている。共通電極２０はＩＴ
Ｏ製であり、その層厚は１０００Åである。平坦化層２
１，２３はエポキシ樹脂製であり、その層厚は３μｍで
ある。カラーフィルタ２２は染色法で作成し、透過率が
最低になる波長での透過率はＲ、Ｇ、Ｂの何れの色のフ
ィルタ部でも約６０％である。反射層２４はＡl（アル
ミニウム）製であり、その層厚は２０００Åである。こ
の反射層２４の材料としては、Ａｇ（銀）を使用するこ
とも可能である。

【００２０】第２基板１２上の反射層２４は、１〜３μ
ｍの深さの凹凸構造を有する層にする。この凹凸構造の
反射層２４は、ホウケイサンガラスの第２基板１２の表
面に８００番の研磨用砂を吹き付けることにより形成し
た凹凸面にアルミニウムを蒸着して形成した。

【００２１】図５は、反射層２４の反射特性を示してお
り、縦軸は反射層法線方向から観察した輝度であり、横
軸は光源光入射方向と反射層法線方向のなす角である。
図５に示した従来の反射板の反射特性は、従来の反射型
白黒液晶表示装置に用いられている反射板の反射特性で
ある。この実施形態の反射層２４は、従来の反射板に比
べて輝度の光源光入射角依存性が極めてなだらかであ
り、光源からの光の入射方向を１０度から５０度まで変
えても輝度の変化は５０％程度である。これを観察した
ところ、紙のような質感であった。

【００２２】液晶層１５は、三菱化学株式会社のＬＡ-1
21／4であり、メルク・ジャパン株式会社のカイラル剤
Ｓ811を約１％含む。液晶層１５の厚さは７μｍであ
る。上下の基板１１，１２の配向処理方向は２４０度を
成す。これにより電圧無印加時にはねじれ配向を成し、
電圧印加時にはホメオトロピック配向を成し、両状態間
をヒステリシス無しで遷移する。積分球を用いてその表
示特性を測定したところ、コントラスト比は３．０：
１、明表示の反射率は３１％であった。

【００２３】以上のように、使用者側に位置する第１基
板１１側にアクティブ素子３０を配置し、第２基板１２
側にサンドブラストを施した後に反射層２４を形成した
ことにより、高反射率で高コントラストであり、紙のよ
うな質感の液晶表示装置を得ることができた。

【００２４】「実施形態２」この実施形態は、図６に示
すように、前述した実施形態１の液晶表示装置におい
て、第２基板１２上のカラーフィルタ２２と同相に部分
的な遮光層４１を設けた構成である。この遮光層４１は
黒色の顔料で形成し、その層厚は約１μｍとし、且つ第
１基板１１側に設けたアクティブ素子３０に対向する位
置に分布するようにした。

【００２５】反射層２４は、光散乱性であるために、光
の入射条件によってはこの反射層２４で散乱された光が
アクティブ素子３０に入射し、光電流を発生してこのア
クティブ素子３０の動作を変調する。しかしながら、こ
の実施形態のように、第２基板１２上にアクティブ素子
３０に対向させて遮光層４１を設けたことにより、反射
層２４から反射してアクティブ素子３０に入射しようと
する光をこの遮光層４１により遮断して光電流の発生を
防止することができ、常に高反射率で高コントラストの
液晶表示装置が得られる。

【００２６】「実施形態３」この実施形態は、図７に示
すように、前述した実施形態１の液晶表示装置におい
て、第１基板１１上の保護膜１８と配向膜１６の間に遮
光層４３を設けた構成である。この遮光層４３は黒色の
顔料で形成し、その層厚は約１μｍとし、且つアクティ
ブ素子３０のアモルファスシリコン層を完全に覆うよう
に分布させた。

【００２７】この実施形態においても、実施形態２と同
様に、アクティブ素子３０に入射しようとする反射光を
遮光層４３が遮断して光電流の発生を防止することによ
り、常に高反射率で高コントラストの液晶表示装置が得
られる。

【００２８】「実施形態４」この実施形態は、前述した
実施形態１の液晶表示装置において、走査配線３２，３
３及び信号配線３１に対応する反射防止層を１つの層と
して一括して形成する構成である。この反射防止層の位
置は第１基板１１と走査配線３２，３３及び信号配線３
１の間とし、その分布領域は、走査配線３２，３３と信
号配線３１の両方に対応するようにする。この反射防止
層は、黒色の顔料であっても良く、または実施形態１と
同様の金属酸化物であっても良い。この反射防止層によ
る凹凸を平坦化するための層を積層した後に、実施形態
１と同様にアクティブ素子３０を形成する。このような
実施形態においても、実施形態１と同様に、高反射率で
高コントラストであり、紙のような質感の液晶表示装置
が得られる。

【００２９】「実施形態５」この実施形態は、前述した
実施形態１の液晶表示装置において、駆動系の一部を周
辺回路として表示部の周辺に形成する構成である。周辺
回路部はコプレナー型の薄膜トランジスタで形成し、応
答性を向上するためにアモルファスシリコン部にはアニ
ーリング処理を施してポリシリコンとする。表示部のア
クテイブ素子３０は、実施形態１と同様に、暗電流の少
ない逆スタガ型の薄膜トランジスタで形成する。光電流
の発生を防ぐために、周辺回路部の全面を遮光層で覆う
ようにする。

【００３０】このような実施形態においても、実施形態
１と同様に、紙のような質感を有し、且つ高反射率で高
コントラストの液晶表示装置が得られる。

【００３１】「実施例６」この実施形態は、実施形態１
の液晶表示装置において、アクティブ素子３０をポリシ
リコン層を使用するコプレナー型の薄膜トランジスタと
する構成である。図８は、このアクティブ素子部の断面
図を示している。コプレナー型の薄膜トランジスタは、
ポリシリコン層におけるアモルファスシリコン部３４が
ゲ−ト電極３７に対してその第１基板１１の側にあるた
めに、遮光層４４をポリシリコン部４０と第１基板１１
の間に形成して、外光による光電流の発生を防ぐように
している。また、この実施形態では、ゲ−ト電極３７が
前述した実施形態２における遮光層４３と同様の機能を
果たし、反射層２４で散乱反射された光がアクティブ素
子３０に入射するのを防止する。

【００３２】また、走査配線と信号配線の下層に酸化層
を形成して反射防止層とした。しかし、反射防止層に接
するアクティブ素子部と反射防止層とのコンタクト性が
悪い場合には、アクティブ素子部と接する部分の走査配
線及び信号配線には反射防止層を形成しない。アクティ
ブ素子部と走査配線及び信号配線の間に反射防止層が介
在することによりアクティブ素子の動作が低下する場合
にも、同様の構造が有効である。

【００３３】以上のようにしてアクティブ素子３０にポ
リシリコン層を使用するコプレナー型の薄膜トランジス
タを用いた実施形態においても、実施形態１と同様に、
紙の様な質感を有し、且つ高反射率で高コントラストの
液晶表示装置が得られる。

【００３４】「実施形態７」この実施形態は、実施形態
１の液晶表示装置において、第２基板１２に設ける反射
層２４の凹凸構造を異なる方法で作成する変形例であ
る。ホウケイサンガラスの第２基板１２上にポリイミド
高分子膜を厚さが約０．１μｍとなるように塗布し、そ
の上に表面にエポキシ基を有する直径６μｍから１０μ
ｍの真球状ビーズを１ｍｍ²あたり３０００個の割合で
分散した。そして、シェアストレスにより真球状ビーズ
の分布を平均化し、これを加熱して真球状ビーズをポリ
イミド高分子膜上に固着した。その上にアルミニウムを
蒸着して反射層２４を形成した。更にその上にエポキシ
樹脂から成る平坦化層２３を２０μｍの厚さに形成し
た。

【００３５】反射層２４の反射特性を測定したところ、
光源からの光入射方向に対する輝度変化が少なく、紙や
標準拡散板に近い反射特性が得られた。また、コントラ
スト比は３．２：１、明表示の反射率は３０％であっ
た。

【００３６】以上のように、真球状ビーズで凹凸を付与
した反射層２４を第２基板１２の面に形成することによ
り、紙のような質感の液晶表示装置が得られる。

【００３７】「実施形態８」この実施形態は、実施形態
１の液晶表示装置において、ホウケイサンガラス上をフ
ッ酸で侵食することにより第２基板１２に設ける反射層
２４の凹凸構造を作成する変形例である。ホウケイサン
ガラスの表面をフッ酸で侵食して凹凸を形成した第２基
板１２を充分に洗浄してフッ酸を除いた後にその上にア
ルミニウムを蒸着して反射層２４を形成し、更にその上
にエポキシ樹脂から成る第１平坦化層２３を１０μｍの
厚さに形成した。

【００３８】この実施形態においても、光源からの光入
射方向に対する輝度変化は少なく、紙や標準拡散板とほ
ぼ同様の反射特性が得られた。また、コントラスト比は
３．１：１、明表示の反射率は約３０％であった。

【００３９】以上のように、フッ酸による侵食で凹凸を
付与した第２基板１２に反射層２４を形成することによ
り、紙のような質感の液晶表示装置が得られる。

【００４０】「実施形態９」この実施形態は、前述した
実施形態１の液晶表示装置における反射層２４の変形例
である。この実施形態は、反射層２４は鏡面と成し、そ
の上部に光散乱手段を設けた構成である。反射層２４を
形成する第２基板１２の表面はサンドブラスト処理を施
さずに平坦のままで反射層２４を形成する。従って、反
射層２４は平坦な鏡面となる。そこで、その上の第１平
坦化層２３を、直径約５μｍの真球状ビ−ズ（誘電体微
粒子）を分散したエポキシ樹脂によって２０μｍの厚さ
に形成した。

【００４１】このような実施形態において、反射特性を
測定したところ、光源からの光入射方向に対する輝度変
化が少なく、紙や標準拡散板に近い反射特性が得られ
た。また、コントラスト比は２．９：１、明表示の反射
率は３４％であった。

【００４２】以上のように、反射層２４を鏡面とし、真
球状ビ−ズを分散したエポキシ樹脂から成る第２平坦化
層２３で光散乱性を付与することによっても、紙のよう
な質感の反射型液晶表示装置が得られる。

【００４３】「比較例」実施形態１の液晶表示装置に対
応させて、信号配線３１と走査配線３２，３３の反射防
止層４２を省略した液晶表示装置を作成した。クロムの
反射率は約６０％であるために、信号配線３１と走査配
線３２，３３に周囲から入射した光の約６０％は正反射
することになる。液晶表示装置の外観を観察したとこ
ろ、画面全体に格子状の鏡があるように見えた。観察者
の顔や周囲の物体が画面に映り込んで見え、視認性は極
めて悪かった。また、表示特性を測定したところ、コン
トラスト比が１．７：１にまで低下していた。

【００４４】以上のように、反射防止層４２を省略する
と、信号配線３１と走査配線３２，３３による光反射が
生じ、視認性と表示特性が著しく低下する。

【００４５】以上の実施形態で例示した液晶表示装置
は、液晶層をゲストホスト型としたが、これを２色性色
素を含まない液晶層とし、偏光板と組み合わせて表示を
行う構成にしても同様の効果が得られる。

【００４６】また、シアン、イエロー、マゼンダの減法
混色でカラー表示を行う多層積層型の反射型液晶表示装
置や、その他の液晶層を積層した構成の反射型液晶表示
装置としても同様の効果が得られる。

【００４７】反射防止層は、金属酸化膜や顔料の他に染
料等の低反射率で光吸収性の物質であれば良い。

【００４８】また、配線による光反射とアクティブ素子
の光電流を防止した上で高い開口率を得て高輝度を実現
するためには、反射防止層と遮光層は最小限の大きさに
することが必要である。例えば、走査配線及び信号配線
とその反射防止層は一括してエッチング形成するように
すれば、走査配線及び信号配線に対して反射防止層を過
不足なく形成することができる。また、アクティブ素子
に対する遮光層もチャネル部の上またはアモルファスシ
リコン部の上のみに分布するように形成する。

【００４９】

【発明の効果】本発明によれば、使用者に対面する側に
位置する第１基板に画素電極と信号配線及び走査配線と
アクティブ素子を設け、その反対側に位置する第２基板
に光散乱性の反射層と共通電極を設けた反射型カラー液
晶表示装置において、信号配線と走査配線の使用者に面
する側に反射防止層を設け、更に、アクティブ素子の反
射層に面する側に遮光層を設けることにより、走査配線
と信号配線の光反射を低減し、また、アクティブ素子の
光電流を防止することができ、紙のような質感を有し、
且つ表示特性に優れた反射型カラー液晶表示装置が得ら
れる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態を示す液晶表示装置の
断面図である。

【図２】図１に示した実施形態１の液晶表示装置におけ
る１画素部分の構成を示す図である。

【図３】図２におけるIII−III断面図である。

【図４】図２におけるIV−IV断面図である。

【図５】実施形態１の液晶表示装置の反射層の反射特性
を示す図である。

【図６】本発明の第２の実施形態を示す液晶表示装置の
断面図である。

【図７】本発明の第３の実施形態を示す液晶表示装置の
断面図である。

【図８】本発明の第８の実施形態を示す液晶表示装置に
おけるアクティブ素子部の断面図である。

【符号の説明】

１１…第１基板、１２…第２基板、１５…液晶層、１６
…第１配向膜、１７…第２配向膜、１８…保護膜、１９
…画素電極、２０…共通電極、２１…第２平坦化層、２
２…カラーフィルタ、２３…第１平坦化層、２４…反射
層、３０…アクティブ素子、３１…信号配線、３２…走
査配線、３３…前段の走査配線、３４…アモルファスシ
リコン部、３５…ｎ⁺シリコン部、３６…ドレイン電
極、３７…ゲート電極、３８…ソース電極、４０…ポリ
シリコン部、４１…遮光部、４２…反射防止層。

フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｇ０２Ｂ 5/20 １０１ Ｇ０２Ｂ 1/10 Ａ

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】第１基板と第２基板と液晶層と駆動装置と
   を備え、前記第１基板と第２基板によって液晶層を挟持
   し、前記第１基板には液晶層に近接する側にアクテイブ
   素子と画素電極と信号配線及び走査配線を設け、前記第
   ２基板には液晶層に近接する側に反射層とカラーフィル
   タと共通電極を設けた液晶表示装置において、 前記第１基板と、前記信号配線または前記走査配線との
   間に反射防止層を設けたことを特徴とする液晶表示装
   置。
2. 【請求項２】第１基板と第２基板と液晶層と駆動装置と
   を備え、前記第１基板と第２基板によって液晶層を挟持
   し、前記第１基板には液晶層に近接する側にアクテイブ
   素子と画素電極と走査配線及び信号配線を設け、第２基
   板には液晶層に近接する側に反射層とカラーフィルタと
   共通電極を設けた液晶表示装置において、 前記第１基板上のアクテイブ素子の液晶層に近接する側
   に遮光層を設け、この遮光層によって前記アクテイブ素
   子のアモルファスシリコン部を遮光するようにしたこと
   を特徴とする液晶表示装置。
3. 【請求項３】第１基板と第２基板と液晶層と駆動装置を
   備え、前記第１基板と第２基板によって液晶層を挟持
   し、前記第１基板には液晶層に近接する側にアクテイブ
   素子と画素電極を設け、前記第２基板には液晶層に近接
   する側に反射層とカラーフィルタと共通電極を設けた液
   晶表示装置において、 前記第２基板上のアクテイブ素子に対向する部分に遮光
   層を設け、この遮光層によりアクテイブ素子のアモルフ
   ァスシリコン部を遮光するようにしたことを特徴とする
   液晶表示装置。
4. 【請求項４】請求項１〜３の１項において、前記反射層
   は光散乱性であることを特徴とする液晶表示装置。
5. 【請求項５】請求項４において、前記反射層は、サンド
   ブラストで凹凸を付与した第２基板上に銀またはアルミ
   ニウム等の金属で形成したものであることを特徴とする
   液晶表示装置。
6. 【請求項６】請求項４において、前記反射層は、微小な
   粒子を分散して凹凸を付与した第２基板上に銀またはア
   ルミニウム等の金属で形成したものであることを特徴と
   する液晶表示装置。
7. 【請求項７】請求項４において、前記反射層は、酸また
   はアルカリによる侵食で凹凸を付与した第２基板上に銀
   またはアルミニウム等の金属で形成したものであること
   を特徴とする液晶表示装置。
8. 【請求項８】請求項１〜３の１項において、前記反射層
   と液晶層の間に光散乱層を形成したことを特徴とする液
   晶表示装置。
9. 【請求項９】請求項８において、前記光散乱層は、微粒
   子を含んだ樹脂により反射層の上面に形成したものであ
   ることを特徴とする液晶表示装置。
10. 【請求項１０】第１基板と第２基板と液晶層と駆動装置
    とを備え、前記第１基板と第２基板によって液晶層を挟
    持し、前記第１基板には液晶層に近接する側にアクテイ
    ブ素子と画素電極と信号配線及び走査配線を設け、前記
    第２基板には液晶層に近接する側に反射層とカラーフィ
    ルタと共通電極を設けた液晶表示装置において、 前記第１基板と、前記信号配線または前記走査配線との
    間に反射防止層を設け、前記第１基板上のアクテイブ素
    子の液晶層に近接する側に前記アクテイブ素子のアモル
    ファスシリコン部を遮光する遮光層を設けたことを特徴
    とする液晶表示装置。
11. 【請求項１１】第１基板と第２基板と液晶層と駆動装置
    とを備え、前記第１基板と第２基板によって液晶層を挟
    持し、前記第１基板には液晶層に近接する側にアクテイ
    ブ素子と画素電極と信号配線及び走査配線を設け、前記
    第２基板には液晶層に近接する側に反射層とカラーフィ
    ルタと共通電極を設けた液晶表示装置において、 前記第１基板と、前記信号配線または前記走査配線との
    間に反射防止層を設け、前記第２基板上のアクテイブ素
    子に対向する部分に該アクテイブ素子のアモルファスシ
    リコン部を遮光する遮光層を設けたことを特徴とする液
    晶表示装置。