CN1214328A - 钛酸钡半导体陶瓷 - Google Patents

钛酸钡半导体陶瓷 Download PDF

Info

Publication number
CN1214328A
CN1214328A CN98121320A CN98121320A CN1214328A CN 1214328 A CN1214328 A CN 1214328A CN 98121320 A CN98121320 A CN 98121320A CN 98121320 A CN98121320 A CN 98121320A CN 1214328 A CN1214328 A CN 1214328A
Authority
CN
China
Prior art keywords
powder
barium titanate
agent
semiconduction
withstand voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN98121320A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1087719C (zh
Inventor
川本光俊
新见秀明
浦原良一
坂部行雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Publication of CN1214328A publication Critical patent/CN1214328A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1087719C publication Critical patent/CN1087719C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
    • C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
    • C04B35/46—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates
    • C04B35/462—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates
    • C04B35/465—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates
    • C04B35/468—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates
    • C04B35/4682—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on titanium oxides or titanates based on titanates based on alkaline earth metal titanates based on barium titanates based on BaTiO3 perovskite phase
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
    • C01G23/00—Compounds of titanium
    • C01G23/003—Titanates
    • C01G23/006—Alkaline earth titanates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/50—Solid solutions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/76—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by a space-group or by other symmetry indications
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
    • C01P2002/77—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by unit-cell parameters, atom positions or structure diagrams
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/62—Submicrometer sized, i.e. from 0.1-1 micrometer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Geology (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • General Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
  • Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)

Abstract

本发明提供了钛酸钡半导体陶瓷,它具有在室温下较低的电阻率和较高的耐压,能完全满足提高耐压的要求。钛酸钡半导体陶瓷的平均陶瓷颗粒尺寸控制至大约0.9μm或更小。通过这样的控制,陶瓷具有在室温下较低的电阻率和较高的耐压,完全满足目前提高耐压的要求,它可以适于诸如控制温度和限制电流的应用,或用于恒温发热装置。相应地,钛酸钡半导体陶瓷使得使用它的设备具有提高的性能和减小的尺寸。

Description

钛酸钡半导体陶瓷
本发明涉及钛酸钡半导体陶瓷，这种半导体陶瓷具有正电阻温度特性，并适于诸如控制温度和限制电流的应用，或者用于恒温的发热装置。
钛酸钡半导体陶瓷具有正电阻温度特性(PTC特性)。在低温下具有低电阻率，而且当超过一特殊温度(居里温度)时，其电阻突然上升。因此，这种陶瓷被广泛地用于广阔的应用领域，诸如控制温度和限制电流，或者用于恒温的发热装置。
这些应用要求钛酸盐半导体陶瓷不仅具有PTC特性，而且还能充分耐受电压，以允许在高压下使用。因此，需要具有PTC特性和高耐压特性的半导体陶瓷。尤其地，用于电路的过流保护装置要求实现更高的耐压。
为了这个目的，至今已经提出了各种的提议以增加钛酸钡半导体陶瓷的耐压。例如，第4-26101号日本专利申请公开文件中揭示了通过将Dy和Sb加入合并有TiO2,SiO2,Al2O3和MnO2的由BaTiO3和SrTiO3构成的半导体陶瓷而得到的一种陶瓷，这种陶瓷的陶瓷颗粒大小为6-15μm，在室温下电阻率较低，而且高耐压。第60-25004号日本专利申请公告文件中揭示，当通过压碎、混合和煅烧钛混合草酸盐和Sb氧化物(作为半导电剂)得到的粉末在1350℃烧结，而同时控制煅烧条件和压实压力时，得到具有陶瓷颗粒尺寸为1-5μm，并且高耐压的陶瓷。
但是，在第4-26101号日本专利申请公开文件中揭示的半导体陶瓷的电阻率为大约50Ωm，而耐压为大约200V/mm，而这样的耐压仍然不能令人满意。还有，第60-25004号日本专利申请公告文件中揭示的半导体材料最大耐压为大约500V/mm，这不能完全满足了当前的增加耐压的需要。
因此，本发明的一个目的是提供在室温下具有较低的电阻率和高耐压的钛酸钡半导体陶瓷，它能满足当前增加耐压的需要。
本发明的发明人为了达到上述目的作了认真的研究，并发现，平均陶瓷颗粒的尺寸比某个值小的钛酸钡半导体陶瓷在室温下具有较低的电阻率和优良的耐压性能。本发明是在这一发现的基础上完成的。
相应地，本发明提供了一种平均陶瓷颗粒尺寸为0.9μm或更小的钛酸钡半导体陶瓷。
本发明的钛酸钡半导体陶瓷最好从钛酸钡粉末或经过煅烧的钛酸钡粉末得到，所述粉末具有严格限制的物理性质，即，颗粒尺寸为0.1μm或更小，立方晶系的晶体结构，点阵常数为4.02埃或更大，并且包含微量的固溶体形式的半导电剂。
本发明的钛酸钡半导体陶瓷具有0.9μm或更小的平均陶瓷颗粒尺寸。平均颗粒尺寸可以通过使用例如SEM(扫描电子显微镜)观察陶瓷的表面而得到。
在制造本发明的钛酸钡半导体陶瓷中，可以使用通常已知的方法，只要它们提供的平均陶瓷颗粒尺寸为0.9μm或更小。例如，可以依次实行用粘合剂将原料粉末粒化、成形和烧结的步骤。
原料粉末最好是钛酸钡粉末或经过煅烧的钛酸钡粉末，所述粉末具有严格限制的物理性质，即，颗粒尺寸为0.1μm或更小，立方晶系的晶体结构，点阵常数为4.02埃或更大，并且包含微量的固溶体形式的半导电剂。当这种粉末用作原料时，得到具有高耐压性的钛酸钡半导体陶瓷。
对于制造钛酸钡粉末的方法上没有特别的限制，只要能够得到具有上述物理性质的陶瓷。例子包括：水解法、sol-gel法、水热法、共沉淀法和固相法。这当中最好是水解法。为了通过水解法得到钛酸钡粉末，可以进行下面的步骤：准备包含钡盐或钡的醇盐的溶液，和包含钛盐或钛的醇盐的溶液；以实现钡和钛化学计量所需的比例混合溶液，并发生反应以形成浆料；使浆料老化；脱水；用水冲洗；干燥和压碎。
在制造期间，把微量的半导电剂合并到要得到的钛酸钡粉末中，从而形成固溶体。术语“微量”指足够提供半导电性能而不会明显影响钛酸盐性质的量，基于Ti，这个数量通常小于约0.5m％。可以使用的半导电剂的例子包括：诸如La、Y、Sm、Ce、Dy或Ga之类的稀土金属元素；和诸如Nb、Ta、Bi、Sb或W之类的过渡元素。这当中，最好使用La。半导电剂与钛酸钡粉末的固溶体例如通过预先将包含半导电剂的盐的溶体添加至含钡溶液或含钛溶液，并用钡成分和钛成分制成粉末而形成。
如此得到的钛酸钡粉末可以照原样用作原料粉末或经过煅烧以提供原料粉末。例如，采取可选的预热，在大约800℃到大约1000℃煅烧大约1到大约3小时，进行煅烧。
然后，将得到的钛酸钡原料粉末用一种诸如乙酸乙烯酯等已知的粘合剂进行粒化。得到的粒状粉末通过诸如单轴加压之类的方法成形，以形成压坯，将压坯加以烧结，从而得到本发明的钛酸钡半导体陶瓷。该压坯在例如这样的条件下烧结：大约1200到大约1300℃，在空气中烧结大约1到大约3小时。
可以通过上述方法制造的，并且平均陶瓷颗粒尺寸为0.9μm或更小的钛酸钡半导体陶瓷在室温下具有较低的电阻率，并有较高的耐压，完全满足提高耐压的要求，并且适于诸如控制温度和限制电流等应用，或用于恒温的发热装置。钛酸钡半导体陶瓷使得使用它的设备具有提高的性能和减小的尺寸。
下面将通过例子更加具体地描述本发明。例1
在分开的容器中制备0.2mol/l氢氧化钡的水溶液(15.401；包含3.079mol钡)和0.35mol/l钛的醇盐的溶液(7.581；包含2.655mol钛)。钛的醇盐溶液通过在IPA(异丙醇)中溶解Ti(O-iPr)4(钛的四异丙醇盐)而形成。在制备过程中，氯化镧的乙醇溶液(LaCl3·6.3H2O)(100ml，包含0.00664mol镧)被加入到钛的醇盐溶液中，并且把混合物均化，以形成包含镧(它用作半导电剂)的固溶体。
然后，通过使用用于馈送液体的齿轮泵从各自容器中将每一种溶液抽出，并且通过使用静态混合器混合所述溶液，以引起反应。把得到的浆料引入容器中老化，并通过静态混合器进行循环，由此允许浆料老化三小时。
老化之后，通过使用离心分离器使浆料脱水，而且把得到的块状物通过使用匀化混合器，在80-90℃的热水中搅拌15分钟来进行清洗。接着，浆料通过使用离心机进行脱水，而得到的块状物再通过匀化混合器在乙醇中搅拌30分钟。洗过的浆料再通过使用离心机进行脱水，得到的块装物在110℃的炉子中干燥。干燥后，将块状物压碎，得到含La的钛酸钡的固溶体的粉末。如分别通过SEM和粉末X射线衍射所证实的，粉颗粒的尺寸为0.05μm埃，立方晶体的晶格常数为4.032埃。根据荧光X射线分析，Ba/Ti和La/Ti比值分别为0.991和0.0021。
如此得到的含La的钛酸钡固溶体的粉末在1000℃煅烧两个小时。如此得到的经过煅烧的粉末与诸如乙酸乙烯酯之类的粘合剂混合，由此制造出一种粒状的粉末，它受到单轴加压，以形成直径为10mm、厚度为1mm的盘状的压坯。把压坯在空气中在1250℃烧结两个小时，由此得到钛酸钡半导体陶瓷片。
获得了所得钛酸钡半导体陶瓷片的陶瓷颗粒尺寸、在室温下的电阻率和耐压。关于陶瓷的颗粒尺寸，通过摄取陶瓷片的表面的SEM照片，并根据照片的图像分析进行计算而得到平均陶瓷颗粒尺寸。关于在室温下的电阻率，在25℃下通过使用数字电子电压表通过四探针方法而测量出用In-Ga覆盖陶瓷片表面的值。关于耐压，通过测量样品未穿前的最大施加电压，并将测得的电压除以样品的极间距离而得到值。结果示出，陶瓷片的陶瓷颗粒尺寸为0.9μm，室温下的电阻率为50Ωcm，而耐压为900V/m。例2
除使用(包含0.00531mol镧)的氯化镧的乙醇溶液外，执行实施例1的过程，由此得到含La的钛酸钡固溶体的粉末。得到的含La的钛酸钡固溶体的粉末的颗粒尺寸为0.05μm，立方晶体的晶格常数为4.029埃，而Ba/Ti和La/Ti的比值分别为0.998和0.0018。
通过将粉末(不煅烧)用作原始粉末，由此得到钛酸钡半导体陶瓷片而执行例1的过程。
得到的钛酸钡半导体陶瓷片的颗粒尺寸为0.8μm，室温下的电阻率为78Ωcm，耐压为1250V/mm。例3
除将在例2中得到的含La的钛酸钡固溶体的粉末在800℃煅烧两个小时，以用作原始的粉末外，执行例2的过程，由此得到钛酸钡半导体陶瓷片。
得到的钛酸钡半导体陶瓷片的陶瓷颗粒尺寸为0.9μm，室温下电阻率为60Ωcm，耐压为1120V/mm。例4
除使用(包含0.00398mol镧)的氯化镧的乙醇溶液外，执行例1的过程，由此得到含La的钛酸钡固溶体粉末。得到的含La钛酸钡固溶体的粉末的颗粒尺寸为0.05μm，立方晶体的晶格常数为4.027埃，而Ba/Ti和La/Ti的比值分别为0.996和0.0013。
通过在和实施例1的相同的条件下煅烧含La的钛酸钡固溶体的粉末，用作原始的煅烧过的粉末而执行例1的过程。得到的钛酸钡半导体陶瓷片的陶瓷颗粒尺寸为0.8μm，室温下的电阻率为84Ωcm，而耐压为1300V/mm。例5
例1中得到的含La的钛酸钡固溶体的粉末在600℃下加热两个小时。被加热处理的粉末的颗粒尺寸为0.1μm，立方晶体的晶格常数为4.020埃。通过在和实施例1中相同的条件下煅烧热处理过的粉末，用作原始的煅烧粉末而执行例1的过程，由此得到钛酸钡半导体陶瓷片。
得到的钛酸钡基的半导体陶瓷片的陶瓷颗粒尺寸为0.9μm，室温下的电阻率为40Ωcm，而耐压为800V/mm。例6
实行例1的过程，但是不将氯化镧(LaCl3·6.3H2O)加到钛的醇盐溶液中，由此得到不含镧的钛酸钡的非固溶体。得到的钛酸钡粉末的颗粒尺寸为0.05μm，立方晶体的晶格常数为4.028埃，而Ba/Ti比值为0.998。
然后将镧以硝酸镧溶液的形式加入(量为0.15mol％)至钛酸钡粉末，并且把混合物在1000℃下加热两个小时。通过使用如此得到的煅烧过的粉末作为原始粉末实行例1的过程，由此得到钛酸钡半导体陶瓷片。在1200℃进行烧制两个小时。得到的钛酸钡半导体陶瓷片的颗粒尺寸为0.8μm，在室温下的电阻率为90Ωcm，耐压为720V/mm。比较例1
例1中得到的含镧的钛酸钡固溶体的粉末在800℃加热两个小时。经热处理的粉末的颗粒尺寸为0.17μm，立方晶体的晶格常数为4.005埃。通过在和实施例1的相同的条件下煅烧经过热处理的粉末，用作原始的经煅烧的粉末来实例1的过程，由此得到钛酸钡半导体陶瓷片。
得到的钛酸钡基的半导体陶瓷片的陶瓷颗粒尺寸为1-3μm，在室温下的电阻率为30Ωcm，耐压为400V/mm。比较例2
在例1中得到的含钛、钡和镧的浆料被引入搅动的高压釜中，并且允许在200℃水热反应八小时。执行例1的过程，由此得到的含La的钛酸钡固溶液的粉末。得到的含镧的钛酸钡固溶体的颗粒尺寸为0.1μm，立方晶体的晶格常数为4.010埃，而Ba/Ti和La/Ti的比值分别为0.998和0.020。
通过在和实施例的相同的条件下煅烧含镧的钛酸钡固溶体，用作原始的经煅烧粉末，实行例1的过程，由此得到钛酸钡半导体陶瓷片。
得到的钛酸钡半导体陶瓷片的陶瓷颗粒尺寸为1-20μm，室温下的电阻率为40Ωcm，而耐压为300V/mm。
所述例和比较例的结果示于表1中。
                       表1
    原始粉末的物理性质 钛酸钡半导体陶瓷的物理性质
颗粒尺寸(μm) 晶系 晶格常数(埃) Ba/Ti比值 La/Ti比值 平均陶瓷颗粒尺寸(μm) 室温下的电阻率(Ωcm) 耐压(V/mm)
例1  0.05 立方 4.032  0.991  0.0021  0.9  50  900
例2  0.05 立方 4.029  0.998  0.0018  0.8  78  1250
例3  0.05 立方 4.032  0.998  0.0018  0.9  60  1120
例4  0.05 立方 4.027  0.996  0.0013  0.8  84  1300
例5   0.1 立方 4.020  0.991  0.0021  0.9  40  800
例6   0.05 立方 4.028  0.998    -  0.8  90  720
比较例1   0.17 立方 4.005  0.991  0.0021  1～3  30  400
比较例2   0.1 立方 4.010  0.998  0.0020  1～20  40  300
从表1中显见，所有的陶瓷颗粒尺寸为0.9μm或更小的陶瓷片呈现出极好的耐压(720V/mm或更大)。当陶瓷的颗粒尺寸为1μm或更大时，室温下的电阻率减小，而耐压同时降低。当原始粉末的颗粒尺寸超过约0.1μm时，陶瓷颗粒尺寸增加到1μm或更大，导致降低耐压。另外，当原始粉末的晶格常数为4.02埃或更小时，陶瓷结构变为非均匀的，即，微颗粒(1μm)和粗颗粒(10-20μm)的混合物，导致降低耐压。当通过由钛、钡和预先掺入的镧(用作半导电剂)形成固溶体而得到原始粉末，或通过后添加镧至钛酸钡粉末得到原始粉末时，在后一种方法的情形中耐压稍稍下降。其原因可以认为是，陶瓷的耐压受形成陶瓷的颗粒的组分均匀性以及陶瓷颗粒本身的影响。
如上所述，根据本发明的平均陶瓷颗粒尺寸为0.9μm或更小的钛酸钡半导体陶瓷在室温下电阻率较低，并且耐压较高，完全满足了提高耐压的要求，并适于诸如控制温度、限制电流等应用，或者用于以恒温加热。钛酸钡半导体陶瓷使使用它的设备具有提高的性能而减小的尺寸。
另外，在本发明中，具有特别高耐压的陶瓷通过烧结钛酸钡粉末或经煅烧的具有严格限制物理性质的钛酸钡粉末而得到，即，颗粒尺寸为0.1μm或更小，立方晶系的晶体结构，晶格常数为4.02埃或更大，而且包含微量的形成固溶体的半导电剂。

Claims (17)

1．一种钛酸钡半导体陶瓷，其特征在于，所述陶瓷的平均陶瓷颗粒尺寸为大约0.9μm或更小。
2．如权利要求1所述的钛酸钡半导体陶瓷片，其特征在于，包含从由稀土金属元素和过渡元素组成的组中选出的至少一种半导电剂。
3．如权利要求1所述的钛酸钡半导体陶瓷，其特征在于包含La。
4．用于制备如权利要求1所述的钛酸钡半导体陶瓷的粉末，其特征在于包含钛酸钡粉末，所述粉末具有大约0.1μm或更小的颗粒尺寸、立方晶系晶体结构、晶格常数为4.02埃或者更大，以及至少包含一种固溶体形式的半导电剂。
5．如权利要求4所述的粉末，其特征在于所述半导电剂是从稀土金属元素和过渡元素组成的组中选出的。
6．如权利要求5所述的粉末，其特征在于半导电剂是La。
7．如权利要求4所述的粉末，其特征在于钛酸钡粉末是煅烧过的粉末。
8．如权利要求7所述的粉末，其特征在于半导电剂是La。
9．如权利要求4所述的粉末，其特征在于钛酸钡粉末是未煅烧的粉末。
10．如权利要求9所述的粉末，其特征在于半导电剂是La。
11．用于生产如权利要求1所述的钛酸钡半导体剂的方法，其特征在于所述方法包括在某一温度烧结钛酸钡粉末一段时间，从而得到的钛酸盐的平均颗粒尺寸为大约0.9μm或更小，所述钛酸钡粉末大约0.1μm或更小的具有颗粒尺寸、立方晶系晶格结构、晶格常数为4.02埃或更大，以及固溶体形式的半导电剂。
12．如权利要求11所述的方法，其特征在于所述半导电剂是从由稀土金属元素和过渡元素组成的组中选出的。
13．如权利要求12所述的方法，其特征在于所述半导电剂是La。
14．如权利要求11所述的方法，其特征在于所述钛酸钡粉末是煅烧过的粉末。
15．如权利要求14所述的方法，其特征在于所述半导电剂是La。
16．如权利要求11所述的方法，其特征在于所述钛酸钡粉末是未煅烧过的粉末。
17．如权利要求17所述的方法，其特征在于所述半导电剂是La。
CN98121320A 1997-10-09 1998-10-09 钛酸钡半导体陶瓷 Expired - Lifetime CN1087719C (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP276740/97 1997-10-09
JP27674097A JP3608599B2 (ja) 1997-10-09 1997-10-09 チタン酸バリウム系半導体磁器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1214328A true CN1214328A (zh) 1999-04-21
CN1087719C CN1087719C (zh) 2002-07-17

Family

ID=17573687

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN98121320A Expired - Lifetime CN1087719C (zh) 1997-10-09 1998-10-09 钛酸钡半导体陶瓷

Country Status (8)

Country Link
US (2) US6472339B2 (zh)
EP (1) EP0908423B1 (zh)
JP (1) JP3608599B2 (zh)
KR (1) KR100318398B1 (zh)
CN (1) CN1087719C (zh)
DE (1) DE69810564T2 (zh)
SG (1) SG67565A1 (zh)
TW (1) TW588027B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115626823A (zh) * 2022-11-02 2023-01-20 重庆三省有朋科技有限公司 一种钛酸钡基陶瓷电介质材料及其制备方法

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SE515210C2 (sv) * 2000-04-10 2001-06-25 Valinge Aluminium Ab Låssystem för hopfogning av golvskivor samt golvskivor försedda med sådana låssystem och golv bildat av sådana golvskivor
JP3039513B2 (ja) * 1998-05-12 2000-05-08 株式会社村田製作所 チタン酸バリウム粉末、および半導体セラミック、ならびに半導体セラミック素子
JP3424742B2 (ja) 1998-11-11 2003-07-07 株式会社村田製作所 正の抵抗温度特性を有する積層型半導体セラミック電子部品
JP2001167904A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Murata Mfg Co Ltd 半導体磁器およびそれを用いた電子部品
DE10323816A1 (de) * 2003-05-23 2004-12-09 Basf Ag Verfahren zur Herstellung von Mischoxiden mit mittleren Durchmessern kleiner als 10 Nanometer
US8715614B2 (en) * 2003-07-21 2014-05-06 Beijing University Of Chemical Technology High-gravity reactive precipitation process for the preparation of barium titanate powders
CN100450934C (zh) * 2005-06-14 2009-01-14 清华大学 一种钛酸钡低维纳米粉体材料及其制备方法
JP2008205343A (ja) * 2007-02-22 2008-09-04 Tdk Corp 積層型サーミスタの製造方法
CN102459127B (zh) * 2009-06-05 2014-07-09 株式会社村田制作所 钛酸钡系半导体瓷器组合物及钛酸钡系半导体瓷器元件
CN101786654B (zh) * 2010-03-04 2011-12-14 西北工业大学 纳米钛酸锶钡粉体的制备方法
EP2879137A4 (en) 2012-07-25 2015-12-02 Murata Manufacturing Co LAMINATED PTC THERMISTOR ELEMENT
JP7025694B2 (ja) * 2018-01-31 2022-02-25 Tdk株式会社 誘電体磁器組成物、電子部品および積層セラミックコンデンサ
JP7025695B2 (ja) * 2018-01-31 2022-02-25 Tdk株式会社 誘電体磁器組成物、電子部品および積層セラミックコンデンサ

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3764529A (en) * 1972-02-17 1973-10-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd Method of manufacturing fine grain ceramic barium titanate
US4535064A (en) * 1983-05-25 1985-08-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Ceramic compositions for a reduction-reoxidation type semiconducting capacitor
JPS6025004A (ja) 1983-07-20 1985-02-07 Shiro Okamura 光磁気記録装置
GB2193713B (en) 1986-07-14 1990-12-05 Cabot Corp Method of producing perovskite-type compounds.
US5453262A (en) 1988-12-09 1995-09-26 Battelle Memorial Institute Continuous process for production of ceramic powders with controlled morphology
US5219811A (en) * 1989-08-31 1993-06-15 Central Glass Company, Limited Powder composition for sintering into modified barium titanate semiconductive ceramic
NL8902923A (nl) * 1989-11-27 1991-06-17 Philips Nv Keramisch lichaam uit een dielektrisch materiaal op basis van bariumtitanaat.
JPH0426101A (ja) 1990-05-21 1992-01-29 Inax Corp 正特性半導体磁器
US5314651A (en) * 1992-05-29 1994-05-24 Texas Instruments Incorporated Fine-grain pyroelectric detector material and method
US5510305A (en) * 1993-06-15 1996-04-23 Murata Manufacturing Co., Ltd. Non-reducible dielectric ceramic composition
IT1270828B (it) 1993-09-03 1997-05-13 Chon Int Co Ltd Processo per la sintesi di polveri ceramiche cristalline di composti di perovskite
JP3024537B2 (ja) * 1995-12-20 2000-03-21 株式会社村田製作所 積層セラミックコンデンサ
JP3039511B2 (ja) * 1998-04-13 2000-05-08 株式会社村田製作所 半導体セラミックおよび半導体セラミック素子
JP3039513B2 (ja) * 1998-05-12 2000-05-08 株式会社村田製作所 チタン酸バリウム粉末、および半導体セラミック、ならびに半導体セラミック素子

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115626823A (zh) * 2022-11-02 2023-01-20 重庆三省有朋科技有限公司 一种钛酸钡基陶瓷电介质材料及其制备方法
CN115626823B (zh) * 2022-11-02 2023-08-29 重庆三省有朋科技有限公司 一种钛酸钡基陶瓷电介质材料及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
EP0908423A1 (en) 1999-04-14
KR100318398B1 (ko) 2002-02-19
US20030022784A1 (en) 2003-01-30
JPH11116327A (ja) 1999-04-27
SG67565A1 (en) 1999-09-21
EP0908423B1 (en) 2003-01-08
US20010008866A1 (en) 2001-07-19
CN1087719C (zh) 2002-07-17
DE69810564D1 (de) 2003-02-13
DE69810564T2 (de) 2003-05-15
TW588027B (en) 2004-05-21
US6472339B2 (en) 2002-10-29
JP3608599B2 (ja) 2005-01-12
KR19990036978A (ko) 1999-05-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1087719C (zh) 钛酸钡半导体陶瓷
CN1145980C (zh) 正特性半导体陶瓷的制造方法
CN100371252C (zh) 通过草酸盐工艺制备钛酸钡基粉末的方法
CN1040708C (zh) 正温度系数热敏电阻及其制造方法
CN1459810A (zh) 提高均匀性和绝缘电阻的介电组合物,其制备方法以及用该组合物的多层陶瓷电容器
JP2003002739A (ja) チタン酸バリウム粉末の製造方法、チタン酸バリウム粉末およびその評価方法、誘電体セラミック、ならびに積層セラミックコンデンサ
EP2168936B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines feinteiligen Pulverwerkstoffs
JPH0952773A (ja) 複合酸化物セラミックスの製造方法
CN1125794C (zh) 陶瓷复合粉体合成方法
CN1685454A (zh) 层叠陶瓷电容器的制造方法
KR0147345B1 (ko) 유전체 세라믹용 원료 분체의 제조방법
JPH03159953A (ja) 超伝導セラミック体の形成方法
CN1093104C (zh) 半导电陶瓷和半导电陶瓷电子元件
JPH0664924A (ja) 球状チタン酸バリウム系半導体磁器材料粉末およびその製造方法
CN1120138C (zh) 中低温烧结半导体陶瓷及其液相制备方法
JPH0826833A (ja) セラミック原料粉体の製造方法
KR100290247B1 (ko) 티탄산바륨 및 페롭스카이트형 복합산화물 제조방법
CN1143619A (zh) 中低温烧结半导体陶瓷的组成和制备方法
JPS61232217A (ja) 誘電体磁器製造用の低温焼結性原料粉末の製造方法
JPH10139535A (ja) チタン酸バリウム系半導体磁器の製造方法
JPS61127624A (ja) ペロブスカイト型酸化物固溶体の製造方法
RU2077080C1 (ru) Способ получения токопроводящего материала на основе двойного оксида рутения и свинца
JPH0476322B2 (zh)
CN1062122A (zh) 混合的金属氧化物粉末的生产工艺
JP2654460B2 (ja) 超電導物質の製法

Legal Events

Date Code Title Description
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C06 Publication
PB01 Publication
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CX01 Expiry of patent term

Granted publication date: 20020717

CX01 Expiry of patent term