CN1213594C - 多模动态电子束着靶校正电路 - Google Patents

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CN1213594C CNB991197925A CN99119792A CN1213594C CN 1213594 C CN1213594 C CN 1213594C CN B991197925 A CNB991197925 A CN B991197925A CN 99119792 A CN99119792 A CN 99119792A CN 1213594 C CN1213594 C CN 1213594C
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Abstract

一种视频成像装置包括一个周期性的动态聚焦电压消隐信号发生源。一个动态聚焦电压放大器包括一个开关,它响应动态聚焦电压消隐信号,用于在开关处于第一状态时将动态聚焦电压施加至一个聚焦电极,并且用于在开关处于第二状态时阻断动态聚焦电压的施加,以提供自动显像管偏置测量。第二开关响应聚焦电压消隐信号,它耦连至放大器,以便当动态聚焦电压被阻断时向放大器的一级施加一个电流。所施加的电流将聚焦电压调节至接近动态聚焦电压刚导通后建立的电平,以便减弱瞬变状态。

Description

多模动态电子束着靶校正电路
技术领域
本发明涉及电子束着靶失真校正装置。
背景技术
阴极射线管(CRT)上显示的图像可能受到诸如散焦或非线性之类的缺陷或失真的有害影响,这种散焦或非线性是电子束在CRT上扫描时容易产生的。产生这种缺陷或失真的原因是:随电子束在(例如)水平方向上偏转,从CRT的电子枪至面板的距离显著地变化。通过以下方法可以降低电子束在(例如)水平方向上偏转时产生的散焦:产生一个动态聚焦电压,此电压具有一个行频的抛物线(形)电压分量,并且将此动态聚焦电压施加至CRT的一个聚焦电极,以使聚焦电压动态地改变。已知的方法是:从在水平偏转输出级的一个S整形电容器上产生的S校正电压中提取行频的抛物线电压分量。
采用动态聚焦的CRT可能具有内部接线,它使动态聚焦电压接近例如蓝电子枪。在正常工作时,蓝电子枪附件可能不会发生任何问题。但是,当紧接在垂直回扫之后的几个图像行时间(称为AKB测量间隔)内,在一个自动显像管偏置(AKB)电路中进行低电流偏置测量时,动态聚焦电压的水平分量的杂散耦合可能在蓝电子枪的阴极的偏置中引起误差。结果,蓝电子枪的偏置可能不与绿和红电子枪的偏置同步。这可能导致不能接受的背景色温变化。
在AKB测量间隔期间,可能希望从聚焦电极上去除水平动态聚焦电压分量。由此,聚焦电极的不希望的耦合被有益地消除。在AKB测量间隔结束之后,还可能希望防止聚焦电压的明显瞬变。在AKB测量间隔之后,当水平动态聚焦电压恢复时可能产生这种瞬变。
发明内容
本发明的一种视频成像装置,包括:
一个阴极射线管(10),它包括一个聚焦电极(17);
一个聚焦电压校正输入信号(V5)发生源,
一个放大器(97),它具有第一输入端,此输入端响应所述聚焦电压校正输入信号(V5),用于在所述放大器的一个输出端子(97a)处产生聚焦电压(FV)的一个动态聚焦电压分量,所述聚焦电压耦连至所述聚焦电极(17);
第一半导体开关(Q13),它响应一个周期性的控制信号(V13),并且耦连至所述聚焦电压校正输入信号(V5)的一个信号路径,用于在偏转周期的自动显像管偏置(AKB)测量间隔期间,阻断所述动态聚焦电压分量;和
第二半导体开关(Q15),它响应一个周期性的控制信号(V13),并且耦连至所述放大器(97),用于在所述自动显像管偏置(AKB)测量间隔期间,将第二输入信号施加至所述放大器的第二输入端,以便在所述自动显像管偏置(AKB)测量间隔期间之外,所述第二输入信号脱离与所述放大器(97)的耦连。
体现本发明的一个方面的一种视频成像装置包括一个放大器,它具有第一输入端,此输入端响应聚焦电压校正输入信号,用于在放大器的一个输出端子处产生聚焦电压的一个动态聚焦电压分量,聚焦电压耦连至聚焦电极。第一半导体开关响应一个周期性的控制信号,并且耦连至聚焦电压校正输入信号的一个信号路径,用于在偏转周期的自动显像管偏置测量间隔期间,阻断动态聚焦电压分量。第二半导体开关响应一个周期性的控制信号,并且耦连至放大器,用于在自动显像管偏置测量间隔期间,将第二输入信号施加至放大器的第二输入端,以控制聚焦电压。在自动显像管偏置测量间隔期间之外,第二输入信号脱离与放大器的耦连。
附图说明
图1A和1B显示出根据本发明的特征的水平偏转电路输出级和动态聚焦电压发生器;
图2显示出根据本发明的特征的延迟电路;
图3A-3B和4A-4D显示出用于解释根据图2的延迟电路的工作原理的波形。
具体实施方式
图1A显示出一个电视接收机的水平偏转电路输出级101,它具有多扫频能力。输出级101由一个稳压电源100激励,后者产生电源电压B+。一个常规的驱动级103响应处于选择的水平扫描频率nfH的一个输入信号107a。驱动级103产生一个驱动控制信号103a,用以控制输出级101的一个开关晶体管104中的开关动作。例如,根据一个给定的标准,诸如广播标准,n=1的值可以表示一个电视信号的水平频率。晶体管104的集电极耦连至一个回扫变压器TO的初级绕组TOW1的一个端子TOA。晶体管104的集电极还耦连至一个非开关型型(non-switched)回扫电容器105。另外,晶体管104的集电极也耦连至水平偏转绕组LY,用以形成回扫谐振电路。晶体管104的集电极还耦连至一个常规的阻尼二极管108。绕组LY与一个线性电感器LIN和一个非开关型型扫描或S电容器CS1串联。电容器CS1耦连在一个端子25和一个参考电位或地电位GND之间,于是端子25介于电感器LIN和S电容器CS1之间。
输出级101能够产生一个偏转电流iy。对于从2fH至2.4fH范围内选出的信号103a的任何选择的水平扫描频率和选择的水平频率1fH,偏转电流iy具有基本上相同的预定幅度。控制偏转电流iy的幅度是通过当水平频率增大时自动地增大电压B+或者反之(当水平频率降低时自动地降低电压B+)实现的,以维持偏转电流iy的恒定的幅度。电压B+是由常规的稳压电源100控制的,后者通过变压器TO的一个反馈绕组TOW0工作在一个闭环结构中。电压B+的幅度是根据整流的反馈回扫脉冲信号FB建立的,信号FB的幅度指示电流iy的幅度。一个场频抛物线信号E-W是按常规的方式产生的,图中未示出。信号E-W按常规方式耦连至电源100,以产生电压B+的场频抛物线分量,从而提供东-西失真校正。
一个开关电路60用于校正诸如线性之类的电子束着靶误差。电路60选择性地将扫描或S电容器CS2和扫描或S电容器CS3中的一个或两者与扫描电容器CS1并联连接或者不使它们中的任一个与电容器CS1并联连接。这种选择性耦连被确定为频率范围的函数,水平扫描频率从这个范围内选择。在开关电路60中,电容器CS2耦连在端子25和一个场效应晶体管(FET)开关Q2的漏极之间。晶体管Q2的源极耦连至地GND。一个保护电阻器R2耦连在晶体管Q2上,用于防止晶体管Q2上的过电压。
一个寄存器201提供开关控制信号60a和60b。控制信号60a通过一个缓冲器98耦连至晶体管Q2的栅极。当控制信号60a处于第一可选电平时,晶体管Q2截止。另一方面,当控制信号60a处于第二可选电平时,晶体管Q2导通。缓冲器98提供信号60a所需的电平移动,以按常规的方式实现上述的开关动作。
在开关电路60中,电容器CS3耦连在端子25和一个FET开关Q2’的漏极之间。FET开关Q2’是由控制信号60b控制的,控制方式与FET开关Q2由控制信号60a控制的方式相似。由此,一个缓冲器98’实现与缓冲器98相似的功能。
一个微处理器208响应在一个频率/数据信号转换器209中产生的一个数据信号209b。信号209b具有一个数值,此数值指示一个同步信号HORZ(水平)-SYNC(同步)或偏转电流iy的频率。转换器209包括例如一个计数器,此计数器在信号HORZ-SYNC的一个给定的周期内统计时钟脉冲的数量,并且根据在此给定的周期内产生的时钟脉冲的数量形成字信号209a。微处理器208产生一个控制数据信号208a,此信号被耦连至寄存器201的一个输入端。信号208a的值是根据信号HORZ-SYNC的行频确定的。寄存器201根据数据信号208a产生控制信号60a和60b,其电平由信号208a根据信号HORZ-SYNC的频率确定。或者,信号208a的值可以由一个信号109b确定,此信号109b由一个键盘(未示出)提供。
当水平偏转电流iy的频率为1fH时,晶体管Q2和Q2’导通。其结果是,S电容器CS2和CS3均为电路内S电容器,它们与非开关型型S电容器CS1并联,并且建立一个最大的S电容值。当水平偏转电流iy的频率等于或大于2fH并小于2.14fH时,晶体管Q2截止,而晶体管Q2’导通。其结果是,S电容器CS2脱离与非开关型型S电容器CS1的耦连,而S电容器CS3耦连至非开关型型S电容器CS1,从而建立一个中等的S电容值。当水平偏转电流iy的频率等于或大于2.14fH时,晶体管Q2和Q2’截止。其结果是,S电容器CS2和CS3脱离与非开关型型S电容器CS1的耦连,从而建立一个最小的S电容值。电容器CS1、CS2或CS3中的偏转电流iy产生一个S整形抛物线电压V5。
在不同的扫描频率时,由电容器105形成的总回扫电容并不改变。因此,在不同的扫描频率时,回扫间隔具有相同的长度。在不同的扫描频率时,选择电容器CS1、CS2或CS3的值,以产生不同幅度的抛物线电压V5。电压V5的不同幅度是需要的,因为回扫间隔长度是恒定的。
图1B显示出体现本发明特征的动态聚焦电压发生器99。在图1A和1B中,相似的符号或数字表示相似的注释用语或功能。图1B中的电压V5具有负向的回扫峰。抛物线电压V5的峰-峰幅度约为:在16KHZ或1fH时60V、在2fH时80V、在2.4fH时125V。抛物线电压V5通过一个电容器C4电容性地耦合至一个电阻器R16。
一个受控的分压器或衰减器包括电阻器R16和一个电阻器CDS,它在端子120处产生一个衰减的抛物线电压V5’。分压器的衰减是由硫化镉光敏电阻器CDS的导通状态决定的,电阻器CDS为光耦合器PC1的一部分。光敏电阻器CDS响应来自于发光二极管LED的光,发光二极管LED为光耦合器PC1的一部分。来自于二极管LED的光响应来自于复合晶体管Q10的电流。复合晶体管Q10和一个复合晶体管Q11彼此耦合并且耦连至电阻器R19、电阻器R23和电阻器R24,从而形成一个差分放大器。复合晶体管Q11的基极耦连至一个恒定的3V参考电压,此电压是通过由电阻器R11和电阻器R12形成的电阻分压器从一个12V电源分压引出的。
电压V5’的DC分量接近0V。AC分量是由电阻器R16和CDS以及电阻器R17决定的。电阻器CDS的值是由来自于发光二极管LED的光能量决定的。电压V5’的AC分量即V5”通过一个电容器C21耦合至复合晶体管Q10的基极以及箝位二极管D6的阴极。电压V5”的负峰由箝位二极管D6保持为-0.6V。当复合晶体管Q11的基极处+3V的电平被超过时,电压V5”的正峰将使复合晶体管Q10导通。当复合晶体管Q10导通时,电流流过二极管LED,由此产生光通量。这个光通量作用于电阻器CDS,从而降低了其阻值、电压V5’的幅度和电压V5”的幅度。对电阻器CDS的阻值变化的响应速度是很慢的。这在负反馈环路中起到一个低通滤波器的作用。随着V5”的正峰值降低至+3V,晶体管Q10的导通时间缩短,来自于二极管LED的平均光能量减少,直到建立平衡。随后,电压V5”的正峰幅度维持在稍大于+3V。电压V5”和V5’的峰-峰幅度维持在约4V,不受输入频率或幅度的影响。
在电阻器CDS和R16的汇接端子120处产生的驱动电压V5’,通过电容器C3、电阻器R17和电容器C24,电容性地耦连至一个聚焦放大器97的求和点输入端子121。电阻器CDS的增益控制作用调节端子121处的电压,使其在1fH、2fH和2.4fH比率的每一比率时具有相等的峰-峰幅度。
电容器C3为水平抛物线电压提供了电容性耦合。一个电容器C10将一个垂直抛物线电压V8电容性耦合至端子121,电压V8是按常规的方式产生的(未示出)。聚焦放大器97的直流工作点由一个电阻器R5决定,而不是由抛物线信号决定,因为电容性耦合消除了直流分量。电容器C24校正由放大器97的杂散输入电容(未示出)引起的相位延迟,以便水平聚焦校正被合适地调整(时间)。
在放大器97中,一个晶体管Q5和一个晶体管Q6彼此耦连而形成一个差分输入级。这些晶体管具有很高的集电极电流-基极电流比率(被称为β),以增大端子121处的输入阻抗。晶体管Q5和Q6的基极-发射极结电压相互补偿,从而减轻直流偏置随温度变化的漂移。电阻器R11和R12形成一个分压器,此分压器施加于+12V的电源电压V10,以便给晶体管Q6的基极施加约+3V的偏置电压。耦连至晶体管Q5和Q6的发射极的发射极电阻器R10的值如此选择:导通约6mA的最大电流。这可以保护高压晶体管Q20。晶体管Q20通过一个晶体管Q13耦连至晶体管Q5,晶体管Q13起到一个开关的作用。晶体管Q20以渥尔曼(cascode)结构通过晶体管Q13耦连至晶体管Q5。晶体管Q20需要进行过激励保护,因为晶体管Q20只能承受高达10mA的集电极电流。这是因为放大器97在达到6mA的集电极电流时具有高的互导,而在高于6mA时具有较低的互导。晶体管Q20、Q13和Q5的渥尔曼结构隔离了晶体管Q20的集电极-基极结上的密勒(Miller)电容(未示出),由此带宽增大。这种渥尔曼结构还使得放大器增益不受高压晶体管Q20的低β值的影响。
图1A的变压器TO的一个绕组TOW3产生阶梯形升高的回扫电压,此电压在二极管D12中被整流并在电容器C13中被滤波,从而形成一个电源电压VSU,此电源电压用于激励图1B的动态聚焦电压发生器99。一个有源“高”导通管Q1的集电极耦连至电源电压VSU。晶体管Q1的上拉基极电阻器R1通过一个自举或升压装置耦连至电压VSU,所述自举或升压装置包括一个二极管D7和一个电容器C26。一个二极管D5与电阻器R1串联连接并且耦连至晶体管Q20的集电极。一个二极管D4耦连在晶体管Q1的发射极和晶体管Q20的集电极之间,晶体管Q1的发射极位于放大器99的输出端子97a处。
在端子97a处输出波形的负峰期间,二极管D7在其阴极处将电容器C26的一个端子箝位至+1600V电源电压VSU,并且晶体管Q20使电容器C26的另一端子接近地电位。晶体管Q1通过二极管D4和D5作用而截止。当端子97a处电压升高时,存储在电容器C26中的能量通过电阻器R1馈送至晶体管Q1的基极。电阻器R1上的高电压得以维持,晶体管Q1中的基极电流也得以维持,正如晶体管Q1的集电极-发射极电压趋于零时。因此,晶体管Q1发射极电流维持。端子97a处的输出正峰则可以非常接近于+1600V电源电压VSU,并且没有失真。
电容C1表示聚焦电极17和连接线的杂散电容之和。有源“高”导通晶体管Q1能够从端子97a处提供一个电流对杂散电容C1进行充电。“低”导通管Q20能够通过二极管D4从电容C1吸收电流。有益的是,这种有源上拉装置用于以低的功耗获得快速响应时间。对于端子97a处的输出,放大器97采用通过一个反馈电阻器R2的并联反馈。电阻器R17和R2这样选择:在端子97a处形成1000V行频电压。结果,放大器97的电压增益为几百。
由电压V5产生的行频的和由电压V8产生的场频的动态聚焦电压分量,通过一个隔直流电容器C22,电容性地耦连至CRT 10的聚焦电极17,从而产生一个动态聚焦电压FV。电压FV的直流电压分量等于8KV,它是通过由电阻器R28和电阻器R29组成的一个分压器产生的。
在垂直消隐期间和在例如垂直消隐之后的四个图像行时间内(称为AKB测量间隔,未示出),一个周期性的控制信号V13是处于“高”状态。信号V13是由一个体现本发明的特征的延迟电路200产生的,此电路使常规的垂直消隐信号VERT(垂直)-BLANK(消隐)延迟合适数量的图像行时间,例如三个或四个图像行时间。
参照图1A、1B和2,放大器97包括接收聚焦电压校正输入信号V5的第一输入端,聚焦电压校正输入信号V5由图1A中的水平偏转电路产生。放大器97在端子97a产生一个聚焦电压FV的动态聚焦电压分量的输出,送至聚焦电极17。
晶体管Q13作为第一半导体开关,对由延迟电路200产生的周期控制信号V13作出响应,并与聚焦电压校正输入信号V5的一个信号路径耦连。开关Q13在偏转周期的自动显像管偏置(AKB)测量间隔期间,阻断动态聚焦电压分量。
晶体管Q15作为第二半导体开关,它响应一个周期性的控制信号V13,并且耦连至放大器97。开关Q15在自动显像管偏置(AKB)测量间隔期间,将放大器97的第二输入信号施加至放大器97的第二输入端,控制聚焦电压FV。当在自动显像管偏置(AKB)测量间隔期间之外,开关Q15将第二输入端脱离与放大器97的耦连。
图3A-3B和4A-4D示出了用于解释图2中的延迟电路200的工作原理的波形。与图3A-3B的波形相比,图4A-4D的波形是采用扩展的时基示出的。在图1A、1B、2、3A-3B和4A-4D中,相似的符号和数字表示相似的注释用语或功能。
在图2的结构中,图3A中所示的一个常规的复合消隐信号COMP(复合)-BLANK(消隐)被施加至一个非对称积分器203,积分器203包括一个电阻器R99,它耦连至图2中的电容器C99。电阻器R99与一个二极管D99并联,以提供非对称特性。非对称积分器203用于采用电阻器R99和电容器C99的长时间常数去除图3A的水平消隐脉冲HB,同时采用二极管D99和电容器C99的短时间常数恢复时间t2处的消隐后沿。
为了获得信号COMP-BLANK,一个常规的偏转处理器201(型号为TDA9151)产生一个沙堡(sandcastle)信号SC,此信号耦连至一个比较器202,比较器202从信号SC中去除箝位脉冲(未示出)。结果是,在垂直消隐间隔VB期间和在水平消隐脉冲HB期间,图3A中的信号COMP-BLANK处于“低”状态。另一方面,当CRT消隐不需要时,信号COMP-BLANK处于“高”状态。
图2中的积分器203滤除图3A中的水平消隐脉冲HB,从而形成图3B中所示的低通滤波的信号VERT-BLANK。根据由图2中的积分器203产生的短延迟,信号VERT-BLANK在时间t1处达到“低”状态。从图3A中所示的垂直消隐间隔VB的结束时间t2起经过短的延迟时间,即在图3B中的时间t3处,信号VERT-BLANK达到“高”状态。有益的是,延迟时间t2-t3是短的,并且不受分量误差的明显影响,因为通过图2中的二极管D99实现了快速充电作用。
信号VERT-BLANK耦连至一个D型触发器204的一个数据输入端204a。触发器204的一个倒相输出端204b耦连至一个D型触发器205的一个数据输入端205a。触发器205的一个输出端205b耦连至一个D型触发器206的一个数据输入端206a。触发器206的一个输出端206b耦连至一个D型触发器207的一个数据输入端207a。
触发器207的一个输出端207b和触发器204的一个倒相输出端204b,分别通过电阻器208和电阻器209耦连至一个汇接端子210,从而形成一个电阻的逻辑OR(“或”)功能。图1A中的一个行频回扫脉冲信号FLYB耦连至图2中的触发器204-207中的每一个的时钟输入端子。触发器204-207形成一个从回扫脉冲信号FLYB的正向前沿开始的四级移位寄存器。
触发器204在端子210处产生信号V13的前沿,产生时间处于图3C中的时间t1,此时间靠近图3A中的时间t0,时间t0处在垂直消隐间隔VB的开始时间。图3B中的时间t3紧接在图3A中的垂直消隐间隔VB的结束时间t2之后,在此时间t3,信号VERT-BLANK达到“高”状态。在图3C中的间隔t3-t4期间,图2中的触发器204-207的工作维持信号V13处于“高”状态。当图4B中的信号FLYB的第一脉冲FLYB(1)产生时,图2中的触发器204改变状态。脉冲FLYB(1)产生于图4C中时间t3处的信号VERT-BLANK的后沿之后。当图4B中的信号FLYB的第四脉冲FLYB(4)产生时,在图2中的触发器204状态改变之后,触发器207改变状态并且在图4C中时间t4处产生信号V13的后沿。因此,由于延迟时间t3-t4是由精确计时的信号FLYB确定的,时间t4处信号V13的后沿被有益地严格控制。
信号V13通过一个电阻器R26耦连至一个开关晶体管Q15的基极。晶体管Q15的集电极通过一个电阻器R27耦连至晶体管Q20的发射极和晶体管Q13的集电极之间的汇接端子。晶体管Q13的集电极耦连至晶体管Q20的发射极,晶体管Q13的发射极耦连至晶体管Q5的集电极。在垂直消隐期间和在AKB测量间隔期间,晶体管Q13由晶体管Q15截止,并且阻断电流在晶体管Q5的集电极和晶体管Q20的发射极之间的流动。
在实现本发明的特征时,在AKB测量间隔期间,晶体管Q20的发射极电流通过电阻器R27和晶体管Q15维持。在AKB测量间隔期间,电阻器R27耦连在晶体管Q20的发射极和地之间。在AKB测量间隔期间,电阻器R27上具有约11.3V的恒定电压。电阻器R27的值这样选择:使晶体管20中具有恒定的电流,以便电阻器R1上形成的电压等于电源电压VSU和端子97a处的动态聚焦电压的峰值之间的差。这消除了不希望的聚焦电压瞬变和第一图像行失聚焦,否则,当正常的动态聚焦电压开始于AKB测量间隔之后时会发生这种瞬变和失聚焦。如果电阻器R27不耦连至晶体管Q20的发射极,放大器97在端子97a处输出的电压将趋于达到电源电压VSU的+1600V电平。然而,在端子97a处所需的波形峰值通常为1450V。如果在端子97a处放大器输出电压变为1600V,在AKB测量间隔期间,在图像的顶部,在第一可见水平线的开始处将会产生大的瞬变。不利的是,这种瞬变将导致AKB测量间隔之后产生的第一可见水平线的开始部分散焦。
为防止这种大的瞬变,在垂直消隐期间和在AKB测量间隔期间,晶体管Q15通过电阻器R27提供至晶体管Q20的电流路径,晶体管Q15中的电流使端子97a处的输出电压降低。晶体管Q20起到一个电流源的作用并且在电阻器R1上产生一个压降。在AKB测量间隔期间,端子97a处的动态聚焦电压被设定为约等于相加的水平和垂直抛物线分量的峰值。由此,有益的是,在AKB测量间隔之后,聚焦电压瞬变显著地减小。

Claims (7)

1.一种视频成像装置,包括:
一个阴极射线管(10),它包括一个聚焦电极(17);
一个产生聚焦电压校正输入信号(V5)水平偏转电路;
一个放大器(97),它具有第一输入端,此输入端响应所述聚焦电压校正输入信号(V5),用于在一个输出端子(97a)处产生聚焦电压(FV)的一个动态聚焦电压分量,所述聚焦电压耦连至所述聚焦电极(17);
产生周期性的控制信号(V13)的延迟电路(200);
第一开关(Q13),它响应所述周期性的控制信号(V13),并且耦连至所述聚焦电压校正输入信号(V5)的一个信号路径,在偏转周期的自动显像管偏置(AKB)测量间隔期间,所述第一开关阻断所述动态聚焦电压分量;和
第二开关(Q15),它响应所述周期性的控制信号(V13),并且耦连至所述放大器(97),用于在所述自动显像管偏置(AKB)测量间隔期间,将第二输入信号施加至所述放大器的第二输入端,以便在所述自动显像管偏置(AKB)测量间隔期间之外,所述第二输入信号脱离与所述放大器(97)的耦连。
2.根据权利要求1的视频成像装置,其中,在所述自动显像管偏置(AKB)测量间隔的结束时间,所述第二半导体开关(Q15)的工作建立所述放大器输出电压,输出电压接近在所述自动显像管偏置(AKB)测量间隔已结束之后由所述聚焦电压校正输入信号(V5)的一部分确定的电平。
3.根据权利要求1的视频成像装置,其中,在所述自动显像管偏置(AKB)测量间隔期间,所述第一半导体开关(Q13)和所述第二半导体开关(Q15)使所述聚焦电压(FV)在相反的方向上改变。
4.根据权利要求1的视频成像装置,其中,所述放大器(97)包括一对晶体管(Q5、Q20),这对晶体管按渥尔曼结构相互耦连,并且,所述第一半导体开关包括一个晶体管(Q13),它耦连在所述的这对晶体管(Q5、Q20)之间。
5.根据权利要求1的视频成像装置,其中,所述放大器(97)包括一对耦连至一个负载电阻器(R27)的晶体管(Q5、Q20)和一个输出晶体管(Q1),这个输出晶体管耦连至所述输出端子(97a)并响应在所述负载电阻器(R27)中形成的一个信号,并且,所述第二半导体开关(Q15)耦连至所述负载电阻器(R27),以在所述自动显像管偏置(AKB)测量间隔期间改变所述负载电阻器(R27)中的直流电压。
6.根据权利要求1的视频成像装置,其中,所述聚焦电压(FV)从所述放大器输出端子(97a)电容性地耦连(C22)至所述聚焦电极(17)。
7.根据权利要求1的视频成像装置,其中,每一所述开关包括一个晶体管(Q13、Q15),它们响应一个公共的聚焦电压消隐信号。
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