CN1204603C - 微细结构体的干燥方法及通过该方法得到的微细结构体 - Google Patents
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Abstract
本发明是一种在用碳氟化合物系溶剂覆盖微细结构体表面的状态下，使该微细结构体与液态二氧化碳或超临界二氧化碳接触进行干燥的方法。采用本发明的干燥方法，在用液态/超临界二氧化碳处理前，在用碳氟化合物系溶剂覆盖微细结构体表面的状态下使之与二氧化碳接触，从而能够尽可能地抑制光致抗蚀剂图案的倒塌或膨润。另外，包括使用含水溶剂的洗涤工序的情况下，由于其构成为用排水液置换水，再用碳氟化合物系溶剂置换该排水液，因此能够迅速进行采用液态/超临界二氧化碳的干燥之前的工序，也可以抑制光致抗蚀剂图案的倒塌或膨润。
Description
技术领域
本发明涉及对半导体基板的表面上具有微细凹凸(微细结构表面)的结构体进行使用液态二氧化碳或超临界二氧化碳干燥的方法，更详细地说，本发明涉及不使微细图案膨润和/或倒塌进行干燥的方法。
背景技术
半导体制造过程中使用光致抗蚀剂形成图案时，在显像后浸渍(漂洗)于异丙醇(IPA)等醇类溶剂中，然后，使用低粘度的液态或超临界二氧化碳进行干燥的方法是众所周知的(例如特开2000-223467号)。
通常的有机溶剂，由于液体的表面张力或粘度高等原因，造成在干燥漂洗液时，由于在气液界面产生的毛细管力或干燥时的加热引起体积膨胀等，从而导致产生图案的凸部倒塌的问题等，因此为了除去漂洗液以及干燥基板，使用低粘度的超临界二氧化碳。
但是，图案的微细化进展到了100nm以下的水平，图案高纵横比化(与宽度相比，高度高)的发展也迅速，而且，对图案尺寸精度的要求也不断地变得严格，因此，目前采用IPA的漂洗→采用液体/超临界二氧化碳的干燥的方法中，存在不能防止这种微细且高纵横比的图案的膨润和/或倒塌的问题。
另外，有时也可以不经过采用IPA的漂洗→采用液体/超临界二氧化碳的干燥的工序，在显像后，用含有超纯水或表面活性剂的水溶液或者含有微量水的溶剂(以下为了方便，作为所有这些的代表称为“含水溶剂”)进行洗涤。也要求一种不引起上述图案的膨润、倒塌等问题，有效地干燥这些通过含水溶剂进行洗涤的微细结构体的方法。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种在干燥用液体或超临界二氧化碳显像后的半导体基板等微细结构体时，不会引起图案膨润等的干燥方法。
本发明的干燥方法是用液体二氧化碳或超临界二氧化碳干燥微细结构体的方法，其要点在于，在用碳氟化合物系溶剂覆盖微细结构表面的状态下，使该微细结构体与液态二氧化碳或超临界二氧化碳接触进行干燥。通过用碳氟化合物系溶剂对微细结构体进行前处理(漂洗)，可以尽可能地抑制图案的膨润等。
本发明干燥方法的要点如上所述，更优选在用碳氟化合物系溶剂覆盖上述微细结构体表面的工序之前，添加用含水溶剂洗涤微细结构体的工序，以及在洗涤后用与上述碳氟化合物系溶剂相同或不同的碳氟化合物系溶剂和具有与该碳氟化合物系溶剂的亲和性并具有亲水性基团的化合物和/或表面活性剂的混合液置换微细结构体上的超纯水的工序。
通过使用将具有与碳氟化合物系溶剂的亲和性并具有亲水性基团的化合物、表面活性剂或它们两者溶解在碳氟化合物系溶剂中得到的混合液，能够将含超纯水等水的溶剂迅速置换成该混合液。另外，置换成下一个漂洗工序中使用的碳氟化合物系溶剂中的操作也能够顺利进行。
作为具有与碳氟化合物系溶剂的亲和性并具有亲水性基团的化合物，优选使用含有氟原子的化合物。这样，易于溶解在碳氟系溶剂中，抑制图案膨润的效果优良。
作为碳氟化合物系溶剂的全部或部分，如果使用分子中具有醚键的化合物，则由于抑制图案倒塌的效果更优良，因而是优选的实施方式。
而且，使上述碳氟化合物系溶剂成为用通式H-(CF2)n-CH2OH表示的氟代醇，也能够抑制图案的倒塌，同时能够充分干燥，因而是优选的实施方式。其中，n优选2至6。在n为2至6时，能够有效地接触图案上水，并且容易溶解在二氧化碳中，因而氟代醇的除去容易。另外，上述氟代醇在使微细结构体与液态二氧化碳或超临界二氧化碳接触进行干燥时，也可以使之在液态二氧化碳或超临界二氧化碳中含有进行使用。此时，微细结构体不必处于被碳氟化合物覆盖的状态。也可以使被超纯水洗涤后的微细结构体与氟代醇和液态二氧化碳或超临界二氧化碳的混合物接触。此时也优选使用n为2至6的氟代醇。通过使用n为2至6的氟化醇，能够使水均匀地分散在二氧化碳中，有效进行干燥。
另外，本发明也包括通过上述干燥方法得到的微细结构体。
本发明干燥方法的对象是微细结构体，例如光致抗蚀剂显像后形成半导体基板的微细凹凸的结构体。而且，本发明也可以作为用于在金属、塑料、陶瓷等上形成洗净干燥表面的干燥方法使用。
本发明的干燥方法的特征在于，在用碳氟化合物系溶剂覆盖微细结构体表面的状态下，使之与液态二氧化碳或超临界二氧化碳接触，在干燥该微细结构体时具有优点。
由于水几乎不在碳氟化合物系溶剂中溶解，因此进行采用液态、超临界二氧化碳的干燥时，考虑能否防止混入水使光致抗蚀剂材料膨润的问题。另外，碳氟化合物系溶剂具有与液态/超临界二氧化碳良好的相溶性，因此在采用二氧化碳的干燥工序中，能够迅速地从微细结构体表面除去。而且，即使在高压状态下，相对于光致抗蚀剂不活泼，因此，具有光致抗蚀剂图案不会受到破坏的优点。
具体地说，在大气压下将微细结构体浸渍在碳氟化合物系溶剂中后，将其表面被碳氟化合物覆盖的状态的微细结构体放入可高压处理的容器中，使液态二氧化碳或超临界二氧化碳流过容器内，将碳氟化合物系溶剂从微细结构体表面除去，接着，通过减压使液态/超临界二氧化碳从微细结构体表面气化，从而结束干燥。
作为用碳氟化合物系溶剂覆盖微细结构体表面的方法，除浸渍在碳氟化合物系溶剂中以外，例如在微细结构体上附着有其它溶剂时，使微细结构体旋转将其它溶剂从表面除去，同时从上面以淋浴状滴下碳氟化合物系溶剂的方法等。
作为碳氟化合物系溶剂，可以单独或2种以上混合使用氟代烃类、氢化碳氟化合物类、通式H-(CF2)n-CH2OH表示的氟代醇类、住友Thriem社制Phlorinate(登记商标)系列等。作为氟代烃类，例如C4F9OCH3(如住友Thriem社制“HFE7100”)、C4F9OC2H5(如住友Thriem社制“HFE7200”)等。作为氢化碳氟化合物类，例如CF3CHFCHFCF2CF3(如Dupone社制“Vartrer”)等。另外，作为Phlorinate系列，例如“FC-40”、“FC-43”、“FC-70”、“FC-72”、“FC-75”、“FC-77”、“FC-84”、“FC-87”、“FC-3283”、“FC-5312”。
微细结构体在碳氟化合物系溶剂中的浸渍时间并没有特别限定，10秒～数分钟即充分。另外，光致抗蚀剂的显像后通常用异丙醇(IPA)或甲基乙基酮等溶剂漂洗微细结构体，使显像反应停止。本发明中，在碳氟化合物系溶剂中浸渍的工序之前，也可以进行IPA等的漂洗工序(10秒～数分钟)。其中，IPA等残留在微细结构体表面不理想，因此必须用碳氟化合物系溶剂完全置换微细结构体表面。
本发明能够用于干燥的液态二氧化碳是加压在5MPa以上的二氧化碳，对于超临界二氧化碳，可以在31℃以上、7.1MPa以上。干燥工序中的压力优选5～30MPa，更优选7.1～20MPa。温度优选31～120℃。如果低于31℃，碳氟化合物系溶剂难于溶解在二氧化碳中，因此从微细结构体表面除去碳氟化合物系溶剂需要时间，干燥工序的效率降低，但即使超过120℃，认为干燥的效率也不会提高，而且对能量不利。干燥所需要的时间可以根据对象物的大小等适当变化，但数分钟～数十分钟即充分。
高压处理结束后，通过使容器内的压力恢复常压，二氧化碳迅速蒸发为气体，因此也不会破坏微细结构体的微细图案，干燥结束。减压前容器内的二氧化碳优选为超临界状态。由于可以只经过气相减压至大气压，因此能够防止图案倒塌。
以上说明的本发明的干燥方法在显像后，进行采用IPA等的漂洗，然后进行采用液态/超临界二氧化碳的干燥的情况下非常适合，本发明者认为也可以应用于显像后，用含有超纯水等水的溶剂洗涤，然后用液态/超临界二氧化碳干燥的方法。但是，由于水和碳氟化合物系溶剂非常难于混合，因此如果在采用水的洗涤工序刚结束后就进行用碳氟化合物系溶剂覆盖微细结构体表面的工序，则水残留在微细结构体表面，存在不能防止图案膨润、倒塌的问题。另外，如果用在碳氟化合物系溶剂中混合亲水性醇类溶剂(没有氟原子)的混合液置换水，则发生光致抗蚀剂图案溶解的问题。
因此，本发明中，在用碳氟化合物系溶剂覆盖微细结构体表面的工序之前，添加用含有水的溶剂洗涤微细结构体的工序，以及在洗涤后，用与上述碳氟化合物系溶剂相同或不同的碳氟化合物系溶剂和具有与该碳氟化合物系溶剂的亲和性并具有亲水性基团的化合物和/或表面活性剂的混合液置换微细结构体上的水的工序。
通过使用将具有与碳氟化合物系溶剂的亲和性并具有亲水性基团的化合物或表面活性剂或它们两者(以下代表性地称为“排水剂”)溶解在碳氟化合物系溶剂中得到的混合液，即对水和碳氟化合物系溶剂二者具有亲和性的混合液(以下称为“排水液”)，能够使残留在微细结构体表面的水和该混合液迅速置换，从而从微细结构体表面上除去水分。另外，由于上述混合液与下一个工序的用碳氟化合物系溶剂覆盖微细结构体表面的工序中使用的碳氟化合物系溶剂的亲和性高，因此能够顺利进行用碳氟化合物系溶剂覆盖微细结构体表面的工序。
而且，与在碳氟化合物系溶剂中溶解没有氟原子的醇类溶剂得到的溶液的情况不同，在上述排水液中，光致抗蚀剂溶解或膨润的情况非常少。但是，排水液中的排水剂的量如果增多，则光致抗蚀剂溶解，因此优选使排水剂的量适当。另外，作为碳氟化合物系溶剂，如果使用分子中具有醚键的化合物(例如上述氟代烃)或氢化碳氟化合物类(例如Dupone社制Vartrer)，虽然理由不清楚，但能够抑制光致抗蚀剂的溶解，因此优选在排水液中使用这些碳氟化合物系溶剂。另外，在排水液中可以使用的碳氟化合物系溶剂，可以与下一个工序中使用的碳氟化合物系溶剂的种类相同，也可以不同。
作为排水剂，可以使用具有与碳氟化合物系溶剂的亲和性并具有亲水性基团的化合物。作为这种化合物，希望是分子中具有羟基、羧基、或磺酸基等亲水性基团和氟原子的化合物。作为这种化合物的具体例子，例如三氟乙醇、全氟代异丙醇等含氟醇类、全氟代辛酸等具有碳原子数4～10烷基的脂肪族羧酸的烷基的氢的一部分或全部被氟取代的氟代羧酸类(例如Daikin工业社制“C-5400”，化学式H(CF2)4COOH)、具有碳原子数4～10烷基的脂肪族磺酸的烷基的氢的一部分或全部被氟取代的氟代磺酸类、1-羧基全氟代环氧乙烷等，它们可以单独使用，也可以两种以上混合使用。
作为排水液的溶剂和排水剂的优选组合，有作为溶剂的氟代烃类或氢化碳氟化合物类和作为排水剂的分子中具有氟原子的醇(例如全氟代丙醇)或分子中具有氟原子的羧酸(氟代羧酸)的组合。
上述与碳氟化合物系溶剂具有亲和性的化合物在排水液中，优选0.1～10质量％。如果过多，则存在引起上述光致抗蚀剂溶解的担心。更优选的上限是8质量％，更优选的上限是7质量％。另一方面，如果过少，则存在与含水溶剂的置换变得不充分的担心。更优选的下限是0.5质量％，更优选的下限是1质量％。
作为排水剂中的表面活性剂，优选非离子性表面活性剂，特别是由于光致抗蚀剂的溶解少，因此优选山梨聚糖脂肪酸酯系表面活性剂。作为山梨聚糖脂肪酸酯系表面活性剂的具体例子，例如“Reodol SP-030”、“Reodol AO-15”、“Reodol SP-L11”(均为商品名，花王社制)可以得到。
上述表面活性剂与具有与上述碳氟化合物系溶剂的亲和性的化合物相比，考虑到难于溶解在碳氟化合物系溶剂中但与水的亲和性高和即使用比较少的量也能够引起光致抗蚀剂的溶解，其使用量优选在排水液中为0.05质量％以下，更优选0.02质量％以下。
采用含水溶剂的洗涤工序并没有特别限定，例如可以采用将微细结构体浸渍在含水溶剂中的方法或使微细结构体旋转以淋浴状滴下含水溶剂的方法等，采用排水液的置换工序也可以通过同样的方法进行。另外，含水溶剂例如含有超纯水、纯水、表面活性剂的水、混合有水(即使微量)的有机溶剂等。采用排水液进行的含水溶剂的置换工序一旦结束，如上所述，用碳氟化合物系溶剂覆盖微细结构体的表面，用液态/超临界二氧化碳干燥，则完成了本发明的第2种干燥方法。
具体实施方式
下面通过实施例进一步详细说明本发明，但下述实施例并不限制本发明，在不脱离前、后所述要点的范围内进行的变更实施均包含在本发明的技术范围内。另外，只要不特别限定，“份”表示“质量份”，“％”表示“质量％”。
实施例1
在Si单晶片上以旋转数4000rpm旋转涂覆日本Zeon制光致抗蚀剂“ZEP520”，形成膜厚3500的光致抗蚀剂膜。接着，在180℃下进行预烘干后，通过电子束曝光形成图案。将形成了曝光的光致抗蚀剂膜的单晶片浸渍在乙酸正戊酯中，进行1分钟显像。接着，浸渍在异丙醇(IPA)中30秒，再在氟代烃(HFE，C4F9OCH3)中浸渍30秒，将IPA完全置换成HFE。
保持其表面被HFE覆盖的状态，同时将该单晶片装入可高压处理的容器中。加压预先加热至50℃的二氧化碳，通过液体输送泵导入容器内，使7.5MPa的超临界二氧化碳以10ml/min的速度流过。通过超临界二氧化碳的流过，HFE全部被排出，容器内置换成只有超临界二氧化碳。然后保持在50℃的状态下将容器内的压力减压至大气压，使具有光致抗蚀剂膜的单晶片干燥。用电子显微镜观察光致抗蚀剂图案的结果认为图案完全没有倒塌。另外，将上述7.5MPa变成15MPa，进行同样的试验。此时也认为图案完全没有膨润，确认微细图案保持其状态。
比较例1
在采用IPA的漂洗工序后，不进行使用HFE的浸渍工序，除此以外与实施例1同样操作，进行采用7.5MPa和15MPa的超临界二氧化碳的干燥。用电子显微镜观察光致抗蚀剂图案时，没有图案的倒塌，但光致抗蚀剂线的宽度粗，或者光致抗蚀剂侧壁或光致抗蚀剂上部的粗糙度(粗糙度)变大，确认光致抗蚀剂自身膨润。另外可以看出，该光致抗蚀剂的膨润与7.5MPa的场合相比，15MPa显著。
实施例2
在Si单晶片上以旋转数3000rpm旋转涂覆Sprie社制光致抗蚀剂“UV2”，形成膜厚4000的光致抗蚀剂膜。接着，在130℃下进行预烘干90秒后，通过电子束曝光(电子束加速50keV，电子量10μC/cm2)形成图案。再在140℃下进行90秒烘干。用显像液(2.38％氢氧化四甲铵水溶液)对形成了曝光的光致抗蚀剂膜的单晶片进行1分钟的显像处理。
显像后，使单晶片旋转，同时供给单晶片表面超纯水，洗去显像液。不干燥该单晶片的表面，使单晶片旋转的同时供给表1所示的排水液，从单晶片表面完全除去超纯水。接着，不干燥单晶片表面，使单晶片旋转的同时供给表面碳氟化合物系溶剂“FC-40”(住友Thriem社制)，用“FC-40”完全置换排水液。停止单晶片的旋转，在单晶片停止后，供给单晶片表面“FC-40”约10cc，使表面不干燥。
保持用“FC-40”覆盖其表面的状态，同时将该形成了光致抗蚀剂膜的单晶片装入可进行超临界处理的容器中。用液体输送泵将预先加热至50℃的二氧化碳供给保持在50℃的容器中，同时通过压力调整阀将容器内的二氧化碳调整为8MPa，使容器内的二氧化碳处于超临界状态。通过使该超临界二氧化碳流过容器内，从容器除去“FC-40”，将容器内置换成只有超临界二氧化碳。然后在保持于50℃的状态下将容器内的压力减压至大气压，使具有光致抗蚀剂膜的单晶片干燥。用电子显微镜观察光致抗蚀剂的图案，观察有无图案的倒塌、图案的膨润。观察结果如表1所示。表中的“-”表示没有图案的倒塌、图案的膨润。表中的“±”表示认为有一些图案的膨润。另外，排水性和光致抗蚀剂溶解在用超临界二氧化碳置换“FC-40”之前进行评价。排水性用光学显微镜观察被“FC-40”覆盖状态的图案，评价有无水滴。表中的排水性“优良”表示认为完全没有水滴。表中排水性“中等”表示认为有一些水滴。光致抗蚀剂溶解通过用偏振光椭圆计测定排水液涂覆前后光致抗蚀剂膜的厚度进行评价。表中的光致抗蚀剂溶解“-”表示厚度没有变化。
另外，各排水剂(即全氟代异丙醇、氟代羧酸和三氟乙醇)是未使这次使用的光致抗蚀剂溶解的浓度(即5％、10％和1％)。
表1
| EXP.NO | 排水液 | 排水性 | 光致抗蚀剂溶解 | 图案倒塌 | 图案膨润 | |
| 溶剂 | 排水剂 | |||||
| 3-1 | HFE7200(95％) | 全氟代异丙醇(5％) | 优良 | - | - | - |
| 3-2 | HFE7200(90％) | 氟代羧酸(10％) | 优良 | - | - | - |
| 3-3 | HFE7200(99％) | 三氟乙醇(1％) | 中等 | - | - | ± |
| 3-4 | Vartrer XF(95％) | 全氟代异丙醇(5％) | 优良 | - | - | - |
| 3-5 | Vartrer XF(90％) | 氟代羧酸(10％) | 优良 | - | - | - |
| 3-6 | Vartrer XF(99％) | 三氟乙醇(1％) | 中等 | - | - | ± |
*HFE7200：C4F9OC2H5
*Vartrer XF：CF3CHFCHFCF2CF3
比较例2
将显像和显像后采用超纯水的洗涤工序与实施例3同样进行，洗涤后只通过旋转干燥法使单晶片表面干燥。用电子显微镜观察光致抗蚀剂图案，微细图案全部倒塌。
实施例3
在硅单晶片上以旋转数3000rpm旋转涂覆Sprie社制光致抗蚀剂UV2，形成膜厚4000的光致抗蚀剂膜。接着，在130℃下进行预烘干90秒后，通过电子束曝光形成图案。再在140℃下进行90秒曝光后烘干，用显像液(2.38％氢氧化四甲铵水溶液)进行1分钟的显像处理。通过使显像后单晶片旋转的同时供给光致抗蚀剂表面超纯水的方法洗去显像液，进行漂洗。
用超纯水漂洗显像后的单晶片后，用氟代醇(H-(CF2)4-CH2OH)置换漂洗液。置换后，在氟代醇覆盖单晶片的状态下，装入可高压处理的容器中。然后，用泵将加热至40℃的二氧化碳加压输送，使容器内达到15MPaG，连续供给二氧化碳，使氟代醇干燥。干燥后，释放压力，用电子显微镜观察装入的单晶片，确认70nm的线和空间以及点图案没有倒塌地保持。另外，认为各图案也没有膨润。
另外，作为比较试验，制作显像、采用超纯水的洗涤后，不进行上述超临界干燥工序，漂洗后采用旋转干燥法迅速干燥的样品。同样用电子显微镜观察其，结果70nm的线和空间以及点图案全部倒塌。
实施例4
在Si单晶片上以旋转数3000rpm旋转涂覆Sprie社制光致抗蚀剂“UV2”，形成膜厚4000的光致抗蚀剂膜。接着，在130℃下进行预烘干90秒后，通过电子束曝光(电子束加速50keV，电子量10μC/cm2)形成图案。再在140℃下进行90秒烘干。用显像液(2.38％氢氧化四甲铵水溶液)对形成了曝光的光致抗蚀剂膜的单晶片进行1分钟的显像处理。
显像后，使单晶片旋转，同时供给单晶片表面超纯水，洗去显像液。不干燥该单晶片的表面，使单晶片旋转的同时供给氟代醇(H-(CF2)6-CH2OH)，从单晶片表面完全除去超纯水，用氟代醇(H-(CF2)6-CH2OH)完全置换。停止单晶片的旋转，在单晶片停止后，供给单晶片表面剩余的氟代醇约10cc，使表面不干燥。
保持用氟代醇覆盖其表面的状态，同时将该形成了光致抗蚀剂膜的单晶片装入可进行超临界处理的容器中。用液体输送泵将预先加热至50℃的二氧化碳供给保持在50℃的容器中，同时通过压力调整阀将容器内的二氧化碳调整为8MPa，使容器内的二氧化碳处于超临界状态。通过使该超临界二氧化碳流过容器内，从容器除去氟代醇，将容器内置换成只有超临界二氧化碳。然后在保持于50℃的状态下将容器内的压力减压至大气压，使具有光致抗蚀剂膜的单晶片干燥。干燥后，释放压力，用电子显微镜观察装入的单晶片，确认70nm的线和空间以及点图案没有倒塌地保持。另外，认为各图案也没有膨润。
实施例5
在硅单晶片上以旋转数3000rpm旋转涂覆Sprie社制光致抗蚀剂“UV2”，形成膜厚4000的光致抗蚀剂膜。接着，在130℃下进行预烘干90秒后，通过电子束曝光形成图案。再在140℃下进行90秒曝光后，用显像液(2.38％氢氧化四甲铵水溶液)进行1分钟的显像处理。通过使显像后单晶片旋转的同时供给光致抗蚀剂表面超纯水的方法洗去显像液，进行漂洗。
用超纯水漂洗显像后的单晶片后，在漂洗液覆盖单晶片的状态下，装入可高压处理的容器中。然后，首先用泵将加热至40℃的二氧化碳加压输送，使容器内达到15MPaG，与二氧化碳同时供给相对于二氧化碳1重量％的氟代醇(H-(CF2CF2)-CH2OH)，使漂洗液干燥。干燥后，停止供给氟代醇，通过单独供给二氧化碳由容器内除去氟代醇。然后，释放压力，用电子显微镜观察装入的单晶片，确认70nm的线和空间以及点图案没有倒塌地保持。另外，认为各图案也没有膨润。
另外，作为比较试验，制作显像、采用超纯水的洗涤后，不进行上述超临界干燥工序，漂洗后采用旋转干燥法迅速干燥的样品。同样用电子显微镜观察，其结果70nm的线和空间以及点图案全部倒塌。
Claims (8)
1、一种微细结构体的干燥方法，其特征在于，具有以下工序：
(3)用碳氟化合物系溶剂覆盖该微细结构体表面的工序；
(4)在用碳氟化合物系溶剂覆盖该微细结构体表面的状态下，使该微细结构体与液态二氧化碳或超临界二氧化碳接触的工序。
2、如权利要求1所述的干燥方法，其特征在于，在用该碳氟化合物系溶剂覆盖的工序之前还具有以下工序：
(1)用含水溶剂洗涤微细结构体的工序；
(2)在该洗涤工序后，用与上述碳氟化合物系溶剂相同或不同的碳氟化合物系溶剂和具有与该碳氟化合物系溶剂的亲和性并具有亲水性基团的化合物和/或表面活性剂的混合液置换微细结构体上的水的工序。
3、如权利要求2所述的干燥方法，其特征在于，上述具有与碳氟化合物系溶剂的亲和性并具有亲水性基团的化合物为含有氟原子的化合物。
4、如权利要求1～3中任意一项所述的干燥方法，其特征在于，该碳氟化合物系溶剂含有分子中具有醚键的碳氟化合物系溶剂。
5、如权利要求1所述的干燥方法，其特征在于，该碳氟化合物系溶剂含有用通式H-(CF2)n-CH2OH表示的氟代醇。
6、如权利要求5所述的干燥方法，其特征在于，n为2～6。
7、一种微细结构体的干燥方法，其特征在于，具有以下工序：
使该微细结构体与通式H-(CF2)n-CH2OH表示的氟代醇和液态二氧化碳或超临界二氧化碳的混合物接触的工序。
8、如权利要求7所述的干燥方法，其特征在于，n为2～6。
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