CN1193411A - 平板显示器 - Google Patents

Abstract

一种平板显示器(10),包括一密封的填充气体的封闭体。该封闭体包括有多个电极(20)的顶部玻璃基底,覆盖电极的介电膜(22)和与顶部玻璃基底有一间隔的底部玻璃基底(14)。底部玻璃基底包括多个交替的阻挡肋(24)和微道沟。电极(40)淀积在每一微道沟上,磷荧光体(42)淀积在一部分电极的覆盖层上。

Description

平板显示器

本发明涉及平板显示器及其制造方法。尤其是，本发明涉及全色和高分辨率的平板显示器及其制造方法，此显示器具有大的高宽比阻挡肋。

平板显示器是一电子显示装置，它是由称为象素的显示图像单元的一个大阵列所组成的，象素排列成二维矩阵形。平板显示器的例子有：电发光器件，交流等体子平板显示器，直流等离子体平板显示器，场发射显示器等等。

平板等离子体显示器的基本结构是由两平板玻璃构成，平板玻璃的内表面是导体电极的图样。平板玻璃由填充的气体分隔开。导体电极的排列是一x-y矩阵的形式，水平排列的电极与纵向排列的电极相互垂直，采用众所周知的薄膜技术将电极沉淀在平板玻璃上。

交流等离子体平板显示器的电极由一薄的玻璃介电体薄膜所复盖。将两平板玻璃放在一起形成一夹层结构，两平板玻璃之间的距离由间隔物所固定。在平板玻璃的边缘进行密封，对玻璃板之间的空腔抽真空，然后回填氦氖气体混合物。

当气体离化时，介质电荷像多个小的电容器，这样驱动电压和电容电压之和足够大时，可以激发平板玻璃之间的气体并产生辉光放电。在电压加到列矩阵中的电极时，很多小的光发射象素形成了可见的图象。

阻挡肋的典型放置是在前面提到的绝缘基板之间，以便防止电级之间串包和象素间干扰并增加分辨率给出清晰图象。阻挡肋的高度，宽度和图样的间隙给出了平板玻璃之间的均匀放电空间，得到了所需要的象点。例如，等离子显示平板的阻挡肋最希望的构形是100微米高，宽度则尽可能的窄，最好小于20微米，相互间隔为120微米。为了取得每英寸72线的颜色象素距离，这一要求是必须的。这也是印刷工业的标准类型点，等效于具有红、绿、兰磷荧光体排列，每英寸216线亚象素间距。在计算机终端设备和电视接收机中，用于显示图形和文字，对角线尺寸为20至40英寸的平板显示器和阳极射线管显示器，一般使用这一图样取得色彩的输出。

曾经提出并发展了一些方法用于制作这些阻挡肋(barrier rib)，这些方法包括玻璃质材料的多层网印，喷沙法，挤压法，光刻法和双层法。

使用厚膜印制方法，在低分辨率显示中，非常成功地形成了大约200微米大小的阻挡肋。这一方法包括在玻璃基底上给出多条线的放电电极，印制并熔烧介质膜，在平板上使用印网在相邻电极之间印制玻璃涂层并烘干涂层。印制和烘干步骤重复大约5至10次，以后在相当高的温度下，大约500充到600度的范围熔烧或处理平板，将涂层烧结成固体状肋。取得高分辨率的努力业已试过，但是非常困难，这是因为在很大的区域上要进行大量的重新对准步骤，而且在高温处理过程，涂层有先去其形状的趋向。

另一个制造阻挡肋的方法是在放电电极的图样上形成光阻材料的有机膜，用玻璃涂胶填充沟槽。在高温处理过程中熔掉有机材料。由于在高温处理过程涂层有先去其形状的趋向，这一方法限于粗象素间距器件。除此以外，通过熔烧移去光敏膜会对由玻璃涂胶固定形成的阻挡肋产生形状的变化和部分变形或破裂。以后将会了解到很难形成具有给定高宽比，均匀和稳定的阻挡肋。

在美国专利5,116,27号中描述了对此方法的改进，它包括在放电电极的图象上形成光敏材料有机膜，先予热到一较低的温度然后再升高温度，在此温度下有机膜在一给时间经历一放热过程。在有机膜之间和附近加入绝缘材料以后的熔烧处理中，溶烧掉有机膜过程中有机膜开头的变化有效地减少了，降低了由绝缘材料形成的阻挡肋形状的变化。绝缘材料由玻璃涂胶组成，玻璃涂胶包含的一种玻璃成分在于热温度下变软，另一种玻璃成分在有机膜处理或熔烧温度附近变软。这种方法能够取得高宽比的改进，但仍不够产生高分辨等离子体显示板。

有一种已知的玻璃陶瓷材料，在大块的形式下能产生并保持这种机械特征在几微米的精度内。这些材料是光敏玻璃，是在1950年至1970年之间开发的，一般地称为耐高温陶瓷光敏陶瓷。stookey在corning玻璃工厂研究光敏玻璃期间发现并发明了基本原理。这种光敏玻璃已为众所周知并记录在文献中，例如由Anatolii Berezhnoi所某种，Plenum出版社在1970年出版的著作“Glass Ceramics and photo-sitalls”。这种玻璃在市场上有各种名称，例如Fotocerem，这是Corning公司的注册商标。

最近几年，这些材料最普通的用途是制作喷墨打印机的喷孔及类似产品的细微结构。在诸如陶瓷炊具的产品中，这些材料也是很普通的。但是在精细机械技术中，这些材料还没有看到广泛的应用，因为与其它材料和技术相比，材料的价格还是很高的。

这些光敏材料的成分可用来形成各种玻璃系统，例如，一种普通的光敏玻璃材料是由Li₂O-A₂O₃-SiO₂所构成的。这些玻璃也还有微量成分用作特殊的功能。例如，加入Ce及Ag，Au或Cu作为光敏剂，加入Na作为肋溶剂。

当这些玻璃在间歇生产炉中1350至1400度温度加热，然后迅速冷却后，它们显示有光敏性质。在140至340纳米范围的紫外光照射下，分子键破裂形成单个原子。这样在玻璃中形成了潜影。如果加热到大约520℃的温度，自由原子开始聚合。如果玻璃继续加热到600℃左右，在曝光区域的银聚合体周围将优先形成晶体，典型的有基体玻璃的锂硅酸盐，Lidisilicate，锂霞石和锂辉石相。银聚合体具有促进晶体成核的作用。主要的晶相类型和晶体的尺寸是由加热过程的严格时间和温度所决定的。业也发现这些晶相，特别是锂硅酸盐，在弱HF下其蚀刻速度大大愉于仍处于没在曝光区域的玻璃。

为了从这些材料中制造准确的机械形状，开头表面必须是光学平滑的，以便当紫外线进入表面后光线不发生弯曲。所以，在曝光前玻璃表面必须研磨并抛光。这样使得加工过程相当昂贵。直接使用这一技术制造显示器阻挡肋是不实际的，不仅因为它昂贵而且当在传统的方法中使用成块的材料时会有蚀刻深充控制和残留物问题。

本发明的一个目的是给出能够克服以往技术中制造阻挡肋时所遇到问题的方法并可以大大地改进平板显示的分辨率和几何精度。本发明的另一目的是给出具有光敏材料的玻璃基底，直接用于形成彩色等离子体平板显示器的阻挡肋。本发明还有一个目标是给出制造平板显示器的方法，在这一方法中电极和磷荧光体自动排列成由阻挡肋形成的图样。本发明的另一目标是给出一个具有顶部玻璃基底和底部玻璃基底的平板显示器，玻璃基底具有可蚀刻的内表面，内表面上有电极，其中底部玻璃基底的电极不是介质绝缘的。本发明的另一目的是给出制造和使用上简单并且经济的平板显示器。

简单地讲，本发明给出了一个包括有密封填充气体封闭体的平板显示器，封闭体包括一个有多个电极的顶部玻璃基底和复盖电极的电子发射薄膜，底部玻璃基底与顶部玻璃基底有一空间间隔。底部玻璃基底包括多个交替的阻挡肋和微道沟。每一个电极淀积在每一个微道沟上，而磷荧光体淀积在电极的一部分上。

每一微道沟包括一沟底和向上延伸的围墙，每一个阻挡肋包括一肋底，肋峰和边墙。边墙从肋底延伸到肋峰。相邻微道沟的周围边墙是由中间阻挡肋的肋峰相互联接的。电极在沟底以及每一微道沟向上延伸的周围边墙的一部分上沉淀。

根据下面参照附图所做的详细描述，本发明的进一步特征，目的和优点将会变得更加清楚，其中：

图1是一个光敏玻璃层在底部玻璃板上的部分立体图；

图2是图1中的光敏玻璃层和底部玻璃板通过掩膜有选择曝光紫外线的部分立体图。

图3是图2的光敏玻璃层和底部玻璃板在除去光敏玻璃的紫外线曝光区域以后的部分截面图。

图4是图3的光敏玻璃层和底部玻璃板包括电极的部分截面图。

图5是图4的光敏玻璃层和底部玻璃板包括了加在电极上一部分磷荧光材料后的部分立体图。

图6是图5的光敏玻璃层和底部玻璃板包括顶部玻璃板和密封后的部分立体图。

图7是图6的光敏玻璃层，底部玻璃板和顶部玻璃板的部分放大的立体图；

图8是根据本发明一交替排列阻挡肋的放大截面图；

图9是根据本发明一交替排列阻挡肋的放大截面图。

图10是根据本发明一交替排列阻挡肋的放大截面图。

图11是根据本发明一交替排列阻挡肋的放大截面图。

图12是根据本发明等离子平板显示器放大的立体图，它表明了等离子平板显示器电极的互联总线。

在以下的描述中，同样的参考符号代表同样的或对应的部分。而且对于术语“顶部”，“底部”，“前边”，“后边”以及类似的位置和方向应理解为相应于附图和描述中的术语。此外为了清楚和严格起见，结构的某些部分和细节可能夸大或者没有给出，因为某些细节在本发明公开以前已是成熟的技术。例如，平板显示器的控制电路没有画出，因为这种电路已为众所周知并存在目前的技术中。

参照附图，在此同样的参考符号代表同样的元部件。图1至12表示了基本结构和按照本发明准备平板显示器10的步骤。尽管本发明的描述是和等离子体显示平板相联系的，明显地，本发明也可用于大部分平板显示器的相同设置。因此，本发明与等离子平板显示相关的描述不能解释为像权利要求中的发明范围限制。

在图7中表示了根据本发明显示光学图像的平板显示器10。平板显示器10表示为一等离子显示平板并且包括了分开的制造元件，这些元件可以装配形成平板显示器。

一般地讲，等离子体显示平板是一密闭的填充了气体的封闭体，封闭体包括一顶部玻璃基底12和一定空间距离的底部玻璃基底14。顶部玻璃基底12迭加在底部玻璃基底14之上，如图12所示。玻璃基底12和14对光是可穿透的的并且有均匀厚度，例如，玻璃基底12和14近似为1/8至1/4英寸厚。

顶部玻璃基底12可以含有SiO₂，Al₂O₃，MgO₂和CaO作为主要成分，而Na₂O，K₂O，PbO，B₂O₃等可作为辅助成分。多个电极20淀积在顶部玻璃基底12的内表面18上。电极具有目前技术中所知道的类型。在一优先实施例中，电极20是薄膜电极，电极之间相互平行排列，电极的制作是通过金属蒸发，例如Au或类似蒸汽产生的。通过显示器制造领域中周知的各种平面技术，一均匀电子发射膜22复盖在电极20上，电子发射膜是诸如介质膜或技术上已知的电子发射材料类型。介质膜可以是大部分适合的材料，比如铅玻璃材料等等。电子发射材料可以是大部分适合的材料，比如金刚石复盖层，MgO材料等等，并可作为表面膜(没有画出)。电子发射薄膜22可以用第二个MgO薄膜(没有画出)复盖。

底部玻璃基底14包括多个平行的阻挡肋24和微道沟26，它们沿着内表面16或底部玻璃基底14延伸。阻挡肋24和微道沟26可以在玻璃中蚀刻，此玻璃构成了平板10的底部玻璃基底；或者可以在一分开的玻璃层28中形成阻挡肋和微道沟，通过部分或全部蚀刻分开的玻璃层，分开的玻璃层构成了底部基底玻璃的一部分。分开的玻璃层28然后放在底部基底玻璃14上，在蚀刻以前或以后与底部玻璃基底合为一起。

无论使用哪一个过程，最好从一原有的选择结晶的可蚀刻玻璃材料形成阻挡肋24和微道沟26，例如使用玻璃陶瓷合成材料，如有适当的成核剂。

掺有适当的成核剂的玻璃陶瓷合成材料的一个例子是掺有适当成核剂的光敏玻璃含有大约90wt％的Li₂O-Al₂O₃-SiO₃，从Ce，Ag，Au和Cu中所选的一种或多种掺杂剂。在优先实施例中，光敏玻璃包括大约73-82wy％的SiO₂，大约6～15wt％的Li₂O和大约4-20wt％的Al₂O₃以及从Ce，Ag，Au和Cu中所选择的大约0.006-0.2wt％的一种或多种掺杂剂。

在开口坩埚中通过在1350℃至1400℃加热一批熔体中的混合物约3至4小时，将光敏玻璃制备成光敏套夹，典型的情况是在中性或氧化条件下，但当Ag或Cu的成分很少时，要降低条件。为了创造氧化条件，将一种技术上众所周知的氧化剂引入成批的熔料中。如果需要降低条件时，加入浆或NH₄Cl。套夹(collet)进一步破解为碎块并由球研磨成粉。在研磨过程中为了不予先敏化光敏玻璃因而丢失底部玻璃基底14的光敏性质，仔细提供正确的电化学条件是很重要的。这个可以通过加入氧化剂，或银盐或锂盐到磨粉中来做到。

在另一实施例中，可以通过配比光敏玻璃成分的近似混合物和适当的燃油来准备粉末，典型的混合物是硝酸盐，燃油可以是甘油。当在适当的温度下，大约500℃到600℃，将它们放入炉中，这种配比的混合物将会自燃并很快地燃烧，形成类似泡沫具有所希望成份和特性的产品，它能很容易地粉碎成粉末。

在两种实施例中，合成的粉末可以和液体混合起来并均匀地加到底部玻璃基底14上，通过网印方法在底部玻璃基底上形成内表面16。底部基底玻璃14在580℃到620℃之间熔烧大约一小时左右，将粉末熔结成均匀的玻璃光敏表面层。通过熔结过程保持底部玻璃基底14的光敏性质时，重要的是防止粉末受到其它不需要的紫外线的辐射。

当光敏玻璃充分冷却后，基底玻璃基底14通过掩膜30在约250至340nm的紫外线范围内曝光，典型的掩膜材料是石英材料。掩膜允许紫外线通过特别指定的图样到达光敏玻璃，此处指定的图样是即将形成的微道沟图样。

在不同的一个实施例中，掩膜30的图样可以通过层压法在光敏玻璃上加上技术上已知的光刻胶材料，有些时候用一金属成份的薄膜层首先作为掩膜材料，然而选择腐蚀形成表面上的掩膜，以后可以用作其它目的。

紫外线辐射将光敏玻璃内的Ag，Au或Cu的分子键破解后形成Ag，Au和Cu的单个原子。Ag，Au或Cu原子在光敏玻璃中对应于掩膜30的图样形成潜影。

一旦在紫外线下曝光，光敏玻璃重新加热到约520℃，这样Ag，Au或Cu原子重又聚合。然后，光敏玻璃28加热到约600℃，光敏玻璃的晶体，例如，锂硅酸盐，锂硅化物，Encryptite和锂辉石相在Ag，Au或Cu原子团周围形成，原子团在此作用成核剂；在掩膜30的曝光区域形成可蚀刻晶体。在光敏玻璃28中形成的晶相类型和尺寸是根据加热时间和温度来确定的。

在另一个实施例中，可以首先准备一预先敏化的材料，例如含有成核剂的晶体玻璃，和非敏化的材料，例如没有包含成核剂的晶体玻璃。敏化材料可以在通常准备的原光刻胶层中排置成微道沟图样。换句话讲，为了更容易进入并填充微道沟，粉末可以由electrophyretically式淀积。然后移去光刻胶材料并将第二种未敏化的玻璃粉末填充在移去光刻胶材料后形成的空穴中。最后如前面所述生长晶体那样熔烧合成材料。

作为结果，在底部基底玻璃内表面的前20至200微米之间形成基底玻璃14上所希望的敏化图样。本发明对光敏玻璃28的陶瓷和玻璃材料使用了不同的蚀刻速率。在紫外曝光后产生陶瓷相，随后对整个基底进行热处理。陶瓷相的蚀刻率比玻璃相快30倍。蚀刻率的差别可在底部玻璃基度14上形成大的蒿宽比的阻挡肋。

然后，在浓度为5％至10％的弱HF酸溶液中蚀刻底部玻璃基底14约4到10分钟，或者直到几乎所有的晶化材料被移去并达到所要求的深度形成微道沟26和阻挡肋24。微道沟26可以是大约50～150μm深，最好是120μm深，50～200μm宽，最好是为100μm宽。当通过蚀刻玻璃层方法在分开的玻璃层23中形成微道沟26和阻挡肋24时，最好是微道沟的深度等于玻璃层的整个厚度以克服使用不同膨胀性质材料所带来的问题。

如在图8至11所示，通过改变掩膜30内的开口形状和尺寸，阻挡肋24和微道沟26可以具有任一适当的尺寸和形状。每一阻挡肋24包括一个肋底32和边墙34，边墙34从肋底32垂直延伸至肋峰35。在一优先实施例中，阻挡肋24有一均匀的肋底32宽度和高度。大于3∶1的大高宽比，最好高宽比大于5∶1，更进一步大于7∶1。具有沟底和38和边墙34的微道沟在阻挡肋24之间纵向延伸，边墙34对应于相邻阻挡肋的边墙。

电极40沿着沟底38并围绕着每一微道沟26的边墙34淀积。为了增加熔烧的均匀性和提供最佳的磷荧光体复盖沿着微道沟26的整个表面，电极40沿着沟底38并围绕着每一边墙34淀积。电极40的淀积是在微道沟表面34和38上有选择地复盖一范围的金属层Cr和Au，或Cu和Au。金属薄层可以通过薄膜沉淀，E束深淀或无电沉积及技术上已知的类似方法来完成。在一优先实施例中，通过E束方法先沉淀一大约200至1000埃的Cr层，然后是1000至20,000埃的Au层，或者通过无电沉积方法先沉淀1至2μm的Au层然后是一薄的Au层。

通光抛光，用适当的聚合物填充微道沟并蚀刻或者用一些其它的已知技术使用肋峰作为微分号数，电极金属可以从每一阻挡肋24的肋峰36上移去。

磷荧光剂材料42淀积在每一个微道沟26的电极40上的一部分。在一优先实施例中，磷荧光体42是由技术上众所周知的电泳方法淀积的。磷荧光材料42是技术上已知的标准电子激发磷荧光材料。对于完全彩色显示，多个彩色磷荧光体，比如红色42a，绿色42b，蓝色42c磷荧光体是三个一组地排列并在适当的象素位置以区域或点阵形式加上。磷荧光体材料42的淀积可以通过重复的定时脉冲来完成，脉冲持续时为50-500微秒，间歇时间为3～30秒，其间的间歇是促使最后的磷荧光体材料的复盖和厚度的均匀。磷荧光体淀积槽可能含有加入的悬浮添加剂材料以加强淀积磷荧光材料的粘接性。合适的添加剂包括单独的粉末腊或与溶解盐，酸或溶剂材料及其它混合一起的粉末状腊。

沉淀在每一微道沟26上面的电极形成多个按照第一颜色电极，第二颜色电极和第三颜色电极排列的重复阵列。每个阵列的第一颜色电极延伸超过顶部玻璃基底到达底部基底玻璃的第一端；每个阵列的第二颜色电极延伸超过顶部基底玻璃到达底部基底玻璃的第二端，位于第一端的对面；每个阵列的第三电极交替延伸超过顶部玻璃基底到底部玻璃基底的第一端和底部玻璃基底的第二端。对于金彩色显示，如图中所示，可在近似的象素位置以交替的重复图样分别沉淀红色42a，绿色42b和兰色42c磷荧光体，形成彩色电极。沉淀的彩色磷荧光体在相邻的微道沟产生一交替的条状图样。平板显示10的分辨率是由单位面积象素数所确定的。

在另一实施例中，通过联接四个导线条的电极组进行磷荧光体42的沉淀，安排两个导线条到每端46，一个用于色彩42a，一个用于色彩42b，另两个导线条用于彩色42c，以便减小两个相对的外连线端的面积间距，而且减少了在制造中所要求的定义连接线的数目。

在微道沟26上磷荧光体材料42和电极40可以被薄膜层复盖以减少溅射或紫外损坏，或减少磷荧光体材料之间二次发射特性间的差别。薄膜层可以是MgF薄膜或类似的技术上已知的材料。

在玻璃基底12和14之间建立一真空并用传统的玻璃胶44密封，比如铟金属胶或类似物，中间用电离的气体填充、在玻璃基底12和玻璃基底14的微道沟26之间的空隙约为10-100微米。在一优先实施例中，离化的气体是两种或多种气体按一定比例的混合物，它可以产生足够的紫外辐射激发磷荧光体材料42。例如，一种合适的离化气体混合物包括氖以及大约5～10％重量的氦和氙。

平板10的象素保持和寻址功能是通过选择定时脉冲电势来完成的，脉冲电势在相对的基底12和14之间或在交叉点的邻近引起稳定的放电序列。脉冲电势可以在预部玻璃基底12上成对的电极组和底部玻璃基底14的电极之间。特别地，电极20的邻对延伸到顶部玻璃基底12的对面一端，并连联到外部的驱动电路和技术中已知的电源。类似地，包含有阻挡肋24的对面底部玻璃基体14的电极40分别连接到外部的驱动电路和电源。

以下是按照本发明制造阻挡肋24和微道沟26的详细例子和按照本发明的平板显示器10。应当知道举例并不是限制本发明的范围。

举例1

在一块抛光的光敏陶瓷上形成阻挡肋24和微道沟26，光敏陶瓷掺杂有银，其大小为6英寸的正方形，厚度为1微米。在大约4英尺的距离，通过在石英上的Cr，Au掩膜曝光光敏陶瓷，在紫外线下约6分钟形成阻挡肋和微道沟。紫外辐射是由一修改的商品olite灯泡所提供的，它典型的应用是在印刷工业中。olite灯泡的修改是移去其安全玻璃并改替安全玻璃为石英掩膜。olite灯泡产生大约220纳米波长的光穿透光敏玻璃。

经紫外处理的光敏陶瓷然后放在炉中并以约5℃/分钟的速率逐渐加热到约590℃的温度，然后在此温度维持约1小时后以6℃/分钟的速率冷却。冷却以后，在一含有10％HF溶液的托盘中蚀刻光敏陶瓷约6分钟形成约100nm宽和0.00045英寸深的微道沟和阻挡肋。然后用软铅玻璃粉对光敏陶瓷进行喷沙，去除在第一微道沟底部的残留物。

举例2

在例1中包含微道沟和阻挡肋的光敏陶瓷基底上喷镀约1500埃厚的金属Cr，然后在直径为40英寸的E束系统条型镀膜机中镀上约12000埃厚的Au。以后，基底用光刻胶材料--Shipley Microposit PositiveResist复盖，通过喷射方法大约三次。在最后一次复盖中，基底加热到约190°F。然后，基底低温烘烤约30分钟并在前面提到的Olite系统下曝光约2分钟，但是Olite系统装上安全玻璃，这样曝光基底的最短波长是大约240至360纳米。然后基底放入稀腐蚀溶液中显影约30秒，在包含有标准的用于Au腐蚀的焊典溶液托盘中蚀刻，接着是放用于于Cr腐蚀的标准溶液中。溶液除去了阻挡肋上顶部表面的导体材料，这些材料是光敏曝光的部分。在微道沟的材料并没有曝光，因为光刻胶足够的厚，这样曝光在一给定的显影时间并不能破坏聚合物的交联。

然后，基底放入一个包含2升异丙基酒精和5克选好的粒子尺寸为2至10nm的磷荧光体的缸中，用摩尔浓度为5×10^-3摩尔的镁硝酸盐搅拌，对选定的电极加上大约-100伏的电压用于磷荧光体沉淀，阳极和微道沟加0伏电压；阳极和微道沟并不加有所选择的磷荧光体。磷荧光体沉淀时间约为2分钟。在由以上的方法加上三种不同颜色的磷荧光体以后，基底加热到约410℃并保持一小时，将所有的氢氧化物转化为氧化物的形式以便不沾污已完成的产品。然后采用工业标准密封材料，例如铅玻璃，将基底和前板合在一起，前板有一对布线图，接着在410℃熔烧约1小时完成密封。

平板显示器然后抽真空到10^-7托并在10小时内加热到385℃。冷却以后，大约5wt％的氙气和95wt％的氖气混合物在500托大气压下引入平板中得到按照本发明的平板等离子显示器。

值得注意的是，尽管本发明的开发是和大型高分辨率彩色平板显示器相联系的，它已发现的应用有在计算机辅助设计显示中的图象显示，用于航空控制的显示，用于程序的多页显示及其它类似的显示，很显然平板显示在大部分的需要大屏幕显示的情况下也能找到共应用场所。

到现在为止所引用的文件，专利和专利申请这里作为参考。

在描述了本发明的优先实施例后，应当了解，所附的权利要求的范围可以是其它的具体实现。

Claims (24)

1.一种平板显示器，包括一密封的填充了气体的封闭体，所述封闭体包含，

有多个顶部玻璃基底电极的顶部玻璃基底和复盖所述顶部玻璃基底电极的电子发射膜；

底部玻璃基底与所述顶部玻璃基底有一空间间隔，所述底部玻璃基底有多个交替的阻挡肋和微道沟；其中底部玻璃基底电极是淀积在每一个所述的微道沟上面，而磷荧光体是淀积在每一个所述玻璃基底电极的一部分上。

2.权利要求1中的平板显示器，其中每一个所述的微道沟包括一沟底和向上延伸的围墙，每一个所述的阻挡肋包括一个肋底，肋峰和从所述肋底延伸到肋峰的边墙；所述相邻微道沟的边墙由所述中间阻挡肋的峰互连；所述电极沿所述微道沟的沟底和至少一部分向上延伸的围墙淀积。

3.权利要求2的平板显示器，其中所述底部玻璃基底包括一个可蚀刻玻璃材料的内表面，该玻璃材料是固有选择结晶。

4.权利要求2的平板显示器，其中所述电子发射薄膜是电子发射材料。

5.权利要求2的平板显示器，其中所述电子发射膜是个介电薄膜。

6.权利要求2的平板显示器，其中每一个所述的电极是通过选择性金属喷镀一个薄层淀积的，该薄层是从金属Cr和Au；Cu和Au；Ta和Au；Ag，Cr，Cu和Cr；或ITO和Au中选择的。

7.权利要求2的平板显示器，其中红、绿和兰磷荧光体淀积在分开的相邻微道沟中。

8.权利要求2的平板显示器，其中所述阻挡肋的高宽比大于3∶1。

9.权利要求2的平板显示器，其中所述阻挡肋的高宽比大于5∶1。

10.权利要求2的平板显示器，其中所述微道沟深约50～150μm，宽约50～200μm。

11.权利要求2的平板显示器，其中所述的微道沟深约120μm，宽至少为100μm左右。

12.权利要求3的平板显示器，其中所述可蚀刻玻璃材料是掺有至少一种成核剂的玻璃陶瓷合成材料。

13.权利要求12的平板显示器，其中所述玻璃陶瓷合成材料是光敏玻璃。

14.权利要求3的平板显示器，其中所述可蚀刻玻璃材料包括约90wt％的Li₂O-Al₂O₃-SiO₂和由Ce，Ag，Au，Cu族中选择的至少一种掺杂物。

15.权利要求3的平板显示器，其中所述可蚀刻玻璃材料包括约73～82wt％的SiO₂，约6～15wt％的Li₂O，约4～20wt％的Al₂O₃以及从Ce，Ag，Au，Cu族中选择的0.006～0.2wt％的掺杂物。

16.权利要求1的平板显示器，其中所述顶部玻璃基底的电极是薄膜电极。

17.权利要求16的平板显示器，其中所述薄膜电极是从蒸发的Cr和Au；Cu和Au；Ta和Au；Ag，Cr，Cu和Cr；或ITO和Au制备的。

18.权利要求5的平板显示器，其中所述介电膜由MgO薄膜复盖。

19.权利要求1的平板显示器，其中所述在每个微道沟上淀积的底部玻璃基底电极形成了多个按第一颜色电极，第二颜色电极和第三颜色电极阵列重复排列的多个电极；其中所述的每个阵列的第一颜色电极延伸超过所述顶部玻璃基底到所述底部玻璃基底的第一端，所述每个阵列的第二颜色电极延伸超过所述顶部玻璃基底到所述底部玻璃基底的第二端，它位于第一端的对面位置，所述每个阵列的第三颜色电极交替延伸超过所述顶部玻璃基底到所述底部玻璃基底的第一端和第二端。

20.一种平板显示器，包括有闭封的填充气体的封闭体，所述的封闭体包含：

有多个电极的顶部玻璃基底和复盖所述电极的电子发射膜；

与所述顶部玻璃基底相隔一段距离的底部玻璃基底，所述底部玻璃基底有多个交替的阻挡肋和微道沟；每一个所述的微道沟包含一沟底和向上延伸的围墙并且每一阻挡肋具有高宽比大于3∶1，并且包含肋底，肋峰和从肋底延伸到肋峰的边墙；所述相邻微道沟的围墙由所述中间阻挡肋的肋峰互相连接；每一个所述的电极沿所述沟底和至少一部分向上延伸的微道沟边墙淀积，并且红、绿和兰磷荧光体在分开的微道沟中的每一个所述电极的至少一部分上淀积。

21.权利要求20的平板显示器，其中所述阻挡肋高宽比大于5∶1。

22.权利要求20的平板显示器，其中所述微道沟深50～150μm，宽50-200μm。

23.权利要求20的平板显示器，其中所述底部玻璃基底包含一可蚀刻玻璃材料的内表面，该玻璃材料是固有选择结晶，并且其中所述可蚀刻玻璃材料是掺有至少一种成核剂的玻璃陶瓷混合材料。

24.权利要求23的平板显示器，其中所述玻璃陶瓷混合材料是光敏玻璃。

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