CN118055988A - 背板膜 - Google Patents

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CN118055988A CN202280066911.7A CN202280066911A CN118055988A CN 118055988 A CN118055988 A CN 118055988A CN 202280066911 A CN202280066911 A CN 202280066911A CN 118055988 A CN118055988 A CN 118055988A
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Abstract

本申请涉及一种背板膜。本申请提供一种屏下摄像头用背板膜，其中，移动电话的前置摄像头可在没有图像失真的情况下拍摄被摄体。本申请的背板膜可有效地用于如有机发光二极管(OLED)面板中。

Description

背板膜
技术领域
本申请涉及一种背板膜。
本申请要求于2021年11月25日提交且申请号为第10-2021-0164149号的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用结合在本申请中。
背景技术
移动电话(Mobile Phone)的前置摄像头以如下的方式制造：在有机发光二极管(Organic light emitting diode，OLED)面板穿孔前置摄像头区域，并组装摄像头模块(专利文献1：韩国专利公开公报第10-2020-0098741号)。
为了在前置摄像头上实现显示，需设计成如下的结构：不在OLE D面板穿孔前置摄像头区域，使得位于内部的摄像头(屏下摄像头)通过OLED面板或偏光板拍摄被摄体。
以往适用于OLED面板的背板膜为基底膜，使用聚对苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene Terephthalate，PET)膜或聚酰亚胺(Polyimide，PI)膜。但是，在以往的PET膜的情况下，由于高相位差，被摄体失真，在PI膜的情况下，颜色泛黄，因此颜色校正受限。
发明内容
技术问题
本申请提供一种屏下摄像头用背板膜，其中，移动电话的前置摄像头可在没有图像失真的情况下拍摄被摄体。
技术方案
本申请涉及一种背板膜。图1例示性地示出本申请的背板膜。上述背板膜可包括：相位差基底层10a；以及第一粘合剂层10b，其形成于上述相位差基底层10a的一侧面。
本说明书中，可将不包括后述的保护膜20及离型膜30且包括相位差基底层10a及第一粘合剂层10b的背板膜称为第一背板膜，可将包括后述的保护膜20和离型膜30以及相位差基底层10a和第一粘合剂层10b的背板膜称为第二背板膜。
上述相位差基底层的面内相位差(R0)值的绝对值可以为6000nm以上。上述相位差基底层的厚度方向上的相位差(Rth)值的绝对值可以为6000nm以上。本说明书中，面内相位差(R0)值可由下述数学式1计算。并且，本说明书中，厚度方向上的相位差(Rth)值可由下述数学式2计算。可提供一种屏下摄像头用背板膜，其中，当相位差基底层的相位差值在上述范围内时，移动电话的前置摄像头可在没有图像失真的情况下拍摄被摄体。
上述相位差基底层的面内相位差(R0)值的绝对值的上限可以为如10000nm以下。上述相位差基底层的厚度方向上的相位差(Rth)值的绝对值的上限可以为如10000nm以下。
相位差基底层的面内相位差(R0)值的绝对值可以为如6000nm以上、6500nm以上、7000nm以上、7100nm以上、7200nm以上、7300nm以上或7400nm以上，且可以为10000nm以下、9500nm以下、9000nm以下、8500nm以下、8000nm以下或7500nm以下。一例示中，相位差基底层的面内相位差(R0)值可以为正数。
相位差基底层的厚度方向上的相位差(Rth)值的绝对值可以为如6000nm以上、6500nm以上、7000nm以上、7500nm以上、8000nm以上或8100nm以上，且可以为10000nm以下、9500nm以下、9000nm以下、8500nm以下或8300nm以下。一例示中，相位差基底层的厚度方向上的相位差(Rth)值可以为负数。
数学式1：
R0＝(nx-ny)×d
数学式2：
Rth＝[(nx+ny)/2-nz]×d
数学式1及数学式2中，nx、ny及nz分别为相对于相位差基底层的550nm波长的光的x轴方向、y轴方向及z轴方向的折射率，d为相位差基底层的厚度(nm)。上述x轴是指平行于相位差基底层的慢轴方向的轴，y轴是指平行于相位差基底层的快轴方向的轴，z轴是指平行于相位差基底层的厚度方向的轴。
本说明书中，在所提及的物性中，在测量温度影响其结果的情况下，除非另行规定，否则相应物性为在常温下测定的物性。术语“常温”是指未加温或减温的自然温度，通常约为10℃至30℃的范围内的一个温度，或者约23℃或约25℃。并且，本说明书中，除非另行提及，温度的单位是℃。本说明书中，在所提及的物性中，在测量压力影响其结果的情况下，除非另行提及，否则相应物性为在常压下测定的物性。术语“常压”是指未加压或减压的自然压力，通常将约1大气压左右称为常压。
上述相位差基底层的厚度可在不损害本申请的目的的范围内适当选择。例如，上述相位差基底层的厚度可以为20μm至200μm。上述相位差基底层的厚度具体可以为20μm以上、40μm以上、60μm以上或80μm以上，且可以为200μm以下、180μm以下、160μm以下、140μm以下、120μm以下或100μm以下。在相位差基底层的厚度过薄的情况下，可发生断裂、重叠等的加工问题，在相位差基底层的厚度过厚的情况下，在客户公司的工序中，难以适用于有机发光二极管(OLED)曲率设计，从而具有排斥力导致耐久性下降的问题，因此，相位差基底层的厚度在上述范围内时有利。
上述相位差基底层可具有抗静电性能。一例示中，背板膜可包括形成于相位差基底层的一侧面的抗静电层。此时，在相位差基底层的第一粘合剂层所在面的相对面可形成有抗静电层。上述抗静电层的表面电阻可以为如104Ω/平方米至1011Ω/平方米。上述抗静电层的表面电阻具体可以为104Ω/平方米以上、105Ω/平方米以上、106Ω/平方米以上、107Ω/平方米以上或109Ω/平方米以上，且可以为1011Ω/平方米以下或1010Ω/平方米以下。
可对附着上述相位差基底层的第一粘合剂层的面执行电晕处理。由此，在第一粘合剂层为如丙烯酸类粘合剂的情况下，可增强相位差基底层与丙烯酸类粘合剂层的附着力。一例示中，相位差基底层中，能够以20m/分钟的线速度为基准，能够以5A(安培)至25A(安培)条件进行电晕处理。
第一粘合剂层可形成于相位差基底层的一侧面。本说明书中，粘合剂层可以为如粘合剂组合物的层。本说明书中，术语“粘合剂组合物的层”可以是指通过涂覆粘合剂组合物或固化粘合剂组合物来形成的层。术语“粘合剂组合物的固化”可以是指通过粘合剂组合物中包含的成分的物理作用或化学作用、或者反应，在粘合剂组合物中实现交联结构。固化可通过如在常温中保持、施加湿气、施加热量、照射活性能量射线或者同时进行上述中2种以上的工序来诱导，可根据各个情况，诱导固化的类型的粘合剂组合物可称为如常温固化型粘合剂组合物、湿气固化型粘合剂组合物、热固化型粘合剂组合物、活性能量射线固化型粘合剂组合物或混合固化型粘合剂组合物。
上述第一粘合剂层可包含粘合性树脂及固化剂。一例示中，上述粘合性树脂可以为丙烯酸类树脂。本说明书中，丙烯酸类树脂可以是指组成树脂的单体中，丙烯酸单体为70重量百分比以上、75重量百分比以上、80重量百分比以上或85重量百分比以上的树脂。
上述丙烯酸类树脂可以为包含源自甲基丙烯酸酯单体的聚合单元的丙烯酸聚合物。本说明书中，术语“单体”可以是指可通过聚合反应形成聚合物的所有类型的化合物，包含从某一单体衍生的聚合单元的聚合物可以是指上述某一单体聚合而成的聚合物。
作为上述甲基丙烯酸酯化合物，可使用如甲基丙烯酸烷基酯。作为甲基丙烯酸烷基酯，如可考虑凝聚力、玻璃转换温度及粘合性的调节等，可使用具有碳原子数1至20、碳原子数1至14、碳原子数1至12、碳原子数1至8或碳原子数1至4的烷基的甲基丙烯酸烷基酯。上述中，烷基可以为如直链型、支链型或环型。作为这种单体的例，可例举甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丙酯、甲基丙烯酸异丙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸仲丁酯、甲基丙烯酸-2-甲己酯、甲基丙烯酸戊酯、甲基丙烯酸-2-乙己酯、甲基丙烯酸-2-乙丁酯、甲基丙烯酸正辛酯、甲基丙烯酸异冰片酯、甲基丙烯酸异辛酯、甲基丙烯酸异壬酯或甲基丙烯酸月桂酯等，可适当选择上述中的一种或两种以上来使用。虽并不特别受限，作为甲基丙烯酸酯化合物，可混合使用具有碳原子数1至4的烷基的甲基丙烯酸烷基酯及碳原子数5至8的烷基的甲基丙烯酸烷基酯。
丙烯酸聚合物还可包含源自具有交联性官能团的共聚性单体(以下,可简称为交联性单体)的聚合单元。本说明书中，具有交联性官能团的共聚性单体可以是指如上述甲基丙烯酸酯单体，具有可与包含在聚合物中的其他单体共聚的部位，且可通过具有交联性官能团来向聚合物赋予交联性官能团的化合物。作为交联性官能团，可例示羟基、羧基、异氰酸酯基、缩水甘油基、胺基、烷氧基甲硅烷基或乙烯基等，通常可使用羟基或羧基等。
上述交联性单体可使用具有羟基的共聚性单体。作为上述具有羟基的共聚性单体，可使用甲基丙烯酸-2-羟基乙酯、甲基丙烯酸-2-羟基丙酯、甲基丙烯酸-4-羟基丁酯、甲基丙烯酸-6-羟基己酯或甲基丙烯酸-8-羟基辛酯等的甲基丙烯酸羟基烷酯，或者甲基丙烯酸-2-羟基乙二醇酯或甲基丙烯酸-2-羟基丙二醇酯等的甲基丙烯酸羟基亚烷基乙二醇酯等，但并不限定于此。考虑到与形成块的其他单体的反应性或玻璃转换温度的调节容易性等，可使用如上所述的单体中的羟烷基丙烯酸酯或羟烷基二醇丙烯酸酯等。
相对于100重量份的粘合性树脂，能够以如1重量份至30重量份或1重量份至20重量份比例包含交联性单体。在这种范围内，粘合剂可实现适当的交联结构。
必要时，粘合性树脂还可包含如其他任意共聚单体，以实现适当的物性调节。作为上述共聚单体，可例举N-乙烯基吡咯烷酮(N-vinylpyrrolid one，NVP)；含烯化氧基的单体，如烷氧基亚烷基二醇甲基丙烯酸酯、烷氧基二亚烷基二醇甲基丙烯酸酯、烷氧基三亚烷基二醇甲基丙烯酸酯、烷氧基四亚烷基二醇甲基丙烯酸酯、烷氧基聚二醇甲基丙烯酸酯、苯氧基亚烷基二醇甲基丙烯酸酯、苯氧基二亚烷基二醇甲基丙烯酸酯、苯氧基三亚烷基二醇甲基丙烯酸酯、苯氧基四亚烷基二醇甲基丙烯酸酯或苯氧基聚亚烷基二醇甲基丙烯酸酯等；苯乙烯类单体如苯乙烯或甲基苯乙烯；含缩水甘油基的单体，如甲基丙烯酸缩水甘油酯；或羧酸乙烯酯，如乙酸乙烯酯等，但并不限定于此。这种共聚单体可根据需求选择一种或两种以上的适当种类，并包含在聚合物中。例如，相对于在聚合物中以聚合单元使用的其他化合物的总重量，这种共聚单体能够以20重量份以下或0.1重量份至15重量份的比例包含在聚合物中。
上述粘合性树脂的重均分子量可以为如50万至150万。上述重均分子量是指由凝胶渗透层析仪(Gel Permeation Chromatograph，GPC)测定的标准聚苯乙烯的换算数值。上述粘合性树脂的重均分子量具体可以为60万以上、70万以上或80万以上，且可以为140万以下、130万以下、120万以下、110万以下或100万以下。
上述粘合性树脂中，在28％的固体成分中测定的粘度可以约为1000cps至2000cps。上述粘度具体可以为1100cps以上、1200cps以上、1300cp s以上、1400cps以上、1500cps以上或1600cps以上，且可以为1900cps以下、1800cps以下或1700cps以下。
相对于100重量份的粘合性树脂的固体成分，可包含如0.1重量份至0.3重量份的固化剂(交联剂)。固化剂的种类并不特别受限，可考虑包含在粘合性树脂中的交联性官能团的种类来选择。作为固化剂，可使用如异氰酸酯交联剂、环氧交联剂、氮丙啶交联剂及金属螯合交联剂等的常规交联剂。根据本申请的一实施例，可使用异氰酸酯交联剂作为固化剂。
上述第一粘合剂层的厚度可在不损害本申请的目的的范围内适当选择。例如，上述第一粘合剂层的厚度可以为20μm至200μm。
对于玻璃，上述第一粘合剂层在0.3mpm(mm/分钟)的剥离速度下的粘合力可以为1000gf/in以上。上述粘合力具体可以为1500gf/in以上或2000gf/in以上。上述粘合力的上限可以为如4000gf/in以下。当第一粘合剂层对于玻璃的粘合力在上述范围以内时，有利于层合在OLED面板后的耐久性。
在上述相位差基底层形成第一粘合剂层的方法并不特别受限。一例示中，在公知的离型膜(与后述的离型膜30不同的结构)上涂敷用于形成第一粘合剂层的粘合剂组合物并将其干燥后，与相位差基底层层压来进行辊卷绕。上述干燥可在50℃至140℃(干燥烘箱的长度约为20m至50m)的干燥温度下，以5m/分钟至25m/分钟的线速度条件执行。上述离型膜可在第一粘合剂层附着后述的离型膜30之前剥离而去除。
图2例示性地示出第二背板膜的结构，上述第二背板膜在上述相位差基底层10a及第一粘合剂层10b还包括保护膜20及离型膜30。
如图2所示，背板膜还可包括存在于相位差基底层10a侧的保护膜20。保护膜可在背板膜的移送或工艺进行过程中，起到保护上述相位差基底层的作用。当背板膜适用于有机发光显示器时，可去除上述保护膜。
上述保护膜20可包括第一基底膜20a及形成于第一基底膜20a的一侧面的第二粘合剂层20b。此时，保护膜能够以第二粘合剂层为媒介附着于相位差基底层。
第一基底膜及第二粘合剂层的厚度可在不损害本申请的目的的范围内适当选择。一例示中，包括在保护膜中的第一基底膜的厚度可以为20μm至200μm。一例示中，包括在保护膜中的第二粘合剂层的厚度可以为10μm至200μm。
一例示中，上述第一基底膜可以为聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethy leneterephthalate，PET)膜。一例示中，上述第二粘合剂层可以为丙烯酸类粘合剂。
上述第一基底膜及第二粘合剂层各自独立地可具有抗静电性能。一例示中，背板膜可包括形成于第一基底膜的一侧面的抗静电层。此时，在形成有第一基底膜的第二粘合剂层的相对面可形成有抗静电层。一例示中，背板膜还可包括形成于第二粘合剂层的一侧面的抗静电层。此时，在形成有第二粘合剂层的第一基底膜的相对面可形成有抗静电层。上述抗静电层的表面电阻可以为如104Ω/平方米至1011Ω/平方米。上述抗静电层的表面电阻具体可以为104Ω/平方米以上、105Ω/平方米以上、106Ω/平方米以上、107Ω/平方米以上或109Ω/平方米以上，且可以为1011Ω/平方米以下或1010Ω/平方米以下。
如图2所示，背板膜还可包括存在于第一粘合剂层10b侧的离型膜30。
离型膜30可包括第二基底膜30b及形成于第二基底膜的一侧面的有机硅层30a。离型膜可起到保护第一粘合剂层的作用。当将背板膜适用于有机发光显示器时，可去除上述离型膜。
离型膜30中，相比于第二基底膜30b，有机硅层30a可配置得更接近第一粘合剂层10b。相位差基底层10a与离型膜30能够以第一粘合剂层10b为媒介附着。
一例示中，第二基底膜可以为PET膜。
上述第二基底膜可具有抗静电性能。一例示中，背板膜可包括形成于第二基底膜的一侧面或两侧面的抗静电层。一例示中，离型膜可依次包括有机硅层、抗静电层、第二基底膜及抗静电层。上述抗静电层的表面电阻可以为如104Ω/平方米至1011Ω/平方米。上述抗静电层的表面电阻具体可以为104Ω/平方米以上、105Ω/平方米以上、106Ω/平方米以上、107Ω/平方米以上或109Ω/平方米以上，且可以为1011Ω/平方米以下或1010Ω/平方米以下。
第二基底膜的厚度可在不损害本申请的目的的范围内适当选择。一例示中，第二基底膜的厚度可以为20μm至200μm。
有机硅层可通过在第二基底膜上涂敷用于形成有机硅层的组合物后进行干燥来形成。上述用于形成有机硅层的组合物的涂敷厚度可以为如10nm至2000nm。
上述背板膜中的各层间剥离力及线路电阻可在不损害本申请的目的的范围内适当选择。
一例示中，在将保护膜20附着于相位差基底层10a后剥离时测定的剥离力可以为1gf/in至9gf/in。一例示中，在将第一背板膜10的第一粘合剂层10b附着于玻璃后剥离时测定的剥离力可以为1100gf/in至3000gf/in。一例示中，在将离型膜30附着于第一背板膜10的第一粘合剂层10b后剥离时测定的剥离力可以为1gf/in至7gf/in。
一例示中，对于保护膜20的基底膜20a面测定的线路电阻可以为104Ω至109Ω、105Ω至109Ω、106Ω至109Ω或107Ω至109Ω。一例示中，对于第一背板膜10的相位差基底层10a面测定的线路电阻可以为104Ω至109Ω、105Ω至109Ω、106Ω至109Ω、107Ω至109Ω或108Ω至109Ω。一例示中，对于第一背板膜10的第一粘合剂层10b面测定的线路电阻可以为1011Ω至1016Ω、1011Ω至1015Ω、1011Ω至1014Ω或1013Ω至1014Ω。一例示中，对于离型膜30的有机硅层30a面测定的线路电阻可以为104Ω至109Ω、105Ω至109Ω或106Ω至108Ω。一例示中，对于离型膜30的第二基底膜30b面测定的线路电阻可以为104Ω至109Ω、104Ω至108Ω、105Ω至107Ω。
本申请还涉及一种上述背板膜的用途。
一例示中，本申请涉及一种有机发光显示器，其包括上述背板膜及有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)面板。关于上述背板的内容，可同样适用前述的内容。背板膜能够以去除保护膜及离型膜的状态，例如，仅包括相位差基底层及第一粘合剂层的状态适用于OLED面板中。
上述OLED面板可以为包括塑料(聚合物)基板的柔性(flexible)OLED面板。上述背板膜能够以上述第一粘合剂层为媒介附着于OLED面板的聚合物基板。在柔性OLED面板的生产线中，在载玻片上制造聚合物基板，如PI基板，完成有机物沉积和封装等工艺的OLED面板可进行激光剥离(LLO)工艺。通过LLO剥离载玻片的聚合物基板非常薄，因此，放任不管，具有会卷进去的风险。背板膜可起到抓拢上述聚合物基板而使其不被卷进去的作用。在向上述聚合物基板附着背板膜后，可继续进行触控传感器、偏光板等的附着工艺。
一例示中，本申请涉及一种包括上述背板膜的移动电话。即，上述有机发光显示器可以为移动电话。图3例示性地示出上述移动电话。上述移动电话可依次包括覆盖窗100、偏光板200、触控传感器300、OLED面板400、背板膜500及摄像头600。关于上述背板的内容，可同样适用前述的内容。背板膜能够以去除保护膜及离型膜的状态，例如，仅包括相位差基底层及第一粘合剂层的状态适用于移动电话中。上述背板膜的第一粘合剂层可与OLED面板相接触。即，背板膜能够以第一粘合剂层为媒介附着于OLED面板。
一例示中，上述移动电话还可包括形成于背板膜的相位差基底层的一侧面的金属层。上述金属层能够以粘合剂层为媒介附着于相位差基底层。上述金属层可起到扩散在显示屏中产生的热量的散热功能。
上述摄像头可以为OLED面板的前置摄像头。可在上述OLED面板中未穿孔前置摄像头区域。因此，还可在上述移动电话的前置摄像头区域实现显示。
上述覆盖窗、偏光板、触控传感器、OLED面板及摄像头分别可在不损害本申请的目的的范围内适当选择并使用本领域周知的覆盖窗、偏光板、触控传感器、OLED面板及摄像头。
发明效果
本申请提供一种屏下摄像头用背板膜，其中，移动电话的前置摄像头可在没有图像失真的情况下拍摄被摄体。
附图说明
图1例示性地示出本申请的背板膜。
图2例示性地示出本申请的背板膜。
图3例示性地示出本申请的移动电话的结构。
图4为为了评价图像失真的发生而拍摄的图片。
图5为为了评价图像失真的发生而拍摄的图片。
具体实施方式
以下，通过根据本申请的实施例及未根据本申请的比较例具体说明本申请，但本申请的范围并不局限于以下所公开的实施例。
测定例1.测定粘合力
对于粘合剂层的粘合力，以180°角度及300mm/分钟的剥离速度，利用物性测试仪(Texture analyzer)(Stable Micro Systems公司)测定，将形成于离型膜上的粘合剂层裁剪成宽×长＝1英寸(inch)×6英寸(inc h)大小后，用2kg橡胶辊往返1次并附着于玻璃基板后测定。
测定例2.测定离型力
对于粘合剂层的离型力，以180°角度及300mm/分钟的剥离速度，利用物性测试仪(Stable Micro Systems公司)测定，将形成于离型膜上的粘合剂层裁剪成宽×长＝1英寸×6英寸大小后，附着于双面胶并测定。
测定例3.测定光学特性
制造宽×长＝3cm×3cm大小的样品后，利用雾度计(Hazemeter)(日本电色公司，COH 400)设备，在剥离离型膜后，对附着粘合剂层的状态下的基底层的D65光源测定雾度及透射率。
测定例4.测定相位差
制造宽×长＝3cm×3cm大小的样品后，利用AXO-SCAN(AXO-ME TRICS公司)设备，在剥离离型膜后，对基底层的550nm波长的光测定面内相位差(R0)值及厚度方向上的相位差(Rth)值。
实施例1.
作为相位差基底层，准备了厚度为80μm的超级缓凝膜(Super retar dationfilm，SRF)基底层(TA-044，东洋纺公司)。上述SRF基底层的雾度为0.89％、透射率为93.13％。并且，上述SRF基底层的面内相位差(R0)为7418nm、厚度方向上的相位差(Rth)为-8,110nm。在上述SRF基底的一侧面用麦勒棒#3涂覆抗静电剂后，Mathis烘箱中，以100℃的温度干燥100秒钟来形成抗静电层，上述抗静电层的表面电阻为109Ω/平方米。上述表面电阻利用电阻测定仪(Nittoseiko Analytech公司的MCP-HT 800)测定。
通过混合100重量份的粘合性树脂(SYS-3355，三荣公司)(固体成分)、0.25重量份的固化剂(DR-7030HD，三荣公司)、3重量份的阻滞剂(乙酰丙酮)及甲苯溶剂来制备了固体成分19％的一次配合液。通过混合粘合性树脂(SYS-3355，三荣公司)和甲苯来制备了固体成分21％的二次配合液。上述粘合性树脂(SYS-3355，三荣公司)包含75重量份的丙烯酸异辛酯(2-Ethylhexyl acrylate，2-EHA)、10重量份的甲基丙烯酸甲酯(Methylmethacrylate，MMA)、5重量份的N-乙烯基吡咯烷酮(N-vinylpyrrolidone，NVP)及10重量份的丙烯酸羟乙酯(2-Hydroxyethyl ac rylate，2-HEA)作为聚合单元。上述固化剂(DR-7030HD，三荣公司)包含30重量份的1-异氰酸基-4-[(4-异氰酸基环己基)甲基]环己烷(1-isocyan ato-4-[(4-isocyanatocyclohexyl)methyl]cyclohexan，H12MDI)及70重量份的5-异氰酸基-1-(异氰酸基甲基)-1,3,3-三甲基环己烷(5-isocyanato-1-(isocyanatomehtyl)-1,3,3-trimethylcyclohexane，IPDI)。上述粘合性树脂的重均分子量为89万，在25℃的温度下，固体成分28％的粘度为1650cp。
通过混合上述一次配合液及二次配合液来制备粘合剂组合物。利用缝隙模和夹模，将上述粘合剂组合物涂覆在离型膜的离型层(Si层)后，在由6个区间(一个区间为5m)组成的烘箱中，将温度设定为60℃、90℃、110℃、120℃、120℃、120℃，并以15m/分钟的速度干燥，从而制造了厚度为15μm的第一粘合剂层。将干燥的第一粘合剂层和上述相位差基底层层压后，以辊形态卷绕，从而制造了第一背板膜。上述第一粘合剂层中，由测定例1测定的粘合力为2039gf/in，由测定例2测定的离型力为4.5gf/in。
通过利用微凹版在厚度为75μm的PET膜(第一基底膜)的一侧面涂覆抗静电剂来形成抗静电层，上述抗静电层的表面电阻为109Ω/平方米。在上述PET膜的相对面涂覆厚度为15μm的丙烯酸类粘合剂(第二粘合剂层)后，进行烘箱涂覆。在上述丙烯酸类粘合剂层合离型膜的离型层(Si层)并卷绕后，熟化2天来制造保护膜20。
作为离型膜30，准备SKC HTM公司的RF02ASW产品。离型膜包括PET膜(第二基底膜)及形成于上述PET膜的一侧面的有机硅层。
以形成于相位差基底层的第一粘合剂层为媒介，附着相位差基底层和离型膜。此时，以使离型膜的有机硅层与上述第一粘合剂层接触的方式附着。以保护膜的第二粘合剂层为媒介，将保护膜附着于相位差基底层，来制造了图2结构的背板膜。
背板膜的物性如下述表1。对于剥离力，PF为将保护膜20附着于相位差基底层10a后剥离时测定的值，Adhesion为将第一背板膜10的第一粘合剂层10b附着于玻璃后剥离时测定的值，LF为将离型膜30附着于第一背板膜10的第一粘合剂层10b后剥离时测定的值。上述剥离力为用物性测试仪(Texture analyzer)(Stable Micro Systems公司)，以180°的角度及0.3mpm的剥离速度测定的值。对于线路电阻，PF侧为对于保护膜20的基底膜20a面测定的值，膜侧为对于第一背板膜10的相位差基底层10a面测定的值，PSA侧为对于第一背板膜10的第一粘合剂层10b面测定的值，LF(Si)侧为对于离型膜30的有机硅层30a面测定的值，LF侧为对于离型膜30的第二基底膜30b面测定的值。上述线路电阻利用电阻测定仪(Nittoseiko Analytech公司的MCP-HT800)来测定。
表1
比较例1.
对相位差基底层及第一粘合剂层进行如下修改外，与实施例1相同的方法制造背板膜。
作为相位差基底层，准备了厚度为50μm的PET基底(T914J75，三菱化学公司)。上述PET基底的雾度为1.5％、透射率为90.3％。并且，上述PET基底的面内相位差(R0)为2509nm，厚度方向上的相位差(Rt h)为-3297nm。在上述PET基底的一侧面用麦勒棒#3涂覆抗静电剂后，Mathis烘箱中，以100℃的温度干燥100秒钟来形成抗静电层，上述抗静电层的表面电阻为109Ω/平方米。
将第一粘合剂层的厚度修改为10μm，除此之外，通过与实施例1相同的方法形成第一粘合剂层。上述第一粘合剂层中，由测定例1测定的粘合力为1909gf/in，由测定例2测定的离型力为1.2gf/in。
评价例1.评价是否发生图像失真
从实施例1及比较例1的背板膜中剥离保护膜及离型膜。将包括相位差基底层及第一粘合剂层的背板膜附着于偏振器的样品配置于摄像头的前面后，拍摄图像，并评价前置摄像头是否可在没有图像失真的情况下拍摄被摄体。偏振器为吸收型线性偏振器，是碘染色的聚乙烯醇(PVA)类偏振器。图4及图5分别示出拍摄的图片。在适用实施例1的背板膜的情况下(A)，前置摄像头可在没有图像失真的情况下拍摄被摄体，但在适用比较例1的背板膜的情况下(B)，发现了被摄体失真。
附图标记的说明
10：第一背板膜；10a：相位差基底层；10b：第一粘合剂层；20：保护膜；20a：第一基底膜；20b：第二粘合剂层；30：离型膜；30a：有机硅层；30b：第二基底膜；100：覆盖窗；200：偏光板；300：触控传感器；400：OLED面板；500：背板膜；600：摄像头。

Claims (19)

1.一种背板膜，包括：
相位差基底层；以及
第一粘合剂层，其形成于上述相位差基底层的一侧面，
上述相位差基底层的由下述数学式1计算的面内相位差(R0)值的绝对值为6000nm以上，由下述数学式2计算的厚度方向上的相位差(Rth)值的绝对值为6000nm以上，
数学式1：
R0＝(nx-ny)×d，
数学式2：
Rth＝[(nx+ny)/2-nz]×d，
数学式1及数学式2中，nx、ny及nz分别为相对于相位差基底层的550nm波长的光的x轴方向、y轴方向及z轴方向的折射率，d为相位差基底层的厚度，上述厚度的单位为nm。
2.根据权利要求1所述的背板膜，其中，
相位差基底层的面内相位差(R0)值的绝对值为10000nm以下。
3.根据权利要求1所述的背板膜，其中，
相位差基底层的厚度方向上的相位差(Rth)值的绝对值为10000nm以下。
4.根据权利要求1所述的背板膜，其中，
相位差基底层的厚度为20μm至200μm。
5.根据权利要求1所述的背板膜，其中，
包括抗静电层，其在相位差基底层的未形成第一粘合剂层的面形成，上述抗静电层的表面电阻为104Ω/平方米至1011Ω/平方米。
6.根据权利要求1所述的背板膜，其中，
第一粘合剂层包含丙烯酸类树脂及固化剂，厚度为20μm至200μm。
7.根据权利要求1所述的背板膜，其中，
对于玻璃，第一粘合剂层在0.3mpm的剥离速度下的粘合力为1000gf/in至4000gf/in。
8.根据权利要求1所述的背板膜，其中，
还包括存在于相位差基底层侧的保护膜。
9.根据权利要求8所述的背板膜，其中，
保护膜包括第一基底膜以及形成于第一基底膜的一侧面的第二粘合剂层，第一基底膜的厚度为20μm至200μm，第二粘合剂层的厚度为10μm至200μm。
10.根据权利要求9所述的背板膜，其中，第一基底膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。
11.根据权利要求9所述的背板膜，其中，
还包括抗静电层，其形成于第一基底膜及第二粘合剂层中的一个以上的一侧面，上述抗静电层的表面电阻为104Ω/平方米至1011Ω/平方米。
12.根据权利要求8所述的背板膜，其中，
还包括存在于上述第一粘合剂层侧的离型膜。
13.根据权利要求12所述的背板膜，其中，
离型膜包括第二基底膜及形成于第二基底膜的一侧面的有机硅层。
14.根据权利要求13所述的背板膜，其中，
第二基底膜为聚对苯二甲酸乙二醇酯膜。
15.根据权利要求13所述的背板膜，其中，
包括抗静电层，其形成于第二基底膜的一侧面或两侧面，上述抗静电层的表面电阻为104Ω/平方米至1011Ω/平方米。
16.一种有机发光显示器，包括：
权利要求1所述的背板膜；以及有机发光二极管面板。
17.根据权利要求16所述的有机发光显示器，其中，
背板膜的第一粘合剂层与有机发光二极管面板相接触。
18.一种移动电话，依次包括：
覆盖窗、偏光板、触控传感器、有机发光二极管面板、权利要求1所述的背板膜及摄像头。
19.根据权利要求18所述的移动电话，其中，
在有机发光二极管面板未穿孔前置摄像头区域。
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