KR102171375B1 - Oled 패널의 카메라홀 제조방법 - Google Patents

Oled 패널의 카메라홀 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 OLED 패널의 제작 공정 중에 단계별 카메라홀 제조 공정을 거치면서, 패널 내 유기물이 산소나 수분에 노출되는 것을 차단하여 카메라홀의 형성여부와 무관하게 OLED 패널의 품질을 안정적으로 유지시킬 수 있는 OLED 패널의 카메라홀 제조방법을 제공함에 있다. 이를 위한 본 발명은 기판층 상에 형성된 유기물층에 제1 레이저를 조사하여 상기 유기물층을 관통하는 제1 홀을 형성하는 제1 홀 형성단계; 및 상기 제1 홀을 덮도록 형성된 캐소드층 및 봉지층에 제2 레이저를 조사하여 상기 봉지층, 상기 캐소드층 및 상기 기판층을 관통하고 상기 제1 홀의 크기보다 작은 크기를 가지는 제2 홀을 형성하는 제2 홀 형성단계를 포함하는 특징을 개시한다.

Description

OLED 패널의 카메라홀 제조방법{METHOD OF MANUFACTURING CAMERA HOLE FOR OLED PANEL}
본 발명은 OLED(Organic Light Emitting Diode) 패널의 카메라홀 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 풀 스크린을 위해 카메라 설치용 홀을 OLED 패널 상에 배치시키기 위한 OLED 패널의 카메라홀 제조방법에 관한 것이다.
현재 스마트폰은 전면 카메라가 있는 상단부를 'U'자 모양으로 도려낸 이른바 노치(Notch) 디자인 형태의 디스플레이 패널이 주를 이루고 있는데, 이러한 노치 디자인 형태에서 한 단계 진일보하여, 카메라를 디스플레이 패널 속에 넣은 풀 스크린 형태의 스마트폰이 주목되고 있다. 이는 스마트폰 전면을 디스플레이로 채우려는 풀 스크린과 전면 카메라 배치를 모두 만족시키려는 과정에서 나온 디자인이다.
이와 같이 디스플레이 패널 상에 카메라를 배치하기 위해서는 디스플레이 패널에 카메라 설치를 위한 홀을 직접 뚫는 방식이 있다.
도 1은 종래 OLED 패널에 카메라 홀을 제조하는 방법을 보인 흐름도이다.
도 1을 참조하면, 종래 카메라 홀을 갖는 OLED 패널을 제작하기 위해서는 베이스기판(11) 상에 기판층(12), 애노드(Anode)층(13), 유기물층(14), 캐소드(Cathode)층(15), 및 봉지(Encapsulation)층(16)을 순차적으로 형성하여 상기 베이스기판(11)을 박리시키는 OLED 패널(10)의 제작 공정을 완료한 다음, 최종적으로 완성된 OLED 패널(10)에 대하여 후 공정으로 카메라 설치를 위한 홀(H)을 가공하고 있다.
하지만 최종 완성된 OLED 패널(10)에 카메라 홀(H)을 가공할 시, 봉지층(16)과 기판층(12)으로 보호되고 있는 OLED 패널(10)의 내부가 대기 중의 산소나 수분에 그대로 노출되는 상황이 발생되며, 이렇게 대기 중에 노출된 OLED 패널(10)은 산소, 수분 및 미량의 파티클(particle)에 의해 분해되는 등 안정성이 저하되는 문제가 있다.
특히 유기물층(14)이 산소나 수분에 노출되면, 픽셀 수축(Pixel Shrinkage)과 암점(Dark Spot), 전극 산화 등의 문제가 발생하여 디스플레이의 품질을 크게 떨어트리게 된다.
대한민국공개특허공보 제2017-0111827호(2017.10.12.공개)
본 발명의 목적은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 발명은 패널 제조공정 중에 단계별 카메라홀 제조공정을 거치도록 하여, 패널 내 유기물이 산소나 수분에 노출되는 것을 차단함으로서 카메라홀 뿐만 아니라 패널의 제조 품질을 향상시킬 수 있는 OLED 패널의 카메라홀 제조방법을 제공함에 있다.
상술한 본 발명의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따른 OLED 패널의 카메라홀 제조방법은, 기판층 상에 형성된 유기물층에 제1 레이저를 조사하여, 상기 유기물층을 관통하는 제1 홀을 형성하는 제1 홀 형성단계; 및 상기 제1 홀을 덮도록 형성된 캐소드층 및 봉지층에 제2 레이저를 조사하여, 상기 봉지층, 상기 캐소드층 및 상기 기판층을 관통하고 상기 제1 홀의 크기보다 작은 크기를 가지는 제2 홀을 형성하는 제2 홀 형성단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
이때 상기 제1 레이저의 출력파워는 상기 제2 레이저의 출력파워 보다 작은 것이 바람직하다.
또한 상기 제1 레이저 또는 상기 제2 레이저는, 피코초(Picosecond) 또는 펨토초(Femtosecond) 범위의 펄스폭을 가지는 극초단파 레이저일 수 있다.
또한 상기 제1 홀 형성단계는 진공 분위기에서 수행되며, 상기 제2 홀 형성단계는 상압 분위기에서 수행될 수 있다.
본 발명에 따른 OLED 패널의 카메라홀 제조방법은 OLED 패널의 제작 공정 중에 선행되는 제1 홀 형성단계와 후행되는 제2 홀 형성단계를 거치면서 최종 카메라홀이 형성됨으로서, 패널이 제조 중이거나 제조된 이후에 패널 내 유기물이 산소, 수분 및 미량의 파티클에 의해 분해되는 현상을 방지하여 고품질의 패널을 안정적으로 공급할 수 있다.
또한 본 발명에 따른 OLED 패널의 카메라홀 제조방법은 카메라홀이 형성된 OLED 패널의 품질을 안정적으로 유지시키는 것과 동시에 카메라 설치를 위한 최소크기의 홀 제작이 가능하며, 이로서 OLED 패널이 적용되는 디스플레이 기기의 품질 향상에도 기여할 수 있다.
도 1은 종래 OLED 패널의 카메라홀 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명에 따른 OLED 패널의 카메라홀 제조방법의 흐름도이다.
도 3은 본 발명에 따른 OLED 패널의 카메라홀 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명에 따른 OLED 패널의 카메라홀 제조방법을 통해 제작된 스마트폰 디스플레이 패널의 예시도이다.
이하 상술한 해결하고자 하는 과제가 구체적으로 실현될 수 있는 본 발명의 바람직한 실시예들이 첨부된 도면을 참조하여 설명된다. 본 실시예들을 설명함에 있어서, 동일 구성에 대해서는 동일 명칭 및 동일 부호가 사용되며 이에 따른 부가적인 설명은 생략된다.
도 2는 본 발명에 따른 OLED 패널의 카메라홀 제조방법의 흐름도이며, 도 3은 본 발명에 따른 OLED 패널의 카메라홀 제조방법을 설명하기 위한 도면이다.
본 발명에 따른 OLED 패널의 카메라홀 제조방법은, 베이스기판 배치단계(S11), 기판층 형성단계(S12), 애노드층 형성단계(S13), 유기물층 형성단계(S14), 제1 홀 형성단계(S15), 캐소드층 형성단계(S16), 봉지층 형성단계(S17), 제2 홀 형성단계(S18), 및 베이스기판 제거단계(S19)를 포함할 수 있다.
베이스기판 배치단계(S11)는, OLED 패널(100) 제작을 위한 베이스기판(110)을 배치하는 단계이다.
기판층 형성단계(S12)는, 상기 베이스기판(110) 상에 기판층(120)을 형성하는 단계이다.
상기 기판층(120)은 다양한 재질의 기판이 사용될 수 있으며, 예를 들어 기본적으로 갖추어야 할 투명성 재질로서 유리(Glass)기판이나 수지기판이 사용될 수 있다. 이러한 기판의 종류는 특별히 한정되지 않는다.
다시 말해 상대적으로 리지드(Rigid)한 OLED 패널의 경우 유리기판이 사용될 수 있고, 상대적으로 플렉시블(Flexible)한 OLED 패널의 경우 수지기판이 사용될 수 있다.
상기 기판층(120)으로 수지기판을 사용할 경우, PET(Polyethylene Terephthalte), PEN(Polyethylene Naphthalte), PES(Polyether Sulfone) 및 PI(Polyimide) 등의 재질로 이루어질 수 있으며, 이들 중에서도 유연성, 얇은 두께, 내열성이 우수하고, 표면에 유기물 적층이 용이한 폴리이미드(PI)가 바람직하다. 상기 폴리이미드(PI) 계열의 수지기판은, 폴리이미드 용액을 베이스기판(110) 상에 도포하고, 일정 시간의 경화 과정을 거치는 것으로 필름 형태의 수지기판을 형성할 수 있다.
애노드층 형성단계(S13)는, 상기 기판층(120) 상에 애노드층(130)을 형성하는 단계이다.
상기 애노드층(130)은 기판층(120) 상에 투명전극인 인듐-틴-옥사이드(ITO;Indium-Tin-Oxide), 인듐-징크 -옥사이드(IZO;Indium-Zinc-Oxide) 등의 물질 중 어느 하나를 이용하여 포토리소그래피(Photolithography) 공정에 의해 형성될 수 있다.
유기물층 형성단계(S14)는, 상기 애노드층(130) 상에 유기물층(140)을 형성하는 단계이다.
상기 유기물층(140)은 상세히 도시되진 않았지만 정공운송층(Hole Transport Layer), 빛을 내는 유기발광층(Emitting Layer), 전자운송층(ELectron Transport Layer)이 순차적으로 형성되는 구조일 수 있으며, 구동전압을 낮추기 위하여 별도의 정공주입층(Hole Injection Layer)과 전자주입층(Electron Injection Layer)이 더 형성될 수도 있다.
전술한 기판층(120), 애노드층(130), 및 유기물층(140)의 형성 방법은 종래 널리 사용되고 있는 다양한 방법들 중 임의의 방법들을 이용하여 형성될 수 있으며, 그러한 구체적인 방법에 대해 특별히 한정하지 않는다.
제1 홀 형성단계(S15)는, 상기 유기물층(140)에 제1 레이저(S1)를 조사하여, 유기물층(140)을 관통하는 제1 홀(H1)을 형성하는 단계이다.
상기 제1 홀(H1)의 크기(D1)는 후술되는 제2 홀(H2)의 크기(D2)보다 큰 크기를 유지하도록 형성될 수 있다. 이러한 제1 홀(H1)과 제2 홀(H2)의 크기 차이 즉, 사이 간격은 후술되는 제2 홀(H2)의 형성 과정에서 상세히 설명한다.
상기 제1 레이저(L1)의 출력파워는 유기물층(140)의 하부에 배치되는 애노드층(130)에 열적 영향이 전달되지 않고, 유기물층(140)만을 커팅할 수 있을 정도의 적정 파워를 설정할 수 있으며, 예를 들어 단위면적당 펄스 에너지가 5J/㎠를 넘지 않는 범위 내에서 설정될 수 있다.
한편 제1 홀(H1)을 형성하기 위해 사용되는 제1 레이저(L1)는 피코초(Picosecond) 또는 펨토초(Femtosecond) 범위의 펄스폭을 가지는 극초단파 레이저일 수 있다. 즉, 제1 레이저(L1)를 통해 조사되는 레이저빔은 피코초(Picosecond) 또는 펨토초(Femtosecond) 범위의 펄스폭을 가진다.
만약 펄스폭이 긴 레이저로부터 출력된 레이저빔을 이용하여 유기물층(140)에 제1 홀(H1)을 형성하면, 제1 홀(H1)이 형성되는 유기물층(140)에 가해지는 열적 변형으로부터 유기물층(140)이 손상될 수 있고, 제1 홀(H1)의 가공 공차가 커지는 문제가 발생되며, 광열 반응이 발생하여 제1 홀(H1)의 가공 형상이나 길이를 제어하기가 어렵다.
그러나 펄스 지속 시간이 피코초(Picosecond) 또는 펨토초(Femtosecond) 범위를 유지하는 제1 레이저(L1)로부터 출력된 레이저빔을 이용하여 제1 홀(H1)을 형성하면, 유기물층(140)을 형성하는 재질의 열 확산시간보다 짧은 펄스폭을 가지는 레이저빔으로부터 분자 간의 결합을 끊어내는 광화학 반응을 주된 메커니즘으로 하여 제1 홀(H1)을 커팅 가공할 수 있고, 이로써 제1 홀(H1)의 형상이나 길이를 제어하면서 홀의 가공 공정을 효과적으로 수행할 수 있다. 또한 제1 홀(H1)이 형성되는 유기물층(140)에 가해지는 열적 영향을 최소화시킬 수 있어 유기물층(140)의 손상과 제1 홀(H1)의 가공 공차를 최소화할 수 있다.
제1 홀 형성단계(S15)는 진공 분위기에서 수행될 수 있다. 즉, 진공 챔버 내부에서 제1 홀(H1)을 가공할 수 있다.
일예로, 앞서 수행되는 유기물층 형성단계(S14)는 기본적으로 진공 챔버에서 유기물층(140)의 형성이 수행되며, 이러한 유기물층(140)의 형성이 완료된 다음, 동일한 공간에서 제1 홀의 형성단계(S15)를 수행할 수도 있다.
유기물층(140)이 산소 및 수분으로부터 안전하게 보호되는 진공 분위기에서 제1 홀(H1)을 형성함으로서, 산소 및 수분으로부터 유기물층(140)의 안정성이 확보되고, 제1 레이저(L1)를 이용한 제1 홀(H1)의 커팅 가공 중 산화물의 발생을 방지하고, 냉각속도를 항상 동일하게 하여, 유기물층(140)의 제1 홀(H1)의 정밀 가공이 가능하고, 일정한 가공 품질을 유지할 수 있다.
캐소드층 형성단계(S16)는, 상기 유기물층(140)을 감싸도록 캐소드층(150)을 형성하는 단계이다.
즉, 상기 제1 홀(H1)이 형성되었던 유기물층(140)은 캐소드층(150)을 통해 완전히 밀봉될 수 있다.
상기 캐소드층(150)은 주사전극일 수 있으며, 재질로는 반사율이 높은 알루미늄(Al)이 사용될 수 있으며, 이와 같이 OLED 패널을 구성하는 상기 애노드층(130)과 상기 캐소드층(150)에 구동전압 및 전류가 인가되면, 정공운송층 내의 정공과 전자운송층 내의 전자는 각각 유기발광층 쪽으로 진행하여, 유기발광층 내의 형광물질을 여기 시키게 되고, 이를 통해 가시광을 발생시키게 된다.
봉지층 형성단계(S17)는, 상기 캐소드층(150)을 감싸도록 봉지층(160)을 형성하는 단계이다.
즉, 상기 제1 홀(H1)이 형성되었던 유기물층(140)은 상기 캐소드층(150)을 통해 밀봉될 수 있고, 상기 봉지층(160)을 통하여 외부 산소 및 수분으로부터 완전히 밀봉 상태를 유지하게 된다.
상기 봉지층(160)은 유리, 플라스틱, SUS 등을 재료로 형성될 수 있으며, 나아가 박막을 이용한 봉지층(160)으로는 SiO2, Si3N4, MgF2, In2O3, 고분자 필름, SUS 박막 등이 사용될 수 있으며, 이러한 봉지층(160)을 형성하는 방법으로는 에폭시와 같은 고분자를 유기발광소자 위에 스핀 코팅법, 몰딩법에 따라 덮어씌우는 방법, 침지법에 따라 파라핀을 유기발광소자 위에 코팅하는 방법, 진공증착법에 따라 고분자막을 패키징하는 방법 등이 사용될 수 있다.
상기한 캐소드층(150) 및 봉지층(160)의 형성 방법은 언급된 방법 외에 종래 널리 사용되고 있는 다양한 방법들 중 임의의 방법들을 이용하여 형성될 수 있으며, 그러한 구체적인 방법에 대해 특별히 한정하지 않는다.
제2 홀 형성단계(S18)는, 상기 제1 홀(H1)을 덮고 있는 캐소드층(150) 및 봉지층(160)에 제2 레이저(L2)를 조사하여, 봉지층(160) 및 캐소드층(150)뿐만 아니라, 애노드층(130) 및 기판층(120)을 관통하는 제2 홀(H2)을 형성하는 단계이다.
결국 제2 홀(H2)은 최종 완성된 OLED 패널(100)을 완전히 관통하는 구조를 만족하며, 카메라가 장착되는 카메라홀에 해당될 수 있다.
상기 제2 홀(H2)의 크기(D2)는 상기 제1 홀(H1)의 크기(D1)보다 작은 크기를 가진다.
예를 들어 상기 제1 홀(H1) 및 상기 제2 홀(H2)이 원형으로 형성되는 경우, 상기 제2 홀(H2)의 직경은 상기 제1 홀(H1)의 직경보다 작은 직경으로 형성될 수 있으며, 이때 상기 제1 홀(H1) 및 상기 제2 홀(H2)은 동심원을 이루도록 배치될 수 있다. 결국 제2 홀(H2)은 제1 홀(H1)로부터 일정 간격을 유지하며 제1 홀(H1)의 안쪽 공간에 형성될 수 있다.
이처럼 제2 홀(H2)은 유기물층(140)에 형성된 제1 홀(H1)보다 작은 크기로 형성되기 때문에, 제2 레이저(L2)을 조사하여 제2 홀(H2)을 형성하는 과정에서 유기물층(140)은 제2 레이저(L2)의 조사영역으로부터 이격되어 제2 레이저(L2)의 열 영향으로부터 보호될 수 있고, 제1 홀(H1)이 형성된 유기물층(140)은 앞서 형성된 캐소드층(150) 및 봉지층(160)에 의해 완전히 밀봉된 상태를 이루기 때문에, 산소 및 수분으로부터도 안정성이 확보될 수 있다.
상기 제1 홀(H1)과 상기 제2 홀(H2)의 간격은 제2 레이저(L2)의 출력파워에 따라 조절될 수 있다. 즉, 제2 레이저(L2)의 출력파워로부터 유기물층(140)이 열적 영향을 벗어날 수 있을 정도의 간격에 해당되며, 유기물층(140)을 덮고 있는 캐소드층(150) 및 봉지층(160)이 제2 레이저(L2)의 열 영향으로부터 훼손되지 않을 만큼의 최소 간격을 유지하면 된다.
상기 제2 레이저(L2)의 출력파워는 봉지층(160), 캐소드층(150), 애노드층(130), 및 기판층(120)을 관통할 수 있을 정도의 충분한 적정 파워를 설정할 수 있으며, 예를 들어 단위면적당 펄스 에너지가 5J/㎠를 넘지 않는 범위 내에서 설정되되, 상기 제1 레이저(L1)의 출력파워 보다 크게 설정될 수 있다.
한편 제2 홀(H2)을 형성하기 위해 사용되는 제2 레이저(L2) 역시 피코초(Picosecond) 또는 펨토초(Femtosecond) 범위의 펄스폭을 가지는 극초단파 레이저일 수 있다. 즉, 제2 레이저(L2)를 통해 조사되는 레이저빔은 피코초(Picosecond) 또는 펨토초(Femtosecond) 범위의 펄스폭을 가진다.
만약 펄스폭이 긴 레이저로부터 출력된 레이저빔을 이용하여 봉지층(160), 캐소드층(150), 애노드층(130), 및 기판층(120)을 관통하는 제2 홀(H2)을 형성하면, 제2 홀(H1)이 형성되는 봉지층(160), 캐소드층(150), 애노드층(130), 및 기판층(120)에 가해지는 열적 변형으로부터 봉지층(160) 및 캐소드층(150)이 손상될 수 있고, 제2 홀(H2)의 가공 공차가 커지는 문제가 발생되며, 광열 반응이 발생하여 제2 홀(H2)의 가공 형상이나 길이를 제어하기가 어렵고, 심한 경우에는 유기물층(140)까지 손상될 수 있다.
그러나 펄스 지속 시간이 피코초(Picosecond) 또는 펨토초(Femtosecond) 범위를 유지하는 제2 레이저(L2)로부터 출력된 레이저빔을 이용하여 제2 홀(H2)을 형성하면, 봉지층(160), 캐소드층(150), 애노드층(130), 및 기판층(120)을 형성하는 재질의 열확산시간보다 짧은 펄스폭을 가지는 레이저빔으로부터 분자 간의 결합을 끊어내는 광화학 반응을 주된 메커니즘으로 하여 제2 홀(H2)을 커팅 가공할 수 있고, 이로써 가공되는 제2 홀(H2)의 형상이나 길이를 제어하면서 가공 공정을 효과적으로 수행할 수 있다. 또한 제2 홀(H2)이 형성되는 봉지층(160), 캐소드층(150), 애노드층(130), 및 기판층(120)에 가해지는 열적 영향을 최소화시킬 수 있고, 봉지층(160), 캐소드층(150), 애노드층(130), 및 기판층(120)의 손상과 제2 홀(H2)의 가공 공차를 최소화할 수 있다.
또한 피코초(Picosecond) 또는 펨토초(Femtosecond) 범위를 유지하는 제2 레이저(L2)를 이용하여 제2 홀(H2)을 형성함으로서, 상기 제1 홀(H1)과 제2 홀(H2)이 가져야 하는 최소 간격을 유지시킨 채 상기 제2 홀(H2)의 가공이 가능하다.
제2 홀 형성단계(S18)는 상압 분위기에서 수행될 수 있다. 즉, 대기압 상태에서 제2 홀(H2)을 가공할 수 있다.
왜냐하면 우선 유기물층(140)의 제1 홀(H1)보다 작은 크기의 제2 홀(H2)을 형성하기 때문에, 유기물층(140)은 제2 홀(H2)로부터 일정 간격으로 이격되어 제2 레이저(L2)의 열 영향으로부터 보호될 수 있고, 또한 유기물층(140)에 제1 홀(H1)을 형성한 이후 제1 홀(H1)을 덮고 있는 캐소드층(150) 및 봉지층(160)으로부터 유기물층(140)이 완벽히 보호되고 있기 때문에, 제2 홀(H2)이 대기 중에 노출되더라도 산소 및 수분으로부터 안정성이 확보될 수 있다.
물론 상기 제1 홀 형성단계(S15)와 마찬가지로 진공 챔버 내부에서 제2 홀(H2)을 가공할 수 있으나, 일반적으로 별도의 진공 챔버를 구축하는 것만으로도 상당한 비용이 소요되고, 진공 챔버의 운영 과정에서도 막대한 비용이 소요된다.
결국 대기압 상태에서 제2 홀(H2)이 가공되는 경우에는 유기물층(140)이 제2 홀(H2)로부터 완벽히 이격됨과 동시에 캐소드층(150) 및 봉지층(160)으로부터 완벽히 보호되어 대기 중 산소 및 수분으로부터 안정성이 확보될 뿐만 아니라 유지비용도 크게 절감시킬 수 있다.
베이스기판 제거단계(S19)는, 기판층(120)으로부터 베이스기판(110)을 제거하는 단계이다.
즉, 상기 제2 홀(H2)을 형성한 다음 기판층(120)으로부터 베이스기판(110)을 분리 제거함으로서, OLED 패널(100)의 제작을 완료하게 된다.
베이스기판 제거단계(S19)는 예를 들어 베이스기판(110)을 항해 레이저빔을 가하여 기판층(120)으로부터 베이스기판(110)을 박리시키는 이른바, 레이저 리프트오프(Laser Lift-off) 공정을 통해 제거할 수 있다.
한편 OLED 패널이 사용되는 전자기기의 종류에 따라 부가층이 더 형성될 수 있으며, 예를 들어 투명성의 센서층, 편광판층, 및 커버윈도층을 부가함으로서, 도 4에서와 같이 카메라(c) 설치용 홀이 형성된 스마트폰용 디스플레이 패널을 제공할 수 있는 것이다.
상술한 바와 같이 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예를 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자라면, 하기의 청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 또는 변경시킬 수 있다.
100: OLED 패널 110: 베이스기판
120: 기판층 130: 애노드층
140: 유기물층 150: 캐소드층
160: 봉지층 H1: 제1 홀
H2: 제2 홀

Claims (4)

  1. 진공 분위기에서 수행되며, 기판층 상에 형성된 유기물층에 피코초(Picosecond) 또는 펨토초(Femtosecond) 범위의 펄스폭을 가지는 제1 레이저를 조사하여, 상기 유기물층을 관통하는 제1 홀을 형성하는 제1 홀 형성단계; 및
    상압 분위기에서 수행되며, 상기 제1 홀을 덮도록 형성된 캐소드층 및 봉지층에 피코초(Picosecond) 또는 펨토초(Femtosecond) 범위의 펄스폭을 가지는 제2 레이저를 조사하여, 상기 봉지층, 상기 캐소드층 및 상기 기판층을 관통하고 상기 제1 홀의 크기보다 작은 크기를 가지는 제2 홀을 형성하는 제2 홀 형성단계;를 포함하고,
    상기 제1 레이저 및 상기 제2 레이저는 단위 면적당 펄스 에너지가 5J/㎠를 넘지 않는 범위에서 설정되되, 상기 제1 레이저의 출력파워는 상기 제2 레이저의 출력파워 보다 작은 것을 특징으로 하는 OLED 패널의 카메라홀 제조방법.
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